JP2003049266A - 基板の表面に膜を堆積するための装置 - Google Patents
基板の表面に膜を堆積するための装置Info
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜を作製するために傾斜スパッタリング堆
積装置を提供する。 【解決手段】 基板と入射粒子束との間に、それた方向
からの粒子をフィルタするための角度付き通路を有する
コリメータを置く。通路の角度は、要件に従って、基板
垂線に対して約０から約９０°に調節可能である。粒子
束の傾斜入射が、同様に角度を付けられるコラム構造を
形成する。
積装置を提供する。 【解決手段】 基板と入射粒子束との間に、それた方向
からの粒子をフィルタするための角度付き通路を有する
コリメータを置く。通路の角度は、要件に従って、基板
垂線に対して約０から約９０°に調節可能である。粒子
束の傾斜入射が、同様に角度を付けられるコラム構造を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の背景】［発明の分野］この発明は、膜を堆積す
ることに関し、より特定的には、傾斜コリメータ堆積に
よって薄膜を作製するための装置に関する。
ることに関し、より特定的には、傾斜コリメータ堆積に
よって薄膜を作製するための装置に関する。
【０００２】［先行技術の説明］スパッタリングは薄膜
堆積のために一般的に用いられる方法である。スパッタ
リングは、負に荷電されたターゲット材料に向けて加速
しかつそれを衝撃する、Ａｒ+などのイオン化された原
子を真空中に与えることによって行なわれる。イオン化
された原子は、他の原子および分子をターゲット材料か
ら払い落とす。これらの弾き出された原子および分子は
その後、同様に真空チャンバ中に配置された予め選択さ
れた基板の上に堆積し、こうして基板の表面上に膜を形
成する。
堆積のために一般的に用いられる方法である。スパッタ
リングは、負に荷電されたターゲット材料に向けて加速
しかつそれを衝撃する、Ａｒ+などのイオン化された原
子を真空中に与えることによって行なわれる。イオン化
された原子は、他の原子および分子をターゲット材料か
ら払い落とす。これらの弾き出された原子および分子は
その後、同様に真空チャンバ中に配置された予め選択さ
れた基板の上に堆積し、こうして基板の表面上に膜を形
成する。
【０００３】弾き出された原子および分子の軌道は、そ
れらが他の粒子と衝突する際の、弾き出された原子およ
び分子の散乱と、衝撃するイオンの入射角とに大きく依
存する。軌道は周知の余弦分布に従う。したがって、基
板表面に向けて方向付けられた原子および分子はさまざ
まな角度から入来し、基板表面に対して実質的に垂直に
入射するのは比較的わずかでしかない。結果として、ス
パッタリングが、半導体ウェハ基板上の高アスペクト比
の段差またはコンタクト内に深い等角の被覆を達成する
ことは困難である。
れらが他の粒子と衝突する際の、弾き出された原子およ
び分子の散乱と、衝撃するイオンの入射角とに大きく依
存する。軌道は周知の余弦分布に従う。したがって、基
板表面に向けて方向付けられた原子および分子はさまざ
まな角度から入来し、基板表面に対して実質的に垂直に
入射するのは比較的わずかでしかない。結果として、ス
パッタリングが、半導体ウェハ基板上の高アスペクト比
の段差またはコンタクト内に深い等角の被覆を達成する
ことは困難である。
【０００４】この欠点を克服するため、コリメータとし
て公知の装置を用いる。参照番号１２で図１（Ａ）に概
略的に表わされたものなどのコリメータは、ターゲット
１０と基板１５との間に置かれる。基板１５は、一般的
に、基板ホルダ１４上に接着されるかまたはクランプ留
めされる。チャンバハウジング１６はポンプアセンブリ
（図示せず）で排気される。コリメータ１２は典型的
に、それを通して設けられる複数の孔または開口２０を
有する円盤形状の物体を含む。コリメータはフィルタと
して効果的に機能し、基板１５に対して垂直方向に入射
する原子および分子１３のみを通過させて基板１５を被
覆するようにする。これにより、コリメータを用いない
場合よりもより等角の堆積が、深いコンタクト内になさ
れる。
て公知の装置を用いる。参照番号１２で図１（Ａ）に概
略的に表わされたものなどのコリメータは、ターゲット
１０と基板１５との間に置かれる。基板１５は、一般的
に、基板ホルダ１４上に接着されるかまたはクランプ留
めされる。チャンバハウジング１６はポンプアセンブリ
（図示せず）で排気される。コリメータ１２は典型的
に、それを通して設けられる複数の孔または開口２０を
有する円盤形状の物体を含む。コリメータはフィルタと
して効果的に機能し、基板１５に対して垂直方向に入射
する原子および分子１３のみを通過させて基板１５を被
覆するようにする。これにより、コリメータを用いない
場合よりもより等角の堆積が、深いコンタクト内になさ
れる。
【０００５】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されたよう
な堆積システムのコリメータ１２の詳細である。コリメ
ータ１２をアスペクト比Ｈ／Ｄで表わすことができる
が、ここでＨはコリメータの奥行きであり、Ｄは孔の直
径である。図１（Ｃ）はコリメータ１２の平面図であ
り、これは複数の孔または開口２０（孔は数個しか図示
せず）からなる。
な堆積システムのコリメータ１２の詳細である。コリメ
ータ１２をアスペクト比Ｈ／Ｄで表わすことができる
が、ここでＨはコリメータの奥行きであり、Ｄは孔の直
径である。図１（Ｃ）はコリメータ１２の平面図であ
り、これは複数の孔または開口２０（孔は数個しか図示
せず）からなる。
【０００６】しかしながら、コリメータは、スパッタリ
ングチャンバ内のその他のあらゆるものと同様に、スパ
ッタリング材料で被覆されてしまう。スパッタリング材
料の蓄積は開口の直径サイズを実質的に小さくしてしま
い、したがって基板上への堆積速度を低減してしまう。
結局、開口を通過できる材料の量が不十分になることが
ある。幸いに、サンドゥら（Sandhu, et al.）に対する
米国特許第５，４０９，５８７号に記載されたような、
蓄積された材料を除去しコリメータを清浄することによ
って所望の態様および堆積速度でスパッタリングが継続
できるように利用可能な技術が存在する。
ングチャンバ内のその他のあらゆるものと同様に、スパ
ッタリング材料で被覆されてしまう。スパッタリング材
料の蓄積は開口の直径サイズを実質的に小さくしてしま
い、したがって基板上への堆積速度を低減してしまう。
結局、開口を通過できる材料の量が不十分になることが
ある。幸いに、サンドゥら（Sandhu, et al.）に対する
米国特許第５，４０９，５８７号に記載されたような、
蓄積された材料を除去しコリメータを清浄することによ
って所望の態様および堆積速度でスパッタリングが継続
できるように利用可能な技術が存在する。
【０００７】入射束を基板表面に対して垂直にすること
においては、コリメータに関わる既存の技術が有効であ
るが、入射束を基板表面に対して傾斜させる（すなわち
傾斜スパッタリング堆積）のに利用可能な方法は存在し
ない。
においては、コリメータに関わる既存の技術が有効であ
るが、入射束を基板表面に対して傾斜させる（すなわち
傾斜スパッタリング堆積）のに利用可能な方法は存在し
ない。
【０００８】実際に、傾斜蒸着法は、既に１９５９年に
スミス〔D.O. Smith, J. Appl. Phys. 30, 264（195
9）〕によっておよび１９５９年にクノールら〔T.G. Kn
orr andR.W. Hoffman, Phys. Rev. 113, 1039（195
9）〕によって報告された。傾斜した入射で蒸着された
膜の形成メカニズム、微細構造、組織構造および異方性
は、スミスら〔D.O. Smith et al., J. Appl. Phys. 3
1, 1355（1960）〕によって調査された。ハラら（Hara
et al.）は、傾斜してＲＦスパッタリングされた鉄およ
びコバルト膜における磁気および光学的異方性を研究し
た〔K. Hara et al.,J. NIMM 116, 441（1992）〕。彼
らは、鉄の膜における磁気異方性は主としてクリスタリ
ットの形状異方性によって生じ、コバルト膜における磁
気異方性は主として磁気結晶異方性から生じていること
を発見した。現在では、傾斜蒸着は、金属記録テープな
どのいくつかの用途を見出している。
スミス〔D.O. Smith, J. Appl. Phys. 30, 264（195
9）〕によっておよび１９５９年にクノールら〔T.G. Kn
orr andR.W. Hoffman, Phys. Rev. 113, 1039（195
9）〕によって報告された。傾斜した入射で蒸着された
膜の形成メカニズム、微細構造、組織構造および異方性
は、スミスら〔D.O. Smith et al., J. Appl. Phys. 3
1, 1355（1960）〕によって調査された。ハラら（Hara
et al.）は、傾斜してＲＦスパッタリングされた鉄およ
びコバルト膜における磁気および光学的異方性を研究し
た〔K. Hara et al.,J. NIMM 116, 441（1992）〕。彼
らは、鉄の膜における磁気異方性は主としてクリスタリ
ットの形状異方性によって生じ、コバルト膜における磁
気異方性は主として磁気結晶異方性から生じていること
を発見した。現在では、傾斜蒸着は、金属記録テープな
どのいくつかの用途を見出している。
【０００９】傾斜蒸着は、傾斜スパッタリング堆積より
も達成がより容易である。この理由は、傾斜蒸着は高真
空または超高真空下で行なわれ、その後に、蒸着された
粒子の方向を大きな中間自由経路によって制御可能であ
るからである。言い換えると、中間自由経路が大きいた
めに散乱があまりない。傾斜スパッタリング堆積は一般
的に、蒸着よりも低い真空である１０-3Ｔｏｒｒの真空
下で行なわれ、したがって、スパッタリングされた粒子
の方向は、より小さな中間自由経路のために制御が困難
である（すなわちより多くの散乱）。このため、傾斜ス
パッタリング堆積が報告されることは殆どない。さらに
は、傾斜スパッタリング堆積を用いることにより、周方
向または径方向に角度をつけられた膜材料のコラムを作
る、円盤状基板全体の上に薄膜を作製するための装置が
存在しない。
も達成がより容易である。この理由は、傾斜蒸着は高真
空または超高真空下で行なわれ、その後に、蒸着された
粒子の方向を大きな中間自由経路によって制御可能であ
るからである。言い換えると、中間自由経路が大きいた
めに散乱があまりない。傾斜スパッタリング堆積は一般
的に、蒸着よりも低い真空である１０-3Ｔｏｒｒの真空
下で行なわれ、したがって、スパッタリングされた粒子
の方向は、より小さな中間自由経路のために制御が困難
である（すなわちより多くの散乱）。このため、傾斜ス
パッタリング堆積が報告されることは殆どない。さらに
は、傾斜スパッタリング堆積を用いることにより、周方
向または径方向に角度をつけられた膜材料のコラムを作
る、円盤状基板全体の上に薄膜を作製するための装置が
存在しない。
【００１０】
【発明の概要】この発明の例示的な実施例は、ターゲッ
トと基板との間に傾斜コリメータを挿入することによる
傾斜スパッタリング堆積によって薄膜を作製するための
装置を提供することにより、以上およびその他の問題を
克服している。またこの発明の例示的な実施例は、入射
源と基板との間に傾斜コリメータを挿入することによる
傾斜堆積によって薄膜を作製するための装置も提供して
いる。本明細書中に記載の傾斜コリメータは、角度をつ
けられたコラム構造によりおよびいくつかの実施例では
調節可能な角度で薄膜を作製するのを可能にする。
トと基板との間に傾斜コリメータを挿入することによる
傾斜スパッタリング堆積によって薄膜を作製するための
装置を提供することにより、以上およびその他の問題を
克服している。またこの発明の例示的な実施例は、入射
源と基板との間に傾斜コリメータを挿入することによる
傾斜堆積によって薄膜を作製するための装置も提供して
いる。本明細書中に記載の傾斜コリメータは、角度をつ
けられたコラム構造によりおよびいくつかの実施例では
調節可能な角度で薄膜を作製するのを可能にする。
【００１１】この発明は、基板の表面に膜を堆積するた
めの装置を含む。装置は、基板表面の全般的方向に入射
する膜材料を分散するための膜材料源を有することがで
きる。装置は、膜材料源と基板との間にコリメータを有
することができる。コリメータは、基板表面に対して斜
めに角度を付けられる通路をその中に有することがで
き、それにより、通路の傾斜角と実質的に平行ではない
軌道で基板に向けて移動する入射膜材料はブロックされ
る。
めの装置を含む。装置は、基板表面の全般的方向に入射
する膜材料を分散するための膜材料源を有することがで
きる。装置は、膜材料源と基板との間にコリメータを有
することができる。コリメータは、基板表面に対して斜
めに角度を付けられる通路をその中に有することがで
き、それにより、通路の傾斜角と実質的に平行ではない
軌道で基板に向けて移動する入射膜材料はブロックされ
る。
【００１２】さまざまな図面に図示される好ましい実施
例の以下の詳細な説明を読むと、当業者には、この発明
に従う装置のこれらおよびその他の目的および利点が明
らかになるであろう。
例の以下の詳細な説明を読むと、当業者には、この発明
に従う装置のこれらおよびその他の目的および利点が明
らかになるであろう。
【００１３】この発明の方法および装置のより完全な理
解は、添付の図面と関連して以下の詳細な説明を参照す
ることによって得られるであろう。
解は、添付の図面と関連して以下の詳細な説明を参照す
ることによって得られるであろう。
【００１４】
【この発明の好ましい例示的な実施例の詳細な説明】こ
の発明を詳細に説明する前に、この発明は本明細書中に
示されかつ説明される例示的な実施例に限られるもので
はないことを理解されたい。
の発明を詳細に説明する前に、この発明は本明細書中に
示されかつ説明される例示的な実施例に限られるもので
はないことを理解されたい。
【００１５】この発明に従う装置の第１の実施例の断面
図が図２（Ａ）に図示される。図１（Ａ）と図２（Ａ）
との違いは、図２（Ａ）では、垂直方向のコリメータで
はなく傾斜コリメータ１２′が示されていることであ
る。図２（Ｃ）はコリメータ１２′の三次元図であり、
これは複数の矩形シート１７′に及ぶ支持体１８′から
なる。コリメータ１２′は、金属もしくはその他の導体
材料、絶縁材料または半導体材料から作ることができ
る。所望の通路サイズを達成するため、シート１７′の
数は異なり得る。
図が図２（Ａ）に図示される。図１（Ａ）と図２（Ａ）
との違いは、図２（Ａ）では、垂直方向のコリメータで
はなく傾斜コリメータ１２′が示されていることであ
る。図２（Ｃ）はコリメータ１２′の三次元図であり、
これは複数の矩形シート１７′に及ぶ支持体１８′から
なる。コリメータ１２′は、金属もしくはその他の導体
材料、絶縁材料または半導体材料から作ることができ
る。所望の通路サイズを達成するため、シート１７′の
数は異なり得る。
【００１６】図２（Ｂ）はコリメータ１２′の端面図で
ある。コリメータはそのアスペクト比Ｄ／Ｌおよび傾斜
角φで表わすことができるが、ここでＤは２つの隣り合
うシート１７′間の距離であり、Ｌはシート１７′の幅
（すなわちコリメータの奥行き）であり、φはシート１
７′と支持体１８′との間の角度である。図２（Ａ）に
示されるように、角度付コリメータ１２′は基板１５′
とターゲット１０′との間に置かれる。シート１７′に
対してほぼ平行な傾斜入射方向を備える粒子１３′のみ
がコリメータ１２′を通過し、最終的に基板１５′上に
堆積することができる。他の方向に移動する粒子はコリ
メータ１２′でフィルタされる。堆積された薄膜は、角
度を付けられたコラム構造を有するであろう。この角度
は、セルフシャドーイング効果のためにシート１７′の
角度φよりも大きい。この角度付コラム構造により、膜
の特性のマクロな異方性がもたらされる。結果的にでき
る堆積膜が均一な厚みおよび均一な傾斜構造を確実に有
するようにするには、コリメータにわたってアスペクト
比が均一であることがしばしば望ましい。
ある。コリメータはそのアスペクト比Ｄ／Ｌおよび傾斜
角φで表わすことができるが、ここでＤは２つの隣り合
うシート１７′間の距離であり、Ｌはシート１７′の幅
（すなわちコリメータの奥行き）であり、φはシート１
７′と支持体１８′との間の角度である。図２（Ａ）に
示されるように、角度付コリメータ１２′は基板１５′
とターゲット１０′との間に置かれる。シート１７′に
対してほぼ平行な傾斜入射方向を備える粒子１３′のみ
がコリメータ１２′を通過し、最終的に基板１５′上に
堆積することができる。他の方向に移動する粒子はコリ
メータ１２′でフィルタされる。堆積された薄膜は、角
度を付けられたコラム構造を有するであろう。この角度
は、セルフシャドーイング効果のためにシート１７′の
角度φよりも大きい。この角度付コラム構造により、膜
の特性のマクロな異方性がもたらされる。結果的にでき
る堆積膜が均一な厚みおよび均一な傾斜構造を確実に有
するようにするには、コリメータにわたってアスペクト
比が均一であることがしばしば望ましい。
【００１７】傾斜コリメータの第２の実施例が図３
（Ａ）に図示される。コリメータは円形状の支持体１
８″および複数の不等辺四辺形状のシート１７″から作
られる。シート１７″は、導体、絶縁体または半導体材
料から作ることができる。この円形状コリメータは円盤
状の基板のために特に設計される。シート１７″は周方
向に角度を付けられる。
（Ａ）に図示される。コリメータは円形状の支持体１
８″および複数の不等辺四辺形状のシート１７″から作
られる。シート１７″は、導体、絶縁体または半導体材
料から作ることができる。この円形状コリメータは円盤
状の基板のために特に設計される。シート１７″は周方
向に角度を付けられる。
【００１８】図３（Ｂ）は、シート１７″の幅が、コリ
メータの外径に対応するその外側端に向けて増加するも
のである。この設計により、コリメータのアスペクト比
がどこでも同じであることが確実になり、厚みの望まし
い均一性および均一な傾斜効果が結果的に生じる。この
コリメータを図２（Ａ）と同様のスパッタリングシステ
ムの中の基板とターゲットとの間に置くと、円盤状基板
の上にできる薄膜は、図４に示されるように、角度付き
のコラム構造を有するであろう。コラムは、円盤状基板
の基板表面に対して周方向に角度をなす。薄膜のこの角
度付構造はハードドライブディスク媒体に有利である。
なぜなら、コラムに沿った異方性軸の角度付けにより、
効果的な磁気ヘッドフィールドの向上がもたらされ、そ
の結果、媒体の望ましい読出／書込性能が生じる。
メータの外径に対応するその外側端に向けて増加するも
のである。この設計により、コリメータのアスペクト比
がどこでも同じであることが確実になり、厚みの望まし
い均一性および均一な傾斜効果が結果的に生じる。この
コリメータを図２（Ａ）と同様のスパッタリングシステ
ムの中の基板とターゲットとの間に置くと、円盤状基板
の上にできる薄膜は、図４に示されるように、角度付き
のコラム構造を有するであろう。コラムは、円盤状基板
の基板表面に対して周方向に角度をなす。薄膜のこの角
度付構造はハードドライブディスク媒体に有利である。
なぜなら、コラムに沿った異方性軸の角度付けにより、
効果的な磁気ヘッドフィールドの向上がもたらされ、そ
の結果、媒体の望ましい読出／書込性能が生じる。
【００１９】さらに、円盤状基板の径方向に角度をなす
コラムは、図５に見られるような別の角度付コリメータ
を用いることによっても得ることができる。このコリメ
ータは、周方向ではなく径方向に角度を付けられた複数
のシート１７″から作られる。
コラムは、図５に見られるような別の角度付コリメータ
を用いることによっても得ることができる。このコリメ
ータは、周方向ではなく径方向に角度を付けられた複数
のシート１７″から作られる。
【００２０】上記実施例では、シート１７′および１
７″をそれぞれ支持体１８′および１８″上に固定する
ことができる。シート１７′および１７″の基板表面に
対する角度は、シートと構造体との間の点または接合部
にねじなどの調節手段を設けることにより約０から約９
０°に調節可能である。調節手段を設けることにより、
結果的にできる薄膜コラムの角度はこれに対応して変化
し得る。所望の通路を設けるためにシート１７′および
１７″が必ずしも平面である必要はなく、むしろ、たと
えば、基板表面に対して斜めに角度を付けられた複数の
管状構造などの多くの他の構成であり得ることが当業者
には認められるであろう。
７″をそれぞれ支持体１８′および１８″上に固定する
ことができる。シート１７′および１７″の基板表面に
対する角度は、シートと構造体との間の点または接合部
にねじなどの調節手段を設けることにより約０から約９
０°に調節可能である。調節手段を設けることにより、
結果的にできる薄膜コラムの角度はこれに対応して変化
し得る。所望の通路を設けるためにシート１７′および
１７″が必ずしも平面である必要はなく、むしろ、たと
えば、基板表面に対して斜めに角度を付けられた複数の
管状構造などの多くの他の構成であり得ることが当業者
には認められるであろう。
【００２１】この発明に従う上記実施例におけるコリメ
ータの場合、粒子がコリメータを通過する際には、それ
らはシート１７′または１７″と平行な方向に「自由」
である。粒子をさらに限定してよりコリメートされた入
射粒子束を達成するために、さらなるシートを設けるこ
とができる。図６（Ａ）を参照して、シート１７′に対
して垂直のさらなるシート１９′を矩形のコリメータに
設けることができる。同様に、図６（Ｂ）に見られるよ
うに、円形コリメータの中のスパンシート１７″にさら
なるシート１９″を設けることができる。
ータの場合、粒子がコリメータを通過する際には、それ
らはシート１７′または１７″と平行な方向に「自由」
である。粒子をさらに限定してよりコリメートされた入
射粒子束を達成するために、さらなるシートを設けるこ
とができる。図６（Ａ）を参照して、シート１７′に対
して垂直のさらなるシート１９′を矩形のコリメータに
設けることができる。同様に、図６（Ｂ）に見られるよ
うに、円形コリメータの中のスパンシート１７″にさら
なるシート１９″を設けることができる。
【００２２】すべての上記実施例については、スパッタ
リング堆積で傾斜コリメータを用いている。この傾斜コ
リメータを他の薄膜堆積法でも用いて、基板と膜材料の
入射束との間にこの傾斜コリメータを置くことによって
傾斜堆積を行なうことができる。この発明のコリメータ
を使用可能な別のタイプの膜堆積法の例が蒸着であり、
これによると、コリメータが蒸着媒体と基板との間に置
かれ、蒸着媒体が蒸発されてその粒子を分散し、基板に
向けて入射する。
リング堆積で傾斜コリメータを用いている。この傾斜コ
リメータを他の薄膜堆積法でも用いて、基板と膜材料の
入射束との間にこの傾斜コリメータを置くことによって
傾斜堆積を行なうことができる。この発明のコリメータ
を使用可能な別のタイプの膜堆積法の例が蒸着であり、
これによると、コリメータが蒸着媒体と基板との間に置
かれ、蒸着媒体が蒸発されてその粒子を分散し、基板に
向けて入射する。
【００２３】この発明は現在好ましい実施例の観点で説
明されたが、そのような開示を限定的なものとして解釈
すべきではないことを理解されたい。上記開示を読む
と、当業者にはさまざまな変更例および修正例が明らか
になることが確かであろう。したがって、添付の請求項
は、この発明の真の精神および範囲内に入るものとして
すべての変更例および修正例を含むものと解釈されるべ
きことが意図される。
明されたが、そのような開示を限定的なものとして解釈
すべきではないことを理解されたい。上記開示を読む
と、当業者にはさまざまな変更例および修正例が明らか
になることが確かであろう。したがって、添付の請求項
は、この発明の真の精神および範囲内に入るものとして
すべての変更例および修正例を含むものと解釈されるべ
きことが意図される。
【図１】 （Ａ）−（Ｃ）は、使用中および詳細な垂直
コリメータの概略図である。
コリメータの概略図である。
【図２】 （Ａ）−（Ｃ）は、使用中および詳細な、こ
の発明に従う装置の第１の実施例の概略図である。
の発明に従う装置の第１の実施例の概略図である。
【図３】 （Ａ）−（Ｂ）は、この発明に従う装置の第
２の実施例の概略図である。
２の実施例の概略図である。
【図４】 この発明に従う傾斜コリメータを用いること
によって達成される、円形形状の基板上の膜のコラム構
造の概略図である。
によって達成される、円形形状の基板上の膜のコラム構
造の概略図である。
【図５】 この発明に従う装置の第３の実施例の概略図
である。
である。
【図６】 （Ａ）−（Ｂ）は、図２および図３に示され
たような改良されたコリメータの概略図である。
たような改良されたコリメータの概略図である。
１２′ 傾斜コリメータ、１７′ シート、１８′ 支
持体。
持体。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ジェン−ピン・ワン
シンガポール、680406 チョア・チュー・
カン、アベニュ・３、ブロック・406、ナ
ンバー・04−273
(72)発明者 ジェンジョン・シー
シンガポール、120306 クレメンティ、ア
ベニュ・４、ブロック・306、ナンバー・
11−441
Ｆターム(参考） 4K029 CA01 CA05 DC00
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の表面に膜を堆積するための装置で
あって、 基板表面の全般的方向に入射する膜材料を分散するため
の膜材料源と、 膜材料源と基板との間の少なくとも１つのコリメータと
を含み、少なくとも１つのコリメータはその中に通路を
有し、通路は基板表面に対して斜めに角度を付けられ、
それにより、通路の傾斜角と実質的に平行ではない軌道
で基板に向けて移動する入射膜材料はブロックされる、
装置。 - 【請求項２】 基板は円形のプロファイルを有し、 コリメータの通路は、円形にプロファイルを付けられた
基板の周方向に角度を付けられる、請求項１に記載の装
置。 - 【請求項３】 基板は円形のプロファイルを有し、 コリメータの通路は、円形にプロファイルを付けられた
基板の径方向に角度を付けられる、請求項１に記載の装
置。 - 【請求項４】 通路の高さ対通路の奥行きの比は、コリ
メータにわたって実質的に均一である、請求項１に記載
の装置。 - 【請求項５】 コリメータのシートの基板表面に対する
通路の角度は、約０から約９０°に変化し得る、請求項
２に記載の装置。 - 【請求項６】 膜材料源は膜材料から作られるターゲッ
トであり、粒子はスパッタリング法でターゲット材料か
ら弾き出される、請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】 膜材料源は膜材料から作られる蒸着媒体
であり、粒子は蒸着技術で蒸着媒体から分散される、請
求項１に記載の装置。 - 【請求項８】 コリメータは、電気的にフローティング
であるか、接地されているかまたはバイアスしている可
能性がある、請求項１に記載の装置。 - 【請求項９】 コリメータは、導体材料、絶縁体材料ま
たは半導体材料からなる群から選択された材料を含む、
請求項１に記載の装置。 - 【請求項１０】 コリメータは、 支持体構造と、 支持体構造によって相対的な関係に保持されかつその間
に通路を形成する複数のシートとを含む、請求項１に記
載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| SG200104507A SG126681A1 (en) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | Oblique deposition apparatus |
| SG200104507-9 | 2001-07-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003049266A true JP2003049266A (ja) | 2003-02-21 |
Family
ID=20430805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001364277A Pending JP2003049266A (ja) | 2001-07-25 | 2001-11-29 | 基板の表面に膜を堆積するための装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6730197B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003049266A (ja) |
| SG (1) | SG126681A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20050067272A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-31 | Seagate Technology Llc | System method and collimator for oblique deposition |
| US20050066897A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-31 | Seagate Technology Llc | System, method and aperture for oblique deposition |
| WO2005041172A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-05-06 | Seagate Technology Llc | System, method and collimator for oblique deposition |
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2001
- 2001-07-25 SG SG200104507A patent/SG126681A1/en unknown
- 2001-11-29 JP JP2001364277A patent/JP2003049266A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-14 US US10/099,701 patent/US6730197B2/en not_active Expired - Fee Related
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060214 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060510 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060704 |