JP3294379B2 - 受発光素子 - Google Patents
受発光素子Info
- Publication number
- JP3294379B2 JP3294379B2 JP13343593A JP13343593A JP3294379B2 JP 3294379 B2 JP3294379 B2 JP 3294379B2 JP 13343593 A JP13343593 A JP 13343593A JP 13343593 A JP13343593 A JP 13343593A JP 3294379 B2 JP3294379 B2 JP 3294379B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- semiconductor
- light receiving
- concave portion
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置、光
ディスク装置等に用いることができる受発光素子に関す
るものである。
ディスク装置等に用いることができる受発光素子に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】受発光素子の従来例としては、例えば図
３に示すものがある。この従来例の受発光素子は、「第
４０回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-c-
12」に記載されたものであり、受光素子２１を拡散した
シリコン基板２２上に、斜面の１つ（２３ａ）が４５°
をなす凹部２３を形成し、凹部２３内に半導体レーザ２
４を装着した構造を有している。
３に示すものがある。この従来例の受発光素子は、「第
４０回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-c-
12」に記載されたものであり、受光素子２１を拡散した
シリコン基板２２上に、斜面の１つ（２３ａ）が４５°
をなす凹部２３を形成し、凹部２３内に半導体レーザ２
４を装着した構造を有している。
【０００３】上記４５°をなす斜面２３ａはマイクロミ
ラーの役割を果たす。すなわち、半導体レーザ２４から
シリコン半導体基板２２と平行をなす方向（水平方向）
に出射した光は、斜面２３ａでシリコン基板に対し垂直
方向に反射される。このようにして、実質的に面発光レ
ーザとして使用し得るとともに受光素子を具える、受発
光素子を構成している。
ラーの役割を果たす。すなわち、半導体レーザ２４から
シリコン半導体基板２２と平行をなす方向（水平方向）
に出射した光は、斜面２３ａでシリコン基板に対し垂直
方向に反射される。このようにして、実質的に面発光レ
ーザとして使用し得るとともに受光素子を具える、受発
光素子を構成している。
【０００４】また、他の従来例としては、複数のレーザ
ダイオードをモノリシックに集積化したマルチビーム半
導体レーザが特開平3-187285号公報に開示されている
他、３つの半導体レーザを各々の発光点位置をずらして
サブマウント上にハイブリッドに集積化した半導体レー
ザ装置が特開平3-112184号公報に開示されている。
ダイオードをモノリシックに集積化したマルチビーム半
導体レーザが特開平3-187285号公報に開示されている
他、３つの半導体レーザを各々の発光点位置をずらして
サブマウント上にハイブリッドに集積化した半導体レー
ザ装置が特開平3-112184号公報に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記「第４０回応用物
理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-c-12」に記載さ
れた従来例は、半導体レーザを１つしか設けていないの
で、複数の半導体レーザを比較的接近させて三次元的に
配置する必要がある場合に応用することができない。ま
た、特開平3-187285号公報に開示された従来例は、光軸
に対して垂直な直線上に発光点を配置しなければならな
いという配置上の制約がある。
理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-c-12」に記載さ
れた従来例は、半導体レーザを１つしか設けていないの
で、複数の半導体レーザを比較的接近させて三次元的に
配置する必要がある場合に応用することができない。ま
た、特開平3-187285号公報に開示された従来例は、光軸
に対して垂直な直線上に発光点を配置しなければならな
いという配置上の制約がある。
【０００６】また、特開平3-112184号公報に開示された
従来例は、発光点を三次元的に配置することはできる
が、サブマウント上にハイブリッドに集積化した３つの
半導体レーザの内の中心の半導体レーザを基準にして他
の２つの半導体レーザを位置決めしているので、３つの
半導体レーザをある程度の距離を隔てて位置決めする場
合、位置決め精度が低下してしまう。さらに、この従来
例は各半導体レーザの基板の厚さの相違を利用してサブ
マウント上の３つの半導体レーザの光軸に対する垂直方
向の位置決めを行っているので、光軸に対する垂直方向
の位置決め精度が基板の製造精度に左右されて低下して
しまう。さらに、上記特開平3-187285号公報および特開
平3-112184号公報の従来例は、独立の素子である半導体
レーザおよび受光素子を組み合わせているので、半導体
レーザおよび受光素子間の位置決めで所望の精度を得る
ことが難しい。
従来例は、発光点を三次元的に配置することはできる
が、サブマウント上にハイブリッドに集積化した３つの
半導体レーザの内の中心の半導体レーザを基準にして他
の２つの半導体レーザを位置決めしているので、３つの
半導体レーザをある程度の距離を隔てて位置決めする場
合、位置決め精度が低下してしまう。さらに、この従来
例は各半導体レーザの基板の厚さの相違を利用してサブ
マウント上の３つの半導体レーザの光軸に対する垂直方
向の位置決めを行っているので、光軸に対する垂直方向
の位置決め精度が基板の製造精度に左右されて低下して
しまう。さらに、上記特開平3-187285号公報および特開
平3-112184号公報の従来例は、独立の素子である半導体
レーザおよび受光素子を組み合わせているので、半導体
レーザおよび受光素子間の位置決めで所望の精度を得る
ことが難しい。
【０００７】本発明は、上述した問題に鑑みてなされた
ものであり、複数の半導体レーザの発光点が三次元的に
配置され、半導体レーザ間の位置決め精度および半導体
レーザと受光素子間の位置決め精度が良好になる受発光
素子を提供することを目的とする。
ものであり、複数の半導体レーザの発光点が三次元的に
配置され、半導体レーザ間の位置決め精度および半導体
レーザと受光素子間の位置決め精度が良好になる受発光
素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、受
光素子および凹部が形成された半導体基板と、前記凹部
に設けられた半導体レーザとより成る受発光素子におい
て、前記凹部は、斜面部を有するようにエッチングによ
り形成された第１の深さ寸法から成る第１の凹部および
斜面部を有するようにエッチングにより形成された前記
第１の深さ寸法とは異なる第２の深さ寸法から成る第２
の凹部の少なくとも２つの凹部から成り、前記第１の凹
部の底面に第１の半導体レーザが設けられ、前記第２の
凹部の底面に第２の半導体レーザが設けられ、前記第１
の半導体レーザと前記第２の半導体レーザとから出射し
た光は前記各凹部の斜面部によって反射されるようにし
たことを特徴とするものである。
光素子および凹部が形成された半導体基板と、前記凹部
に設けられた半導体レーザとより成る受発光素子におい
て、前記凹部は、斜面部を有するようにエッチングによ
り形成された第１の深さ寸法から成る第１の凹部および
斜面部を有するようにエッチングにより形成された前記
第１の深さ寸法とは異なる第２の深さ寸法から成る第２
の凹部の少なくとも２つの凹部から成り、前記第１の凹
部の底面に第１の半導体レーザが設けられ、前記第２の
凹部の底面に第２の半導体レーザが設けられ、前記第１
の半導体レーザと前記第２の半導体レーザとから出射し
た光は前記各凹部の斜面部によって反射されるようにし
たことを特徴とするものである。
【０００９】本発明の受発光素子は、半導体基板に形成
する半導体レーザ設置用の凹部を、斜面部を有するよう
にエッチングにより形成された深さ寸法が異なる第１お
よび第２の凹部の少なくとも２つの凹部から成るように
したため、発光点相互間の三次元的な位置決めが、簡単
かつ高精度で実現できる利点がある。
する半導体レーザ設置用の凹部を、斜面部を有するよう
にエッチングにより形成された深さ寸法が異なる第１お
よび第２の凹部の少なくとも２つの凹部から成るように
したため、発光点相互間の三次元的な位置決めが、簡単
かつ高精度で実現できる利点がある。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき詳細
に説明する。図１は本発明の受発光素子の第１実施例の
構成を示す図であり、図中１は半導体基板を示す。半導
体基板１には、４つの受光素子２ａ〜２ｄと、第１の凹
部３と、第２の凹部４とが形成されている。前記第１の
凹部３および第２の凹部４はある程度の距離を隔てて配
置され、それらの中には第１の半導体レーザ５および第
２の半導体レーザ６が夫々装着されている。
に説明する。図１は本発明の受発光素子の第１実施例の
構成を示す図であり、図中１は半導体基板を示す。半導
体基板１には、４つの受光素子２ａ〜２ｄと、第１の凹
部３と、第２の凹部４とが形成されている。前記第１の
凹部３および第２の凹部４はある程度の距離を隔てて配
置され、それらの中には第１の半導体レーザ５および第
２の半導体レーザ６が夫々装着されている。
【００１１】上記第１の凹部３および第２の凹部４は、
半導体エッチング技術を用いて形成されたものである。
凹部３および４の、４つの斜面の内の少なくとも１つ
（この場合、図示上方の斜面）は基板面（凹部底面）に
対し４５°をなし、夫々、第１のマイクロミラー７およ
び第２のマイクロミラー８を形成している。
半導体エッチング技術を用いて形成されたものである。
凹部３および４の、４つの斜面の内の少なくとも１つ
（この場合、図示上方の斜面）は基板面（凹部底面）に
対し４５°をなし、夫々、第１のマイクロミラー７およ
び第２のマイクロミラー８を形成している。
【００１２】次に、この第１実施例の作用を説明する。
第１の半導体レーザ５および第２の半導体レーザ６から
水平方向（図１では紙面の下方から上方に向かう方向）
に出射された光は夫々、第１のマイクロミラー７および
第２のマイクロミラー８の４５°の斜面で反射されて、
半導体基板１に対し垂直方向（紙面の裏側から表側へ貫
通する方向）に出射される。これら出射光は何らかの反
射物体で反射され、受発光素子側へ戻って来た反射光は
対応する受光素子２ａ、２ｂおよび受光素子２ｃ、２ｄ
で受光される。その際、上述したように第１の凹部３、
第２の凹部４は、半導体エッチング技術を用いて形成さ
れているので、半導体基板１上において第１のマイクロ
ミラー７および第２のマイクロミラー８の位置決めが良
好な精度でなされ、マイクロミラー７、８および受光素
子２ａ、２ｂおよび２ｃ、２ｄ間の位置決めも良好な精
度でなされる。
第１の半導体レーザ５および第２の半導体レーザ６から
水平方向（図１では紙面の下方から上方に向かう方向）
に出射された光は夫々、第１のマイクロミラー７および
第２のマイクロミラー８の４５°の斜面で反射されて、
半導体基板１に対し垂直方向（紙面の裏側から表側へ貫
通する方向）に出射される。これら出射光は何らかの反
射物体で反射され、受発光素子側へ戻って来た反射光は
対応する受光素子２ａ、２ｂおよび受光素子２ｃ、２ｄ
で受光される。その際、上述したように第１の凹部３、
第２の凹部４は、半導体エッチング技術を用いて形成さ
れているので、半導体基板１上において第１のマイクロ
ミラー７および第２のマイクロミラー８の位置決めが良
好な精度でなされ、マイクロミラー７、８および受光素
子２ａ、２ｂおよび２ｃ、２ｄ間の位置決めも良好な精
度でなされる。
【００１３】したがって、第１の半導体レーザ５および
第２の半導体レーザ６を夫々、第１のマイクロミラー７
および第２のマイクロミラー８に対して位置決めするこ
とにより、半導体レーザ５および６は、ある程度の距離
を隔てて半導体基板上に配置したとき相互に自動的に精
度良く位置決めされ、さらに、半導体レーザ５および６
は、対応する受光素子２ａ、２ｂおよび受光素子２ｃ、
２ｄに対しても自動的に精度良く位置決めされる。
第２の半導体レーザ６を夫々、第１のマイクロミラー７
および第２のマイクロミラー８に対して位置決めするこ
とにより、半導体レーザ５および６は、ある程度の距離
を隔てて半導体基板上に配置したとき相互に自動的に精
度良く位置決めされ、さらに、半導体レーザ５および６
は、対応する受光素子２ａ、２ｂおよび受光素子２ｃ、
２ｄに対しても自動的に精度良く位置決めされる。
【００１４】なお、第１の凹部３と第２の凹部４との位
置関係および、マイクロミラー７、８と半導体レーザ
５、６の端面との間の距離は、図１に示したものに限定
されるものではなく、任意に変更することができる。そ
のような変更を行うことにより、複数（本実施例では２
つ）の半導体レーザを実質的に三次元的に配置すること
が可能となる。また、上記において、マイクロミラー
７、８と半導体レーザ５、６の端面との間の距離を変更
する代わりに、第１の凹部３および第２の凹部４の深さ
を異ならせてもよく、その場合も複数の半導体レーザを
実質的に三次元的に配置することが可能となる。
置関係および、マイクロミラー７、８と半導体レーザ
５、６の端面との間の距離は、図１に示したものに限定
されるものではなく、任意に変更することができる。そ
のような変更を行うことにより、複数（本実施例では２
つ）の半導体レーザを実質的に三次元的に配置すること
が可能となる。また、上記において、マイクロミラー
７、８と半導体レーザ５、６の端面との間の距離を変更
する代わりに、第１の凹部３および第２の凹部４の深さ
を異ならせてもよく、その場合も複数の半導体レーザを
実質的に三次元的に配置することが可能となる。
【００１５】なお、上記実施例においては凹部を２つ設
けているが、これに限定されるものではなく、２つ以上
設けてもよい。
けているが、これに限定されるものではなく、２つ以上
設けてもよい。
【００１６】図２は本発明の受発光素子の参考例の構成
を示す図であり、図中１１は半導体基板を示す。半導体
基板１１には、２つの受光素子１２ａ、１２ｂと、凹部
１３とが形成され、凹部１３内には互いに波長が異なる
第１の半導体レーザ１５および第２の半導体レーザ１６
が装着されている。
を示す図であり、図中１１は半導体基板を示す。半導体
基板１１には、２つの受光素子１２ａ、１２ｂと、凹部
１３とが形成され、凹部１３内には互いに波長が異なる
第１の半導体レーザ１５および第２の半導体レーザ１６
が装着されている。
【００１７】上記凹部１３は、半導体エッチング技術を
用いて形成されたものであり、その４つの斜面の内の少
なくとも１つ（この場合、図示上方の斜面）は基板面
（凹部底面）に対し４５°をなし、マイクロミラー１７
を形成している。このマイクロミラー１７から第１、第
２の半導体レーザ１５、１６の端面１５ａ、１６ａまで
の距離は図示のように異ならせてあるので、第１の半導
体レーザの端面１５ａと第２の半導体レーザの端面１６
ａとは同一平面上に位置することはない。
用いて形成されたものであり、その４つの斜面の内の少
なくとも１つ（この場合、図示上方の斜面）は基板面
（凹部底面）に対し４５°をなし、マイクロミラー１７
を形成している。このマイクロミラー１７から第１、第
２の半導体レーザ１５、１６の端面１５ａ、１６ａまで
の距離は図示のように異ならせてあるので、第１の半導
体レーザの端面１５ａと第２の半導体レーザの端面１６
ａとは同一平面上に位置することはない。
【００１８】次に、この参考例の作用を説明する。第１
の半導体レーザ１５および第２の半導体レーザ１６から
水平方向（図２では紙面の下方から上方に向かう方向）
に出射された光は夫々、マイクロミラー１７の４５°の
斜面で反射されて、半導体基板１１に対し垂直方向（紙
面の裏側から表側へ貫通する方向）に出射される。これ
ら出射光は何らかの反射物体で反射され、受発光素子側
へ戻って来た反射光は受光素子１２ａ、１２ｂで受光さ
れる。
の半導体レーザ１５および第２の半導体レーザ１６から
水平方向（図２では紙面の下方から上方に向かう方向）
に出射された光は夫々、マイクロミラー１７の４５°の
斜面で反射されて、半導体基板１１に対し垂直方向（紙
面の裏側から表側へ貫通する方向）に出射される。これ
ら出射光は何らかの反射物体で反射され、受発光素子側
へ戻って来た反射光は受光素子１２ａ、１２ｂで受光さ
れる。
【００１９】その際、例えば、本参考例を受発光素子か
らの発散光をコリメータレンズで平行光束に変換するシ
ステムに適用する場合、マイクロミラー１７から第１、
第２の半導体レーザの端面１５ａ、１６ａまでの距離
を、コリメータレンズの色収差および像面湾曲に相当す
る分だけずらすことにより、第１の半導体レーザ１５お
よび第２の半導体レーザ１６から出射された発散光をど
ちらも正確に平行光束に変換することが可能となる。
らの発散光をコリメータレンズで平行光束に変換するシ
ステムに適用する場合、マイクロミラー１７から第１、
第２の半導体レーザの端面１５ａ、１６ａまでの距離
を、コリメータレンズの色収差および像面湾曲に相当す
る分だけずらすことにより、第１の半導体レーザ１５お
よび第２の半導体レーザ１６から出射された発散光をど
ちらも正確に平行光束に変換することが可能となる。
【００２０】なお、マイクロミラー１７から第１、第２
の半導体レーザの端面１５ａ、１６ａまでの距離を変更
したり、凹部１３内において第１、第２の半導体レーザ
１５、１６の一方をスペーサを介して装着してレーザ装
着位置を深さ方向で異ならせることにより、複数（本参
考例では２つ）の半導体レーザを実質的に三次元的に配
置することが可能となる。また、上述したように凹部１
３は半導体エッチング技術を用いて形成されているの
で、半導体基板１１上のマイクロミラー１７および受光
素子１２ａ、１２ｂ間の位置決めも良好な精度でなされ
る。したがって、半導体レーザ１５および１６は、受光
素子１２ａ、１２ｂに対して自動的に精度良く位置決め
される。
の半導体レーザの端面１５ａ、１６ａまでの距離を変更
したり、凹部１３内において第１、第２の半導体レーザ
１５、１６の一方をスペーサを介して装着してレーザ装
着位置を深さ方向で異ならせることにより、複数（本参
考例では２つ）の半導体レーザを実質的に三次元的に配
置することが可能となる。また、上述したように凹部１
３は半導体エッチング技術を用いて形成されているの
で、半導体基板１１上のマイクロミラー１７および受光
素子１２ａ、１２ｂ間の位置決めも良好な精度でなされ
る。したがって、半導体レーザ１５および１６は、受光
素子１２ａ、１２ｂに対して自動的に精度良く位置決め
される。
【００２１】なお、上記参考例においては凹部１３内に
半導体レーザを２つ設けているが、これに限定されるも
のではなく、２つ以上設けてもよい。
半導体レーザを２つ設けているが、これに限定されるも
のではなく、２つ以上設けてもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明の受発光素子は、半導体基板に形
成する半導体レーザ設置用の凹部を、斜面部を有するよ
うにエッチングにより形成された深さ寸法が異なる第１
および第２の凹部の少なくとも２つの凹部から成るよう
にしたため、発光点相互間の三次元的な位置決めが、簡
単かつ高精度で実現できる利点がある。
成する半導体レーザ設置用の凹部を、斜面部を有するよ
うにエッチングにより形成された深さ寸法が異なる第１
および第２の凹部の少なくとも２つの凹部から成るよう
にしたため、発光点相互間の三次元的な位置決めが、簡
単かつ高精度で実現できる利点がある。
【図１】 本発明の受発光素子の第１実施例の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】 本発明の受発光素子の参考例の構成を示す図
である。
である。
【図３】 従来技術を説明するための図である。
１ 半導体基板 ２ａ〜２ｄ 受光素子 ３ 第１の凹部 ４ 第２の凹部 ５ 第１の半導体レーザ ６ 第２の半導体レーザ ７ 第１のマイクロミラー ８ 第２のマイクロミラー １１ 半導体基板 １２ａ、１２ｂ 受光素子 １３ 凹部 １５ 第１の半導体レーザ １６ 第２の半導体レーザ １７ マイクロミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 受光素子および凹部が形成された半導体
基板と、前記凹部に設けられた半導体レーザとより成る
受発光素子において、 前記凹部は、斜面部を有するようにエッチングにより形
成された第１の深さ寸法から成る第１の凹部および斜面
部を有するようにエッチングにより形成された前記第１
の深さ寸法とは異なる第２の深さ寸法から成る第２の凹
部の少なくとも２つの凹部から成り、前記第１の凹部の
底面に第１の半導体レーザが設けられ、前記第２の凹部
の底面に第２の半導体レーザが設けられ、前記第１の半
導体レーザと前記第２の半導体レーザとから出射した光
は前記各凹部の斜面部によって反射されるようにしたこ
とを特徴とする受発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13343593A JP3294379B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 受発光素子 |
| US08/224,009 US5406543A (en) | 1993-04-07 | 1994-04-06 | Optical head with semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13343593A JP3294379B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 受発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350187A JPH06350187A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3294379B2 true JP3294379B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=15104712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13343593A Expired - Fee Related JP3294379B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-06-03 | 受発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3294379B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004079168A (ja) * | 1995-04-13 | 2004-03-11 | Denso Corp | 光学的記録再生装置用光学ヘッド |
| WO1996037024A1 (fr) * | 1995-05-17 | 1996-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur et dispositif de disque optique |
| DE69620456T2 (de) | 1995-09-29 | 2002-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterlaser und optisches plattenspeichergerät unter verwendung dieses lasers |
| JPH10126002A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Matsushita Electron Corp | 光伝送モジュール |
| DE102014114618A1 (de) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1993
- 1993-06-03 JP JP13343593A patent/JP3294379B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06350187A (ja) | 1994-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6267515B1 (en) | Optical coupling module and manufacturing method of the same | |
| US5357536A (en) | Method and apparatus for the positioning of laser diodes | |
| US5617202A (en) | Diode laser co-linear and intersecting light beam generator | |
| US5124281A (en) | Method of fabricating a photonics module comprising a spherical lens | |
| US5848211A (en) | Photonics module having its components mounted on a single mounting member | |
| US10895740B2 (en) | Projective MEMS device for a picoprojector of the flying spot type and related manufacturing method | |
| JP2005099807A (ja) | ビームスプリッタ | |
| US6563646B1 (en) | Portable laser layout instrument | |
| JP3294379B2 (ja) | 受発光素子 | |
| US5757830A (en) | Compact micro-optical edge-emitting semiconductor laser assembly | |
| EP1394507A2 (en) | Beam splitter and laser marking apparatus | |
| JP4170920B2 (ja) | 光学部品の製造方法および光インターコネクションシステムおよび光配線モジュール | |
| Wu et al. | Micromachined free space integrated optics | |
| JPH0777632A (ja) | 受光モジュール | |
| US4865452A (en) | Beam combiner assembly for ring laser gyroscope | |
| JPH0855357A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0210310A (ja) | マルチ・ビーム光源，ならびにそれを利用したマルチ・ビームプロジェクタおよび形状認識装置 | |
| JP3032376B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US6597507B1 (en) | V-groove grating mirror and external resonator type wavelength variable light source using the mirror | |
| JPH0527195A (ja) | 走査光学系 | |
| JP2006145781A (ja) | 偏向光学素子及びその製造方法並びに光学装置 | |
| JP2002236237A (ja) | 光学装置 | |
| JP2005012105A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2002328325A5 (ja) | ||
| JP3040252B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020312 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090405 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090405 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100405 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110405 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |