JP2003037240A - ハイブリット型ｉｃカードおよびその製造方法 - Google Patents
ハイブリット型ｉｃカードおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストであり、かつ信頼性の高いハイブリ
ッド型ＩＣカードを得る。 【解決手段】 接触型ＩＣカードと非接触型ＩＣカード
の両機能を併せ持ったハイブリッド型ＩＣカードにおい
て、原反サイズのインレットシートに形成されたアンテ
ナにＩＣチップモジュールを接合した後に、原反サイズ
の基材積層を実施し、然る後に周辺部打ち抜きを行っ
て、単体に分離するハイブリッド型ＩＣカードとする。
ッド型ＩＣカードを得る。 【解決手段】 接触型ＩＣカードと非接触型ＩＣカード
の両機能を併せ持ったハイブリッド型ＩＣカードにおい
て、原反サイズのインレットシートに形成されたアンテ
ナにＩＣチップモジュールを接合した後に、原反サイズ
の基材積層を実施し、然る後に周辺部打ち抜きを行っ
て、単体に分離するハイブリッド型ＩＣカードとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、1枚のカードで接
触型と非接触型の２つの異なるリーダライタインターフ
ェースを有するハイブリッド型ＩＣカードおよびその製
造方法に関するものである。
触型と非接触型の２つの異なるリーダライタインターフ
ェースを有するハイブリッド型ＩＣカードおよびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣカードの応用面並びに機能面
の利便性から接触型と非接触型の両機能を併せ持ったハ
イブリッド型ＩＣカードが多方面において利用されてい
る。
の利便性から接触型と非接触型の両機能を併せ持ったハ
イブリッド型ＩＣカードが多方面において利用されてい
る。
【０００３】図２は、従来のハイブリッド型ＩＣカード
の説明図である。図２（ａ）は、基材シートをカードサ
イズに打ち抜いた状態を示し、図２（ｂ）は、アンテナ
コイル接続部が露出された状態を示し、図２（ｃ）は、
ハイブリッドＩＣチップモジュールをアンテナコイル接
続部の真上へ位置決めした状態を示し、図２（ｄ）は、
完成されたハイブリッド型ＩＣカードの断面図を示す。
の説明図である。図２（ａ）は、基材シートをカードサ
イズに打ち抜いた状態を示し、図２（ｂ）は、アンテナ
コイル接続部が露出された状態を示し、図２（ｃ）は、
ハイブリッドＩＣチップモジュールをアンテナコイル接
続部の真上へ位置決めした状態を示し、図２（ｄ）は、
完成されたハイブリッド型ＩＣカードの断面図を示す。
【０００４】従来のハイブリッド型カードは、図２
（ａ）に示す通り、各基材シートを予めカードサイズに
打ち抜いた状態で、金属層成膜と選択エッチング或いは
打ち抜き等の組み合わせ手法によって、アンテナコイル
２２が形成されたインレットシート２１に、表層基材２
５を熱圧着や接着剤により貼り合わせる。
（ａ）に示す通り、各基材シートを予めカードサイズに
打ち抜いた状態で、金属層成膜と選択エッチング或いは
打ち抜き等の組み合わせ手法によって、アンテナコイル
２２が形成されたインレットシート２１に、表層基材２
５を熱圧着や接着剤により貼り合わせる。
【０００５】次に、図２（ｂ）に示すように、アンテナ
コイルの接続端子２２’が露呈する深さ並びにハイブリ
ットＩＣチップモジュール７と略等しいサイズでフライ
ス盤等により掘削する。然る後に、ハイブリットＩＣチ
ップモジュール７を該掘削穴２６内に嵌合させるという
ものであった。なお、ここでアンテナコイルの接続端子
２２’とハイブリットＩＣチップモジュール７の内部電
極端子１０’の接合は、導電性接着剤３４により行われ
ていた。
コイルの接続端子２２’が露呈する深さ並びにハイブリ
ットＩＣチップモジュール７と略等しいサイズでフライ
ス盤等により掘削する。然る後に、ハイブリットＩＣチ
ップモジュール７を該掘削穴２６内に嵌合させるという
ものであった。なお、ここでアンテナコイルの接続端子
２２’とハイブリットＩＣチップモジュール７の内部電
極端子１０’の接合は、導電性接着剤３４により行われ
ていた。
【０００６】図２（ｄ）は、完成されたハイブリッド型
ＩＣカードの断面図であって、先の従来の製造方法によ
って形成された基本構造体の表裏に、更に表側の絵柄層
３２及び裏側の絵柄層３３を形成して完成体としたもの
である。
ＩＣカードの断面図であって、先の従来の製造方法によ
って形成された基本構造体の表裏に、更に表側の絵柄層
３２及び裏側の絵柄層３３を形成して完成体としたもの
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、上記従来
の構造並びに製造方法では、製造工程の難易度や管理ポ
イントの観点からコスト的に極めて不利であった。即
ち、カードサイズでの加工、掘削穴２６を形成する際に
要求される極めて高精度な掘削加工、そして、端子電極
同士を接合する際の導電性接着剤３４のカード最表層へ
の溢れ出しに関わっての接着剤量の管理等の高い製造難
度に伴うコスト高が大きな課題であった。
の構造並びに製造方法では、製造工程の難易度や管理ポ
イントの観点からコスト的に極めて不利であった。即
ち、カードサイズでの加工、掘削穴２６を形成する際に
要求される極めて高精度な掘削加工、そして、端子電極
同士を接合する際の導電性接着剤３４のカード最表層へ
の溢れ出しに関わっての接着剤量の管理等の高い製造難
度に伴うコスト高が大きな課題であった。
【０００８】更に、従来の構造では、端子電極同士の接
合に用いられている材料が導電性接着剤３４であり、本
カードが継続的な機械的接触を伴う使用条件であること
から、カード内部のへのストレスが無視できず、電極接
続の信頼性においても甚だ不十分な状況であった。
合に用いられている材料が導電性接着剤３４であり、本
カードが継続的な機械的接触を伴う使用条件であること
から、カード内部のへのストレスが無視できず、電極接
続の信頼性においても甚だ不十分な状況であった。
【０００９】従って、本発明の目的は、上記従来の不都
合な問題点を克服し、低コストかつ信頼性の高いハイブ
リッド型ＩＣカードおよびその製造方法を提供すること
である。
合な問題点を克服し、低コストかつ信頼性の高いハイブ
リッド型ＩＣカードおよびその製造方法を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、接触型ＩＣカ
ードと非接触型ＩＣカードの両機能を併せ持ったハイブ
リッドＩＣカードにおいて、原反サイズのインレットシ
ートに形成されたアンテナにＩＣチップモジュールを接
合した後に、原反サイズの基材積層を実施し、然る後に
外形打ち抜きを行って、単体に分離することを特徴とす
るハイブリッドＩＣカードおよびその製造方法を採るも
のである。
ードと非接触型ＩＣカードの両機能を併せ持ったハイブ
リッドＩＣカードにおいて、原反サイズのインレットシ
ートに形成されたアンテナにＩＣチップモジュールを接
合した後に、原反サイズの基材積層を実施し、然る後に
外形打ち抜きを行って、単体に分離することを特徴とす
るハイブリッドＩＣカードおよびその製造方法を採るも
のである。
【００１１】また、本発明は、上記において、前記イン
レットシートはＩＣチップモジュールの内部電極端子に
対応する位置に貫通穴が穿たれており、更に該貫通穴の
直上にアンテナの接続端子が延在するように形成されて
いることを特徴とするものである。
レットシートはＩＣチップモジュールの内部電極端子に
対応する位置に貫通穴が穿たれており、更に該貫通穴の
直上にアンテナの接続端子が延在するように形成されて
いることを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明は、上記において、前記アン
テナは金属ワイヤであり、ＩＣチップモジュールの内部
電極端子とアンテナの接続端子との接合に際しては、接
合材料として半田を代表とする蝋材を用い、蝋材溶解用
の鏝先は前記インレットシートに穿たれた貫通穴を通し
て当てられることを特徴とするハイブリッドＩＣカード
及びその製造方法を採るものである。
テナは金属ワイヤであり、ＩＣチップモジュールの内部
電極端子とアンテナの接続端子との接合に際しては、接
合材料として半田を代表とする蝋材を用い、蝋材溶解用
の鏝先は前記インレットシートに穿たれた貫通穴を通し
て当てられることを特徴とするハイブリッドＩＣカード
及びその製造方法を採るものである。
【００１３】更にまた、本発明では、基材積層に際し、
ＩＣチップモジュールが接合されたインレットシートの
ＩＣチップモジュール搭載側にはＩＣチップモジュール
と略等しいサイズの貫通穴が穿たれた表層基材を該貫通
穴とＩＣチップモジュールとを位置整合して配し、ま
た、反対側には平板状の支持基材を配して熱圧着または
接着剤にて行うことを特徴とするものである。
ＩＣチップモジュールが接合されたインレットシートの
ＩＣチップモジュール搭載側にはＩＣチップモジュール
と略等しいサイズの貫通穴が穿たれた表層基材を該貫通
穴とＩＣチップモジュールとを位置整合して配し、ま
た、反対側には平板状の支持基材を配して熱圧着または
接着剤にて行うことを特徴とするものである。
【００１４】そしてまた、本発明は、上記において、表
層基材の厚さは、該ＩＣチップモジュールの外部電極端
子面が確実に該カード（完成体）の最表層面と等しいか
それ以上となるように決定されていることを特徴とする
ハイブリッドＩＣカード及びその製造方法を採るもので
ある。
層基材の厚さは、該ＩＣチップモジュールの外部電極端
子面が確実に該カード（完成体）の最表層面と等しいか
それ以上となるように決定されていることを特徴とする
ハイブリッドＩＣカード及びその製造方法を採るもので
ある。
【００１５】即ち、本発明は、接触型ＩＣカードと非接
触型ＩＣカードの両機能を併せ持ったハイブリッド型Ｉ
Ｃカードにおいて、原反サイズのインレットシートに形
成されたアンテナにＩＣチップモジュールを接合した後
に、原反サイズの基材積層を実施し、然る後に周辺部を
除去し、単体に分離されたハイブリッド型ＩＣカードで
ある。
触型ＩＣカードの両機能を併せ持ったハイブリッド型Ｉ
Ｃカードにおいて、原反サイズのインレットシートに形
成されたアンテナにＩＣチップモジュールを接合した後
に、原反サイズの基材積層を実施し、然る後に周辺部を
除去し、単体に分離されたハイブリッド型ＩＣカードで
ある。
【００１６】また、本発明は、前記インレットシート
が、ＩＣチップモジュールの内部電極端子に対応する位
置に貫通穴が穿たれており、更に該貫通穴の直上にアン
テナの接続端子が延在するように形成されたハイブリッ
ド型ＩＣカードである。
が、ＩＣチップモジュールの内部電極端子に対応する位
置に貫通穴が穿たれており、更に該貫通穴の直上にアン
テナの接続端子が延在するように形成されたハイブリッ
ド型ＩＣカードである。
【００１７】また、本発明は、前記アンテナが、電気導
体であり、ＩＣチップモジュールの内部電極端子とアン
テナの接続端子との接合に際しては、接合材料として蝋
材を用い、蝋材溶解用の鏝先は前記インレットシートに
穿たれた貫通穴を通して当てられたハイブリッド型ＩＣ
カードである。
体であり、ＩＣチップモジュールの内部電極端子とアン
テナの接続端子との接合に際しては、接合材料として蝋
材を用い、蝋材溶解用の鏝先は前記インレットシートに
穿たれた貫通穴を通して当てられたハイブリッド型ＩＣ
カードである。
【００１８】また、本発明は、前記ハイブリッド型ＩＣ
カードにおける基材積層は、ＩＣチップモジュールが接
合されたインレットシートのＩＣチップモジュール搭載
側にはＩＣチップモジュールと略等しいサイズの貫通穴
が穿たれた表層基材を該貫通穴と、ＩＣチップモジュー
ルとを位置整合して配し、また、反対側には平板状の支
持基材を配して熱圧着法または接着剤にて行われたハイ
ブリッド型ＩＣカードである。
カードにおける基材積層は、ＩＣチップモジュールが接
合されたインレットシートのＩＣチップモジュール搭載
側にはＩＣチップモジュールと略等しいサイズの貫通穴
が穿たれた表層基材を該貫通穴と、ＩＣチップモジュー
ルとを位置整合して配し、また、反対側には平板状の支
持基材を配して熱圧着法または接着剤にて行われたハイ
ブリッド型ＩＣカードである。
【００１９】また、本発明は、前記表層基材の厚さは、
前記ＩＣチップモジュールの外部電極端子面が確実に前
記カードの最表層面と等しいかそれ以上となるように決
定されているハイブリッド型ＩＣカードである。
前記ＩＣチップモジュールの外部電極端子面が確実に前
記カードの最表層面と等しいかそれ以上となるように決
定されているハイブリッド型ＩＣカードである。
【００２０】また、本発明は、接触型ＩＣカードと非接
触型ＩＣカードの両機能を併せ持ったハイブリッド型Ｉ
Ｃカードの製造方法において、原反サイズのインレット
シートに形成されたアンテナにＩＣチップモジュールを
接合し、原反サイズの基材積層を実施して、然る後に周
辺部を除去して、単体に分離するハイブリッド型ＩＣカ
ードの製造方法である。
触型ＩＣカードの両機能を併せ持ったハイブリッド型Ｉ
Ｃカードの製造方法において、原反サイズのインレット
シートに形成されたアンテナにＩＣチップモジュールを
接合し、原反サイズの基材積層を実施して、然る後に周
辺部を除去して、単体に分離するハイブリッド型ＩＣカ
ードの製造方法である。
【００２１】また、本発明は、前記インレットシート
は、ＩＣチップモジュールの内部電極端子に対応する位
置に貫通穴が穿たれており、更に該貫通穴の直上にアン
テナの接続端子が延在するように形成するハイブリッド
型ＩＣカードの製造方法である。
は、ＩＣチップモジュールの内部電極端子に対応する位
置に貫通穴が穿たれており、更に該貫通穴の直上にアン
テナの接続端子が延在するように形成するハイブリッド
型ＩＣカードの製造方法である。
【００２２】また、本発明は、前記アンテナを、電気導
体とし、ＩＣチップモジュールの内部電極端子とアンテ
ナの接続端子との接合に際しては、接合材料として蝋材
を用い、蝋材溶解用の鏝先は前記インレットシートに穿
たれた貫通穴を通して当てるハイブリッド型ＩＣカード
の製造方法である。
体とし、ＩＣチップモジュールの内部電極端子とアンテ
ナの接続端子との接合に際しては、接合材料として蝋材
を用い、蝋材溶解用の鏝先は前記インレットシートに穿
たれた貫通穴を通して当てるハイブリッド型ＩＣカード
の製造方法である。
【００２３】また、本発明は、前記ハイブリッド型ＩＣ
カードの製造方法における基材積層は、ＩＣチップモジ
ュールが接合されたインレットシートのＩＣチップモジ
ュール搭載側にはＩＣチップモジュールと略等しいサイ
ズの貫通穴が穿たれた表層基材を該貫通穴と、ＩＣチッ
プモジュールとを位置整合して配し、また、反対側には
平板状の支持基材を配して熱圧着法又は接着剤にて行わ
れるハイブリッド型ＩＣカードの製造方法である。
カードの製造方法における基材積層は、ＩＣチップモジ
ュールが接合されたインレットシートのＩＣチップモジ
ュール搭載側にはＩＣチップモジュールと略等しいサイ
ズの貫通穴が穿たれた表層基材を該貫通穴と、ＩＣチッ
プモジュールとを位置整合して配し、また、反対側には
平板状の支持基材を配して熱圧着法又は接着剤にて行わ
れるハイブリッド型ＩＣカードの製造方法である。
【００２４】 また、本発明は、前記表層基材の厚さ
を、該ＩＣチップモジュールの外部電極端子面が確実に
前記カードの最表層面と等しいかそれ以上とするように
決定するハイブリッド型ＩＣカードの製造方法である。
を、該ＩＣチップモジュールの外部電極端子面が確実に
前記カードの最表層面と等しいかそれ以上とするように
決定するハイブリッド型ＩＣカードの製造方法である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のハイ
ブリッド型ＩＣカードにつき、図面を参照しながら説明
する。
ブリッド型ＩＣカードにつき、図面を参照しながら説明
する。
【００２６】図１は、本発明の実施の形態によるハイブ
リッド型ＩＣカードの説明図である。図１（ａ）は、本
発明のハイブリット型ＩＣカードの基本構成を説明する
ための分解図である。
リッド型ＩＣカードの説明図である。図１（ａ）は、本
発明のハイブリット型ＩＣカードの基本構成を説明する
ための分解図である。
【００２７】本発明のハイブリット型ＩＣカードは、支
持基材８の上にアンテナコイル２およびその接続端子
２’が予め形成されている貫通穴４の直上を通って延在
形成され、かつ、ハイブリッドＩＣチップモジュール７
の樹脂モールド部１１が嵌め込まれる貫通穴３を具備し
たインレットシート１を配し、更にその上にハイブリッ
ドＩＣチップモジュール７のＩＣモジュール配線基板部
９と略等しいサイズの貫通穴６が形成された表層基材５
が配されて一体化積層される
持基材８の上にアンテナコイル２およびその接続端子
２’が予め形成されている貫通穴４の直上を通って延在
形成され、かつ、ハイブリッドＩＣチップモジュール７
の樹脂モールド部１１が嵌め込まれる貫通穴３を具備し
たインレットシート１を配し、更にその上にハイブリッ
ドＩＣチップモジュール７のＩＣモジュール配線基板部
９と略等しいサイズの貫通穴６が形成された表層基材５
が配されて一体化積層される
【００２８】次に、図１（ｂ）は、本発明のハイブリッ
ト型ＩＣカードの製造工程と構成部材の位置関係を更に
詳しく説明した断面図である。図１（ｂ）より、カード
の取れ数に対応する複数の貫通穴３および４が打ち抜か
れたＰＥＴ−Ｇや塩化ビニール等から成る原反サイズの
インレットシート１の表面に、銅ワイヤを用いて所定形
状のアンテナコイル２を熱圧着等の手段で形成する。こ
こで、アンテナコイル２は、直径のほぼ１／２〜１／３
の部分がインレットシート１の内部に埋設固着される。
尚、アンテナコイル２は、その接続端子２’の部分が貫
通穴４の直上を通って延在するように配される。
ト型ＩＣカードの製造工程と構成部材の位置関係を更に
詳しく説明した断面図である。図１（ｂ）より、カード
の取れ数に対応する複数の貫通穴３および４が打ち抜か
れたＰＥＴ−Ｇや塩化ビニール等から成る原反サイズの
インレットシート１の表面に、銅ワイヤを用いて所定形
状のアンテナコイル２を熱圧着等の手段で形成する。こ
こで、アンテナコイル２は、直径のほぼ１／２〜１／３
の部分がインレットシート１の内部に埋設固着される。
尚、アンテナコイル２は、その接続端子２’の部分が貫
通穴４の直上を通って延在するように配される。
【００２９】次に、上記インレットシート１の貫通穴３
に位置整合してハイブリッドＩＣチップモジュール７を
内部電極端子１０’と接続端子２’とを位置整合して設
置し、貫通穴４を介して裏面側から鏝先を当てて半田付
けを実施する。半田は、ハイブリットＩＣチップモジュ
ール７を配置する前に、モジュール側の内部電極端子１
０’領域か、接続端子２’領域の何れか、または両方
に、スクリーン印刷或いは直接予備半田付け等で形成し
ておいてもよいし、また、ＩＣチップモジュールを配置
した後、貫通穴４を経由して供給してもよい。
に位置整合してハイブリッドＩＣチップモジュール７を
内部電極端子１０’と接続端子２’とを位置整合して設
置し、貫通穴４を介して裏面側から鏝先を当てて半田付
けを実施する。半田は、ハイブリットＩＣチップモジュ
ール７を配置する前に、モジュール側の内部電極端子１
０’領域か、接続端子２’領域の何れか、または両方
に、スクリーン印刷或いは直接予備半田付け等で形成し
ておいてもよいし、また、ＩＣチップモジュールを配置
した後、貫通穴４を経由して供給してもよい。
【００３０】引き続いて、上記でハイブリットＩＣチッ
プモジュール７が搭載、一体化されたインレットシート
１の裏面側にＰＥＴ−Ｇや塩化ビニール等から成る原反
サイズの支持基材８を、また、表側には同じく原反サイ
ズでＰＥＴ−Ｇや塩化ビニール等から成り、ハイブリッ
トＩＣチップモジュール７のＩＣモジュール配線基板部
９と略等しい形状の貫通穴６が打ち抜かれている表層基
材５が、貫通穴６とハイブリットＩＣチップモジュール
７とを位置整合した状態で重ね合わせられ、接着剤また
は熱圧着等の手段により積層一体化され、ハイブリッド
ＩＣカードの基本構造が原反サイズで完成する。
プモジュール７が搭載、一体化されたインレットシート
１の裏面側にＰＥＴ−Ｇや塩化ビニール等から成る原反
サイズの支持基材８を、また、表側には同じく原反サイ
ズでＰＥＴ−Ｇや塩化ビニール等から成り、ハイブリッ
トＩＣチップモジュール７のＩＣモジュール配線基板部
９と略等しい形状の貫通穴６が打ち抜かれている表層基
材５が、貫通穴６とハイブリットＩＣチップモジュール
７とを位置整合した状態で重ね合わせられ、接着剤また
は熱圧着等の手段により積層一体化され、ハイブリッド
ＩＣカードの基本構造が原反サイズで完成する。
【００３１】この後、カードの表裏最表層に所望の図柄
や文字、番号等を形成するための、表側の絵柄層１２、
裏側の絵柄層１３が任意の方法で形成されて、原反サイ
ズのハイブリッドＩＣカードが完成するのである。
や文字、番号等を形成するための、表側の絵柄層１２、
裏側の絵柄層１３が任意の方法で形成されて、原反サイ
ズのハイブリッドＩＣカードが完成するのである。
【００３２】尚、上記表層基材５の厚みは、表側の絵柄
層１２の厚さを考慮して、完成後、ハイブリットＩＣチ
ップモジュール７の外部電極端子１０の面が、前記表側
の絵柄層１２の表面と等しいか、それよりも僅かに高く
なるような値に決められることが重要である。
層１２の厚さを考慮して、完成後、ハイブリットＩＣチ
ップモジュール７の外部電極端子１０の面が、前記表側
の絵柄層１２の表面と等しいか、それよりも僅かに高く
なるような値に決められることが重要である。
【００３３】最後に、上記によって原反サイズで完成さ
れたハイブリッドＩＣカードを、カード打ち抜き装置に
よって、個々のカードに分離するのである。以上が、本
発明の実施の形態である。
れたハイブリッドＩＣカードを、カード打ち抜き装置に
よって、個々のカードに分離するのである。以上が、本
発明の実施の形態である。
【００３４】
【発明の効果】本発明を実施することにより、従来の技
術並びに発明が解決しようとする課題の項で述べた、従
来の欠点を著しく改善することができる。即ち、一貫し
て原反サイズで製造工程を進めることにより、製造の効
率が大きく改善されるし、また、構成基材シートの所定
位置に、予め所定形状の貫通穴を打ち抜いておくこと
で、従来のように高精度で掘削穴を一個一個加工する必
要も無い。また、ＩＣチップとアンテナコイルの接合に
おいても、蝋材による局所的直接接続を実施するため、
従来のような接着剤の量の厳密な管理も必要無い等、製
造の難易度の点で、著しく容易になったハイブリッド型
ＩＣカードおよびその製造方法を提供できるものであ
る。
術並びに発明が解決しようとする課題の項で述べた、従
来の欠点を著しく改善することができる。即ち、一貫し
て原反サイズで製造工程を進めることにより、製造の効
率が大きく改善されるし、また、構成基材シートの所定
位置に、予め所定形状の貫通穴を打ち抜いておくこと
で、従来のように高精度で掘削穴を一個一個加工する必
要も無い。また、ＩＣチップとアンテナコイルの接合に
おいても、蝋材による局所的直接接続を実施するため、
従来のような接着剤の量の厳密な管理も必要無い等、製
造の難易度の点で、著しく容易になったハイブリッド型
ＩＣカードおよびその製造方法を提供できるものであ
る。
【００３５】更にまた、ＩＣチップとアンテナコイルと
の接合に半田を代表とする蝋材を用いることによって、
継続的な機械的接触に起因する接合部分の耐久性、信頼
性が抜群に改善されるのである。本発明は、実施の形態
で述べた例に限らず、接触型と非接触型を併用する如何
なるカードやタグ類にも適用できるし、また、当然では
あるが、あらゆる接触型のみのカードやタグ類にも適用
できる。更にまた、当然の事ではあるが、構成基材や蝋
材、アンテナコイル等の材質及び形状等においても、実
施例に限定するものでは無い。
の接合に半田を代表とする蝋材を用いることによって、
継続的な機械的接触に起因する接合部分の耐久性、信頼
性が抜群に改善されるのである。本発明は、実施の形態
で述べた例に限らず、接触型と非接触型を併用する如何
なるカードやタグ類にも適用できるし、また、当然では
あるが、あらゆる接触型のみのカードやタグ類にも適用
できる。更にまた、当然の事ではあるが、構成基材や蝋
材、アンテナコイル等の材質及び形状等においても、実
施例に限定するものでは無い。
【図１】本発明の実施の形態によるハイブリッド型ＩＣ
カードの説明図。図１（ａ）は、本発明によるハイブリ
ッド型ＩＣカードの基本構成を説明するための分解図。
図１（ｂ）は、本発明のハイブリット型ＩＣカードの製
造工程と各構成部材の位置関係を更に詳しく示した断面
図。図１（ｃ）は、本発明によるハイブリッド型ＩＣカ
ードの完成体の断面図。
カードの説明図。図１（ａ）は、本発明によるハイブリ
ッド型ＩＣカードの基本構成を説明するための分解図。
図１（ｂ）は、本発明のハイブリット型ＩＣカードの製
造工程と各構成部材の位置関係を更に詳しく示した断面
図。図１（ｃ）は、本発明によるハイブリッド型ＩＣカ
ードの完成体の断面図。
【図２】図２は、従来のハイブリッド型ＩＣカードの説
明図。図２（ａ）は、基材シートをカードサイズに打ち
抜いた状態を示す図。図２（ｂ）は、アンテナコイル接
続部が露出された状態を示す図。図２（ｃ）は、ハイブ
リッドＩＣチップモジュールをアンテナコイル接続部の
真上へ位置決めした状態を示す図。図２（ｄ）は、完成
されたハイブリッド型ＩＣカードの断面図。
明図。図２（ａ）は、基材シートをカードサイズに打ち
抜いた状態を示す図。図２（ｂ）は、アンテナコイル接
続部が露出された状態を示す図。図２（ｃ）は、ハイブ
リッドＩＣチップモジュールをアンテナコイル接続部の
真上へ位置決めした状態を示す図。図２（ｄ）は、完成
されたハイブリッド型ＩＣカードの断面図。
１，２１ インレットシート
２，２２ アンテナコイル
２’，２２’ （アンテナコイルの）接続端子
３ 貫通穴（ＩＣモジュールの樹脂モールド部が嵌め
込まれる） ４ 貫通穴（アンテナコイルの接続端子とＩＣモジュ
ールの内部電極端子に対応） ５，２５ 表層基材 ６ 貫通穴 ７ ハイブリッドＩＣチップモジュール ８，２８ 支持基材 ９ ＩＣモジュール配線基板部 １０，１０’ （ＩＣモジュールの）外部電極端子 １１ ＩＣモジュールの樹脂モールド部 １２，３２ 表側の絵柄層 １３，３３ 裏側の絵柄層 １４ 蝋材（半田等） ２６ 掘削穴 ３４ 導電性接着剤
込まれる） ４ 貫通穴（アンテナコイルの接続端子とＩＣモジュ
ールの内部電極端子に対応） ５，２５ 表層基材 ６ 貫通穴 ７ ハイブリッドＩＣチップモジュール ８，２８ 支持基材 ９ ＩＣモジュール配線基板部 １０，１０’ （ＩＣモジュールの）外部電極端子 １１ ＩＣモジュールの樹脂モールド部 １２，３２ 表側の絵柄層 １３，３３ 裏側の絵柄層 １４ 蝋材（半田等） ２６ 掘削穴 ３４ 導電性接着剤
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/60 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｈ
Claims (10)
- 【請求項１】 接触型ＩＣカードと非接触型ＩＣカード
の両機能を併せ持ったハイブリッド型ＩＣカードにおい
て、原反サイズのインレットシートに形成されたアンテ
ナにＩＣチップモジュールを接合した後に、原反サイズ
の基材積層を実施し、然る後に周辺部を除去し、単体に
分離されたことを特徴とするハイブリッド型ＩＣカー
ド。 - 【請求項２】 前記インレットシートは、ＩＣチップモ
ジュールの内部電極端子に対応する位置に貫通穴が穿た
れており、更に該貫通穴の直上にアンテナの接続端子が
延在するように形成されていることを特徴とする請求項
１に記載のハイブリッド型ＩＣカード。 - 【請求項３】 前記アンテナは、電気導体であり、ＩＣ
チップモジュールの内部電極端子とアンテナの接続端子
との接合に際しては、接合材料として蝋材を用い、蝋材
溶解用の鏝先は前記インレットシートに穿たれた貫通穴
を通して当てられたことを特徴とする請求項１または２
に記載のハイブリッド型ＩＣカード。 - 【請求項４】 前記ハイブリッド型ＩＣカードにおける
基材積層は、ＩＣチップモジュールが接合されたインレ
ットシートのＩＣチップモジュール搭載側にはＩＣチッ
プモジュールと略等しいサイズの貫通穴が穿たれた表層
基材を該貫通穴と、ＩＣチップモジュールとを位置整合
して配し、又、反対側には平板状の支持基材を配して熱
圧着法又は接着剤にて行われたことを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかに記載のハイブリッド型ＩＣカー
ド。 - 【請求項５】 前記表層基材の厚さは、前記ＩＣチップ
モジュールの外部電極端子面が確実に前記カードの最表
層面と等しいかそれ以上となるように決定されているこ
とを特徴とする請求項４に記載のハイブリッド型ＩＣカ
ード。 - 【請求項６】 接触型ＩＣカードと非接触型ＩＣカード
の両機能を併せ持ったハイブリッド型ＩＣカードの製造
方法において、原反サイズのインレットシートに形成さ
れたアンテナにＩＣチップモジュールを接合し、原反サ
イズの基材積層を実施して、然る後に周辺部を除去し
て、単体に分離することを特徴とするハイブリッド型Ｉ
Ｃカードの製造方法。 - 【請求項７】 前記インレットシートは、ＩＣチップモ
ジュールの内部電極端子に対応する位置に貫通穴が穿た
れており、更に該貫通穴の直上にアンテナの接続端子が
延在するように形成することを特徴とする請求項６に記
載のハイブリッド型ＩＣカードの製造方法。 - 【請求項８】 前記アンテナを、電気導体とし、ＩＣチ
ップモジュールの内部電極端子とアンテナの接続端子と
の接合に際しては、接合材料として蝋材を用い、蝋材溶
解用の鏝先は前記インレットシートに穿たれた貫通穴を
通して当てることを特徴とする請求項６または７に記載
のハイブリッド型ＩＣカードの製造方法。 - 【請求項９】 前記ハイブリッド型ＩＣカードの製造方
法における基材積層は、ＩＣチップモジュールが接合さ
れたインレットシートのＩＣチップモジュール搭載側に
はＩＣチップモジュールと略等しいサイズの貫通穴が穿
たれた表層基材を該貫通穴と、ＩＣチップモジュールと
を位置整合して配し、又、反対側には平板状の支持基材
を配して熱圧着法又は接着剤にて行われることを特徴と
する請求項６ないし８のいずれかに記載のハイブリッド
型ＩＣカードの製造方法。 - 【請求項１０】 前記表層基材の厚さを、該ＩＣチップ
モジュールの外部電極端子面が確実に前記カードの最表
層面と等しいかそれ以上とするように決定することを特
徴とする請求項９に記載のハイブリッド型ＩＣカードの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224730A JP4614302B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | ハイブリット型ｉｃカードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224730A JP4614302B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | ハイブリット型ｉｃカードおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037240A true JP2003037240A (ja) | 2003-02-07 |
| JP4614302B2 JP4614302B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=19057841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001224730A Expired - Fee Related JP4614302B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | ハイブリット型ｉｃカードおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4614302B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071028A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Toppan Printing Co Ltd | デュアルインターフェースカードの製造方法 |
| JP2008097081A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Toppan Printing Co Ltd | デュアルインターフェースカードの製造方法 |
| JP2019220139A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | コナ アイ カンパニー リミテッド | メタルカード及びメタルカードの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10157353A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Toshiba Corp | 無線カードおよびその製造方法 |
| JPH11216974A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | 複合型ｉｃカード及びその製造方法 |
| JP2001076110A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 非接触型ｉｃカードと非接触型ｉｃカードの製造方法と非接触型ｉｃカード用平面コイル |
| JP2001126044A (ja) * | 1999-02-05 | 2001-05-11 | Hitachi Maxell Ltd | フレキシブルｉｃモジュール及びその製造方法並びにフレキシブルｉｃモジュールを用いた情報担体の製造方法 |
-
2001
- 2001-07-25 JP JP2001224730A patent/JP4614302B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2001076110A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 非接触型ｉｃカードと非接触型ｉｃカードの製造方法と非接触型ｉｃカード用平面コイル |
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| JP2019220139A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | コナ アイ カンパニー リミテッド | メタルカード及びメタルカードの製造方法 |
| US11009855B2 (en) | 2018-06-19 | 2021-05-18 | Kona I Co., Ltd. | Metal card and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4614302B2 (ja) | 2011-01-19 |
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