JP2016100172A

JP2016100172A - Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Info

Publication number: JP2016100172A
Application number: JP2014235863A
Authority: JP
Inventors: 秀隆大峡; Hidetaka Ohazama; 健太島崎; Kenta SHIMAZAKI
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2014-11-20
Filing date: 2014-11-20
Publication date: 2016-05-30

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a substrate from being damaged while securing the connection reliability between a terminal of a light-emitting device and a conductive member in a step of connecting the conductive member to the terminal.SOLUTION: A first terminal 112 connected to a light-emitting unit includes a first layer 112a and a second layer 112b. The first layer 112a is formed on a substrate 100, and the second layer 112b is located above the first layer 112a. The second layer 112b is softer than the first layer 112a. The second layer 112b is located in a surface layer of the first terminal 112, and also located just above the first layer 112a.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。このような発光装置において、有機ＥＬ素子は基板に形成されている。この基板には、有機ＥＬ素子に接続する端子が設けられている。この端子には、ＦＰＣ（Flexible Printed circuit）、リード端子、又はボンディングワイヤなどの導通部材が接続されている。端子がＦＰＣに接続する場合、端子とＦＰＣは異方性導電性膜を介して互いに接続する場合が多い。 In recent years, development of light-emitting devices having organic EL (Organic Electroluminescence) elements as light-emitting elements has been progressing. In such a light emitting device, the organic EL element is formed on a substrate. The substrate is provided with a terminal connected to the organic EL element. A conductive member such as an FPC (Flexible Printed Circuit), a lead terminal, or a bonding wire is connected to this terminal. When the terminal is connected to the FPC, the terminal and the FPC are often connected to each other through an anisotropic conductive film.

なお、特許文献１には、液晶表示装置の端子に、異方性導電膜を用いてＦＰＣを接続することが記載されている。特許文献１において、液晶表示装置の端子は、ＩＴＯによって形成されている。そしてこの端子の上には、保護膜が形成されている。この保護膜は、レジストに、ＩＴＯなどの導電性物質からなる透明な粒子を混ぜたものである。 Note that Patent Document 1 describes connecting an FPC to a terminal of a liquid crystal display device using an anisotropic conductive film. In Patent Document 1, the terminal of the liquid crystal display device is formed of ITO. A protective film is formed on this terminal. This protective film is obtained by mixing transparent particles made of a conductive material such as ITO into a resist.

特開平１１−２９５７４７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-295747

薄い発光装置の要求が高まるにつれて、薄い基板や可撓性のある樹脂基板が採用されている。このような基板を利用した端子に導通部材を接続する工程において、端子には導通部材が押し付けられる。この押付力が大きいと、薄い基板は基板が破損する可能性があり、又可撓性のある樹脂基板は基板上の端子などが破損する可能性が出てくる。しかし、この押付力が小さいと、端子と導通部材の接続信頼性が低下する可能性が出てくる。 As the demand for thin light emitting devices increases, thin substrates and flexible resin substrates have been adopted. In the step of connecting the conductive member to the terminal using such a substrate, the conductive member is pressed against the terminal. If this pressing force is large, the thin substrate may break the substrate, and the flexible resin substrate may break the terminals on the substrate. However, if this pressing force is small, there is a possibility that the connection reliability between the terminal and the conductive member is lowered.

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の端子に導通部材を接続する工程において、端子と導通部材の接続信頼性を確保しつつ、基板が破損しないようにすることが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent the substrate from being damaged while securing the connection reliability between the terminal and the conductive member in the step of connecting the conductive member to the terminal of the light emitting device. .

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板の上側に形成された端子と、
前記端子と電気的に接続する発光部と、
を備え、
前記端子は、
第１層と、
前記第１層よりも上側に位置し、前記第１層よりも柔らかい第２層と、
を備える発光装置である。 The invention according to claim 1 is a substrate;
Terminals formed on the upper side of the substrate;
A light emitting portion electrically connected to the terminal;
With
The terminal is
The first layer;
A second layer located above the first layer and softer than the first layer;
It is a light-emitting device provided with.

請求項９に記載の発明は、基板に端子を形成する工程と、
前記基板に、前記端子に接続する発光部を形成する工程と、
を備え、
前記端子を形成する工程は、
スパッタリングにより第１層を形成する工程と、
前記スパッタリングの入力電力を下げることにより、前記第１層より柔らかい第２層を前記第１層の上に形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法である。 The invention according to claim 9 includes a step of forming a terminal on the substrate,
Forming a light emitting portion connected to the terminal on the substrate;
With
The step of forming the terminal includes
Forming a first layer by sputtering;
Forming a second layer softer than the first layer on the first layer by reducing the input power of the sputtering;
The manufacturing method of the light-emitting device containing this.

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。It is the figure which expanded the area | region enclosed with the dotted line (alpha) of FIG. 発光装置の製造方法を示すための断面図である。It is sectional drawing for showing the manufacturing method of a light-emitting device. 実施例１に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 図４から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. 図４のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図４のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図４のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。6 is a plan view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 2. 図９から第２電極を取り除いた図である。It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. 図１０から有機層を取り除いた図である。It is the figure which removed the organic layer from FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図２は、図１の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。図１に示すように、実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、第１端子１１２、及び発光部１４０を有している。発光部１４０は、例えば照明装置の光源、又は表示装置の画素である。そして図２に示すように、第１端子１１２は、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂを有している。第１層１１２ａは基板１００上に形成されており、第２層１１２ｂは第１層１１２ａより上に位置している。そして第２層１１２ｂは第１層１１２ａよりも柔らかい。柔らかいとは硬度が低いことと、密度が低いことである。図２に示す例において、第２層１１２ｂは第１端子１１２の表層に位置しており、また、第１層１１２ａのすぐ上に位置している。以下、詳細に説明する。 FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line α in FIG. As illustrated in FIG. 1, the light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a first terminal 112, and a light emitting unit 140. The light emitting unit 140 is, for example, a light source of a lighting device or a pixel of a display device. As shown in FIG. 2, the first terminal 112 has a first layer 112a and a second layer 112b. The first layer 112a is formed on the substrate 100, and the second layer 112b is located above the first layer 112a. The second layer 112b is softer than the first layer 112a. “Soft” means low hardness and low density. In the example shown in FIG. 2, the second layer 112b is located on the surface layer of the first terminal 112, and is located immediately above the first layer 112a. Details will be described below.

まず、図１を用いて発光装置１０の構成を説明する。 First, the configuration of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG.

基板１００は、例えばガラスや樹脂などの材料で形成されている。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。厚さが２００μｍ以下になると、後述するフレキシブル配線基板２００（以下、ＦＰＣ２００と記載）を接続する時、ＦＰＣ２００を押し付ける力により基板１００が破損しやすくなり、発光装置１０の歩留りが低下するという課題がある。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。 The substrate 100 is made of a material such as glass or resin. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. The substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. In particular, when the substrate 100 is glass, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 μm or less. When the thickness is 200 μm or less, when connecting a flexible wiring board 200 (hereinafter referred to as FPC 200), which will be described later, the substrate 100 is likely to be damaged by the force pressing the FPC 200, and the yield of the light emitting device 10 is reduced. is there. When the substrate 100 is a resin, the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. When the substrate 100 is a resin, an inorganic barrier film such as SiN _x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from permeating the substrate 100. .

基板１００には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。 A light emitting unit 140 is formed on the substrate 100. The light emitting unit 140 has an organic EL element. This organic EL element has a configuration in which a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 are laminated in this order.

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。 The first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency. The transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). is there. The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer 120 has a light emitting layer. The organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. In addition, at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. Moreover, all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply | coating method.

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。 The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property. The thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

また発光装置１０は、第１端子１１２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続している。本図に示す例において、第１端子１１２は、引出配線１１４を介して第１電極１１０に接続している。引出配線１１４は第１電極１１０と一体になっている。また、第１端子１１２の少なくとも一部（例えば第１層１１２ａ）は、第１電極１１０と一体になっている。 In addition, the light emitting device 10 has a first terminal 112. The first terminal 112 is connected to the first electrode 110. In the example shown in the figure, the first terminal 112 is connected to the first electrode 110 via the lead wiring 114. The lead wiring 114 is integrated with the first electrode 110. Further, at least a part of the first terminal 112 (for example, the first layer 112a) is integrated with the first electrode 110.

第１端子１１２は、異方性導電性樹脂層２２０を介してＦＰＣ２００に接続している。 The first terminal 112 is connected to the FPC 200 through the anisotropic conductive resin layer 220.

なお、発光装置１０は、第２電極１３０に接続している第２端子（図示せず）を有している。第２端子の断面構造は、第１端子１１２の断面構造とほぼ同じである。そして第２端子にも、ＦＰＣ２００が接続している。第２端子に接続するＦＰＣ２００は、第１端子１１２に接続するＦＰＣ２００と同じものであってもよいし、このＦＰＣから独立したＦＰＣであってもよい。 The light emitting device 10 has a second terminal (not shown) connected to the second electrode 130. The sectional structure of the second terminal is substantially the same as the sectional structure of the first terminal 112. The FPC 200 is also connected to the second terminal. The FPC 200 connected to the second terminal may be the same as the FPC 200 connected to the first terminal 112, or may be an FPC independent of this FPC.

また、発光装置１０は、さらに封止部材を有していてもよい。封止部材は、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されており、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置している。なお、封止部材は原子層成長（ＡＬＤ）法で形成された膜又は化学気相成長（ＣＶＤ）法で形成された膜であってもよい。 The light emitting device 10 may further include a sealing member. The sealing member is formed using, for example, a metal such as glass or aluminum, or a resin, and has a polygonal shape or a circular shape similar to that of the substrate 100 and has a shape in which a concave portion is provided at the center. The edge of the sealing member is fixed to the substrate 100 with an adhesive. Thereby, the space surrounded by the sealing member and the substrate 100 is sealed. And the light emission part 140 is located in this sealed space. The sealing member may be a film formed by an atomic layer deposition (ALD) method or a film formed by a chemical vapor deposition (CVD) method.

また、発光装置１０は、さらに乾燥剤を有していてもよい。乾燥剤は、例えば封止部材によって封止された空間内、例えば封止部材のうち基板１００に対向する面に配置されている。 The light emitting device 10 may further have a desiccant. The desiccant is disposed, for example, in the space sealed by the sealing member, for example, on the surface of the sealing member that faces the substrate 100.

次に図２を用いて、第１端子１１２の構成、及び第１端子１１２とＦＰＣ２００の接続構造について説明する。上記したように、第１端子１１２は、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂを有している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａより密度が低く、柔らかい。厚さ方向の断面において、第２層１１２ｂの密度は第１層１１２ａの密度よりも低い。これらの密度の大小は、例えばＸＲＤ（X‐ray diffraction）やＲＢＳ（Rutherford Backscattering Spectrometry）を用いて判断することができる。また、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂの密度は、第１端子１１２の断面写真において空隙の割合を測定しても、判断できる。 Next, the configuration of the first terminal 112 and the connection structure between the first terminal 112 and the FPC 200 will be described with reference to FIG. As described above, the first terminal 112 includes the first layer 112a and the second layer 112b. The second layer 112b has a lower density and is softer than the first layer 112a. In the cross section in the thickness direction, the density of the second layer 112b is lower than the density of the first layer 112a. The magnitude of these densities can be determined using, for example, XRD (X-ray diffraction) or RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry). The density of the first layer 112a and the second layer 112b can also be determined by measuring the void ratio in the cross-sectional photograph of the first terminal 112.

上記したように、第１端子１１２は、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂを有している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａより硬度が低く、柔らかい。第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂの硬度は、マイクロビッカース試験などによって測定されてもよい。 As described above, the first terminal 112 includes the first layer 112a and the second layer 112b. The second layer 112b has a lower hardness and is softer than the first layer 112a. The hardness of the first layer 112a and the second layer 112b may be measured by a micro Vickers test or the like.

第２層１１２ｂは、第１層１１２ａと同一の材料（例えばＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電材料）によって形成することができる。このようにすると、成膜条件を途中で変更することにより、第１層１１２ａと第２層１１２ｂとを同一の成膜装置で連続して形成することができる。 The second layer 112b can be formed of the same material as the first layer 112a (for example, a transparent conductive material such as ITO or IZO). In this manner, the first layer 112a and the second layer 112b can be continuously formed by the same film forming apparatus by changing the film forming conditions in the middle.

なお、図１に示した第１電極１１０は、第１層１１２ａ又は第２層１１２ｂのどちらか一層のみで形成されていてもよいし、第１層１１２ａと第２層１１２ｂを積層した構成であってもよい。後者の場合、第１電極１１０を第１端子１１２と同一工程で形成することができる。 Note that the first electrode 110 illustrated in FIG. 1 may be formed of only one of the first layer 112a and the second layer 112b, or may be configured by stacking the first layer 112a and the second layer 112b. There may be. In the latter case, the first electrode 110 can be formed in the same process as the first terminal 112.

また、第１端子１１２とＦＰＣ２００は、異方性導電性樹脂層２２０を介して電気的に接続している。異方性導電性樹脂層２２０は、絶縁性の樹脂に複数の導電粒子２２２を混ぜた構成を有している。導電粒子２２２は、例えば金属粒子であるが、樹脂粒子などの絶縁性の粒子の表面に金などの金属膜を成膜したものであってもよい。そして導電粒子２２２が第１端子１１２とＦＰＣ２００の端子２０２に接続することにより、第１端子１１２とＦＰＣ２００が導通する。 Further, the first terminal 112 and the FPC 200 are electrically connected through an anisotropic conductive resin layer 220. The anisotropic conductive resin layer 220 has a configuration in which a plurality of conductive particles 222 are mixed in an insulating resin. The conductive particles 222 are, for example, metal particles, but may be formed by forming a metal film such as gold on the surface of insulating particles such as resin particles. When the conductive particles 222 are connected to the first terminal 112 and the terminal 202 of the FPC 200, the first terminal 112 and the FPC 200 are electrically connected.

ＦＰＣ２００を第１端子１１２に固定する際には、例えば図３に示すように、圧着ツール３００を用いる。例えば圧着ツール３００によりＦＰＣ２００及び異方性導電性樹脂層２２０を加熱しながら、異方性導電性樹脂層２２０を第１端子１１２に押し付ける。 When fixing the FPC 200 to the first terminal 112, for example, as shown in FIG. 3, a crimping tool 300 is used. For example, the anisotropic conductive resin layer 220 is pressed against the first terminal 112 while heating the FPC 200 and the anisotropic conductive resin layer 220 with the crimping tool 300.

上記したように第２層１１２ｂは第１層１１２ａよりも柔らかいため、第１端子１１２が第１層１１２ａのみで形成されている場合と比較して、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力は小さい力で接続信頼性を確保できる。本図に示す例では第２層１１２ｂは第１端子１１２の表層に位置している。このため、導電粒子２２２は第１端子１１２に押し込められやすい。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続するとき、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を小さくしても、導電粒子２２２を第１端子１１２に押し込めることができる。例えば第１端子１１２が第１層１１２ａのみで形成されている場合と比較して、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を１／２〜２／３にすることができる。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続する工程において基板１００が破損することを抑制できる。 As described above, since the second layer 112b is softer than the first layer 112a, the force for pressing the FPC 200 against the first terminal 112 is small as compared with the case where the first terminal 112 is formed of only the first layer 112a. Connection reliability can be ensured by force. In the example shown in the drawing, the second layer 112 b is located on the surface layer of the first terminal 112. For this reason, the conductive particles 222 are easily pushed into the first terminal 112. Therefore, when connecting the FPC 200 to the first terminal 112, the conductive particles 222 can be pushed into the first terminal 112 even if the force pressing the FPC 200 against the first terminal 112 is reduced. For example, as compared with the case where the first terminal 112 is formed of only the first layer 112a, the force pressing the FPC 200 against the first terminal 112 can be reduced to 1/2 to 2/3. Therefore, the substrate 100 can be prevented from being damaged in the process of connecting the FPC 200 to the first terminal 112.

次に、発光装置１０の製造方法を説明する。まず基板１００に第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子となる導電膜を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。このとき、成膜条件を途中で変更する。例えばスパッタリングの入力電力を途中で下げる。これにより、第１層１１２ａとなる膜及び第２層１１２ｂとなる膜を、この順に連続して製膜することができる。又、第１層１１２ａとなる膜をスパッタリング法で形成した後、別の装置にてスパッタリングの入力電圧を下げた成膜条件で第２層１１２ｂとなる膜を形成しても良い。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子が形成される。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, a conductive film to be the first electrode 110, the first terminal 112, and the second terminal is formed on the substrate 100 by using, for example, a sputtering method. At this time, the film forming conditions are changed midway. For example, the input power of sputtering is lowered halfway. Thereby, the film | membrane used as the 1st layer 112a and the film | membrane used as the 2nd layer 112b can be continuously formed into a film in this order. Alternatively, after the film to be the first layer 112a is formed by a sputtering method, the film to be the second layer 112b may be formed by another apparatus under a film formation condition in which the sputtering input voltage is lowered. Next, the conductive film is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method. Thereby, the 1st electrode 110, the 1st terminal 112, and the 2nd terminal are formed.

次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて発光部１４０を封止する。 Next, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order. When the organic layer 120 includes a layer formed by an evaporation method, this layer is formed in a predetermined pattern using, for example, a mask. The second electrode 130 is also formed in a predetermined pattern using, for example, a mask. Thereafter, the light emitting unit 140 is sealed using a sealing member (not shown).

以上、本実施形態によれば、第１端子１１２は、第１層１１２ａと第２層１１２ｂとを有している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａより上に位置している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａよりも柔らかいため、導電粒子２２２は第１端子１１２に押し込められやすい。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続するとき、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を小さくすることができる。特に基板１００が２００μｍ以下の薄いガラスを有している場合、基板１００は破損しやすい。また、基板１００が可撓性を有する樹脂の場合、基板１００上の第１端子１１２や第２端子１３２は破損しやすい。このため、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を弱くすることにより、発光装置１０の歩留まりは大きく向上する。 As described above, according to the present embodiment, the first terminal 112 has the first layer 112a and the second layer 112b. The second layer 112b is located above the first layer 112a. Since the second layer 112b is softer than the first layer 112a, the conductive particles 222 are easily pushed into the first terminal 112. Therefore, when the FPC 200 is connected to the first terminal 112, the force for pressing the FPC 200 against the first terminal 112 can be reduced. In particular, when the substrate 100 has a thin glass of 200 μm or less, the substrate 100 is easily damaged. In addition, when the substrate 100 is a flexible resin, the first terminal 112 and the second terminal 132 on the substrate 100 are easily damaged. For this reason, the yield of the light emitting device 10 is greatly improved by weakening the force pressing the FPC 200 against the first terminal 112.

（実施例１）
図４は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図５は、図４から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図６は図４のＡ−Ａ断面図であり、図７は図４のＢ−Ｂ断面図であり、図８は図４のＣ−Ｃ断面図である。 Example 1
FIG. 4 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment. FIG. 5 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 4, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.

本実施例に係る発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２、複数の第２端子１３２、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。 The light emitting device 10 according to this embodiment is a display device, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a plurality of first terminals 112, a plurality of second terminals 132, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, and a plurality of openings. The opening 154, the plurality of lead wires 114, the organic layer 120, the second electrode 130, the plurality of lead wires 134, and the plurality of partition walls 170 are provided.

本実施例において、第１電極１１０の層構造、第１端子１１２の層構造、及び引出配線１１４の層構造は、実施形態と同様である。また、第２端子１３２の層構造は第１端子１１２の層構造と同様であり、引出配線１３４の層構造は第２端子１３２の層構造と同様である。 In this example, the layer structure of the first electrode 110, the layer structure of the first terminal 112, and the layer structure of the lead-out wiring 114 are the same as those in the embodiment. The layer structure of the second terminal 132 is the same as the layer structure of the first terminal 112, and the layer structure of the lead-out wiring 134 is the same as the layer structure of the second terminal 132.

また、第１電極１１０は、第１方向（図４におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。 The first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 4). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.

引出配線１１４の上には、導体層１６２が形成されてもよい。導体層１６２は、引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１６２は多層構造を有していてもよい。この場合、導体層１６２は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１６２は第１端子１１２を覆っていない。 A conductor layer 162 may be formed on the lead wiring 114. The conductor layer 162 is formed of a material having a lower resistance than that of the lead wiring 114, for example, a metal. The conductor layer 162 may have a multilayer structure. In this case, the conductor layer 162 includes, for example, a first conductive layer that is a metal layer such as Mo or Mo alloy, a second conductive layer that is a metal layer such as Al or Al alloy, and a metal layer such as Mo or Mo alloy. The third conductive layer is stacked in this order. The thickness of the second conductive layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 1000 nm. Preferably it is 100 nm or less. The first conductive layer and the third conductive layer are thinner than the second conductive layer, for example, 30 nm or less, preferably 25 nm or less. Note that the conductor layer 162 does not cover the first terminal 112.

絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、図４、及び図６〜図８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図４におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図４におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。 The insulating layer 150 is formed of a photosensitive resin material such as polyimide, for example, and is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween as shown in FIGS. 4 and 6 to 8. . A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150. The plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 4). A partition wall 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (Y direction in FIG. 4). The plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction of the second electrode 130 (X direction in FIG. 4). For this reason, the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。 The opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view. The openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. And when it sees in the direction (for example, Y direction in FIG. 4, ie, the direction in alignment with the 1st electrode 110) along this one side, the opening 154 is arrange | positioned by the predetermined space | interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154. The lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導体層１６２が形成されてもよい。導体層１６２は第２端子１３２を覆っていない。 The lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the drawing, the other end side of the lead-out wiring 134 is a second terminal 132. A conductor layer 162 may be formed on the lead wiring 134. The conductor layer 162 does not cover the second terminal 132.

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子輸送層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。 In the region overlapping with the opening 152, the organic layer 120 is formed. The hole transport layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron transport layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.

なお、図６及び図７に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図４に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図８に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。 In the example shown in FIG. 6 and FIG. 7, each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude to the outside of the opening 152. As shown in FIG. 4, the organic layer 120 may or may not be continuously formed between adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends. Good. However, as shown in FIG. 8, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

第２電極１３０は、図４、図６〜図８に示すように、第１方向と交わる第２方向（図４におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 As shown in FIGS. 4 and 6 to 8, the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 4) that intersects the first direction. A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130. The partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction. The base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150. The partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。 The partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively. The partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ２００が接続している。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺に沿って配置されている。このため、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣ２００に接続することができる。 The FPC 200 is connected to the first terminal 112 and the second terminal 132. In the example shown in this drawing, the first terminal 112 and the second terminal 132 are arranged along the same side of the substrate 100. Therefore, the first terminal 112 and the second terminal 132 can be connected to one FPC 200.

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、及び引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０及び第１端子１１２を形成する方法と同様である。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 in this embodiment will be described. First, the first electrode 110, the first terminal 112, the second terminal 132, and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 and the first terminal 112 in the embodiment.

次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上を含む領域に、導体層１６２となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１６２が形成される。 Next, a conductive film to be the conductor layer 162 is formed in a region including on the lead wiring 114 and the lead wiring 134. Next, the conductive film is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method. Thereby, the conductor layer 162 is formed.

次いで、第１電極１１０上に、絶縁層１５０となる絶縁膜を、例えば塗布法を用いて形成する。次いで、この絶縁膜を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。この工程において、開口１５２，１５４も形成される。 Next, an insulating film to be the insulating layer 150 is formed on the first electrode 110 by using, for example, a coating method. Next, the insulating film is exposed and developed. Thereby, the insulating layer 150 is formed. In this step, openings 152 and 154 are also formed.

次いで、隔壁１７０を形成する。隔壁１７０の形成方法も、絶縁層１５０の形成方法と同様である。さらに有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。 Next, the partition wall 170 is formed. The method for forming the partition 170 is similar to the method for forming the insulating layer 150. Further, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed. These forming methods are the same as those in the embodiment.

本実施例において、第１端子１１２及び第２端子１３２は、実施形態における第１端子１１２と同様の構成を有している。このため、実施形態と同様に、ＦＰＣ２００を第１端子１１２及び第２端子１３２に押し付ける力は第２層１１２ｂで吸収される。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続する工程において基板１００が破損することを抑制できる。また、第２層１１２ｂは第１端子１１２の表層に位置しているため、実施形態と同様に、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を小さくすることができる。 In the present example, the first terminal 112 and the second terminal 132 have the same configuration as the first terminal 112 in the embodiment. Therefore, as in the embodiment, the force that presses the FPC 200 against the first terminal 112 and the second terminal 132 is absorbed by the second layer 112b. Therefore, the substrate 100 can be prevented from being damaged in the process of connecting the FPC 200 to the first terminal 112. Further, since the second layer 112b is located on the surface layer of the first terminal 112, the force for pressing the FPC 200 against the first terminal 112 can be reduced as in the embodiment.

（実施例２）
図９は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１０は、図９から第２電極１３０を取り除いた図である。図１１は、図１０から有機層１２０を取り除いた図である。本図に示す発光装置１０は照明装置である。このため、発光部１４０は基板１００の縁を除いた領域に形成されている。 (Example 2)
FIG. 9 is a plan view illustrating the configuration of the light emitting device 10 according to the second embodiment. FIG. 10 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. 9. FIG. 11 is a diagram in which the organic layer 120 is removed from FIG. The light emitting device 10 shown in this figure is a lighting device. For this reason, the light emitting unit 140 is formed in a region excluding the edge of the substrate 100.

詳細には、第１電極１１０は基板１００のほぼ全面に形成されている。絶縁層１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。絶縁層１５０は、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを防止している。また、有機層１２０は、第１電極１１０のうち絶縁層１５０で囲まれた領域の中に形成されている。言い換えると、絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。 Specifically, the first electrode 110 is formed on almost the entire surface of the substrate 100. The insulating layer 150 covers the edge of the first electrode 110. The insulating layer 150 prevents the first electrode 110 and the second electrode 130 from being short-circuited at the edge of the first electrode 110. The organic layer 120 is formed in a region surrounded by the insulating layer 150 in the first electrode 110. In other words, the insulating layer 150 defines the light emitting portion 140.

第１電極１１０の上には複数の補助電極１６０が形成されている。補助電極１６０は、実施例１における導体層１６２と同様の層構造を有しており、第１の方向（図９における上下方向）に延在している。補助電極１６０を設けることにより、第１電極１１０の見かけ上の抵抗を下げることができる。 A plurality of auxiliary electrodes 160 are formed on the first electrode 110. The auxiliary electrode 160 has a layer structure similar to that of the conductor layer 162 in the first embodiment, and extends in the first direction (vertical direction in FIG. 9). By providing the auxiliary electrode 160, the apparent resistance of the first electrode 110 can be lowered.

本実施例において、第１端子１１２及び第２端子１３２の層構造は、実施例１と同様であり、少なくとも第１層１１２ａが第１電極１１０と一体になっている。第１電極１１０が第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂの積層構造を有している場合、第１端子１１２の全体が第１電極１１０と一体になっている。 In the present embodiment, the layer structure of the first terminal 112 and the second terminal 132 is the same as that of the first embodiment, and at least the first layer 112 a is integrated with the first electrode 110. When the first electrode 110 has a stacked structure of the first layer 112 a and the second layer 112 b, the entire first terminal 112 is integrated with the first electrode 110.

本実施例において、第１端子１１２及び第２端子１３２は、実施形態における第１端子１１２と同様の構成を有している。このため、実施形態と同様に、ＦＰＣ２００を第１端子１１２及び第２端子１３２に押し付ける力は第２層１１２ｂが柔らかいため小さい力で良い。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続する工程において基板１００が破損することを抑制できる。 In the present example, the first terminal 112 and the second terminal 132 have the same configuration as the first terminal 112 in the embodiment. For this reason, as in the embodiment, the force for pressing the FPC 200 against the first terminal 112 and the second terminal 132 may be small because the second layer 112b is soft. Therefore, the substrate 100 can be prevented from being damaged in the process of connecting the FPC 200 to the first terminal 112.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１１２第１端子
１１２ａ第１層
１１２ｂ第２層
１１４引出配線
１２０有機層
１３０第２電極
１３２第２端子
１４０発光部
１６２導体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Board | substrate 110 1st electrode 112 1st terminal 112a 1st layer 112b 2nd layer 114 Lead wiring 120 Organic layer 130 2nd electrode 132 2nd terminal 140 Light-emitting part 162 Conductor layer

Claims

A substrate,
Terminals formed on the upper side of the substrate;
A light emitting portion electrically connected to the terminal;
With
The terminal is
The first layer;
A second layer located above the first layer and softer than the first layer;
A light emitting device comprising:

The light-emitting device according to claim 1.
The light emitting device, wherein the second layer is located on a surface layer of the terminal.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The light emitting device has a density of the second layer lower than a density of the first layer.

4. The light emitting device according to claim 3, wherein the second layer is formed of the same material as the first layer.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-4,
The substrate has translucency,
The terminal is a light emitting device formed using a transparent conductive material.

The light emitting device according to claim 5.
The light emitting device, wherein the transparent conductive material is ITO or IZO.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-6,
The light emitting device, wherein the substrate includes a flexible resin.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-6,
The light emitting device in which the substrate has glass having a thickness of 200 μm or less.

Forming a terminal on the substrate;
Forming a light emitting portion connected to the terminal on the substrate;
With
The step of forming the terminal includes
Forming a first layer by sputtering;
Forming a second layer softer than the first layer on the first layer by reducing the input power of the sputtering;
A method for manufacturing a light-emitting device including: