JP2003031550A - Ｆｐｄ用基板表面処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 紫外線ランプが不要となって製造コストの低
減を図ることができると共に紫外線ランプの交換による
マシンのダウンタイムの発生を無くすことができ、作業
性の向上を図ることができる。 【解決手段】 ＦＰＤ用基板Ｋの表面の濡れ性の改質又
は汚れ物質の除去をなすため、プラズマ処理室１内に上
記基板が通過移送する通過間隙Ｈを置いて対向配置され
た一対の電極２・２と、一対の電極間に大気圧下又は減
圧下でプラズマを発生させるプラズマ発生手段３とを備
えてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、Ｅ
Ｌ、カラーフィルタ等のＦＰＤ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ
ｄｉｓｐｌａｙ）製造プロセスに用いられるＦＰＤ用
基板表面処理方法及びその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のＦＰＤ用基板Ｋ、例えば
液晶ディスプレイの基板製造プロセスとして、図６に示
す如く、（イ）ガラス基板Ｇ上にアルミニューム等の金
属膜Ｄをスパッタリング、ＣＶＤ法により形成し
（ロ）、ウエットエッチングにおいて、金属膜Ｄ上にフ
ォトレジストＦを塗布し（ハ）、フォトマスクＭを介し
て露光現像し（ニ、ホ、へ）、そして、エッチング処理
した後にフォトレジストＦを剥離アッシングするプロセ
ス（ト、チ）が存在する。そして、上記露光現像（ニ、
ホ、へ）とエッチング処理（ト）との間において、紫外
線ランプを用いて表面の濡れ性の親水性と発水性の改質
処理をなし、その後のウエットエッチング処理（ト）を
良化するようにしている。

【０００３】又、その後に、絶縁兼配向膜等の上部膜を
塗布したり、カラーフィルタの製造プロセスにあって
は、ＲＧＢフィルタ層、オーバーコート層を塗布するプ
ロセスも存在する。このようなプロセスにおいては、Ｒ
ＧＢフィルタ層、オーバーコート層を塗布形成する前に
おいて、エアーの吹き付け等により表面に存在する有機
物や自然酸化膜等の汚れ物質を除去するようにしてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のＦＰＤ製造プロセスにおいては、紫外線ランプを用い
て表面の濡れ性の親水性と発水性の改質処理をなすこと
から、紫外線ランプが高価格であること及び紫外線ラン
プの交換によるマシンのダウンタイムの発生により作業
性の低下が余儀なくされ、又、エアーの吹き付け等では
表面に存在する有機物や自然酸化膜等の汚れ物質を良好
に除去することができず、品質の低下が生ずることがあ
るという不都合を有している。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明はこれらの不都合
を解決することを目的とするものあり、本発明のうち
で、請求項１記載の方法の発明は、ＦＰＤ用基板の表面
の濡れ性の改質又は汚れ物質の除去をなすための表面処
理方法であって、対向配置された一対の電極間に大気圧
下又は減圧下でプラズマを発生させ、該プラズマが発生
している該一対の電極間の通過間隙に上記基板を移送さ
せ、該基板の表面にプラズマ処理をなすことを特徴とす
るＦＰＤ用基板表面処理方法にある。

【０００６】又、請求項２記載の方法の発明は、上記基
板を一対の電極間の通過間隙で浮上状態で通過移送させ
ることを特徴とするものである。

【０００７】又、請求項３記載の装置の発明にあって
は、ＦＰＤ用基板の表面の濡れ性の改質又は汚れ物質の
除去をなすための表面処理装置であって、プラズマ処理
室内に上記基板が通過移送する通過間隙を置いて対向配
置された一対の電極と、該一対の電極間に大気圧下又は
減圧下でプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備
えてなることを特徴とするＦＰＤ用基板表面処理装置に
ある。

【０００８】又、請求項４記載の発明にあっては、上記
基板を一対の電極間の通過間隙で浮上状態で通過移送さ
せる浮上機構を備えてなることを特徴とするものであ
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１乃至図５は本発明の実施の形
態例を示し、図１乃至図３は第一形態例、図４は第二形
態例、図５は第三形態例である。

【００１０】図１乃至図３の第一形態例において、１は
プラズマ処理室であって、プラズマ処理室１内にＦＰＤ
用基板Ｋが通過移送する通過間隙Ｈを置いて一対の電極
２・２を対向配置し、プラズマ処理室１内は大気圧下又
は減圧下とされ、かつ、プラズマ処理室１内は不活性ガ
ス雰囲気下とされている。

【００１１】３はプラズマ発生手段であって、一対の電
極２・２間にプラズマを発生させる電気回路を備えてな
る。

【００１２】この実施の第一形態例は上記構成であるか
ら、例えば、図２の如く、上記図６に示す露光現像
（へ）とエッチング処理（ト）との間において、対向配
置された一対の電極２・２間に大気圧下又は減圧下でプ
ラズマを発生させ、プラズマＰが発生している一対の電
極間２・２の通過間隙Ｈに上記ＦＰＤ用基板Ｋを移送さ
せ（リ）、基板Ｋの表面にプラズマ処理をなすことによ
り、基板Ｋの表面の濡れ性の改質処理をなしてその後の
ウエットエッチング処理（ト）を良化することができ、
このため、紫外線ランプが不要となって製造コストの低
減を図ることができると共に紫外線ランプの交換による
マシンのダウンタイムの発生を無くすことができ、作業
性の向上を図ることができ、又、例えば、図３の如く、
上記図６に示すウエットエッチング処理（ト）後（チ）
にプラズマ処理（ヌ）することにより表面に存在する汚
れ物質Ｅを除去することができ、絶縁兼配向膜等の上部
膜ＮやＲＧＢフィルタ層、オーバーコート層の形成
（ル）が良好になされ、基板品質の向上を図ることがで
きる。

【００１３】図４の第二形態例は別例構造を示し、この
場合、上記第一形態例に浮上機構４を更に備えた構造で
あり、即ち、プラズマ処理室１の前後に案内ロール４ａ
・４ａを配置すると共に下側の電極２に複数個のガス吹
出口４ｂ・４ｂを形成し、ガス吹出口４ｂ・４ｂに図外
のガス供給源を接続し、ガス吹出口４ｂ・４ｂから不活
性ガス等のガスＱを吹き出すことによりＦＰＤ用基板Ｋ
を一対の電極間２・２の通過間隙Ｈ間で浮上状態で通過
移送させるように構成している。

【００１４】この第二形態例にあっては、上記浮上機構
４により上記ＦＰＤ用基板Ｋを一対の電極２・２間の通
過間隙Ｈで浮上状態で通過移送させることにより、基板
Ｋを電極２・２に接触することなく、小さな通過間隙Ｈ
内を良好に通過移送させることができ、それだけ基板Ｋ
のプラズマ処理を良好に行うことができる。

【００１５】図５の第三形態例は別例構造を示し、この
場合、上記第二形態例の浮上機構４の案内ロール４ａ・
４ａに代えてガス吹出ノズル４ｃ・４ｃを備えた構造で
あり、即ち、プラズマ処理室１の前後にガス吹出ノズル
４ｃ・４ｃを配置すると共に下側の電極２に複数個のガ
ス吹出口４ｂ・４ｂを形成し、ガス吹出ノズル４ｃ・４
ｃ及びガス吹出口４ｂ・４ｂに図外のガス供給源を接続
し、ガス吹出ノズル４ｃ・４ｃ及びガス吹出口４ｂ・４
ｂからガスＱを吹き出すことによりＦＰＤ用基板Ｋを一
対の電極間２・２の通過間隙Ｈ間で浮上状態で通過移送
させるように構成している。

【００１６】この第三形態例にあっては、上記浮上機構
４により上記ＦＰＤ用基板Ｋを一対の電極２・２間の通
過間隙Ｈで浮上状態で通過移送させることにより、基板
Ｋを電極２・２に接触することなく、小さな通過間隙Ｈ
内を良好に通過移送させることができ、それだけ基板Ｋ
のプラズマ処理を良好に行うことができる。

【００１７】尚、本発明は上記実施の形態例に限られる
ものではなく、プラズマ処理室１、電極２、プラズマ発
生手段３、浮上機構４の構造や構成等は適宜変更して設
計される。

【００１８】

【発明の効果】本発明は上述の如く、請求項１又は３記
載の発明にあっては、例えば、露光現像とエッチング処
理との間において、対向配置された一対の電極間に大気
圧下又は減圧下でプラズマを発生させ、プラズマが発生
している一対の電極間の通過間隙にＦＰＤ用基板を移送
させ、基板の表面にプラズマ処理をなすことにより、基
板の表面の濡れ性の改質処理をなしてその後のエッチン
グ処理を良化することができ、このため、紫外線ランプ
が不要となって製造コストの低減を図ることができると
共に紫外線ランプの交換によるマシンのダウンタイムの
発生を無くすことができ、作業性の向上を図ることがで
き、又、例えば、エッチング処理後にプラズマ処理する
ことにより表面に存在する汚れ物質を除去することがで
き、絶縁兼配向膜等の上部膜やＲＧＢフィルタ層、オー
バーコート層の形成が良好になされ、基板品質の向上を
図ることができる。

【００１９】又、請求項２又は４記載の発明にあって
は、浮上機構によりＦＰＤ用基板を一対の電極間の通過
間隙で浮上状態で通過移送させることにより、基板を電
極に接触することなく、小さな通過間隙内を良好に通過
移送させることができ、それだけ基板のプラズマ処理を
良好に行うことができる。

【００２０】以上所期の目的を充分達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の第一形態例のプラズマ処理室の
説明断面図である。

【図２】本発明の実施の第一形態例のプラズマ処理の基
板説明断面図である。

【図３】本発明の実施の第一形態例の他のプラズマ処理
の基板説明断面図である。

【図４】本発明の実施の第二形態例のプラズマ処理室の
説明断面図である。

【図５】本発明の実施の第三形態例のプラズマ処理室の
説明断面図である。

【図６】基板製造プロセスの説明断面図である。

【符号の説明】

Ｋ ＦＰＤ用基板 Ｈ 通過間隙 １ プラズマ処理室 ２ 電極 ３ プラズマ発生手段 ４ 浮上機構

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＦＰＤ用基板の表面の濡れ性の改質又は
   汚れ物質の除去をなすための表面処理方法であって、対
   向配置された一対の電極間に大気圧下又は減圧下でプラ
   ズマを発生させ、該プラズマが発生している該一対の電
   極間の通過間隙に上記基板を移送させ、該基板の表面に
   プラズマ処理をなすことを特徴とするＦＰＤ用基板表面
   処理方法。
2. 【請求項２】 上記基板を一対の電極間の通過間隙で浮
   上状態で通過移送させることを特徴とする請求項１記載
   のＦＰＤ用基板表面処理方法。
3. 【請求項３】 ＦＰＤ用基板の表面の濡れ性の改質又は
   汚れ物質の除去をなすための表面処理装置であって、プ
   ラズマ処理室内に上記基板が通過移送する通過間隙を置
   いて対向配置された一対の電極と、該一対の電極間に大
   気圧下又は減圧下でプラズマを発生させるプラズマ発生
   手段とを備えてなることを特徴とするＦＰＤ用基板表面
   処理装置。
4. 【請求項４】 上記基板を一対の電極間の通過間隙で浮
   上状態で通過移送させる浮上機構を備えてなることを特
   徴とする請求項３記載のＦＰＤ用基板表面処理装置。