JP2003045775A - 描画記録装置およびその方法 - Google Patents

描画記録装置およびその方法

Info

Publication number
JP2003045775A
JP2003045775A JP2001229042A JP2001229042A JP2003045775A JP 2003045775 A JP2003045775 A JP 2003045775A JP 2001229042 A JP2001229042 A JP 2001229042A JP 2001229042 A JP2001229042 A JP 2001229042A JP 2003045775 A JP2003045775 A JP 2003045775A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
shape
stage
concentric
deflection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001229042A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3471773B2 (ja
Inventor
Tatsuto Suzuki
達人 鈴木
Sumio Hosaka
純男 保坂
Fumio Isshiki
史雄 一色
Akira Arimoto
昭 有本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001229042A priority Critical patent/JP3471773B2/ja
Publication of JP2003045775A publication Critical patent/JP2003045775A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3471773B2 publication Critical patent/JP3471773B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】XYステージを用いて、高精度な任意形状の情
報マークをスパイラル状、若しくは同心円状等に記録で
きる描画記録装置およびその方法を提供することにあ
る。 【解決手段】本発明は、描画軌道を生成する軌道発生手
段から移動目標位置を順次発生させ、スパイラル状、及
び同心円状にXYステージを追従移動させる手段と、そ
のXYステージの現在位置を高精度に測長する手段と、
XYステージの現在位置と描画目標位置との誤差を補正
する手段と、描画目標位置の変化に追従して電子ビーム
の偏向方向、及び偏向量をリアルタイムで制御する手段
を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム記録装
置およびその方法に係わり、特に超高密度記録に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報化社会の進展は目覚ましく、
より多くの情報を記憶できる技術の開発が要求されてい
る。高密度記録に関する最近の提案は、通産省高エネル
ギー開発機構(NEDO)から委託されている(財)光
産業技術振興協会のナノメートル制御光ディスクシステ
ムプロジェクトの紹介冊子に報告されている(小川清也
“ナノメータ制御光ディスクシステムプロジェクトの概
要”第1回次世代光メモリシンポジウム講演資料
((財)光産業技術進行協会発行、平成11年11月1
日))。図1には、プロジェクトで提案されているエッ
ジ変調記録のマーク(タンジェンシャル方向の長さとし
て最小の長さをとり、そこからd:7nm刻みで16レ
ベル(4bits)を設定する)12からなる100G
b/in2の高密度記録方式の例が示されている。目標
とされている情報マークの中心位置の間隔(MP)は3
80nm、トラック間隔(TP)は140nm、マーク
の幅は70nmと非常に狭いものとなっている。なお、
11は、読み出しレーザのビームを示す。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現在、上記仕様のマー
クを高精度で記録できる可能性を持つ装置の一例とし
て、半導体のリソグラフィ用に開発されたEB描画装置
がある。EB描画装置は微小スポットに絞れる電子ビー
ム系、高精度の位置検出機構を有するXY移動台等で構
成され、半導体のマスク製造等に使用されている。
【0004】ところで、上記仕様の情報マークをEB描
画装置で記録するには、基板固定部の高精度な位置検出
と、描画目標位置との誤差を補正する高精度な偏向補正
制御が必要である。基板を固定するXYステージの位置
検出に用いられるレーザー測長計の精度としては現在
0.3nm/LSBの分解能を有する製品が存在してい
る。このような測長計を用い、直交する2方向からXY
ステージを測長すればXYステージの移動範囲内におい
ては高精度な位置検出が可能である。
【0005】しかしXYステージを、スパイラル状、同
心円状に擬似回転動作をさせながら情報マークを記録す
る場合、高精度の位置検出はできるが、位置誤差を補正
する偏向補正制御においては、描画目標位置によって電
子ビームの偏向方向を変化させなければいけないという
課題がある。
【0006】また、高精度にマークの幅を制御する時に
はビーム径を小さくし、幅方向の偏向量を可変して制御
する方法もある。ビーム径とマーク幅が等しい時は、描
画目標位置とXYステージの現在位置との誤差信号をそ
のままXYの各偏向器に与えれば補正ができる。しか
し、マーク幅及びマークのウォブリング等を制御するに
は、描画位置によって電子ビームの偏向方向を変えなけ
ればいけないためにX、Yの各偏向器の偏向量をそれぞ
れ可変する必要があるという課題もある。
【0007】本発明の目的は、XYステージを用いて、
高精度な任意形状の情報マークをスパイラル状、若しく
は同心円状等に記録できる描画記録装置およびその方法
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、描画する基板を載置したXYステージ
と、前記XYステージを直交する2方向で計測する測長
計と、情報マークの幅よりも小さな径に絞られた電子ビ
ームを前記基板に照射する電子光学系と、前記XYステ
ージを駆動して前記基板をスパイラル状、同心円状ある
いは直線状に連続的に移動させるXYステージ駆動制御
部とを備え、該XYステージ駆動制御部により基板をス
パイラル状、同心円状若しくは直線状に連続的に移動さ
せた状態で、前記電子光学系で絞られた電子ビームを前
記電子ビーム偏向手段で偏向させてスパイラル状、同心
円状若しくは直線状に配列された情報マークを描画する
ように構成したことを特徴とする描画記録装置である。
【0009】また、本発明は、描画軌道を生成する軌道
発生部から移動目標位置を順次発生させ、描画する基板
を載置したXYステージをスパイラル状、若しくは同心
円状等に追従移動させるXYステージ駆動制御部と、そ
のXYステージの現在位置を高精度に測長する測長計
と、XYステージの現在位置座標と描画目標位置座標と
の間の誤差を、位置補正制御信号を基に電子ビーム偏向
手段で補正する位置補正制御部と、描画目標位置の変化
に追従して電子ビーム偏向手段による電子ビームの偏向
方向及び偏向量をリアルタイムで制御する偏向補正制御
部とを備えた描画記録装置である。
【0010】また、本発明は、前記描画記録装置におい
て、任意のマーク幅を記録するために、サイン波等の任
意パターン信号を前記位置補正制御信号に加算して(変
調させて)マーク幅を制御する変調信号発生部を設けた
ことを特徴とする,また、本発明は,描画する基板を載置
したXYステージを描画軌道であるスパイラル状、同心
円状あるいは直線状に連続的に移動させた状態で、電子
光学系で情報マークの幅よりも小さな径に絞られた電子
ビームを電子ビーム偏向手段で偏向させて照射してスパ
イラル状、同心円状若しくは直線状に配列された情報マ
ークを描画することを特徴とする描画記録方法である。
【0011】また、本発明は,前記描画記録方法におい
て、測長計で計測されるXYステージの現在位置座標と
前記描画軌道に基いて算出される描画目標位置座標との
間の誤差に基いて前記電子ビーム偏向手段による電子ビ
ームの偏向位置を補正制御してスパイラル状、同心円状
若しくは直線状に配列された情報マークを所望の幅で描
画することを特徴とする。
【0012】また、本発明は,前記描画記録方法におい
て、前記描画軌道に基いて算出される描画目標位置の変
化に追従して前記電子ビーム偏向手段による電子ビーム
の偏向方向及び偏向量を補正制御してスパイラル状、若
しくは同心円状に配列された情報マークを所望の幅で描
画することを特徴とする。
【0013】また、本発明は,前記描画記録方法におい
て、任意のパターン形状信号で変調させた偏向信号を基
に電子ビーム偏向手段で偏向させて照射してスパイラル
状、同心円状若しくは直線状に配列された情報マークを
所望の幅で描画することを特徴とする。
【0014】以上説明したように、図2に示すように、
マーク幅より小さくしたビーム径を用い、描画位置情報
とマーク幅制御情報を元に電子ビームの偏向方向、及び
偏向量を変化させることで、一周にわたり目的の幅で高
精度な情報マークの記録が可能になる。また、任意パタ
ーンの振幅、もしくはマーク幅設定値を時系列的に変化
させることでもマークの幅、及び連続的な幅の可変(ウ
ォブリング)が可能になる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る描画記録装置
およびその方法の実施の形態を図面を用いて具体的に説
明する。
【0016】図3は、本発明に係る描画記録装置の基本
構成を示す図である。本発明に係る描画記録装置は、電
子光学系と、移動機構と、移動機構制御系で構成され
る。
【0017】電子光学系は、電子線31を発生させる電
子銃30と、電子銃30から発生した電子線31を絞る
コンデンサレンズ32と、電子線31をブランキングさ
せるブランキング電極33と、上記コンデンサレンズ3
2で絞られた電子線を試料(基板)38上においてナノ
メータオーダのビームスポットに絞る対物レンズ34
と、このようにナノメータオーダの電子線(電子ビー
ム)をX方向およびY方向に偏向させる偏向器35x,
35yとで構成される。
【0018】移動機構は、試料(基板)38を載置し、
XY駆動源39によって移動されるXYステージ37
と、0.3nm/LSB以上の分解能を有し、XYステ
ージ37を直交する2方向(XY方向)からXYステー
ジの移動範囲内において測長するレーザー測長器(測長
計)36とを備えて構成される。
【0019】移動機構制御系40は、レーザー測長器3
6で測長されるXYステージ37の現在の位置座標(X
s,Ys)が、スパイラル状、同心円状若しくは直線状
の描画軌道を生成する軌道発生手段(図示せず)から順
次発生する移動目標位置座標(Xo,Yo)になるよう
にステージ駆動源39を駆動するように制御すると共
に、測長されるXYステージ37の現在の位置座標(X
s,Ys)と描画軌道から算出される目標位置座標(X
o,Yo)との誤差(ΔX,ΔY)を位置補正制御信号
としてIF50を介して偏向器35x,35yに与え、
目標点に、マーク幅よりも細くビーム径が絞られた電子
ビームを照射するように制御するものである。さらに、
移動機構制御系40には、図4に示すように、描画軌道
を基にマーク幅を電子ビームで塗りつぶすために、マー
ク幅を設定するマーク幅設定部41、塗りつぶす信号を
発生する信号発生部42、描画軌道に基いて算出される
描画目標位置の変化に追従して電子ビームを偏向させる
偏向角度および偏向量を演算する偏向角度演算部43、
これらを乗算して偏向信号(X’,Y’)を得る乗算回
路部45、描画目標位置座標(Xo,Yo)とレーザー
測長器36によって測長されるステージ位置座標(X
s,Ys)との誤差信号を算出する減算回路部44、お
よび乗算回路部45から得られた偏向信号(X’,
Y’)に誤差信号を加算する加算回路部46が設けられ
ている。
【0020】以上の構成により、移動機構制御系40
は、レーザー測長器36によって高精度に測定された基
板38を固定しているXYステージ37の位置と、スパ
イラル状、同心円状あるいは直線状に移動する目標軌道
位置との誤差(ΔX,ΔY)の値を算出し、この誤差
(ΔX,ΔY)を位置補正制御信号として偏向器35
x,35yに与えて、電子ビーム31を偏向する偏向補
正制御を行うことによって、高精度に描画することがで
きる。なお、描画する際は、基本的に電子ビーム径やビ
ーム電流は変えないものとする。これによって、マーク
として均一なものが得られる。
【0021】図2は、XYステージ37を用いて、軌跡
1で示されるスパイラル状に配置された任意の幅の情報
マークを描画するときの電子ビームの偏向方向を示した
ものである。記録マークの幅が電子ビーム径と同じの時
は、描画目標位置座標(Xo,Yo)とレーザー測長器
36によって測長されるXYステージの現在位置座標
(Xs,Ys)との誤差の値(ΔX,ΔY)をそのまま
X,Yの各偏向器35x,35yに与えればよい。しか
し、マーク幅より小さい電子ビーム径で描画するとき
は、図2に示すように描画目標位置によって振幅変調信
号の偏向方向を変えながら制御する必要がある。
【0022】また、マーク幅を可変するには2、4の位
置においては電子ビームをX方向に偏向し、3、5の位
置では電子ビームをY方向に偏向する必要がある。また
その間の任意の位置においては、描画目標位置とスパイ
ラル軌道1の中心との角度をα、電子ビームの目的の偏
向量をAとするとX=Acosα、Y=Asinαの割
合でX、Y各偏向器35x,35yに偏向量を与えれば
よい。
【0023】図4は、移動機構制御系40に設けられた
マーク幅制御部の回路ブロック図である。記録条件とし
ては、記録情報1としてのマーク幅を設定するマーク幅
設定部41と、次に、記録情報2としてのマーク幅を塗
りつぶす為の変調信号(例えばサイン波)を選択する信
号発生部42で構成される。装置が連続的に描画を始め
ると、偏向角度演算部43からは、描画目標位置座標
(Xo,Yo)を基に、スパイラル軌道の中心との偏向
角度αを算出して変化しながら出力される。また、信号
発生部42からは、ステージ移動速度より高速な繰り返
し周波数のマーク幅変調用信号が出力される。そして、
乗算回路部45は、信号発生部42からの出力Bと、マ
ーク幅設定部41で設定された線幅設定値と、偏向角度
演算部43から演算された偏向角度αとに基づいて、マ
ーク幅制御信号(X’,Y’)を演算する。マーク幅制
御用のX,Y各偏向器35x,35yに与える偏向量
(X’,Y’)は、X’=Bcosα、Y’=Bsin
αであり、出力Bの値を連続的に変化させることでマー
ク幅を制御する。そして、加算回路部46は、変調信号
であるマーク幅制御信号(X’,Y’)を、減算回路部
44から得られる位置補正制御信号(ΔX,ΔY)に加
算した(変調させた)偏向量をX,Y各偏向器35x,
35yに与えることにより、1周に渡ってマーク幅を制
御して描画することができる。
【0024】以上は、図2に示すように、基本的には、
電子ビームをサイン波に近い形で振動させる場合につい
て説明したが、図5、および図6に示すパターンを用い
てもよい。即ち、図5および図6には、信号発生器42
から発生するサイン波と異なるマーク幅制御用の描画パ
ターンの第1および第2の実施例を示す。このようなマ
ーク幅制御用の描画パターンを信号発生器42から発生
させて電子ビームの位置(X’,Y’)を制御すること
で、マークのエッジにおいてサイン波によるギザギザを
なくした高精度な情報マークが記録できる。図5におい
ては、電子ビーム51をからへ、からへとエッ
ジに沿って埋められる部分を有することからマークのエ
ッジにおいて直線成分を有する高精度な情報マーク52
を記録できる。なお、53は、情報マーク52の中心を
示す。図6においても、図5とほぼ同じように、電子ビ
ーム61を、とエッジに沿って埋められる部分
を有することからマークのエッジにおいて直線成分を有
する高精度な情報マーク62を記録できる。なお、63
は、情報マーク62の中心を示す。
【0025】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
精度なXYステージの位置測長、電子ビームの偏向補正
制御、マーク幅制御を用いることにより、スパイラル、
同心円状に配列する情報マークを一周にわたり任意の幅
で高精度に記録することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るエッジ変調記録のマークを説明す
るための図である。
【図2】本発明に係るマーク幅制御を説明するための模
式図である。
【図3】本発明に係る描画記録装置の基本構成を示す図
である。
【図4】本発明に係る移動機構制御系に設けられたマー
ク幅制御部の構成を示すブロック図である。
【図5】本発明に係るマーク幅制御用の描画パターンの
第1の実施例を示す図である。
【図6】本発明に係るマーク幅制御用の描画パターンの
第2の実施例を示す図である。
【符号の説明】
1…軌道、2、3、4、5…現位置での偏向方向、11
…読み出しレーザーのビーム、12…エッジ変調記録の
マーク、30…電子銃、31…電子ビーム、32…コン
デンサレンズ、33…ブランキング電極、34…対物レ
ンズ、35…偏向器(電子ビーム偏向手段)、36…レ
ーザー測長器(測長計)、37…XYステージ、38…
基板、39…XY駆動源、40…移動機構制御系、41
…マーク幅設定部、42…信号発生部、43…偏向角度
演算部、44…減算回路部、45…乗算回路部、46…
加算回路部、51…電子ビーム、52…情報マーク、5
3…情報マークの中心、61…電子ビーム、62…情報
マーク、63…情報マークの中心。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一色 史雄 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 有本 昭 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Fターム(参考) 2H097 CA16 GB04 LA20 5C001 AA03 AA06 CC06 5C033 GG03 GG05 5F056 AA02 AA20 CB15 CB22

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】描画する基板を載置したXYステージと、 前記XYステージを直交する2方向で計測する測長計
    と、 電子ビームを発生させる電子ビーム発生手段、該電子ビ
    ーム発生手段で発生した電子ビームを絞るコンデンサレ
    ンズ、該コンデンサレンズで絞られた電子ビームを偏向
    する電子ビーム偏向手段、および前記コンデンサレンズ
    で絞られた電子ビームを更に絞り込む対物レンズから構
    成され、情報マークの幅よりも小さな径に絞られた電子
    ビームを前記基板に照射する電子光学系と、 前記XYステージを駆動して前記基板をスパイラル状、
    同心円状あるいは直線状に連続的に移動させるXYステ
    ージ駆動制御部とを備え、 該XYステージ駆動制御部により基板をスパイラル状、
    同心円状若しくは直線状に連続的に移動させた状態で、
    前記電子光学系で絞られた電子ビームを前記電子ビーム
    偏向手段で偏向させてスパイラル状、同心円状若しくは
    直線状に配列された情報マークを描画するように構成し
    たことを特徴とする描画記録装置。
  2. 【請求項2】更に、前記スパイラル状、若しくは同心円
    状に配列した情報マークを描画するとき、該描画の移動
    目標位置の変化に応じて電子ビームの偏向方向及び偏向
    量を変化させる偏向補正制御信号を前記電子ビーム偏向
    手段に与えて情報マークのマーク幅を制御する偏向補正
    制御部を備えたことを特徴とする請求項1記載の描画記
    録装置。
  3. 【請求項3】更に、前記スパイラル状、同心円状若しく
    は直線状に配列した情報マークを描画するとき、任意の
    パターン形状信号で変調した偏向信号を前記電子ビーム
    偏向手段に与えてマーク幅を制御する変調信号発生部を
    備えたことを特徴とする請求項1記載の描画記録装置。
  4. 【請求項4】描画する基板を載置したXYステージと、 前記XYステージを直交する2方向で計測する測長計
    と、 電子ビームを発生させる電子ビーム発生手段、該電子ビ
    ーム発生手段で発生した電子ビームを絞るコンデンサレ
    ンズ、該コンデンサレンズで絞られた電子ビームを偏向
    する電子ビーム偏向手段、および前記コンデンサレンズ
    で絞られた電子ビームを更に絞り込む対物レンズから構
    成され、情報マークの幅よりも小さな径に絞られた電子
    ビームを前記基板に照射する電子光学系と、 スパイラル状、同心円状あるいは直線状の描画軌道を生
    成する軌道発生部と、 該軌道発生手段から生成される描画軌道に従って前記X
    Yステージを駆動して前記基板をスパイラル状、同心円
    状若しくは直線状に連続的に移動させるXYステージ駆
    動制御部と、 前記測長計で計測されるXYステージの現在位置座標と
    前記描画軌道に基いて算出される描画目標位置座標との
    間の誤差信号に基いて前記電子ビーム偏向手段による電
    子ビームの偏向位置を補正制御する位置補正制御部とを
    備え、 前記電子光学系で絞られた電子ビームを前記電子ビーム
    偏向手段で偏向させてスパイラル状、同心円状若しくは
    直線状に配列された情報マークを描画するように構成し
    たことを特徴とする描画記録装置。
  5. 【請求項5】更に、前記描画軌道に基いて算出される描
    画目標位置の変化に追従して前記電子ビーム偏向手段に
    よる電子ビームの偏向方向及び偏向量を補正制御する偏
    向補正制御部を備えたことを特徴とする請求項4記載の
    描画記録装置。
  6. 【請求項6】更に、任意のパターン形状信号で変調した
    偏向信号を発生させて前記誤差信号に加算して前記電子
    ビーム偏向手段に印加する変調信号発生部を備えたこと
    を特徴とする請求項4記載の描画記録装置。
  7. 【請求項7】描画する基板を載置したXYステージを描
    画軌道であるスパイラル状、同心円状あるいは直線状に
    連続的に移動させた状態で、電子光学系で情報マークの
    幅よりも小さな径に絞られた電子ビームを電子ビーム偏
    向手段で偏向させて照射してスパイラル状、同心円状若
    しくは直線状に配列された情報マークを描画することを
    特徴とする描画記録方法。
  8. 【請求項8】描画する基板を載置したXYステージを描
    画軌道であるスパイラル状、同心円状若しくは直線状に
    連続的に移動させた状態で、電子光学系で情報マークの
    幅よりも小さな径に絞られた電子ビームを電子ビーム偏
    向手段で偏向させて照射して描画する描画記録方法であ
    って、 測長計で計測されるXYステージの現在位置座標と前記
    描画軌道に基いて算出される描画目標位置座標との間の
    誤差に基いて前記電子ビーム偏向手段による電子ビーム
    の偏向位置を補正制御してスパイラル状、同心円状若し
    くは直線状に配列された情報マークを所望の幅で描画す
    ることを特徴とする描画記録方法。
  9. 【請求項9】描画する基板を載置したXYステージを描
    画軌道であるスパイラル状、もしくは同心円状に連続的
    に移動させた状態で、電子光学系で情報マークの幅より
    も小さな径に絞られた電子ビームを電子ビーム偏向手段
    で偏向させて照射して描画する描画記録方法であって、 前記描画軌道に基いて算出される描画目標位置の変化に
    追従して前記電子ビーム偏向手段による電子ビームの偏
    向方向及び偏向量を補正制御してスパイラル状、若しく
    は同心円状に配列された情報マークを所望の幅で描画す
    ることを特徴とする描画記録方法。
  10. 【請求項10】描画する基板を載置したXYステージを
    描画軌道であるスパイラル状、同心円状若しくは直線状
    に連続的に移動させた状態で、電子光学系で情報マーク
    の幅よりも小さな径に絞られた電子ビームを、任意のパ
    ターン形状信号で変調させた偏向信号を基に電子ビーム
    偏向手段で偏向させて照射してスパイラル状、同心円状
    若しくは直線状に配列された情報マークを所望の幅で描
    画することを特徴とする描画記録方法。
JP2001229042A 2001-07-30 2001-07-30 描画記録装置およびその方法 Expired - Fee Related JP3471773B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001229042A JP3471773B2 (ja) 2001-07-30 2001-07-30 描画記録装置およびその方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001229042A JP3471773B2 (ja) 2001-07-30 2001-07-30 描画記録装置およびその方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003045775A true JP2003045775A (ja) 2003-02-14
JP3471773B2 JP3471773B2 (ja) 2003-12-02

Family

ID=19061449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001229042A Expired - Fee Related JP3471773B2 (ja) 2001-07-30 2001-07-30 描画記録装置およびその方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3471773B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344840A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 電子ビーム描画方法及びシステム
JP2008059685A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Ricoh Co Ltd 描画方法及び描画装置、並びに情報記録媒体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344840A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 電子ビーム描画方法及びシステム
JP2008059685A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Ricoh Co Ltd 描画方法及び描画装置、並びに情報記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP3471773B2 (ja) 2003-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7026098B2 (en) Electron beam lithography method
JP2725020B2 (ja) 電子ビーム露光装置
JP4808447B2 (ja) 電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画装置
JP4216313B2 (ja) 電子ビーム位置変動測定方法、電子ビーム位置変動測定装置、電子ビーム記録装置
JP5191542B2 (ja) 電子ビーム記録装置及びその制御装置並びに制御方法
CN101443847B (zh) 电子束记录装置
US7218470B2 (en) Exposure dose control of rotating electron beam recorder
US7807988B2 (en) Electron beam lithography apparatus and method for compensating for electron beam misalignment
JP3471773B2 (ja) 描画記録装置およびその方法
JP4350471B2 (ja) 電子ビーム描画方法および描画装置
US8653488B2 (en) Electron beam apparatus
US7361456B2 (en) Method of manufacturing master disk, apparatus of manufacturing master disk, method of detecting moving distance difference of master disk, and apparatus of detecting moving distance difference of master disk
JP2007335055A (ja) 電子ビーム描画装置、電子ビーム描画方法、電子ビーム描画プログラムおよび記録媒体
JP2002217086A (ja) 電子ビーム照射装置および電子ビーム照射方法
JP5166400B2 (ja) ビーム描画装置
WO2000046846A1 (fr) Appareil d'exposition à faisceau de particules chargées, et son procédé d'exposition
JP2002288890A (ja) ビーム照射方法及び装置並びに記録媒体作成方法
JP2003241390A (ja) 測定方法、描画方法、基材の製造方法、および電子ビーム描画装置
JP2004078026A (ja) 電子ビーム描画方法、光学素子用金型の製造方法、光学素子の製造方法及び電子ビーム描画装置
WO2010023751A1 (ja) 電子ビーム描画装置の調整方法、及び電子ビーム描画装置を制御する制御装置の調整方法
JP2004047170A (ja) 電子線描画装置
JP2005302704A (ja) 電子線記録装置と電子線照射位置検出方法及び電子線照射位置制御方法
JP2013025273A (ja) 露光装置及びその制御方法
JPS5940452A (ja) 電子ビ−ム装置
JPH11111592A (ja) 電子ビーム露光装置、電子ビームの照射状態検出方法及び電子ビームの照射状態検出のための露光対象物

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees