JP2003046182A - 光源装置、レーザダイオードチップ及びレーザダイオードチップの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 上下の面に対して垂直な面から傾斜した方向
に二次劈開されるレーザダイオードチップを精度良く位
置決め可能な光源装置を提案すること。 【解決手段】 光ピックアップ装置の光源装置９におい
て、第１および第２のレーザダイオードチップ６１、６
２は、サブマウント基板７０に形成された位置決め突起
である第１、第２、第３の凸部８１、８２、８３により
位置決めされている。二次劈開によって下面６２１に対
して垂直方向から傾斜した方向に劈開される第２のレー
ザダイオードチップ６２は、劈開に先立ってダイシング
により形成した上下の面に垂直な垂直面部分６２５ａ
と、二次劈開による劈開面部分６２５ｂとによってその
側面６２５が形成されている。垂直面部分６２５ａが形
成されているので、これを第２の凸部８２の位置決め面
８２ｂに面接触状態で押付けて、レーザダイオードチッ
プ６２を位置決めできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学機器のレーザ
光源として用いるのに適した光源装置に関するものであ
る。更に詳しくは、光源装置におけるレーザダイオード
チップの位置決め技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光を利用した光学機器としては、
例えば、ＣＤやＤＶＤなど種類の異なる光記録ディスク
の再生を行なう光ピックアップ装置がある。このような
光ピックアップ装置では、ＤＶＤの再生には６５０ｎｍ
波長のレーザ光が必要であり、ＣＤ−Ｒは６５０ｎｍ波
長帯域での反射率が低いので、その再生、記録のために
は７８０ｎｍ波長のレーザ光が必要となる。

【０００３】そこで、ＣＤ−Ｒ再生互換ＤＶＤ光ピック
アップ装置では、ＣＤ再生用に使用する波長７８０ｎｍ
帯ＡｌＧａＡｓ系レーザダイオードと、ＤＶＤ再生用に
使用する波長６５０ｎｍ帯ＡｌＧａＩｎＰ系レーザダイ
オードとの２つのレーザ光源を備えた光源装置が搭載さ
れたものが知られている。

【０００４】このような光ピックアップ装置に用いる光
源装置としては、１つの半導体チップに２つのレーザダ
イオードを形成したモノリシックタイプと呼ばれるも
の、および２つのレーザダイオードチップを１つの基板
上に搭載したハイブリットタイプと呼ばれるものが知ら
れている。

【０００５】モノリシックタイプは、１つのＧａＡｓ基
板上にＡｌＧａＡｓ系レーザダイオードと、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系レーザダイオードとをウエハプロセスにより作り
込んでしまうため、各波長のレーザ発光点間隔が精度良
く設定される。しかし、どちらか一方のレーザダイオー
ドが不良となった場合には、他方の良品であるレーザダ
イオードも無駄になってしまうので経済的でない。

【０００６】これに対して、ハイブリットタイプは、各
波長のレーザダイオードチップを別々に基板に配置す
る。このため、予めレーザダイオードチップを選別して
おくことにより、モノリシックタイプのように、どちら
か一方のレーザダイオードチップが不良となった場合に
はそれを交換すればよいので、他方の良品であるレーザ
ダイオードチップが無駄になることがない。しかしなが
ら、レーザ発光点間隔は、２つのレーザダイオードチッ
プを基板に配置する精度により設定されるため、高価な
高精度チップ実装設備を必要とする。

【０００７】このようなハイブリットタイプの光源装置
において、高精度チップ実装設備を使用すること無く、
レーザ発光点間隔の精度を高める方法として、特開平８
−３３９５７０号公報に開示されているように、基板に
予めガイド溝を彫っておき、そのガイド溝に２つのレー
ザダイオードチップを搭載することで、双方の間隔を精
度良く規定する方法が知られている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板の
ガイド溝に２つのレーザダイオードチップを搭載する配
置技術では、それらの発光点間隔を精度良く規定できる
が、光軸方向の位置決め精度を改善できないという問題
点がある。

【０００９】そこで、本願の出願人は、基板にポリイミ
ドなどで形成した位置決め突起に、レーザダイオードチ
ップの互いに直交する側面を押し当てて位置決めする方
法を特願２０００−２７７３９３号において提案してい
る。

【００１０】この位置決め方法では、図６（ａ）に示す
ように、第１のレーザダイオードチップ１０１および第
２のレーザダイオードチップ１０２は、基板１０３上に
形成された位置決め突起１０４に押し当てて固定されて
いる。

【００１１】この位置決め突起１０４は、第１のレーザ
ダイオードチップ１０１の出射面１０１ａを規定する直
方体の第１の凸部１０５と、この第１の凸部１０５と発
光点１０１ｂを挟んで反対側で第１のレーザダイオード
チップ１０１の出射面１０１ａを規定するとともに、第
１のレーザダイオードチップ１０１と並列配置された第
２のレーザダイオードチップ１０２の出射面１０２ａを
規定する第２の凸部１０６と、この第２の凸部１０６と
発光点１０２ｂを挟んで反対側で第２のレーザダイオー
ドチップ１０２の出射面１０２ａを規定する直方体の第
３の凸部１０７を備えている。

【００１２】第２の凸部１０６は、２つの直方体をＴ字
状にした形状であり、第１のレーザダイオードチップ１
０１の出射面１０１ａおよび並列配置された第２のレー
ザダイオードチップ１０２の出射面１０２ａを規定する
直方体状の第１の位置決め部１０６ａの略中央から、第
１のレーザダイオードチップ１０１および第２のレーザ
ダイオードチップ１０２の向い合う側面１０１ｃおよび
側面１０２ｃの間に直方体状の第２の位置決め部１０６
ｂが形成されている。この第２の位置決め部１０６ｂ
に、側面１０１ｃおよび側面１０２ｃが押し当てられて
第１のレーザダイオードチップ１０１および第２のレー
ザダイオードチップ１０２の発光点間隔が規定される。

【００１３】このように、第１のレーザダイオードチッ
プ１０１および第２のレーザダイオードチップ１０２
を、位置決め突起１０４により、高精度チップ実装設備
を使用しないで、レーザ発光点間隔および光軸方向共に
精度良く位置決めできる。

【００１４】ここで、レーザダイオードチップは、半導
体プロセスにより形成されたウエハを素子サイズに切り
分けることにより製造される。このウェハの切断は、各
チップの前後の出射面に沿って劈開した後に、出射面に
直交する側面を劈開することにより行われる。

【００１５】側面の劈開面は、ＡｌＧａＡｓ系（波長７
８０ｎｍ帯）のレーザダイオードチップの場合、結晶方
向がレーザダイオードチップの上下面に対して垂直であ
るので、上・下面に対して垂直となる。しかし、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系（波長６５０ｎｍ帯）のレーザダイオードチ
ップは、結晶方向がレーザダイオードチップの上下面に
対して垂直でないために、レーザダイオードチップの上
下の面に垂直な方向から傾斜した方向に劈開されるの
で、上下の面に対して傾斜した傾斜面となる。

【００１６】このため、図６（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、例えば、第１のレーザダイオードチップ１０１がＡ
ｌＧａＡｓ系（波長７８０ｎｍ帯）のレーザダイオード
チップの場合、その側面１０１ｃは下面１０１ｄに対し
て垂直であるので、囲み部分Ｋ１で示すように、位置決
め突起１０４の第２の位置決め部１０６ｂに面接触し、
確実に位置決めされた状態で実装される。

【００１７】しかしながら、図６（ｄ）、（ｅ）に示す
ように、第１のレーザダイオードチップ１０１がＡｌＧ
ａＩｎＰ系（波長６５０ｎｍ帯）のレーザダイオードチ
ップの場合、その側面１０１ｃは、下面１０１ｄに垂直
な方向に対して傾斜した傾斜面となっている。このた
め、囲み部分Ｋ２で示すように、位置決め突起１０４の
第２の位置決め部１０６ｂには、側面１０１ｃと下面１
０１ｄで形成される鋭角部分１０１ｅが線接触するのみ
である。これでは、面接触に比べ確実に位置決めするこ
とができず、また、位置決めされた状態に確実に保持す
ることが困難である。さらに、チップ実装時において
は、鋭角部分１０１ｅが欠けるなどのチッピングなどを
発生させてしまう可能性がある。

【００１８】本発明の課題は、このような問題点に鑑み
て、基板に搭載した場合の上下の面に対してその側面が
垂直方向に対して傾斜した劈開面となるレーザダイオー
ドチップを精度良く位置決め可能な光源装置を提案する
ことにある。

【００１９】また、本発明の課題は、かかる光源装置に
用いるのに適したレーザダイオードチップおよびその製
造方法を提案することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は、基板と、この基板の表面に搭載されたレ
ーザダイオードチップと、このレーザダイオードチップ
を位置決めするために前記基板の表面に形成された位置
決め用突起とを有する光源装置において、前記位置決め
用突起は、前記基板の表面から垂直に延びる位置決め面
を備えており、前記レーザダイオードチップの少なくと
も一方の側面は、その上下の面に対して垂直な方向から
傾斜した方向に延びる劈開面部分と、この劈開面部分に
連続していると共に上下の面に対して垂直な垂直面部分
とを備えており、前記垂直面部分を前記位置決め用突起
の前記位置決め面に当接させることにより、前記レーザ
ダイオードチップが位置決めされていることを特徴とし
ている。

【００２１】本発明では、レーザダイオードチップにお
ける上下の面に対して垂直な方向から傾斜した劈開面と
なるレーザダイオードチップの側面の一部に、上下の面
に対して垂直な垂直面部分を形成している。この垂直面
部分を位置決め部材の位置決め面に面接触させることに
より、レーザダイオードチップを安定した状態で位置決
めすることができる。

【００２２】一般的には、前記垂直面部分を、前記レー
ザダイオードチップの前記下面の側に形成しておけばよ
い。また、前記レーザダイオードチップの双方の側面
に、前記垂直面部分および前記劈開面部分を形成しても
よい。

【００２３】本発明の対象となるレーザダイオードチッ
プとしては、６５０ｎｍ波長帯域のＡｌＧａＩｎＰ系レ
ーザダイオードチップを挙げることができる。

【００２４】次に、本発明はレーザダイオードチップに
おいて、上記のように、その側面に傾斜した劈開面部分
と垂直面部分とが形成されたことを特徴としている。

【００２５】さらに、本発明は、この構成のレーザダイ
オードチップの製造方法に関するものであり、複数のレ
ーザダイオードチップが作り込まれたウエハを、その一
次劈開面に沿って割ることにより、複数の前記レーザダ
イオードチップが横に一列に並んだチップバーを切り出
す第１の劈開工程と、前記チップバーの下面から、各レ
ーザダイオードチップの間に、当該下面に垂直な所定の
深さの切り込みを入れる切込み工程と、各切り込みの底
から前記チップバーを二次劈開面に沿って割ることによ
り各レーザダイオードチップを切り出す第２の劈開工程
とを備えていることを特徴としている。

【００２６】ここで、前記切込み工程における各切り込
みを、各レーザダイオードチップの活性層を電気的に分
離可能な深さまで行うことが望ましい。

【００２７】このようにすれば、前記切り込み工程後
に、各レーザダイオードチップを切り出すのに先立っ
て、各レーザダイオードチップの特性検査、信頼性検
査、スクリーニングのうち少なくとも一つを行う検査工
程を行うことができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
を適用した光源装置が搭載された光ピックアップ装置の
一例を説明する。

【００２９】（全体構成）図１（ａ）および（ｂ）は、
本例の光ピックアップ装置を示す平面図および断面図で
ある。図２（ａ）および（ｂ）は、図１に示す光源装置
を示す平面図および斜視図である。

【００３０】本例の光ピックアップ装置１は、ＣＤある
いはＤＶＤなどの光記録媒体２に対する情報記録、情報
再生を行なうため、波長が６５０ｎｍのレーザ光と、波
長が７８０ｎｍのレーザ光とを用いる２波長光ピックア
ップ装置であり、鉄、アルミニウムなどの金属製の配線
基板３を有し、ここに各種部品が搭載されている。この
配線基板３はフレーム４によって支持されている。フレ
ーム４は、その一方の側端に、円形の主軸ガイド孔４１
が形成され、他方の側端に、横方に開口したコの字状形
状の副軸ガイド溝４２が形成されている。

【００３１】光ピックアップ装置１が搭載される情報記
録再生装置（図示せず）の側には平行に延びる主軸４３
および副軸４４が配置されている。光ピックアップ装置
１は、主軸４３を主軸ガイド孔４１に通すと共に副軸４
４を副軸ガイド溝４２に通した状態となるように、主軸
４３および副軸４４の間に架け渡した状態で情報記録再
生装置の側に搭載される。これら主軸４３および副軸４
４に沿って、光ピックアップ装置１が光記録媒体２の半
径方向に往復移動可能になっている。

【００３２】配線基板３における副軸ガイド溝４２の側
の表面部分には、レーザ、受光素子一体型の光源装置９
が搭載されている。この光源装置９は、配線基板３の表
面にＡｇペースト等の接着剤で積層接着した半導体基板
１０と、この半導体基板１０の表面に積層接着されたサ
ブマウント基板７０と、このサブマウント基板７０の上
面に同じく積層接着された第１および第２のレーザダイ
オードチップ６１、６２を備えている。第１のレーザダ
イオードチップ６１は、波長７８０ｎｍのレーザ光を出
射するＡｌＧａＡｓ系のレーザダイオードチップであ
り、第２のレーザダイオードチップ６２は、波長６５０
ｎｍのレーザ光を出射するＡｌＧａＩｎＰ系のレーザダ
イオードチップである。

【００３３】半導体基板１０には、信号再生用の受光面
１３ａを備えた受光素子１３および信号演算回路が作り
込まれている。サブマウント基板７０には、レーザモニ
ター用の受光素子１３１が作り込まれている。また、光
源装置９の側に形成されている電極端子１４と配線基板
３の表面に形成した電極端子１５の間がボンディングワ
イヤ１６によって接続されている。

【００３４】一方、配線基板３の主軸ガイド４１側の表
面部分には、磁気式の対物レンズ駆動機構１７が搭載さ
れている。この対物レンズ駆動機構１７は、対物レンズ
１８を保持しているレンズホルダ１９と、このレンズホ
ルダ１９をトラッキング方向およびフォーカシング方向
に移動可能に支持している支軸２０と、レンズホルダ１
９をトラッキング方向およびフォーカシング方向に移動
させる磁力を発生する磁気駆動回路とを備えている。磁
気駆動回路は、折り曲げヨーク板２２に形成されている
起立部分２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄに取り付けた
磁石２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと、これらに対峙
するレンズホルダ部分に配置した駆動コイル（図示せ
ず）を含んでいる。この構成の軸摺動回動式の対物レン
ズ駆動機構は公知のものである。

【００３５】第１および第２のレーザダイオードチップ
６１、６２から対物レンズ１８に至る光路上には、第１
の回折格子２５、第２の回折格子２６、コリメートレン
ズ２７および立上げミラー２８が配置されている。第１
の回折格子２５は、第１のレーザダイオードチップ６１
から出射される波長７８０ｎｍのレーザ光のみを３ビー
ムに分割する波長選択性の回折格子であり、第２の回折
格子２６は光記録媒体２からの戻り光の光路を変えて、
全反射ミラー２９を経由して受光素子１３の受光面１３
ａに導くための波長選択性ホログラム素子である。立上
げミラー２８はコリメートレンズ２７により平行光化さ
れた出射レーザ光を直角に反射して対物レンズ１８に導
くためのものである。

【００３６】ここで、本例では、光源装置９、回折格子
２５、２６およびコリメートレンズ２７は、これらの部
材を位置決めした状態で保持する部品ホルダ３０を用い
て、配線基板３に搭載されている。図２（ｂ）に示すよ
うに、部品ホルダ３０は、全体として平板をコの字状に
切り欠いた形状の感光性ガラス枠体であり、その内側に
は、光源装置９、回折格子２５、２６およびコリメート
レンズ２７を各々所定の位置に所定の姿勢で保持する凹
凸や窓を備えている。従って、光源装置９、回折格子２
５、２６およびコリメートレンズ２７については、この
部品ホルダ３０に搭載するだけで、これらの部材間での
光軸合わせ、光軸方向の位置調整が自動的に行なわれ
る。

【００３７】光源装置９が取り付けられている部品ホル
ダ３０の部分にはカバー３１が取り付けられ、当該光源
装置９を保護している。このカバー３１の裏面には全反
射ミラー２９が取付けらている。

【００３８】このように構成された光ピックアップ装置
１では、光記録媒体２としてＣＤ−Ｒから情報を再生記
録等するときは、第１のレーザダイオードチップ６１か
ら波長が７８０ｎｍのレーザ光が出射され、一方、光記
録媒体２としてＤＶＤから情報を再生等するときは、第
２のレーザダイオードチップ６２から波長が６５０ｎｍ
のレーザ光が出射されることにより、異なる種類の光記
録媒体２の情報再生、情報記録等が行われる。

【００３９】（光源装置の位置決め機構）図３は本例の
光源装置９における２個のレーザダイオードチップ６
１、６２の位置決め機構を示すための説明図である。

【００４０】この図に示すように、第１のレーザダイオ
ードチップ６１は略直方体形状をしており、第１のレー
ザ光Ｌ１を出射する第１の前方発光点Ｓ１が位置してい
る前方出射面６１２と、後方発光点が位置している後方
出射面６１４と、左右の側面６１３、６１５と、ｎ電極
が形成された上面６１６と、ｐ電極が形成された下面６
１１とを備えている。

【００４１】次に、第２のレーザダイオードチップ６２
は、第２のレーザ光Ｌ２を出射する第２の前方発光点Ｓ
２が位置している前方出射面６２２と、後方発光点が位
置している後方出射面６２４と、左右の側面６２３、６
２５と、ｎ電極が形成された上面６２６と、ｐ電極が形
成された下面６２１とを備えている。

【００４２】ここで、前方出射面６２２および後方出射
面６２４は、上下の面６２１、６２６に垂直な面である
が、左右の側面６２３、６２５は、その下側部分が下面
６２１に対して垂直な垂直面部分６２３ａ、６２５ａと
され、上側部分がこれらの垂直面６２３ａ、６２５ｂに
対して同一方向に傾斜した傾斜面部分６２３ｂ、６２５
ｂとされている。

【００４３】サブマウント基板７０の上面７００には、
レジスト材料を積層して形成された直方体形状の第１の
凸部８１と、第２の凸部８２と、第３の凸部８３が直立
している。これらの凸部が第１および第２のレーザダイ
オードチップ６１、６２の位置決めをする位置決め用突
起である。

【００４４】ここで、第１の凸部８１および第３の凸部
８３の後側側面８１ａ、８３ａは、光軸方向に直交する
同一面上にあると共に、サブマウント基板上面７００に
垂直な面である。また、第２の凸部８２の左右の側面８
２ａ、８２ｂは、光軸方向に延びる相互に平行な面であ
ると共に、サブマウント基板上面７００に垂直な面であ
る。

【００４５】したがって、第１および第２の後側側面８
１ａ、８３ａに、それぞれ第１および第２のレーザダイ
オードチップ６１、６２の出射面６１２、６２２を面接
触させることにより、当該レーザダイオードチップの光
軸方向の位置を規定できる。また、第２の凸部８２の左
右の側面８２ａ、８２ｂに、それぞれ、第１のレーザダ
イオードチップ６１の側面６１３と、第２のレーザダイ
オードチップ６２における側面６２５に形成されている
垂直面部分６２５ａを面接触させることにより、当該レ
ーザダイオードチップの光軸に直交する方向の位置を規
定できる。換言すると、これらの前方発光点Ｓ１、Ｓ２
の間隔を規定できる。このように、第１および第２の後
側側面８１ａ、８３ａ、および側面８２ａ、８２ｂがレ
ーザダイオードチップの位置決め面として機能する。

【００４６】なお、サブマウント基板７０の上面７００
における第１および第２のレーザダイオードチップ６
１、６２の後方には、後方出射面６１４、６２４からの
後方出射光を受光するモニター用受光素子１３１が作り
込まれている。

【００４７】（レーザダイオードチップの切り出しおよ
び実装工程）次に、図４は、レーザダイオードチップ６
１、６２の切り出しおよび実装工程を示す工程図であ
り、図５は、第２のレーザダイオードチップの切り出し
工程を示す説明図である。これらの図を参照して、第１
および第２のレーザダイオードチップ６１、６２をウエ
ハから切り出す工程および、切り出した後の各レーザダ
イオードチップをサブマウント基板７０に実装する工程
を説明する。

【００４８】まず、図４に示すように、複数の第１のレ
ーザダイオードチップ６１が格子状に作り込まれた第１
のウエハ６１Ｗと、複数の第２のレーザダイオードチッ
プ６１が格子状に作り込まれた第２のウエハ６２Ｗを製
作する。

【００４９】工程ＳＴ１において、第１のウエハ６１Ｗ
および第２のウエハ６２Ｗを、そこに作り込まれている
各レーザダイオードチップの出射面６１２、６２２を結
ぶラインに沿って一次劈開を行う。この一次劈開によ
り、第１のウエハ６１Ｗは、レーザダイオードチップが
横に一列に並んだ複数本の第１のチップバー６１Ｂに分
離される。同様に、第２のウエハ６２Ｗもレーザダイオ
ードチップが横に一列に並んだ複数本の第２のチップバ
ー６２Ｂに分離される。

【００５０】工程ＳＴ２では、第１のチップバー６１Ｂ
および第２のチップバー６２Ｂの劈開面に有機膜を蒸着
してコーティングする。この後は、第１のバー６１Ｂお
よび第２のバー６２Ｂを別工程で素子サイズに切り分け
る。

【００５１】まず、第１のチップバー６１Ｂを構成して
いるレーザダイオードチップ６１は、ＡｌＧａＡｓ系
（波長７８０ｎｍ帯）のレーザダイオードチップであ
り、結晶方向が上下面６１１、６１６に対して垂直であ
る。したがって、工程ＳＴ３において、各レーザダイオ
ードチップの側面に沿って二次劈開すると、上下面６１
１、６１６に対して垂直に劈開され、上下面に垂直な側
面（劈開面）６１３、６１５を備えたレーザダイオード
チップ６１に切り分けられる。

【００５２】一方、第２のチップバー６２Ｂを構成して
いる第２のレーザダイオードチップ６２は、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系（波長６５０ｎｍ帯）のレーザダイオードチップ
であり、結晶方向が上下面６２１、６２６に垂直な方向
から傾斜している。したがって、各レーザダイオードチ
ップの側面に沿って二次劈開すると、上下の面に対して
垂直方向から傾斜した方向に劈開され、上下面に対して
傾斜した側面（劈開面）を備えたレーザダイオードに切
り分けられる。

【００５３】前述のように、レーザダイオードチップ６
２の側面にはその上下面に垂直な垂直面部分６２３ａ、
６２５ａが形成されており、この部分を利用して、レー
ザダイオードチップ６２の光軸に直交する方向の位置決
めが行われるようになっている。本例では、次のように
して、かかる垂直面部分を形成している。

【００５４】すなわち、チップバー６２Ｂから第２のレ
ーザダイオードチップ６２を切り出す工程においては、
まず、工程ＳＴ４において、チップバー６２Ｂの下面６
２１の側からダイシング刃Ｄにより所定深さの切り込み
を、各レーザダイオードチップ６２の間に入れる。この
ダイシングによって垂直面部分６２３ａ、６２５ａが形
成される（図５（ａ））。

【００５５】ここで、切り込みの深さＦは、位置決め用
突起である第２の凸部８２に対して十分な幅で面接触す
る垂直面部分を形成できるような寸法とすればよい。さ
らには、第２のレーザダイオードチップ６２の活性層を
電気的に分離可能な深さまで切り込みを入れることが望
ましい。このようにすれば、チップバーの状態のまま
で、電気的に各レーザダイオードチップを分離状態にで
きるので、この状態で各レーザダイオードチップに給電
することにより、個々のレーザダイオードチップを独立
して動作させることができる。よって、特性検査、信頼
性検査、スクリーニングなどの検査工程を、個々のレー
ザダイオードチップに分離する前に行うことができる。

【００５６】次に、工程ＳＴ５において、チップバー６
２Ｂを、その下面に入れた各切り込みの先端から二次劈
開する。この結果、各レーザダイオードチップ６２が、
それらの下面６２１に垂直な方向から傾斜した方向に延
びる劈開面Ｈで切り分けられる（図５（ｂ）参照）。こ
れにより、図５（ｃ）に示すように、各レーザダイオー
ドチップ６２の側面６２３には、垂直面部分６２３ａ
と、これに連続した傾斜面部分（劈開面部分）６２３ｂ
が形成される。同様に、他方の側面６２５にも、垂直面
部分６２５ａと、これに連続した傾斜面部分（劈開面部
分）６２５ｂが形成される。

【００５７】最後に、図４の工程ＳＴ６において、工程
ＳＴ３で素子サイズに切り分けられた第１のレーザダイ
オードチップ６１と、工程ＳＴ５で素子サイズに切り分
けられた第２のレーザダイオードチップ６２とをサブマ
ウント７０に実装する。実装時には、図３に示したよう
に、第１のレーザダイオードチップ６１の出射面６１２
および側面６１３を位置決め用突起である第１の凸部８
１および第２の凸部８２に押付け、第２のレーザダイオ
ードチップ６２の出射面６２２および側面６２５におけ
る垂直面部分６２５ａを位置決め用突起である第３の凸
部８３および第２の凸部８２に押付けて位置決めする。
これらの出射面６１２、側面６１３、出射面６２２およ
び側面６２５の垂直面部分６２５ａは、各位置決め面に
面接触しているので、第１および第２のレーザダイオー
ドチップ６１、６２を安定した状態で確実に位置決めで
きる。

【００５８】以上説明したように、本例の光ピックアッ
プ装置１の光源装置９では、第２のレーザダイオードチ
ップ６２の下面に垂直な面に対して傾斜した側面を規定
している二次劈開面の一部に下面に垂直な垂直面部分６
２５ａを形成してある。よって、この垂直面部分６２５
ａをサブマウント基板７０に形成された位置決め突起の
位置決め面に面接触させることができるので、第２のレ
ーザダイオードチップ６２を確実に位置決めできる。

【００５９】なお、上下の面に垂直な面に対して傾斜し
た劈開面によって側面が規定されているものであれば、
レーザダイオードチップに限らず、フォトダイオードや
発光ダイオードにも本発明を適用して、位置決め用の垂
直面部分を形成することができる。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、側面
が上下の面に対して垂直方向から傾斜した劈開面によっ
て規定されているレーザダイオードチップに、上下の面
に垂直な位置決め用の垂直面部分を形成するようにして
いる。したがって、本発明によるレーザダイオードチッ
プを用いれば、基板上に形成された位置決め用突起の位
置決め面に対して垂直面部分を面接触状態で押し付ける
ことができるので、レーザダイオードチップを安定した
状態で位置決めすることができる。

【００６１】また、本発明のレーザダイオードチップの
製造方法では、レーザダイオードチップが横並び状態で
一列に連結されたチップバーから各レーザダイオードチ
ップを二次劈開により切り出す工程に先立って、チップ
バーの下面にダイシングにより所定の切り込みを入れる
ようにしている。よって、位置決め用の垂直面部分を各
レーザダイオードチップの側面に簡単に形成することが
できる。

【００６２】さらに、この切り込み深さをレーザダイオ
ードチップの活性層を電気的に分離可能な寸法とすれ
ば、チップバーの状態において、個々のレーザダイオー
ドチップの性能検査などを行うことができるので便利で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明を適用した光源
装置が搭載される光ピックアップ装置の一例を示す平面
図および断面図である。

【図２】（ａ）および（ｂ）は、図１に示す光源装置の
平面図および部品ホルダに取り付けられた光学部品を示
す斜視図である。

【図３】図１に示す光源装置における第１および第２の
レーザダイオードチップの位置決め機構を示すための斜
視図である。

【図４】第１および第２のレーザダイオードチップの切
り出し工程および実装工程を示す工程図である。

【図５】図４における第２のレーザダイオードチップの
切り出し工程を示す説明図である。

【図６】（ａ）ないし（ｅ）は、それぞれ従来の光源装
置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 光ピックアップ装置 ２ 光記録媒体 ９ 光源装置 １０ 半導体基板 １３ 受光素子 １７ 対物レンズ駆動機構 １８ 対物レンズ ６１ 第１のレーザダイオードチップ ６２ 第２のレーザダイオードチップ ７０ サブマウント基板 ８１ 第１の凸部（位置決め用突起） ８２ 第２の凸部（位置決め用突起） ８３ 第３の凸部（位置決め用突起） ６１１、６２１ 下面 ６１２、６２２ 前方出射面 ６１４、６２４ 後方出射面 ６１３、６１５、６２３、６２５ 側面 ６２３ａ、６２５ａ 垂直面部分 ６２３ｂ、６２５ｂ 傾斜面部分（劈開面部分） ６１６、６２６、７００ 上面 ８１ａ、８２ａ、８３ａ 後側側面（位置決め面） ８２ａ、８２ｂ 側面（位置決め面） Ｌ１ 第１のレーザ光 Ｌ２ 第２のレーザ光 Ｓ１ 第１の前方発光点 Ｓ２ 第２の前方発光点 Ｆ 切り込み深さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 久寛 長野県諏訪郡原村10801番地の２ 株式会 社三協精機製作所諏訪南工場内 Ｆターム(参考） 5D119 AA39 CA09 FA05 FA17 FA35 5F073 BA05 CA04 CA13 DA32 DA35 EA06 EA29

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、この基板の表面に搭載されたレ
   ーザダイオードチップと、このレーザダイオードチップ
   を位置決めするために前記基板の表面に形成された位置
   決め用突起とを有する光源装置において、 前記位置決め用突起は、前記基板の表面から垂直に延び
   る位置決め面を備えており、 前記レーザダイオードチップの少なくとも一方の側面
   は、その上下の面に対して垂直な方向から傾斜した方向
   に延びる劈開面部分と、この劈開面部分に連続している
   と共に上下の面に対して垂直な垂直面部分とを備えてお
   り、 前記垂直面部分を前記位置決め用突起の前記位置決め面
   に当接させることにより、前記レーザダイオードチップ
   が位置決めされていることを特徴とする光源装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記垂直面部分は、前記レーザダイオードチップの前記
   下面の側に形成されていることを特徴とする光源装置。
3. 【請求項３】 請求項２において、 前記レーザダイオードチップの双方の側面が、前記垂直
   面部分および前記劈開面部分を備えていることを特徴と
   する光源装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のうちのいずれかの項
   において、 前記レーザダイオードチップは、６５０ｎｍ波長帯域の
   ＡｌＧａＩｎＰ系レーザダイオードチップであることを
   特徴とする光源装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のうちのいずれかの項
   に記載のレーザダイオードチップ。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のレーザダイオードチッ
   プの製造方法であって、 複数のレーザダイオードチップが作り込まれたウエハ
   を、その一次劈開面に沿って割ることにより、複数の前
   記レーザダイオードチップが横に一列に並んだチップバ
   ーを切り出す第１の劈開工程と、 前記チップバーの下面から、各レーザダイオードチップ
   の間に、当該下面に垂直な所定の深さの切り込みを入れ
   る切込み工程と、 各切り込みの底から前記チップバーを二次劈開面に沿っ
   て割ることにより各レーザダイオードチップを切り出す
   第２の劈開工程とを備えていることを特徴とするレーザ
   ダイオードチップの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６において、 前記切込み工程における各切り込みを、各レーザダイオ
   ードチップの活性層を電気的に分離可能な深さまで行う
   ことを特徴とするレーザダイオードチップの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７において、 前記切り込み工程後に、各レーザダイオードチップを切
   り出すのに先立って、各レーザダイオードチップの特性
   検査、信頼性検査、スクリーニングのうち少なくとも一
   つを行う検査工程を有していることを特徴とするレーザ
   ダイオードチップの製造方法。