JPH0637064A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0637064A JPH0637064A JP18849092A JP18849092A JPH0637064A JP H0637064 A JPH0637064 A JP H0637064A JP 18849092 A JP18849092 A JP 18849092A JP 18849092 A JP18849092 A JP 18849092A JP H0637064 A JPH0637064 A JP H0637064A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist pattern
- resist
- pattern
- dry etching
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン面積の大きなドライエッチング方法
に関し、サイドエッチングを均等化することを目的とす
る。 【構成】 被処理基板上に設けてあるレジストパターン
が該基板の中央部で密であり、周辺部で疎である場合
に、該被処理基板の周辺部に樹脂成形体をダミーとして
配置することを特徴としてドライエッチング方法を構成
する。
に関し、サイドエッチングを均等化することを目的とす
る。 【構成】 被処理基板上に設けてあるレジストパターン
が該基板の中央部で密であり、周辺部で疎である場合
に、該被処理基板の周辺部に樹脂成形体をダミーとして
配置することを特徴としてドライエッチング方法を構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサイドエッチング速度を
均等化したドライエッチング方法に関する。液晶表示装
置やプラズマ表示装置など表示装置の形成には薄膜形成
技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）が使用され
ているが、これらの装置は従来のＣＲＴ（陰極線管）に
置き代わりつゝあることから、次第に大型の需要が増加
している。
均等化したドライエッチング方法に関する。液晶表示装
置やプラズマ表示装置など表示装置の形成には薄膜形成
技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）が使用され
ているが、これらの装置は従来のＣＲＴ（陰極線管）に
置き代わりつゝあることから、次第に大型の需要が増加
している。
【０００２】そこで、大型基板に対する製造歩留りの向
上が量産を行なう上での最重要事項になっている。
上が量産を行なう上での最重要事項になっている。
【０００３】
【従来の技術】液晶表示装置（Liquid Crystal Display
略称LCD)やプラズマ表示装置(PlasmaDisplay Panele略
称PDP)などの表示素子はガラス基板上に真空蒸着法やス
パッタ法などの物理的方法や気相成長法(Chemical Vapo
r Deposition略称CVD)のような化学的方法により基板上
に金属膜や絶縁膜を形成している。
略称LCD)やプラズマ表示装置(PlasmaDisplay Panele略
称PDP)などの表示素子はガラス基板上に真空蒸着法やス
パッタ法などの物理的方法や気相成長法(Chemical Vapo
r Deposition略称CVD)のような化学的方法により基板上
に金属膜や絶縁膜を形成している。
【０００４】次に、このガラス基板をスピンナーにセッ
トしてレジストを被覆し、紫外線の投影露光あるいは密
着露光を行なってレジスト膜を選択露光し、ポジ型のレ
ジストを用いる場合は露光部が分解して現像液に溶け易
くなり、また、ネガ型のレジストを用いる場合は露光部
で架橋を生じ、現像液に溶けにくゝなるのを利用してレ
ジストパターンを形成している。
トしてレジストを被覆し、紫外線の投影露光あるいは密
着露光を行なってレジスト膜を選択露光し、ポジ型のレ
ジストを用いる場合は露光部が分解して現像液に溶け易
くなり、また、ネガ型のレジストを用いる場合は露光部
で架橋を生じ、現像液に溶けにくゝなるのを利用してレ
ジストパターンを形成している。
【０００５】次に、このレジストパターンを設けた基板
をドライエッチング装置に位置決めし、塩素系や弗素系
の反応ガスをキャリアガスと共にドライエッチング装置
に供給し、排気系を動作させて減圧排気しながら電極間
に高周波電界を印加して反応ガスをイオン化せしめ、こ
のイオンの被処理基板への衝突と化学反応とによって被
処理基板のエッチングを行なうもので、エッチングイオ
ンによるエッチング速度がレジストに較べて格段に大き
いのを利用している。
をドライエッチング装置に位置決めし、塩素系や弗素系
の反応ガスをキャリアガスと共にドライエッチング装置
に供給し、排気系を動作させて減圧排気しながら電極間
に高周波電界を印加して反応ガスをイオン化せしめ、こ
のイオンの被処理基板への衝突と化学反応とによって被
処理基板のエッチングを行なうもので、エッチングイオ
ンによるエッチング速度がレジストに較べて格段に大き
いのを利用している。
【０００６】こゝで、製造歩留りの向上のためには薄膜
形成技術を用いて形成する金属膜や絶縁膜の厚さは基板
の全域に亙って均一なことが必要であり、そのために蒸
発源の配置や基板への加熱温度などについて色々な工夫
が行なわれているが、一様な厚さに形成することは容易
ではない。
形成技術を用いて形成する金属膜や絶縁膜の厚さは基板
の全域に亙って均一なことが必要であり、そのために蒸
発源の配置や基板への加熱温度などについて色々な工夫
が行なわれているが、一様な厚さに形成することは容易
ではない。
【０００７】一方、基板上に膜形成した薄膜をドライエ
ッチングして薄膜の微細パターンを形成する場合も一様
なエッチングが行なわれず、サイドエッチングの深さが
位置により異なると云う問題があり、解決が必要であっ
た。
ッチングして薄膜の微細パターンを形成する場合も一様
なエッチングが行なわれず、サイドエッチングの深さが
位置により異なると云う問題があり、解決が必要であっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】LCD やPDP のような表
示素子はガラス基板上に金属膜や絶縁膜を一様な厚さに
形成した後、写真蝕刻技術を用いて導体線路などの微細
パターンを形成しているが、この場合、サイドエッチン
グの深さがレジストパターンの位置により異なると云う
問題があり、解決が必要であった。
示素子はガラス基板上に金属膜や絶縁膜を一様な厚さに
形成した後、写真蝕刻技術を用いて導体線路などの微細
パターンを形成しているが、この場合、サイドエッチン
グの深さがレジストパターンの位置により異なると云う
問題があり、解決が必要であった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は被処理基板
上に設けてあるレジストパターンがこの基板の中央部で
密であり、周辺部で疎である場合に、被処理基板の周辺
部に樹脂成形体をダミーとして配置することを特徴とし
てドライエッチング方法を構成することにより解決する
ことができる。
上に設けてあるレジストパターンがこの基板の中央部で
密であり、周辺部で疎である場合に、被処理基板の周辺
部に樹脂成形体をダミーとして配置することを特徴とし
てドライエッチング方法を構成することにより解決する
ことができる。
【００１０】
【作用】導体線路などの微細パターンのパターン精度を
向上するにはサイドエッチングを極力抑制することが必
要である。
向上するにはサイドエッチングを極力抑制することが必
要である。
【００１１】然し、大型のLCD など基板上に膜形成して
ある金属膜などの厚さが厳密には一様に形成することは
困難であるから、パターン形成に当たって多少のサイド
エッチングの生ずるのは避けられない。
ある金属膜などの厚さが厳密には一様に形成することは
困難であるから、パターン形成に当たって多少のサイド
エッチングの生ずるのは避けられない。
【００１２】図２は金属膜を選択エッチングする場合の
サイドエッチングの発生プロセスを示している。すなわ
ち、ガラス基板１の上に導体線路などを形成するための
金属膜２を形成し、この上にレジスト３を塗布する。
（以上図２Ａ） 次に、レジスト３の選択露光と現像を行なってレジスト
パターン４を作り、（以上同図Ｂ）これをマスクとして
RIE を行い、金属膜２を選択エッチングする。（以上同
図Ｃ） こゝで、金属膜２の厚さはガラス基板１の全域に亙って
同じ厚さではないために最大の膜厚の部分までドライエ
ッチングする条件で行なうことから、導体パターン５に
は多少のサイドエッチング６が発生するのは止むを得な
い。
サイドエッチングの発生プロセスを示している。すなわ
ち、ガラス基板１の上に導体線路などを形成するための
金属膜２を形成し、この上にレジスト３を塗布する。
（以上図２Ａ） 次に、レジスト３の選択露光と現像を行なってレジスト
パターン４を作り、（以上同図Ｂ）これをマスクとして
RIE を行い、金属膜２を選択エッチングする。（以上同
図Ｃ） こゝで、金属膜２の厚さはガラス基板１の全域に亙って
同じ厚さではないために最大の膜厚の部分までドライエ
ッチングする条件で行なうことから、導体パターン５に
は多少のサイドエッチング６が発生するのは止むを得な
い。
【００１３】然し、このサイドエッチング６の深さが基
板の位置により異なり、基板の中央部で浅く、周辺部で
深いと云う現象がある。発明者等はこの原因はRIE の工
程において、反応ガスイオンとレジストとの反応生成物
の蒸気圧が低く、エッチングされる金属膜の側面に析出
し易いためにレジストパターンが密に形成されている領
域ではサイドエッチングが抑制されるのに対し、周辺部
のようにレジストパターンが疎であって、殆どが金属膜
であるような領域では反応ガスイオンとの反応生成物の
多くは蒸気圧が高く容易に排気されて除去されるため、
サイドエッチングが進行すると推定した。
板の位置により異なり、基板の中央部で浅く、周辺部で
深いと云う現象がある。発明者等はこの原因はRIE の工
程において、反応ガスイオンとレジストとの反応生成物
の蒸気圧が低く、エッチングされる金属膜の側面に析出
し易いためにレジストパターンが密に形成されている領
域ではサイドエッチングが抑制されるのに対し、周辺部
のようにレジストパターンが疎であって、殆どが金属膜
であるような領域では反応ガスイオンとの反応生成物の
多くは蒸気圧が高く容易に排気されて除去されるため、
サイドエッチングが進行すると推定した。
【００１４】そこで、図１に示すように、ガラス基板１
において、レジストパターンが密に形成されている領域
（略して密なパターン領域）８の周囲のレジストパター
ンが疎に形成されている領域（略して疎なパターン領
域）９に隣接してレジストや弗素樹脂など反応ガスと反
応して蒸気圧の低い反応生成物を生ずるような樹脂成形
体10を配置した結果、好結果を得ることができた。
において、レジストパターンが密に形成されている領域
（略して密なパターン領域）８の周囲のレジストパター
ンが疎に形成されている領域（略して疎なパターン領
域）９に隣接してレジストや弗素樹脂など反応ガスと反
応して蒸気圧の低い反応生成物を生ずるような樹脂成形
体10を配置した結果、好結果を得ることができた。
【００１５】
実施例１：(LCDパターンの形成例) ガラス基板として面積が400 ×300mm で厚さが1.1mm の
ものを用い、この基板の全域に亙ってスパッタ法により
チタン(Ti)を0.1 μm の厚さに形成した。
ものを用い、この基板の全域に亙ってスパッタ法により
チタン(Ti)を0.1 μm の厚さに形成した。
【００１６】次に、この上にスピンコート法を用いてレ
ジストを1.5 μm の厚さに形成し、次に、紫外線の投影
露光と現像とを行なって、ドレインバスラインとゲート
バスラインの線幅を10μm とし、画素の大きさを100 ×
300 μm としてマトリックス状のレジストパターン形成
を行なった。
ジストを1.5 μm の厚さに形成し、次に、紫外線の投影
露光と現像とを行なって、ドレインバスラインとゲート
バスラインの線幅を10μm とし、画素の大きさを100 ×
300 μm としてマトリックス状のレジストパターン形成
を行なった。
【００１７】こゝで、ガラス基板の周辺部の疎なパター
ン領域に沿って厚さが２ mm で幅が10 mm でレジストパ
ターンを形成したものと同じ材料( 品名OFPR-800) より
なるレジスト成形体を配置し、反応ガスとして塩化硼素
(BCl3)と塩素（Cl2)を用い、ドライエッチング装置内の
ガス圧を100mm torrに保ってRIE を行なった。
ン領域に沿って厚さが２ mm で幅が10 mm でレジストパ
ターンを形成したものと同じ材料( 品名OFPR-800) より
なるレジスト成形体を配置し、反応ガスとして塩化硼素
(BCl3)と塩素（Cl2)を用い、ドライエッチング装置内の
ガス圧を100mm torrに保ってRIE を行なった。
【００１８】その結果、従来のサイドエッチング差が0.
5 μm 以上あったものが、0.2 μm以下に抑制すること
ができた。 実施例２：(LCDパターンの形成例) 実施例１において、ガラス基板の周辺部の疎なパターン
領域に沿って配置する樹脂成形体として弗素樹脂（テフ
ロン）を用いた以外は全く同様にしてRIE を行なった。
5 μm 以上あったものが、0.2 μm以下に抑制すること
ができた。 実施例２：(LCDパターンの形成例) 実施例１において、ガラス基板の周辺部の疎なパターン
領域に沿って配置する樹脂成形体として弗素樹脂（テフ
ロン）を用いた以外は全く同様にしてRIE を行なった。
【００１９】その結果、従来のサイドエッチング差が0.
5 μm 以上あったものが、0.2 μm以下に抑制すること
ができた。
5 μm 以上あったものが、0.2 μm以下に抑制すること
ができた。
【００２０】
【発明の効果】本発明の実施によりサイドエッチングの
アンバランスを均等化することができ、これによりパタ
ーン寸法の違いによる表示ムラを無くすることができ、
表示品質の向上が可能となった。
アンバランスを均等化することができ、これによりパタ
ーン寸法の違いによる表示ムラを無くすることができ、
表示品質の向上が可能となった。
【図１】本発明の実施法を示す平面図である。
【図２】サイドエッチングの発生プロセスを示す断面図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ 金属膜 ４ レジストパターン ５ 導体パターン ６ サイドエッチング ８ 密なパターン領域 ９ 疎なパターン領域 10 樹脂成形体
Claims (2)
- 【請求項１】 レジストパターンを設けた被処理基板を
ドライエッチング装置に位置決めし、該装置内に反応ガ
スを供給しながら減圧排気した状態で高周波電界を印加
して反応性イオンエッチングを行い、前記レジストパタ
ーンをマスクとして被処理基板をエッチングする工程に
おいて、被処理基板上に設けてあるレジストパターンが
該基板の中央部で密であり、周辺部で疎である場合に、
該被処理基板の周辺部に樹脂成形体をダミーとして配置
することを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記の樹脂成形体がレジストの硬化物ま
たは弗素樹脂成形体であることを特徴とする請求項１記
載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18849092A JPH0637064A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18849092A JPH0637064A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637064A true JPH0637064A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16224646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18849092A Withdrawn JPH0637064A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637064A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181127A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-07-12 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 絶縁膜の破壊を防止する擬似パターンの形成方法 |
| US6440614B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-08-27 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Mask and method of manufacturing semiconductor device |
| KR100941717B1 (ko) * | 2007-12-15 | 2010-02-12 | 현대자동차주식회사 | 워셔액리저버 탱크에 장착된 파워 스티어링 오일 냉각 장치 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP18849092A patent/JPH0637064A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181127A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-07-12 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 絶縁膜の破壊を防止する擬似パターンの形成方法 |
| US6440614B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-08-27 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Mask and method of manufacturing semiconductor device |
| KR100941717B1 (ko) * | 2007-12-15 | 2010-02-12 | 현대자동차주식회사 | 워셔액리저버 탱크에 장착된 파워 스티어링 오일 냉각 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |