JP6661373B2

JP6661373B2 - Light emitting device

Info

Publication number: JP6661373B2
Application number: JP2016000723A
Authority: JP
Inventors: 真滋中嶋; 幸二藤田
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2016-01-05
Filing date: 2016-01-05
Publication date: 2020-03-11
Anticipated expiration: 2036-01-05
Also published as: JP2017123238A

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子を有する発光装置において、有機ＥＬ素子の発光部を画定するために絶縁層が用いられることがある（例えば特許文献１）。 One of the light sources of light emitting devices such as lighting devices and display devices is an organic EL element. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is disposed between a first electrode and a second electrode. In a light emitting device having an organic EL element, an insulating layer is sometimes used to define a light emitting portion of the organic EL element (for example, Patent Document 1).

特許文献１には、さらに、有機ＥＬ素子を封止するために封止膜を用いることが記載されている。特許文献１において、封止膜は窒化ケイ素を用いて形成されている。 Patent Literature 1 further describes that a sealing film is used to seal an organic EL element. In Patent Document 1, the sealing film is formed using silicon nitride.

特開２００７−２５０５２０号公報JP 2007-250520 A

有機ＥＬ素子の発光部を画定するための絶縁層の上に、有機層の端部及び第２電極の端部が位置することがある。本発明者が検討した結果、このような構造を有する発光装置において、封止膜など、発光部を覆う被覆膜を形成したときに、絶縁層の上で封止膜と有機層が接触していると、有機層のうち封止膜と接触している部分から有機層が劣化することが判明した。 An end of the organic layer and an end of the second electrode may be located on an insulating layer for defining a light emitting portion of the organic EL element. As a result of the study by the present inventors, in a light emitting device having such a structure, when a coating film covering a light emitting portion such as a sealing film is formed, the sealing film and the organic layer come into contact with each other on the insulating layer. It turned out that the organic layer deteriorated from the portion of the organic layer that was in contact with the sealing film.

本発明が解決しようとする課題としては、発光部を覆う被覆膜を有する発光装置において、有機層の端部のうち絶縁層の上に位置する部分から有機層が劣化しないようにすることが一例として挙げられる。 As a problem to be solved by the present invention, in a light-emitting device having a coating film covering a light-emitting portion, it is necessary to prevent the organic layer from deteriorating from a portion located on an insulating layer among end portions of the organic layer. An example is given.

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記発光部、及び前記絶縁層の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
を備え、
前記有機層の端部の少なくとも一部は前記絶縁層の上に位置し、
前記絶縁層のうち前記有機層と重なる領域の上面の少なくとも一部は凹凸を有している発光装置である。 The invention according to claim 1 includes a substrate,
A light emitting unit formed on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer located between the first electrode and the second electrode;
An insulating layer defining the light emitting portion;
A coating film covering at least a part of the light emitting unit, and the insulating layer,
With
At least a part of the edge of the organic layer is located on the insulating layer,
At least a part of an upper surface of a region overlapping with the organic layer in the insulating layer is a light emitting device having unevenness.

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to an embodiment. 発光装置の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of a light emitting device. 実施例に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device concerning an example. 図３から被覆膜を取り除いた図である。It is the figure which removed the coating film from FIG. 図４から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. 図３のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図３のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図３のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、絶縁層１５０、及び被覆膜２００を備えている。発光部１４０は基板１００の上に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。被覆膜２００は、発光部１４０、及び絶縁層１５０の少なくとも一部を覆っている。有機層１２０の端部の少なくとも一部は絶縁層１５０の上に位置している。そして絶縁層１５０のうち有機層１２０と重なる領域の上面の少なくとも一部は凹凸１５１を有している。以下、発光装置１０について詳細に説明する。 FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. The light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, and a coating film 200. The light emitting section 140 is formed on the substrate 100 and has a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode. The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. Insulating layer 150 defines light emitting section 140. The coating film 200 covers at least a part of the light emitting unit 140 and the insulating layer 150. At least a part of the end of the organic layer 120 is located on the insulating layer 150. At least a part of the upper surface of a region of the insulating layer 150 overlapping with the organic layer 120 has irregularities 151. Hereinafter, the light emitting device 10 will be described in detail.

発光装置１０は、ボトムエミッション型の発光装置及びトップエミッション型の発光装置のいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。 The light emitting device 10 may be either a bottom emission type light emitting device or a top emission type light emitting device. When the light-emitting device 10 is a bottom emission type, the substrate 100 is formed of a light-transmitting material such as glass or a light-transmitting resin, and the surface of the substrate 100 on the side opposite to the first electrode 110. Is the light extraction surface of the light emitting device 10. On the other hand, when the light-emitting device 10 is a top emission type, the substrate 100 may be formed of the above-described light-transmitting material or may be formed of a material having no light-transmitting property. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Further, the substrate 100 may have flexibility. When the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. In particular, when the substrate 100 is made of a glass material to have flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 μm or less. When the substrate 100 is made of a resin material to have flexibility, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyether sulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide is included as a material of the substrate 100. Is formed. When the substrate 100 contains a resin material, an inorganic barrier film such as SiN _x or SiON is formed on at least the light-emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress the transmission of moisture through the substrate 100. ing.

発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。 The light emitting section 140 has a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130.

第１電極１１０及び第２電極１３０のうち少なくとも光が射出する側の電極は、光透過性を有する透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。 At least one of the first electrode 110 and the second electrode 130 on the side from which light is emitted is a light-transmitting transparent electrode. Note that both the first electrode 110 and the second electrode 130 may be transparent electrodes.

透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。 The transparent conductive material forming the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide). is there. The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or an evaporation method. Note that the first electrode 110 may be a conductive organic material such as a carbon nanotube or PEDOT / PSS, or may be a thin metal electrode.

第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。また、この電極は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。 The non-light-transmitting electrode of the first electrode 110 and the second electrode 130 is selected from a first group made of, for example, Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In. Metal layer or an alloy of a metal selected from the first group. This electrode is formed by using, for example, a sputtering method or an evaporation method. The electrode may have a structure in which a metal layer and a transparent conductive layer are stacked in this order.

以下、第１電極１１０が透光性を有しており、第２電極１３０が透光性を有していないとして、説明を行う。この場合、第２電極１３０の厚さは、例えば６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。 Hereinafter, description will be made on the assumption that the first electrode 110 has a light transmitting property and the second electrode 130 does not have a light transmitting property. In this case, the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 60 nm and not more than 200 nm.

有機層１２０は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層は正孔注入層より薄く、その厚さは例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層の発光色は何色であってもよい。このため、発光層の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。電子輸送層は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、例えばＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、有機層１２０全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。 The organic layer 120 has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The hole injection layer and the hole transport layer are formed using a material in which holes move (a hole-transporting organic material). The thickness of the hole injection layer is, for example, 50 nm or more and 100 nm or less. The hole transport layer is thinner than the hole injection layer, and has a thickness of, for example, 20 nm or more and 50 nm or less. The light emitting layer is formed using a material that emits light when electrons and holes recombine. The emission color of the light emitting layer may be any color. Therefore, the material of the light emitting layer may be any material as long as it is a light emitting organic material. The electron transport layer is formed using a material to which electrons move (organic material having electron mobility). The thickness of the electron transport layer is, for example, 5 nm or more and 100 nm or less. The electron injection layer is formed using, for example, an alkali metal compound such as LiF, a metal oxide represented by aluminum oxide, or a metal complex represented by lithium 8-hydroxyquinolate (Liq). The thickness of the electron injection layer is, for example, 0.1 nm or more and 10 nm or less. The thickness of the entire organic layer 120 is, for example, not less than 50 nm and not more than 200 nm.

なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は無くてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。 Note that one of the hole injection layer and the hole transport layer may not be provided. Further, one of the electron transport layer and the electron injection layer may not be provided.

有機層１２０を構成する各層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されてもよい。ここで用いられる成膜方法は、例えば、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法である。例えば、有機層１２０のうち正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されてもよい。なお、有機層１２０の残りの層は、蒸着法を用いて形成されている。 At least one (or all) of the layers constituting the organic layer 120 may be formed using a coating material. The film forming method used here is, for example, an ink-jet method, a printing method, or a coating method such as a spray method. For example, at least one (or all) of the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer of the organic layer 120 may be formed using a coating material. Note that the remaining layers of the organic layer 120 are formed using an evaporation method.

基板１００のうち発光部１４０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。具体的には、絶縁層１５０は第１電極１１０を覆っている。そして絶縁層１５０は、第１電極１１０と重なる領域の一部に開口１５２を有している。開口１５２内において、第１電極１１０は有機層１２０と接している。言い換えると、絶縁層１５０の開口１５２と重なる部分において、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０が重なっており、この積層部によって有機ＥＬ素子すなわち発光部１４０が形成されている。 A region of the substrate 100 where the light emitting section 140 is to be formed is surrounded by the insulating layer 150. Specifically, the insulating layer 150 covers the first electrode 110. In addition, the insulating layer 150 has an opening 152 in a part of a region overlapping with the first electrode 110. The first electrode 110 is in contact with the organic layer 120 in the opening 152. In other words, the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 overlap at a portion overlapping the opening 152 of the insulating layer 150, and an organic EL element, that is, a light emitting unit 140 is formed by the stacked portion.

絶縁層１５０は、例えば無機材料を用いて形成されており、その厚さは例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。絶縁層１５０に無機材料を用いる理由は、有機層１２０の端部と被覆膜２００の接触することにより発生した劣化因子が絶縁層１５０を介して発光部１４０へ伝達しないようにするためである。絶縁層１５０の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つである。また、絶縁層１５０は、これらのうち少なくとも２つを含んでいてもよい。絶縁層１５０の開口１５２は、例えば絶縁層１５０を、ＣＶＤ法やスパッタリング法などの気相法を用いて形成する際に、開口１５２となる領域をマスクパターンで覆えばよい。なお、開口１５２は、レジストパターンを用いたエッチング処理により形成されてもよい。ただし、絶縁層１５０の材料は、無機材料に限定されない。 The insulating layer 150 is formed using, for example, an inorganic material, and has a thickness of, for example, 50 nm or more and 500 nm or less. The reason why the inorganic material is used for the insulating layer 150 is to prevent a deterioration factor generated due to contact between the edge of the organic layer 120 and the coating film 200 from being transmitted to the light emitting unit 140 via the insulating layer 150. . The material of the insulating layer 150 is, for example, at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. Further, the insulating layer 150 may include at least two of them. For example, the opening 152 of the insulating layer 150 may be covered with a mask pattern when the insulating layer 150 is formed by a vapor phase method such as a CVD method or a sputtering method. Note that the opening 152 may be formed by an etching process using a resist pattern. Note that the material of the insulating layer 150 is not limited to an inorganic material.

そして、発光部１４０は、被覆膜２００によって封止されている。被覆膜２００は、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。被覆膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの金属酸化物によって形成されている。また、被覆膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また被覆膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。 Then, the light emitting unit 140 is sealed by the coating film 200. The coating film 200 is formed on at least the surface of the substrate 100 on which the light emitting unit 140 is formed, and covers the light emitting unit 140. The coating film 200 is formed of, for example, an insulating material, more specifically, a metal oxide such as aluminum oxide or titanium oxide. The thickness of the coating film 200 is preferably 300 nm or less. The thickness of the coating film 200 is, for example, 50 nm or more.

被覆膜２００は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、被覆膜２００の段差被覆性は高くなる。またこの場合、被覆膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、被覆膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。 The coating film 200 is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In this case, the step coverage of the coating film 200 increases. In this case, the coating film 200 may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked. In this case, it may have a structure in which a first sealing layer made of a first material (for example, aluminum oxide) and a second sealing layer made of a second material (for example, titanium oxide) are repeatedly laminated. . The lowermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer. Also, the uppermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer. Further, the coating film 200 may be a single layer in which the first material and the second material are mixed.

ただし、被覆膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、被覆膜２００は、ＳｉＯ_２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。 However, the coating film 200 may be formed using another film formation method, for example, a CVD method or a sputtering method. In this case, the coating film 200 is formed of an insulating film such as SiO ₂ or SiN, and has a thickness of, for example, 10 nm or more and 1000 nm or less.

なお、被覆膜２００の上に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。この樹脂層は、エポキシ系又はアクリル系などの樹脂を用いて形成される。 Note that a resin layer for protecting the coating film 200 may be provided on the coating film 200. This resin layer is formed using an epoxy-based or acrylic-based resin.

本図に示す例において、有機層１２０の端部は絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、有機層１２０の端部は絶縁層１５０と重なっている。また、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０と重なっている。ただし、第２電極１３０の端部は、有機層１２０の端部よりも発光部１４０の近くに位置している。このため、第２電極１３０は有機層１２０の端部を覆っていない。そのため、少なくとも有機層１２０の端部は被覆膜２００と接触している。なお、有機層１２０の一方の端部は第２電極１３０によって覆われていてもよい。 In the example shown in this figure, the end of the organic layer 120 is located on the insulating layer 150. In other words, the end of the organic layer 120 overlaps with the insulating layer 150. The end of the second electrode 130 is also located on the insulating layer 150. In other words, the end of the second electrode 130 also overlaps with the insulating layer 150. However, the end of the second electrode 130 is located closer to the light emitting unit 140 than the end of the organic layer 120. Therefore, the second electrode 130 does not cover the end of the organic layer 120. Therefore, at least the end of the organic layer 120 is in contact with the coating film 200. Note that one end of the organic layer 120 may be covered with the second electrode 130.

そして、絶縁層１５０のうち有機層１２０と重なる領域の上面の少なくとも一部には、凹凸１５１が形成されている。基板１００の厚さ方向の断面における凹凸１５１の高低差の平均値は、例えば絶縁層１５０の膜厚の５％以上２０％以下である。本図に示す例において、凹凸１５１は絶縁層１５０の上面の全面に形成されている。ただし、凹凸１５１は、絶縁層１５０の上面のうち有機層１２０と重なる領域及びその周囲にのみ形成されていてもよい。言い換えると、絶縁層１５０の上面には、凹凸１５１が形成されていない領域があってもよい。 In addition, irregularities 151 are formed on at least a part of the upper surface of a region of the insulating layer 150 overlapping the organic layer 120. The average value of the height difference of the irregularities 151 in the cross section in the thickness direction of the substrate 100 is, for example, 5% or more and 20% or less of the film thickness of the insulating layer 150. In the example shown in this figure, the unevenness 151 is formed on the entire upper surface of the insulating layer 150. However, the unevenness 151 may be formed only in a region of the upper surface of the insulating layer 150 that overlaps with the organic layer 120 and around the region. In other words, on the upper surface of the insulating layer 150, there may be a region where the unevenness 151 is not formed.

絶縁層１５０の凹凸は規則的に繰り返されていてもよい。この場合、凹凸１５１は、例えばレジストパターンを用いて絶縁層１５０の表層をエッチングすることにより、形成される。また、絶縁層１５０の凹凸は不規則に繰り返されていてもよい。この場合、凹凸１５１は、例えばマスクを用いずに絶縁層１５０の表層をエッチングしたり、サンドブラスト法を用いて絶縁層１５０の表面を荒らすことにより、形成される。なお、凹凸１５１は、開口１５２の側面には形成されていない。 The irregularities of the insulating layer 150 may be regularly repeated. In this case, the unevenness 151 is formed by, for example, etching the surface layer of the insulating layer 150 using a resist pattern. Further, the irregularities of the insulating layer 150 may be irregularly repeated. In this case, the unevenness 151 is formed by, for example, etching the surface layer of the insulating layer 150 without using a mask, or roughening the surface of the insulating layer 150 using a sandblast method. Note that the unevenness 151 is not formed on the side surface of the opening 152.

有機層１２０のうち凹凸１５１と重なる領域の表面に、凹凸１５１に起因した凹凸が形成される場合もある。また、第２電極１３０のうち凹凸１５１と重なる領域の表面に、凹凸１５１に起因した凹凸が形成される場合もある。また、被覆膜２００のうち凹凸１５１と重なる領域の表面に、凹凸１５１に起因した凹凸が形成される場合もある。 Irregularities due to the irregularities 151 may be formed on the surface of a region of the organic layer 120 that overlaps the irregularities 151. In addition, irregularities due to the irregularities 151 may be formed on the surface of a region of the second electrode 130 overlapping the irregularities 151. In addition, unevenness due to the unevenness 151 may be formed on a surface of a region of the coating film 200 overlapping the unevenness 151.

図２は、発光装置１０の製造方法の一例を示す断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、基板１００の上に第１電極１１０を形成する。次いで、第１電極１１０の上に絶縁層１５０を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１５０の表面に凹凸１５１を形成する。 FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device 10. First, a first electrode 110 is formed on a substrate 100 as shown in FIG. Next, an insulating layer 150 is formed over the first electrode 110. Next, as shown in FIG. 2B, irregularities 151 are formed on the surface of the insulating layer 150.

次いで、凹凸１５１の上にマスクパターン（図示せず）を形成し、このマスクパターンを用いて絶縁層１５０をエッチングする。これにより、図２（ｃ）に示すように、絶縁層１５０には開口１５２が形成される。その後、マスクパターンを除去する。次いで、第１電極１１０の上に有機層１２０を形成し、さらに第２電極１３０を形成する。この工程において、有機層１２０の少なくとも端部が第２電極１３０から露出する。 Next, a mask pattern (not shown) is formed on the unevenness 151, and the insulating layer 150 is etched using the mask pattern. Thus, as shown in FIG. 2C, an opening 152 is formed in the insulating layer 150. After that, the mask pattern is removed. Next, the organic layer 120 is formed on the first electrode 110, and the second electrode 130 is further formed. In this step, at least the end of the organic layer 120 is exposed from the second electrode 130.

次いで、被覆膜２００を形成する。この工程において、被覆膜２００は有機層１２０の端部を覆い、かつ絶縁層１５０に接する。このようにして、図１に示した発光装置１０が形成される。 Next, the coating film 200 is formed. In this step, the coating film 200 covers the edge of the organic layer 120 and comes into contact with the insulating layer 150. Thus, the light emitting device 10 shown in FIG. 1 is formed.

なお、凹凸１５１を形成する工程は、開口１５２が形成された後に行われてもよい。 Note that the step of forming the unevenness 151 may be performed after the opening 152 is formed.

本発明者が検討した結果、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域を有している場合、少なくとも有機層１２０の上層（例えば電子注入層や電子輸送層）は、被覆膜２００と接している部分から劣化因子が発生する場合があることが判明した。このような劣化因子が生じた場合、発光部１４０の輝度は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接している領域に近い部分から低下してしまう。また、この輝度の低下は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域が大きいほど、顕著になっていた。例えば被覆膜２００に酸化チタンが含まれている場合（例えば酸化チタン層を含む場合）、上記した現象が確認された。この場合、酸化チタン層が有機層１２０に触れていなくても、上記した現象が確認された。このような現象が生じる理由は、有機層１２０のうち被覆膜２００と接している部分に酸素原子が到達するため、と推定されるが、そのメカニズムは判明していない。 As a result of the study by the present inventor, when the organic layer 120 has a region in direct contact with the coating film 200, at least the upper layer (for example, the electron injection layer or the electron transport layer) of the organic layer 120 is in contact with the coating film 200. It has been found that there is a case where a deterioration factor is generated from the contacting part. When such a deterioration factor occurs, the luminance of the light emitting unit 140 decreases from a portion near the region where the organic layer 120 and the coating film 200 are in direct contact. Further, the lowering of the luminance was more remarkable as the area where the organic layer 120 and the coating film 200 were in direct contact with each other was larger. For example, when the coating film 200 includes titanium oxide (for example, when the coating film 200 includes a titanium oxide layer), the above phenomenon is confirmed. In this case, the above-mentioned phenomenon was confirmed even when the titanium oxide layer did not touch the organic layer 120. It is presumed that such a phenomenon occurs because oxygen atoms reach a portion of the organic layer 120 that is in contact with the coating film 200, but the mechanism is not known.

これに対して、本実施形態では、絶縁層１５０のうち有機層１２０と重なる領域の少なくとも一部には、凹凸１５１が形成されている。このため、凹凸１５１が形成されていない場合と比較して、有機層１２０の端部から発光部１４０までの実質的な距離は長くなる。従って、発光部１４０に上記した劣化が生じることを抑制できる。 On the other hand, in the present embodiment, irregularities 151 are formed in at least a part of a region of the insulating layer 150 that overlaps the organic layer 120. Therefore, the substantial distance from the end of the organic layer 120 to the light emitting section 140 is longer than that in the case where the unevenness 151 is not formed. Therefore, it is possible to suppress the above-described deterioration from occurring in the light emitting unit 140.

（実施例）
図３は、実施例に係る発光装置１０の平面図である。図４は、図３から被覆膜２００を取り除いた図である。図５は、図４から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図６は図３のＡ−Ａ断面図であり、図７は図３のＢ−Ｂ断面図であり、図８は図３のＣ−Ｃ断面図である。 (Example)
FIG. 3 is a plan view of the light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 4 is a diagram in which the coating film 200 is removed from FIG. FIG. 5 is a diagram in which the partition wall 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 6 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3, FIG. 7 is a sectional view taken along line BB of FIG. 3, and FIG. 8 is a sectional view taken along line CC of FIG.

本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、複数の隔壁１７０、及び被覆膜２００を有している。 The light emitting device 10 according to the present embodiment is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, an organic layer 120, It has two electrodes 130, a plurality of extraction wirings 134, a plurality of partitions 170, and a coating film 200.

第１電極１１０は、第１方向（図５におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。 The first electrode 110 extends linearly in a first direction (Y direction in FIG. 5). The end of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.

引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。ただし、導体層１８０は、複数の膜を積層した積層膜、例えば、Ｍｏ合金層、Ａｌ合金層、及びＭｏ合金層をこの順に積層した積層膜であってもよい。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。 The lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112. In the example shown in this drawing, one end of the extraction wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end of the extraction wiring 114 is a first terminal 112. In the example shown in this figure, the first electrode 110 and the lead wiring 114 are integrated. Then, a conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and on the lead wiring 114. The conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than the first electrode 110, for example, Al or Ag. However, the conductor layer 180 may be a laminated film in which a plurality of films are laminated, for example, a laminated film in which a Mo alloy layer, an Al alloy layer, and a Mo alloy layer are laminated in this order. Note that a part of the lead wiring 114 is covered with the insulating layer 150.

第１端子１１２は発光部１４０の第１電極１１０に電気的に接続されており、第２端子１３２は発光部１４０の第２電極１３０に接続されている。第１端子１１２は引出配線１１４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１１４と一体になっている。また、第２端子１３２は引出配線１３４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１３４と一体になっている。 The first terminal 112 is electrically connected to the first electrode 110 of the light emitting unit 140, and the second terminal 132 is connected to the second electrode 130 of the light emitting unit 140. The first terminal 112 is located at an end of the extraction wiring 114, and at least a part of the layer is integrated with the extraction wiring 114. The second terminal 132 is located at the end of the lead-out wiring 134, and at least a part of the layer is integrated with the lead-out wiring 134.

絶縁層１５０は、図４、及び図６〜図８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０の上面には、凹凸１５１が形成されている。ただし、絶縁層１５０の上面のうち有機層１２０と重ならない領域には、凹凸１５１が形成されていない領域があってもよい。 The insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween, as shown in FIGS. 4 and 6 to 8. On the upper surface of the insulating layer 150, irregularities 151 are formed. However, in a region of the upper surface of the insulating layer 150 that does not overlap with the organic layer 120, there may be a region where the unevenness 151 is not formed.

絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。 A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150.

複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。上記した凹凸１５１は、開口１５２の側面には形成されていない。 The plurality of second electrodes 130 extend parallel to each other in a direction intersecting with the first electrodes 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 4). Further, between the plurality of second electrodes 130, partition walls 170, which will be described in detail later, extend. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. The plurality of openings 152 are arranged to form a matrix. The above-mentioned unevenness 151 is not formed on the side surface of the opening 152.

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。なお、絶縁層１５０のうち開口１５２の縁を画定する部分（側面）は傾斜しており、この部分の上にも有機層１２０及び第２電極１３０が位置している。しかし有機層１２０は第１電極１１０に接していないため、この部分は発光部１４０を構成しない。 An organic layer 120 is formed in a region overlapping with the opening 152. Therefore, the light emitting unit 140 is located in each of the regions overlapping the opening 152. The portion (side surface) of the insulating layer 150 that defines the edge of the opening 152 is inclined, and the organic layer 120 and the second electrode 130 are located on this portion. However, since the organic layer 120 is not in contact with the first electrode 110, this portion does not constitute the light emitting section 140.

なお、図６及び図７に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図８に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。 6 and 7 show a case where each of the layers constituting the organic layer 120 protrudes to the outside of the opening 152. The organic layer 120 may or may not be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition wall 170 extends. However, as shown in FIG. 8, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。上記した凹凸１５１は、開口１５４の側面には形成されていない。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。 The opening 154 is located in a region overlapping one end of each of the plurality of second electrodes 130 in a plan view. The openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 4, that is, a direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at predetermined intervals. The above-mentioned unevenness 151 is not formed on the side surface of the opening 154. A part of the extraction wiring 134 is exposed from the opening 154. The lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 via the opening 154.

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。 The lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end of the extraction wiring 134 is located below the opening 154, and the other end of the extraction wiring 134 is extracted outside the insulating layer 150. In the example shown in this drawing, the other end of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. The conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and on the lead wiring 134. Note that a part of the extraction wiring 134 is covered with the insulating layer 150.

第２電極１３０は、図４、図６〜図８に示すように、第１方向と交わる第２方向（図４におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 The second electrode 130 extends in a second direction (the X direction in FIG. 4) intersecting with the first direction, as shown in FIGS. A partition 170 is formed between adjacent second electrodes 130. The partition wall 170 extends in parallel with the second electrode 130, that is, in the second direction. The base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150. The partition 170 is a photosensitive resin such as a polyimide resin, for example, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition 170 may be made of a resin other than the polyimide resin, for example, an epoxy resin, an acrylic resin, or an inorganic material such as silicon dioxide.

隔壁１７０が延在する方向に対して垂直な断面において、隔壁１７０は、台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。 In a cross section perpendicular to the direction in which the partition wall 170 extends, the partition wall 170 has a trapezoidal shape inverted upside down (inverted trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition 170 is larger than the width of the lower surface of the partition 170. For this reason, when the partition 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method, so that the plurality of second electrodes 130 are formed. Can be formed collectively. The partition 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

そして、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、及び隔壁１７０は、被覆膜２００によって覆われている。また、引出配線１１４の一部及び引出配線１３４の一部も、被覆膜２００によって覆われている。 The first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, the insulating layer 150, and the partition 170 are covered with the coating film 200. Further, a part of the lead wiring 114 and a part of the lead wiring 134 are also covered with the coating film 200.

図６及び図８に示すように、隔壁１７０に交わる方向の断面において、有機層１２０及び第２電極１３０は、いずれも絶縁層１５０の上で分断している。そして、これら分断している有機層１２０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。又、これら分断している第２電極１３０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。言い換えると、有機層１２０は隔壁１７０に沿って分断しており、第２電極１３０も隔壁１７０に沿って分断している。 As shown in FIGS. 6 and 8, in the cross section in the direction crossing the partition wall 170, the organic layer 120 and the second electrode 130 are both separated on the insulating layer 150. The partition 170 is located between the two ends of the separated organic layer 120. In addition, a partition 170 is located between the two ends of the divided second electrode 130. In other words, the organic layer 120 is divided along the partition 170, and the second electrode 130 is also divided along the partition 170.

第２電極１３０の端部は隔壁１７０に接触していない。一方、有機層１２０の端部は、隔壁１７０に接触していてもよいし、接触していなくてもよい。そして、第２電極１３０の端部及び有機層１２０の端部は、いずれも、被覆膜２００によって覆われている。このようにするためには、段差被覆性が高い成膜方法、例えばＡＬＤ法を用いて被覆膜２００を形成すればよい。 The end of the second electrode 130 is not in contact with the partition 170. On the other hand, the end of the organic layer 120 may or may not be in contact with the partition 170. The end of the second electrode 130 and the end of the organic layer 120 are both covered with the coating film 200. In order to achieve this, the coating film 200 may be formed using a film formation method having high step coverage, for example, an ALD method.

なお、本実施例においても、実施形態と同様に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。 In this embodiment, a resin layer for protecting the coating film 200 may be provided as in the embodiment.

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 according to the present embodiment will be described. First, the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the embodiment. Next, the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, the first terminal 112, the lead wiring 134, and the second terminal 132.

次いで、絶縁層１５０、凹凸１５１、及び開口１５２，１５４をこの順に形成する。開口１５４は、開口１５２と同一工程で形成される。さらに、絶縁層１５０の上に隔壁１７０を形成する。 Next, the insulating layer 150, the unevenness 151, and the openings 152 and 154 are formed in this order. The opening 154 is formed in the same step as the opening 152. Further, a partition 170 is formed over the insulating layer 150.

次いで、有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。この際、隔壁１７０の上面がマスクとなり、第２電極１３０は分断される。また、有機層１２０に蒸着法を用いて形成される層が含まれている場合、この層も、隔壁１７０の上面がマスクとなって分断される。次いで、被覆膜２００を、例えばＡＬＤ法を用いて形成する。 Next, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed. At this time, the upper surface of the partition 170 serves as a mask, and the second electrode 130 is divided. In the case where the organic layer 120 includes a layer formed by an evaporation method, this layer is also divided using the upper surface of the partition wall 170 as a mask. Next, the coating film 200 is formed using, for example, the ALD method.

本実施例においても、絶縁層１５０の上面のうち有機層１２０と重なる領域の少なくとも一部には、凹凸１５１が形成されている。このため、実施形態と同様に、凹凸１５１が形成されていない場合と比較して、有機層１２０の端部から発光部１４０までの実質的な距離は長くなる。従って、発光部１４０に上記した劣化が生じることを抑制できる。 Also in this embodiment, irregularities 151 are formed on at least a part of a region of the upper surface of the insulating layer 150 that overlaps the organic layer 120. Therefore, as in the embodiment, the substantial distance from the end of the organic layer 120 to the light emitting unit 140 is longer than in the case where the unevenness 151 is not formed. Therefore, it is possible to suppress the above-described deterioration from occurring in the light emitting unit 140.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As described above, the embodiments and examples have been described with reference to the drawings. However, these are examples of the present invention, and various configurations other than those described above can be adopted.

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１２０有機層
１３０第２電極
１４０発光部
１５０絶縁層
１５１凹凸
１７０隔壁
２００被覆膜 Reference Signs List 10 light emitting device 100 substrate 110 first electrode 120 organic layer 130 second electrode 140 light emitting unit 150 insulating layer 151 unevenness 170 partition wall 200 coating film

Claims

Board and
A light emitting unit formed on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer located between the first electrode and the second electrode;
An insulating layer defining the light emitting portion;
A coating film that covers at least a part of the light emitting unit and the insulating layer, and that includes titanium oxide;
With
At least a part of an end of the organic layer and at least a part of an end of the second electrode are located on the insulating layer,
At least a part of the end portion of the coating film and the organic layer is in contact with the insulating layer,
At least a part of the upper surface of a region of the insulating layer overlapping the organic layer has irregularities,
A light emitting device in which an upper surface of a region of the organic layer overlapping the irregularities has irregularities.

The light emitting device according to claim 1,
The organic layer and the second electrode are separated on the insulating layer,
A light emitting device wherein at least one of two ends of the organic layer is not covered by the second electrode.

The light emitting device according to claim 2,
Comprising a partition located on the insulating layer,
The light emitting device, wherein the organic layer and the second electrode are separated along the partition.

The light emitting device according to claim 3,
In a cross section perpendicular to the direction in which the partition extends, a light-emitting device in which the width of the upper surface of the partition is wider than the width of the lower surface of the partition.

The light emitting device according to claim 3, wherein
The light emitting device, wherein the coating film continuously covers the second electrodes positioned on both sides of the partition, and side and top surfaces of the partition.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 5,
A light-emitting device, wherein the coating film has at least one layer of a titanium oxide film and an aluminum oxide film.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 6,
The light emitting device, wherein the insulating layer is made of an inorganic material.

The light emitting device according to claim 7,
The light-emitting device, wherein the inorganic material includes at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.