JP2003048073A - 平面型半導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型半導体装置の製造方法 - Google Patents
平面型半導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な溶接が行なえる平面型半導体装置の生
産装置およびその生産装置を用いた平面型半導体装置の
製造方法を提供する。 【解決手段】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタ３を、パラレルギャップ溶接で平面型
半導体素子５の外部出力電極４に電気的に接続する平面
型半導体装置の生産装置において、溶接される平面型半
導体素子５を載せる溶接支持台６を、ステンレスを主成
分とする材料により構成した。
産装置およびその生産装置を用いた平面型半導体装置の
製造方法を提供する。 【解決手段】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタ３を、パラレルギャップ溶接で平面型
半導体素子５の外部出力電極４に電気的に接続する平面
型半導体装置の生産装置において、溶接される平面型半
導体素子５を載せる溶接支持台６を、ステンレスを主成
分とする材料により構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面型半導体素子
にインターコネクタを溶接する平面型半導体装置の生産
装置およびその製造方法に関するものである。
にインターコネクタを溶接する平面型半導体装置の生産
装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の平面型半導体素子の出力を取出す
ためのインターコネクタを、パラレルギャップ溶接法で
接続する平面型半導体装置の生産装置およびその製造方
法の一例を、図１２および図１３を用いて説明する。溶
接支持台１０６に平面型半導体素子１０５を載せて固定
し、平面型半導体素子１０５の電極１０４上にインター
コネクタ１０３を置き、溶接電極１０１，１０２を当て
る。溶接電極１０１，１０２に荷重を加え、溶接電極１
０１，１０２間に電流を流す。このとき発生する抵抗熱
により溶接する。また、インターコネクタ１０３幅に合
せ、溶接電極１０１，１０２を移動させて繰返し溶接す
る。
ためのインターコネクタを、パラレルギャップ溶接法で
接続する平面型半導体装置の生産装置およびその製造方
法の一例を、図１２および図１３を用いて説明する。溶
接支持台１０６に平面型半導体素子１０５を載せて固定
し、平面型半導体素子１０５の電極１０４上にインター
コネクタ１０３を置き、溶接電極１０１，１０２を当て
る。溶接電極１０１，１０２に荷重を加え、溶接電極１
０１，１０２間に電流を流す。このとき発生する抵抗熱
により溶接する。また、インターコネクタ１０３幅に合
せ、溶接電極１０１，１０２を移動させて繰返し溶接す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術による生
産装置は、平面型半導体素子１０５を載せる溶接支持台
１０６の材質に、一般的にアルミニウムが使われてい
る。これは、加工しやすく、安価であるためである。し
かしながら、アルミニウムは、熱伝導率が非常に高い。
そのため、溶接支持台１０６として使用すると、溶接さ
せるために発生する熱が溶接支持台１０６を通して逃げ
てしまう。その結果、十分な溶接ができず溶接強度が低
下してしまうという問題がある。
産装置は、平面型半導体素子１０５を載せる溶接支持台
１０６の材質に、一般的にアルミニウムが使われてい
る。これは、加工しやすく、安価であるためである。し
かしながら、アルミニウムは、熱伝導率が非常に高い。
そのため、溶接支持台１０６として使用すると、溶接さ
せるために発生する熱が溶接支持台１０６を通して逃げ
てしまう。その結果、十分な溶接ができず溶接強度が低
下してしまうという問題がある。
【０００４】また、従来技術による平面型半導体装置の
生産装置は、１つのインターコネクタ１０３について溶
接位置が複数箇所ある場合、繰返し溶接するため、溶接
電極１０１，１０２、インターコネクタ１０３の溶接支
持台１０６の温度が、溶接１回個所目から２箇所目、３
箇所目と順に上がっていき安定しない。それに加えて、
溶接位置により、溶接時の熱の逃げ方も違う。これらの
温度の違いにより、部分的に十分な溶接ができず、溶接
強度が下がってしまうという問題がある。同様に、溶接
作業を連続して２回以上行なう場合においても、溶接電
極１０１，１０２や溶接支持台１０６の温度が、溶接作
業１回目から順に上がっていき安定しない。
生産装置は、１つのインターコネクタ１０３について溶
接位置が複数箇所ある場合、繰返し溶接するため、溶接
電極１０１，１０２、インターコネクタ１０３の溶接支
持台１０６の温度が、溶接１回個所目から２箇所目、３
箇所目と順に上がっていき安定しない。それに加えて、
溶接位置により、溶接時の熱の逃げ方も違う。これらの
温度の違いにより、部分的に十分な溶接ができず、溶接
強度が下がってしまうという問題がある。同様に、溶接
作業を連続して２回以上行なう場合においても、溶接電
極１０１，１０２や溶接支持台１０６の温度が、溶接作
業１回目から順に上がっていき安定しない。
【０００５】さらに、従来技術による平面型半導体装置
の生産装置においては、溶接電極１０１，１０２間に電
流を流し、抵抗熱を発生させて溶接しているが、このと
き、溶接電極１０１，１０２は、赤熱して高温になり、
空気中の酸素と反応して酸化される。それを少しでも防
ぐため、溶接電極１０１，１０２に窒素ガスをノズルで
ブローしている（図１２参照）。しかしながら、ブロー
だけでは十分な効果が得られない。酸化が進むと溶接電
極１０１，１０２は、抵抗が高くなり寿命が来てしまい
使えなくなる。この寿命を延ばすことがコスト上の課題
となっている。
の生産装置においては、溶接電極１０１，１０２間に電
流を流し、抵抗熱を発生させて溶接しているが、このと
き、溶接電極１０１，１０２は、赤熱して高温になり、
空気中の酸素と反応して酸化される。それを少しでも防
ぐため、溶接電極１０１，１０２に窒素ガスをノズルで
ブローしている（図１２参照）。しかしながら、ブロー
だけでは十分な効果が得られない。酸化が進むと溶接電
極１０１，１０２は、抵抗が高くなり寿命が来てしまい
使えなくなる。この寿命を延ばすことがコスト上の課題
となっている。
【０００６】本発明は上述の問題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、良好な溶接が行なえる平面型半導
体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型半
導体装置の製造方法を提供することである。
であり、その目的は、良好な溶接が行なえる平面型半導
体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型半
導体装置の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の平面型半導体装
置の生産装置は、平面型半導体素子の出力を取出すため
のインターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型
半導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半
導体装置の生産装置において、溶接される平面型半導体
素子を載せる溶接支持台を、ステンレスを主成分とする
材料により構成したことを特徴とする。
置の生産装置は、平面型半導体素子の出力を取出すため
のインターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型
半導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半
導体装置の生産装置において、溶接される平面型半導体
素子を載せる溶接支持台を、ステンレスを主成分とする
材料により構成したことを特徴とする。
【０００８】このような平面型半導体装置の生産装置に
よれば、ステンレスを主成分とする溶接支持台を用いる
ことにより、一般的に使用されているアルミニウム製溶
接支持台よりも、熱伝導率が低くなり、溶接させるため
に発生する熱が支持台を通して逃げず良好な溶接が可能
となる。
よれば、ステンレスを主成分とする溶接支持台を用いる
ことにより、一般的に使用されているアルミニウム製溶
接支持台よりも、熱伝導率が低くなり、溶接させるため
に発生する熱が支持台を通して逃げず良好な溶接が可能
となる。
【０００９】本発明の平面型半導体装置の生産装置は、
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の生産装
置において、溶接される平面型半導体素子を載せる溶接
支持台を、セラミックスを主成分とする材料により構成
にしたことを特徴とする。
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の生産装
置において、溶接される平面型半導体素子を載せる溶接
支持台を、セラミックスを主成分とする材料により構成
にしたことを特徴とする。
【００１０】このような平面型半導体装置の生産装置に
よれば、セラミックスを主成分とする溶接支持台を用い
ることにより、一般的に使用されているアルミニウム製
溶接支持台よりも熱伝導率が低くなり溶接させるために
発生する熱が支持台を通して逃げず良好な溶接ができる
とともに、セラミックスはステンレスよりもさらに熱伝
導率が低いためステンレスよりも性能が高い装置とする
ことができる。
よれば、セラミックスを主成分とする溶接支持台を用い
ることにより、一般的に使用されているアルミニウム製
溶接支持台よりも熱伝導率が低くなり溶接させるために
発生する熱が支持台を通して逃げず良好な溶接ができる
とともに、セラミックスはステンレスよりもさらに熱伝
導率が低いためステンレスよりも性能が高い装置とする
ことができる。
【００１１】本発明の平面型半導体装置の生産装置は、
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の生産装
置において、溶接される平面型半導体素子を載せる溶接
支持台の温度を制御する溶接支持台温度制御機構を設け
たことを特徴とする。
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の生産装
置において、溶接される平面型半導体素子を載せる溶接
支持台の温度を制御する溶接支持台温度制御機構を設け
たことを特徴とする。
【００１２】このような平面型半導体装置の生産装置に
よれば、溶接支持台の温度を制御することにより、予め
溶接支持台に熱を持たせておくことにより、溶接させる
ために発生する熱が、支持台に奪われず良好な溶接が可
能となる。
よれば、溶接支持台の温度を制御することにより、予め
溶接支持台に熱を持たせておくことにより、溶接させる
ために発生する熱が、支持台に奪われず良好な溶接が可
能となる。
【００１３】本発明の平面型半導体装置の生産装置は、
より好ましくは、前述の平面型半導体装置の生産装置に
おいて、溶接支持台の溶接される平面型半導体素子を載
せる面の面積を、平面型半導体素子の溶接支持台へ載せ
られる面の面積以下にすることを特徴とする。
より好ましくは、前述の平面型半導体装置の生産装置に
おいて、溶接支持台の溶接される平面型半導体素子を載
せる面の面積を、平面型半導体素子の溶接支持台へ載せ
られる面の面積以下にすることを特徴とする。
【００１４】このような平面型半導体装置の生産装置に
よれば、溶接させるために発生させた熱のうち溶接支持
台に奪われる量が減り、良好な溶接が可能となる。
よれば、溶接させるために発生させた熱のうち溶接支持
台に奪われる量が減り、良好な溶接が可能となる。
【００１５】本発明の平面型半導体装置の生産装置は、
前述の平面型半導体装置の生産装置において、溶接支持
台の厚さが３ｍｍ以下であることを特徴する。
前述の平面型半導体装置の生産装置において、溶接支持
台の厚さが３ｍｍ以下であることを特徴する。
【００１６】このような平面型半導体装置の生産装置に
よれば、厚さを構造上できるだけ薄くした溶接支持台を
使用することにより、できるかぎり熱容量を小さくする
ことができ、溶接させるために発生させた熱のうち溶接
支持台に奪われる熱量が減り、良好な溶接が可能とな
る。
よれば、厚さを構造上できるだけ薄くした溶接支持台を
使用することにより、できるかぎり熱容量を小さくする
ことができ、溶接させるために発生させた熱のうち溶接
支持台に奪われる熱量が減り、良好な溶接が可能とな
る。
【００１７】本発明の平面型半導体装置の製造方法は、
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、
１つのインターコネクタ内で溶接位置が２ヵ所以上ある
場合に、溶接位置それぞれに溶接パワーの設定をするこ
とを特徴とする。
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、
１つのインターコネクタ内で溶接位置が２ヵ所以上ある
場合に、溶接位置それぞれに溶接パワーの設定をするこ
とを特徴とする。
【００１８】このような平面型半導体装置の製造方法に
よれば、溶接位置それぞれに溶接パワーの設定をするこ
とにより、溶接位置で溶接強度の低かった位置のパワー
を上げて、過剰なパワーのかかっていた位置のパワーを
下げることができるようになり、良好な溶接が可能とな
る。
よれば、溶接位置それぞれに溶接パワーの設定をするこ
とにより、溶接位置で溶接強度の低かった位置のパワー
を上げて、過剰なパワーのかかっていた位置のパワーを
下げることができるようになり、良好な溶接が可能とな
る。
【００１９】本発明の平面型半導体装置の製造方法は、
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、
溶接作業を連続して２回以上行なう場合に、予め溶接作
業それぞれ毎に溶接パワーの設定をすることを特徴とす
る。
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、
溶接作業を連続して２回以上行なう場合に、予め溶接作
業それぞれ毎に溶接パワーの設定をすることを特徴とす
る。
【００２０】このような平面型半導体装置の製造方法に
よれば、予め溶接作業それぞれに溶接パワーを設定する
ことにより、１回目は溶接電極や溶接支持台の温度が低
いので溶接パワーを高めに設定し、２回目はそれよりも
低くし、３回目以降についても溶接温度が安定するよう
に、適切な設定ができるようになることにより、良好な
溶接が可能となる。
よれば、予め溶接作業それぞれに溶接パワーを設定する
ことにより、１回目は溶接電極や溶接支持台の温度が低
いので溶接パワーを高めに設定し、２回目はそれよりも
低くし、３回目以降についても溶接温度が安定するよう
に、適切な設定ができるようになることにより、良好な
溶接が可能となる。
【００２１】本発明の平面型半導体装置の製造方法は、
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、
少なくとも溶接電極のまわりを、溶接電極の酸化を抑制
するガスの雰囲気にして溶接することを特徴とする。
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、
少なくとも溶接電極のまわりを、溶接電極の酸化を抑制
するガスの雰囲気にして溶接することを特徴とする。
【００２２】このような平面型半導体装置の製造方法に
よれば、溶接電極のまわりを窒素ガスの雰囲気にして溶
接することにより、溶接時に溶接電極が赤熱して酸化す
ることがなくなるため、溶接電極の寿命を延ばすことが
できる。
よれば、溶接電極のまわりを窒素ガスの雰囲気にして溶
接することにより、溶接時に溶接電極が赤熱して酸化す
ることがなくなるため、溶接電極の寿命を延ばすことが
できる。
【００２３】本発明の平面型半導体装置の製造方法は、
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で接続する際に、
少なくとも溶接電極のまわりを真空状態にして溶接する
ことを特徴とする。
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、パラレルギャップ溶接法で接続する際に、
少なくとも溶接電極のまわりを真空状態にして溶接する
ことを特徴とする。
【００２４】このような平面型半導体装置の製造方法に
よれば、溶接電極の少なくとも溶接電極まわりを真空状
態にして溶接することにより、溶接時に溶接電極が赤熱
されて酸化することが抑制されるため、溶接電極の寿命
を延ばすことができる。
よれば、溶接電極の少なくとも溶接電極まわりを真空状
態にして溶接することにより、溶接時に溶接電極が赤熱
されて酸化することが抑制されるため、溶接電極の寿命
を延ばすことができる。
【００２５】本発明の平面型半導体装置の製造方法は、
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、溶接される平面型半導体素子を載せる溶接
支持台をステンレスを主成分とする材料またはセラミッ
クスを主成分とする材料により構成し、ステンレスを主
成分とする溶接支持台またはセラミックスを主成分とす
る溶接支持台を、溶接支持台温度制御機構を用いて温度
制御し、かつ、溶接作業および溶接位置の少なくともい
ずれか一方ごとに溶接パワーを設定することを特徴とす
る。
平面型半導体素子の出力を取出すためのインターコネク
タを、パラレルギャップ溶接で平面型半導体素子の外部
出力電極に電気的に接続する平面型半導体装置の製造方
法において、溶接される平面型半導体素子を載せる溶接
支持台をステンレスを主成分とする材料またはセラミッ
クスを主成分とする材料により構成し、ステンレスを主
成分とする溶接支持台またはセラミックスを主成分とす
る溶接支持台を、溶接支持台温度制御機構を用いて温度
制御し、かつ、溶接作業および溶接位置の少なくともい
ずれか一方ごとに溶接パワーを設定することを特徴とす
る。
【００２６】このうような平面型半導体装置の製造方法
によれば、溶接支持台が温度制御されて、溶接するため
に発生する熱が溶接支持台を通して逃げず、かつ、溶接
位置および溶接作業のうち少なくともいずれか一方に合
った適切な溶接パワーで溶接できるようになり、良好な
溶接が可能となる。
によれば、溶接支持台が温度制御されて、溶接するため
に発生する熱が溶接支持台を通して逃げず、かつ、溶接
位置および溶接作業のうち少なくともいずれか一方に合
った適切な溶接パワーで溶接できるようになり、良好な
溶接が可能となる。
【００２７】本発明の平面型半導体装置の生産装置また
は平面型半導体装置の製造方法は、前述の平面型半導体
装置の生産装置、または、前述の平面型半導体装置の製
造方法において、溶接電極が、タングステンを主成分と
する電極と銅を主成分とする電極とから構成されること
を特徴とする。
は平面型半導体装置の製造方法は、前述の平面型半導体
装置の生産装置、または、前述の平面型半導体装置の製
造方法において、溶接電極が、タングステンを主成分と
する電極と銅を主成分とする電極とから構成されること
を特徴とする。
【００２８】このように、パラレルギャップ溶接法で使
用する電極にタングステン（Ｗ）を主成分とする電極と
銅（Ｃｕ）を主成分とする電極とを使用することによ
り、前述した良好な溶接を行なうことができるという効
果をより顕著に発揮することができる。
用する電極にタングステン（Ｗ）を主成分とする電極と
銅（Ｃｕ）を主成分とする電極とを使用することによ
り、前述した良好な溶接を行なうことができるという効
果をより顕著に発揮することができる。
【００２９】本発明の平面型半導体装置の生産装置また
は平面型半導体装置の製造方法は、前述の平面型半導体
装置の生産装置、または、前述の平面型半導体装置の製
造方法において、インターコネクタがスリットを有する
櫛形であることを特徴とする。このように、インターコ
ネクタをスリットを有する櫛形にすることにより、前述
した良好な溶接を行なうことができるという効果をより
顕著に発揮することができる。
は平面型半導体装置の製造方法は、前述の平面型半導体
装置の生産装置、または、前述の平面型半導体装置の製
造方法において、インターコネクタがスリットを有する
櫛形であることを特徴とする。このように、インターコ
ネクタをスリットを有する櫛形にすることにより、前述
した良好な溶接を行なうことができるという効果をより
顕著に発揮することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）実施の形態１の
平面型半導体装置の生産装置およびその生産装置を用い
た平面型半導体装置の製造方法を、図１および図２を用
いて説明する。本実施の形態のでは、図１および図２に
示すように、ステンレス製またはセラミックス製の溶接
支持台６に平面型半導体素子５が載せられて固定され、
平面型半導体素子５の電極４上に出力を取出すためのイ
ンターコネクタ３が置かれている。そして、パラレルギ
ャップ溶接法に用いる溶接機器の溶接電極１，２をイン
ターコネクタ３に当てる。次に、溶接電極１，２に荷重
を加え、溶接電極１，２間に電流を流すことにより、発
生する抵抗熱を用いて溶接する。
平面型半導体装置の生産装置およびその生産装置を用い
た平面型半導体装置の製造方法を、図１および図２を用
いて説明する。本実施の形態のでは、図１および図２に
示すように、ステンレス製またはセラミックス製の溶接
支持台６に平面型半導体素子５が載せられて固定され、
平面型半導体素子５の電極４上に出力を取出すためのイ
ンターコネクタ３が置かれている。そして、パラレルギ
ャップ溶接法に用いる溶接機器の溶接電極１，２をイン
ターコネクタ３に当てる。次に、溶接電極１，２に荷重
を加え、溶接電極１，２間に電流を流すことにより、発
生する抵抗熱を用いて溶接する。
【００３１】本実施の形態では、溶接支持台６をステン
レス製またはセラミックス製にすることにより、表１に
示すように、アルミニウムの支持台に比較して、ステン
レス製の溶接支持台６は１桁、セラミックス製の支持台
６は２桁熱伝導率が低いため、溶接で発生した熱が溶接
支持台６を通して逃げることが抑制され、インターコネ
クタ３を平面型半導体素子５に良好に溶接することがで
きる。
レス製またはセラミックス製にすることにより、表１に
示すように、アルミニウムの支持台に比較して、ステン
レス製の溶接支持台６は１桁、セラミックス製の支持台
６は２桁熱伝導率が低いため、溶接で発生した熱が溶接
支持台６を通して逃げることが抑制され、インターコネ
クタ３を平面型半導体素子５に良好に溶接することがで
きる。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１から分かるように、熱伝導率は、アル
ミニウム、ステンレス、セラミックスの順に低くなり、
溶接熱は、この順に支持台を通して逃げ難くなる。
ミニウム、ステンレス、セラミックスの順に低くなり、
溶接熱は、この順に支持台を通して逃げ難くなる。
【００３４】なお、ステンレス製やセラミックス製にす
ることにより、アルミニウムに比べ加工コストの面で若
干は劣る場合もあるが、製品の歩留りが大幅に向上し高
信頼性となるので実質上の利益はある。
ることにより、アルミニウムに比べ加工コストの面で若
干は劣る場合もあるが、製品の歩留りが大幅に向上し高
信頼性となるので実質上の利益はある。
【００３５】（実施の形態２）実施の形態２の平面型半
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型
半導体装置の製造方法を、図３を用いて説明する。本実
施の形態では、温度制御機能を有する温度制御装置７の
付いた溶接支持台６に平面型半導体素子５が載せられて
固定され、平面型半導体素子５の電極４上に出力を取出
すためのインターコネクタ３が置かれている。そして、
パラレルギャップ溶接法に用いる溶接機器の溶接電極
１，２をインターコネクタ３に当てる。次に、溶接電極
１，２に荷重を加え溶接電極１，２間に電流を流すこと
により、発生する抵抗熱を用いて溶接する。このよう
に、本実施の形態では、温度制御機能を有する温度制御
装置７が設置された溶接支持台６にすることにより、予
め溶接支持台６に熱を持たせておくことで、溶接させる
ために発生する熱が溶接支持台６にあまり奪われず、良
好な溶接が可能となる。
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型
半導体装置の製造方法を、図３を用いて説明する。本実
施の形態では、温度制御機能を有する温度制御装置７の
付いた溶接支持台６に平面型半導体素子５が載せられて
固定され、平面型半導体素子５の電極４上に出力を取出
すためのインターコネクタ３が置かれている。そして、
パラレルギャップ溶接法に用いる溶接機器の溶接電極
１，２をインターコネクタ３に当てる。次に、溶接電極
１，２に荷重を加え溶接電極１，２間に電流を流すこと
により、発生する抵抗熱を用いて溶接する。このよう
に、本実施の形態では、温度制御機能を有する温度制御
装置７が設置された溶接支持台６にすることにより、予
め溶接支持台６に熱を持たせておくことで、溶接させる
ために発生する熱が溶接支持台６にあまり奪われず、良
好な溶接が可能となる。
【００３６】また、溶接支持台６の温度は、平面型半導
体素子５の特性に悪影響を及ぼさない温度、たとえば３
００℃に設定する。それは、これ以上の温度をかける
と、平面型半導体素子５の電極４が平面型半導体素子５
の内部に深く入り込み、デバイスの特性に悪影響を与え
るとともに、溶接電極１，２自身が酸化してしまうこと
があるためである。
体素子５の特性に悪影響を及ぼさない温度、たとえば３
００℃に設定する。それは、これ以上の温度をかける
と、平面型半導体素子５の電極４が平面型半導体素子５
の内部に深く入り込み、デバイスの特性に悪影響を与え
るとともに、溶接電極１，２自身が酸化してしまうこと
があるためである。
【００３７】なお、溶接支持台６の温度を上げることに
おいて手動搬送の場合は取扱いに注意することが必要と
なることが予想されるが、ピンセット等を使用すること
により問題なく、自動搬送であれば耐熱性アームを使用
すれば全く問題なく行なうことが可能となる。このよう
な平面型半導体装置の生産装置およびその生産装置を用
いた製造方法を使用することにより、コスト面で若干上
がるが、製品の歩留りが大幅に向上し、高信頼性となる
ので実質上の利点がある。
おいて手動搬送の場合は取扱いに注意することが必要と
なることが予想されるが、ピンセット等を使用すること
により問題なく、自動搬送であれば耐熱性アームを使用
すれば全く問題なく行なうことが可能となる。このよう
な平面型半導体装置の生産装置およびその生産装置を用
いた製造方法を使用することにより、コスト面で若干上
がるが、製品の歩留りが大幅に向上し、高信頼性となる
ので実質上の利点がある。
【００３８】（実施の形態３）実施の形態３の平面型半
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型
半導体装置の製造方法を、図４および図５を用いて説明
する。本実施の形態の平面型半導体装置の生産装置の溶
接支持台６は、図４に示すように、平面型半導体素子５
の設置面と接触する面積が、平面型半導体素子５の大き
さと同じか、または、平面型半導体素子５の被設置面の
面積以下の大きさである。また、本実施の形態では、図
５に示すように、ステンレス製またはセラミックス製の
溶接支持台６を構造上できる限り薄くする。そして、図
４または図５に示す溶接支持台６に平面型半導体素子５
を載せて固定し、平面型半導体素子５の電極４上に出力
を取出すためのインターコネクタ３を置き、パラレルギ
ャップ溶接法の溶接電極１，２をインターコネクタ３に
当てる。次に、溶接電極１，２に荷重を加え溶接電極
１，２間に電流を流し、発生する抵抗熱により溶接す
る。
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型
半導体装置の製造方法を、図４および図５を用いて説明
する。本実施の形態の平面型半導体装置の生産装置の溶
接支持台６は、図４に示すように、平面型半導体素子５
の設置面と接触する面積が、平面型半導体素子５の大き
さと同じか、または、平面型半導体素子５の被設置面の
面積以下の大きさである。また、本実施の形態では、図
５に示すように、ステンレス製またはセラミックス製の
溶接支持台６を構造上できる限り薄くする。そして、図
４または図５に示す溶接支持台６に平面型半導体素子５
を載せて固定し、平面型半導体素子５の電極４上に出力
を取出すためのインターコネクタ３を置き、パラレルギ
ャップ溶接法の溶接電極１，２をインターコネクタ３に
当てる。次に、溶接電極１，２に荷重を加え溶接電極
１，２間に電流を流し、発生する抵抗熱により溶接す
る。
【００３９】本実施の形態では、平面型半導体素子５の
設置面と接触する面積が、平面型半導体素子５の大きさ
と同じ面積か、もしくは、平面型半導体素子５の被設置
面の面積より小さい面積となるようにするか、あるい
は、厚さ３ｍｍというように構造上できる限り薄くした
ステンレス製またはセラミックス製の溶接支持台６を用
いるか、または、その両方を兼ね備えた溶接支持台６に
することにより、熱容量が小さくなり溶接させるために
発生させる熱のうち溶接支持台６に奪われる量が減り、
良好な溶接が可能となる。溶接支持台６への室温の影響
については溶接支持台６の扱う温度が３００℃と１桁違
うので問題はない。
設置面と接触する面積が、平面型半導体素子５の大きさ
と同じ面積か、もしくは、平面型半導体素子５の被設置
面の面積より小さい面積となるようにするか、あるい
は、厚さ３ｍｍというように構造上できる限り薄くした
ステンレス製またはセラミックス製の溶接支持台６を用
いるか、または、その両方を兼ね備えた溶接支持台６に
することにより、熱容量が小さくなり溶接させるために
発生させる熱のうち溶接支持台６に奪われる量が減り、
良好な溶接が可能となる。溶接支持台６への室温の影響
については溶接支持台６の扱う温度が３００℃と１桁違
うので問題はない。
【００４０】なお、厚さ３ｍｍのステンレス製の溶接支
持台６の下に熱伝導率の低いセラミックスを挟み込み、
アルミニウム板で補強した新たな溶接支持台を作成し、
溶接したところ、従来の溶接強度のばらつきよりも、ば
らつきの少ない安定した強度となり、良好な結果が得ら
れた。厚さ２ｍｍとするとさらに効果があった。補強材
にアルミニウム板を用いたため、溶接支持台の強度の低
下も見られなかった。また、ステンレスに代えてアルミ
ニウム、セラミックスでも同様の効果が得られ、溶接支
持台の厚さは３ｍｍ以下にすると有効であることが確認
できた。ただし、セラミックスの場合、セラミックスよ
り熱伝導率が低いテフロン（Ｒ）を溶接支持台６の下に
挟みアルミ板で補強した。
持台６の下に熱伝導率の低いセラミックスを挟み込み、
アルミニウム板で補強した新たな溶接支持台を作成し、
溶接したところ、従来の溶接強度のばらつきよりも、ば
らつきの少ない安定した強度となり、良好な結果が得ら
れた。厚さ２ｍｍとするとさらに効果があった。補強材
にアルミニウム板を用いたため、溶接支持台の強度の低
下も見られなかった。また、ステンレスに代えてアルミ
ニウム、セラミックスでも同様の効果が得られ、溶接支
持台の厚さは３ｍｍ以下にすると有効であることが確認
できた。ただし、セラミックスの場合、セラミックスよ
り熱伝導率が低いテフロン（Ｒ）を溶接支持台６の下に
挟みアルミ板で補強した。
【００４１】なお、上記表１から分かるように、熱容量
は、同体積の場合、ステンレスが最も大きいため、ステ
ンレスの溶接支持台が最も溶接熱を奪う。しかしなが
ら、各材料の溶接支持台の厚さを薄くすれば、熱容量が
小さくなり、溶接熱も奪われ難くなる。
は、同体積の場合、ステンレスが最も大きいため、ステ
ンレスの溶接支持台が最も溶接熱を奪う。しかしなが
ら、各材料の溶接支持台の厚さを薄くすれば、熱容量が
小さくなり、溶接熱も奪われ難くなる。
【００４２】また、従来の平面型半導体装置の生産装置
の溶接支持台の厚さは、１０ｍｍ前後で作成されたもの
が多いが、それは、溶接装置の構造上の強度に起因して
いる。しかしながら、本実施の形態においては、溶接装
置の溶接支持台の下に補強材を固定するため、溶接支持
台の構造強度を補うことができる。そのため、上記の良
好な溶接を可能にする効果を発揮するために、実用上実
現可能である厚さ３ｍｍ以下にするのが望ましい。
の溶接支持台の厚さは、１０ｍｍ前後で作成されたもの
が多いが、それは、溶接装置の構造上の強度に起因して
いる。しかしながら、本実施の形態においては、溶接装
置の溶接支持台の下に補強材を固定するため、溶接支持
台の構造強度を補うことができる。そのため、上記の良
好な溶接を可能にする効果を発揮するために、実用上実
現可能である厚さ３ｍｍ以下にするのが望ましい。
【００４３】（実施の形態４）実施の形態４の平面型半
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型
半導体装置の製造方法を、図６および図７ならびに表２
を用いて説明する。
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面型
半導体装置の製造方法を、図６および図７ならびに表２
を用いて説明する。
【００４４】
【表２】
【００４５】図６に示すように、溶接支持台に平面型半
導体素子を載せて固定し、平面型半導体素子の電極上に
出力を取出すためのインターコネクタ３を置き、パラレ
ルギャップ溶接法の溶接電極１，２を当てる。そして、
溶接電極１，２に荷重を加え、溶接電極１，２間に電流
を流すことにより、発生する抵抗熱を用いて溶接する。
導体素子を載せて固定し、平面型半導体素子の電極上に
出力を取出すためのインターコネクタ３を置き、パラレ
ルギャップ溶接法の溶接電極１，２を当てる。そして、
溶接電極１，２に荷重を加え、溶接電極１，２間に電流
を流すことにより、発生する抵抗熱を用いて溶接する。
【００４６】また、図７に示すように、インターコネク
タ３内で複数の溶接箇所があるため、溶接位置ごとに、
表２の溶接順序で、それぞれの位置での溶接パワー
（Ａ，Ｂ，Ｃ）の設定をしておき溶接する。溶接位置そ
れぞれに溶接パワーの設定をすることにより、溶接位置
で溶接強度の低かった溶接位置の溶接パワーを上げると
ともに、過剰なパワーのかかっていた溶接位置の溶接パ
ワーを下げることができるようになり良好な溶接が可能
となる。
タ３内で複数の溶接箇所があるため、溶接位置ごとに、
表２の溶接順序で、それぞれの位置での溶接パワー
（Ａ，Ｂ，Ｃ）の設定をしておき溶接する。溶接位置そ
れぞれに溶接パワーの設定をすることにより、溶接位置
で溶接強度の低かった溶接位置の溶接パワーを上げると
ともに、過剰なパワーのかかっていた溶接位置の溶接パ
ワーを下げることができるようになり良好な溶接が可能
となる。
【００４７】（実施の形態５）実施の形態５の平面型半
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた製造方
法の例を溶接パワー設定に関する表３を用いて説明す
る。
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた製造方
法の例を溶接パワー設定に関する表３を用いて説明す
る。
【００４８】
【表３】
【００４９】本実施の形態においても、実施の形態１〜
実施の形態４と同様に、溶接支持台６に平面型半導体素
子５が載せられて固定され、平面型半導体素子５の電極
１，２上に出力を取出すためのインターコネクタ３が置
かれ、パラレルギャップ溶接法の溶接電極１，２がイン
ターコネクタ３に当てられる。そして、溶接電極１，２
に荷重を加え、溶接電極１，２間に電流を流すことによ
り、発生する抵抗熱を用いて溶接する。溶接作業を連続
して２回以上行なう場合、表３のように予め溶接作業そ
れぞれに溶接パワー（Ａ，Ｂ，Ｃ）の設定をしておき溶
接する。予め溶接作業それぞれに溶接パワーの設定をす
ることにより１回目は溶接電極１，２や溶接支持台６の
温度が低いので溶接パワーを高めに設定し、２回目はそ
れよりも低くし、３回目以降については、溶接支持台６
の温度が安定するので適切な温度設定ができるようにな
り良好な溶接が可能となる。
実施の形態４と同様に、溶接支持台６に平面型半導体素
子５が載せられて固定され、平面型半導体素子５の電極
１，２上に出力を取出すためのインターコネクタ３が置
かれ、パラレルギャップ溶接法の溶接電極１，２がイン
ターコネクタ３に当てられる。そして、溶接電極１，２
に荷重を加え、溶接電極１，２間に電流を流すことによ
り、発生する抵抗熱を用いて溶接する。溶接作業を連続
して２回以上行なう場合、表３のように予め溶接作業そ
れぞれに溶接パワー（Ａ，Ｂ，Ｃ）の設定をしておき溶
接する。予め溶接作業それぞれに溶接パワーの設定をす
ることにより１回目は溶接電極１，２や溶接支持台６の
温度が低いので溶接パワーを高めに設定し、２回目はそ
れよりも低くし、３回目以降については、溶接支持台６
の温度が安定するので適切な温度設定ができるようにな
り良好な溶接が可能となる。
【００５０】（実施の形態６）実施の形態６の平面型半
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面方
半導体装置の製造方法を、図８および図９を用いて説明
する。本実施の形態においても、溶接支持台６に平面型
半導体素子５が載せられて固定され、半導体素子５の電
極４上に出力を取出すためのインターコネクタ３が置か
れる。そして、パラレルギャップ溶接法の溶接電極１，
２をインターコネクタ３に当てる。次に、溶接電極１，
２に荷重を加え、溶接電極１，２間に電流を流すことに
より、発生する抵抗熱を用いて溶接する。溶接装置の少
なくとも溶接電極１，２のまわりは、Ｎ2ノズル９を有
する囲い込み８内で窒素ガス雰囲気にするか、または、
排気口１１を有する真空チャンバ１０に入れ真空状態に
する。窒素ガス雰囲気または真空状態にして溶接するこ
とにより、溶接時に溶接電極が赤熱し高温で酸化するこ
とが抑制され、溶接電極１，２の寿命を延ばすことがで
きる。
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面方
半導体装置の製造方法を、図８および図９を用いて説明
する。本実施の形態においても、溶接支持台６に平面型
半導体素子５が載せられて固定され、半導体素子５の電
極４上に出力を取出すためのインターコネクタ３が置か
れる。そして、パラレルギャップ溶接法の溶接電極１，
２をインターコネクタ３に当てる。次に、溶接電極１，
２に荷重を加え、溶接電極１，２間に電流を流すことに
より、発生する抵抗熱を用いて溶接する。溶接装置の少
なくとも溶接電極１，２のまわりは、Ｎ2ノズル９を有
する囲い込み８内で窒素ガス雰囲気にするか、または、
排気口１１を有する真空チャンバ１０に入れ真空状態に
する。窒素ガス雰囲気または真空状態にして溶接するこ
とにより、溶接時に溶接電極が赤熱し高温で酸化するこ
とが抑制され、溶接電極１，２の寿命を延ばすことがで
きる。
【００５１】従来の窒素ガスブローは、大気を巻き込
む、つまり、大気中の酸素がかなりの割合で含まれ、溶
接電極１，２が酸化してしまう。しかしながら、本実施
の形態では酸素が全く関与しなくなるため、溶接電極
１，２の酸化が抑制される。これにより、コスト面で若
干上がるが、製品の歩留りが大幅に向上し高信頼性とな
るので実質上は有利となる。
む、つまり、大気中の酸素がかなりの割合で含まれ、溶
接電極１，２が酸化してしまう。しかしながら、本実施
の形態では酸素が全く関与しなくなるため、溶接電極
１，２の酸化が抑制される。これにより、コスト面で若
干上がるが、製品の歩留りが大幅に向上し高信頼性とな
るので実質上は有利となる。
【００５２】（実施の形態７）実施の形態７の平面型半
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面方
半導体装置の製造装置を、図１０および図１１ならびに
表４を用いて説明する。
導体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面方
半導体装置の製造装置を、図１０および図１１ならびに
表４を用いて説明する。
【００５３】
【表４】
【００５４】本実施の形態においては、温度制御機能を
有する温度制御装置７を備えたステンレス製またはセラ
ミックス製の溶接支持台６に平面型半導体素子５が載せ
られて固定され、平面型半導体素子５の電極４上に出力
を取出すためのインターコネクタ３が置かれる。そし
て、パラレルギャップ溶接法の溶接電極１，２をインタ
ーコネクタ３に当てる。次に、溶接電極１，２に荷重を
加え溶接電極１，２間に電流を流すことにより、発生す
る抵抗熱を用いて溶接される。図１１に示すように、イ
ンターコネクタ３内で複数の溶接箇所がある場合、溶接
位置ごとに、表４の溶接順序で、それぞれの位置で溶接
パワーの設定をしておき溶接する。また、溶接順序ごと
に溶接パワーを設定してもよいし、溶接位置および溶接
順序のそれぞれで溶接パワーを設定してもよい。このよ
うにすることにより、溶接するために発生する熱が溶接
支持台６を通して逃げず溶接位置および溶接順序のうち
少なくともいずれか一方に合った適切な溶接パワーで溶
接できるようになり良好な溶接が可能となる。
有する温度制御装置７を備えたステンレス製またはセラ
ミックス製の溶接支持台６に平面型半導体素子５が載せ
られて固定され、平面型半導体素子５の電極４上に出力
を取出すためのインターコネクタ３が置かれる。そし
て、パラレルギャップ溶接法の溶接電極１，２をインタ
ーコネクタ３に当てる。次に、溶接電極１，２に荷重を
加え溶接電極１，２間に電流を流すことにより、発生す
る抵抗熱を用いて溶接される。図１１に示すように、イ
ンターコネクタ３内で複数の溶接箇所がある場合、溶接
位置ごとに、表４の溶接順序で、それぞれの位置で溶接
パワーの設定をしておき溶接する。また、溶接順序ごと
に溶接パワーを設定してもよいし、溶接位置および溶接
順序のそれぞれで溶接パワーを設定してもよい。このよ
うにすることにより、溶接するために発生する熱が溶接
支持台６を通して逃げず溶接位置および溶接順序のうち
少なくともいずれか一方に合った適切な溶接パワーで溶
接できるようになり良好な溶接が可能となる。
【００５５】なお、前述した本実施の形態の平面型半導
体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面方半
導体装置の製造方法において、使用する電極をタングス
テン（Ｗ）電極１と銅（Ｃｕ）電極２とにすると、それ
らの作用がより顕著に現われる。タングステン電極１と
銅電極２との組合せでパラレルギャップ溶接を行なった
場合、タングステンの抵抗値が銅よりも高いためタング
ステン電極１が溶接時に発熱する。この発熱が主な溶接
パワーとなる。
体装置の生産装置およびその生産装置を用いた平面方半
導体装置の製造方法において、使用する電極をタングス
テン（Ｗ）電極１と銅（Ｃｕ）電極２とにすると、それ
らの作用がより顕著に現われる。タングステン電極１と
銅電極２との組合せでパラレルギャップ溶接を行なった
場合、タングステンの抵抗値が銅よりも高いためタング
ステン電極１が溶接時に発熱する。この発熱が主な溶接
パワーとなる。
【００５６】このようにすることにより、タングステン
電極１の発熱を逃がさず、タングステン電極１の溶接パ
ワーを制御でき、かつ、タングステン電極１の酸化を防
ぐことになる。
電極１の発熱を逃がさず、タングステン電極１の溶接パ
ワーを制御でき、かつ、タングステン電極１の酸化を防
ぐことになる。
【００５７】（実施の形態８）実施の形態８の平面型半
導体装置の生産装置およびそれを用いた製造方法を、図
１１を用いて説明する。本実施の形態においては、前述
した実施の形態１〜実施の形態７の平面型半導体装置の
生産装置およびその製造方法において、使用するインタ
ーコネクタ３をスリットを有する櫛形にする。それによ
り、上記実施の形態１〜実施の形態６のそれぞれの効果
がより顕著に現われる。つまり、櫛形のインターコネク
タ３を溶接に使用すると、溶接電極１，２からの熱の伝
わり方がプレート状のものよりも面積が減ることにより
敏感になり現象がはっきりと現われることになる。
導体装置の生産装置およびそれを用いた製造方法を、図
１１を用いて説明する。本実施の形態においては、前述
した実施の形態１〜実施の形態７の平面型半導体装置の
生産装置およびその製造方法において、使用するインタ
ーコネクタ３をスリットを有する櫛形にする。それによ
り、上記実施の形態１〜実施の形態６のそれぞれの効果
がより顕著に現われる。つまり、櫛形のインターコネク
タ３を溶接に使用すると、溶接電極１，２からの熱の伝
わり方がプレート状のものよりも面積が減ることにより
敏感になり現象がはっきりと現われることになる。
【００５８】なお、今回開示された実施の形態はすべて
の点で例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許
請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意
味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図
される。
の点で例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許
請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意
味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図
される。
【００５９】
【発明の効果】本発明の平面型半導体装置の生産装置ま
たはその生産装置を用いた平面型半導体装置の製造方法
によれば、溶接電極から熱を逃がさずに、確実に溶接す
ることにより安定で良好な溶接が実現でき高信頼性の半
導体装置を製造することが可能となる。また、溶接パワ
ーの細かな制御により適切な溶接を行なうことができ過
剰な溶接を排除し安定に高歩留りを実現できる。さらに
高価な溶接電極の酸化を防ぎ高寿命化を実現できるとと
もに生産コストの削減に大きく寄与することができる。
また、これらの発明を組合せることにより、高信頼性の
高歩留り低コストの溶接が同時に実現できる。
たはその生産装置を用いた平面型半導体装置の製造方法
によれば、溶接電極から熱を逃がさずに、確実に溶接す
ることにより安定で良好な溶接が実現でき高信頼性の半
導体装置を製造することが可能となる。また、溶接パワ
ーの細かな制御により適切な溶接を行なうことができ過
剰な溶接を排除し安定に高歩留りを実現できる。さらに
高価な溶接電極の酸化を防ぎ高寿命化を実現できるとと
もに生産コストの削減に大きく寄与することができる。
また、これらの発明を組合せることにより、高信頼性の
高歩留り低コストの溶接が同時に実現できる。
【図１】 実施の形態１の平面型半導体装置の生産装置
の断面の模式図である。
の断面の模式図である。
【図２】 実施の形態１の平面型半導体装置の生産装置
の断面の模式図である。
の断面の模式図である。
【図３】 実施の形態２の平面型半導体装置の生産装置
の断面の模式図である。
の断面の模式図である。
【図４】 実施の形態３の平面型半導体装置の生産装置
の断面の模式図である。
の断面の模式図である。
【図５】 実施の形態３の他の例の平面型半導体装置の
生産装置の断面の模式図である。
生産装置の断面の模式図である。
【図６】 実施の形態４の平面型半導体装置の生産装置
の断面の模式図である。
の断面の模式図である。
【図７】 実施の形態４の平面型半導体装置の生産装置
による溶接個所を示す平面図である。
による溶接個所を示す平面図である。
【図８】 実施の形態６の平面型半導体装置の生産装置
の断面の模式図である。
の断面の模式図である。
【図９】 実施の形態６の他の例の平面型半導体装置の
生産装置の断面の模式図である。
生産装置の断面の模式図である。
【図１０】 実施の形態７の平面型半導体装置の生産装
置の断面の模式図である。
置の断面の模式図である。
【図１１】 実施の形態８の平面型半導体装置の生産装
置によるインターコネクタを示す平面図である。
置によるインターコネクタを示す平面図である。
【図１２】 従来の平面型半導体装置の生産装置の断面
の模式図である。
の模式図である。
【図１３】 従来の平面型半導体装置の生産装置による
溶接個所を示す平面図である。
溶接個所を示す平面図である。
【符号の説明】
１ Ｗ溶接電極、２ Ｃｕ溶接電極、３ インターコネ
クタ、４ 電極、５平面型半導体素子、６ 溶接支持
台、７ 温度制御装置、８ 囲い込み、９ Ｎ 2ノズ
ル、１０ 真空チャンバー、１１ 排気口。
クタ、４ 電極、５平面型半導体素子、６ 溶接支持
台、７ 温度制御装置、８ 囲い込み、９ Ｎ 2ノズ
ル、１０ 真空チャンバー、１１ 排気口。
Claims (14)
- 【請求項１】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型半
導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半導
体装置の生産装置において、 溶接される平面型半導体素子を載せる溶接支持台を、ス
テンレスを主成分とする材料により構成したことを特徴
とする、平面型半導体装置の生産装置。 - 【請求項２】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型半
導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半導
体装置の生産装置において、 溶接される平面型半導体素子を載せる溶接支持台を、セ
ラミックスを主成分とする材料により構成したことを特
徴とする、平面型半導体装置の生産装置。 - 【請求項３】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型半
導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半導
体装置の生産装置において、 溶接される平面型半導体素子を載せる溶接支持台の温度
を制御する溶接支持台温度制御機構を設けたことを特徴
とする、平面型半導体装置の生産装置。 - 【請求項４】 前記溶接支持台の溶接される平面型半導
体素子を載せる面の面積を、前記平面型半導体素子の前
記溶接支持台へ載せられる面の面積以下にすることを特
徴とする、請求項１または請求項２に記載の平面型半導
体装置の生産装置。 - 【請求項５】 前記溶接支持台の厚さを３ｍｍ以下にす
ることを特徴とする、請求項１、請求項２または請求項
４に記載の平面型半導体装置の生産装置。 - 【請求項６】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型半
導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半導
体装置の製造方法において、 前記パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、１つのイ
ンターコネクタ内で溶接位置が２ヵ所以上ある場合に、
前記溶接位置それぞれに溶接パワーの設定をすることを
特徴とする、平面型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型半
導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半導
体装置の製造方法において、 前記パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、溶接作業
を連続して２回以上行なう場合に、予め前記溶接作業そ
れぞれ毎に溶接パワーの設定をすることを特徴とする、
平面型半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型半
導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半導
体装置の製造方法において、 前記パラレルギャップ溶接法で溶接する際に、少なくと
も溶接電極のまわりを、該溶接電極の酸化を抑制するガ
スの雰囲気にして溶接することを特徴とする、平面型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 平面型半導体素子の出力を取出すための
インターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型半
導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半導
体装置の製造方法において、 前記パラレルギャップ溶接法で接続する際に、少なくと
も溶接電極のまわりを真空状態にして溶接することを特
徴とする、平面型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 平面型半導体素子の出力を取出すため
のインターコネクタを、パラレルギャップ溶接で平面型
半導体素子の外部出力電極に電気的に接続する平面型半
導体装置の製造方法において、 溶接される平面型半導体素子を載せる溶接支持台をステ
ンレスを主成分とする材料またはセラミックスを主成分
とする材料により構成し、前記ステンレスを主成分とす
る溶接支持台または前記セラミックスを主成分とする溶
接支持台を、溶接支持台温度制御機構を用いて温度制御
し、かつ、溶接作業および溶接位置の少なくともいずれ
か一方ごとに溶接パワーを設定することを特徴とする、
平面型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記溶接電極は、タングステンを主成
分とする電極と銅を主成分とする電極とから構成される
ことを特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれかに記
載の平面型半導体装置の生産装置。 - 【請求項１２】 前記溶接電極は、タングステンを主成
分とする電極と銅を主成分とする電極とから構成される
ことを特徴とする、請求項６〜請求項１０のいずれかに
記載の平面型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記インターコネクタは、スリットを
有する櫛形であることを特徴とする、請求項１〜請求項
５、または、請求項１１のいずれかに記載の平面型半導
体装置の生産装置。 - 【請求項１４】 前記インターコネクタは、スリットを
有する櫛形であることを特徴とする、請求項６〜請求項
１０、請求項１２のいずれかに記載の平面型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001231543A JP3824893B2 (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 平面型半導体装置の製造方法 |
| US10/207,817 US6797910B2 (en) | 2001-07-31 | 2002-07-31 | Production apparatus of planer type semiconductor device and fabrication method of planer type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001231543A JP3824893B2 (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 平面型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003048073A true JP2003048073A (ja) | 2003-02-18 |
| JP3824893B2 JP3824893B2 (ja) | 2006-09-20 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001231543A Expired - Fee Related JP3824893B2 (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 平面型半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6797910B2 (ja) |
| JP (1) | JP3824893B2 (ja) |
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| JP2009279597A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 抵抗溶接方法および抵抗溶接接合体 |
| CN102085596A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-06-08 | 广州微点焊设备有限公司 | 平行电极焊头 |
| JP2012236232A (ja) * | 2012-08-07 | 2012-12-06 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | 抵抗溶接接合体 |
| JP2012236231A (ja) * | 2012-08-07 | 2012-12-06 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | 抵抗溶接方法 |
| JP2015058467A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 日本電気株式会社 | 接合構造及び接合方法、金属リード |
| JP2015058468A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 日本電気株式会社 | 接合構造及び接合方法、金属リード |
| JP2017038039A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | ソレアロ テクノロジーズ コーポレイション | 太陽電池の高信頼性相互接続 |
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|---|---|---|---|---|
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| US20130075476A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Hid Global Ireland Teoranta | Secure rfid device and method of production |
| USD759136S1 (en) * | 2012-02-06 | 2016-06-14 | Yuho Yoshida | Electrodes for resistance welding |
| CN110277209B (zh) * | 2018-03-14 | 2021-06-29 | 国巨电子（中国）有限公司 | 分流电阻器的制造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US3284606A (en) * | 1965-06-30 | 1966-11-08 | John H Schroeppel | Heat sink material and applications thereof |
| US3459918A (en) * | 1967-01-13 | 1969-08-05 | Ibm | Welding of electrical elements having voltage sensitive components |
| US4876430A (en) * | 1988-07-25 | 1989-10-24 | General Electric Company | Preweld test method |
| JPH02284440A (ja) | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池溶接温度測定方法及び太陽電池特性確認方法 |
| JPH03198984A (ja) | 1989-12-25 | 1991-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | パラレルギヤツプ溶接方法 |
| US5138127A (en) * | 1991-07-31 | 1992-08-11 | Hughes Aircraft Company | Pressure welding with closed loop force control |
| US5360958A (en) * | 1993-05-17 | 1994-11-01 | Delco Electronics Corporation | Welding apparatus having coaxial welding electrodes |
| JPH09323173A (ja) | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Nippon Avionics Co Ltd | 溶接電源装置およびその制御方法 |
| JP3198984B2 (ja) | 1997-06-26 | 2001-08-13 | 日本電気株式会社 | ノート型情報処理装置 |
-
2001
- 2001-07-31 JP JP2001231543A patent/JP3824893B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-31 US US10/207,817 patent/US6797910B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6797910B2 (en) | 2004-09-28 |
| JP3824893B2 (ja) | 2006-09-20 |
| US20030038368A1 (en) | 2003-02-27 |
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