JP2007073117A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ランドの形状を工夫することで、ランドに記録した場合でも十分なクロスライトマージンを確保して高いトラック密度を得ることが可能な光記録媒体を提供する。
【解決手段】 円盤状の光記録媒体に設けられた情報ガイドトラックが、凸状のランド及び凹状のグルーブからなる光記録媒体において、ランドに沿って両端に突起が設けられており、該突起の高さが40nm以上である光記録媒体。
【選択図】 図1
【解決手段】 円盤状の光記録媒体に設けられた情報ガイドトラックが、凸状のランド及び凹状のグルーブからなる光記録媒体において、ランドに沿って両端に突起が設けられており、該突起の高さが40nm以上である光記録媒体。
【選択図】 図1
Description
本発明は、レーザ光により情報の記録再生を行う光記録媒体に関する。
近年、書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザの熱エネルギーを利用して磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を使って記録情報を読み出す光磁気記録媒体及び記録再生装置が注目されている。光磁気記録媒体は、コンピュータなどにおける大容量の取り外し可能(リムーバブル)な情報記録媒体として、広く使用されるようになってきている。最近では、コンピュータやその他の情報処理装置で取り扱うデータが音声、画像、動画といったさまざまな情報に多様化し、それらの要求するデータサイズが増え続けていることから、この光磁気記録媒体の記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
光磁気記録媒体は、記録密度に関し、光学系の解像限界よりも微小な記録マークを記録し、またこれを再生できるという点で、他の光記録媒体よりも優れている。例えば、特開平7―334877号公報(特許文献1)には、そのような光磁気記録再生方法の一例である磁気超解像再生方式が開示されている。さらに、光学系の解像限界よりも微小な磁区を記録する方式としては、外部磁界の変調速度を十分に速めた磁界変調方式が一般に知られている。
また、特開平6−290496号公報(特許文献2)によれば、光磁気記録媒体において再生光の入射側に磁壁抗磁力の小さい磁壁移動層を設け、再生スポット内の温度勾配を利用して磁壁移動層の磁壁を高温側に移動させ、スポット内で磁区を拡大再生する方法が開示されている。これによれば、記録マークサイズが小さくなったとしても、磁区を拡大しながら信号を再生するので、再生光を有効に使うことができ、信号振幅を落とさずに解像力があげることができる。
一方、線密度方向(光スポット走査方向)ではなくトラック横断方向の密度を高める方法として、トラックガイド溝の凹部、凸部両方を記録トラックとして用いるランド・グルーブ記録は広く検討されている。中でも記録パワーマージンを改善させるために、特開2002−288898号公報(特許文献3)ではランドの端部に突起を設ける事も提案されている。
特開平7―334877号公報
特開平6−290496号公報
特開2002−288898号公報
特開平6−290496号公報に示された磁壁移動を利用した再生方法は、超解像方式の中でも特に線記録密度に優れた方法である。すなわち、磁壁の移動量が常に一定であれば、記録磁区の大きさにかかわらず一定の再生信号振幅が得られるという特徴がある。この方式とランド・グルーブ記録を組み合わせて高い面密度の光記録媒体を得るための方法としては、比較的深い溝形状、すなわち記録再生ビームの波長λに対してλ/4以上の溝深さの基板を用いて形状的にランドとグルーブを分断する方法がもっとも簡便である。
しかしながらこの方式は、式(1)を満たすような範囲では有効であったが、さらにトラックピッチを狭くした場合には以下のような問題点があった。
TP > 0.2 x NA/λ ・・・・・式(1)
(TP:トラックピッチ、NA:光学系の開口数、λ:レーザ波長)
図7は、磁壁移動再生の様子を表す模式図である。記録媒体上には情報トラック4a、4b、4cが隣接して設けられており、図7では例としてn番目のトラック4bに記録磁区5が記録されている。ここに再生用光スポット6を照射するとスポット中心付近が昇温し、しきい温度Tsの等温線7内で磁壁移動が起こる。原理的に磁壁は高温側に向かって移動するので、安定した信号再生を行うために記録磁区5はトラック幅内で広く記録されていることが望ましい。一方記録時を考えると、トラック幅内で広く記録して且つ隣接トラックの情報を破壊しない、すなわちクロスライトマージンを確保するためにはトラック間の境界で熱的な干渉が少ないことが望ましい。
(TP:トラックピッチ、NA:光学系の開口数、λ:レーザ波長)
図7は、磁壁移動再生の様子を表す模式図である。記録媒体上には情報トラック4a、4b、4cが隣接して設けられており、図7では例としてn番目のトラック4bに記録磁区5が記録されている。ここに再生用光スポット6を照射するとスポット中心付近が昇温し、しきい温度Tsの等温線7内で磁壁移動が起こる。原理的に磁壁は高温側に向かって移動するので、安定した信号再生を行うために記録磁区5はトラック幅内で広く記録されていることが望ましい。一方記録時を考えると、トラック幅内で広く記録して且つ隣接トラックの情報を破壊しない、すなわちクロスライトマージンを確保するためにはトラック間の境界で熱的な干渉が少ないことが望ましい。
図8は、トラックピッチ210nm、深さ90nmのランドグルーブ基板のランド部に、波長405nm、NA0.65、ビームウェスト520nmのレーザを照射したときのディスク半径方向の温度分布を計算した時の結果を示した図である。図から明らかなように、ランドにレーザ照射しているにも関わらずグルーブ部の温度がランドと同等に昇温しており、隣接トラックのデータを破壊せずにランドにデータ記録するのは不可能であることが分かる。ここに示すランドからグルーブへの熱の干渉はトラックピッチに大きく依存し、式(1)よりも狭い場合に顕著に表れる。また逆に、同じ基板のグルーブにレーザ照射した場合は図9に示すようにトラック端部で熱が閉じ込められており、クロスライトマージンには有利であることが分かる。
特開2002−288898号公報に示されている基板では、通常のランド・グルーブ記録よりも若干の改善は見られるものの、明細書に示されている方法では十分な突起高さが得られず、効果もほとんどない。
また他の方式、例えば相変化タイプの光ディスクでランド・グルーブ記録を行った場合も、再生信号のSNRを稼ぐためにはトラック幅内でなるべく広い幅のマークを記録することが望まれる。その場合もやはりランド記録時の隣接トラックへの放熱は少なくなければならないが、図8のような基板を用いるとクロスライトマージンが得られなかった。
本発明の目的は、上述の課題を解決すべくなされたものであり、ランドの形状を工夫することで、ランドに記録した場合でも十分なクロスライトマージンを確保して高いトラック密度を得ることが可能な光記録媒体を提供することにある。
本発明の光記録媒体は上記問題点に鑑み、円盤状の前記光記録媒体に設けられた情報ガイドトラックが、凸状のランド及び凹状のグルーブからなる光記録媒体であり、前記ランドに沿って両端に突起が設けられており、前記突起の高さが40nm以上であることを特徴とする。また前記光記録媒体を得るための原盤製造方法であって、ガラス原盤を反応性イオンエッチングすることでトラック溝を形成する行程と、無機膜を形成する行程と、イオンミリングによって溝の端部を溝の平坦部よりも40nm以上深く形成する行程を行うことを特徴とする。
以上説明したように、本発明はランド・グルーブ記録を行う光ディスクにおいて、ランドの両端部に高さ40nm以上の突起を設けたことで、ランド・グルーブ間での熱の遮断性を高めることにより、十分な記録パワーマージンを確保することが出来る、という効果がある。またこの効果は、溝付き原盤に対して窒化珪素をスパッタした後、イオンミリングすることによって十分な高さの突起を得ることができる。
本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施例における基板の半径方向の断面図を示している。溝断面は図1に示すようにランド2の端部がトラックに沿って突起状になっている。この基板101の上にスパッタリング法などの成膜方法により、干渉層102、磁性層1、保護層103がこの順に積層されている。磁性層1は、特開平6−290496号公報に示されたものと同様の構造となっており、磁区拡大のための磁壁移動層、スイッチング層、記録磁区保持のためのメモリ層など、各機能を持った磁性膜の積層構造となっている。なお、図1に示した膜構成に加えて、熱構造を調整する放熱層や、ディスク全体を保護する保護コートなどをさらに加えても良い。情報記録再生は、ランド・グルーブそれぞれにレーザを照射することにより行う。
図2は、トラックピッチ210nm、溝深さ30nm、ランド両端の突起高さ51nmの溝形状を仮定し、ランドに波長405nm、NA0.85のレーザを照射したときの室温(RT=27℃)からの昇温を計算し、半径方向の温度分布を示した結果である。この計算によると、ランド端部の温度TLは392℃、グルーブ端部の温度TGは291℃であった。ここで、温度差ΔTを下記のように定義する。
ΔT={(TL−RT)−(TG−RT)}/{(TL−RT)+(TG−RT)}=11.3%
レーザパワーと昇温は比例関係にあると考えられることから、ΔTはランド幅一杯に記録できるパワーと隣接グルーブに記録マークがはみ出してしまうパワーの間のマージンに相当する。すなわち、ΔTで表せるランド・グルーブ間のバッファエリアでの温度差を計算することにより、ランド記録の際の記録パワーマージンを見積もることができる。
同様に突起高さを5nmとしたときの計算結果を図3に示す。図より、
TL=354℃
TG=318℃
ΔT=5.8%
となり、5.8%の記録パワーマージンが得られる。さらにさまざまな突起の高さについて温度計算を行い、突起高さとΔTの関係をプロットしたものが図4である。通常、光ディスクドライブの設計において、記録パワーマージンとしては±10%を確保することが必要とされているので、ΔT=10%となる突起高さを見ると、40nmである。すなわち、ランド・グルーブ記録を行う光ディスクにおいては、ランド両端の突起の高さを40nm以上設けることが望ましい。
レーザパワーと昇温は比例関係にあると考えられることから、ΔTはランド幅一杯に記録できるパワーと隣接グルーブに記録マークがはみ出してしまうパワーの間のマージンに相当する。すなわち、ΔTで表せるランド・グルーブ間のバッファエリアでの温度差を計算することにより、ランド記録の際の記録パワーマージンを見積もることができる。
同様に突起高さを5nmとしたときの計算結果を図3に示す。図より、
TL=354℃
TG=318℃
ΔT=5.8%
となり、5.8%の記録パワーマージンが得られる。さらにさまざまな突起の高さについて温度計算を行い、突起高さとΔTの関係をプロットしたものが図4である。通常、光ディスクドライブの設計において、記録パワーマージンとしては±10%を確保することが必要とされているので、ΔT=10%となる突起高さを見ると、40nmである。すなわち、ランド・グルーブ記録を行う光ディスクにおいては、ランド両端の突起の高さを40nm以上設けることが望ましい。
次に、図5を用いて本発明の基板の製造方法について説明する。
まず平面に磨いたガラス原盤を用いて、一般的な反応性イオンエッチング法によりグルーブのパターニングを行う。すなわち、洗浄、レジスト塗布したガラス原盤を回転させながらレーザ照射し、現像した後反応性イオンエッチング法を用いて溝を形成、最後にマスク部分のレジストを除去する。図5(a)はグルーブをパターニングした後のガラス原盤10を示している。
本発明の基板ではランドの両端部に突起を付ける必要があるが、図5(a)の状態では突起はできていない。そこで、まず溝形成した原盤10に無機膜、例えば窒化珪素11をスパッタリング法により成膜する。反応性イオンエッチングにより形成した溝は比較的急峻な斜面を得ることができるので、そこにスパッタリングするとランドの影になった部分の膜が薄くなり、図5(b)に示すようにグルーブ端部でやや切れ込みが入った形状に成膜される。この切れ込みの深さは溝形状やスパッタ条件により異なるが、溝斜面の角度が寝ていると切れ込みができず、立ち過ぎていると側壁部分への膜の付着が多くなって成膜後の形状が崩れてしまう。一般的には側壁の傾斜を60〜80度程度にすることでグルーブ端部の切り込み形状を得ることができる。しかしこの場合でも、成膜後の形状でつけられる切込みの深さはせいぜい10nm程度が限界となる。
そこで次に、図5(b)のように無機膜を成膜した原盤に対してイオンミリングを行う。イオンミリング装置の基本構成を図6に示す。窒化珪素付きの原盤10がセットされたミリング室22およびイオン化室21は、真空ポンプによって1E−6Pa程度まで真空排気される。その後、イオン種に応じたガス、例えばアルゴンをイオン化室に導入して電圧を印加して放電させる。イオン閉じ込めグリッド23には正電位を印加してプラズマをイオン化室21内に閉じ込めておき、イオン閉じ込めグリッド23から飛び出した高エネルギーを持ったイオンのみを、負電位を印加したイオン引出しグリッド24によってミリング室に向かって加速させ、イオンビーム12を原盤に衝突させて溝表面に付着した窒化珪素を削り落とす。この時、ミリングレートは、Ph.D.Brain N.Chapman 著「プラズマプロセッシングの基礎」p.228、図6.53に示すようにイオンの入射角度依存性を持っており、50〜70度の時にミリングレートが最大となる。したがって、ランド・グル−ブ表面よりも側壁部分のほうがミリングレートが早いので、側壁部分の窒化珪素が急速に削れることになる。さらに、窒化珪素の形状は図5(b)に示すようにグルーブ端部で切れ込んでいるので、切れ込み部のミリングが促進され、ミリングすることで切れ込み部分が強調され、結果として図5(c)に示す形状の原盤が得られる。これを紫外線硬化樹脂に転写してから、ニッケルスパッタ、ニッケル電鋳を行うことにより図5(d)のように原盤と同じ形状のスタンパ13を得ることができる。
このスタンパから射出成形法などによって基板を作成すると、ランドの両端に突起を持つ形状が得られるので、通常のスパッタリング法などによって記録膜を形成することにより、図1に示したような記録パワーマージンに優れた光ディスクを作成することができる。
以下、本発明について、実施例に基づいてさらに詳しく説明する。
直径6インチ、厚さ6mmの表面研磨したガラス原盤に、フォトレジストをスピンコートにより0.1μm厚に塗布した後、140℃でプリベークを行った。これを600rpmで回転させながら波長351nm、開口数0.9、パワー1mWのレーザを照射してピッチ420nmのらせん状のパターンを露光した。現像後、反応性イオンエッチング装置に投入し、CHF3ガスを使って溝深さ30nmになるまでエッチングを行い、さらに酸素ガスでアッシングして、ランド部に残ったレジストを除去した。これに直流マグネトロンスパッタ装置を使って膜厚60nmの窒化珪素を成膜した。この後イオンミリング装置に投入し、イオンビーム電圧600V、イオンビーム電流200mAでイオンミリングを行い、グルーブ端部の切れ込みが40nmになるまでミリングを行った。これを紫外線硬化樹脂に転写して反転形状を作り、さらにニッケルスタンパを作成した後、ポリカーボネイトを射出成形してランド両端に高さ40nmの突起を持つ基板101を作成した。
記録膜形成用の直流マグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に、BをドープしたSi、及びGd、Tb、Fe、Co、Alの各ターゲットを取り付け、先述のポリカーボネート基板101をそのチャンバー内の基板ホルダーに固定した後、1×10-5Pa以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気し、全ての成膜チャンバー、基板投入室、搬送室を真空排気したまま基板101を各成膜チャンバーに搬送した。Arガスを0.5Paとなるまでチャンバー内に導入し、基板101を回転させながら、以下の通り、各ターゲットをスパッタリングして光磁気記録媒体の各層を基板上に成膜した。なお、窒化珪素成膜時にはArガスに加えてN2ガスを導入し、直流反応性スパッタリングにより窒化珪素層を成膜した。最初に、下地層(干渉層102)としてSiN層を30nm成膜した。引き続き、磁壁移動層としてGdFeCoAl層を膜厚30nm、遮断層としてTbFeAl層を膜厚10nm、メモリ層としてTbFeCo層を膜厚60nmに順次成膜し、積層磁性膜1を形成した。最後に、保護層103としてSiN層を20nm成膜したのち、熱構造制御用の放熱層としてアルミニウム合金を100nm付加した。
このように作製した光磁気記録媒体(ディスク)を線速2.4m/sで回転させながら、波長405nmのレーザ光、NA(開口比)0.65の対物レンズおよび200oEの外部磁界を用い、(1−7)変調で情報記録再生を行ったところ、ランド・グルーブともに記録密度75nm/ビットで1×10-4のビットエラーレートが得られた。また、この時の記録パワーマージンは、グルーブで±30%、ランドで±10%であった。
次に、グルーブ端部の突起をさらに高くして本発明の効果を見た。行程はほぼ実施例1の場合と同じであるが、突起を高くするために反応性イオンエッチングを行った後のガラス原盤に成膜する窒化珪素の厚さを80nmとした上で、イオンミリングの時間を長くしてグルーブ端部の切れ込みの深さが60nmになるまでミリングを行った。
実施例1と同様に情報記録再生を行ったところ、実施例1よりもランド・グルーブ間の熱的な遮断性が増したために、ランドの記録パワーマージンが±12%に広がった。
さらに記録密度を向上させるために、記録再生に用いる光学系の開口数を0.85とした。この場合はレンズと記録膜を接近させる必要があるため、実施例1とは逆に基板と反対側から光を入射することが好ましい。そこで、本実施例では原盤作成後に紫外線硬化樹脂による反転形状は作らずに、直接ニッケルスタンパを作成して基板を作成し、また記録膜の成膜順序も全て逆順とした。また光学系の開口数を上げてスポット系を小さくした分トラックピッチも160nmと小さくした。
この場合も、ランド端部の突起高さを40nmとすることにより、ランドにおいて±10%の記録パワーマージンを確保することが出来た。
(比較例)
原盤作成行程の中で、窒化珪素の成膜およびイオンミリングの行程を省いて、図5(a)に示す深さ30nmの溝付き原盤から直接紫外線硬化樹脂で反転コピーを作成してニッケルスタンパを作成した。その後実施例1と同じ装置を用いて光ディスクを作成して、記録再生実験を行った。
原盤作成行程の中で、窒化珪素の成膜およびイオンミリングの行程を省いて、図5(a)に示す深さ30nmの溝付き原盤から直接紫外線硬化樹脂で反転コピーを作成してニッケルスタンパを作成した。その後実施例1と同じ装置を用いて光ディスクを作成して、記録再生実験を行った。
この場合の基板溝形状は、ランドの端部に突起がない形状となるので、ランド・グルーブ間での熱の干渉が大きく、ランド・グルーブのエラーレートは実施例1とほぼ同等の特性が得られたが、ランドの記録パワーマージンは±5%と十分な値が得られなかった。
1 磁性層
2 ランド
3 グルーブ
4 記録トラック
5 記録磁区
6 光スポット
7 等温線
10 ガラス原盤
11 窒化珪素
12 イオンビーム
13 スタンパ
21 イオン化室
22 ミリング室
23 イオン閉じ込めグリッド
24 イオン引出しグリッド
101 基板
102 干渉層
103 保護層
2 ランド
3 グルーブ
4 記録トラック
5 記録磁区
6 光スポット
7 等温線
10 ガラス原盤
11 窒化珪素
12 イオンビーム
13 スタンパ
21 イオン化室
22 ミリング室
23 イオン閉じ込めグリッド
24 イオン引出しグリッド
101 基板
102 干渉層
103 保護層
Claims (2)
- 円盤状の前記光記録媒体に設けられた情報ガイドトラックが、凸状のランド及び凹状のグルーブからなる光記録媒体において、
前記ランドに沿って両端に突起が設けられており、前記突起の高さが40nm以上であることを特徴とする光記録媒体。 - ガラス原盤を反応性イオンエッチングすることでトラック溝を形成する光記録媒体用の原盤製造方法であって、前記反応性イオンエッチングの行程と、スパッタリングによって無機膜を形成する行程と、イオンミリングによって溝の端部を溝の平坦部よりも40nm以上深く形成する行程を行うことを特徴とする光記録媒体の原盤製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258012A JP2007073117A (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258012A JP2007073117A (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 光記録媒体およびその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=37934450
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JP2005258012A Withdrawn JP2007073117A (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 光記録媒体およびその製造方法 |
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JP (1) | JP2007073117A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013005660A1 (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
-
2005
- 2005-09-06 JP JP2005258012A patent/JP2007073117A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2013005660A1 (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
JP2013020663A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Sony Corp | 光記録媒体 |
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TWI497488B (zh) * | 2011-07-07 | 2015-08-21 | Sony Corp | Optical recording media |
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