JP2003026229A - キャリアテープ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エンボス穴の底面や周壁等に表面実装型の半
導体パッケージの電極が接触するのを防止することので
きるキャリアテープを提供する。 【解決手段】 テープ材２と、テープ材２の長手方向に
並設されて表面実装型の半導体パッケージ４を収納する
複数のエンボス穴７とを備える。各エンボス穴７の底部
に複数の上げ底９を突出形成し、各上げ底９に半導体パ
ッケージ４の非電極領域５を搭載支持させて半導体パッ
ケージ４の複数の半田ボール６とエンボス穴７の底面と
を離隔させるようにする。そして、エンボス穴７の前後
左右の周壁１０を形成する全対向壁１１を開口側から底
部方向に向けて狭まるよう傾斜させ、各対向壁１１に傾
いた場合の半導体パッケージ４の底面周縁部を接触支持
させる。
導体パッケージの電極が接触するのを防止することので
きるキャリアテープを提供する。 【解決手段】 テープ材２と、テープ材２の長手方向に
並設されて表面実装型の半導体パッケージ４を収納する
複数のエンボス穴７とを備える。各エンボス穴７の底部
に複数の上げ底９を突出形成し、各上げ底９に半導体パ
ッケージ４の非電極領域５を搭載支持させて半導体パッ
ケージ４の複数の半田ボール６とエンボス穴７の底面と
を離隔させるようにする。そして、エンボス穴７の前後
左右の周壁１０を形成する全対向壁１１を開口側から底
部方向に向けて狭まるよう傾斜させ、各対向壁１１に傾
いた場合の半導体パッケージ４の底面周縁部を接触支持
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度の電極をパ
ッケージの底面に備えたエリアアレイタイプの半導体パ
ッケージを収納して保管や搬送等に使用されるキャリア
テープに関するものである。
ッケージの底面に備えたエリアアレイタイプの半導体パ
ッケージを収納して保管や搬送等に使用されるキャリア
テープに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のキャリアテープは、図８ないし図
１１に示すように、テープ材２と、このテープ材２に並
設されて表面実装型の半導体パッケージ４を収納する複
数のエンボス穴７とを備え、各エンボス穴７の途中まで
半導体パッケージ４を嵌合し、この半導体パッケージ４
の電極を保護するようにしている。
１１に示すように、テープ材２と、このテープ材２に並
設されて表面実装型の半導体パッケージ４を収納する複
数のエンボス穴７とを備え、各エンボス穴７の途中まで
半導体パッケージ４を嵌合し、この半導体パッケージ４
の電極を保護するようにしている。
【０００３】半導体パッケージ４としては、図９ないし
図１１に示すＢＧＡタイプやＬＧＡタイプがあげられ
る。ＢＧＡタイプの半導体パッケージ４は、その底面に
非電極領域５が区画形成され、底面の非中央部には、電
極として機能する複数の半田ボール６がＸＹ方向に並設
されており、この複数の半田ボール６が非電極領域５を
包囲している(図１１参照)。これに対し、図示しないＬ
ＧＡタイプの半導体パッケージ４は、基本的にはＢＧＡ
タイプと同様であるが、底面の非中央部に、電極として
機能する複数のランドがＸＹ方向に並設され、この複数
のランドが非電極領域５を包囲している。
図１１に示すＢＧＡタイプやＬＧＡタイプがあげられ
る。ＢＧＡタイプの半導体パッケージ４は、その底面に
非電極領域５が区画形成され、底面の非中央部には、電
極として機能する複数の半田ボール６がＸＹ方向に並設
されており、この複数の半田ボール６が非電極領域５を
包囲している(図１１参照)。これに対し、図示しないＬ
ＧＡタイプの半導体パッケージ４は、基本的にはＢＧＡ
タイプと同様であるが、底面の非中央部に、電極として
機能する複数のランドがＸＹ方向に並設され、この複数
のランドが非電極領域５を包囲している。
【０００４】各エンボス穴７は、図８ないし図１０に示
すように、基本的には断面略Ｕ字形に形成されている。
このエンボス穴７は、その前後左右の周壁１０が開口側
から底部方向に向けて狭まるよう所定の角度で直線的に
傾斜したり、あるいは二段に傾斜形成され、周壁１０に
半導体パッケージ４の底面周縁部付近が支持される。こ
のような構成のキャリアテープは、傾斜した周壁１０を
利用して各エンボス穴７の底面と半導体パッケージ４の
各半田ボール６との間に隙間を形成し、エンボス穴７の
底面や周壁１０に対する各半田ボール６の接触を防止し
てこれを有効に保護する(この点に関し、特開平１１‐
１１５９６３号公報参照)。
すように、基本的には断面略Ｕ字形に形成されている。
このエンボス穴７は、その前後左右の周壁１０が開口側
から底部方向に向けて狭まるよう所定の角度で直線的に
傾斜したり、あるいは二段に傾斜形成され、周壁１０に
半導体パッケージ４の底面周縁部付近が支持される。こ
のような構成のキャリアテープは、傾斜した周壁１０を
利用して各エンボス穴７の底面と半導体パッケージ４の
各半田ボール６との間に隙間を形成し、エンボス穴７の
底面や周壁１０に対する各半田ボール６の接触を防止し
てこれを有効に保護する(この点に関し、特開平１１‐
１１５９６３号公報参照)。
【０００５】なお、半導体パッケージ４の半田ボール６
の接触を防止し、これを保護する方法は、上記方法にな
んら限定されるものではない。例えば、エンボス穴７の
底面に半導体パッケージ４を支持する棚を形成する方法
(特開平８‐１１９３０号公報参照)、エンボス穴７の底
面に、複数の半田ボール６間に位置する微小な突起を突
設し、この微小な突起に半導体パッケージ４を支持させ
ることにより、エンボス穴７の底面に対する半田ボール
６の接触防止を図る方法(特開２０００‐１９１０３６
号公報参照)が知られている。
の接触を防止し、これを保護する方法は、上記方法にな
んら限定されるものではない。例えば、エンボス穴７の
底面に半導体パッケージ４を支持する棚を形成する方法
(特開平８‐１１９３０号公報参照)、エンボス穴７の底
面に、複数の半田ボール６間に位置する微小な突起を突
設し、この微小な突起に半導体パッケージ４を支持させ
ることにより、エンボス穴７の底面に対する半田ボール
６の接触防止を図る方法(特開２０００‐１９１０３６
号公報参照)が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のキャリアテープ
は、以上のように構成されているが、最近の技術動向に
鑑みると以下のような問題がある。これを具体的に説明
すると、半導体パッケージ４は、最近の高密度実装に伴
い複数の半田ボール６間のピッチが狭くなり、しかも、
半田ボール６の配列領域が半導体パッケージ４の底面周
縁部付近まで拡大してきている(図１１参照)。このた
め、エンボス穴７の周壁１０に各半田ボール６が接触す
るのを防止するには、周壁１０の傾斜角度を小さくしな
ければならないが、そうすると、各エンボス穴７の底面
まで半導体パッケージ４が嵌合し、各半田ボール６を保
護することができなくなる。
は、以上のように構成されているが、最近の技術動向に
鑑みると以下のような問題がある。これを具体的に説明
すると、半導体パッケージ４は、最近の高密度実装に伴
い複数の半田ボール６間のピッチが狭くなり、しかも、
半田ボール６の配列領域が半導体パッケージ４の底面周
縁部付近まで拡大してきている(図１１参照)。このた
め、エンボス穴７の周壁１０に各半田ボール６が接触す
るのを防止するには、周壁１０の傾斜角度を小さくしな
ければならないが、そうすると、各エンボス穴７の底面
まで半導体パッケージ４が嵌合し、各半田ボール６を保
護することができなくなる。
【０００７】また、エンボス穴７の底面に棚を形成する
方法の場合、半導体パッケージ４を搭載することができ
るものの、半導体パッケージ４の姿勢が安定しないの
で、エンボス穴７の底面に傾いた半導体パッケージ４の
半田ボール６が接触し、損傷するという問題が生じる。
さらに、エンボス穴７の底面に微小の突起を突設する方
法の場合、半田ボール６間のピッチの狭小化に伴い、突
起を細くして各半田ボール６に接触しないようにしなけ
ればならないが、小さく細い突起の成形は実に困難であ
る。
方法の場合、半導体パッケージ４を搭載することができ
るものの、半導体パッケージ４の姿勢が安定しないの
で、エンボス穴７の底面に傾いた半導体パッケージ４の
半田ボール６が接触し、損傷するという問題が生じる。
さらに、エンボス穴７の底面に微小の突起を突設する方
法の場合、半田ボール６間のピッチの狭小化に伴い、突
起を細くして各半田ボール６に接触しないようにしなけ
ればならないが、小さく細い突起の成形は実に困難であ
る。
【０００８】本発明は、上記に鑑みなされたもので、エ
ンボス穴の底面や周壁等に表面実装型の半導体パッケー
ジの電極が接触するのを防止することのできるキャリア
テープを提供することを目的としている。
ンボス穴の底面や周壁等に表面実装型の半導体パッケー
ジの電極が接触するのを防止することのできるキャリア
テープを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明にお
いては、上記課題を達成するため、非電極領域を囲む複
数の電極を底面に備えた表面実装型の半導体パッケージ
を収納するものであって、テープ材に上記半導体パッケ
ージを収納するエンボス穴を凹み形成し、このエンボス
穴の底部に上げ底を形成するとともに、この上げ底に上
記半導体パッケージの非電極領域を支持させて半導体パ
ッケージの複数の電極と該エンボス穴の底部とを離隔
(離れ隔てる、離すの意)させるようにし、該エンボス穴
の周壁を形成する少なくとも一対の対向壁を開口側から
底部方向に向けて狭まるよう傾斜させ、各対向壁に上記
半導体パッケージの底面周縁部付近を接触可能としたこ
とを特徴としている。
いては、上記課題を達成するため、非電極領域を囲む複
数の電極を底面に備えた表面実装型の半導体パッケージ
を収納するものであって、テープ材に上記半導体パッケ
ージを収納するエンボス穴を凹み形成し、このエンボス
穴の底部に上げ底を形成するとともに、この上げ底に上
記半導体パッケージの非電極領域を支持させて半導体パ
ッケージの複数の電極と該エンボス穴の底部とを離隔
(離れ隔てる、離すの意)させるようにし、該エンボス穴
の周壁を形成する少なくとも一対の対向壁を開口側から
底部方向に向けて狭まるよう傾斜させ、各対向壁に上記
半導体パッケージの底面周縁部付近を接触可能としたこ
とを特徴としている。
【００１０】なお、上記半導体パッケージの最も外側に
位置する電極とこれに近接する底面端部とのなす角度を
θ１とし、上記エンボス穴の対向壁の底部垂線に対する
角度をθ２とするとき、θ１＞θ２≧０の関係式を満た
すことが好ましい。また、上記エンボス穴の対向壁にお
ける底部側の一部をθ２の角度で傾斜させるとともに、
該対向壁における開口側の残部をθ３の角度で傾斜さ
せ、θ１＞θ３の関係とすることができる。
位置する電極とこれに近接する底面端部とのなす角度を
θ１とし、上記エンボス穴の対向壁の底部垂線に対する
角度をθ２とするとき、θ１＞θ２≧０の関係式を満た
すことが好ましい。また、上記エンボス穴の対向壁にお
ける底部側の一部をθ２の角度で傾斜させるとともに、
該対向壁における開口側の残部をθ３の角度で傾斜さ
せ、θ１＞θ３の関係とすることができる。
【００１１】ここで、特許請求の範囲における非電極領
域を囲む複数の電極を底面に備えた表面実装型の半導体
パッケージとしては、少なくとも各種のＢＧＡタイプや
ＬＧＡタイプがあげられる。この半導体パッケージの電
極には、半田ボールやランドが含まれる。また、対向壁
は、エンボス穴の周壁を形成する少なくとも一対の壁
(前後の壁、左右の壁)であれば良く、３壁でも良いし、
全周壁でも良い。
域を囲む複数の電極を底面に備えた表面実装型の半導体
パッケージとしては、少なくとも各種のＢＧＡタイプや
ＬＧＡタイプがあげられる。この半導体パッケージの電
極には、半田ボールやランドが含まれる。また、対向壁
は、エンボス穴の周壁を形成する少なくとも一対の壁
(前後の壁、左右の壁)であれば良く、３壁でも良いし、
全周壁でも良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
ましい実施形態を説明すると、本実施形態におけるキャ
リアテープは、図１ないし図５に示すように、芯材であ
るリール１に巻回される可撓性のテープ材２と、このテ
ープ材２の長手方向に所定のピッチで並設され、ＢＧＡ
タイプからなる半導体パッケージ４を隙間を介して収納
する複数のエンボス穴７と、テープ材２の表面に部分的
に接着あるいは熱融着されて複数のエンボス穴７の開口
部を被覆する薄肉のシート材(トップテープともいう)１
２とを備え、各エンボス穴７に複数の上げ底９を突出形
成し、各上げ底９に半導体パッケージ４を搭載支持させ
てその複数の半田ボール６とエンボス穴７の底面とを離
隔させるようにし、エンボス穴７の周壁１０を形成する
全対向壁１１を徐々に狭まるよう傾斜させ、各対向壁１
１に傾いた半導体パッケージ４を接触支持させるように
している。
ましい実施形態を説明すると、本実施形態におけるキャ
リアテープは、図１ないし図５に示すように、芯材であ
るリール１に巻回される可撓性のテープ材２と、このテ
ープ材２の長手方向に所定のピッチで並設され、ＢＧＡ
タイプからなる半導体パッケージ４を隙間を介して収納
する複数のエンボス穴７と、テープ材２の表面に部分的
に接着あるいは熱融着されて複数のエンボス穴７の開口
部を被覆する薄肉のシート材(トップテープともいう)１
２とを備え、各エンボス穴７に複数の上げ底９を突出形
成し、各上げ底９に半導体パッケージ４を搭載支持させ
てその複数の半田ボール６とエンボス穴７の底面とを離
隔させるようにし、エンボス穴７の周壁１０を形成する
全対向壁１１を徐々に狭まるよう傾斜させ、各対向壁１
１に傾いた半導体パッケージ４を接触支持させるように
している。
【００１３】テープ材２は、図１に示すように、所定の
材料を使用してプレス成形、真空成形、圧空成形、真空
圧空成形等の手法により厚さ０．２〜０．５ｍｍの長尺
シートに製造され、長手方向の両側部に送り用の複数の
スプロケット孔３がそれぞれ一列に並設される。このテ
ープ材２の材料としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレ
ン、アモルファスポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ＡＢＳ樹脂等があげられる。また、これらの樹脂
にカーボンを練り込んだり、樹脂シートの表面に導電コ
ーティングを施したもの、上記樹脂の１種、２種類以上
のブレンドあるいはアロイ等があげられる。
材料を使用してプレス成形、真空成形、圧空成形、真空
圧空成形等の手法により厚さ０．２〜０．５ｍｍの長尺
シートに製造され、長手方向の両側部に送り用の複数の
スプロケット孔３がそれぞれ一列に並設される。このテ
ープ材２の材料としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレ
ン、アモルファスポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ＡＢＳ樹脂等があげられる。また、これらの樹脂
にカーボンを練り込んだり、樹脂シートの表面に導電コ
ーティングを施したもの、上記樹脂の１種、２種類以上
のブレンドあるいはアロイ等があげられる。
【００１４】複数のスプロケット孔３は、本実施形態で
はテープ材２の両側部に所定のピッチでそれぞれ穿孔さ
れるが、必要に応じ、テープ材２の一側部のみに所定の
ピッチで穿孔される。この複数のスプロケット孔３は、
図２に示すように、テープ材２の両側部に穿孔される場
合には、装置との寸法誤差を吸収できるよう、テープ材
２の幅方向に長軸を向けた小判形や楕円形、円形にそれ
ぞれ形成されるが、テープ材２の一側部のみに穿孔され
る場合、貫通した円形等に形成される。
はテープ材２の両側部に所定のピッチでそれぞれ穿孔さ
れるが、必要に応じ、テープ材２の一側部のみに所定の
ピッチで穿孔される。この複数のスプロケット孔３は、
図２に示すように、テープ材２の両側部に穿孔される場
合には、装置との寸法誤差を吸収できるよう、テープ材
２の幅方向に長軸を向けた小判形や楕円形、円形にそれ
ぞれ形成されるが、テープ材２の一側部のみに穿孔され
る場合、貫通した円形等に形成される。
【００１５】半導体パッケージ４は、図１１に示すよう
に、矩形の底面中央部に平坦な非電極領域５が矩形に区
画形成され、底面の中央部以外の非中央部には、電極で
ある複数の半田ボール６がＸＹ方向に並設されており、
この複数の半田ボール６が非電極領域５を包囲してい
る。この半導体パッケージ４は、最も外側に位置する半
田ボール６の中心部からこれに近接する底面周縁部まで
の長さがａ、半田ボール６のφがｄ、半田ボール６の高
さがｂに形成される(図４参照)。半導体パッケージ４の
最も外側に位置する半田ボール６とこれに近接する底面
周縁部との接線は、半導体パッケージ４の厚さ方向の垂
線とθ１の角度を形成する。
に、矩形の底面中央部に平坦な非電極領域５が矩形に区
画形成され、底面の中央部以外の非中央部には、電極で
ある複数の半田ボール６がＸＹ方向に並設されており、
この複数の半田ボール６が非電極領域５を包囲してい
る。この半導体パッケージ４は、最も外側に位置する半
田ボール６の中心部からこれに近接する底面周縁部まで
の長さがａ、半田ボール６のφがｄ、半田ボール６の高
さがｂに形成される(図４参照)。半導体パッケージ４の
最も外側に位置する半田ボール６とこれに近接する底面
周縁部との接線は、半導体パッケージ４の厚さ方向の垂
線とθ１の角度を形成する。
【００１６】各エンボス穴７は、図２や図３に示すよう
に、基本的には平面略矩形で断面略Ｕ字形あるいはすり
鉢形に凹み形成され、底面の中心部には貫通孔８が選択
的に穿孔されており、この貫通孔８を利用して半導体パ
ッケージ４の有無が光電センサで検出されたり、収納さ
れた半導体パッケージ４がエンボス穴７から押し出して
取り出される。エンボス穴７の底面の一部は、断面略逆
すり鉢形に底上げされて平面矩形の上げ底９とされてお
り、この平坦な一対の上げ底９上に半導体パッケージ４
の非電極領域５が着脱自在に搭載支持されることによ
り、底面と半導体パッケージ４の半田ボール６とが離れ
てエンボス穴７の底面や周壁１０に対する半田ボール６
の接触が有効に防止される。この上げ底９の高さｇは、
図５に示すように、半田ボール６の高さｂよりも大きな
寸法に設定される。
に、基本的には平面略矩形で断面略Ｕ字形あるいはすり
鉢形に凹み形成され、底面の中心部には貫通孔８が選択
的に穿孔されており、この貫通孔８を利用して半導体パ
ッケージ４の有無が光電センサで検出されたり、収納さ
れた半導体パッケージ４がエンボス穴７から押し出して
取り出される。エンボス穴７の底面の一部は、断面略逆
すり鉢形に底上げされて平面矩形の上げ底９とされてお
り、この平坦な一対の上げ底９上に半導体パッケージ４
の非電極領域５が着脱自在に搭載支持されることによ
り、底面と半導体パッケージ４の半田ボール６とが離れ
てエンボス穴７の底面や周壁１０に対する半田ボール６
の接触が有効に防止される。この上げ底９の高さｇは、
図５に示すように、半田ボール６の高さｂよりも大きな
寸法に設定される。
【００１７】本実施形態では基本的には一対の上げ底９
により半導体パッケージ４が搭載されるが、半導体パッ
ケージ４の姿勢の安定性を確保するため、エンボス穴７
の前後左右の周壁１０を形成する対向壁１１が開口側か
ら底部方向に向け徐々に狭まるようそれぞれ傾斜(例え
ば１５°の傾斜角度)し、この傾斜した全対向壁１１に
傾いた半導体パッケージ４の底面周縁部が接触支持され
る。各対向壁１１の傾斜角度は以下のように決められ
る。
により半導体パッケージ４が搭載されるが、半導体パッ
ケージ４の姿勢の安定性を確保するため、エンボス穴７
の前後左右の周壁１０を形成する対向壁１１が開口側か
ら底部方向に向け徐々に狭まるようそれぞれ傾斜(例え
ば１５°の傾斜角度)し、この傾斜した全対向壁１１に
傾いた半導体パッケージ４の底面周縁部が接触支持され
る。各対向壁１１の傾斜角度は以下のように決められ
る。
【００１８】すなわち、半導体パッケージ４の最も外側
に位置する半田ボール６の中心部からこれに近接する底
面周縁部までの長さをａ、半田ボール６のφをｄ、半田
ボール６の高さをｂとし、半導体パッケージ４の最も外
側に位置する半田ボール６とこれに近接する底面周縁部
との接線が半導体パッケージ４の厚さ方向の垂線となす
角度をθ１とするとき、最外周の半田ボール６と接触し
ないエンボス穴７の対向壁１１の傾斜角度θ２は、θ１
よりも小さくなるよう設定されなくてはならない。換言
すれば、θ１、θ２は、θ１＞θ２の関係となる。
に位置する半田ボール６の中心部からこれに近接する底
面周縁部までの長さをａ、半田ボール６のφをｄ、半田
ボール６の高さをｂとし、半導体パッケージ４の最も外
側に位置する半田ボール６とこれに近接する底面周縁部
との接線が半導体パッケージ４の厚さ方向の垂線となす
角度をθ１とするとき、最外周の半田ボール６と接触し
ないエンボス穴７の対向壁１１の傾斜角度θ２は、θ１
よりも小さくなるよう設定されなくてはならない。換言
すれば、θ１、θ２は、θ１＞θ２の関係となる。
【００１９】ここで、θ１の値は次式により計算するこ
とができる。
とができる。
【数１】
【００２０】上げ底９と対向壁１１の役割は、基本的に
は上げ底９が半導体パッケージ４を搭載支持し、半導体
パッケージ４の水平性が損なわれた場合にエンボス穴７
の傾斜した対向壁１１が半導体パッケージ４の底面周縁
部に位置決め接触支持し、半導体パッケージ４の必要以
上の傾斜を規制するとともに、ピックアップを容易かつ
確実にする。したがって、エンボス穴７に半導体パッケ
ージ４が収納され、上げ底９に半導体パッケージ４が搭
載支持される場合には、エンボス穴７に半導体パッケー
ジ４が僅かな隙間を介して遊嵌されることとなる。この
僅かな隙間は、通常０よりも大きく、０．５ｍｍよりも
小さい。
は上げ底９が半導体パッケージ４を搭載支持し、半導体
パッケージ４の水平性が損なわれた場合にエンボス穴７
の傾斜した対向壁１１が半導体パッケージ４の底面周縁
部に位置決め接触支持し、半導体パッケージ４の必要以
上の傾斜を規制するとともに、ピックアップを容易かつ
確実にする。したがって、エンボス穴７に半導体パッケ
ージ４が収納され、上げ底９に半導体パッケージ４が搭
載支持される場合には、エンボス穴７に半導体パッケー
ジ４が僅かな隙間を介して遊嵌されることとなる。この
僅かな隙間は、通常０よりも大きく、０．５ｍｍよりも
小さい。
【００２１】上記構成によれば、上げ底９が半導体パッ
ケージ４を原則として搭載支持するので、例えエンボス
穴７の周壁１０の傾斜角度を小さくしても、エンボス穴
７の底面まで半導体パッケージ４が嵌合することがな
く、半田ボール６をきわめて有効に保護することができ
る。また、各対向壁１１が傾斜した半導体パッケージ４
の姿勢を補助的に安定させるので、エンボス穴７の底面
に傾いた半導体パッケージ４の半田ボール６が接触、汚
染、損傷、磨耗するという問題を有効に解消することが
できる。さらに、上記により、エンボス穴７の底面に微
小の突起を突設して半導体パッケージ４を搭載する必要
がないので、成形作業の円滑化、簡素化、容易化が大い
に期待できる。
ケージ４を原則として搭載支持するので、例えエンボス
穴７の周壁１０の傾斜角度を小さくしても、エンボス穴
７の底面まで半導体パッケージ４が嵌合することがな
く、半田ボール６をきわめて有効に保護することができ
る。また、各対向壁１１が傾斜した半導体パッケージ４
の姿勢を補助的に安定させるので、エンボス穴７の底面
に傾いた半導体パッケージ４の半田ボール６が接触、汚
染、損傷、磨耗するという問題を有効に解消することが
できる。さらに、上記により、エンボス穴７の底面に微
小の突起を突設して半導体パッケージ４を搭載する必要
がないので、成形作業の円滑化、簡素化、容易化が大い
に期待できる。
【００２２】次に、図６は本発明の第２の実施形態を示
すもので、この場合には、各エンボス穴７の対向壁１１
における下方底部側の一部をθ２の角度で傾斜させると
ともに、対向壁１１における上方開口側の残部をθ３の
角度で傾斜させ、これらの角度θ２、θ３をθ２＞θ３
の関係にするようにしている。その他の部分について
は、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
すもので、この場合には、各エンボス穴７の対向壁１１
における下方底部側の一部をθ２の角度で傾斜させると
ともに、対向壁１１における上方開口側の残部をθ３の
角度で傾斜させ、これらの角度θ２、θ３をθ２＞θ３
の関係にするようにしている。その他の部分について
は、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００２３】本実施形態においても上記実施形態と同様
の作用効果が期待でき、しかも、θ２、θ３という２つ
の角度で各対向壁１１を上下二段に連続傾斜させるの
で、１の角度で各対向壁１１を傾斜させる場合に比べ、
エンボス穴７の開口寸法を小さくすることができる。こ
れにより、エンボス穴７間のピッチを狭くして生産性を
向上させることが可能となる。
の作用効果が期待でき、しかも、θ２、θ３という２つ
の角度で各対向壁１１を上下二段に連続傾斜させるの
で、１の角度で各対向壁１１を傾斜させる場合に比べ、
エンボス穴７の開口寸法を小さくすることができる。こ
れにより、エンボス穴７間のピッチを狭くして生産性を
向上させることが可能となる。
【００２４】次に、図７は本発明の第３の実施形態を示
すもので、この場合には、各エンボス穴７の対向壁１１
における下方底部側の一部をθ２の角度で傾斜させると
ともに、対向壁１１における上方開口側の残部をθ３の
角度で外側にさらに傾斜させ、これらの角度θ２、θ３
をθ２＜θ３の関係にするようにしている。その他の部
分については、上記実施形態と同様であるので説明を省
略する。
すもので、この場合には、各エンボス穴７の対向壁１１
における下方底部側の一部をθ２の角度で傾斜させると
ともに、対向壁１１における上方開口側の残部をθ３の
角度で外側にさらに傾斜させ、これらの角度θ２、θ３
をθ２＜θ３の関係にするようにしている。その他の部
分については、上記実施形態と同様であるので説明を省
略する。
【００２５】本実施形態においても上記実施形態と同様
の作用効果が期待でき、しかも、角度θ２が小さいの
で、半導体パッケージ４の位置精度の要求が厳しい場合
にきわめて有効である。また、対向壁１１における上方
開口側を外側に広く拡開傾斜させるので、半導体パッケ
ージ４の嵌合量が少なく、半導体パッケージ４の容易な
取り出しが大いに期待できる。
の作用効果が期待でき、しかも、角度θ２が小さいの
で、半導体パッケージ４の位置精度の要求が厳しい場合
にきわめて有効である。また、対向壁１１における上方
開口側を外側に広く拡開傾斜させるので、半導体パッケ
ージ４の嵌合量が少なく、半導体パッケージ４の容易な
取り出しが大いに期待できる。
【００２６】なお、上記実施形態では貫通孔８の左右に
平面矩形の上げ底９をそれぞれ立設したが、なんらこれ
に限定されるものではない。例えば、貫通孔８の左右に
平面円形の上げ底９をそれぞれ立設しても良いし、エン
ボス穴７の底面の大部分を断面略逆すり鉢形に底上げし
て平面矩形の上げ底９とし、この上げ底９に貫通孔８を
穿孔しても良い。
平面矩形の上げ底９をそれぞれ立設したが、なんらこれ
に限定されるものではない。例えば、貫通孔８の左右に
平面円形の上げ底９をそれぞれ立設しても良いし、エン
ボス穴７の底面の大部分を断面略逆すり鉢形に底上げし
て平面矩形の上げ底９とし、この上げ底９に貫通孔８を
穿孔しても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、エンボス
穴の底面や周壁等に表面実装型の半導体パッケージの電
極が接触するのを有効に防止することができるという効
果がある。
穴の底面や周壁等に表面実装型の半導体パッケージの電
極が接触するのを有効に防止することができるという効
果がある。
【図１】本発明に係るキャリアテープの実施形態を示す
全体斜視図である。
全体斜視図である。
【図２】本発明に係るキャリアテープの実施形態を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明に係るキャリアテープの実施形態を示す
ＩＩＩ‐ＩＩＩ線断面説明図である。
ＩＩＩ‐ＩＩＩ線断面説明図である。
【図４】本発明に係るキャリアテープの実施形態におけ
るＢＧＡタイプの半導体パッケージを示す側面図であ
る。
るＢＧＡタイプの半導体パッケージを示す側面図であ
る。
【図５】本発明に係るキャリアテープの実施形態におけ
るエンボス穴を示す断面図である。
るエンボス穴を示す断面図である。
【図６】本発明に係るキャリアテープの第２の実施形態
を示す断面説明図である。
を示す断面説明図である。
【図７】本発明に係るキャリアテープの第３の実施形態
を示す断面説明図である。
を示す断面説明図である。
【図８】従来のキャリアテープを示す平面図である。
【図９】図８の断面説明図である。
【図１０】従来の他のキャリアテープを示す断面説明図
である。
である。
【図１１】ＢＧＡタイプの半導体パッケージを示す底面
図である。
図である。
１ リール
２ テープ材
４ 半導体パッケージ
５ 非電極領域
６ 半田ボール(電極)
７ エンボス穴
９ 上げ底
１０ 周壁
１１ 対向壁
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3E067 AA12 AB47 AC01 AC11 BA15A
BB14A BB16A EA04 EA06
EA29 EA32 EB27 EC08 FA01
FA09 FC01
Claims (3)
- 【請求項１】 非電極領域を囲む複数の電極を底面に備
えた表面実装型の半導体パッケージを収納するキャリア
テープであって、 テープ材に上記半導体パッケージを収納するエンボス穴
を凹み形成し、このエンボス穴の底部に上げ底を形成す
るとともに、この上げ底に上記半導体パッケージの非電
極領域を支持させて半導体パッケージの複数の電極と該
エンボス穴の底部とを離隔させるようにし、該エンボス
穴の周壁を形成する少なくとも一対の対向壁を開口側か
ら底部方向に向けて狭まるよう傾斜させ、各対向壁に上
記半導体パッケージの底面周縁部付近を接触可能とした
ことを特徴とするキャリアテープ。 - 【請求項２】 上記半導体パッケージの最も外側に位置
する電極とこれに近接する底面端部とのなす角度をθ１
とし、上記エンボス穴の対向壁の底部垂線に対する角度
をθ２とするとき、θ１＞θ２≧０の関係式を満たすよ
うにした請求項１記載のキャリアテープ。 - 【請求項３】 上記エンボス穴の対向壁における底部側
の一部をθ２の角度で傾斜させるとともに、該対向壁に
おける開口側の残部をθ３の角度で傾斜させ、θ１＞θ
３の関係とした請求項２記載のキャリアテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001219918A JP4518707B2 (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | キャリアテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001219918A JP4518707B2 (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | キャリアテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003026229A true JP2003026229A (ja) | 2003-01-29 |
| JP4518707B2 JP4518707B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=19053828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001219918A Expired - Lifetime JP4518707B2 (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | キャリアテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4518707B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096618A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Murazumi Kogyo Kk | 顕微鏡標本容器用ラック |
| US8210357B2 (en) | 2007-03-08 | 2012-07-03 | Panasonic Corporation | Taped component and method of mounting product using the same |
| JP2021017264A (ja) * | 2019-07-19 | 2021-02-15 | 信越ポリマー株式会社 | キャリアテープ本体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000033969A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | エンボスキャリアテープ |
| JP2000191036A (ja) * | 1998-12-29 | 2000-07-11 | Yayoi Kk | 部品搬送体 |
-
2001
- 2001-07-19 JP JP2001219918A patent/JP4518707B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000033969A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | エンボスキャリアテープ |
| JP2000191036A (ja) * | 1998-12-29 | 2000-07-11 | Yayoi Kk | 部品搬送体 |
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| JP2021017264A (ja) * | 2019-07-19 | 2021-02-15 | 信越ポリマー株式会社 | キャリアテープ本体 |
| JP7232146B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-03-02 | 信越ポリマー株式会社 | キャリアテープ本体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4518707B2 (ja) | 2010-08-04 |
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