JP2003050085A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JP2003050085A JP2003050085A JP2001235774A JP2001235774A JP2003050085A JP 2003050085 A JP2003050085 A JP 2003050085A JP 2001235774 A JP2001235774 A JP 2001235774A JP 2001235774 A JP2001235774 A JP 2001235774A JP 2003050085 A JP2003050085 A JP 2003050085A
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- vacuum
- vacuum processing
- drying
- chamber
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 たとえば液晶パネル製造装置における真空処
理において、長尺シート状材料に対するスループットを
低下することなくかつ真空処理後の前記材料の品質を安
定化しかつ向上することが可能な真空処理装置を提供す
る。 【解決手段】 長尺シート状材料が真空処理の行われる
処理室２に入る前段に、マイクロ波を利用してワークＷ
を連続的に乾燥させつつ通過走行させる乾燥室Ｄを設置
する。したがって材料が導入されるとマイクロ波がシー
トに及び真空処理に先立ち前記材料中および表面の水分
は迅速に除去される。
理において、長尺シート状材料に対するスループットを
低下することなくかつ真空処理後の前記材料の品質を安
定化しかつ向上することが可能な真空処理装置を提供す
る。 【解決手段】 長尺シート状材料が真空処理の行われる
処理室２に入る前段に、マイクロ波を利用してワークＷ
を連続的に乾燥させつつ通過走行させる乾燥室Ｄを設置
する。したがって材料が導入されるとマイクロ波がシー
トに及び真空処理に先立ち前記材料中および表面の水分
は迅速に除去される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネル製造装
置など、連続して走行する長尺シート状材料に対して真
空処理を行う真空処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、たとえば太陽電池膜や液晶用
ディスプレー用シート、曇り防止シート、赤外線防止シ
ートなどに使用するための長尺シート状材料に対して真
空中でプラズマによる表面改質またはＣＶＤ成膜、スパ
ッタ成膜による表面処理などの真空処理を施す場合、こ
れらの真空処理に先立ち、前記長尺シート状材料（以下
ワークと呼ぶ）の真空処理に悪影響をおよぼす水分の除
去を行う真空乾燥または加熱乾燥が行われている。 【０００３】図４は従来の真空処理装置の一例を示して
いる。図４において、大気圧環境にあるワークＷは入口
室１に導入され、図の左方から右方へ、処理室２、出口
室３をへて連続的に大気圧環境に取り出される。処理室
２内ではスパッタ処理、ＣＶＤ処理、プラズマ処理など
の方法によりワークＷに表面改質または表面処理等の真
空処理が施される。処理室２を真空処理に必要な真空環
境に保つため処理室２は真空ポンプＰＢで連続排気され
ている。高周波源４が真空処理のための真空放電発生用
の電源として処理室２内の適切な形状の電極５に接続さ
れる。また、真空放電に必要なガスがガス導入バルブ６
を介設して処理室２に供給される。 【０００４】入口室１、出口室３は処理室２を真空処理
に必要な真空環境に維持するための予備排気を行うため
に設けられており、それぞれ真空ポンプＰＡ、真空ポン
プＰＣで連続排気されている。また通常、入口室１の前
段には真空処理前のワークＷの保管形態、たとえばロー
ル状の形態に適したワークＷの供給機構（図示せず）
が、出口室３の後段にはたとえばロール巻取機構など処
理後のワークＷの収納機構（図示せず）が設けられる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】従来の真空処理装置の
構造は以上のとおりであるが、ワークＷの乾燥に問題を
有している。すなわち真空処理前にワークＷの十分な真
空乾燥を真空処理装置内で行うために真空処理装置内に
真空乾燥工程を増設せんとする場合には、乾燥に必要な
長時間、ワークＷを真空処理装置内に滞留させておく必
要が生じるためワークＷの通過走行の速度を低下させる
必要があり、スループット（単位時間あたりのワークＷ
の処理量）が低下する。特にワークＷが有機ワーク等内
部に水分を含む材料の場合は特に長い乾燥時間が必要で
あるため、一層スループットが低下する。また処理室２
の前段に加熱乾燥工程を増設せんとする場合においても
同様に真空処理装置内の他の工程に比較して乾燥には長
時間を要するためスループットが低下する。特に前記有
機ワークは材料の許容温度が低く高温に加熱できないた
め、特に長い乾燥時間が必要であり、真空乾燥の場合と
同様にスループットが一層低下する。したがってワーク
Ｗを通過走行させながら十分な乾燥を行うことは実際に
は困難であり、不十分な乾燥のままワークＷの処理が行
われ、真空処理後のワークＷの品質を低下させる。また
別個の真空乾燥装置または加熱乾燥装置を使用する場合
においては、設備の数および規模が増大するばかりでな
く、ワークＷを真空処理装置に装填するまでの保管環境
や保管時間によってはワークＷを再び吸湿させ、同じく
真空処理後のワークＷの品質を低下させることになる。
本発明はこのような問題点を解決する真空処理装置を提
供せんとするものである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明が提供する真空処
理装置は、上記の課題を解決するために、長尺シート状
材料が真空処理室を通過する前段にマイクロ波を利用し
て長尺シート状材料を連続して乾燥させながら通過走行
させる連続乾燥手段を設ける。 【０００７】 【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施例にしたが
って本発明を説明する。図１は本発明が提供する真空処
理装置の構成を示す断面図、図２および図３は本発明が
提供する真空処理装置の変形実施例の構成を示す断面図
である。 【０００８】すなわち、まず図１において、Ｄはマイク
ロ波を利用する乾燥室で、ワークＷが走行される側から
見て処理室２の前段に設けられている。この点に本発明
の特徴がある。またこの乾燥室Ｄにはマイクロ波源Ｍが
近接配設されていて乾燥室Ｄ内にマイクロ波が及ぶよう
になっている。ワークＷは図の左方からまずこの乾燥室
Ｄに導入される。するとマイクロ波源Ｍから供給される
マイクロ波の効果によってワークＷは乾燥され、その後
入口室１、処理室２を通過走行し、処理室２で真空処理
を受けた後、出口室３から大気環境に取り出される。乾
燥室Ｄは入口室１の真空排気の影響を受けて大気圧から
やや減圧されるが、乾燥室Ｄには特別な排気手段は設け
られていないので、ワークＷは大気圧に近い圧力で連続
的に乾燥される。マイクロ波による乾燥は、真空乾燥や
加熱乾燥などの他の方法に比べてはるかに迅速にワーク
Ｗ内およびワークＷ表面の水分を除去する。大気圧環境
にあるワークＷは入口室１に導入され、図の左方から右
方へ、処理室２、出口室３をへて連続的に大気圧環境に
取り出される。そしてこれら処理室２、出口室３での作
動は上述の通り行われる。すなわち処理室２内ではスパ
ッタ処理、ＣＶＤ処理、プラズマ処理などの方法により
ワークＷに表面改質または表面処理等の真空処理が施さ
れる。処理室２を真空処理に必要な真空環境に保つため
処理室２は真空ポンプＰＢで連続排気されている。高周
波源４が真空処理のための真空放電発生用の電源として
処理室２内の適切な形状の電極５に接続される。また、
真空放電に必要なガスがガス導入バルブ６を介設して処
理室２に供給される。 【０００９】なお上述したとおり入口室１、出口室３は
処理室２を真空処理に必要な真空環境に維持するための
予備排気を行うために設けられており、それぞれ真空ポ
ンプＰＡ、真空ポンプＰＣで連続排気されている。また
通常、乾燥室Ｄの前段には真空処理前のワークＷの保管
形態、たとえばロール状の形態に適したワークＷの供給
機構（図示せず）が、出口室３の後段にはたとえばロー
ル巻取機構など処理後のワークＷの収納機構（図示せ
ず）が設けら、巻き取られる。 【００１０】図２は本発明が提供する真空処理装置の変
形実施例の一例である。すなわち、乾燥室Ｄには乾燥用
真空ポンプＤＰが接続されており、この乾燥用真空ポン
プＤＰによって乾燥室Ｄが排気され、真空状態に保たれ
る。したがってワークＷはマイクロ波の効果に加えて真
空乾燥の効果を受け、マイクロ波のみの場合に比較して
更に迅速に乾燥される。 【００１１】図３は本発明が提供する真空処理装置の別
の変形実施例である。乾燥室ＤにはヒータＨが付加され
ており、ワークＷはマイクロ波の効果に加えて加熱乾燥
の効果を受け、マイクロ波のみの場合に比較して更に迅
速に乾燥される。 【００１２】以上、本発明が提供する真空処理装置の構
成例および変形実施例について説明したが、本発明はこ
れらの実施例や室の数などに限定されるものではなく、
たとえば乾燥室Ｄと入口室１を一体化した構造、重複し
た真空処理を受けるため複数の処理室２を設けた構造な
ど、連続して走行する長尺シート状材料に対して真空処
理を施すための真空処理装置にマイクロ波を利用した連
続乾燥手段を付加し、真空処理前のワークＷを乾燥する
機能を有する真空処理装置を提供する。また乾燥室Ｄに
乾燥用真空ポンプＤＰとヒータＨを合わせて付加させる
装置とすることもできこれらをすべて包含する。 【００１３】 【発明の効果】本発明は以上詳述したとおりであるか
ら、出力が安定しその制御も容易なマイクロ波乾燥によ
り、真空処理に先立ってワーク中およびワーク表面の水
分を迅速に除去し、引き続き直ちに真空処理を行うこと
により、前記スループットを低下することなくワークの
品質を安定化しかつ向上することが可能になる。
置など、連続して走行する長尺シート状材料に対して真
空処理を行う真空処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、たとえば太陽電池膜や液晶用
ディスプレー用シート、曇り防止シート、赤外線防止シ
ートなどに使用するための長尺シート状材料に対して真
空中でプラズマによる表面改質またはＣＶＤ成膜、スパ
ッタ成膜による表面処理などの真空処理を施す場合、こ
れらの真空処理に先立ち、前記長尺シート状材料（以下
ワークと呼ぶ）の真空処理に悪影響をおよぼす水分の除
去を行う真空乾燥または加熱乾燥が行われている。 【０００３】図４は従来の真空処理装置の一例を示して
いる。図４において、大気圧環境にあるワークＷは入口
室１に導入され、図の左方から右方へ、処理室２、出口
室３をへて連続的に大気圧環境に取り出される。処理室
２内ではスパッタ処理、ＣＶＤ処理、プラズマ処理など
の方法によりワークＷに表面改質または表面処理等の真
空処理が施される。処理室２を真空処理に必要な真空環
境に保つため処理室２は真空ポンプＰＢで連続排気され
ている。高周波源４が真空処理のための真空放電発生用
の電源として処理室２内の適切な形状の電極５に接続さ
れる。また、真空放電に必要なガスがガス導入バルブ６
を介設して処理室２に供給される。 【０００４】入口室１、出口室３は処理室２を真空処理
に必要な真空環境に維持するための予備排気を行うため
に設けられており、それぞれ真空ポンプＰＡ、真空ポン
プＰＣで連続排気されている。また通常、入口室１の前
段には真空処理前のワークＷの保管形態、たとえばロー
ル状の形態に適したワークＷの供給機構（図示せず）
が、出口室３の後段にはたとえばロール巻取機構など処
理後のワークＷの収納機構（図示せず）が設けられる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】従来の真空処理装置の
構造は以上のとおりであるが、ワークＷの乾燥に問題を
有している。すなわち真空処理前にワークＷの十分な真
空乾燥を真空処理装置内で行うために真空処理装置内に
真空乾燥工程を増設せんとする場合には、乾燥に必要な
長時間、ワークＷを真空処理装置内に滞留させておく必
要が生じるためワークＷの通過走行の速度を低下させる
必要があり、スループット（単位時間あたりのワークＷ
の処理量）が低下する。特にワークＷが有機ワーク等内
部に水分を含む材料の場合は特に長い乾燥時間が必要で
あるため、一層スループットが低下する。また処理室２
の前段に加熱乾燥工程を増設せんとする場合においても
同様に真空処理装置内の他の工程に比較して乾燥には長
時間を要するためスループットが低下する。特に前記有
機ワークは材料の許容温度が低く高温に加熱できないた
め、特に長い乾燥時間が必要であり、真空乾燥の場合と
同様にスループットが一層低下する。したがってワーク
Ｗを通過走行させながら十分な乾燥を行うことは実際に
は困難であり、不十分な乾燥のままワークＷの処理が行
われ、真空処理後のワークＷの品質を低下させる。また
別個の真空乾燥装置または加熱乾燥装置を使用する場合
においては、設備の数および規模が増大するばかりでな
く、ワークＷを真空処理装置に装填するまでの保管環境
や保管時間によってはワークＷを再び吸湿させ、同じく
真空処理後のワークＷの品質を低下させることになる。
本発明はこのような問題点を解決する真空処理装置を提
供せんとするものである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明が提供する真空処
理装置は、上記の課題を解決するために、長尺シート状
材料が真空処理室を通過する前段にマイクロ波を利用し
て長尺シート状材料を連続して乾燥させながら通過走行
させる連続乾燥手段を設ける。 【０００７】 【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施例にしたが
って本発明を説明する。図１は本発明が提供する真空処
理装置の構成を示す断面図、図２および図３は本発明が
提供する真空処理装置の変形実施例の構成を示す断面図
である。 【０００８】すなわち、まず図１において、Ｄはマイク
ロ波を利用する乾燥室で、ワークＷが走行される側から
見て処理室２の前段に設けられている。この点に本発明
の特徴がある。またこの乾燥室Ｄにはマイクロ波源Ｍが
近接配設されていて乾燥室Ｄ内にマイクロ波が及ぶよう
になっている。ワークＷは図の左方からまずこの乾燥室
Ｄに導入される。するとマイクロ波源Ｍから供給される
マイクロ波の効果によってワークＷは乾燥され、その後
入口室１、処理室２を通過走行し、処理室２で真空処理
を受けた後、出口室３から大気環境に取り出される。乾
燥室Ｄは入口室１の真空排気の影響を受けて大気圧から
やや減圧されるが、乾燥室Ｄには特別な排気手段は設け
られていないので、ワークＷは大気圧に近い圧力で連続
的に乾燥される。マイクロ波による乾燥は、真空乾燥や
加熱乾燥などの他の方法に比べてはるかに迅速にワーク
Ｗ内およびワークＷ表面の水分を除去する。大気圧環境
にあるワークＷは入口室１に導入され、図の左方から右
方へ、処理室２、出口室３をへて連続的に大気圧環境に
取り出される。そしてこれら処理室２、出口室３での作
動は上述の通り行われる。すなわち処理室２内ではスパ
ッタ処理、ＣＶＤ処理、プラズマ処理などの方法により
ワークＷに表面改質または表面処理等の真空処理が施さ
れる。処理室２を真空処理に必要な真空環境に保つため
処理室２は真空ポンプＰＢで連続排気されている。高周
波源４が真空処理のための真空放電発生用の電源として
処理室２内の適切な形状の電極５に接続される。また、
真空放電に必要なガスがガス導入バルブ６を介設して処
理室２に供給される。 【０００９】なお上述したとおり入口室１、出口室３は
処理室２を真空処理に必要な真空環境に維持するための
予備排気を行うために設けられており、それぞれ真空ポ
ンプＰＡ、真空ポンプＰＣで連続排気されている。また
通常、乾燥室Ｄの前段には真空処理前のワークＷの保管
形態、たとえばロール状の形態に適したワークＷの供給
機構（図示せず）が、出口室３の後段にはたとえばロー
ル巻取機構など処理後のワークＷの収納機構（図示せ
ず）が設けら、巻き取られる。 【００１０】図２は本発明が提供する真空処理装置の変
形実施例の一例である。すなわち、乾燥室Ｄには乾燥用
真空ポンプＤＰが接続されており、この乾燥用真空ポン
プＤＰによって乾燥室Ｄが排気され、真空状態に保たれ
る。したがってワークＷはマイクロ波の効果に加えて真
空乾燥の効果を受け、マイクロ波のみの場合に比較して
更に迅速に乾燥される。 【００１１】図３は本発明が提供する真空処理装置の別
の変形実施例である。乾燥室ＤにはヒータＨが付加され
ており、ワークＷはマイクロ波の効果に加えて加熱乾燥
の効果を受け、マイクロ波のみの場合に比較して更に迅
速に乾燥される。 【００１２】以上、本発明が提供する真空処理装置の構
成例および変形実施例について説明したが、本発明はこ
れらの実施例や室の数などに限定されるものではなく、
たとえば乾燥室Ｄと入口室１を一体化した構造、重複し
た真空処理を受けるため複数の処理室２を設けた構造な
ど、連続して走行する長尺シート状材料に対して真空処
理を施すための真空処理装置にマイクロ波を利用した連
続乾燥手段を付加し、真空処理前のワークＷを乾燥する
機能を有する真空処理装置を提供する。また乾燥室Ｄに
乾燥用真空ポンプＤＰとヒータＨを合わせて付加させる
装置とすることもできこれらをすべて包含する。 【００１３】 【発明の効果】本発明は以上詳述したとおりであるか
ら、出力が安定しその制御も容易なマイクロ波乾燥によ
り、真空処理に先立ってワーク中およびワーク表面の水
分を迅速に除去し、引き続き直ちに真空処理を行うこと
により、前記スループットを低下することなくワークの
品質を安定化しかつ向上することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による真空処理装置を示す断面図であ
る。 【図２】 本発明による真空処理装置の変形実施例を示
す断面図である。 【図３】 本発明による真空処理装置の他の変形実施例
を示す断面図である。 【図４】 従来の真空処理装置を示す断面図である。 【符号の説明】 １…入口室 ２…処理室 ３…出口室 ４…高周波源 Ｄ…乾燥室 Ｈ…ヒータ Ｍ…マイクロ波源 Ｗ…ワーク ＰＡ、ＰＢ、ＰＣ…真空ポンプ ＤＰ…乾燥用真空ポンプ
る。 【図２】 本発明による真空処理装置の変形実施例を示
す断面図である。 【図３】 本発明による真空処理装置の他の変形実施例
を示す断面図である。 【図４】 従来の真空処理装置を示す断面図である。 【符号の説明】 １…入口室 ２…処理室 ３…出口室 ４…高周波源 Ｄ…乾燥室 Ｈ…ヒータ Ｍ…マイクロ波源 Ｗ…ワーク ＰＡ、ＰＢ、ＰＣ…真空ポンプ ＤＰ…乾燥用真空ポンプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】連続して走行する長尺シート状材料に対し
て真空処理を施すための真空処理室を備え前記長尺シー
ト状材料を連続的に真空処理室に通過走行させるように
した真空処理装置において、長尺シート状材料が真空処
理室を通過する前段にマイクロ波を利用して長尺シート
状材料を連続して乾燥させながら通過走行させる連続乾
燥手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001235774A JP2003050085A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001235774A JP2003050085A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003050085A true JP2003050085A (ja) | 2003-02-21 |
Family
ID=19067165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001235774A Pending JP2003050085A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003050085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194546A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 連続式減圧乾燥方法及び装置 |
| CN110608595A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-24 | 四川大学 | 一种微波干燥合成革水性聚氨酯涂层装置 |
-
2001
- 2001-08-03 JP JP2001235774A patent/JP2003050085A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194546A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 連続式減圧乾燥方法及び装置 |
| CN110608595A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-24 | 四川大学 | 一种微波干燥合成革水性聚氨酯涂层装置 |
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