JP2003043476A - 平面表示素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内面に偏光反射層を有する平面表示素子を規
定サイズに切り出す際に、切り出し時の衝撃により偏光
反射層あるいはガラス基板を損傷するのを防止して、高
い製造歩留まりで表示品位の良好な平面表示素子を得
る。 【解決手段】 対向基板１２を形成する第２の大型ガラ
ス板６３全面にコレステリック液晶ポリマー層２７を形
成後、裁断線６４領域のコレステリック液晶ポリマー層
２７をレーザ装置７０等により加熱除去し、あるいはゴ
ムブレード７２により機械的に除去する。この後第１及
び第２の大型ガラス板６２、６３をシール剤１４で貼り
合せ、裁断線６４に沿って液晶表示素子１０を裁断す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板上に偏光反射層
を有する平面表示素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パソコン端末、モニター等に用い
られ、透明電極を有する一対の基板を対向配置してなる
平面表示セルのシール剤でかこまれた間隙に、例えば液
晶等の光変調層を備えてなる平面表示装置として、更な
る薄型、軽量化を特徴とする平面表示素子が多用されて
いる。その中でも、反射板を備え画像表示面から取り入
れた光を画像表示面に反射して画像表示を行う事により
バックライト等の光源を不要とする反射型平面表示素子
は、消費電力の大幅な節約を図れる事から、モバイルパ
ソコンや携帯電話等の携帯機器用の平面表示装置ヘの適
用が要望されている。

【０００３】但し、平面表示装置に光源を全く備えずに
使用しようとすると、使用する環境自体が暗い場合に
は、画像表示面から取り入れられる光が弱いため表示さ
れる画面が暗くなり認識し難く、特に暗闇では全く使用
不能となる。このため近年では、反射機能のみでなく透
過機能も備え暗い環境でも画像表示可能となるように、
平面表示装置内にバックライトを設けると共に反射板に
バックライトからの光を透過する透過機能を持たせた半
透過型の平面表示素子の開発が進められている。

【０００４】このような半透過型の平面表示素子の１つ
として、図１４に示す従来例のように液晶表示素子１の
バックライト６側の対向基板３に偏光機能を有する偏光
反射ポリマー層７を形成し、偏光反射ポリマー層７によ
り選択的に左右いずれかの円偏光を反射し逆極性の円偏
光を透過することにより、アレイ基板２側から取り入れ
た外光を反射すると共に、バックライト６による対向基
板３側からの照射光をアレイ基板２側の画像表示面に透
過して、表示光量を増大し、暗い環境での使用を可能と
する液晶表示素子１の実用化が図られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記第１の従来例の偏
光反射ポリマー層を用いる半透過型の液晶表示素子１に
あっては、偏光反射ポリマー層７を対向基板７全面に形
成して、偏光反射ポリマー層７を介してシール剤４によ
りアレイ基板２と対向基板３とを貼り合せ、この後アレ
イ基板２及び対向基板３を所定の液晶セルサイズに切り
出した後、液晶セルの間隙に液晶層８を封入していた。
即ち、液晶セルの切り出し時、対向基板７と共に偏光反
射ポリマー層７を一緒に裁断していた。しかしながら偏
光反射ポリマー層７は、機械的に強く、加工し難いこと
から、液晶セルの切り出しに用いる通常のガラスカッタ
ーでは良好な切断が得られず、最終的には無理に力を加
えて切断しなければならなかった。

【０００６】この様にガラスカッターにより無理に切断
しようとすると、切り出す際の衝撃や応力により、裁断
部の偏光反射ポリマー層に割れ、欠け、剥がれによる基
板からの浮き等の損傷を生じたり裁断部のガラス基板に
割れ、欠け、削げを生じ、ひいては液晶表示素子１の表
示品位を低下させ、表示不良による製造歩留まりの低下
を来たしていた。

【０００７】そこで本発明は上記課題を除去するもので
あり、平面表示素子内面に偏光反射層を有するものにお
いて、平面表示素子製造時の表示セルの切り出し工程に
起因する偏光反射層あるいはガラス基板の損傷を防止し
て表示セルの裁断精度を向上し、製造歩留まりを向上す
ると共に、良好な表示品位を実現する平面表示素子の製
造方法を提供することを目的とする、

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するための手段として、画像表示基板及び反射透過基板
からなる一対の基板と、前記反射透過基板の内面に取着
され、端面が前記反射透過基板の端面より内側に位置す
る偏光反射層と、前記一対の基板の表示領域を囲うよう
配置されるシール剤と、このシール剤に囲まれる領域に
て前記一対の基板間に封入される光変調層とを有する平
面表示素子の製造方法において、前記反射透過基板内面
に前記偏光反射層を形成する工程と、前記偏光反射層の
端面が前記反射透過基板の端面と前記表示領域との間に
位置するよう前記偏光反射層の一部を除去する工程と、
前記画像表示基板及び前記反射透過基板を前記シール剤
で貼り合せる工程と、前記シール剤により貼り合わされ
た前記一対の基板を前記反射透過基板の端面にて裁断す
る工程とを実施するものである。

【０００９】又本発明は上記課題を解決するための手段
として、画像表示基板及び反射透過基板からなる一対の
基板と、前記反射透過基板の内面に取着され、端面が前
記反射透過基板の端面より内側に位置する偏光反射層
と、前記一対の基板の表示領域を囲うよう配置されるシ
ール剤と、このシール剤に囲まれる領域にて前記一対の
基板間に封入される光変調層とを有する平面表示素子の
製造方法において、前記画像表示基板の複数面分の面積
を有する第１の大型基板上に複数面の前記画像表示基板
を形成する工程と、前記反射透過基板の複数面分の面積
を有する第２の大型基板内面に前記偏光反射層を形成す
る工程と、前記第２の大型基板上にて、前記反射透過基
板毎に、前記偏光反射層の端面が前記反射透過基板の端
面と前記表示領域との間に位置するよう前記偏光反射層
の一部を除去する工程と、前記第１の大型基板及び前記
第２の大型基板を前記シール剤で貼り合せる工程と、前
記シール剤により貼り合わた第１及び第２の大型基板を
前記反射透過基板の端面にて切り離す工程とを実施する
ものである上記構成により本発明は、製造時に表示セル
を切り出す際に偏光反射層あるいはガラス基板を損傷す
ることなく、高い製造精度で良好な表示品位を有する平
面表示素子の実用化を図るものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図１乃至図５に示
す第１の実施の形態を参照して説明する。図１は平面表
示素子である、半透過型の液晶表示素子１０及びこの液
晶表示素子１０を照射するバックライト３２を示す概略
断面図である。

【００１１】液晶表示素子１０は、画像表示基板である
アレイ基板１１及び反射透過基板である対向基板１２を
スペーサ１３を介して対向配置し、シール剤１４にて表
示領域周囲を接着して成る間隙に液晶層１６を封入して
いる。更にアレイ基板１１外面には光拡散フィルム１１
ａ、位相差板１１ｂ、及び偏光板１１ｃが貼り付けら
れ、対向基板１２外面には位相差板１２ｂ及び偏光板１
２ｃが貼り付けられている。液晶表示素子１０の基板サ
イズは対角１０インチで、画素数はＳＶＧＡとする。

【００１２】アレイ基板１１は、ガラス基板１７上の図
示しない走査線及び信号線の交点近傍に液晶駆動用の薄
膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略称する。）素子１８を
有している。ＴＦＴ素子１８の上にはＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の着色層がストライプ状に配置されて
なるカラーフィルタ層２０が配置されている。尚１９
は、表示領域周囲をマスクする黒色フィルタである。

【００１３】カラーフィルタ層２０上であって図示しな
い走査線及び信号線で囲まれる領域には、複数の画素電
極２１がマトリクス状にパターン形成されていて、画素
電極２１はカラーフィルタ層２０に形成されるスルーホ
ール２２を介してＴＦＴ素子１８のソース電極（図示せ
ず）に接続し、ＴＦＴ素子１８により駆動される。更に
画素電極２１上には柱状のスペーサ１３が形成され、そ
の上から液晶配向膜２３が成膜されている。

【００１４】一方対向基板１２は、ガラス基板２４上に
下地配向膜２６を介し偏光反射層であるコレステリック
液晶ポリマー層２７を有しており、コレステリック液晶
ポリマー層２７上にコモン電極２８が形成され、更にコ
モン電極２８上に液晶配向膜３０が成膜されている。コ
レステリック液晶ポリマー層２７はその端面が、ガラス
基板２４の端面より１ｍｍ内側に位置する様形成されて
いる。又シール剤１４は、コレステリック液晶ポリマー
層２７上にて幅約１ｍｍで、複数の画素電極２１からな
る表示領域を囲うよう配置されている。尚シール剤１４
は、コレステリック液晶ポリマー層２７と貼り合わされ
る事から、その高さは、柱状スペーサ１３高さとカラー
フィルタ層２０厚の和に近似される５μmに形成されて
いる。

【００１５】コレステリック液晶ポリマー層２７は、下
地配向膜２６の配向方向から、厚み方向に配向方向が螺
旋状に連続的に変化するものであり、ワッカーケミカル
社製のコレステリック液晶シリコンを連続的に塗り重ね
て形成し、均一な厚みを持たせたものである。

【００１６】一般にコレステリック液晶ポリマー層は、
厚み方向上面に形成される配向方向に従い、上から入射
した光及び下から入射した光を共に左右いずれかの極性
の円偏光に分離し、一方の極性を透過し、逆極性を反射
する偏光機能を有するものである。

【００１７】ここで第１の実施の形態で用いるコレステ
リック液晶ポリマー層２７の偏光機能による半透過表示
の原理を図２に示すコレステリック液晶表示素子４８を
参照して詳述する。コレステリック液晶表示素子４８
は、Ｒ＝λ／２の位相差の液晶層５１を有する液晶セル
５０の、バックライト６０側の反射透過基板（図示せ
ず）に、例えば左旋円偏光を反射し、逆極性の右旋円偏
光を透過する偏光反射ポリマー層である左旋コレステリ
ック液晶ポリマー層５２を設けたものである。液晶セル
５０の画像表示側には、Ｒ＝λ／４の位相差板５３ａ、
偏光板５３ｂが設けられ、バックライト６０側には、Ｒ
＝λ／４の位相差板５４ａ、偏光板５４ｂが設けられて
いる。

【００１８】これによりコレステリック液晶表示素子４
８にあっては、白表示領域では、画像表示側からの光Ａ
は、 偏光板５３ｂ、位相差板５３ａを経て右旋円偏光
として液晶セル５０に入射され、液晶セル５０を通過す
る間に左旋円偏光に変換され左旋コレステリック液晶ポ
リマー層５２に照射されると、左旋円偏光を反射する左
旋コレステリック液晶ポリマー層５２で反射され、液晶
層５１を通過する間に右旋円偏光に変換され、位相差板
５３ａ、偏光板５３ｂを経て、反射光による白表示を行
う事となる。

【００１９】これと同時に、バックライト６０からの光
Ｂは、偏光板５４ｂ、位相差板５４ａを経て右旋円偏光
として左旋コレステリック液晶ポリマー層５２に照射さ
れ、左旋コレステリック液晶ポリマー層５２を透過し
て、液晶セル５０に入射され、液晶層５１を通過する間
に左旋円偏光に変換されるので、この後位相差板５３
ａ、偏光板５３ｂを経て、透過光による白表示を行う事
となる。

【００２０】一方黒表示領域では、画像表示側からの光
Ｃは、 偏光板５３ｂ、位相差板５３ａを経て右旋円偏
光として液晶セル５０に入射されるが、旋光する事無く
液晶層５１を通過し左旋コレステリック液晶ポリマー層
５２に照射される。そして光Ｃは右旋円偏光を透過する
左旋コレステリック液晶ポリマー層５２を透過し位相差
板５４ａを経て偏光板５４ｂに吸収される。

【００２１】これと同時にバックライト６０からの光Ｄ
は、偏光板５４ｂ、位相差板５４ａを経て右旋円偏光と
して右旋円偏光を透過する左旋コレステリック液晶ポリ
マー層５２を透過して、液晶セル５０に入射され、旋光
する事無く液晶層５１を通過し、位相差板５３ａを経て
偏光板５３ｂに吸収される。以上の原理によりコレステ
リック液晶ポリマー層２７は、半透過表示が成される。

【００２２】次に液晶表示素子１０の製造方法について
述べる。本実施の形態にあっては、図３に示すように第
１及び第２の大型ガラス板６２、６３上にそれぞれアレ
イ基板１１及び対向基板１２を４面づつ作成し、両大型
ガラス板６２、６３を貼り合せた後裁断し、同一の４面
の液晶セルを形成するものとする。

【００２３】まずアレイ基板１１は、第１の大型ガラス
板６２上の４面のそれぞれに、通常のフォトリソグラフ
ィ工程によるパターニングを繰り返してＴＦＴ素子１８
を形成する。次いでＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着
色層材料を順次ストライプ状にパターン形成して、カラ
ーフィルタ層２０を形成し、更に表示領域周囲に黒色フ
ィルタ１９を形成後、スパッタ法にてＩＴＯ膜を成膜
し、フォトリソグラフィ工程によってパターン形成し、
カラーフィルタ層２０上にマトリクス配列される画素電
極２１を形成後、液晶配向膜２３を塗布し、更にスペー
サ１３をパターン形成する。これにより第１の大型ガラ
ス板６２上にアレイ基板１１を４面形成する。

【００２４】一方対向基板１２は、第２の大型ガラス板
６３上の全面に下地配向膜２６を塗布し、ラビング処理
した後、ワッカーケミカル社製のコレステリック液晶シ
リコンを、左旋円偏光を反射し右旋円偏光を透過する所
望の厚さに達するまで連続的に均一に塗り重ねてコレス
テリック液晶ポリマー層２７を成膜する。

【００２５】次に図４に示すように、対向基板１２の切
り出しサイズ、すなわち第２の大型ガラス板６３の裁断
線６４から±１mmの領域のコレステリック液晶ポリマー
層２７及び下地配向膜２６に、例えば炭酸ガスを動作媒
質として用いるガスレーザ装置７０によるレーザ光７１
を照射する。これにより、図５に示す様に裁断線６４領
域のコレステリック液晶ポリマー層２７及び下地配向膜
２６を加熱除去する。この後コレステリック液晶ポリマ
ー層２７上にスパッタ法にてＩＴＯ膜を成膜しコモン電
極２８をパターン形成後、この上に液晶配向膜３０を塗
布して、第２の大型ガラス板６３上に対向基板１２を４
面形成する。

【００２６】この後、各液晶配向膜２３、３０をラビン
グによりそれぞれ配向処理し、第１の大型ガラス板６２
上の各アレイ基板１１上に、シール剤１４として三井化
学社製のＸＮ−２１Ｓを出来上がりのシール幅が１．０
ｍｍとなるように印刷塗布し、且つアレイ基板１１から
コモン電極２６に電圧を印加するためのトランスファ材
（図示せず）を塗布する。更に両大型ガラス板６２、６
３を対向配置し、シール剤１４を加熱硬化して貼り合せ
る。この時シール剤１４は、第２の大型ガラス板６３の
対向基板１２側にあってはコレステリック液晶ポリマー
層２７上の領域内に配置される事となる。

【００２７】次いで、ガラスカッターを用いて裁断線６
４で切り出す裁断工程を行い、同一の４面の液晶セルを
形成する。この液晶セルを切り出す際、裁断線６４をセ
ンターとする±１ｍｍの領域にあってはコレステリック
液晶ポリマー層２７が加熱除去されているので、裁断時
には大型ガラス板６２、６３のみを切り出せば良い。従
って、コレステリック液晶ポリマー層２７は裁断時の衝
撃を全く受けることが無く、コレステリック液晶ポリマ
ー層２７及びガラス基板２４は裁断時に損傷を生じる事
無く高い製造歩留まりにて裁断される。

【００２８】この後、各液晶セルの間隙に液晶組成物を
封入して液晶層１６を形成後、アレイ基板１１に光拡散
フィルム１１ａ・位相差板１１ｂ付き偏光板１１ｃを貼
り付け、対向基板１２に位相差板１２ｂ付き偏光板１２
ｃを貼り付けて液晶表示素子１０を完成する。

【００２９】このようにして作製した液晶表示素子１０
の裁断品位を評価したところ、コレステリック液晶ポリ
マー層２７更にはガラス基板２４に、割れや欠けあるい
はクラックは観察されなかった。又、コレステリック液
晶ポリマー層２７の剥がれによるガラス基板２４からの
浮きも観察されず、良好な表示をえられた。更に得られ
た液晶表示素子１０を高温高湿度（５０℃、８０％）条
件で１０００時間連続画像表示試験をおこない、表示品
位を評価したところ割れや欠けによる表示むらの発生
や、シールの剥がれ等による表示不良の発生は皆無で有
り、良好な表示画像を得られた。

【００３０】これに対し（比較例）として、第２の大型
ガラス板６３上の裁断線６４領域のコレステリック液晶
ポリマー層を除去せずに、第２の大型ガラス板６３の全
面にコレステリック液晶ポリマー層を形成したまま両大
型ガラス板６２、６３をシール剤１４で貼り合せ、裁断
線６４に沿って４面の液晶セルを切り出す以外は、第１
の実施の形態と全く同様にして図６に示す液晶表示素子
７０を作製した。

【００３１】この（比較例）の液晶表示素子の裁断品位
を評価したところ、コレステリック液晶ポリマー層７１
及びガラス基板２４にて割れや欠けあるいはクラックが
観察された。又、コレステリック液晶ポリマー層７１の
剥がれによるガラス基板２４からの浮きも観察された。
更にこの（比較例）の液晶表示素子７０を第１の実施の
形態と同様、高温高湿度（５０℃、８０％）条件で連続
画像表示試験を行い、表示品位を評価したところ、３８
０時間経過時に、コレステリック液晶ポリマー層７１の
クラックや剥がれによるガラス基板からの浮き部分を伝
い液晶表示素子７０外部から浸入した水分に起因すると
考えられる表示ムラが発生し、表示品位が著しく低下し
た。

【００３２】以上の構成により、第１の実施の形態にあ
っては、コレステリック液晶ポリマー層２７を有する液
晶セルを、第１及び第２の大型ガラス板６２、６３を用
いて４面同時に作製後に切り出す際に、ガスレーザ装置
７０により裁断線６４領域のコレステリック液晶ポリマ
ー層２７が既に加熱除去されているので、裁断時に、第
１及び第２の大型ガラス板６２、６３と共に切断し難い
コレステリック液晶ポリマー層２７を裁断しなくてよ
い。従って従来の様に裁断時の衝撃や応力によりコレス
テリック液晶ポリマー層２７あるいは第２のガラス基板
６３に割れや欠けあるいはクラックを生じることがな
く、又剥がれによりコレステリック液晶ポリマー層２７
のガラス基板２４からの浮きも無く、製造歩留まりを向
上出来るとともに、良好な表示品位を得られる。更に、
長期使用においてもコレステリック液晶ポリマー層２７
あるいはガラス基板２４に割れや欠け更には剥がれ等を
生じることなく、又シール剤の良好な接着強度を得ら
れ、シール不良を生じることなく高い耐久性を保持し、
長時間にわたり良好な表示品位を得られる。

【００３３】次に本発明を図７及び図８に示す第２の実
施の形態を参照して説明する。尚本実施の形態は第１の
実施の形態において、ガラス板の裁断線領域のコレステ
リック液晶ポリマー層を、加熱除去するのではなく機械
的に除去するものであり、他は第１の実施の形態と同一
であることから、第１の実施の形態と同一部分について
は同一符号を付しその説明を省略する。

【００３４】本実施の形態は、対向基板１２を形成する
ための、第２の大型ガラス板６３上に下地配向膜２６を
介してコレステリック液晶ポリマー層２７を成膜後、第
２の大型ガラス板６３の裁断線６４から±１mmの領域の
コレステリック液晶ポリマー層２７及び下地配向膜２６
に、例えば粒径＃４００の研磨剤入りであり、回転駆動
される円盤状のゴムブレード７２を摺接する。これによ
り図７に示す様に裁断線６４領域のコレステリック液晶
ポリマー層２７及び下地配向膜２６を機械的に研磨除去
する。この後第１の実施の形態と同様にコレステリック
液晶ポリマー層２７上にコモン電極２８、液晶配向膜３
０を形成し対向基板１２形成後、大型ガラス板６２、６
３を貼り合せる。

【００３５】次いで、ガラスカッターを用いて貼り合さ
れた大型ガラス板６２、６３裁断線６４で切り出す裁断
工程を行うが、裁断線６４をセンターとする±１ｍｍの
領域にあってはコレステリック液晶ポリマー層２７が機
械的に研磨除去されているので、裁断時には大型ガラス
板６２、６３のみを切り出せば良い。従って、第１の実
施の形態と同様コレステリック液晶ポリマー層２７は裁
断時の衝撃を全く受けることが無く、コレステリック液
晶ポリマー層２７及びガラス基板２４は損傷を生じる事
無く高い製造歩留まりにて裁断される。

【００３６】この様に大型ガラス板６２、６３を切り出
す前のコレステリック液晶ポリマー層２７の除去を機械
的な研磨により行った場合の液晶表示素子１０の裁断品
位を評価したところ、第１の実施の形態と全く同様、コ
レステリック液晶ポリマー層２７あるいはガラス基板２
４に、割れや欠けあるいはクラック、又コレステリック
液晶ポリマー層２７のガラス基板２４からの浮きのいず
れも観察されず、良好な表示をえられた。更に第１の実
施の形態と同様高温高湿度（５０℃、８０％）条件で連
続画像表示試験を行い、表示品位を評価したところ割れ
や欠けによる表示むらの発生や、シールの剥がれ等によ
る表示不良の発生は皆無で有り、耐久性に優れ良好な表
示画像を得られた。

【００３７】以上の構成により、第２の実施の形態にあ
っては、コレステリック液晶ポリマー層２７を有する液
晶セルを切り出す前に、研磨剤入りのゴムブレード７２
を摺接し、裁断線６４領域のコレステリック液晶ポリマ
ー層２７を機械的に研磨除去しているので、裁断時に切
断し難いコレステリック液晶ポリマー層２７を裁断しな
くてよい。従って第１の実施の形態と全く同様に、裁断
時にコレステリック液晶ポリマー層２７及び第２のガラ
ス基板６３に割れや欠けあるいはクラックを生じること
がなく、又剥がれによりコレステリック液晶ポリマー層
２７のガラス基板２４からの浮きも無く、製造歩留まり
を向上出来るとともに、良好な表示品位を得られる。更
に、長期使用においてもコレステリック液晶ポリマー層
２７あるいはガラス基板２４に割れや欠け更には剥がれ
等を生じることなく、又良好な接着強度を得られ、シー
ル不良を生じることなく高い耐久性を保持し、長時間に
わたり良好な表示品位を得られる。

【００３８】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
で無く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば、反射透過基板端面から偏光反射層端面迄の
距離は前述の実施の形態の１ｍｍに限定されるものでは
なく、大型基板上への表示基板あるいは反射透過基板の
製造精度、両大型基板の貼り合せ精度、第２の大型基板
の切り離し領域での偏光反射層の除去精度、及び両大型
基板の切り離し精度等を考慮し、大型基板を切り離す際
の裁断線上に偏光反射層が残るおそれの無い距離であれ
ば良い。

【００３９】又、大型基板上に形成する表示基板及び反
射透過基板の面数も限定されないし、単面であっても良
く、単面にて規定の平面表示素子サイズに切り出す場合
にも、偏光反射層を、その端面が反射透過基板端面より
内側になるように形成すれば、切り出し時の衝撃による
偏光反射層あるいはガラス基板の損傷を防止出来る。

【００４０】更に偏光反射層端部を加熱加工により除去
する装置はガスレーザ装置に限定されず、例えば図９に
示す第１の変形例のように、ガラス基板８０上のコレス
テリック液晶ポリマー層８１に、気体燃料を燃焼させる
マイクロバーナ７３の火炎７４を照射して裁断線８２領
域のコレステリック液晶ポリマー層８１を加熱除去して
も良い。このマイクロバーナ７３により、ガラス基板８
０の裁断前にコレステリック液晶ポリマー層８１を加熱
除去しておけば、第１の実施の形態と全く同様に、ガラ
ス基板８０の裁断時にコレステリック液晶ポリマー層８
１及びガラス基板８０に損傷を生じることがなく、製造
歩留まりを向上出来るとともに、良好な表示品位を得ら
れる。

【００４１】又、偏光反射層端部を加熱加工により除去
する装置は例えば図１０に示す第２の変形例のように、
ガラス基板８３上のコレステリック液晶ポリマー層８４
に、加温装置７５により例えば窒素ガスを４００℃に加
熱してなるホットエア７６を照射して裁断線８５領域の
コレステリック液晶ポリマー層８４を加熱除去しても良
い。このホットエア７６により、ガラス基板８３の裁断
前に裁断線８５領域のコレステリック液晶ポリマー層８
４を加熱除去しておけば、第１の実施の形態と全く同様
に、ガラス基板８３の裁断時にコレステリック液晶ポリ
マー層８４及びガラス基板８３に損傷を生じることがな
く、製造歩留まりを向上出来るとともに、良好な表示品
位を得られる。

【００４２】更に偏光反射層端部を機械的に除去する装
置は第２の実施の形態のゴムブレードによる研磨に限定
されず、例えば図１１及び図１２に示す第３の変形例の
ように、ガラス基板８６上のコレステリック液晶ポリマ
ー層８７の裁断線８８領域を、ナイフ７７で切り出し
後、裁断線８８領域をスクラバ７８で剥離して機械的に
除去しても良い。この様にナイフ７７による切り出し後
のスクラバ７８による剥離によりガラス基板８６の裁断
前にコレステリック液晶ポリマー層８７を機械的に除去
しておけば、第２の実施の形態と全く同様に、ガラス基
板８６の裁断時にコレステリック液晶ポリマー層８７及
びガラス基板８６に損傷を生じることがなく、製造歩留
まりを向上出来るとともに、良好な表示品位を得られ
る。

【００４３】又、偏光反射層端部を機械的に除去する装
置は例えば図１３に示す第４の変形例のように、ガラス
基板８９上のコレステリック液晶ポリマー層９０を裁断
線領域９１に開口９２ａを設けたマスク９２で被覆し、
開口９２ａにサンドブラスタ７９により研磨剤９３を噴
射して裁断線９１領域のコレステリック液晶ポリマー層
９０掘削除去しても良い。サンドブラスタ７９によりガ
ラス基板８９の裁断前にコレステリック液晶ポリマー層
９０を掘削除去しておけば、第２の実施の形態と全く同
様に、ガラス基板８９の裁断時にコレステリック液晶ポ
リマー層９０及びガラス基板８９に損傷を生じることが
なく、製造歩留まりを向上出来るとともに、良好な表示
品位を得られる。

【００４４】更に、偏光反射層は、例えばコレステリッ
ク液晶ポリマー層の厚さを調整することによりその配向
方向を変えて、コレステリック液晶ポリマー層の特性
を、右旋円偏光を反射する一方逆極性の左旋円偏光を透
過する機能を有するようにしても良い。又、偏光反射層
であるコレステリック液晶ポリマー層の原材料も任意で
あるし、偏光反射層としてコレステリック液晶ポリマー
層を形成する際も、均一な厚さを得られれば原材料を塗
り重ね無くても良い。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、偏
光反射層を有する平面表示素子を所定のさサイズに切り
出す時に、偏光反射層あるいはガラス基板に割れ、欠
け、クラックを生じたり、偏光反射層に浮き等の損傷を
生じるのを防止出来、高い製造歩留まりで良好な表示品
位を有する平面表示素子を得られる。又、耐久性にもす
ぐれ、長時間にわたり良好な表示品位を得られる。又、
シール剤が偏光反射層上に配置されるため、その高さ分
のシール剤を節約でき、製品となった際のシール幅の制
御も容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示素子及び
バックライトを示す概略断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態のコレステリック液
晶ポリマー層の原理を示す説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の大型ガラス板の裁
断を示す概略説明図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態のコレステリック液
晶ポリマー層の加熱除去工程を示す概略説明図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態の、裁断線領域除去
後のコレステリック液晶ポリマー層を示す概略説明図で
ある。

【図６】（比較例）液晶表示素子を示す概略断面図であ
る。

【図７】本発明の第２の実施の形態のコレステリック液
晶ポリマー層の研磨除去工程を示す概略説明図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態の、裁断線領域除去
後のコレステリック液晶ポリマー層を示す概略説明図で
ある。

【図９】本発明の第１の変形例のコレステリック液晶ポ
リマー層の加熱除去工程を示す概略説明図である。

【図１０】本発明の第２の変形例のコレステリック液晶
ポリマー層の加熱除去工程を示す概略説明図である。

【図１１】本発明の第３の変形例のコレステリック液晶
ポリマー層のナイフによる切り出し工程を示す概略説明
図である。

【図１２】本発明の第３の変形例のコレステリック液晶
ポリマー層のスクラパによる剥離除去工程を示す概略説
明図である。

【図１３】本発明の第４の変形例のコレステリック液晶
ポリマー層の研磨除去工程を示す概略説明図である。

【図１４】従来の液晶表示素子及びバックライトを示す
概略断面図である。

【符号の説明】

１０…液晶表示素子 １１…アレイ基板 １１ａ…光拡散フィルム １１ｂ…位相差板 １１ｃ…偏光板 １２…対向基板 １２ｂ…位相差板 １２ｃ…偏光板 １３…スペーサ １４…シール剤 １６…液晶層 １７…ガラス基板 １８…ＴＦＴ素子 ２０…カラーフィルタ層 ２１…画素電極 ２３…液晶配向膜 ２４…ガラス基板 ２６…下地配向膜 ２７…コレステリック液晶ポリマー層 ２８…コモン電極 ３０…液晶配向膜 ３２…バックライト ６２…第１の大型ガラス板 ６３…第２の大型ガラス板 ６４…裁断線 ７０…レーザ光源 ７１…レーザ光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 ５Ｇ４３５ Ｆターム(参考） 2H088 FA05 HA01 HA12 HA16 HA18 HA21 HA28 JA14 MA20 2H089 LA41 QA12 RA11 TA01 TA12 TA14 TA15 TA18 2H090 JB02 JC13 KA09 LA06 LA09 LA15 LA16 LA20 2H091 FA02Y FA07X FA07Z FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Z FA41Z GA01 HA11 LA12 5C094 AA42 AA43 AA44 BA43 CA19 CA24 ED03 ED11 5G435 AA17 BB12 CC09 CC12 EE09 FF03 GG12 KK02 KK05 KK10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画像表示基板及び反射透過基板からなる
   一対の基板と、前記反射透過基板の内面に取着され、端
   面が前記反射透過基板の端面より内側に位置する偏光反
   射層と、前記一対の基板の表示領域を囲うよう配置され
   るシール剤と、このシール剤に囲まれる領域にて前記一
   対の基板間に封入される光変調層とを有する平面表示素
   子の製造方法において、 前記反射透過基板内面に前記偏光反射層を形成する工程
   と、 前記偏光反射層の端面が前記反射透過基板の端面と前記
   表示領域との間に位置するよう前記偏光反射層の一部を
   除去する工程と、 前記画像表示基板及び前記反射透過基板を前記シール剤
   で貼り合せる工程と、 前記シール剤により貼り合わされた前記一対の基板を前
   記反射透過基板の端面にて裁断する工程とを具備するこ
   とを特徴とする平面表示素子の製造方法。
2. 【請求項２】 画像表示基板及び反射透過基板からなる
   一対の基板と、前記反射透過基板の内面に取着され、端
   面が前記反射透過基板の端面より内側に位置する偏光反
   射層と、前記一対の基板の表示領域を囲うよう配置され
   るシール剤と、このシール剤に囲まれる領域にて前記一
   対の基板間に封入される光変調層とを有する平面表示素
   子の製造方法において、 前記画像表示基板の複数面分の面積を有する第１の大型
   基板上に複数面の前記画像表示基板を形成する工程と、 前記反射透過基板の複数面分の面積を有する第２の大型
   基板内面に前記偏光反射層を形成する工程と、 前記第２の大型基板上にて、前記反射透過基板毎に、前
   記偏光反射層の端面が前記反射透過基板の端面と前記表
   示領域との間に位置するよう前記偏光反射層の一部を除
   去する工程と、 前記第１の大型基板及び前記第２の大型基板を前記シー
   ル剤で貼り合せる工程と、 前記シール剤により貼り合わた第１及び第２の大型基板
   を前記反射透過基板の端面にて切り離す工程とを具備す
   ることを特徴とする平面表示素子の製造方法。
3. 【請求項３】 前記偏光反射層の一部を除去する工程
   が、レーザ光により除去する工程である事を特徴とする
   請求項１又は請求項２のいずれか記載の平面表示素子の
   製造方法。
4. 【請求項４】 前記偏光反射層の一部を除去する工程
   が、ガスバーナの火炎により除去する工程である事を特
   徴とする請求項１又は請求項２のいずれか記載の平面表
   示素子の製造方法。
5. 【請求項５】 前記偏光反射層の一部を除去する工程
   が、ホットエアにより除去する工程である事を特徴とす
   る請求項１又は請求項２のいずれか記載の平面表示素子
   の製造方法。
6. 【請求項６】 前記偏光反射層の一部を除去する工程
   が、研磨剤入りゴムブレードで削り取る工程である事を
   特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか記載の平面
   表示素子の製造方法。
7. 【請求項７】 前記偏光反射層の一部を除去する工程
   が、ナイフにより切れ目を形成後、スクラパで剥離する
   工程である事を特徴とする請求項１又は請求項２のいず
   れか記載の平面表示素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記偏光反射層の一部を除去する工程
   が、サンドブラスタの研磨剤の噴射により削り取る工程
   である事を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか
   記載の平面表示素子の製造方法。