JP2003197606A - 基板表面処理方法及びその装置 - Google Patents
基板表面処理方法及びその装置Info
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- JP2003197606A JP2003197606A JP2001390316A JP2001390316A JP2003197606A JP 2003197606 A JP2003197606 A JP 2003197606A JP 2001390316 A JP2001390316 A JP 2001390316A JP 2001390316 A JP2001390316 A JP 2001390316A JP 2003197606 A JP2003197606 A JP 2003197606A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック体の多孔質性により処理用ガスを
分散して拡散導入することができ、容器体内の処理用ガ
スの均一化を図ることができ、処理用ガスの均一化によ
り容器体内に発生するプラズマのプラズマ密度の均一化
を図ることができ、基板表面の処理むらを抑制して処理
品質を高めることができると共に処理速度を高めて作業
性を向上することができる。 【解決手段】 ガス導入部２を介して処理用ガスＧが導
入される容器体１と、容器体の内外に対向配置された一
対の電極４・５と、一対の電極間に電界を印加すること
により容器体内にプラズマＰを発生させるプラズマ発生
手段７と、容器体内に発生したプラズマを該容器体の外
に配置されている処理すべき基板の表面に放出可能な放
出口部３とを備え、ガス導入部から容器体内に導入され
る処理用ガスが通過するセラミック体９を具備してな
る。
分散して拡散導入することができ、容器体内の処理用ガ
スの均一化を図ることができ、処理用ガスの均一化によ
り容器体内に発生するプラズマのプラズマ密度の均一化
を図ることができ、基板表面の処理むらを抑制して処理
品質を高めることができると共に処理速度を高めて作業
性を向上することができる。 【解決手段】 ガス導入部２を介して処理用ガスＧが導
入される容器体１と、容器体の内外に対向配置された一
対の電極４・５と、一対の電極間に電界を印加すること
により容器体内にプラズマＰを発生させるプラズマ発生
手段７と、容器体内に発生したプラズマを該容器体の外
に配置されている処理すべき基板の表面に放出可能な放
出口部３とを備え、ガス導入部から容器体内に導入され
る処理用ガスが通過するセラミック体９を具備してな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、Ｅ
Ｌ、カラーフィルタ等のＦＰＤ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ
ｄｉｓｐｌａｙ）製造プロセス、実装基板製造プロセ
スに用いられる基板表面処理方法及びその装置に関する
ものである。
レイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、Ｅ
Ｌ、カラーフィルタ等のＦＰＤ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ
ｄｉｓｐｌａｙ）製造プロセス、実装基板製造プロセ
スに用いられる基板表面処理方法及びその装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の基板表面処理装置とし
て、容器体内にガス導入部を介して処理用ガスを導入
し、該容器体の内外に対向配置された一対の電極間に電
界を印加することにより該容器体内にプラズマを発生さ
せ、該容器体内に発生したプラズマを放出口部より容器
体の外に放出し、該容器体内から放出されるプラズマに
より基板の表面の濡れ性の改質又は汚れ物質の除去をな
すための表面処理なす構造のものが提案されている。
て、容器体内にガス導入部を介して処理用ガスを導入
し、該容器体の内外に対向配置された一対の電極間に電
界を印加することにより該容器体内にプラズマを発生さ
せ、該容器体内に発生したプラズマを放出口部より容器
体の外に放出し、該容器体内から放出されるプラズマに
より基板の表面の濡れ性の改質又は汚れ物質の除去をな
すための表面処理なす構造のものが提案されている。
【０００３】ここに、表面処理の内容としては、例えば
液晶ディスプレイの基板製造プロセスにおいて、ガラス
基板上にアルミニューム等の金属膜をスパッタリング、
ＣＶＤ法により形成し、ウエットエッチングにおいて、
金属膜上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介
して露光現像し、そして、エッチング処理した後にフォ
トレジストを剥離アッシングする表面処理が存在し、
又、上記露光現像とエッチング処理との間において、基
板の表面の濡れ性の親水性と発水性の改質処理をなし、
その後のウエットエッチング処理を良化する表面処理が
挙げられる。
液晶ディスプレイの基板製造プロセスにおいて、ガラス
基板上にアルミニューム等の金属膜をスパッタリング、
ＣＶＤ法により形成し、ウエットエッチングにおいて、
金属膜上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介
して露光現像し、そして、エッチング処理した後にフォ
トレジストを剥離アッシングする表面処理が存在し、
又、上記露光現像とエッチング処理との間において、基
板の表面の濡れ性の親水性と発水性の改質処理をなし、
その後のウエットエッチング処理を良化する表面処理が
挙げられる。
【０００４】又、その後に、絶縁兼配向膜等の上部膜を
塗布したり、カラーフィルタの製造プロセスにあって
は、ＲＧＢフィルタ層、オーバーコート層を塗布するプ
ロセスも存在するが、このようなプロセスにおいては、
ＲＧＢフィルタ層、オーバーコート層を塗布形成する前
において、表面に存在する有機物や自然酸化膜等の汚れ
物質を除去するための表面処理も挙げられる。
塗布したり、カラーフィルタの製造プロセスにあって
は、ＲＧＢフィルタ層、オーバーコート層を塗布するプ
ロセスも存在するが、このようなプロセスにおいては、
ＲＧＢフィルタ層、オーバーコート層を塗布形成する前
において、表面に存在する有機物や自然酸化膜等の汚れ
物質を除去するための表面処理も挙げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
構造の場合、上記処理用ガスは容器体内に満遍なく均一
に導入されないことがあり、このため、容器体内に発生
するプラズマのプラズマ密度が不均一となることがあ
り、それだけ、基板表面の処理むらが生じて処理品質を
低下させたり、処理速度を低下させて作業性の低下を余
儀なくされることがあるという不都合を有している。
構造の場合、上記処理用ガスは容器体内に満遍なく均一
に導入されないことがあり、このため、容器体内に発生
するプラズマのプラズマ密度が不均一となることがあ
り、それだけ、基板表面の処理むらが生じて処理品質を
低下させたり、処理速度を低下させて作業性の低下を余
儀なくされることがあるという不都合を有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの不都合
を解決することを目的とするものあり、本発明のうち
で、請求項１記載の方法の発明は、容器体内にガス導入
部を介して処理用ガスを導入し、該容器体の内外に対向
配置された一対の電極間に電界を印加することにより該
容器体内にプラズマを発生させ、該容器体内に発生した
プラズマを放出口部より容器体の外に放出し、該容器体
内から放出されるプラズマにより基板の表面を処理する
に際し、上記ガス導入部からの処理用ガスをセラミック
体を介して上記容器体内に導入することを特徴とする基
板表面処理方法にある。
を解決することを目的とするものあり、本発明のうち
で、請求項１記載の方法の発明は、容器体内にガス導入
部を介して処理用ガスを導入し、該容器体の内外に対向
配置された一対の電極間に電界を印加することにより該
容器体内にプラズマを発生させ、該容器体内に発生した
プラズマを放出口部より容器体の外に放出し、該容器体
内から放出されるプラズマにより基板の表面を処理する
に際し、上記ガス導入部からの処理用ガスをセラミック
体を介して上記容器体内に導入することを特徴とする基
板表面処理方法にある。
【０００７】又、請求項２記載の方法の発明は、上記ガ
ス導入部からの上記処理用ガスを分岐管部を介して上記
容器体内に分岐して導入することを特徴とするものであ
り、又、請求項３記載の方法の発明は、上記容器体を固
定配置し、該固定配置された上記容器体に対して上記基
板を移送することを特徴とするものであり、又、請求項
４記載の方法の発明は、上記基板を固定配置し、該固定
配置された基板に対して上記容器体を移送することを特
徴とするものである。
ス導入部からの上記処理用ガスを分岐管部を介して上記
容器体内に分岐して導入することを特徴とするものであ
り、又、請求項３記載の方法の発明は、上記容器体を固
定配置し、該固定配置された上記容器体に対して上記基
板を移送することを特徴とするものであり、又、請求項
４記載の方法の発明は、上記基板を固定配置し、該固定
配置された基板に対して上記容器体を移送することを特
徴とするものである。
【０００８】又、請求項５記載の装置の発明は、ガス導
入部を介して処理用ガスが導入される容器体と、該容器
体の内外に対向配置された一対の電極と、該一対の電極
間に電界を印加することにより該容器体内にプラズマを
発生させるプラズマ発生手段と、該容器体内に発生した
プラズマを該容器体の外に配置されている処理すべき基
板の表面に放出可能な放出口部とを備えてなり、上記ガ
ス導入部から上記容器体内に導入される上記処理用ガス
が通過するセラミック体を具備してなることを特徴とす
る基板表面処理装置にある。
入部を介して処理用ガスが導入される容器体と、該容器
体の内外に対向配置された一対の電極と、該一対の電極
間に電界を印加することにより該容器体内にプラズマを
発生させるプラズマ発生手段と、該容器体内に発生した
プラズマを該容器体の外に配置されている処理すべき基
板の表面に放出可能な放出口部とを備えてなり、上記ガ
ス導入部から上記容器体内に導入される上記処理用ガス
が通過するセラミック体を具備してなることを特徴とす
る基板表面処理装置にある。
【０００９】又、請求項６記載の装置の発明は、上記ガ
ス導入部からの上記処理用ガスを上記容器体内に分岐し
て導入可能な分岐管部を設けてなることを特徴とするも
のであり、又、請求項７記載の装置の発明は、上記容器
体を固定配置し、固定配置された容器体に対して上記基
板を移送させる基板移送部を設けてなることを特徴とす
るものであり、又、請求項８記載の装置の発明は、上記
基板を固定配置し、該固定配置された基板に対して上記
容器体を移送させる容器移送部を設けてなることを特徴
とするものである。
ス導入部からの上記処理用ガスを上記容器体内に分岐し
て導入可能な分岐管部を設けてなることを特徴とするも
のであり、又、請求項７記載の装置の発明は、上記容器
体を固定配置し、固定配置された容器体に対して上記基
板を移送させる基板移送部を設けてなることを特徴とす
るものであり、又、請求項８記載の装置の発明は、上記
基板を固定配置し、該固定配置された基板に対して上記
容器体を移送させる容器移送部を設けてなることを特徴
とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１乃至図５は本発明の実施の形
態例を示し、図１、図２は第一形態例、図３、図４は第
二形態例、図５は第三形態例である。
態例を示し、図１、図２は第一形態例、図３、図４は第
二形態例、図５は第三形態例である。
【００１１】図１、図２の第一形態例において、１は容
器体であって、ガラス、合成樹脂等の電気絶縁性をもつ
材質からなり、この容器体１に側部、上部から等からガ
ス導入部２を介して処理用ガスＧが導入され、処理用ガ
スＧとしては、例えばＯ2ガス、Ｏ2とＡｒの混合ガス等
が用いられ、下部に容器体１内に発生したプラズマＰを
外に放出可能なスリット状の放出口部３が設けられ、容
器体１内は大気圧下又は減圧下とされている。
器体であって、ガラス、合成樹脂等の電気絶縁性をもつ
材質からなり、この容器体１に側部、上部から等からガ
ス導入部２を介して処理用ガスＧが導入され、処理用ガ
スＧとしては、例えばＯ2ガス、Ｏ2とＡｒの混合ガス等
が用いられ、下部に容器体１内に発生したプラズマＰを
外に放出可能なスリット状の放出口部３が設けられ、容
器体１内は大気圧下又は減圧下とされている。
【００１２】４・５は一対の電極であり、上記容器体１
の内外に配置され、内側の電極４はガラス、合成樹脂等
の電気絶縁性をもつ材質からなる取付体６により容器体
１に取り付けられ、外側の電極５は容器体１の両側壁に
取り付けられ、電極４・５は容器体１の内外に対向配置
されている。
の内外に配置され、内側の電極４はガラス、合成樹脂等
の電気絶縁性をもつ材質からなる取付体６により容器体
１に取り付けられ、外側の電極５は容器体１の両側壁に
取り付けられ、電極４・５は容器体１の内外に対向配置
されている。
【００１３】７はプラズマ発生手段であって、上記一対
の電極間４・５に電界を印加することにより容器体１内
にプラズマを発生させる電源回路８を備えている。
の電極間４・５に電界を印加することにより容器体１内
にプラズマを発生させる電源回路８を備えている。
【００１４】９はセラミック体であって、例えばポーラ
スセラミック等が用いられ、上記容器体１内に固定配置
され、上記ガス導入部２から上記容器体１内に導入され
る上記処理用ガスＧが通過可能に配置されている。
スセラミック等が用いられ、上記容器体１内に固定配置
され、上記ガス導入部２から上記容器体１内に導入され
る上記処理用ガスＧが通過可能に配置されている。
【００１５】１０は分岐管部であって、上記ガス導入部
２からの上記処理用ガスＧを上記容器体内に分岐して導
入可能に複数個配置され、よって、ガス導入部２はマニ
ホールド状に形成されている。
２からの上記処理用ガスＧを上記容器体内に分岐して導
入可能に複数個配置され、よって、ガス導入部２はマニ
ホールド状に形成されている。
【００１６】１１は基板移送部であって、この場合、上
記容器体１は固定配置され、この固定配置された容器体
１の放出口部３に対向配置され、表面処理すべき基板Ｗ
を複数個のコロ状のロール１１ａにより容器体１の放出
口部３に近接させて枚葉的に連続移送させるように構成
されている。
記容器体１は固定配置され、この固定配置された容器体
１の放出口部３に対向配置され、表面処理すべき基板Ｗ
を複数個のコロ状のロール１１ａにより容器体１の放出
口部３に近接させて枚葉的に連続移送させるように構成
されている。
【００１７】この実施の第一形態例は上記構成であるか
ら、容器体１内にガス導入部２を介して処理用ガスＧが
導入され、プラズマ発生手段７により容器体１の内外に
対向配置された一対の電極間４・５に電界を印加して容
器体１内にプラズマを発生させ、この容器体１内に発生
したプラズマＰは放出口部３より容器体１の外に放出さ
れ、この容器体１内から放出されるプラズマＰにより基
板移送部１１によって連続移送されている基板Ｗの表面
はプラズマ表面処理されることになり、この際、上記ガ
ス導入部２からの処理用ガスＧがセラミック体９を介し
て上記容器体１内に導入されることになり、セラミック
体９の多孔質性により処理用ガスＧを分散して拡散導入
することができ、それだけ、容器体１内の処理用ガスＧ
の均一化を図ることができ、処理用ガスＧの均一化によ
り容器体内に発生するプラズマのプラズマ密度の均一化
を図ることができ、基板Ｗ表面の処理むらを抑制して処
理品質を高めることができると共に処理速度を高めて作
業性を向上することができる。
ら、容器体１内にガス導入部２を介して処理用ガスＧが
導入され、プラズマ発生手段７により容器体１の内外に
対向配置された一対の電極間４・５に電界を印加して容
器体１内にプラズマを発生させ、この容器体１内に発生
したプラズマＰは放出口部３より容器体１の外に放出さ
れ、この容器体１内から放出されるプラズマＰにより基
板移送部１１によって連続移送されている基板Ｗの表面
はプラズマ表面処理されることになり、この際、上記ガ
ス導入部２からの処理用ガスＧがセラミック体９を介し
て上記容器体１内に導入されることになり、セラミック
体９の多孔質性により処理用ガスＧを分散して拡散導入
することができ、それだけ、容器体１内の処理用ガスＧ
の均一化を図ることができ、処理用ガスＧの均一化によ
り容器体内に発生するプラズマのプラズマ密度の均一化
を図ることができ、基板Ｗ表面の処理むらを抑制して処
理品質を高めることができると共に処理速度を高めて作
業性を向上することができる。
【００１８】又、この場合、上記ガス導入部２からの上
記処理用ガスＧを上記容器体１内に分岐して導入可能な
分岐管部１０を設けているから、この分岐管部１０によ
り処理用ガスＧを分岐して容器体１内に導入することが
でき、処理用ガスＧを分散して容器体１内に導入するこ
とができ、それだけ、容器体１内の処理用ガスＧの均一
化を図ることができ、又、この場合、上記容器体１を固
定配置し、固定配置された容器体１に対して上記基板Ｗ
を移送させる基板移送部１１を設けてなるから、基板Ｗ
を連続移送させて連続的に表面処理することができ、処
理速度を高めることができる。
記処理用ガスＧを上記容器体１内に分岐して導入可能な
分岐管部１０を設けているから、この分岐管部１０によ
り処理用ガスＧを分岐して容器体１内に導入することが
でき、処理用ガスＧを分散して容器体１内に導入するこ
とができ、それだけ、容器体１内の処理用ガスＧの均一
化を図ることができ、又、この場合、上記容器体１を固
定配置し、固定配置された容器体１に対して上記基板Ｗ
を移送させる基板移送部１１を設けてなるから、基板Ｗ
を連続移送させて連続的に表面処理することができ、処
理速度を高めることができる。
【００１９】図３、図４の第二形態例は別例構造を示
し、この場合、上記第一形態例とは逆に、上記基板Ｗを
定盤１２上に固定配置し、この固定配置された基板Ｗに
対して上記容器体１を移送させる容器移送部１３を設け
て構成している。
し、この場合、上記第一形態例とは逆に、上記基板Ｗを
定盤１２上に固定配置し、この固定配置された基板Ｗに
対して上記容器体１を移送させる容器移送部１３を設け
て構成している。
【００２０】この第二形態例にあっては、上記第一形態
例と同様な作用効果を得ることができると共に容器体１
を図４の矢印の如く、基板Ｗに対して走査するように移
送することができ、これにより基板Ｗを定盤１２等の平
坦面上に固定配置することができ、例えば基板Ｗをコロ
状のロール１１ａにより支持する構造の場合には隣り合
うロール１１ａの間に基板Ｗの反りが生ずることがあ
り、この基板Ｗの反りにより、プラズマ表面処理のむら
が生ずる原因となるのに比べて、基板Ｗの平坦保持性を
高めることができ、基板Ｗの表面処理品質を高めること
ができる。
例と同様な作用効果を得ることができると共に容器体１
を図４の矢印の如く、基板Ｗに対して走査するように移
送することができ、これにより基板Ｗを定盤１２等の平
坦面上に固定配置することができ、例えば基板Ｗをコロ
状のロール１１ａにより支持する構造の場合には隣り合
うロール１１ａの間に基板Ｗの反りが生ずることがあ
り、この基板Ｗの反りにより、プラズマ表面処理のむら
が生ずる原因となるのに比べて、基板Ｗの平坦保持性を
高めることができ、基板Ｗの表面処理品質を高めること
ができる。
【００２１】図５の第三形態例は別例構造を示し、この
場合、プラズマ発生手段としての一対の電極間４・５に
電界を印加することにより容器体１内にプラズマを発生
させる電源回路８の別例回路を示している。
場合、プラズマ発生手段としての一対の電極間４・５に
電界を印加することにより容器体１内にプラズマを発生
させる電源回路８の別例回路を示している。
【００２２】この第三形態例にあっても、上記第一形態
例とは同様な作用効果を得ることができる。
例とは同様な作用効果を得ることができる。
【００２３】尚、本発明は上記実施の形態例に限られる
ものではなく、容器体１、ガス導入口部、放出口部３、
電極４・５、プラズマ発生手段７の構造や構成、セラミ
ック体９の材質等は適宜変更して設計される。
ものではなく、容器体１、ガス導入口部、放出口部３、
電極４・５、プラズマ発生手段７の構造や構成、セラミ
ック体９の材質等は適宜変更して設計される。
【００２４】
【発明の効果】本発明は上述の如く、請求項１又は５記
載の発明にあっては、容器体内にガス導入部を介して処
理用ガスが導入され、プラズマ発生手段により容器体の
内外に対向配置された一対の電極間に電界を印加して容
器体内にプラズマを発生させ、この容器体内に発生した
プラズマは放出口部より容器体の外に放出され、この容
器体内から放出されるプラズマにより基板の表面はプラ
ズマ表面処理されることになり、この際、上記ガス導入
部からの処理用ガスがセラミック体を介して上記容器体
内に導入されることになり、セラミック体の多孔質性に
より処理用ガスを分散して拡散導入することができ、そ
れだけ、容器体内の処理用ガスの均一化を図ることがで
き、処理用ガスの均一化により容器体内に発生するプラ
ズマのプラズマ密度の均一化を図ることができ、基板表
面の処理むらを抑制して処理品質を高めることができる
と共に処理速度を高めて作業性を向上することができ
る。
載の発明にあっては、容器体内にガス導入部を介して処
理用ガスが導入され、プラズマ発生手段により容器体の
内外に対向配置された一対の電極間に電界を印加して容
器体内にプラズマを発生させ、この容器体内に発生した
プラズマは放出口部より容器体の外に放出され、この容
器体内から放出されるプラズマにより基板の表面はプラ
ズマ表面処理されることになり、この際、上記ガス導入
部からの処理用ガスがセラミック体を介して上記容器体
内に導入されることになり、セラミック体の多孔質性に
より処理用ガスを分散して拡散導入することができ、そ
れだけ、容器体内の処理用ガスの均一化を図ることがで
き、処理用ガスの均一化により容器体内に発生するプラ
ズマのプラズマ密度の均一化を図ることができ、基板表
面の処理むらを抑制して処理品質を高めることができる
と共に処理速度を高めて作業性を向上することができ
る。
【００２５】又、請求項２又は６記載の発明にあって
は、上記ガス導入部からの上記処理用ガスを上記容器体
内に分岐して導入可能な分岐管部を設けているから、こ
の分岐管部により処理用ガスを分岐して容器体内に導入
することができ、処理用ガスを分散して容器体内に導入
することができ、それだけ、容器体内の処理用ガスの均
一化を図ることができ、又、請求項３又は７記載の発明
にあっては、上記容器体を固定配置し、固定配置された
容器体に対して上記基板を移送させる基板移送部を設け
てなるから、基板を連続移送させて連続的に表面処理す
ることができ、処理速度を高めることができ、又、請求
項４又は８記載の発明にあっては、上記基板を定盤上に
固定配置し、この固定配置された基板に対して上記容器
体を移送させる容器移送部を設けて構成しているから、
基板を例えば定盤等の平坦面上に固定配置することがで
き、例えば基板をコロ状のロールにより支持する構造の
場合には隣り合うロールの間に基板の反りが生ずること
があり、この基板の反りにより、プラズマ表面処理のむ
らが生ずる原因となるのに比べて、基板の平坦保持性を
高めることができ、基板の表面処理品質を高めることが
できる。
は、上記ガス導入部からの上記処理用ガスを上記容器体
内に分岐して導入可能な分岐管部を設けているから、こ
の分岐管部により処理用ガスを分岐して容器体内に導入
することができ、処理用ガスを分散して容器体内に導入
することができ、それだけ、容器体内の処理用ガスの均
一化を図ることができ、又、請求項３又は７記載の発明
にあっては、上記容器体を固定配置し、固定配置された
容器体に対して上記基板を移送させる基板移送部を設け
てなるから、基板を連続移送させて連続的に表面処理す
ることができ、処理速度を高めることができ、又、請求
項４又は８記載の発明にあっては、上記基板を定盤上に
固定配置し、この固定配置された基板に対して上記容器
体を移送させる容器移送部を設けて構成しているから、
基板を例えば定盤等の平坦面上に固定配置することがで
き、例えば基板をコロ状のロールにより支持する構造の
場合には隣り合うロールの間に基板の反りが生ずること
があり、この基板の反りにより、プラズマ表面処理のむ
らが生ずる原因となるのに比べて、基板の平坦保持性を
高めることができ、基板の表面処理品質を高めることが
できる。
【００２６】以上所期の目的を充分達成することができ
る。
る。
【図１】本発明の実施の第一形態例の説明横断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施の第一形態例の説明縦断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施の第二形態例の説明横面図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施の第二形態例の説明平面図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施の第三形態例の説明横面図であ
る。
る。
Ｗ 基板
Ｇ 処理用ガス
Ｐ プラズマ
１ 容器体
２ ガス導入部
３ 放出口部
４ 電極
５ 電極
７ プラズマ発生手段
９ セラミック体
１０ 分岐管部
１１ 基板移送部
１３ 容器移送部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA21 HA01
2H090 JB02 JB04 JC09 JC19
4D075 BB44Y BB45Y BB49Y BB54Y
CA35 CA36 CA37 DA06 DB13
DC24 EA45
5F004 AA14 BA03 BB17 BB28 DA23
DA26 DB13 DB26 EB02
Claims (8)
- 【請求項１】 容器体内にガス導入部を介して処理用ガ
スを導入し、該容器体の内外に対向配置された一対の電
極間に電界を印加することにより該容器体内にプラズマ
を発生させ、該容器体内に発生したプラズマを放出口部
より容器体の外に放出し、該容器体内から放出されるプ
ラズマにより基板の表面を処理するに際し、上記ガス導
入部からの処理用ガスをセラミック体を介して上記容器
体内に導入することを特徴とする基板表面処理方法。 - 【請求項２】 上記ガス導入部からの上記処理用ガスを
分岐管部を介して上記容器体内に分岐して導入すること
を特徴とする請求項１記載の基板表面処理方法。 - 【請求項３】 上記容器体を固定配置し、該固定配置さ
れた上記容器体に対して上記基板を移送することを特徴
とする請求項１又は２記載の基板表面処理方法。 - 【請求項４】 上記基板を固定配置し、該固定配置され
た基板に対して上記容器体を移送することを特徴とする
請求項１又は２記載の基板表面処理方法。 - 【請求項５】 ガス導入部を介して処理用ガスが導入さ
れる容器体と、該容器体の内外に対向配置された一対の
電極と、該一対の電極間に電界を印加することにより該
容器体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
該容器体内に発生したプラズマを該容器体の外に配置さ
れている処理すべき基板の表面に放出可能な放出口部と
を備えてなり、上記ガス導入部から上記容器体内に導入
される上記処理用ガスが通過するセラミック体を具備し
てなることを特徴とする基板表面処理装置。 - 【請求項６】 上記ガス導入部からの上記処理用ガスを
上記容器体内に分岐して導入可能な分岐管部を設けてな
ることを特徴とする請求項５記載の基板表面処理装置。 - 【請求項７】 上記容器体を固定配置し、固定配置され
た容器体に対して上記基板を移送させる基板移送部を設
けてなることを特徴とする請求項５又は６記載の基板表
面処理装置。 - 【請求項８】 上記基板を固定配置し、該固定配置され
た基板に対して上記容器体を移送させる容器移送部を設
けてなることを特徴とする請求項５又は６記載の基板表
面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001390316A JP2003197606A (ja) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | 基板表面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001390316A JP2003197606A (ja) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | 基板表面処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197606A true JP2003197606A (ja) | 2003-07-11 |
Family
ID=27598282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001390316A Pending JP2003197606A (ja) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | 基板表面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003197606A (ja) |
-
2001
- 2001-12-21 JP JP2001390316A patent/JP2003197606A/ja active Pending
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