JP2001056480A - Electro-optic device and its production - Google Patents

Electro-optic device and its production

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JP2001056480A
JP2001056480A JP11232699A JP23269999A JP2001056480A JP 2001056480 A JP2001056480 A JP 2001056480A JP 11232699 A JP11232699 A JP 11232699A JP 23269999 A JP23269999 A JP 23269999A JP 2001056480 A JP2001056480 A JP 2001056480A
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Japan
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electrode
electro
display area
conductive
photoresist
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JP11232699A
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Japanese (ja)
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Shoji Hiuga
章二 日向
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable inexpensive manufacture of an electro-optic device which is small in appearance shape by adding contrivances to the formation of electrodes. SOLUTION: This electro-optic device is the electro-optic device for displaying images within a display region V by arranging electro-optic materials, for example, liquid crystals, between a pair of substrates 4a and 4b having electrodes 8a and 8b in the display region V and electrode wiring 15a, 15b and 17 within a non-display region X. A conductive photoresist 20 is laminated on the electrode wiring 15a, 15b and 17 existing within the non-display region X of at least one of a pair of the substrates 4a and 4b. Even when the area of the non-display region X is narrowed, the resistance value of the electrode wiring may be suppressed to a lower level without increasing the film thickness of the electrode wiring 15a, 15b and 17.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶等といった電
気光学物質を用いて像を表示する電気光学装置及びその
製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device for displaying an image using an electro-optical material such as a liquid crystal, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、電気光学物質として種々の物質を
用いた電気光学装置が知られている。例えば、電気光学
装置として液晶を用いた液晶装置や、発光ポリマーを含
んで構成されたエレクトロルミネッセンス(EL)を電
気光学物質として用いた光学装置や、電気光学物質とし
て蛍光体材料を用いたプラズマディスプレイ(PDP)
や、電気光学物質として電界放出素子(FED)を用い
た光学装置等といった各種の電気光学装置が知られてい
る。
2. Description of the Related Art At present, electro-optical devices using various materials as electro-optical materials are known. For example, a liquid crystal device using liquid crystal as an electro-optical device, an optical device using electroluminescence (EL) including a light emitting polymer as an electro-optical material, and a plasma display using a phosphor material as the electro-optical material (PDP)
Also, various electro-optical devices such as an optical device using a field emission device (FED) as an electro-optical material are known.

【0003】上記の電気光学装置では各種の電気光学物
質が一対の基板に挟まれて設けられることが多く、その
電気光学物質の電気光学作用によって表示領域内に文
字、数字、図形等といった像が表示される。また、電気
光学物質に電気光学作用を行わせるために上記一対の基
板のそれぞれの表面には、ストライプ状、面状又は適宜
のパターン状等に形成された電極が形成されるのが一般
的である。
In the above-described electro-optical device, various types of electro-optical materials are often provided between a pair of substrates, and images such as characters, numerals, figures, and the like are displayed in a display area by the electro-optical action of the electro-optical materials. Is displayed. Also, in order to cause the electro-optical material to perform an electro-optical action, it is common that electrodes formed in a stripe shape, a surface shape or an appropriate pattern shape are formed on each surface of the pair of substrates. is there.

【0004】上記の電極がストライプ状等といった所定
のパターンに形成されるのは像を表示するための表示領
域内に関してのことであり、それ以外の領域すなわち非
表示領域には、通常、その電極に信号を伝送する作用を
奏する電極引回し線や、外部回路との間で信号の授受を
行うための端子線等といった電極配線が設けられる。
The above-mentioned electrodes are formed in a predetermined pattern such as a stripe pattern in a display area for displaying an image. In addition, an electrode wiring such as an electrode lead wire having a function of transmitting a signal and a terminal line for transmitting / receiving a signal to / from an external circuit is provided.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】最近では、電気光学装
置の外観形状を小型にするという要望が強く、そのた
め、像の表示に寄与しない領域である非表示領域はでき
るだけ狭くしたいという要望が強い。しかしながら、非
表示領域を狭くするとその領域に形成される電極引回し
線等を高精細に形成しなければならず、そうすると、電
極引回し線の抵抗値が高くなってこの電極引回し線に接
続される外部回路を駆動する上での負荷が高くなるとい
う問題があった。
Recently, there has been a strong demand for miniaturizing the external shape of the electro-optical device. Therefore, there has been a strong demand that the non-display area, which does not contribute to the display of an image, be as small as possible. However, if the non-display area is narrowed, it is necessary to form an electrode lead line and the like formed in that area with high definition, and if so, the resistance value of the electrode lead line becomes high, and the electrode lead line is connected to this electrode lead line. However, there is a problem that a load for driving an external circuit to be used increases.

【0006】この問題を解消するため、従来、電極を形
成するための素材、例えばITO(Indium Tin Oxide)
の膜厚を厚くして電極引回し線等の抵抗値を低く抑える
という措置が行われていた。しかしながらこの措置を採
る場合には、ITOの膜厚を厚くする分だけ電気光学装
置が高価になるという問題があった。
In order to solve this problem, conventionally, a material for forming an electrode, for example, ITO (Indium Tin Oxide)
There has been a measure to increase the film thickness of the electrode to suppress the resistance value of the electrode lead wire and the like. However, when this measure is adopted, there is a problem that the electro-optical device becomes expensive as the thickness of the ITO film increases.

【0007】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、外観形状が小型である電気光学装置を、
電極の形成に工夫を加えることによって、安価に作製で
きるようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has an electro-optical device having a small external appearance.
It is an object of the present invention to make it possible to manufacture an electrode at low cost by devising the formation of the electrode.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】(1) 上記の目的を達
成するため、本発明に係る電気光学装置は、一対の基板
の間に電気光学物質を配置してなり、表示領域に像を表
示することが可能な電気光学装置において、少なくとも
一方の前記基板の前記表示領域内には電極が形成されて
おり、前記電極は非表示領域内に設けられた電極配線に
接続されてなり、前記電極配線上には導電性フォトレジ
ストが設けられてなることを特徴とする。
(1) In order to achieve the above object, an electro-optical device according to the present invention has an electro-optical material disposed between a pair of substrates, and displays an image in a display area. An electrode is formed in the display area of at least one of the substrates, and the electrode is connected to an electrode wiring provided in a non-display area. A conductive photoresist is provided on the wiring.

【0009】この構成の電気光学装置によれば、非表示
領域内にある電極配線の上に導電性フォトレジストを設
けたので、該電極配線を形成する素材、例えばITOの
厚さを厚くすること無しにその電極配線の抵抗値を下げ
ることができる。こうして電極配線を形成する素材の使
用量を減らすことにより、電気光学装置の全体の価格を
低く抑えることができる。
According to the electro-optical device having this structure, since the conductive photoresist is provided on the electrode wiring in the non-display area, the material for forming the electrode wiring, for example, the thickness of ITO is increased. Without this, the resistance value of the electrode wiring can be reduced. By reducing the amount of material used for forming the electrode wiring in this manner, the overall price of the electro-optical device can be kept low.

【0010】(2) 上記(1)項記載の電気光学装置
において、前記電極配線としては、前記電極につながる
電極引回し線及び前記一方の基板の少なくとも一方の辺
端部に形成された端子線が考えられる。電気光学装置の
非表示領域の面積を狭く設計しようとするときには、上
記の各配線を形成するための領域は必然的に狭くせざる
を得ない。このとき、これらの配線の上に導電性フォト
レジストを設けておけば、非表示領域の面積を狭くした
ままで、しかも配線素材の厚さを厚くすることなく、そ
れらの配線の抵抗値を低く抑えることができる。
(2) In the electro-optical device according to the above (1), as the electrode wiring, an electrode lead wire connected to the electrode and a terminal wire formed on at least one side edge of the one substrate. Can be considered. When the area of the non-display area of the electro-optical device is to be designed to be small, the area for forming each of the above-described wirings is necessarily reduced. At this time, if a conductive photoresist is provided on these wirings, the resistance values of those wirings can be reduced without increasing the thickness of the wiring material while keeping the area of the non-display area small. Can be suppressed.

【0011】(3) 上記(1)項又は上記(2)項記
載の電気光学装置において、前記導電性フォトレジスト
は、フォトレジストの内部に導電粒子を分散状態に含ま
せることによって形成することができる。この構成によ
れば、導電性フォトレジストを簡単且つ安価に作製でき
る。
(3) In the electro-optical device according to the above item (1) or (2), the conductive photoresist may be formed by including conductive particles in a dispersed state inside the photoresist. it can. According to this configuration, a conductive photoresist can be easily and inexpensively manufactured.

【0012】(4) 次に、本発明に係る電気光学装置
の製造方法は、一対の基板の間に電気光学物質を配置し
てなり、表示領域に像を表示することが可能であり、
少なくとも一方の前記基板の前記表示領域内には電極が
形成されており、前記電極は非表示領域内に設けれた電
極配線に接続されてなる電気光装置の製造方法におい
て、前記一方の基板の表面に電極素材を無パターン状に
成膜する電極素材成膜工程と、前記電極素材上に導電性
フォトレジストを無パターン状に成膜するレジスト成膜
工程と、前記電極素材及び前記導電性フォトレジストの
両方を前記表示領域内における前記電極及び前記非表示
領域内における前記電極配線と同じパターンに形成する
パターニング工程と、前記非表示領域内の導電性フォト
レジストを残して前記表示領域内の導電性フォトレジス
トを除去するレジスト除去工程とを有することを特徴と
する。
(4) Next, in the method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention, an electro-optical material is disposed between a pair of substrates, and an image can be displayed in a display area.
An electrode is formed in the display region of at least one of the substrates, and the electrode is connected to an electrode wiring provided in a non-display region. An electrode material film forming step of forming an electrode material on the surface in a pattern-free manner; a resist film forming step of forming a conductive photoresist on the electrode material in a pattern-free manner; A patterning step of forming both resists in the same pattern as the electrodes in the display area and the electrode wirings in the non-display area; and a conductive step in the display area while leaving a conductive photoresist in the non-display area. And a resist removing step of removing the conductive photoresist.

【0013】この電気光学装置の製造方法によれば、表
示領域内の電極には導電性フォトレジストを残すことな
く、非表示領域内にある電極配線の上には導電性フォト
レジストを残すことができるので、該電極配線を形成す
る素材、例えばITOの厚さを厚くすること無しにその
電極配線の抵抗値を下げることができる。こうして電極
配線を形成する素材の使用量を減らすことにより、電気
光学装置の全体の価格を低く抑えることができる。
According to this method of manufacturing an electro-optical device, it is possible to leave the conductive photoresist on the electrode wiring in the non-display area without leaving the conductive photoresist on the electrode in the display area. Accordingly, the resistance value of the electrode wiring can be reduced without increasing the thickness of the material forming the electrode wiring, for example, ITO. By reducing the amount of material used for forming the electrode wiring in this manner, the overall price of the electro-optical device can be kept low.

【0014】(5) 上記(4)記載の電気光学装置の
製造方法において、前記パターニング工程は、成膜され
た前記導電性フォトレジストを前記表示領域内における
前記電極及び前記非表示領域内における前記電極配線と
同じパターンで露光する第1露光工程と、露光された前
記導電性フォトレジストに対して現像処理を行う現像工
程と、そして所定パターンへ現像された前記導電性フォ
トレジストをマスクとして前記電極素材をエッチングし
て前記電極を形成するエッチング工程とによって構成で
きる。また、前記レジスト除去工程は、前記パターニン
グ工程の終了後に前記表示領域内にある前記導電性フォ
トレジストを露光する第2露光工程と、そして露光処理
を受けた前記導電性フォトレジストに対して現像処理を
行う現像工程とによって構成できる。
(5) In the method of manufacturing an electro-optical device according to the above (4), in the patterning step, the formed conductive photoresist is formed by depositing the conductive photoresist on the electrode in the display region and the conductive photoresist on the non-display region. A first exposure step of exposing with the same pattern as the electrode wiring, a development step of performing a development process on the exposed conductive photoresist, and the electrode using the conductive photoresist developed into a predetermined pattern as a mask. An etching step of forming the electrode by etching a material. The resist removing step includes a second exposing step of exposing the conductive photoresist in the display area after the patterning step is completed, and a developing processing of the exposed conductive photoresist. And a developing step of performing the following.

【0015】パターニング工程及びレジスト除去工程は
上記以外の任意の方法によって実現することも可能であ
るが、上記の構成とすれば経費及び時間をかけることな
くそれらの工程を実現できる。
The patterning step and the resist removing step can be realized by any method other than the above. However, with the above configuration, these steps can be realized without cost and time.

【0016】(6) 上記(4)項又は上記(5)項記
載の電気光学装置の製造方法において、前記電極配線と
しては、前記電極につながる電極引回し線及び前記一対
の基板の少なくとも一方の辺端部に形成された端子線を
考えることができる。
(6) In the method of manufacturing an electro-optical device according to the above mode (4) or (5), the electrode wiring includes at least one of an electrode lead line connected to the electrode and the pair of substrates. A terminal wire formed at an edge can be considered.

【0017】(7) 上記(4)項から上記(6)項記
載の電気光学装置の製造方法において、前記導電性フォ
トレジストは、フォトレジストの内部に導電粒子を分散
状態に含ませることによって形成することができる。
(7) In the method of manufacturing an electro-optical device according to any one of the above items (4) to (6), the conductive photoresist is formed by including conductive particles in a dispersed state inside the photoresist. can do.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、電気光学装置として液晶装
置を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described by taking a liquid crystal device as an example of an electro-optical device.

【0019】図1は、液晶装置1を分解状態で示し、図
2はその液晶装置1の断面構造を示している。ここに示
す液晶装置1は、互いに対向する一対の基板4a及び4
bを有し、これらの基板はシール材6によってそれらの
周囲が互いに接合される。これらの基板4a及び4b
は、例えばガラス等といった硬質な光透過性材料や、プ
ラスチック等といった可撓性を有する光透過性材料等に
よって形成された基板素材に電極その他の必要要素を形
成することによって作製される。
FIG. 1 shows the liquid crystal device 1 in an exploded state, and FIG. 2 shows a sectional structure of the liquid crystal device 1. The liquid crystal device 1 shown here has a pair of substrates 4a and 4
b, and these substrates are joined to each other at their periphery by the sealing material 6. These substrates 4a and 4b
Is formed by forming electrodes and other necessary elements on a substrate material formed of a hard light-transmitting material such as glass or a flexible light-transmitting material such as plastic.

【0020】図2において、第1基板4aを構成する基
板素材7aの液晶側表面、すなわち第2基板4bに対向
する面には、例えばコモン電極として作用する第1電極
8aが所定のパターンに形成され、その上にオーバーコ
ート層9aが形成され、さらにその上に配向膜11aが
形成される。また、基板素材7aの外側表面には偏光板
12aが貼着される。
In FIG. 2, for example, a first electrode 8a acting as a common electrode is formed in a predetermined pattern on a liquid crystal side surface of a substrate material 7a constituting the first substrate 4a, that is, a surface facing the second substrate 4b. Then, an overcoat layer 9a is formed thereon, and an alignment film 11a is further formed thereon. A polarizing plate 12a is attached to the outer surface of the substrate material 7a.

【0021】第1基板4aに対向する第2基板4bを構
成する基板素材7bの液晶側表面、すなわち第1基板4
aに対向する面には、例えばセグメント電極として作用
する第2電極8bが所定のパターンに形成され、その上
にオーバーコート層9bが形成され、さらにその上に配
向膜11bが形成される。また、基板素材7bの外側表
面には偏光板12bが貼着され、さらにその外側に光反
射板10が設けられる。
The liquid crystal side surface of the substrate material 7b constituting the second substrate 4b facing the first substrate 4a, ie, the first substrate 4
On the surface facing a, for example, a second electrode 8b acting as a segment electrode is formed in a predetermined pattern, an overcoat layer 9b is formed thereon, and an alignment film 11b is further formed thereon. A polarizing plate 12b is adhered to the outer surface of the substrate material 7b, and a light reflecting plate 10 is further provided outside the polarizing plate 12b.

【0022】光反射板10は、バックライト等といった
照明装置に代えることができる。また、上記の各構成要
素に加えて必要に応じて他の光学要素、例えば、位相差
板やカラー表示を行うためのカラーフィルタ等を設ける
こともできる。
The light reflecting plate 10 can be replaced by a lighting device such as a backlight. In addition to the above components, other optical elements such as a phase difference plate and a color filter for performing color display can be provided as necessary.

【0023】各配向膜11a及び11bには、配向性を
持たせるための処理であるラビング処理が施される。ま
た、偏光板12aの偏光軸と偏光板12bの偏光軸と
は、可視像を表示するのに必要となる偏光透過性を得る
ために、互いに所定の角度をもって対向する。
Each of the alignment films 11a and 11b is subjected to a rubbing treatment for imparting an orientation. Further, the polarization axis of the polarizing plate 12a and the polarization axis of the polarizing plate 12b are opposed to each other at a predetermined angle in order to obtain a polarization transmittance required for displaying a visible image.

【0024】第1電極8a及び第2電極8bは、例えば
ITO(Indium Tin Oxide)等といった光透過性材料に
よって1000オングストローム程度の厚さに形成さ
れ、オーバーコート層9a及び9bは、例えば酸化珪
素、酸化チタン又はそれらの混合物等によって800オ
ングストローム程度の厚さに形成され、そして配向膜1
1a及び11bは、例えばポリイミド系樹脂によって8
00オングストローム程度の厚さに形成される。
The first electrode 8a and the second electrode 8b are formed of a light transmitting material such as ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of about 1000 Å, and the overcoat layers 9a and 9b are formed of, for example, silicon oxide, The alignment film 1 is formed of titanium oxide or a mixture thereof to a thickness of about 800 Å.
1a and 11b are made of, for example, polyimide resin
It is formed to a thickness of about 00 Å.

【0025】第1電極8aは、図1に示すように、複数
の直線パターンを互いに平行に配列することによって、
いわゆるストライプ状に形成され、一方、第2電極8b
は上記第1電極8aに交差するように複数の直線パター
ンを互いに平行に配列することによって、やはりストラ
イプ状に形成される。これらの電極8aと電極8bとが
ドットマトリクス状に交差する複数の点が、像を表示す
るための画素を形成する。そして、それらの複数の画素
によって区画形成される領域が、文字等といった像を表
示するための表示領域Vとなる。
As shown in FIG. 1, the first electrode 8a is formed by arranging a plurality of linear patterns in parallel with each other.
It is formed in a so-called stripe shape, while the second electrode 8b
Is also formed in a stripe shape by arranging a plurality of linear patterns parallel to each other so as to intersect the first electrode 8a. A plurality of points where the electrodes 8a and the electrodes 8b intersect in a dot matrix form pixels for displaying an image. An area defined by the plurality of pixels is a display area V for displaying an image such as a character.

【0026】第1基板4aの表示領域V以外の領域、す
なわち非表示領域Xには、第1電極8aにつながる電極
引回し線15a及び基板の辺端部に形成された端子線1
7が存在する。電極引回し線15aは端子線17の中央
部分につながり、その中央部分の両側に位置する端子線
17は、表示領域Vに到達しない適宜の長さに形成され
ている。また、第2基板4bの表示領域V以外の領域、
すなわち非表示領域Xには、第2電極8bにつながる電
極引回し線15bが形成される。
In regions other than the display region V of the first substrate 4a, that is, in the non-display region X, the electrode lead lines 15a connected to the first electrodes 8a and the terminal lines 1 formed at the edge of the substrate are provided.
7 are present. The electrode lead 15a is connected to a central portion of the terminal wire 17, and the terminal wires 17 located on both sides of the central portion are formed to have an appropriate length that does not reach the display region V. A region other than the display region V on the second substrate 4b;
That is, in the non-display area X, an electrode lead line 15b connected to the second electrode 8b is formed.

【0027】本実施形態では、第1基板4aの非表示領
域Xに存在する電極配線、すなわち電極引回し線15a
及び端子線17の上には導電性フォトレジスト20が積
層される。そして、表示領域V内の第1電極8aの上に
は導電性フォトレジスト等といった導電層は設けられな
い。
In this embodiment, the electrode wiring existing in the non-display area X of the first substrate 4a, that is, the electrode lead line 15a
The conductive photoresist 20 is laminated on the terminal wires 17. Then, a conductive layer such as a conductive photoresist is not provided on the first electrode 8a in the display region V.

【0028】また、第2基板4bの非表示領域Xに存在
する電極配線、すなわち電極引回し線15bの上には導
電性フォトレジスト20が積層される。そして、表示領
域V内の第2電極8bの上には導電性フォトレジスト等
といった導電層は設けられない。
Further, a conductive photoresist 20 is laminated on the electrode wiring existing in the non-display area X of the second substrate 4b, that is, on the electrode lead line 15b. Then, a conductive layer such as a conductive photoresist is not provided on the second electrode 8b in the display region V.

【0029】フォトリソグラフィー法に基づくパターニ
ング処理において選択エッチング処理を行う際にマスク
として用いられるフォトレジストは、光に露出すること
によって薬品に対する耐性が変化する特性を有する材料
であり、一般には、絶縁性材料である。これに対し、本
実施形態で用いられる導電性フォトレジスト20は、導
電性を備えたフォトレジストであり、このようなフォト
レジストは、例えば、一般的なフォトレジスト材料に導
電粒子を分散状態で含ませることによって形成される。
A photoresist used as a mask when a selective etching process is performed in a patterning process based on a photolithography method is a material having a property that its resistance to a chemical changes when exposed to light, and is generally an insulating material. Material. In contrast, the conductive photoresist 20 used in the present embodiment is a photoresist having conductivity, and such a photoresist includes, for example, conductive particles dispersed in a general photoresist material. Formed.

【0030】以上のようにして形成された第1基板4a
及び第2基板4bのいずれか一方の液晶側表面には、図
2に示すように、複数のスペーサ13が分散され、さら
にいずれか一方の基板の液晶側表面にシール材6が、例
えば印刷等によって図1に示すように枠状に設けられ
る。このシール材6の内部には図2に示すように導通材
14が分散される。また、シール材6の一部には図1に
示すように液晶注入口6aが形成される。
The first substrate 4a formed as described above
As shown in FIG. 2, a plurality of spacers 13 are dispersed on one of the liquid crystal side surfaces of the second substrate 4b and the sealing material 6 on the liquid crystal side surface of one of the substrates. Thus, it is provided in a frame shape as shown in FIG. As shown in FIG. 2, a conductive material 14 is dispersed inside the seal material 6. Further, a liquid crystal injection port 6a is formed in a part of the sealing material 6, as shown in FIG.

【0031】両基板4a及び4bの間にはスペーサ13
によって保持される均一な寸法、例えば5μm程度の寸
法の間隙、いわゆるセルギャップが形成され、液晶注入
口6aを通してそのセルギャップ内に液晶16が注入さ
れ、その注入の完了後、液晶注入口6aが樹脂等によっ
て封止される。
A spacer 13 is provided between the substrates 4a and 4b.
A gap having a uniform dimension, for example, a dimension of about 5 μm, that is, a so-called cell gap is formed, and the liquid crystal 16 is injected into the cell gap through the liquid crystal injection port 6a. After the injection is completed, the liquid crystal injection port 6a is closed. It is sealed with a resin or the like.

【0032】図1において、第1基板4aは第2基板4
bの外側へ張り出す基板張出し部4cを有し、上記の端
子線17はこの基板張出し部4cの表面に形成される。
第1基板4a上の第1電極8aから延びる電極引回し線
15aはその基板張出し部4cへ直接に延び出て端子線
17となっている。また、第2基板4b上の第2電極8
bから延びる電極引回し線15bは、シール材6の内部
に分散した導通材14(図2参照)を介して、基板張出
し部4c上の端子線17に接続している。
In FIG. 1, the first substrate 4a is a second substrate 4
The terminal line 17 is formed on the surface of the substrate overhanging portion 4c.
The electrode lead line 15a extending from the first electrode 8a on the first substrate 4a directly extends to the substrate overhang 4c to form a terminal line 17. Also, the second electrode 8 on the second substrate 4b
The electrode lead 15b extending from the terminal b is connected to the terminal line 17 on the substrate overhang 4c via the conductive material 14 (see FIG. 2) dispersed inside the seal material 6.

【0033】各電極8a,8b、それから延びる電極引
回し線15a,15b及び端子線17は、いずれも、実
際には極めて狭い間隔で多数本がそれぞれの基板4a及
び4bの表面に形成されるが、図1では構造を分かり易
く示すために実際の間隔よりも広い間隔でそれらの電極
等を模式的に図示してある。また、表示領域V内に形成
される電極8a及び8bは、直線状に形成されることに
限られず、図形、記号等といった適宜のパターン状に形
成されることもある。
Each of the electrodes 8a and 8b, the electrode lead wires 15a and 15b extending therefrom, and the terminal wires 17 are actually formed on the surfaces of the substrates 4a and 4b at extremely small intervals. In FIG. 1, the electrodes and the like are schematically illustrated at intervals wider than the actual intervals in order to clearly show the structure. Further, the electrodes 8a and 8b formed in the display region V are not limited to being formed in a linear shape, but may be formed in an appropriate pattern such as a figure or a symbol.

【0034】基板張出し部4cには、液晶駆動回路を装
備した外部回路(図示せず)が接続される。上記液晶駆
動回路は例えばICチップの形で形成され、このICチ
ップは例えばTAB(Tape Automated bonding)技術を
用いてTCP(Tape CarrierPackage)の形で外部回路
として形成され、例えばこの外部回路が基板張出し部4
cに接続される。
An external circuit (not shown) equipped with a liquid crystal drive circuit is connected to the substrate overhang 4c. The liquid crystal drive circuit is formed, for example, in the form of an IC chip. This IC chip is formed as an external circuit in the form of a TCP (Tape Carrier Package) using, for example, TAB (Tape Automated Bonding) technology. Part 4
c.

【0035】以上のように構成された液晶装置1によれ
ば、図1において、第1電極8a又は第2電極8bのい
ずれか一方に対して行ごとに走査電圧が印加され、さら
にそれらの電極の他方に対して表示画像に基づいたデー
タ電圧が画素ごとに印加される。これら両電圧が印加さ
れた画素部分ではそこに含まれる液晶の配向に変化がも
たらされ、これにより該画素部分を通過する光が変調さ
れ、もって、表示領域V内に文字、数字等といった希望
の像が表示される。
According to the liquid crystal device 1 configured as described above, in FIG. 1, a scanning voltage is applied to one of the first electrode 8a and the second electrode 8b for each row, and furthermore, , A data voltage based on the display image is applied to each pixel. In the pixel portion to which these two voltages are applied, the orientation of the liquid crystal contained in the pixel portion is changed, whereby the light passing through the pixel portion is modulated. Is displayed.

【0036】本実施形態では、表示領域V以外の領域で
ある非表示領域Xに存在する電極配線、すなわち、第1
基板4aに関しては電極引回し線15a及び端子線1
7、一方、第2基板4bに関しては電極引回し線15b
の各配線に関しては、それらの各配線15a,15b,
17の上に導電性フォトレジスト20を積層した。
In the present embodiment, the electrode wiring existing in the non-display area X which is an area other than the display area V, ie, the first
For the substrate 4a, the electrode lead wire 15a and the terminal wire 1
7, on the other hand, for the second substrate 4b, the electrode lead line 15b
, The respective wirings 15a, 15b,
The conductive photoresist 20 was laminated on the substrate 17.

【0037】このため、本実施形態では、非表示領域X
の面積が狭くなってその内部に設けられる電極引回し線
15a,15b等といった電極配線の配線密度が高くな
る場合、すなわち電極配線が高精細パターンになる場合
でも、その電極配線を形成する素材、例えばITOの厚
さを厚くすること無しにその電極配線の抵抗値を下げる
ことができる。ITOの厚さを厚くしなくて済むという
ことは、ITOの使用量を低く抑えることができるとい
うことであり、それ故、本実施形態の液晶装置1は安価
に作製できる。
For this reason, in the present embodiment, the non-display area X
When the wiring density of the electrode wiring such as the electrode wiring 15a, 15b and the like provided therein is increased due to the reduction of the area of the electrode wiring, that is, even when the electrode wiring has a high-definition pattern, the material for forming the electrode wiring, For example, the resistance value of the electrode wiring can be reduced without increasing the thickness of ITO. The fact that it is not necessary to increase the thickness of ITO means that the amount of ITO used can be kept low, and therefore, the liquid crystal device 1 of the present embodiment can be manufactured at low cost.

【0038】また、端子線17を形成した基板張出し部
4cには、TCP(Tape Carrier Package)やヒートシ
ール等といった導電接続用部材を介して外部回路が接続
されるのであるが、その際にはACF( Anisotropic C
onductive Film:異方性導電膜)等といった接合剤が用
いられる。従来のような、端子線17の上に導電性フォ
トレジストが積層されない配線構造であると、ACF内
の導電粒子が端子線17、従ってITOに直接に接触す
ることになるので、両者の接触性が不十分になることが
考えられた。
An external circuit is connected to the substrate overhang 4c on which the terminal wire 17 is formed via a conductive connection member such as a TCP (Tape Carrier Package) or a heat seal. ACF (Anisotropic C
A bonding agent such as an onductive film (anisotropic conductive film) is used. In a conventional wiring structure in which a conductive photoresist is not laminated on the terminal line 17, the conductive particles in the ACF directly contact the terminal line 17, and thus the ITO, so that the contact property between the two is reduced. Was considered to be insufficient.

【0039】これに対し、本実施形態のように、端子線
17の上に導電性フォトレジストを積層しておけば、A
CF内の導電粒子がその導電性フォトレジストを介して
ITOに接触することになる。この場合、導電性フォト
レジストはITOに比べて硬度が低いので、これにAC
F内の導電粒子が接触するときには広い接触面積を確保
でき、この結果、ACF内の導電粒子と端子線17との
間の密着性、すなわち接触性を高めることができる。
On the other hand, if a conductive photoresist is laminated on the terminal line 17 as in the present embodiment, A
The conductive particles in the CF will contact the ITO via the conductive photoresist. In this case, the conductive photoresist has a lower hardness than that of ITO.
When the conductive particles in F contact, a large contact area can be secured, and as a result, the adhesion between the conductive particles in the ACF and the terminal wire 17, that is, the contact can be improved.

【0040】以下、上記構成の液晶装置1を製造するた
めの製造方法について、図3及び図4を参照しながら説
明する。
Hereinafter, a manufacturing method for manufacturing the liquid crystal device 1 having the above configuration will be described with reference to FIGS.

【0041】まず、図4の工程B1〜工程B4によっ
て、図1の第1基板4aを複数個含む大判の第1基板を
形成する。具体的には、工程B1において、図1の第1
基板4aの複数個分の大きさを有する大判の第1基板素
材を用意し、その大判の第1基板素材の表面における個
々の第1基板4a部分に、第1電極8a、電極引回し線
15a及び端子線17をITOを材料として形成する。
First, a large-sized first substrate including a plurality of first substrates 4a of FIG. 1 is formed by steps B1 to B4 of FIG. Specifically, in step B1, the first of FIG.
A large-sized first substrate material having a size corresponding to a plurality of substrates 4a is prepared, and a first electrode 8a and an electrode lead 15a are provided on each of the first substrates 4a on the surface of the large-sized first substrate material. And the terminal wire 17 is formed using ITO as a material.

【0042】この第1電極形成工程B1は、例えば図3
に示す手順によって実施できる。すなわち、工程A1に
おいて、大判の第1基板素材7aの表面に電極素材であ
るITO8aを無パターン状態の膜として成膜し、さら
に工程A2において、そのITO膜8aの上に導電性フ
ォトレジスト20を無パターン状態の膜として成膜す
る。この導電性フォトレジスト20は、例えば、通常用
いられている絶縁性のフォトレジストに導電粒子を分散
状態で含ませることによって形成される。
This first electrode forming step B1 is performed, for example, in FIG.
It can be carried out according to the procedure shown in FIG. That is, in step A1, ITO 8a, which is an electrode material, is formed as a non-patterned film on the surface of a large-sized first substrate material 7a, and in step A2, a conductive photoresist 20 is deposited on the ITO film 8a. It is formed as a film without a pattern. The conductive photoresist 20 is formed, for example, by including conductive particles in a generally used insulating photoresist in a dispersed state.

【0043】そして次に工程A3〜工程A5によってパ
ターニング工程を実施する。具体的には、まず、成膜さ
れた導電性フォトレジスト20を第1電極8a、電極引
回し線15a及び端子線17のパターンと同じパターン
を有するフォトマスク21を通して露光、すなわち第1
露光する(工程A3)。次に、所定の現像液例えば所定
濃度のアルカリ溶液を用いて導電性フォトレジスト20
に対して現像処理を施して導電性フォトレジスト20を
所定パターンに形成する(工程A4)。
Then, a patterning step is performed in steps A3 to A5. Specifically, first, the formed conductive photoresist 20 is exposed through a photomask 21 having the same pattern as that of the first electrode 8a, the electrode lead line 15a, and the terminal line 17, that is, the first photoresist 8 is exposed.
Exposure is performed (Step A3). Next, using a predetermined developing solution, for example, an alkaline solution having a predetermined concentration, the conductive photoresist 20 is used.
Is subjected to a development process to form a conductive photoresist 20 in a predetermined pattern (step A4).

【0044】次に、その導電性フォトレジスト20をマ
スクとして所定のエッチング液を用いてITO膜8aに
対してエッチング処理を施す(工程A5)。これによ
り、大判第1基板素材7aの上に図1に示す第1電極8
a、電極引回し線15a及び端子線17のパターンと同
じパターンが、ITO8a及び導電性フォトレジスト2
0の2層構造によって形成される。このときには、表示
領域V内のパターンも含めて全てのパターンに導電性フ
ォトレジスト20が存在する。
Next, using the conductive photoresist 20 as a mask, an etching process is performed on the ITO film 8a using a predetermined etching solution (step A5). As a result, the first electrode 8 shown in FIG.
a, the same pattern as the pattern of the electrode lead line 15a and the terminal line 17 is formed by the ITO 8a and the conductive photoresist 2.
0 has a two-layer structure. At this time, the conductive photoresist 20 exists in all the patterns including the pattern in the display region V.

【0045】その後、工程A6及び工程A7によってレ
ジスト除去工程を実施する。具体的には、パターニング
工程終了後の導電性フォトレジスト20を表示領域Vに
相当するパターンを有するフォトマスク22を通して露
光、すなわち第2露光する(工程A6)。次に、所定の
現像液、例えば所定濃度のアルカリ溶液を用いて導電性
フォトレジスト20に対して現像処理を施して、表示領
域V内の導電性フォトレジスト20を除去する(工程A
7)。これにより、図3(g)に示すように、非表示領
域X内に位置する電極引回し線15a及び端子線17の
上には導電性フォトレジスト20が残り、一方、表示領
域V内に位置する第1電極8aの上からは導電性フォト
レジスト20が除去された状態のパターンが得られる。
Thereafter, a resist removing step is performed in steps A6 and A7. Specifically, the conductive photoresist 20 after the patterning step is exposed through a photomask 22 having a pattern corresponding to the display region V, that is, a second exposure (step A6). Next, the conductive photoresist 20 is subjected to a developing process using a predetermined developing solution, for example, an alkaline solution having a predetermined concentration, to remove the conductive photoresist 20 in the display region V (Step A).
7). As a result, as shown in FIG. 3G, the conductive photoresist 20 remains on the electrode lead lines 15a and the terminal lines 17 located in the non-display area X, and on the other hand, in the display area V A pattern in which the conductive photoresist 20 has been removed is obtained from above the first electrode 8a.

【0046】次に、図4の工程B2において、第1電極
8a等が形成された大判の第1基板の表面に、例えば酸
化珪素、酸化チタンを材料としてオフセット印刷によっ
てオーバーコート層9a(図2参照)を形成する。そし
てその上に、例えばポリイミド系樹脂を材料としてオフ
セット印刷によって配向膜11a(図2参照)を形成し
(工程B3)、さらにその配向膜11aに対してラビン
グ処理を施す(工程B4)。以上により、第1電極8
a、電極引回し線15a及び端子線17が形成された第
1基板4a(図1参照)を複数個含む状態の大判の第1
基板が形成される。
Next, in step B2 of FIG. 4, the overcoat layer 9a (FIG. 2) is formed on the surface of the large-sized first substrate on which the first electrode 8a and the like are formed by offset printing using, for example, silicon oxide or titanium oxide as a material. Reference). Then, an alignment film 11a (see FIG. 2) is formed thereon by offset printing using, for example, a polyimide resin (Step B3), and a rubbing process is performed on the alignment film 11a (Step B4). As described above, the first electrode 8
a, a large-sized first substrate including a plurality of first substrates 4a (see FIG. 1) on which electrode lead lines 15a and terminal lines 17 are formed.
A substrate is formed.

【0047】次に、図4の工程C1〜工程C5によっ
て、図1の第2基板4bを複数個含む大判の第2基板を
形成する。具体的には、工程C1において、図1の第2
基板4bの複数個分の大きさを有する大判の第2基板素
材を用意し、その第2基板素材の表面における個々の第
2基板4b部分に、第2電極8b及び電極引回し線15
bをITOを材料として形成する。
Next, a large-sized second substrate including a plurality of second substrates 4b of FIG. 1 is formed by steps C1 to C5 of FIG. Specifically, in step C1, the second
A large-sized second substrate material having a size corresponding to a plurality of substrates 4b is prepared, and a second electrode 8b and an electrode lead 15 are provided on each of the second substrates 4b on the surface of the second substrate material.
b is formed using ITO as a material.

【0048】この第2電極形成工程C1は、第1基板4
aの表面に第1電極8a、電極引回し線15a及び端子
線17を形成するために実施した図3の工程と同じ工程
によって実施できる。但しこの第2電極形成工程C1に
おいては、非表示領域X内に位置する電極引回し線15
bの上には導電性フォトレジスト20が残り、一方、表
示領域V内に位置する第2電極8bの上からは導電性フ
ォトレジスト20が除去された状態のパターンが得られ
る。
The second electrode forming step C1 is performed by the first substrate 4
The process can be performed by the same process as that of FIG. 3 performed to form the first electrode 8a, the electrode lead wire 15a, and the terminal wire 17 on the surface of a. However, in the second electrode forming step C1, the electrode lead line 15 located in the non-display area X
On the other hand, the conductive photoresist 20 remains on the second electrode 8b located in the display region V, and a pattern in which the conductive photoresist 20 has been removed is obtained on the second electrode 8b.

【0049】次に、図4の工程C2において、第2電極
8b及び電極引回し線15bが形成された大判の第2基
板の表面に、オーバーコート層9b(図2参照)を、例
えば酸化珪素、酸化チタンを材料としてオフセット印刷
によって形成する。そしてその上に、例えばポリイミド
系樹脂を材料としてオフセット印刷によって配向膜11
b(図2参照)を形成し(工程C3)、さらにその配向
膜11bに対してラビング処理を施す(工程C4)。
Next, in step C2 of FIG. 4, an overcoat layer 9b (see FIG. 2) is formed on the surface of the large-sized second substrate on which the second electrode 8b and the electrode lead line 15b are formed, for example, by silicon oxide. Is formed by offset printing using titanium oxide as a material. Then, the alignment film 11 is formed thereon by offset printing using, for example, a polyimide resin.
b (see FIG. 2) (Step C3), and a rubbing process is performed on the alignment film 11b (Step C4).

【0050】そしてその上に、例えばエポキシ系樹脂の
中に導通材を分散して成る材料を用いてスクリーン印刷
によってシール材6(図1参照)を枠形状に形成する
(工程C5)。以上により、第2電極8b及び電極引回
し線15bが形成された第2基板4b(図1参照)を複
数個含む状態の大判の第2基板が形成される。
Then, a sealing material 6 (see FIG. 1) is formed in a frame shape by screen printing using, for example, a material obtained by dispersing a conductive material in an epoxy resin (step C5). As described above, a large-sized second substrate including a plurality of second substrates 4b (see FIG. 1) on which the second electrodes 8b and the electrode lead lines 15b are formed is formed.

【0051】以上により、大判の第1基板及び大判の第
2基板が作製された後、図4の工程D1において、それ
らの大判第1基板と大判第2基板とを各液晶装置部分の
シール材6を間に挟んで重ね合わせ、さらに圧着するこ
と、すなわち加熱下で加圧することにより、両基板を互
いに貼り合わせる。
After the large-sized first substrate and the large-sized second substrate are manufactured as described above, in step D1 of FIG. 4, the large-sized first substrate and the large-sized second substrate are sealed with the sealing material for each liquid crystal device. The substrates 6 are attached to each other by superimposing them and sandwiching them therebetween, that is, by pressurizing under heating.

【0052】この貼り合わせにより、第2基板4b上の
電極引回し線15bの先端と、第1基板4a上の端子線
17とがシール材6中に分散された導通材14(図2参
照)によって互いに導電接続される。以上により、図1
の液晶装置1を複数個含む大きさの大判の液晶パネル構
造が形成される。
By this bonding, the conductive material 14 in which the tip of the electrode lead wire 15b on the second substrate 4b and the terminal wire 17 on the first substrate 4a are dispersed in the sealing material 6 (see FIG. 2) Are conductively connected to each other. As described above, FIG.
A large-sized liquid crystal panel structure including a plurality of the liquid crystal devices 1 is formed.

【0053】以上のようにして大判の液晶パネル構造が
作製された後、この液晶パネル構造に対して第1ブレイ
ク工程を実施して、液晶注入口6a(図1参照)が外部
に露出した状態の複数の液晶パネル部分が一列に並んだ
状態で含まれる、いわゆる短冊状の中判液晶パネル構造
を複数個作製する(工程D2)。その後、中判液晶パネ
ル構造に含まれる複数の液晶パネル構造に関して、外部
へ露出する液晶注入口6aを通して液晶を注入し、さら
にその注入の完了後にその液晶注入口6aを樹脂によっ
て封止する(工程D3)。
After the large-sized liquid crystal panel structure is manufactured as described above, the first break process is performed on the liquid crystal panel structure, and the liquid crystal injection port 6a (see FIG. 1) is exposed to the outside. A plurality of so-called strip-shaped medium-sized liquid crystal panel structures including a plurality of liquid crystal panel portions in a line are manufactured (step D2). Thereafter, for a plurality of liquid crystal panel structures included in the medium-sized liquid crystal panel structure, liquid crystal is injected through the liquid crystal injection port 6a exposed to the outside, and after the injection is completed, the liquid crystal injection port 6a is sealed with a resin (step). D3).

【0054】次に、工程D4において短冊状の中判液晶
パネル構造に対して第2ブレイクを実行し、これによ
り、図1に示す液晶装置1であって偏光板12a及び1
2bが貼着されていない構造の液晶パネル構造を1個ず
つ分断する。そして次に、分断された個々の液晶パネル
構造の表裏両面に偏光板12a及び偏光板12bをそれ
ぞれ貼着し(工程D5)、さらに偏光板12bの上にさ
らに光反射板19を貼着することにより、図1に示す液
晶装置1が完成する。その後、必要に応じて、基板張出
し部4cに形成された端子線17に液晶駆動回路等を含
んだ外部回路が導電接続される。
Next, in a step D4, a second break is performed on the strip-shaped medium-sized liquid crystal panel structure, whereby the liquid crystal device 1 shown in FIG.
The liquid crystal panel structure having the structure to which 2b is not attached is divided one by one. Then, a polarizing plate 12a and a polarizing plate 12b are respectively attached to both front and back surfaces of each divided liquid crystal panel structure (Step D5), and a light reflecting plate 19 is further attached on the polarizing plate 12b. Thereby, the liquid crystal device 1 shown in FIG. 1 is completed. Thereafter, if necessary, an external circuit including a liquid crystal drive circuit and the like is conductively connected to the terminal line 17 formed on the substrate overhang portion 4c.

【0055】以上の液晶装置の製造方法において、特に
図3に示す電極形成工程について考える。この工程は、
非表示領域X内に存在する電極引回し線15a,15b
や端子線17等といった電極配線の上には導電性フォト
レジスト20を残して、表示領域V内に存在する第1電
極8aや第2電極8bの上からは導電性フォトレジスト
20を除去することを目標にして行われる処理である。
In the above-described method for manufacturing a liquid crystal device, the electrode forming step shown in FIG. 3 will be considered. This step is
Electrode lead lines 15a, 15b existing in non-display area X
The conductive photoresist 20 is left on the electrode wiring such as the terminal lines 17 and the like, and the conductive photoresist 20 is removed from the first electrode 8a and the second electrode 8b existing in the display region V. This is a process performed with the goal of.

【0056】一般的なフォトリソグラフィー法に基づく
パターニング処理においては、フォトレジストとして絶
縁性のフォトレジストが用いられるのが通常であり、こ
の点において、一般的なフォトリソグラフィー法と図3
に示した電極形成工程との間で大きな違いがある。しか
しながら、図3における工程A1から工程A5に至るま
での処理に関しては、両者間でほとんど違いはない。
In a patterning process based on a general photolithography method, it is usual that an insulating photoresist is used as a photoresist.
There is a great difference from the electrode forming process shown in FIG. However, there is almost no difference between the processes from step A1 to step A5 in FIG.

【0057】また、一般的なフォトリソグラフィー法に
おいては、エッチング工程A5が終了すると、あとはフ
ォトレジストを全て除去すれば事足りるので、そのエッ
チング工程A5の後には、例えば高濃度のアルカリ溶液
を用いたレジスト剥離工程が実施されるのが一般的であ
る。
In addition, in the general photolithography method, after the etching step A5 is completed, it is sufficient to remove the entire photoresist, and for example, a high-concentration alkaline solution is used after the etching step A5. Generally, a resist stripping step is performed.

【0058】これに対して本実施形態では、導電性フォ
トレジスト20を除去するのを表示領域Vだけに限定し
て非表示領域Xに関しては導電性フォトレジスト20を
残さなければならないので、エッチング工程A5の後に
第2露光工程A6を実施した上で、その後に現像処理A
7を行っている。
On the other hand, in this embodiment, the conductive photoresist 20 must be removed only in the display region V and the conductive photoresist 20 must be left in the non-display region X. After performing the second exposure step A6 after A5, the development processing A
7 has been done.

【0059】この場合、本実施形態における現像工程A
7は、一般的なフォトリソグラフィー法におけるレジス
ト剥離工程とほぼ同じ処理によって実施できる工程であ
るので、本実施形態の電極形成工程において一般的なフ
ォトリソグラフィー法と根本的に異なっているのは、工
程A6において表示領域Vに対して第2露光を行ってい
ることであると考えられる。
In this case, the developing step A in the present embodiment
Step 7 is a step which can be performed by substantially the same processing as the resist stripping step in the general photolithography method. Therefore, the electrode forming step of this embodiment is fundamentally different from the general photolithography method in that the step It is considered that the second exposure is performed on the display area V in A6.

【0060】つまり、本実施形態のように、パターニン
グ工程を第1露光(工程A3)、現像(工程A4)及び
エッチング(工程A5)によって実施し、さらにレジス
ト除去工程を第2露光(工程A6)及び現像(工程A
7)によって実施することにすれば、一般的なフォトリ
ソグラフィー法に少しの改変を加えるだけで希望する結
果を得られるので、非常に実現が容易であり、しかもほ
とんど経費の増大が無い。
That is, as in this embodiment, the patterning step is performed by the first exposure (step A3), the development (step A4) and the etching (step A5), and the resist removing step is performed by the second exposure (step A6). And development (Step A)
According to the method (7), a desired result can be obtained with a slight modification of a general photolithography method, so that it is very easy to realize, and there is almost no increase in cost.

【0061】以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を
説明したが、本発明はその実施形態に限定されるもので
なく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変
できる。
As described above, the present invention has been described with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and can be variously modified within the scope of the invention described in the claims.

【0062】例えば、図1の実施形態では電気光学装置
として液晶装置を例示したが、それ以外の電気光学装
置、例えば電気光学装置としてエレクトロルミネッセン
ス(EL)を用いた光学装置や、プラズマディスプレイ
(PDP)や、電気光学物質として電界放出素子(FE
D)を用いた光学装置等といった各種の電気光学装置に
対しても本発明を適用できる。
For example, in the embodiment of FIG. 1, a liquid crystal device is exemplified as an electro-optical device. However, other electro-optical devices, for example, an optical device using electroluminescence (EL) as an electro-optical device, a plasma display (PDP), and the like. ) And field emission devices (FE
The present invention can be applied to various electro-optical devices such as an optical device using D).

【0063】また、図1の実施形態では、液晶装置1を
構成する要素として、一対の基板4a,4b、偏光板1
2a,12b、及び光反射板10といった要素を例示し
たが、この例示は単なる一例であり、必要に応じて他の
構成要素、例えばカラー表示のためのカラーフィルタ
や、位相差板等を用いることができることはもちろんで
ある。
In the embodiment shown in FIG. 1, a pair of substrates 4a and 4b, a polarizing plate 1
Although the elements such as 2a, 12b and the light reflecting plate 10 have been illustrated, this is merely an example, and other components such as a color filter for color display and a phase difference plate may be used as necessary. Of course you can.

【0064】[0064]

【発明の効果】本発明に係る電気光学装置によれば、非
表示領域内にある電極配線、例えば電極引回し線等の上
に導電性フォトレジストを設けたので、該電極配線を形
成する素材、例えばITOの厚さを厚くすること無しに
その電極配線の抵抗値を下げることができる。こうして
電極配線を形成する素材の使用量を減らすことにより、
電気光学装置の全体の価格を低く抑えることができる。
According to the electro-optical device of the present invention, since the conductive photoresist is provided on the electrode wiring in the non-display area, for example, on the electrode wiring, the material for forming the electrode wiring is provided. For example, the resistance value of the electrode wiring can be reduced without increasing the thickness of the ITO. By reducing the amount of material used to form the electrode wiring,
The overall price of the electro-optical device can be kept low.

【0065】また、本発明に係る電気光学装置の製造方
法によれば、表示領域内の電極には導電性フォトレジス
トを残すことなく、非表示領域内にある電極配線の上に
は導電性フォトレジストを残すことができるので、該電
極配線を形成する素材、例えばITOの厚さを厚くする
こと無しにその電極配線の抵抗値を下げることができ
る。こうして電極配線を形成する素材の使用量を減らす
ことにより、電気光学装置の全体の価格を低く抑えるこ
とができる。
Further, according to the method of manufacturing the electro-optical device according to the present invention, the conductive photoresist is not left on the electrodes in the display area and the conductive photoresist is left on the electrode wirings in the non-display area. Since the resist can be left, the resistance of the electrode wiring can be reduced without increasing the thickness of the material forming the electrode wiring, for example, ITO. By reducing the amount of material used for forming the electrode wiring in this manner, the overall price of the electro-optical device can be kept low.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電気光学装置の一例である液晶装
置の一実施形態を分解状態で示す斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a liquid crystal device as an example of an electro-optical device according to the invention.

【図2】図1に示す液晶装置の断面構造を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view showing a sectional structure of the liquid crystal device shown in FIG.

【図3】本発明に係る電気光学装置の製造方法の主要部
を示す工程図である。
FIG. 3 is a process diagram showing a main part of a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention.

【図4】図1に示す液晶装置の製造方法の一例を示す工
程図である。
FIG. 4 is a process chart showing an example of a method for manufacturing the liquid crystal device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶装置(電気光学装置) 4a,4b 基板 6 シール材 7a,7b 基板素材 8a,8b 電極 10 光反射板 15a,15b 電極引回し線(電極配線) 16 液晶 17 端子線(電極配線) 20 導電性フォトレジスト V 表示領域 X 非表示領域 Reference Signs List 1 liquid crystal device (electro-optical device) 4a, 4b substrate 6 sealing material 7a, 7b substrate material 8a, 8b electrode 10 light reflection plate 15a, 15b electrode lead wire (electrode wire) 16 liquid crystal 17 terminal wire (electrode wire) 20 conductive Photoresist V display area X non-display area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA34 GA42 GA51 HA25 HA28 MA10 MA12 MA15 MA17 MA37 NA28 PA01 PA02 PA03 PA04 PA10 PA11 PA12 3K007 AB02 AB05 AB18 BA06 CA01 CB01 CC05 FA01 5G435 AA16 AA17 AA18 BB05 BB06 BB12 CC09 EE41 HH12 HH20 KK05  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H092 GA34 GA42 GA51 HA25 HA28 MA10 MA12 MA15 MA17 MA37 NA28 PA01 PA02 PA03 PA04 PA10 PA11 PA12 3K007 AB02 AB05 AB18 BA06 CA01 CB01 CC05 FA01 5G435 AA16 AA17 AA18 BB05 BB06 BB12 CC09 EE HH20 KK05

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の基板の間に電気光学物質を配置し
てなり、表示領域に像を表示することが可能な電気光学
装置において、 少なくとも一方の前記基板の前記表示領域内には電極が
形成されており、前記電極は非表示領域内に設けられた
電極配線に接続されてなり、前記電極配線上には導電性
フォトレジストが設けられてなることを特徴とする電気
光学装置。
1. An electro-optical device having an electro-optical material disposed between a pair of substrates and capable of displaying an image on a display area, wherein an electrode is provided in the display area of at least one of the substrates. An electro-optical device, wherein the electrode is formed, and the electrode is connected to an electrode wiring provided in a non-display area, and a conductive photoresist is provided on the electrode wiring.
【請求項2】 請求項1において、前記電極配線は、前
記電極につながる電極引回し線及び前記一方の基板の少
なくとも一方の辺端部に形成された端子線を含むことを
特徴とする電気光学装置。
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electrode wiring includes an electrode lead line connected to the electrode and a terminal line formed on at least one side edge of the one substrate. apparatus.
【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記導
電性フォトレジストは、フォトレジストの内部に導電粒
子を分散状態に含ませることによって形成されることを
特徴とする電気光学装置。
3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive photoresist is formed by dispersing conductive particles inside the photoresist.
【請求項4】 一対の基板の間に電気光学物質を配置し
てなり、表示領域に像を表示することが可能であり、
少なくとも一方の前記基板の前記表示領域内には電極が
形成されており、前記電極は非表示領域内に設けられた
電極配線に接続されてなる電気光装置の製造方法におい
て、 前記一方の基板の表面に電極素材を無パターン状に成膜
する電極素材成膜工程と、 前記電極素材上に導電性フォトレジストを無パターン状
に成膜するレジスト成膜工程と、 前記電極素材及び前記導電性フォトレジストの両方を前
記表示領域内における前記電極及び前記非表示領域内に
おける前記電極配線と同じパターンに形成するパターニ
ング工程と、 前記非表示領域内の導電性フォトレジストを残して前記
表示領域内の導電性フォトレジストを除去するレジスト
除去工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製
造方法。
4. An electro-optical substance is disposed between a pair of substrates, and an image can be displayed in a display area.
An electrode is formed in the display area of at least one of the substrates, and the electrode is connected to an electrode wiring provided in a non-display area. An electrode material film forming step of forming an electrode material on the surface in a non-pattern form; a resist film forming step of forming a conductive photoresist on the electrode material in a non-pattern form; the electrode material and the conductive photo A patterning step of forming both resists in the same pattern as the electrodes in the display area and the electrode wirings in the non-display area; and a conductive pattern in the display area except for a conductive photoresist in the non-display area. And a resist removing step of removing the conductive photoresist.
【請求項5】 請求項4において、 前記パターニング工程は、 成膜された前記導電性フォトレジストを前記表示領域内
における前記電極及び前記非表示領域内における前記電
極配線と同じパターンで露光する第1露光工程と、 露光された前記導電性フォトレジストに対して現像処理
を行う現像工程と、 所定パターンへ現像された前記導電性フォトレジストを
マスクとして前記電極素材をエッチングして前記電極を
形成するエッチング工程とを有し、 前記レジスト除去工程は、 前記パターニング工程の終了後に前記表示領域内にある
前記導電性フォトレジストを露光する第2露光工程と、 露光処理を受けた前記導電性フォトレジストに対して現
像処理を行う現像工程とを有することを特徴とする電気
光学装置の製造方法。
5. The method according to claim 4, wherein the patterning step includes exposing the formed conductive photoresist in the same pattern as the electrode in the display area and the electrode wiring in the non-display area. An exposure step, a development step of performing development processing on the exposed conductive photoresist, and an etching step of etching the electrode material using the conductive photoresist developed into a predetermined pattern as a mask to form the electrode. A second exposure step of exposing the conductive photoresist in the display area after the patterning step is completed, and a step of exposing the conductive photoresist that has been exposed to light. And a developing step of performing a developing process.
【請求項6】 請求項4又は請求項5において、前記電
極配線は前記電極につながる電極引回し線及び前記一対
の基板の少なくとも一方の辺端部に形成された端子線を
含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. The electrode wiring according to claim 4, wherein the electrode wiring includes an electrode lead line connected to the electrode and a terminal line formed on at least one side edge of the pair of substrates. Of manufacturing an electro-optical device.
【請求項7】 請求項4から請求項6の少なくともいず
れか1つにおいて、前記導電性フォトレジストは、フォ
トレジストの内部に導電粒子を分散状態に含ませること
によって形成されることを特徴とする電気光学装置の製
造方法。
7. The conductive photoresist according to claim 4, wherein the conductive photoresist is formed by dispersing conductive particles inside the photoresist. A method for manufacturing an electro-optical device.
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