JPH09214037A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH09214037A JPH09214037A JP3894296A JP3894296A JPH09214037A JP H09214037 A JPH09214037 A JP H09214037A JP 3894296 A JP3894296 A JP 3894296A JP 3894296 A JP3894296 A JP 3894296A JP H09214037 A JPH09214037 A JP H09214037A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 帰還ビームが光ピックアップに再入射しない
ように帰還ビームを反射する面をサブマウントの端面に
形成した半導体レーザ装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 サブマウント３は、上記半導体レーザ素
子２からのレーザビームの出射方向側の端面３Ｂのレー
ザビーム７Ｃが帰還する位置に、帰還するレーザビーム
７Ｃの進行方向に対して所定の角度傾斜した傾斜部４を
端面３Ｂより突出するように形成してある。厚みが薄い
第１のダイシングソーを用いてサブマウント３の基板を
ハーフカットし、この第１のダイシングソーよりも厚み
が厚く先端部がＶ字形状を成す第２のダイシングソーを
用いて第１のダイシングソーでハーフカットした位置を
裏面からフルカットして端面３を形成する。
ように帰還ビームを反射する面をサブマウントの端面に
形成した半導体レーザ装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 サブマウント３は、上記半導体レーザ素
子２からのレーザビームの出射方向側の端面３Ｂのレー
ザビーム７Ｃが帰還する位置に、帰還するレーザビーム
７Ｃの進行方向に対して所定の角度傾斜した傾斜部４を
端面３Ｂより突出するように形成してある。厚みが薄い
第１のダイシングソーを用いてサブマウント３の基板を
ハーフカットし、この第１のダイシングソーよりも厚み
が厚く先端部がＶ字形状を成す第２のダイシングソーを
用いて第１のダイシングソーでハーフカットした位置を
裏面からフルカットして端面３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サブマウント上に
半導体レーザ素子を設けた半導体レーザ装置及びその製
造方法に関するものである。
半導体レーザ素子を設けた半導体レーザ装置及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光源から出力されるレーザビ
ームを回析格子を用いて３つのビームに分割してフォー
カスやトラッキングに使用する３ビーム方式の光ピック
アップが光ディスク装置で使用されている。このような
光ピックアップでは、光源として半導体レーザ装置が使
用されている。ところで、このような光ピックアップに
おいては、光ディスクから帰還してきたレーザビームを
偏光ビームスプリッタや非偏光ビームスプリッタ（ハー
フミラー等）を用いて反射させて光検出系に導いてい
る。しかしながら、帰還してきたレーザビームの全てが
ビームスプリッタで反射されるわけではなく、ビームス
プリッタを通過して光源側へも帰還してしまう。このよ
うにレーザビームが光源側に帰還し、更に光源内部の半
導体レーザ装置で反射して光ピックアップの光学システ
ムに再入射すると半導体レーザ素子から出射されたレー
ザビームと干渉を起こすため、トラッキング信号に悪影
響を及ぼすのである。
ームを回析格子を用いて３つのビームに分割してフォー
カスやトラッキングに使用する３ビーム方式の光ピック
アップが光ディスク装置で使用されている。このような
光ピックアップでは、光源として半導体レーザ装置が使
用されている。ところで、このような光ピックアップに
おいては、光ディスクから帰還してきたレーザビームを
偏光ビームスプリッタや非偏光ビームスプリッタ（ハー
フミラー等）を用いて反射させて光検出系に導いてい
る。しかしながら、帰還してきたレーザビームの全てが
ビームスプリッタで反射されるわけではなく、ビームス
プリッタを通過して光源側へも帰還してしまう。このよ
うにレーザビームが光源側に帰還し、更に光源内部の半
導体レーザ装置で反射して光ピックアップの光学システ
ムに再入射すると半導体レーザ素子から出射されたレー
ザビームと干渉を起こすため、トラッキング信号に悪影
響を及ぼすのである。
【０００３】そこで、図３に示すように、ビームスプリ
ッタを通過して帰還してきたレーザビーム（以下、帰還
レーザビームと記載する）２７が光ピックアップに再入
射しないように上記帰還レーザビーム２７を反射する面
２４を半導体レーザ素子２２やこの半導体レーザ素子２
２をマウントするヒートシンク２３に設けた半導体レー
ザ装置２１が実公平５−１９９７１号公報により開示さ
れている。なお、同図（Ａ）は、従来の半導体レーザ装
置の要部の斜視図であり、同図（Ｂ）は、図（Ａ）にお
ける一点鎖線Ｂ−Ｂを通る横断面の一部を示している。
また、同図において、２１は半導体レーザ装置、２２は
半導体レーザ素子、２３はヒートシンク、２４は帰還レ
ーザビーム２７が光ピックアップに再入射しないように
帰還レーザビームを反射する面、２７Ａ，２７Ｂ，２７
Ｃは、上記光ピックアップのビームスプリッタを通過し
て帰還してくる帰還レーザビームをそれぞれ示してい
る。
ッタを通過して帰還してきたレーザビーム（以下、帰還
レーザビームと記載する）２７が光ピックアップに再入
射しないように上記帰還レーザビーム２７を反射する面
２４を半導体レーザ素子２２やこの半導体レーザ素子２
２をマウントするヒートシンク２３に設けた半導体レー
ザ装置２１が実公平５−１９９７１号公報により開示さ
れている。なお、同図（Ａ）は、従来の半導体レーザ装
置の要部の斜視図であり、同図（Ｂ）は、図（Ａ）にお
ける一点鎖線Ｂ−Ｂを通る横断面の一部を示している。
また、同図において、２１は半導体レーザ装置、２２は
半導体レーザ素子、２３はヒートシンク、２４は帰還レ
ーザビーム２７が光ピックアップに再入射しないように
帰還レーザビームを反射する面、２７Ａ，２７Ｂ，２７
Ｃは、上記光ピックアップのビームスプリッタを通過し
て帰還してくる帰還レーザビームをそれぞれ示してい
る。
【０００４】以上のような構成にすることで、帰還レー
ザビーム２７Ａ，２７Ｃが半導体レーザ素子２２からの
出射レーザビームの出射方向２６と同一方向に反射され
ないようになるので、帰還レーザビームのトラッキング
信号への悪影響を低減させることができるのである。な
お、この半導体レーザ装置２１では、ヒートシンク２３
の端面（前面）２３Ａの帰還レーザビーム２７Ｃが集光
する位置に、刻印を打つ等して上述のような面２４を形
成している。
ザビーム２７Ａ，２７Ｃが半導体レーザ素子２２からの
出射レーザビームの出射方向２６と同一方向に反射され
ないようになるので、帰還レーザビームのトラッキング
信号への悪影響を低減させることができるのである。な
お、この半導体レーザ装置２１では、ヒートシンク２３
の端面（前面）２３Ａの帰還レーザビーム２７Ｃが集光
する位置に、刻印を打つ等して上述のような面２４を形
成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体レー
ザ装置においては、半導体レーザ素子２２をヒートシン
ク２３上に直接載せるものだけではなく、シリコン等か
ら成るサブマウントを介して半導体レーザ素子２２を載
せるものもある。ここで、上記帰還レーザビーム２７
Ａ，２７Ｂ，２７Ｃの間隔は、８０〜１００μｍであ
る。上記サブマウントは、通常、１００μｍ以上の厚み
を有するものを使用しているので、半導体レーザ素子２
２の下側に帰還レーザビーム２７Ｃは、サブマウント上
に集光することになる。したがって、このような半導体
レーザ装置においては、上述したような面２４をサブマ
ウント上に形成する必要がある。しかし、厚みが数百μ
ｍしかないサブマウントの端面に刻印等の加工を施すこ
とは非常に困難であり、生産性が悪くなってしまう。
ザ装置においては、半導体レーザ素子２２をヒートシン
ク２３上に直接載せるものだけではなく、シリコン等か
ら成るサブマウントを介して半導体レーザ素子２２を載
せるものもある。ここで、上記帰還レーザビーム２７
Ａ，２７Ｂ，２７Ｃの間隔は、８０〜１００μｍであ
る。上記サブマウントは、通常、１００μｍ以上の厚み
を有するものを使用しているので、半導体レーザ素子２
２の下側に帰還レーザビーム２７Ｃは、サブマウント上
に集光することになる。したがって、このような半導体
レーザ装置においては、上述したような面２４をサブマ
ウント上に形成する必要がある。しかし、厚みが数百μ
ｍしかないサブマウントの端面に刻印等の加工を施すこ
とは非常に困難であり、生産性が悪くなってしまう。
【０００６】そこで、本発明は上記の点に着目してなさ
れたものであり、帰還レーザビームが光ピックアップに
再入射しないように帰還レーザビームを反射する面をサ
ブマウントの端面に形成した半導体レーザ装置及びその
製造方法を提供することを目的とするものである。
れたものであり、帰還レーザビームが光ピックアップに
再入射しないように帰還レーザビームを反射する面をサ
ブマウントの端面に形成した半導体レーザ装置及びその
製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するための手段として、「サブマウント上に半導体レ
ーザ素子を設けた半導体レーザ装置において、前記サブ
マウントは、前記半導体レーザ素子からの出射レーザビ
ームの出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置
に、前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜
した面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形
成してあることを特徴とする半導体レーザ装置」を提供
しようとするものである。
成するための手段として、「サブマウント上に半導体レ
ーザ素子を設けた半導体レーザ装置において、前記サブ
マウントは、前記半導体レーザ素子からの出射レーザビ
ームの出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置
に、前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜
した面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形
成してあることを特徴とする半導体レーザ装置」を提供
しようとするものである。
【０００８】また、本発明は、上記目的を達成するため
の手段として、「半導体レーザ素子からの出射レーザビ
ームの出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置
に、前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜
した面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形
成したサブマウント上に前記半導体レーザ素子を設けた
半導体レーザ装置の製造方法であって、厚みが薄い第１
のダイシングソーを用いて前記サブマウントとなる基板
をその厚み方向の途中までカットする第１のカット工程
と、前記第１のダイシングソーよりも厚みが厚く先端部
がＶ字形状を成す第２のダイシングソーを用いて前記第
１のカット工程でカットした位置を前記第１のカット工
程でカットした面とは逆側の面からカットする第２のカ
ット工程とにより前記サブマウントの端面をカットする
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法」を提供
しようとするものである。
の手段として、「半導体レーザ素子からの出射レーザビ
ームの出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置
に、前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜
した面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形
成したサブマウント上に前記半導体レーザ素子を設けた
半導体レーザ装置の製造方法であって、厚みが薄い第１
のダイシングソーを用いて前記サブマウントとなる基板
をその厚み方向の途中までカットする第１のカット工程
と、前記第１のダイシングソーよりも厚みが厚く先端部
がＶ字形状を成す第２のダイシングソーを用いて前記第
１のカット工程でカットした位置を前記第１のカット工
程でカットした面とは逆側の面からカットする第２のカ
ット工程とにより前記サブマウントの端面をカットする
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法」を提供
しようとするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施例を説明する。図１は、本発明の半導体レーザ
装置の要部の構造を示す図である。なお、同図（Ａ）
は、要部の斜視図であり、同図（Ｂ）は、図（Ａ）にお
ける一点鎖線Ａ−Ａを通る縦断面の一部を示している。
同図に示すように、本実施例の半導体レーザ装置１は、
半導体レーザ素子２がシリコン等から成るサブマウント
３の上面部３Ａ上に、レーザビームの出射部２Ａを下側
にしてボンディングされた構造になっており、サブマウ
ント３の下面部３Ｃが金属製のリードフレーム（図示せ
ず）上にボンディングされる。
の一実施例を説明する。図１は、本発明の半導体レーザ
装置の要部の構造を示す図である。なお、同図（Ａ）
は、要部の斜視図であり、同図（Ｂ）は、図（Ａ）にお
ける一点鎖線Ａ−Ａを通る縦断面の一部を示している。
同図に示すように、本実施例の半導体レーザ装置１は、
半導体レーザ素子２がシリコン等から成るサブマウント
３の上面部３Ａ上に、レーザビームの出射部２Ａを下側
にしてボンディングされた構造になっており、サブマウ
ント３の下面部３Ｃが金属製のリードフレーム（図示せ
ず）上にボンディングされる。
【００１０】また、上記サブマウント３は、上記半導体
レーザ素子２からの出射レーザビームの出射方向側（同
図中左から右側で示す矢印６）の端面３Ｂの帰還レーザ
ビーム７Ｃが集光する位置に、この帰還レーザビーム７
Ｃの進行方向に対して傾斜した面である傾斜部４を端面
３Ｂより突出するように形成してある。即ち、上述のよ
うに帰還レーザビーム２７の間隔は８０〜１００μｍで
あるので、同図（Ｂ）に示すように、半導体レーザ素子
２の出射部２Ａの位置から傾斜部４の上部までの距離Ｈ
1 が８０μｍ以下で、傾斜部４の下部までの距離Ｈ2 が
１００μｍ以上の位置に、端面３Ｂに対して傾斜角θで
設けてある。なお、この傾斜角θは、帰還レーザビーム
２７Ｃが同一の方向に反射されないような角度（１５度
以上）であれば任意に選択可能である。このような傾斜
部４をサブマウント３の端面３Ｂに形成することで、半
導体レーザ素子２の下方に帰還してくる帰還レーザビー
ム７Ｃは、傾斜部４で反射されて下向きに方向を変える
ため、光ピックアップの光学システムに再度入射するこ
とがないのである。
レーザ素子２からの出射レーザビームの出射方向側（同
図中左から右側で示す矢印６）の端面３Ｂの帰還レーザ
ビーム７Ｃが集光する位置に、この帰還レーザビーム７
Ｃの進行方向に対して傾斜した面である傾斜部４を端面
３Ｂより突出するように形成してある。即ち、上述のよ
うに帰還レーザビーム２７の間隔は８０〜１００μｍで
あるので、同図（Ｂ）に示すように、半導体レーザ素子
２の出射部２Ａの位置から傾斜部４の上部までの距離Ｈ
1 が８０μｍ以下で、傾斜部４の下部までの距離Ｈ2 が
１００μｍ以上の位置に、端面３Ｂに対して傾斜角θで
設けてある。なお、この傾斜角θは、帰還レーザビーム
２７Ｃが同一の方向に反射されないような角度（１５度
以上）であれば任意に選択可能である。このような傾斜
部４をサブマウント３の端面３Ｂに形成することで、半
導体レーザ素子２の下方に帰還してくる帰還レーザビー
ム７Ｃは、傾斜部４で反射されて下向きに方向を変える
ため、光ピックアップの光学システムに再度入射するこ
とがないのである。
【００１１】また、上記半導体レーザ素子２は、その厚
みＤが８０μｍ以下とされている。したがって、半導体
レーザ素子２の上側に集光する帰還レーザビーム７Ａに
ついては、半導体レーザ素子２により反射されることな
く半導体レーザ素子２の上部を通過することになるの
で、この帰還レーザビーム２７Ａについても光ピックア
ップの光学システムに再度入射することがないのであ
る。このように、上記半導体レーザ装置１は、帰還レー
ザビームが光学システムに再度入射することがないよう
に構成してあるので、トラッキング信号への悪影響を低
減させることができる。
みＤが８０μｍ以下とされている。したがって、半導体
レーザ素子２の上側に集光する帰還レーザビーム７Ａに
ついては、半導体レーザ素子２により反射されることな
く半導体レーザ素子２の上部を通過することになるの
で、この帰還レーザビーム２７Ａについても光ピックア
ップの光学システムに再度入射することがないのであ
る。このように、上記半導体レーザ装置１は、帰還レー
ザビームが光学システムに再度入射することがないよう
に構成してあるので、トラッキング信号への悪影響を低
減させることができる。
【００１２】次に、上記半導体レーザ装置１の製造方法
について説明する。なお、上記半導体レーザ装置１の製
造方法では、上記サブマウント３の端面３Ｂを形成する
工程だけが従来と異なるので、以下の説明ではその部分
を説明し、それ以外の工程については説明を省略する。
図２は、図１における半導体レーザ装置の製造方法の一
部を示す図である。最初に、同図（Ａ）に示すように、
上記サブマウント３となる基板１１をダイシングするた
めに、固定台１３の上に粘着テープ１２等により基板１
１を固定する。次に、同図（Ｂ）に示すように、上記基
板１１の一方の表面１１Ａを、厚みが２５μｍ程度の第
１のダイシングソー１４を用いて５０μｍの深さでハー
フカットを行う（第１のカット工程）。なお、最後に形
成する溝１５は、基板１１の厚み方向にフルカットす
る。これは、裏面をダイシングする際の基準線１５であ
り、基板のへき開面を示すオリフラを利用すれば比較的
長い基準線１５を得ることができる。
について説明する。なお、上記半導体レーザ装置１の製
造方法では、上記サブマウント３の端面３Ｂを形成する
工程だけが従来と異なるので、以下の説明ではその部分
を説明し、それ以外の工程については説明を省略する。
図２は、図１における半導体レーザ装置の製造方法の一
部を示す図である。最初に、同図（Ａ）に示すように、
上記サブマウント３となる基板１１をダイシングするた
めに、固定台１３の上に粘着テープ１２等により基板１
１を固定する。次に、同図（Ｂ）に示すように、上記基
板１１の一方の表面１１Ａを、厚みが２５μｍ程度の第
１のダイシングソー１４を用いて５０μｍの深さでハー
フカットを行う（第１のカット工程）。なお、最後に形
成する溝１５は、基板１１の厚み方向にフルカットす
る。これは、裏面をダイシングする際の基準線１５であ
り、基板のへき開面を示すオリフラを利用すれば比較的
長い基準線１５を得ることができる。
【００１３】次に、上記表面１１Ａの裏面１１Ｂをダイ
シングするために上記基板１１を転写して裏面１１Ｂ側
を上にする。そして、同図（Ｃ）に示すように、厚みが
１００μｍで先端部分が狭角２θのＶ字形状になってい
る第２のダイシングソー１６を用い、上記基準線１５を
基準にして上記第１のカット工程でカットした位置を基
板１１の裏面１１Ｂ側からカットする（第２カット工
程）。この第２のダイシングソー１６で切る深さは、ソ
ーの先端が先ほど表面からハーフカットした先端に届く
深さとする。また、上記帰還レーザビーム７Ｃ（図
（１）参照）は、半導体レーザ素子２の出射部２Ａから
８０〜１００ｕｍ下方に集光するので、上記第２のダイ
シングソー１６は、その先端部分のＶ字形状の傾斜部分
の辺の長さが１００μｍ以上のものを使用する。更に、
Ｖ字形状の狭角２θは、帰還レーザビーム７Ｃが光ピッ
クアップ光学系に再度戻らないような角度（３０度以
上）であれば任意に選択できる。そして、以上のような
第１のカット工程と第２のカット工程とにより、サブマ
ウント３の端面３Ｂの部分がカットされることになる。
また、端面３Ｂのカットと同時に傾斜部４が形成される
ことになる。
シングするために上記基板１１を転写して裏面１１Ｂ側
を上にする。そして、同図（Ｃ）に示すように、厚みが
１００μｍで先端部分が狭角２θのＶ字形状になってい
る第２のダイシングソー１６を用い、上記基準線１５を
基準にして上記第１のカット工程でカットした位置を基
板１１の裏面１１Ｂ側からカットする（第２カット工
程）。この第２のダイシングソー１６で切る深さは、ソ
ーの先端が先ほど表面からハーフカットした先端に届く
深さとする。また、上記帰還レーザビーム７Ｃ（図
（１）参照）は、半導体レーザ素子２の出射部２Ａから
８０〜１００ｕｍ下方に集光するので、上記第２のダイ
シングソー１６は、その先端部分のＶ字形状の傾斜部分
の辺の長さが１００μｍ以上のものを使用する。更に、
Ｖ字形状の狭角２θは、帰還レーザビーム７Ｃが光ピッ
クアップ光学系に再度戻らないような角度（３０度以
上）であれば任意に選択できる。そして、以上のような
第１のカット工程と第２のカット工程とにより、サブマ
ウント３の端面３Ｂの部分がカットされることになる。
また、端面３Ｂのカットと同時に傾斜部４が形成される
ことになる。
【００１４】次に、再度転写して、サブマウント３の側
面となる部分をフルカットして個々に切り離す（同図
（Ｄ））ことで、上記サブマウント３が作製される。そ
して、上記半導体レーザ素子２を上記切り出したサブマ
ウント３の上面３Ａ上にボンディングする。この時、半
導体レーザ素子２の出射部２Ａをサブマウント３の端面
３Ｂ側に向ける。
面となる部分をフルカットして個々に切り離す（同図
（Ｄ））ことで、上記サブマウント３が作製される。そ
して、上記半導体レーザ素子２を上記切り出したサブマ
ウント３の上面３Ａ上にボンディングする。この時、半
導体レーザ素子２の出射部２Ａをサブマウント３の端面
３Ｂ側に向ける。
【００１５】以上説明したように、上記傾斜部４は、サ
ブマウント３の基板１１をカットする工程を利用して形
成する。このため、基板１１の状態から切り出した後に
微小な面（サブマウント端面）へのフォトリソ工程など
は必要なく、非常に簡単に傾斜部４を形成することがで
きる。また、上記の製造方法を用いれば、製品良否の判
定も基板状態で確認可能であり、更に、基板状態からの
切り出しが最終工程となるために、製品がバラバラにな
らず特性の良不良の選別が容易にできる。
ブマウント３の基板１１をカットする工程を利用して形
成する。このため、基板１１の状態から切り出した後に
微小な面（サブマウント端面）へのフォトリソ工程など
は必要なく、非常に簡単に傾斜部４を形成することがで
きる。また、上記の製造方法を用いれば、製品良否の判
定も基板状態で確認可能であり、更に、基板状態からの
切り出しが最終工程となるために、製品がバラバラにな
らず特性の良不良の選別が容易にできる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザ装置によれば、サブマウント上に半導体レーザ素子を
設けた半導体レーザ装置において、前記サブマウント
は、前記半導体レーザ素子からの出射レーザビームの出
射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置に、前記
帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜した面で
ある傾斜部を前記端面よりも突出するように形成してあ
るので、上記傾斜部により、帰還してきたレーザビーム
が半導体レーザ素子からの出射レーザビームの出射方向
と同一方向に反射されず、帰還レーザビームが光ピック
アップに再入射しなくなる。したがって、本発明の半導
体レーザ装置を光ディスク装置における３ビーム方式の
光ピックアップの光源として用いれば、トラッキング信
号への悪影響を低減させることができる。
ザ装置によれば、サブマウント上に半導体レーザ素子を
設けた半導体レーザ装置において、前記サブマウント
は、前記半導体レーザ素子からの出射レーザビームの出
射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置に、前記
帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜した面で
ある傾斜部を前記端面よりも突出するように形成してあ
るので、上記傾斜部により、帰還してきたレーザビーム
が半導体レーザ素子からの出射レーザビームの出射方向
と同一方向に反射されず、帰還レーザビームが光ピック
アップに再入射しなくなる。したがって、本発明の半導
体レーザ装置を光ディスク装置における３ビーム方式の
光ピックアップの光源として用いれば、トラッキング信
号への悪影響を低減させることができる。
【００１７】また、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法によれば、半導体レーザ素子からの出射レーザビーム
の出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置に、
前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜した
面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形成し
たサブマウント上に前記半導体レーザ素子を設けた半導
体レーザ装置の製造方法であって、厚みが薄い第１のダ
イシングソーを用いて前記サブマウントとなる基板をそ
の厚み方向の途中までカットする第１のカット工程と、
前記第１のダイシングソーよりも厚みが厚く先端部がＶ
字形状を成す第２のダイシングソーを用いて前記第１の
カット工程でカットした位置を前記第１のカット工程で
カットした面とは逆側の面からカットする第２のカット
工程とにより前記サブマウントの端面をカットするの
で、帰還レーザビームが光ピックアップに際入射しない
ように帰還レーザビームを反射する構造を有する上記サ
ブマウントを簡単に作製でき、生産性の向上を図ること
ができる。
法によれば、半導体レーザ素子からの出射レーザビーム
の出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置に、
前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜した
面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形成し
たサブマウント上に前記半導体レーザ素子を設けた半導
体レーザ装置の製造方法であって、厚みが薄い第１のダ
イシングソーを用いて前記サブマウントとなる基板をそ
の厚み方向の途中までカットする第１のカット工程と、
前記第１のダイシングソーよりも厚みが厚く先端部がＶ
字形状を成す第２のダイシングソーを用いて前記第１の
カット工程でカットした位置を前記第１のカット工程で
カットした面とは逆側の面からカットする第２のカット
工程とにより前記サブマウントの端面をカットするの
で、帰還レーザビームが光ピックアップに際入射しない
ように帰還レーザビームを反射する構造を有する上記サ
ブマウントを簡単に作製でき、生産性の向上を図ること
ができる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の要部の構造の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１における半導体レーザ装置の製造方法の一
部を示す図である。
部を示す図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置の要部の構造の一例を
示す図である。
示す図である。
１ 半導体レーザ装置 ２ 半導体レーザ素子 ３ サブマウント ３Ｂ サブマウント端面 ４ 傾斜部 ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ 帰還レーザビーム １１ 基板 １４ 第１のダイシングソー １６ 第２のダイシングソー
Claims (2)
- 【請求項１】サブマウント上に半導体レーザ素子を設け
た半導体レーザ装置において、 前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子からの出射
レーザビームの出射方向側の端面のレーザビームが帰還
する位置に、前記帰還するレーザビームの進行方向に対
して傾斜した面である傾斜部を前記端面よりも突出する
ように形成してあることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】半導体レーザ素子からの出射レーザビーム
の出射方向側の端面のレーザビームが帰還する位置に、
前記帰還するレーザビームの進行方向に対して傾斜した
面である傾斜部を前記端面よりも突出するように形成し
たサブマウント上に前記半導体レーザ素子を設けた半導
体レーザ装置の製造方法であって、 厚みが薄い第１のダイシングソーを用いて前記サブマウ
ントとなる基板をその厚み方向の途中までカットする第
１のカット工程と、 前記第１のダイシングソーよりも厚みが厚く先端部がＶ
字形状を成す第２のダイシングソーを用いて前記第１の
カット工程でカットした位置を前記第１のカット工程で
カットした面とは逆側の面からカットする第２のカット
工程とにより前記サブマウントの端面をカットすること
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3894296A JPH09214037A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3894296A JPH09214037A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214037A true JPH09214037A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12539288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3894296A Pending JPH09214037A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214037A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804276B2 (en) | 2000-09-19 | 2004-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device which removes influences from returning light of three beams and a method of manufacturing the same |
| WO2009104545A1 (ja) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | アルプス電気株式会社 | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JP2019186554A (ja) * | 2018-04-17 | 2019-10-24 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光送信モジュール |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP3894296A patent/JPH09214037A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804276B2 (en) | 2000-09-19 | 2004-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device which removes influences from returning light of three beams and a method of manufacturing the same |
| WO2009104545A1 (ja) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | アルプス電気株式会社 | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JP2019186554A (ja) * | 2018-04-17 | 2019-10-24 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光送信モジュール |
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