JP2016095991A

JP2016095991A - Light emission device

Info

Publication number: JP2016095991A
Application number: JP2014231080A
Authority: JP
Inventors: 秀隆大峡; Hidetaka Ohazama; 健太島崎; Kenta SHIMAZAKI
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2014-11-13
Filing date: 2014-11-13
Publication date: 2016-05-26

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress, when the conductor pattern of a light emission device has a multi-layer structure, and even when an upper layer protrudes to a lower layer, reduction in yield of the light emission device caused by a cavity at the lower part of the protrusive portion.SOLUTION: An organic EL element is formed on a first surface of a substrate 100. A conductor part 160 is formed on a first surface of the substrate 100, and electrically connected to the organic EL element. The conductor part 160 includes: a first conductive layer 164; a second conductive layer 166; and a third conductive layer 168. The second conductive layer 166 is formed on the first conductive layer 164. The third conductive layer 168 is configured to cover the side face of the first conductive layer 164 and the side face and upper face of the second conductive layer 166. The conductor part 160 is also formed in an area overlapped with an insulation layer 150.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、透明電極である第１電極と、第２電極とで挟んだ構成を有している。透明電極を形成する透明導電材料は、Ａｌなどの金属材料と比較して抵抗が高い。このため、例えば特許文献１に記載されているように、透明電極の上には、金属からなる補助電極が形成されることが多い。特許文献１において、補助電極は、Ｍｏ又はＭｏ合金層からなる層、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、又はＡｇ合金からなる層、及びＭｏ又はＭｏ合金層からなる層を、この順に積層した構成を有している。 In recent years, development of light-emitting devices having organic EL (Organic Electroluminescence) elements as light-emitting elements has been progressing. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode that is a transparent electrode and a second electrode. The transparent conductive material forming the transparent electrode has a higher resistance than a metal material such as Al. For this reason, as described in Patent Document 1, for example, an auxiliary electrode made of metal is often formed on the transparent electrode. In Patent Document 1, the auxiliary electrode has a configuration in which a layer made of Mo or Mo alloy layer, a layer made of Al, Al alloy, Ag or Ag alloy, and a layer made of Mo or Mo alloy layer are laminated in this order. doing.

なお、特許文献２には、液晶装置において、チタン、アルミニウム、及び窒化チタンをこの順に積層した配線をデータ線として用いることが記載されている。このデータ線の側面及び上面の一部は、反射膜でおおわれている。 Patent Document 2 describes that in a liquid crystal device, a wiring in which titanium, aluminum, and titanium nitride are laminated in this order is used as a data line. A part of the side surface and upper surface of the data line is covered with a reflective film.

特開２００５−１０８４３７号公報JP 2005-108437 A 特開２００４−１５８８２６号公報JP 2004-158826 A

特許文献１に記載されているように補助電極などの導体部を多層構造にした場合、上層がその下層と比較してエッチング耐性が高いため、上層が下層に対して食み出る可能性が出てくる。この場合、上層のうち食み出た部分の下方に位置する部分は空洞になりやすい。この空洞が形成されると、この空洞内の気体に起因して発光装置の歩留まりが低下する可能性が出てくる。 When the conductor part such as the auxiliary electrode has a multi-layer structure as described in Patent Document 1, the upper layer has higher etching resistance than the lower layer, so that the upper layer may protrude from the lower layer. Come. In this case, a portion of the upper layer located below the protruding portion tends to be hollow. When this cavity is formed, there is a possibility that the yield of the light emitting device is lowered due to the gas in the cavity.

本発明が解決しようとする課題としては、導体部を多層構造にした場合において、上層が下層に対して食み出ても、その食み出た部分の下方の空洞に起因して発光装置の歩留まりが低下しないようにすることが一例として挙げられる。 As a problem to be solved by the present invention, in the case where the conductor portion has a multilayer structure, even if the upper layer protrudes from the lower layer, the light emitting device has a cavity below the protruding portion. An example is to prevent the yield from decreasing.

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の発光領域を画定する絶縁層と、
前記基板に形成され、前記有機ＥＬ素子に接続し、前記絶縁層と重なる領域を介して前記絶縁層の外側に引き出されている導体部と、
を備え、
前記導体部は、
第１導電層と、
前記第１導電層上に形成された第２導電層と、
前記第１導電層の側面、並びに前記第２導電層の側面を覆い、上面に接する第３導電層と、
を有し、
前記第３導電層は、少なくとも前記導体部のうち前記絶縁層と重なっている部分に形成されている発光装置である。 The invention according to claim 1 is a substrate;
An organic EL element formed on the substrate;
An insulating layer defining a light emitting region of the organic EL element;
A conductor formed on the substrate, connected to the organic EL element, and drawn out to the outside of the insulating layer via a region overlapping the insulating layer;
With
The conductor portion is
A first conductive layer;
A second conductive layer formed on the first conductive layer;
A third conductive layer that covers a side surface of the first conductive layer and a side surface of the second conductive layer and is in contact with the upper surface;
Have
The third conductive layer is a light emitting device formed at least in a portion of the conductor portion that overlaps the insulating layer.

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１から第２電極を取り除いた図である。It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. 図２から有機層を取り除いた図である。It is the figure which removed the organic layer from FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図１のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図３のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 図３のＤ−Ｄ断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 発光装置の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of a light-emitting device. 実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。1 is a plan view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。6 is a plan view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 2. 実施例３に係る発光装置の平面図である。6 is a plan view of a light emitting device according to Example 3. FIG. 図１１から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. 図１１のＦ−Ｆ断面図である。It is FF sectional drawing of FIG. 図１１のＧ−Ｇ断面図である。It is GG sectional drawing of FIG. 図１１のＨ−Ｈ断面図である。It is HH sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から第２電極１３０を取り除いた図である。図３は、図２から有機層１２０を取り除いた図である。図４は、図１のＡ−Ａ断面図である。図５は、図１のＢ−Ｂ断面図である。図６は図３のＣ−Ｃ断面図である。 FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. 1. FIG. 3 is a diagram in which the organic layer 120 is removed from FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

実施形態に係る発光装置１０は、図１〜図４に示すように、基板１００、有機ＥＬ素子１４０、及び導体部１６０を備えている。有機ＥＬ素子１４０は基板１００の第１面１０２に形成されている。導体部１６０は基板１００の第１面１０２に形成されており、有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続している。導体部１６０は、図６に示すように、第１導電層１６４、第２導電層１６６、及び第３導電層１６８を有している。第２導電層１６６は第１導電層１６４上に形成されている。第３導電層１６８は、第１導電層１６４の側面、及び第２導電層１６６の側面及び上面を覆っている。 As shown in FIGS. 1 to 4, the light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, an organic EL element 140, and a conductor portion 160. The organic EL element 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. The conductor portion 160 is formed on the first surface 102 of the substrate 100 and is electrically connected to the organic EL element 140. As shown in FIG. 6, the conductor portion 160 has a first conductive layer 164, a second conductive layer 166, and a third conductive layer 168. The second conductive layer 166 is formed on the first conductive layer 164. The third conductive layer 168 covers the side surface of the first conductive layer 164 and the side surface and top surface of the second conductive layer 166.

また、発光装置１０は絶縁層１５０を有している。絶縁層１５０は、有機ＥＬ素子１４０の発光領域を画定している。導体部１６０は、絶縁層１５０と重なる領域を介して絶縁層１５０の外側に引き出されている。導体部１６０は、絶縁層１５０と重なる領域にも形成されている。本図に示す例において、発光装置１０は照明装置である。ただし、発光装置１０はディスプレイであってもよい。以下、詳細に説明する。 In addition, the light emitting device 10 has an insulating layer 150. The insulating layer 150 defines a light emitting region of the organic EL element 140. The conductor 160 is drawn to the outside of the insulating layer 150 through a region overlapping with the insulating layer 150. The conductor portion 160 is also formed in a region overlapping with the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the light emitting device 10 is a lighting device. However, the light emitting device 10 may be a display. Details will be described below.

まず、図１〜図４を用いて、発光装置１０の構成を説明する。 First, the configuration of the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS.

基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。 The substrate 100 is a light-transmitting substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The substrate 100 may have flexibility. In the case of flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. When the substrate 100 is a resin substrate, the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. When the substrate 100 is a resin substrate, an inorganic barrier film such as SiN _x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to prevent moisture from permeating the substrate 100. Yes.

基板１００の第１面１０２には、有機ＥＬ素子１４０が形成されている。有機ＥＬ素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。 An organic EL element 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. The organic EL element 140 has a configuration in which the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked in this order.

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。 The first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency. The material of the transparent electrode is a material containing a metal, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer 120 has a light emitting layer. The organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. In addition, at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. Moreover, all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply | coating method.

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。 The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property. The thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち有機ＥＬ素子１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。 The edge of the first electrode 110 is covered with an insulating layer 150. The insulating layer 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds the portion of the first electrode 110 that becomes the light emitting region of the organic EL element 140. By providing the insulating layer 150, it is possible to suppress a short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130 at the edge of the first electrode 110.

また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。 In addition, the light emitting device 10 includes a first terminal 112 and a second terminal 132. The first terminal 112 is connected to the first electrode 110, and the second terminal 132 is connected to the second electrode 130. For example, the first terminal 112 and the second terminal 132 include a layer formed of the same material as that of the first electrode 110. A lead wiring may be provided between the first terminal 112 and the first electrode 110. In addition, a lead wiring may be provided between the second terminal 132 and the second electrode 130.

第１端子１１２には、ボンディングワイヤ、又はリード端子などの導電部材（電子部品の一例）を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。ただし第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一方には、半導体パッケージなどの回路素子が直接接続されてもよい。また第１端子１１２及び第２端子１３２は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を介して制御回路に接続されていてもよい。この場合、第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば異方性導電性樹脂を介してＦＰＣと接続する。 The first terminal 112 is connected to a positive terminal of a control circuit via a conductive member (an example of an electronic component) such as a bonding wire or a lead terminal, and the second terminal 132 is electrically conductive such as a bonding wire or a lead terminal. The negative terminal of the control circuit is connected through the member. However, a circuit element such as a semiconductor package may be directly connected to at least one of the first terminal 112 and the second terminal 132. Moreover, the 1st terminal 112 and the 2nd terminal 132 may be connected to the control circuit via the flexible printed circuit board (FPC). In this case, the first terminal 112 and the second terminal 132 are connected to the FPC through, for example, an anisotropic conductive resin.

また、第１電極１１０の上には、複数の線状の導体部１６０が形成されている。導体部１６０は補助電極であり、第１電極１１０よりも抵抗が低い材料によって形成されている。導体部１６０が形成されることにより、第１電極１１０の見かけ上の抵抗は低くなる。本図に示す例において、導体部１６０は、絶縁層１５０と重なる領域を介して、第１端子１１２、すなわち絶縁層１５０の外側の領域に引き出されている。 In addition, a plurality of linear conductor portions 160 are formed on the first electrode 110. The conductor portion 160 is an auxiliary electrode and is formed of a material having a lower resistance than the first electrode 110. By forming the conductor portion 160, the apparent resistance of the first electrode 110 is lowered. In the example shown in the drawing, the conductor 160 is drawn out to the first terminal 112, that is, a region outside the insulating layer 150 through a region overlapping with the insulating layer 150.

次に、図６、図７、及び図８を用いて、導体部１６０について詳細に説明する。図６は、上記したように図３のＣ−Ｃ断面図である。図７は図３のＤ−Ｄ断面図である。なお、図３のＥ−Ｅ断面も、図６に示した断面と同様になっている。これらの図に示すように、導体部１６０は、第４導電層１６２、第１導電層１６４、第２導電層１６６、及び第３導電層１６８をこの順に重ねた構成を有している。 Next, the conductor part 160 will be described in detail with reference to FIGS. 6, 7, and 8. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 3 as described above. 7 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. In addition, the EE cross section of FIG. 3 is the same as the cross section shown in FIG. As shown in these drawings, the conductor 160 has a configuration in which a fourth conductive layer 162, a first conductive layer 164, a second conductive layer 166, and a third conductive layer 168 are stacked in this order.

第１導電層１６４は、例えばＡｌ又はＡｌ合金などの金属で形成されている。第４導電層１６２に含まれる物質及び第２導電層１６６に含まれる物質は、第１導電層１６４に含まれる物質よりもエッチングレートがも低い（例えば耐酸性が第１導電層１６４よりも高い）導電材料、例えばＭｏ又はＭｏ合金で形成されている。また、第１導電層１６４を形成する導電材料は、第４導電層１６２及び第２導電層１６６よりも低抵抗である。第１導電層１６４がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第４導電層１６２及び第２導電層１６６は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。第１導電層１６４の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。第４導電層１６２及び第２導電層１６６の厚さは、例えば４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。 The first conductive layer 164 is made of a metal such as Al or an Al alloy, for example. The material included in the fourth conductive layer 162 and the material included in the second conductive layer 166 have a lower etching rate than the material included in the first conductive layer 164 (for example, the acid resistance is higher than that of the first conductive layer 164). ) It is made of a conductive material such as Mo or Mo alloy. The conductive material forming the first conductive layer 164 has a lower resistance than the fourth conductive layer 162 and the second conductive layer 166. When the first conductive layer 164 is formed of an AlNd alloy, the fourth conductive layer 162 and the second conductive layer 166 are formed of a MoNb alloy. The thickness of the first conductive layer 164 is, for example, not less than 50 nm and not more than 1000 nm. The thickness of the fourth conductive layer 162 and the second conductive layer 166 is, for example, not less than 40 nm and not more than 200 nm.

第４導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６は、後述するように、これらを形成するための膜を積層させたのち、マスクパターンを用いたエッチングを行うことにより、形成される。一方、上記したように、第４導電層１６２に含まれる物質及び第２導電層１６６に含まれる物質は、第１導電層１６４に含まれる物質よりもエッチングレートが低い。このため、第４導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６を形成する際、第１導電層１６４の側面は、第４導電層１６２及び第２導電層１６６よりもエッチングされる。この結果、第１導電層１６４の幅は、第４導電層１６２の幅及び第２導電層１６６の幅よりも狭くなる。そして第２導電層１６６の端部は、第１導電層１６４から飛び出た状態になる。 As will be described later, the fourth conductive layer 162, the first conductive layer 164, and the second conductive layer 166 are formed by laminating films for forming them and then performing etching using a mask pattern. Is done. On the other hand, as described above, the substance contained in the fourth conductive layer 162 and the substance contained in the second conductive layer 166 have a lower etching rate than the substance contained in the first conductive layer 164. Therefore, when the fourth conductive layer 162, the first conductive layer 164, and the second conductive layer 166 are formed, the side surfaces of the first conductive layer 164 are etched more than the fourth conductive layer 162 and the second conductive layer 166. The As a result, the width of the first conductive layer 164 is smaller than the width of the fourth conductive layer 162 and the width of the second conductive layer 166. Then, the end portion of the second conductive layer 166 protrudes from the first conductive layer 164.

一方、第３導電層１６８は、第１導電層１６４の側面、第２導電層１６６の側面、及び第２導電層１６６の上面を覆っている。また、第３導電層１６８は、気相法（例えばスパッタリング法）を用いて形成されている。従って、第３導電層１６８は、第１導電層１６４から食み出た第２導電層１６６と第４導電層１６８の間の空間を埋めている。その結果、第３導電層１６８は、第４導電層１６２の上面のうち第１導電層１６４で覆われていない部分及び第４導電層１６２の側面も覆っている。 On the other hand, the third conductive layer 168 covers the side surface of the first conductive layer 164, the side surface of the second conductive layer 166, and the upper surface of the second conductive layer 166. The third conductive layer 168 is formed using a vapor phase method (for example, a sputtering method). Therefore, the third conductive layer 168 fills the space between the second conductive layer 166 and the fourth conductive layer 168 that protrudes from the first conductive layer 164. As a result, the third conductive layer 168 covers the portion of the upper surface of the fourth conductive layer 162 that is not covered with the first conductive layer 164 and the side surface of the fourth conductive layer 162.

なお、第２導電層１６６の上部における第３導電層１６８の厚さｔ_１（図６参照）は、第４導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６の厚さの和ｔ_２（図６参照）以上である。このため、厚さｔ_１は、第１導電層１６４及び第２導電層１６６の厚さの和よりも大きくなっている。 Note that the thickness t ₁ (see FIG. 6) of the third conductive layer 168 above the second conductive layer 166 is the sum of the thicknesses of the fourth conductive layer 162, the first conductive layer 164, and the second conductive layer 166. t ₂ (see FIG. 6) or more. For this reason, the thickness t ₁ is larger than the sum of the thicknesses of the first conductive layer 164 and the second conductive layer 166.

そして、第３導電層１６８は、導体部１６０のうち絶縁層１５０の内側に位置する領域（すなわち絶縁層１５０と重なっていない領域）、絶縁層１５０と重なる領域、及び絶縁層１５０の外側に位置する領域（すなわち第１端子１１２）のそれぞれに形成されている。ただし第３導電層１６８は、導体部１６０のうち絶縁層１５０の内側に位置する領域には形成されていなくてもよい。 The third conductive layer 168 is located in a region of the conductor 160 that is located inside the insulating layer 150 (that is, a region that does not overlap the insulating layer 150), a region that overlaps the insulating layer 150, and the outside of the insulating layer 150. It is formed in each of the regions (that is, the first terminals 112). However, the third conductive layer 168 may not be formed in the region of the conductor portion 160 located inside the insulating layer 150.

第３導電層１６８は、第１導電層１６４よりも、後述するエッチング液や洗浄液への耐エッチング性が高い材料、例えば耐アルカリ性が高い材料によって形成されている。このような材料としては、例えばＩＴＯ又はＩＺＯがある。ただし第３導電層１６８は、他の材料を用いて形成されていてもよい。 The third conductive layer 168 is formed of a material having higher etching resistance to an etching solution and a cleaning solution described later than the first conductive layer 164, for example, a material having higher alkali resistance. Examples of such a material include ITO and IZO. However, the third conductive layer 168 may be formed using other materials.

また、発光装置１０は、さらに封止部材を有していてもよい。封止部材は、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されており、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして有機ＥＬ素子１４０は、この封止された空間の中に位置している。なお、封止部材はＡＬＤ法で形成された膜又はＣＶＤ法で形成された膜であってもよい。 The light emitting device 10 may further include a sealing member. The sealing member is formed using, for example, glass or resin, and has a polygonal shape or a circular shape similar to that of the substrate 100, and has a shape in which a concave portion is provided at the center. The edge of the sealing member is fixed to the substrate 100 with an adhesive. Thereby, the space surrounded by the sealing member and the substrate 100 is sealed. The organic EL element 140 is located in this sealed space. The sealing member may be a film formed by the ALD method or a film formed by the CVD method.

また、発光装置１０は、さらに乾燥剤を有していてもよい。乾燥剤は、例えば封止部材によって封止された空間内、例えば封止部材のうち基板１００に対向する面に配置されている。 The light emitting device 10 may further have a desiccant. The desiccant is disposed, for example, in the space sealed by the sealing member, for example, on the surface of the sealing member that faces the substrate 100.

図８は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。まず基板１００に第１電極１１０となる導電膜を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成される（ステップＳ１０）。 FIG. 8 is a flowchart showing a method for manufacturing the light emitting device 10. First, a conductive film to be the first electrode 110 is formed on the substrate 100 by using, for example, a sputtering method. Next, the conductive film is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method. Thereby, the 1st electrode 110, the 1st terminal 112, and the 2nd terminal 132 are formed (Step S10).

次いで、第１電極１１０及び第１端子１１２上に、第４導電層１６２となる膜、第１導電層１６４となる膜、及び第２導電層１６６となる膜を、この順に形成する。次いで、第２導電層１６６となる膜の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行う。この時のエッチング液は酸性（例えばリン酸、硝酸、酢酸、及び水の混合液）である。これにより、第４導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６の積層膜が形成される。この工程において、第２導電層１６６に含まれる物質及び第４導電層１６２に含まれる物質は、第１導電層１６４に含まれる物質よりも耐酸性が高く、エッチングされにくい。このため、第４導電層１６２及び第２導電層１６６の幅は、第１導電層１６４の幅よりも広くなる（ステップＳ２０）。その後、レジストパターンを除去する。 Next, a film that becomes the fourth conductive layer 162, a film that becomes the first conductive layer 164, and a film that becomes the second conductive layer 166 are formed in this order on the first electrode 110 and the first terminal 112. Next, a resist pattern is formed on the film to be the second conductive layer 166, and etching is performed using this resist pattern as a mask. The etching solution at this time is acidic (for example, a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and water). Thus, a stacked film of the fourth conductive layer 162, the first conductive layer 164, and the second conductive layer 166 is formed. In this step, the substance included in the second conductive layer 166 and the substance included in the fourth conductive layer 162 have higher acid resistance than the substance included in the first conductive layer 164 and are not easily etched. For this reason, the widths of the fourth conductive layer 162 and the second conductive layer 166 are wider than the width of the first conductive layer 164 (step S20). Thereafter, the resist pattern is removed.

次いで、第４導電層１６２、第１導電層１６４、第２導電層１６６の積層膜を含む領域の上に、第３導電層１６８となる膜を形成する。この工程において、第３導電層１６８となる膜は、第２導電層１６６の端部の下にも形成される。次いで、この膜の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行う。これにより、第３導電層１６８が形成される。この状態において、第４導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６の積層膜は、第３導電層１６８によって保護される（ステップＳ３０）。 Next, a film to be the third conductive layer 168 is formed over a region including the stacked film of the fourth conductive layer 162, the first conductive layer 164, and the second conductive layer 166. In this step, a film to be the third conductive layer 168 is also formed below the end portion of the second conductive layer 166. Next, a resist pattern is formed on the film, and etching is performed using the resist pattern as a mask. Thereby, the third conductive layer 168 is formed. In this state, the stacked film of the fourth conductive layer 162, the first conductive layer 164, and the second conductive layer 166 is protected by the third conductive layer 168 (step S30).

その後、洗浄液を用いて基板１００の第１面１０２を、洗浄液及びブラシを用いて洗浄する。この洗浄工程において、洗浄液にはアルカリ性の洗浄液が用いられる（ステップＳ４０）。 Thereafter, the first surface 102 of the substrate 100 is cleaned using a cleaning liquid and a brush. In this cleaning process, an alkaline cleaning liquid is used as the cleaning liquid (step S40).

次いで、基板１００上及び第１電極１１０上に、絶縁層１５０となる絶縁膜を、例えば塗布法を用いて形成する（ステップＳ５０）。この絶縁膜は、感光性を有している。次いで、この絶縁膜を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。なお、現像液はアルカリ性である（ステップＳ６０）。 Next, an insulating film to be the insulating layer 150 is formed on the substrate 100 and the first electrode 110 by using, for example, a coating method (step S50). This insulating film has photosensitivity. Next, the insulating film is exposed and developed. Thereby, the insulating layer 150 is formed. The developer is alkaline (step S60).

次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて有機ＥＬ素子１４０を封止する。 Next, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order. When the organic layer 120 includes a layer formed by an evaporation method, this layer is formed in a predetermined pattern using, for example, a mask. The second electrode 130 is also formed in a predetermined pattern using, for example, a mask. Thereafter, the organic EL element 140 is sealed using a sealing member (not shown).

以上、本実施形態によれば、第４導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６の積層膜は第３導電層１６８によって覆われている。このため、図８のステップＳ４０に示した洗浄工程において第２導電層１６６のうち第１導電層１６４から食み出ている部分は折れない。従って、第２導電層１６６に起因した異物が生成し、この異物によって発光装置１０の動作に不具合が生じることを抑制できる。 As described above, according to the present embodiment, the stacked film of the fourth conductive layer 162, the first conductive layer 164, and the second conductive layer 166 is covered with the third conductive layer 168. For this reason, the portion of the second conductive layer 166 protruding from the first conductive layer 164 is not broken in the cleaning process shown in Step S40 of FIG. Accordingly, it is possible to suppress the generation of a foreign matter due to the second conductive layer 166 and the occurrence of a malfunction in the operation of the light emitting device 10 due to the foreign matter.

また、第３導電層１６８は、第１導電層１６４に対して耐アルカリ性が高い材料によって形成されている。図８のステップＳ４０に示した洗浄工程においてアルカリ性の洗浄液が用いられている場合、第３導電層１６８の洗浄液に対する耐性は高くなる。従って、第２導電層１６６の端部は、洗浄液から十分に保護される。 The third conductive layer 168 is formed of a material having high alkali resistance with respect to the first conductive layer 164. When an alkaline cleaning liquid is used in the cleaning process shown in step S40 of FIG. 8, the resistance of the third conductive layer 168 to the cleaning liquid is increased. Therefore, the end portion of the second conductive layer 166 is sufficiently protected from the cleaning liquid.

また、絶縁層１５０を形成するための現像液がアルカリ性の場合、導体部１６０のうち絶縁層１５０で覆われていない部分はこの現像液に晒される。本実施形態では、第３導電層１６８は、絶縁層１５０で覆われていない部分にも形成されている。従って、第２導電層１６６の端部は、現像液から十分に保護される。 Further, when the developer for forming the insulating layer 150 is alkaline, a portion of the conductor portion 160 that is not covered with the insulating layer 150 is exposed to this developer. In the present embodiment, the third conductive layer 168 is also formed in a portion not covered with the insulating layer 150. Therefore, the end portion of the second conductive layer 166 is sufficiently protected from the developer.

また、第２導電層１６６のうち第１導電層１６４から食み出している部分が空洞になっている状態で絶縁層１５０となる絶縁材料を塗布すると、この空洞部分が埋まらず、絶縁層１５０に気泡が形成される可能性が出てくる。この気泡が絶縁層１５０の側面又は上面につながっていると、この気泡から放出された気体に起因して、有機層１２０や第２電極１３０に気泡が形成される可能性が出てくる。この場合、発光装置１０に発光不良が生じる可能性が出てくる。 In addition, when an insulating material to be the insulating layer 150 is applied in a state where the portion of the second conductive layer 166 protruding from the first conductive layer 164 is hollow, the hollow portion is not filled, and the insulating layer 150 There is a possibility that bubbles will be formed. When the bubbles are connected to the side surface or the upper surface of the insulating layer 150, there is a possibility that bubbles are formed in the organic layer 120 or the second electrode 130 due to the gas released from the bubbles. In this case, there is a possibility that a light emission failure may occur in the light emitting device 10.

これに対して本実施形態では、第３導電層１６８は、絶縁層１５０が形成される前に、第３導電層１６８は絶縁層１５０と重なる部分にも形成されている。このため、絶縁層１５０に気泡が形成されることを抑制できる。 On the other hand, in the present embodiment, the third conductive layer 168 is also formed in a portion overlapping the insulating layer 150 before the insulating layer 150 is formed. For this reason, it is possible to suppress the formation of bubbles in the insulating layer 150.

（実施例１）
図９は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施形態における図３に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２のほぼ全面にも導体部１６０が形成されている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。 Example 1
FIG. 9 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 10 according to Example 1, and corresponds to FIG. 3 in the embodiment. The light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment except that the conductor 160 is formed on almost the entire surface of the first terminal 112 and the second terminal 132. .

本実施例に係る発光装置１０の製造方法は、実施形態に係る発光装置１０の製造方法と同様である。このため、本実施例によっても、第２導電層１６６の端部は、洗浄液や現像液から十分に保護される。従って、第２導電層１６６の端部が折れて異物となることを抑制できる。また、絶縁層１５０に気泡が形成されることを抑制できる。さらに本実施例では、第１端子１１２及び第２端子１３２の上にも導体部１６０が形成されている。従って、第１端子１１２及び第２端子１３２の抵抗を低くすることができる。 The manufacturing method of the light emitting device 10 according to this example is the same as the manufacturing method of the light emitting device 10 according to the embodiment. For this reason, also in this embodiment, the end portion of the second conductive layer 166 is sufficiently protected from the cleaning solution and the developing solution. Therefore, it can suppress that the edge part of the 2nd conductive layer 166 bends and becomes a foreign material. Further, formation of bubbles in the insulating layer 150 can be suppressed. Furthermore, in this embodiment, the conductor portion 160 is also formed on the first terminal 112 and the second terminal 132. Therefore, the resistance of the first terminal 112 and the second terminal 132 can be reduced.

（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施形態における図３に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、第１電極１１０の全面に第３導電層１６８が形成されている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。 (Example 2)
FIG. 10 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 10 according to Example 2, and corresponds to FIG. 3 in the embodiment. The light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the example 1 except that the third conductive layer 168 is formed on the entire surface of the first electrode 110.

本実施例によっても、第２導電層１６６の端部が折れて異物となることを抑制できる。また、絶縁層１５０に気泡が形成されることを抑制できる。さらに、第１端子１１２及び第２端子１３２の抵抗を低くすることができる。 Also according to this embodiment, it is possible to suppress the end portion of the second conductive layer 166 from being broken and becoming a foreign substance. Further, formation of bubbles in the insulating layer 150 can be suppressed. Further, the resistance of the first terminal 112 and the second terminal 132 can be lowered.

（実施例３）
図１１は、実施例３に係る発光装置１０の平面図である。図１２は、図１１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１３は図１１のＦ−Ｆ断面図であり、図１４は図１１のＧ−Ｇ断面図であり、図１５は図１１のＨ−Ｈ断面図である。 (Example 3)
FIG. 11 is a plan view of the light emitting device 10 according to the third embodiment. 12 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 13 is a sectional view taken along line FF in FIG. 11, FIG. 14 is a sectional view taken along line GG in FIG. 11, and FIG. 15 is a sectional view taken along line HH in FIG.

本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、有機ＥＬ素子１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。 The light emitting device 10 according to the present embodiment is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, an organic EL element 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, an organic layer 120, A second electrode 130, a plurality of lead wires 134, and a plurality of partition walls 170 are provided.

第１電極１１０は、第１方向（図１１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。 The first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 11). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.

引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導体部１６０が形成されている。導体部１６０の構成は、実施形態と同様である。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。 The lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112. In the example shown in the drawing, one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112. In the example shown in the figure, the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated. A conductor portion 160 is formed on the lead wiring 114. The configuration of the conductor 160 is the same as that of the embodiment. A part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.

絶縁層１５０は、図１１、及び図１３〜図１５に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。 As shown in FIGS. 11 and 13 to 15, the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween. A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150. The plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 11). A partition wall 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (Y direction in FIG. 11). The plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction of the second electrode 130 (X direction in FIG. 11). For this reason, the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。 The opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view. The openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. And when it sees in the direction (for example, Y direction in FIG. 11, ie, the direction in alignment with the 1st electrode 110) along this one side, the opening 154 is arrange | positioned by the predetermined space | interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154. The lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導体部１６０が形成されている。導体部１６０の構成は、実施形態と同様である。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。 The lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor 160 is formed on the lead wiring 134. The configuration of the conductor 160 is the same as that of the embodiment. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子輸送層は第２電極１３０に接している。このため、有機ＥＬ素子１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。 In the region overlapping with the opening 152, the organic layer 120 is formed. The hole transport layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron transport layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. For this reason, the organic EL element 140 is located in each region overlapping the opening 152.

なお、図１３及び図１４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１１に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。 In the example shown in FIGS. 13 and 14, the layers constituting the organic layer 120 are shown to protrude to the outside of the opening 152. And as shown in FIG. 11, the organic layer 120 may be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 15, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

第２電極１３０は、図１１、図１３〜図１５に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 As shown in FIGS. 11 and 13 to 15, the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 11) that intersects the first direction. A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130. The partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction. The base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150. The partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。 The partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively. The partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 in this embodiment will be described. First, the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as those in the embodiment.

次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上に、導体部１６０を形成する。なお、導体部１６０の第３導電層１６８が透明導電材料で形成されている場合、第３導電層１６８を第１電極１１０の上にも形成することができる。 Next, the conductor 160 is formed on the lead wiring 114 and the lead wiring 134. Note that when the third conductive layer 168 of the conductor portion 160 is formed of a transparent conductive material, the third conductive layer 168 can also be formed on the first electrode 110.

次いで、絶縁層１５０上に隔壁１７０を形成し、さらに有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。 Next, the partition 170 is formed on the insulating layer 150, and the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed. These forming methods are the same as those in the embodiment.

本実施例によれば、有機ＥＬ素子１４０を用いたディスプレイにおいて、第２導電層１６６の端部が折れて異物となることを抑制できる。また、絶縁層１５０に気泡が形成されることを抑制できる。さらに、第１端子１１２及び第２端子１３２の抵抗を低くすることができる。 According to the present embodiment, in the display using the organic EL element 140, it is possible to suppress the end portion of the second conductive layer 166 from being broken and becoming a foreign substance. Further, formation of bubbles in the insulating layer 150 can be suppressed. Further, the resistance of the first terminal 112 and the second terminal 132 can be lowered.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０発光装置
１００基板
１０２第１面
１１０第１電極
１１２第１端子
１２０有機層
１３０第２電極
１３２第２端子
１４０有機ＥＬ素子
１５０絶縁層
１６０導体部
１６２第４導電層
１６４第１導電層
１６６第２導電層
１６８第３導電層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Board | substrate 102 1st surface 110 1st electrode 112 1st terminal 120 Organic layer 130 2nd electrode 132 2nd terminal 140 Organic EL element 150 Insulating layer 160 Conductor part 162 4th conductive layer 164 1st conductive layer 166 1st 2 conductive layer 168 3rd conductive layer

Claims

A substrate,
An organic EL element formed on the substrate;
An insulating layer defining a light emitting region of the organic EL element;
A conductor formed on the substrate, connected to the organic EL element, and drawn out to the outside of the insulating layer via a region overlapping the insulating layer;
With
The conductor portion is
A first conductive layer;
A second conductive layer formed on the first conductive layer;
A third conductive layer that covers a side surface of the first conductive layer and a side surface of the second conductive layer and is in contact with the upper surface;
Have
The said 3rd conductive layer is a light-emitting device currently formed in the part which has overlapped with the said insulating layer at least among the said conductor parts.

The light-emitting device according to claim 1.
The width of the second conductive layer is a light emitting device larger than the width of the first conductive layer.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The substance contained in the third conductive layer is a light emitting device having high alkali resistance to the substance contained in the first conductive layer.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3,
The light emitting device, wherein the third conductive layer is IZO or ITO.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-4,
The light-emitting device in which the substance contained in the second conductive layer has higher acid resistance than the substance contained in the first conductive layer.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-4,
The substance contained in the second conductive layer is a light emitting device having high alkali resistance to the substance contained in the first conductive layer.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-6,
The thickness of the 3rd conductive layer in the upper surface of the 2nd conductive layer is a light-emitting device which is more than the sum of the thickness of the 1st conductive layer, and the thickness of the 2nd conductive layer.