JP2003036577A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ミリングによりトラック分断を行う磁壁移動
光磁気記録媒体において、記録膜を形成する磁性膜から
の浮遊磁界の影響を低減し、各磁性膜の組成マージンを
広くする。 【解決手段】 基板１上に下地層１２１、記録膜１２２
となる磁性膜を積層した後、イオンミリングを行って溝
側壁の傾斜部１５の磁性層を除去する。その後、室温で
面内磁化膜である所定の磁性膜１２４を積層し、さらに
保護膜１２３を生成し、必要に応じてその上に放熱層を
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に記録膜を
形成してなる情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に記録膜を形成してなる情報記録
媒体として、種々の光記録媒体や磁気記録媒体が知られ
ている。光で検出可能な光学的状態の変化に対応させて
情報を記録する光記録媒体は高密度化が可能であり、光
ディスクや光カードとして実用化されている。光記録媒
体上に形成される光学的状態の変化としては、凹凸のビ
ット、反射膜の有無や変形、屈折率の変化、磁化反転等
がある。このうち、磁化反転は、光学的状態の変化が反
射光の偏光状態の変化として検出され、その他の形態で
は、反射光量の変化として検出される。

【０００３】また、このような光検出方式の場合、記録
や再生時に光を所定の場所に導くためにトラッキングと
フォーカスという機構が採用されている。その仕組みを
構成する要素として通常媒体上に案内溝と呼ばれる溝が
形成されている。この溝は記録の行われるランドの間に
設けられており通常記録には使われない。しかし、近年
高密度化の要求に対応するために特開平６−３４９０７
３号公報に開示されているように、この溝（グルーブと
呼ぶ）にも記録をすること（ランド／グルーブ記録方式
と呼ぶ）が提案されている。この場合、グルーブの底面
はランド表面および基板表面に対して平行な平面であ
る。ここで溝とは情報トラックが形成されている側から
見て凹となっている部分をいう。さらに高密度化を図る
ためにトラックピッチを小さくして狭トラックを図るこ
とが考えられるが、その際隣接するトラックのデータを
破壊しないための工夫として特開平９−１６１３２１号
公報に開示されているようにランド部と溝部との段差す
なわち溝深さを深くすることが提案されている。

【０００４】このような光学的状態の変化をレーザービ
ームの照射加熱により生起させる記録モードにおいて
は、形成される状態変化領域（記録マーク）の大きさや
形状は、局所的な加熱によって記録膜上に誘起される温
度分布によって決まる。記録膜上に誘起される温度分布
は膜面方向の熱拡散の影響を受けるため、レーザービー
ムからの単位時間当たりの入射熱量を一定にして定線速
で加熱領域を移動させた場合でも、移動距離や直前に加
熱した領域からの距離の違いによって、形成される温度
分布は複雑な変化の仕方をする。

【０００５】このため、単純に情報に対応させた加熱操
作を行うと、情報パターンによって形成されるマークの
幅が変動してしまう。このようなマーク列を光ビームの
走査によって時系列的に読み出すと、マーク検出のタイ
ミングジッターが増大するため、元の情報を正しく再生
できない危険性がある。この問題を回避するため、単位
時間当たりの入射熱量や、加熱時間等を情報パターンに
応じて調整する記録補償方式が種々提案されているが、
この場合記録手段が複雑化するという問題がある。

【０００６】また、高密度化のために情報トラック間の
間隔を狭めた基板上に、従来知られているマグネトロン
スパッタ法を用いて記録膜を成膜して記録媒体を作製す
ると、図３に示すように基板３１の膜面方向には概ね一
様な厚さの記録膜３２が形成されるため、そのランド３
３のトラック上でレーザービームの照射加熱によって記
録もしくは消去を行ったときに隣接するランド３３のト
ラックへの膜面を通しての熱拡散によって、隣接するト
ラック上に保存されていた情報ビットを破壊してしまう
という、クロスライトもしくはクロスイレーズの問題が
生じる。また、情報トラックの両側のサーボ用の案内溝
をも情報トラックとして使用する方式（ランド／グルー
ブ記録方式）を適用した場合は、図４に示すように溝幅
が狭く、溝深さが深くなるほど溝底部への膜の付着量が
少なくなり案内溝にランドと同等な特性を有する記録膜
を形成できないため正常な動作が困難となることがある
という問題があった。この理由は、基板４１に入射する
原子の方向がランダムであることにより、溝へ到達する
前にランド４３部分に付着して溝底部に付着する原子や
分子の数が減少するためにランド４３上と同じ特性およ
び膜厚が得られないためである。

【０００７】さらに特開平６−２９０４９６号公報にお
いて、記録膜として基板の反対側から順次第１の磁性
層、第２の磁性層、および第３の磁性層が積層されてお
り、第１の磁性層は、第３の磁性層に比べて相対的に磁
壁抗磁力が小さく、第２の磁性層は第１の磁性層および
第３の磁性層よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒
体、およびこの光磁気記録媒体を用いて記録マークの境
界部に存在する第１の磁性層の磁壁を温度勾配によって
移動させて、この磁壁移動に伴う磁化反転を、反射光の
偏光状態の変化として検出する高密度記録再生方法が提
案されている。この方法においては、記録マークの前方
境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とが分離独立して形成
されていることが、磁壁の移動を安定化させ再生特性を
向上させる上で望ましい。

【０００８】しかし、従来の基板上に記録膜を成膜して
この記録媒体を作製すると、図３に示すように膜面方向
には概ね一様な記録膜が形成されるため、前後の磁壁が
完全に分離しているような記録マークを形成することは
困難であった。このように膜面方向に一様な記録膜が形
成される理由は、蒸発源から飛び出した分子や原子が、
基板に到達するまでにお互いに衝突したり、蒸発させる
際に使用する不活性ガス原子と衝突するために、飛行す
る方向がランダムになり、色々な角度で基板に入射する
ためである。このため、記録膜の成膜後にトラックの両
側を高出力のレーザビームでアニールするなどしてトラ
ック側部の磁性膜を変質もしくは磁性を消失させる処理
を行い、この処理部に跨るように記録マークを形成する
ことにより前後の磁壁を分離させるようにしていた。し
かし、この方法では案内溝もアニールすることになるた
めに、情報トラックの両側にあるサーボ用の案内溝をも
情報トラックとして使用する方式（ランド／グルーブ記
録方式）への適用が、困難であるという問題があった。
そこで、本発明者は特開平１０−２７５３６９号公報に
おいて、指向性を高めた成膜方法により溝傾斜部に実質
的に記録膜が形成されず、上記溝およびランド部の特性
が同じになるような方法を提案している。また、エッチ
ングにより傾斜部の膜を除去する方法を提案している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の特開平
１０−２７５３６９号公報の指向性を高めた成膜方法
は、成膜速度が遅くなるという問題がある。それに対し
て、従来のマグネトロンスパッタ法とエッチングを利用
した方法は成膜速度では問題がない。

【００１０】上記のエッチングにより傾斜部の膜を除去
する方法の一つとして、出願番号、特願平１１−３４７
５４７号公報に開示されているように、記録膜を形成し
た後、ランド部と溝部の膜がミリングにより除去されな
いためにマスク層を形成し、その後、Ａｒイオンによる
イオンミリングを行い、実質的に溝傾斜部の記録膜を除
去するという方法がある。その後、所定の保護層、放熱
層あるいは反射層を形成し図５に示すような所望の情報
記録媒体を作成していた。しかし、ランド／グルーブ記
録のように高密度化した情報記録媒体の記録において
は、記録するトラック同士が非常に近くなるため、隣接
トラックからの浮遊磁界により記録する磁区、特に移動
する磁壁が影響を受けて、エッジの位置が不安定にな
り、ジッターが悪くなったり、エッジシフトが起こると
いう問題があった。また、磁壁を移動しやすくするため
に、膜の組成としてこの浮遊磁界が小さくなるような補
償組成付近を選択する必要があった。この補償組成は極
めて狭い範囲であり、組成を調整してもスパッタの経時
変化により特性が変化してしまうという問題があった。

【００１１】本発明は上記の諸問題に鑑みてなされたも
のであり、単純な記録方式でヒートモードによる記録を
行っても、形成されるマーク列の幅が情報パターンによ
らず一定となり、再生エラーレートを低減させることが
可能な情報記録媒体を提供することを目的としている。

【００１２】また、情報トラック間の間隔を狭めても、
クロスライトやクロスイレーズを生じにくい情報記録媒
体の提供することを別の目的としている。

【００１３】さらに、特開平６−２９０４９６号公報等
に提案されている超高密度記録再生方法において、媒体
の製造工程を複雑化することなく再生特性を向上させる
こと、および、ランド（Ｌａｎｄ）／グルーブ（Ｇｒｏ
ｏｖｅ）記録方式の適用を可能にしてトラック密度を向
上させることを別の目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的は下記に示す
本発明の情報記録媒体によって達成される。即ち、本発
明の情報記録媒体は、情報トラックとなる領域、および
その領域の両側にあってその領域面に対して非平行な面
を有する傾斜部を有する基板上に、少なくとも１層の記
録膜を含む複数の層が設けられた情報記録媒体におい
て、その傾斜部に存在する記録膜を含む上側の層をイオ
ンミリング法により除去した後、室温において面内磁化
となっている磁性膜が情報トラックとなる領域、および
傾斜部に形成されていることを特徴とする。

【００１５】傾斜部に存在する記録膜が除去されている
ので、前後の磁壁が完全に分離され単純な記録方式でヒ
ートモードによる記録を行っても、形成されるマーク列
の幅が情報パターンによらず一定となり、再生エラーレ
ートが低減する。

【００１６】また、傾斜部に存在する記録膜が除去され
ているので、傾斜部での記録膜中での熱伝導が著しく抑
制されるので隣接するトラックが昇温しにくく、情報ト
ラック間の間隔を狭めても、クロスライトやクロスイレ
ーズを生じにくい。

【００１７】さらに、室温において面内磁化となってい
る磁性膜が記録膜の上に形成されているので、隣接トラ
ックからの浮遊磁界がこの磁性膜を通るため、浮遊磁界
の影響が殆どなくなり所望の特性が得られる記録膜を構
成する磁性膜の組成範囲を広くすることができ、製造工
程を複雑化することなく再生特性を向上させ、ランド／
グルーブ記録方式の適用が可能となるのでトラック密度
が向上する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明の
情報記録媒体の模式的部分断面図であり、２つのトラッ
クとそのトラックに挟まれたグルーブとを示している。

【００１９】本発明の情報記録媒体は所定の傾斜角と深
さで溝が形成された基板１１上に下地層１２１が形成さ
れている。下地層１２１の上には所定の構成の記録膜１
２２が形成されているが、本発明の特徴であるイオンミ
リングによって溝傾斜部の記録膜１２２が除去されてい
る。記録膜１２２の上には全面に本発明の特徴である室
温で面内磁化となっている磁性膜１２４が形成され、磁
性膜１２４の上に保護・放熱膜１２３が形成されてい
る。

【００２０】基板上に下地層、記録膜、保護・放熱膜を
形成する技術は公知の従来技術であり説明を省略し、本
発明の特徴であるイオンミリングにる溝傾斜部の記録膜
１２２の除去と室温で面内磁化となっている磁性膜１２
４を中心に説明する。

【００２１】イオンミリング装置による溝傾斜部の記録
膜１２２の除去に関する説明の前に、ミリングにより溝
傾斜部の記録膜を除去する原理と工程について説明す
る。

【００２２】イオンミリングのミリングレート（膜除去
率）は、Ｐｈ．Ｄ．Ｂｒａｉｎ Ｎ．Ｃｈａｐｍａｎ著
「プラズマプロセッシングの基礎」Ｐ．２２８、図６
・５３に示されるようにイオンの入射角度により異なっ
ている。ミリングレートは、入射角度が５０〜７０°で
最大となる。

【００２３】出願番号、特願平１１−３４７５４７号公
報に開示されているように、イオンは基板のランドおよ
び溝の情報トラック面に対して垂直に入射させる。この
時、溝傾斜部に対しては、上記のミリングレートが大き
くなる角度でイオンが入射する。この入射角度は、基板
１１の溝傾斜部の角度、およびその上に形成された膜の
膜厚および付き方により決まる。基板１１の溝傾斜部の
角度は、スタンパーと呼ばれている基板原盤作成の容易
さ、成形基板作成の容易さを考慮して決められるが、６
０°〜７０°の角度が上記の効果が得られやすい。ま
た、高密度化の観点からは７０°に近い角度の方が望ま
しい。基板の溝傾斜角が８０°〜９０°の場合には、マ
グネトロンスパッタ法により所定の膜を形成した場合
に、溝傾斜部膜表面の角度が９０°となりミリングされ
ない個所が生じ、完全に溝傾斜部の記録膜１２２が除去
できず、結果として所望の情報記録媒体の特性が得られ
ない。

【００２４】基板のミリングによりランド部および溝の
情報トラック面の記録膜１２２が除去されないようにす
るために、ミリングする記録膜１２２の上にマスク層と
して記録膜１２２の材料よりミリングレートが非常に遅
い材料を予め形成しておく。

【００２５】マスク層の材料として好ましいのは、炭素
であるが、炭素以外の材料を選択しても構わない。形成
するマスク層の膜厚は、除去する層の膜厚、材料、傾斜
部の角度等を考慮して決められる。

【００２６】ミリングレートのイオン入射角度依存性に
より、ミリングにより溝傾斜部のマスク層が除去されて
も、ランド部および溝トラック面のマスク層は残ってい
る。さらに継続してミリングを行うと、溝傾斜部の記録
膜等が除去されても、ミリングレートの材料による差に
よりランド部および溝トラック面の記録膜等は殆ど除去
されないで所望の厚さで残っている。

【００２７】以上がミリング工程の内容であるが、ミリ
ングする際にイオンとしてＡｒイオン、ＫｒイオンやＸ
ｅイオン等の不活性イオンを用いることができる。

【００２８】図２は、本発明の実施の形態で使用される
イオンミリング装置の模式的断面図である。使用するイ
オン種に対応したガスをガス導入部２５からイオン化室
２２に導入し、グリッド２４にイオン引き出し用の負電
位を印加してイオンビーム２７を基板２１に向かって照
射する。グリッドは、一般にイオン引き出し用グリッド
２４とイオンを閉じ込め用グリッド２３の２枚から構成
されており、イオンが平行に照射されるように工夫され
ている。

【００２９】照射するイオンのエネルギー、電流密度
は、基板２１の温度上昇を考慮して選択される。エネル
ギーとしては、４００〜１０００ｅＶが望ましい。基板
２１はイオンが情報トラック面に垂直に入射するように
対向する位置に置かれるが、ミリングの均一性を考慮し
て回転させた方がよい。また、基板の温度上昇を抑える
ため、水冷された基板ホルダ（不図示）を使用すること
が望ましい。

【００３０】このようにして、所定のミリングを行った
後、図１に示すように室温で面内磁化となっている磁性
膜１２４を形成する。この磁性膜１２４はミリングした
記録膜１２２に相接して形成してもよいし、熱的な観点
からＳｉＮ等の無機誘電体層を形成した後、その上にこ
の磁性膜１２４を形成してもよい。その後、所定の保護
層あるいは放熱層１２３を形成することにより所望の情
報記録媒体が得られる。

【００３１】隣接するトラックからの浮遊磁界１６が図
１に示すように室温で面内磁化となっている磁性膜１２
４内を通るため、隣接トラックからの浮遊磁界の影響が
殆ど無くなる。そのため、所望の特性が得られる各磁性
層の組成範囲を従来より広くすることができる。

【００３２】この得られた情報記録媒体は、溝傾斜部の
記録膜が除去されているため、両側の傾斜部にはみ出し
て情報トラックへの記録を行っても、傾斜部には実質的
に記録が行われない。従って、単純に情報に対応させた
加熱操作によって記録を行った場合であっても、情報の
パターンに関わらず、形成されるマークの幅を情報トラ
ック上に限定し、一定幅のマーク列にすることができ
る。また、記録・消去時の熱は主として記録膜中を伝導
して膜面方向に拡散していくが、本発明の製法による情
報記録媒体によれば、情報トラック間の傾斜部で記録膜
中の熱伝導が著しく抑制されるため、隣接トラックが昇
温しにくく、クロスライト／イレースが防止される。

【００３３】さらに、本発明を特開平６−２９０４９６
号公報に提案されている記録媒体に適用した場合、傾斜
部の磁性膜は磁壁エネルギーを蓄積するような磁性を呈
さない膜にすることが可能であり、情報トラックとその
両側の傾斜部に跨る形で記録時の加熱領域を形成すれ
ば、磁区の側部に磁壁が存在せず前後の磁壁が実質的に
分離している磁区として記録マークを形成することがで
きる。

【００３４】情報記録媒体の記録膜を構成する材料とし
ては、誘電体材料、アルミ等の金属材料、希土類−遷移
金属に代表される光磁気材料等公知の材料が使える。こ
れらの材料を用いた情報記録媒体の各層の形成方法は、
従来のマグネトロンスパッタ法や蒸着法、ＣＶＤ法等の
公知の方法が使える。

【００３５】室温で面内磁化を有する材料としては、Ｇ
ｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｐｔ
Ｃｏ等の材料が組成を選択することにより使用可能であ
る。耐食性向上および磁気異方性およびキュリー温度等
を変えるために、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ等の元素を添加して
もよい。この室温で面内磁化となっている磁性膜は、ミ
リング後、垂直磁化膜に相接して形成してもよいし、熱
的観点からミリング後、ＳｉＮ膜等の誘電体膜を形成し
た後、形成してもよい。また、記録時に磁界変調用磁気
ヘッドからの磁界を記録膜に印加するために、記録時の
温度においては磁化が消失することが望ましい。したが
って、キュリー温度としては記録膜のキュリー温度より
低い方がよい。

【００３６】基板としては、ＰＣ等のプラスチック材料
やガラス、ガラスの上にフォトポリマーを形成したもの
が使える。溝幅や溝深さは再生時や記録時に使用するレ
ーザービームの波長、情報記録媒体の記憶容量、クロス
イレース／クロスライトのパワーマージン、クロストー
クのマージン、基板の製造マージン等を考慮して決めら
れる。

【００３７】次に、本発明の情報記録媒体を用いた具体
的な実施例について説明する。 ＜実施例１＞本発明の媒体を特開平６−２９０４９６号
公報に提案されている記録媒体に適用した例について説
明する。この場合、記録膜として少なくとも、第１、第
２、第３の磁性膜が上面から順次積層されている磁性多
層膜を用いる。第１の磁性膜は、周囲温度近傍の温度に
おいて、第３の磁性膜に比べて相対的に磁壁抗磁力が小
さい磁性膜からなり、第２の磁性膜は、第１および第３
の磁性膜よりもキュリー温度の低い磁性膜からなり、第
３の磁性膜は垂直磁化膜からなっている。第１の磁性膜
には第２の磁性膜側にキュリー温度が低下するように膜
厚方向にキュリー温度の勾配を付与してもよい。

【００３８】グルーブのピッチを１．０μｍ、段差（深
さ）を０．１６μｍとし、グルーブ間のランド部とグル
ーブ部の底面部とにそれぞれ０．４３μｍ幅の基板表面
に平行な平面を有するフラット部を設け、このランドと
グルーブとの間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が
約７０゜になるように成形した直径８６ｍｍの基板を、
マグネトロンスパッタ装置に装着した。装置内を到達真
空度：５．０×１０^-7Ｔｏｒｒ（６．６５×１０^-5Ｐ
ａ）以下に真空排気した後、シリコンターゲットを用い
て下地層であるＳｉＮ膜を基板を回転させながら、９０
ｎｍ成膜した。引き続き真空を破らないでターゲットを
変えて各磁性膜の構成元素からなる合金ターゲットを用
いて磁性膜を成膜した。第１の磁性膜としてＧｄＦｅＣ
ｏＣｒ層を３０ｎｍ、第２の磁性膜としてＴｂＦｅＣｒ
層を１０ｎｍ、第３の磁性膜としてＴｂＦｅＣｏＣｒ層
を８０ｎｍ順次成膜した。

【００３９】この後、マスク層として真空を破らないで
炭素ターゲットを用いて、炭素膜を５０ｎｍ形成した。

【００４０】上記の膜厚は、ランド部上の膜厚である。
各磁性膜の組成は、全て補償組成近傍になるようにＣｏ
およびＣｒの量を調整し、キュリー温度は、第１の磁性
膜が２１０℃、第２の磁性膜が１２０℃、第３の磁性膜
が２９０℃程度となるように設定した。

【００４１】このディスクを成膜チャンバーからイオン
ミリング装置に移し、真空に排気した。イオン引き出し
開口部の大きさは、Φ１２０ｍｍである。その後、イオ
ン化室にＡｒガスを導入し、イオンビーム電圧６００
Ｖ、ビーム電流２００ｍＡで５００ｓｅｃの間Ａｒイオ
ンでミリングを行った。その後、同じチャンバー内で室
温で面内磁化となっている磁性膜で、且つキュリー温度
以上に補償温度を有するＧｄリッチのＧｄＦｅＣｏ膜を
２０ｎｍ形成した。この膜のキュリー温度は２５０℃で
ある。その後、保護膜としてＳｉＮを５０ｎｍ、放熱層
としてＡｌを３０ｎｍ形成した。このディスクを成膜チ
ャンバーから取り出して膜面上にＵＶ硬化樹脂保護コー
トを形成した。このようにして作成されたサンプルにお
いて、第１磁性膜の組成を最適組成からＧｄ量を＋／−
１ａｔｍ％変えたサンプルを作成した。

【００４２】このようにして作製した各サンプルをレー
ザー波長６８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．５５の光学ヘ
ッドを持つドライブ装置にセットし、線速１．５ｍ/ｓ
で回転させ、半径３５ｍｍの位置で記録特性の測定を行
った。摺動型磁気ヘッドにより磁界を５ＭＨｚで変調し
ながら、ランド上に記録用にＤＣレーザーを照射して、
マーク長０．１５μｍの繰り返しパターンを磁界変調記
録した。この信号を再生パワー２．５ｍＷで再生し、ジ
ッターの記録パワー依存性を各サンプルについて比較し
た。ジッターの測定は、タイムインターバルアナライザ
ーを用いて行った。得られたアナログ信号波形をＤＣレ
ベルでスライスして２値化して、立ち上がりエッジのイ
ンターバルを測定した。そして、すべてのデータパター
ンに対する１０⁵ サンプルでの相対ジッター分布を導出
し、ジッターマージンの記録パワー依存性を各サンプル
について比較した。ここでは、通常の１ビーム光学系で
評価し、再生ビーム自身による加熱で、磁壁を移動させ
るための温度勾配を形成した。その結果、ジッターの値
は、最適組成からＧｄ量を＋／−１ａｔｍ％変えたサン
プルにおいても最適組成と同等であった。従来の組成マ
ージンは＋／−０．５ａｔｍ％であった。上述の結果は
ランド上に記録し再生したものであるが、グルーブ上に
記録して再生した場合でも同様な結果であった。 ＜実施例２＞実施例１において、室温で面内磁化となっ
ている磁性膜としてＧｄＦｅＣｏ膜の代わりに同様な磁
気特性を有するＴｂリッチのＴｂＦｅＣｏ膜を形成した
以外は、実施例１と同様な光磁気記録媒体を作成した。
これらのサンプルを実施例１と同様の評価システムで評
価した。その結果、ランドおよびグルーブともに第1磁
性層の組成マージンは＋／−１ａｔｍ％となり、改善さ
れていることがわかった。 ＜実施例３＞実施例１において、室温で面内磁化となっ
ている磁性膜ＧｄＦｅＣｏ膜の代わりにＰｔＣｏ膜１０
ｎｍをミリング後に直接形成し、その後、ＳｉＮ膜を５
０ｎｍ、Ａｌ膜を３０ｎｍ形成して本発明の光磁気記録
媒体を作成した。このサンプルを実施例１と同様の評価
システムで評価した。その結果、ランドおよびグルーブ
ともに第1磁性層の組成マージンは＋／−１ａｔｍ％と
なり、改善されていることがわかった。

【００４３】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の第
１の効果は、所望の特性が得られる組成マージンが実用
上問題の無いレベルで作成可能な情報記録媒体の提供が
可能となったことである。その結果、複雑なレーザー駆
動により記録補償を行うことなしに、望ましい記録マー
クが形成可能となり、良好な再生特性が得られる。

【００４４】特に、マークエッジ記録を行った場合、検
出されるエッジ信号のジッターが抑制され、動作マージ
ンが拡大する。また、トラック間での動作時の熱的干渉
が抑制される。この結果として、高密度化が可能とな
り、また、媒体ならびに記録装置を低コスト化を図るこ
とができる。

【００４５】別の効果は、単純な媒体製造方法により、
記録マークの前方境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とを
分離独立して形成させることが可能となり、コストアッ
プすることなく、超高密度再生特性を向上させたことで
ある。またこれらの効果は本発明に例示した情報記録媒
体に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の情報記録媒体の模式的断
面図である。

【図２】本発明の実施の形態で用いられるイオンミリン
グ装置の模式図である。

【図３】従来のマグネトロンスパッタによる膜付着状態
を示す模式図である。

【図４】従来のマグネトロンスパッタによる深溝基板へ
の膜付着状態を示す模式図である。

【図５】従来の情報記録媒体の模式的断面図である。

【符号の説明】

１１、２１、３１、４１、５１ 基板 １３、３３、４３、５３ ランド １４、３４、４４、５４ グルーブ １５、３５、４５、５５ 傾斜部 １６、５６ 浮遊磁界 ２０ イオンミリング装置 ２２ イオン化室 ２３ 閉じ込め用グリッド ２４ イオン引出グリッド ２５ ガス導入管 ２６ 排風ポンプ ３２、４２、１２２、５２２ 記録膜 １２１、５２１ 下地層 １２３、５２３ 保護・放熱膜 １２４ 磁性膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１Ｅ ５４６ ５４６Ｂ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報トラックとなる領域、および該領域
   の両側にあって該領域面に対して非平行な面を有する傾
   斜部を有する基板上に、少なくとも１層の記録膜を含む
   複数の層が設けられた情報記録媒体において、 該傾斜部に存在する前記記録膜を含む上側の層をイオン
   ミリング法により除去した後、室温において面内磁化と
   なっている磁性膜が前記情報トラックとなる領域、およ
   び前記傾斜部に形成されていることを特徴とする情報記
   録媒体。
2. 【請求項２】 室温で面内磁化となっている前記磁性膜
   が、ＧｄＦｅＣｏ系、ＴｂＦｅＣｏ系、ＰｔＣｏ系の中
   から選択された材料から形成されていることを特徴とす
   る請求項1に記載の情報記録媒体。
3. 【請求項３】 前記情報記録媒体における前記記録膜が
   少なくとも第１、第２の磁性膜からなり、該第１の磁性
   膜は、周囲温度近傍において該第２の磁性膜に比べて相
   対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな垂直磁化
   膜からなり、第２の磁性膜は垂直磁化膜であり、第１磁
   性膜および第２磁性膜は磁気的に結合していることを特
   徴とする請求項1に記載の情報記録媒体。
4. 【請求項４】 前記情報記録媒体における前記記録膜が
   前記基板の反対側から順次積層されている少なくとも第
   １、第２、第３の磁性膜からなり、該第１の磁性膜は、
   周囲温度近傍において該第３の磁性膜に比べて相対的に
   磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな垂直磁化膜から
   なり、該第２の磁性膜は、該第１の磁性膜及び第３の磁
   性膜よりもキューリ温度の低い磁性膜からなり、該第３
   の磁性膜は垂直磁化膜であり、第１磁性膜および第３磁
   性膜は磁気的に結合していることを特徴とする請求項1
   に記載の情報記録媒体。