JP2003031903A - 半導体レーザ装置および短波長レーザ光源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 逆バイアスｐｎ接合を持つ電流狭窄部を備え
た半導体レーザ装置の高周波特性を向上させる。 【解決手段】 基板10上に積層された活性層12と、この
活性層12の所定のストライプ状領域のみに電流注入する
ための開口を有して該活性層12の上に形成された電流阻
止層31を含む、ｐ型およびｎ型の多層膜からなる電流狭
窄部とを備えてなる半導体レーザ装置において、少なく
とも上記電流阻止層31および、この電流阻止層31の上に
形成されて該電流阻止層31とｐｎ接合を構成する半導体
層23を、左右方向幅が100μｍ以下のリッジ状に形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関し、特に詳細には、電流狭窄用の電流阻止層を有する
タイプの半導体レーザ装置に関するものである。

【０００２】また本発明は、上述のような半導体レーザ
装置から発せられたレーザビームを第２高調波に変換し
て出力する短波長レーザ光源に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】一般に、情報処理や印刷機器等の光源と
して用いられる半導体レーザは、低電流で効率良く動作
することが求められる。このため従来より、例えば特許
第２７４６１３１号公報に示されているように、逆バイ
アスｐｎ接合を持つ電流狭窄部によって、活性層の微小
領域のみに電流注入するようにした半導体レーザ装置が
提案されている。この半導体レーザ装置は、基本的に、
基板上に積層された活性層と、この活性層の所定のスト
ライプ状領域のみに電流注入するための開口を有して該
活性層の上に形成された電流阻止層を含む、ｐ型および
ｎ型の多層膜からなる電流狭窄部とを備えてなるもので
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
逆バイアスｐｎ接合を持つ電流狭窄部を設けると、この
ｐｎ接合部分に大きな寄生容量が発生することになる。
そこで、この半導体レーザを高速変調する際には、高周
波成分がこの容量を通して流れてしまうため、変調がか
からないという問題が生じる。また半導体レーザは、そ
こから発せられたレーザビームを第２高調波に変換する
光波長変換素子と組み合わせて、短波長レーザ光源を構
成するように用いられることもあるが、その際に上述の
ような問題が生じると、短波長化された青色や緑色の短
波長レーザビームを画像記録等に適用することが難しく
なってしまう。

【０００５】また、光ディスク等の読取りに用いられる
半導体レーザにおいては、ノイズを低減する目的で高周
波重畳駆動されることもあるが、その場合も、高周波成
分が電流阻止層を抜けてしまい、活性層に効率良く電流
が注入されなくなるという問題が生じる。

【０００６】このように高周波特性が損なわれる最大の
原因は、電流阻止層のｐｎ接合部における空乏層の広が
りによって生じる寄生容量にある。具体的に、このｐｎ
接合部における寄生容量が大きくて、１００ＭＨｚを超
えるような高周波による変調を行なった場合には、注入
電流が効率良く活性層部に注入されないという不具合が
生じていた。

【０００７】上記特許第２７４６１３１号公報には、こ
のような問題を解決するために、電流阻止層および、こ
の電流阻止層の上に形成されて該電流阻止層とｐｎ接合
を構成する半導体層に、そのｐｎ接合面を貫通し、かつ
前記開口を挟んで前記ストライプ状領域に沿って延びる
１対の溝を形成した構造が示されている。

【０００８】しかし、このような従来の構造を適用して
も、逆バイアスｐｎ接合を持つ電流狭窄部を備えた半導
体レーザ装置の高周波特性を十分に高めることは不可能
であった。

【０００９】本発明は上記の事情に鑑み、逆バイアスｐ
ｎ接合を持つ電流狭窄部を備え、そして高周波特性が十
分に高い半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。

【００１０】また本発明は、波長変換されたレーザビー
ムを高速変調することができる短波長レーザ光源を提供
することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明による第１の半導
体レーザ装置は、基板上に積層された活性層と、この活
性層の所定のストライプ状領域のみに電流注入するため
の開口を有して該活性層の上に形成された電流阻止層を
含む、ｐ型およびｎ型の多層膜からなる電流狭窄部とを
備えてなる半導体レーザ装置において、少なくとも前記
電流阻止層および、この電流阻止層の上に形成されて該
電流阻止層とｐｎ接合を構成する半導体層が、左右方向
幅が100μｍ以下のリッジ構造をなしていることを特徴
とするものである。

【００１２】また本発明による第２の半導体レーザ装置
は、基板上に積層された活性層と、この活性層の所定の
ストライプ状領域のみに電流注入するための開口を有し
て該活性層の上に形成された電流阻止層を含む、ｐ型お
よびｎ型の多層膜からなる電流狭窄部とを備えてなる半
導体レーザ装置において、前記電流阻止層および、この
電流阻止層の上に形成されて該電流阻止層とｐｎ接合を
構成する半導体層に、そのｐｎ接合面を貫通し、かつ前
記開口を挟んで前記ストライプ状領域に沿って延びる１
対の溝が形成され、これらの溝と溝との間の距離が100
μｍ以下とされていることを特徴とするものである。

【００１３】また本発明による第３の半導体レーザ装置
は、基板上に積層された活性層と、この活性層の所定の
ストライプ状領域のみに電流注入するための開口を有し
て該活性層の上に形成された電流阻止層を含む、ｐ型お
よびｎ型の多層膜からなる電流狭窄部とを備えてなる半
導体レーザ装置において、前記電流阻止層の、その下の
半導体層と接してｐｎ接合を構成する部分に、層厚が0.
3μｍ以下でキャリア濃度が１×１０^１７ｃｍ^ー３以下
である低濃度層が形成され、この低濃度層以外の部分に
おいて前記電流阻止層のキャリア濃度が１×１０^{１ ８}ｃ
ｍ^ー３以上とされていることを特徴とするものである。

【００１４】なお以上述べた本発明による各半導体レー
ザ装置において、素子上面は、前記ストライプ状所定領
域の直上部分を含む一部領域を除いて誘電体絶縁膜で覆
われ、そして、この誘電体絶縁膜が除かれた領域に電極
が形成されていることが望ましい。

【００１５】一方、本発明による短波長レーザ光源は、
上に説明した本発明による半導体レーザ装置のいずれか
と、この半導体レーザ装置から発せられたレーザビーム
を第２高調波に変換する光波長変換素子とから構成され
たことを特徴とするものである。

【００１６】

【発明の効果】本発明による第１の半導体レーザ装置に
おいては、電流阻止層および、この電流阻止層の上に形
成されて該電流阻止層とｐｎ接合を構成する半導体層
が、左右方向幅が100μｍ以下のリッジ構造をなしてい
るので、ｐｎ接合面を小さくして寄生容量を低減し、そ
れにより高周波特性を大幅に向上させることができる。

【００１７】また本発明による第２の半導体レーザ装置
においては、電流阻止層および、この電流阻止層の上に
形成されて該電流阻止層とｐｎ接合を構成する半導体層
に、そのｐｎ接合面を貫通し、かつ前記開口を挟んで前
記ストライプ状領域に沿って延びる１対の溝が形成され
て、そしてこれらの溝と溝との間の距離が100μｍ以下
とされているので、溝の外側部分は内側部分から電気的
に隔絶した上で、溝の内側部分のｐｎ接合面を小さくし
て寄生容量を低減し、それにより高周波特性を大幅に向
上させることができる。

【００１８】なお、上記第１および第２の半導体レーザ
装置における100μｍという数値の意義については、後
に実施の形態に沿って詳しく説明する。

【００１９】また本発明による第３の半導体レーザ装置
においては、電流阻止層の、その下の半導体層と接して
ｐｎ接合を構成する部分に、層厚が0.3μｍ以下でキャ
リア濃度が１×１０^１７ｃｍ^ー３以下である低濃度層が
形成されたことにより、このｐｎ接合面に生じる寄生容
量を低減し、それにより高周波特性を大幅に向上させる
ことができる。

【００２０】なお以上述べた本発明による各半導体レー
ザ装置において、素子上面が、前記ストライプ状所定領
域の直上部分を含む一部領域を除いて誘電体絶縁膜で覆
われ、そして、この誘電体絶縁膜が除かれた領域に電極
が形成される場合は、ワイヤボンディングができる程度
の最小限の大きさに電極を形成して、さらに寄生容量を
低減することができる。

【００２１】一方、本発明による短波長レーザ光源は、
上述のように高周波特性が大幅に向上した本発明の半導
体レーザ装置が基本波光源として用いられているので、
高速変調された短波長の第２高調波を得ることができ
る。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００２３】図１は、本発明の第１の実施の形態による
半導体レーザ装置１の立断面形状を示すものである。図
示されるようにこの第１の実施の形態の半導体レーザ装
置１は、ｎ型GaAs基板10と、その上に順次積層されたｎ
型InGaP下部クラッド層11と、i-InGaAsP障壁層、i-InGa
As量子井戸活性層およびi-InGaAsP障壁層からなる多層
半導体部（活性層）12と、ｐ型InGaP上部第１クラッド
層13と、ｐ型AlGaAs上部第２クラッド層23と、ｐ型AlGa
As上部第３クラッド層24と、ｐ型GaAsコンタクト層14と
を有している。

【００２４】そして上記ｐ型AlGaAs上部第２クラッド層
23の左右両側にはそれぞれｎ型InGaP電流阻止層31が形
成され、このｎ型InGaP電流阻止層31および上記ｐ型InG
aP上部第１クラッド層13によって電流狭窄部が構成され
ている。すなわち、ｎ型InGaP電流阻止層31はｐ型AlGaA
s上部第２クラッド層23の部分が開口した形となってお
り、この開口の両側のｎ型InGaP電流阻止層31およびｐ
型InGaP上部第１クラッド層13が構成するｐｎ接合部に
おいて、後述の逆バイアス状態が作られる。

【００２５】なお上記ｎ型InGaP電流阻止層31、その上
のｐ型AlGaAs上部第３クラッド層24および、その上のｐ
型GaAsコンタクト層14は、左右側外方の部分がエッチン
グにより除去されて、幅100μｍのリッジ状に形成され
ている。

【００２６】また、上記ｐ型GaAsコンタクト層14の上
面、並びに上記エッチングで露出した部分の表面を覆
う、例えばＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４等からなる誘電体絶縁
膜15が設けられている。この誘電体絶縁膜15は、ｐ型Ga
Asコンタクト層14の上面部分では、レーザ光が導波する
方向（図の紙面に垂直な方向）に沿って延びる矩形の電
極コンタクト孔を有するものとされている。そしてこの
電極コンタクト孔から露出したｐ型GaAsコンタクト層14
に接するｐ型電極16が形成されるとともに、ｎ型GaAs基
板10の下面にはｎ型電極17が形成されている。

【００２７】なお本実施の形態における共振器長は900
μｍであるが、一般には500μｍ以上2000μｍ以下の範
囲で、要求される光出力や用途に応じて共振器長を変え
ることができる。

【００２８】以下、本実施の形態の半導体レーザ装置１
の動作を説明する。ｎ型電極17とｐ型電極16との間に順
方向のバイアス電圧をかけると、ｐ型InGaP上部第１ク
ラッド層13から活性層12を抜けてｎ型InGaP下部クラッ
ド層11へと順方向電流が通過しようとする。しかしこの
とき、電流狭窄部のｎ型InGaP電流阻止層31とｐ型InGaP
上部第１クラッド層13とのｐｎ接合部は逆バイアス状態
となるため、駆動電流はｎ型InGaP電流阻止層31の開口
部分の直下のストライプ状の活性領域にのみ集中して流
れ、低電流での動作が可能となる。

【００２９】またこのとき、駆動電流に300ＭＨｚの高
周波信号を重畳すると、従来の半導体レーザではこの逆
バイアス状態のｐｎ接合部が大きな寄生容量となってそ
こを高周波成分が通過してしまうことから、活性領域の
みに有効に電流を流すのが困難になっていたのに対し
て、本実施の形態では電流阻止層31の部分を幅100μｍ
の狭いリッジ構造として、このｐｎ接合部の面積を低減
しているために寄生容量が小さく、活性領域に有効に電
流注入することが可能になっている。

【００３０】なお、ｐ型AlGaAs上部第３クラッド層24と
ｎ型InGaP電流阻止層31とのｐｎ接合部にも寄生容量が
発生するが、本実施の形態では上記リッジ構造を採用し
たことによりこのｐｎ接合部の面積も低減されているの
で、ここで大きな寄生容量が発生することも防止可能と
なっている。

【００３１】図２は、基本構成は上記実施の形態と同様
にして上記リッジ構造の幅を種々に変えた場合の、半導
体レーザ装置の遮断周波数特性を示したものである。こ
こに示される通り、リッジ構造の幅を狭くするに従って
遮断周波数は大きくなり、特にリッジ幅が100μｍ以下
であれば遮断周波数は急激に高くなるので、より高い周
波数成分も良好に遮断できるようになる。

【００３２】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図３および図４はそれぞれ、本発明の第２の
実施の形態による半導体レーザ装置２の立断面形状、平
面形状を示すものである。なおこれらの図において、図
１中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらにつ
いての説明は特に必要のない限り省略する（以下、同
様）。

【００３３】図示されるようにこの第２の実施の形態の
半導体レーザ装置２において、ｎ型InGaP電流阻止層3
1、ｐ型AlGaAs上部第３クラッド層24および、ｐ型GaAs
コンタクト層14はリッジ状には形成されていないが、そ
の代わりに、それらを貫通する２本の開放溝51、51が形
成されている。これらの開放溝51、51は、ｎ型InGaP電
流阻止層31の開口を挟んで、電流注入されるストライプ
状領域に沿って延びるように形成され、深さは、ｐ型Al
GaAs上部第３クラッド層24とｎ型InGaP電流阻止層31と
のｐｎ接合面を貫通し、ｐ型InGaP上部第１クラッド層1
3の上表面まで達する（つまりｎ型InGaP電流阻止層31の
全厚に亘る）深さとされている。本例でこれらの開放溝
51、51の間の距離は、30μｍとされている。

【００３４】また、上記ｐ型GaAsコンタクト層14の上
面、並びに上記開放溝51、51の表面部分を覆う、例えば
ＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４等からなる誘電体絶縁膜15が設け
られている。この誘電体絶縁膜15は、ｐ型GaAsコンタク
ト層14の上面部分では、レーザ光が導波する方向（図４
の上下方向）に沿って矩形の電極コンタクト孔を有する
ものとされている。そしてこの電極コンタクト孔から露
出したｐ型GaAsコンタクト層14に接するｐ型電極16が形
成されるとともに、ｎ型GaAs基板10の下面にはｎ型電極
17が形成されている。

【００３５】この第２の実施の形態においては、開放溝
51、51の外側部分が内側部分から電気的に隔絶されるの
で、この場合も電流注入に関わる開放溝51、51の内側部
分のｐｎ接合面を小さくして寄生容量を低減し、それに
より高周波特性を大幅に向上させることができる。

【００３６】なお本実施の形態では特にｐ型電極16に、
開放溝51、51より外側に部分的に突出したパッド部16ａ
が形成され、これらのパッド部16ａが外部結線用電極
（ワイヤボンディング用電極パッド）として用いられ
る。これにより、開放溝51、51の内側のｐ型電極16の幅
が、可能な限り狭小化されている。

【００３７】ただし、開放溝51、51の外側部分でｐ型電
極16の面積を広く取り過ぎると、ｐ型電極16と誘電体絶
縁膜15とｐ型GaAsコンタクト層14とでコンデンサが形成
され、寄生容量が発生する。特にこのコンデンサは、ｐ
型電極16と電気的には並列に存在するため、ｐ型電極16
とｐ型GaAsコンタクト層14との界面に生ずるオーミック
抵抗が大きい場合には、無視できない寄生容量が発生す
る。そこで本実施の形態においては、図４に示すように
ｐ型電極16を、開放溝51、51より外側ではほぼパッド部
16ａのみが存在する形状にして小面積化を図り、寄生容
量の低減を実現している。

【００３８】図５は、この第２の実施の形態の半導体レ
ーザ装置２の遮断周波数特性を示すものである。ここに
示される通り、開放溝51、51の間隔を30μｍにし、かつ
ｐ型電極16に上述の形状を採用したことにより、応答が
０（ゼロ）ｄＢを下回るのはほぼ10ＧＨｚ以上という良
好な高周波特性が得られている。

【００３９】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図６は、本発明の第３の実施の形態による半
導体レーザ装置３の立断面形状を示すものである。この
半導体レーザ装置３において、ｐ型InGaP上部第１クラ
ッド層13と接してｐｎ接合を構成するｎ型InGaP電流阻
止層31の部分には、キャリア濃度が該ｎ型InGaP電流阻
止層31のその他の部分よりも低い低濃度層31ａが形成さ
れている。本例においてこの低濃度層31ａのキャリア濃
度は５×１０^１６ｃｍ^ー３、層厚は0.1μｍとされてい
る。それに対して、該低濃度層31ａ以外の部分における
ｎ型InGaP電流阻止層31のキャリア濃度は２×１０^１８
ｃｍ^ー３、層厚は0.4μｍである。

【００４０】他方、ｎ型InGaP下部クラッド層11のキャ
リア濃度は７×１０^１７ｃｍ^ー３、層厚は２μｍであ
り、上記低濃度層31ａに接するｐ型InGaP上部第１クラ
ッド層13のキャリア濃度は７×１０^１７ｃｍ^ー３、層厚
は0.2μｍである。また、このｐ型InGaP上部第１クラッ
ド層13の上に形成されたｐ型AlGaAs上部第２クラッド層
23、およびその上に形成されたｐ型AlGaAs上部第３クラ
ッド層24のキャリア濃度はともに７×１０^１７ｃ
ｍ^ー３、層厚はともに２μｍである。さらに、ｐ型GaAs
コンタクト層14のキャリア濃度は５×１０^１９ｃ
ｍ^ー３、層厚は0.2μｍである。

【００４１】なお本実施の形態における共振器長は500
μｍ、素子横幅は300μｍであるが、一般には500μｍ以
上2000μｍ以下の範囲で、要求される光出力や用途に応
じて共振器長を変えることができる。

【００４２】この第３の実施の形態の半導体レーザ装置
３においては、ｎ型InGaP電流阻止層31とその下のｐ型I
nGaP上部第１クラッド層13のｐｎ接合面に生じる寄生容
量が、低濃度層31ａを設けたことによって低減するの
で、高周波特性を大幅に向上させることができる。

【００４３】上述の効果を確認するために、この半導体
レーザ装置３を用いて、図７に示すような短波長レーザ
光源を作製した。この短波長レーザ光源は半導体レーザ
装置３と、該半導体レーザ装置３から発せられたレーザ
ビームを第２高調波５に変換する光波長変換素子70と、
半導体レーザ装置３の発振波長を選択してロックする波
長ロック光学系80とから構成されたものである。

【００４４】光波長変換素子70は、非線形光学効果を有
する強誘電体である例えばLiNbO_３にMgOがドープされた
もの（MgO−LiNbO_３）の結晶からなる基板71に、その自
発分極を周期的に反転させてなる周期分極反転構造72が
形成され、そしてこの周期分極反転構造72に沿ってチャ
ンネル光導波路73が設けられてなるものである。半導体
レーザ装置３はこの光波長変換素子70のチャンネル光導
波路73に直接結合され、そこから発せられたレーザビー
ムはこのチャンネル光導波路73に入射して導波する際
に、周期分極反転構造72によって位相整合（いわゆる疑
似位相整合）が取られつつ、波長が１／２の第２高調波
５に変換される。

【００４５】一方波長ロック光学系80は、半導体レーザ
装置３の後方端面から発散光状態で出射するレーザビー
ム（後方出射光）４を平行光化するコリメーターレンズ
81と、平行光となったレーザビーム４を収束させる集光
レンズ82と、これらのレンズ81および82の間に配置され
た狭帯域バンドパスフィルタからなる波長選択フィルタ
83と、レーザビーム４の収束位置に配された反射鏡84と
から構成されている。

【００４６】レーザビーム４は上記反射鏡84で反射して
半導体レーザ装置３にフィードバックされるが、そのと
き波長選択フィルタ83によって該レーザビーム４の波長
が選択され、半導体レーザ装置３の発振波長がこの選択
された波長にロックされる。なお波長選択フィルタ83に
よる選択波長は、この波長選択フィルタ83を図中の矢印
Ｒ方向に回転させることによって調整可能である。

【００４７】この短波長レーザ光源において半導体レー
ザ装置３を、その駆動電流に400ＭＨｚの高周波を重畳
して駆動したところ、効率良く高周波重畳がなされ、該
半導体レーザ装置３は所望の波長で発振した。それによ
り、光波長変換素子70から、出力および波長が安定した
第２高調波５を取り出すことができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置を示す立断面図

【図２】図１の半導体レーザ装置におけるリッジ幅と遮
断周波数特性の関係を示すグラフ

【図３】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
装置を示す立断面図

【図４】図３の半導体レーザ装置の平面図

【図５】図３の半導体レーザ装置の周波数特性を示すグ
ラフ

【図６】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
装置を示す立断面図

【図７】図６の半導体レーザ装置を用いた短波長レーザ
光源を示す側面図

【符号の説明】

１，２，３ 半導体レーザ装置 10 ｎ型GaAs基板 11 ｎ型InGaP下部クラッド層 12 多層半導体部（活性層） 13 ｐ型InGaP上部第１クラッド層 14 ｐ型GaAsコンタクト層 15 誘電体絶縁膜 16 ｐ型電極 16ａ ｐ型電極のパッド部 17 ｎ型電極 23 ｐ型AlGaAs上部第２クラッド層 24 ｐ型AlGaAs上部第３クラッド層 31 ｎ型InGaP電流阻止層 31ａ ｎ型InGaP低濃度電流阻止層 51 開放溝 70 光波長変換素子 80 波長ロック光学系

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に積層された活性層と、 この活性層の所定のストライプ状領域のみに電流注入す
   るための開口を有して該活性層の上に形成された電流阻
   止層を含む、ｐ型およびｎ型の多層膜からなる電流狭窄
   部とを備えてなる半導体レーザ装置において、 少なくとも前記電流阻止層および、この電流阻止層の上
   に形成されて該電流阻止層とｐｎ接合を構成する半導体
   層が、左右方向幅が100μｍ以下のリッジ構造をなして
   いることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 基板上に積層された活性層と、 この活性層の所定のストライプ状領域のみに電流注入す
   るための開口を有して該活性層の上に形成された電流阻
   止層を含む、ｐ型およびｎ型の多層膜からなる電流狭窄
   部とを備えてなる半導体レーザ装置において、 前記電流阻止層および、この電流阻止層の上に形成され
   て該電流阻止層とｐｎ接合を構成する半導体層に、その
   ｐｎ接合面を貫通し、かつ前記開口を挟んで前記ストラ
   イプ状領域に沿って延びる１対の溝が形成され、 これらの溝と溝との間の距離が100μｍ以下とされてい
   ることを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 基板上に積層された活性層と、 この活性層の所定のストライプ状領域のみに電流注入す
   るための開口を有して該活性層の上に形成された電流阻
   止層を含む、ｐ型およびｎ型の多層膜からなる電流狭窄
   部とを備えてなる半導体レーザ装置において、 前記電流阻止層の、その下の半導体層と接してｐｎ接合
   を構成する部分に、層厚が0.3μｍ以下でキャリア濃度
   が１×１０^１７ｃｍ^ー３以下である低濃度層が形成さ
   れ、 この低濃度層以外の部分において前記電流阻止層のキャ
   リア濃度が１×１０^{１ ８}ｃｍ^ー３以上とされていること
   を特徴とする半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 素子上面が、前記ストライプ状所定領域
   の直上部分を含む一部領域を除いて誘電体絶縁膜で覆わ
   れ、 この誘電体絶縁膜が除かれた領域に電極が形成されてい
   ることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の
   半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 請求項１から４いずれか１項記載の半導
   体レーザ装置と、 この半導体レーザ装置から発せられたレーザビームを第
   ２高調波に変換する光波長変換素子とからなる短波長レ
   ーザ光源。