JP2003021769A - 光学素子保持装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス - Google Patents

光学素子保持装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス

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JP2003021769A
JP2003021769A JP2001207533A JP2001207533A JP2003021769A JP 2003021769 A JP2003021769 A JP 2003021769A JP 2001207533 A JP2001207533 A JP 2001207533A JP 2001207533 A JP2001207533 A JP 2001207533A JP 2003021769 A JP2003021769 A JP 2003021769A
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Naoki Irie
直樹 入江
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  • Lens Barrels (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結像性能の劣化となる光学素子の自重変形に
よる収差を低減することで所望の光学的性能をもたら
し、高解像力を有する投影光学系を実現する光学素子保
持装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイスを提
供する。 【解決手段】 光学素子の円周方向に設けられた第1の
支持部を介し前記光学素子を保持する保持部材と、前記
光学素子の円周方向に前記光学素子の自重変形を打ち消
すように前記保持部材を支持する第2の支持部とを有す
る光学素子保持装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、レンズ
を搭載する精密機械、露光装置等の投影光学系に関し、
特に、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD
等)または薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラ
フィ工程に使用される露光装置において、マスク及びレ
チクル(なお、本出願ではこれらの用語を交換可能に使
用する)の像を被処理体に投影露光する際、より正確な
結像関係を得るためのレンズの保持方法に関する。
【0002】
【従来の技術】フォトリソグラフィ技術を用いてデバイ
スを製造する際に、マスクに描画された回路パターンを
投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを
転写する投影露光装置が従来から使用されている。投影
光学系は回路パターンからの回折光をウェハの上に干渉
させて結像させる。
【0003】近年の電子機器の小型及び薄型化への要請
を実現するためは、電子機器に搭載されるデバイスを高
集積化する必要があり、転写される回路パターンの微細
化、即ち、高解像度化がますます要求されている。高解
像力を得るためには、光源の波長を短くすること、及
び、投影光学系の開口数(NA)を上げることが有効で
あり、同時に投影光学系の収差を極めて小さく抑えなく
てはならない。
【0004】投影光学系を構成するレンズ、ミラーなど
の光学素子に変形が生じると、変形前後で光路が屈折
し、一点に結像するべき光線が一点に収束せずに収差を
生じる。収差は位置ずれを招いてウェハ上の回路パター
ンの短絡を招く。一方、短絡を防止するためにパターン
寸法を広くすれば微細化の要求に反する。従って、収差
が小さい投影光学系を実現するためには、投影光学系を
構成する光学素子の形状を変化させることなく投影光学
系内に保持して、光学素子が有する本来の光学的性能を
最大限に引き出す必要がある。特に、近年の投影光学系
の高NA化により、投影レンズは大口径化しているので
レンズ容積も大きくなり、自重による変形が発生しやす
くなっている。また、最近盛んに研究が進められている
回折光学素子も、その特徴の一つである薄さのために形
状が変化しやすくなっている。
【0005】そこで、光学素子の円周方向に沿って3箇
所にほぼ等間隔で光学素子支持部を設け、かかる支持部
に支持された光学素子の円縁部を重力に抗して押し上げ
るように弾性部材を用いて支持することによって、光学
素子の変形を低減させる方法が、例えば、公開特許公報
平成11年149029号に提案されている。
【0006】また、光学素子の光通過面が光軸を含む面
に関して対称に変形するように、光学素子を支持する支
持部を配置することで光学素子がどのように変形するか
を推定し、変形による光学的性能の変動を複数の光学素
子を組み合わせることで互いに補正させ、投影光学系全
体として収差を低減させる方法が、例えば、公開特許公
報2000年9980号に提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、公開特許公報
平成11年149029号は、投影光学系の高NA化に
よる光学素子の自重の増加によって弾性部材の効力が出
ず、光学素子の自重変形を発生させてしまう。従って、
投影光学系の収差を十分に低減させることができず、高
解像力を提供することができない。また、公開特許公報
平成11年149029号は、光学素子に力を直接作用
させる構成であるため、光学素子支持部及びかかる支持
部に支持された光学素子の円縁部を重力に抗して押し上
げるように支持する支持部の各3箇所を含む平面同士の
相対精度を高精度に管理する必要があり製造工程が困難
になってしまう。
【0008】一方、公開特許公報2000年9980号
は、光学素子単体の変形を抑えるのではなく、変形によ
る光学的性能の変動を光学素子の組み合わせによって補
正しているため複数枚の光学素子が必要であり、装置の
大型化及びコスト向上を招く。また、変形によって投影
光学系の光学的性能に多大な影響を及ぼす光学素子を他
の光学素子で補正するのは困難であり、補正しきれない
場合もある。そのため、微細化の要求に答える高解像力
を達成する収差の少ない投影光学系を提供するには至っ
ていない。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、結像
性能の劣化となる光学素子の自重変形による収差を低減
することで所望の光学性能をもたらし、高解像力を有す
る投影光学系を実現する光学素子保持装置、露光装置、
デバイス製造方法及びデバイスを提供することを例示的
目的とする。
【0010】上記目的を達成するために、本発明の一側
面としての光学素子保持装置は、光学素子の円周方向に
設けられた第1の支持部を介し前記光学素子を保持する
保持部材と、前記光学素子の円周方向に前記光学素子の
自重変形を打ち消すように前記保持部材を支持する第2
の支持部とを有する。かかる光学素子保持装置は、第1
の支持部で光学素子を支持することで光学素子の自重変
形が発生する場所を限定し、第2の支持部で保持部材を
支持することによって光学素子を自重変形と逆の方向に
変形させることができる。従って、光学素子の自重変形
を打ち消すことができ、結果的にフラットな状態で光学
素子が保持されるため収差を低減することが可能とな
る。前記第1の支持部と前記第2の支持部は前記光学素
子の円周方向において交互に等間隔となるように配置さ
れる。これにより、第1の支持部によって生じる光学素
子の自重変形を第2の支持部によって生じる自重変形と
逆の変形によって確実に打ち消しあうことが可能とな
る。前記第1の支持部の角度ピッチは120°である。
これにより、光学素子の自重変形が生じる場所を、例え
ば、シミュレーションによってより正確に求めることが
できる。前記第1の支持部の角度ピッチは180°であ
る。これにより、第1及び第2の支持部を配置する数を
少なくすることができ、構成を簡易にすることが可能と
なる。前記第2の支持部は前記保持部材と一体に形成さ
れてもよい。前記保持部材は前記光学素子の外周部とを
弾力性を有しながら接合する接合部を更に有する。これ
により、第2の支持部による保持部材の変形を光学素子
に反映することができる。前記接合部は前記光学素子の
円周方向に断続的に設けられる。これにより、光学素子
の外周全面を接合するよりも簡易に光学素子と保持部材
とを接合することができる。
【0011】本発明の別の側面としての露光装置は、上
述の光学素子保持装置を備え、当該光学素子保持部材に
保持された光学素子を介してパターンの形成されたマス
ク又はレチクルに形成されたパターンを被処理体に露光
する投影光学系を有する。かかる露光装置は、光学素子
の自重変形が低減した収差の少ない投影光学系を使用し
て高解像度な露光を行うことができる。
【0012】本発明の更に別の側面としてのデバイス製
造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を投影露光
するステップと、前記投影露光された前記被処理体に所
定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露光装
置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求
項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその
効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、例えば、LSI
やVLSIなどの半導体チップ、CCD、LCD、磁気
センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【0013】本発明の更なる目的又はその他の特徴は、
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、露光装置100の投影光
学系130に適用される本発明の光学素子保持装置1を
示す概略平面図であり、図2は、光学素子保持装置1を
示す概略斜視図である。重力は、光軸方向と一致し、図
面下向き方向である。図1及び図2によく示されるよう
に、光学素子保持装置1(以下、単に、保持装置1と省
略する)は、鏡筒132内部に嵌合され、保持部材21
0を介して光学素子200を保持する。
【0015】光学素子200は、後述する保持部材21
0に搭載され、反射、屈折及び回折等を利用して光を結
像させる。光学素子200は、保持部材210の第1の
支持部212で支持され、その円周に亘って接合部21
6を介して保持部材210と接合している。光学素子2
00は、例えば、レンズ、平行平板ガラス、プリズム、
ミラー及びフレネルゾーンプレート、キノフォーム、バ
イナリオプティックス、ホログラム等の回折光学素子を
含む。エキシマレーザーを使用する露光装置に使用可能
なレンズの材料は、例えば、合成石英ガラスやフッ化カ
ルシウム(蛍石)である。
【0016】保持部材210は、投影光学系130の鏡
筒132に固定され、3点において光学素子200を支
持する第1の支持部212と、3点において保持部材2
10を支持する第2の支持部214と、光学素子200
の円周に亘って保持部材210と接合する接合部216
とを有し、光学素子200を支持する。保持部材210
は、光軸を中心とする円環状板部材であり、例えば、真
鍮などの銅合金、ステンレス鋼、鉄、低熱膨張金属であ
るインバ、炭素鋼などの金属、セラミック等を材料とす
る。
【0017】第1の支持部212は、光軸を中心として
120°ピッチで保持部材210の内側面210aの3
箇所に配置され光学素子200を支持する。このよう
に、第1の支持部212は、光学素子200の円周方向
に沿ってほぼ等間隔で分布しているために光学素子20
0は保持部材210上で安定する。例えば、3つの第1
の支持部212が一箇所に固まって保持部材210に形
成されれば光学素子200は保持部材210上で安定で
きず、光学素子200の自重によって撓む部位がわから
ないという問題を生じてしまう。第1の支持部212
は、約1mm角の表面積(光学素子受け面)で高さ約1
mmの突起部であり、例えば、真鍮を材料とする。
【0018】第2の支持部214は、光軸を中心として
120°ピッチで保持部材210の下面210bの3箇
所に配置され保持部材210を支持する。第2の支持部
214は、直径約6mm、高さ約5mmの円柱形状であ
る。また、第2の支持部214は、光学素子200の円
周方向に沿って第1の支持部212とほぼ等間隔で分布
するように交互に設けられている。即ち、光軸を中心と
して、第1の支持部212と第2の支持部214が交互
に60°ピッチで配置されている。第2の支持部214
は、保持部材210と同様に、例えば、真鍮などの銅合
金、ステンレス鋼、鉄、低熱膨張金属であるインバ、炭
素鋼などの金属、セラミック等を材料とする。
【0019】本実施形態では、第2の支持部214と保
持部材210とを別体構造として説明したが、一体構造
としてもよい。なお、一体構造とした場合は加工性を考
慮して、上述した円柱形上と同程度の表面積及び高さを
有する角柱形状としてもよい。
【0020】接合部216は、保持部材210の内側面
210aに配置され、光学素子200と保持部材210
を光学素子200の円周に亘って接合する。接合には、
保持部材210の変形に同期して光学素子200も変形
するように弾性力を有する接着剤、低融点金属、溶接材
等が用いられる。
【0021】第1の支持部212及び接合部216によ
って光学素子200を搭載した保持部材210は、光軸
方向に第2の支持部214で支持され、光学素子200
を位置決めする。
【0022】本実施形態による光学素子200の自重変
形の低減を図3を参照して説明する。図2は、光学素子
200の自重変形を説明するための概略断面図である。
図3(a)は、第1の支持部材212によって光学素子
200を支持した際の光学素子200の状態、図3
(b)は、第2の支持部材214によって保持部材21
0を支持した際の保持部材210の状態、図3(c)
は、本発明の保持装置1を適用した際の光学素子200
の状態を示している。なお、図3において、レンズの撓
みのない状態をフラットな平面で示しており、実際のレ
ンズ形状を示したものではないことに理解されたい。
【0023】光学素子200は、光学素子200の円周
方向に沿ってほぼ等間隔で配置された3箇所の第1の支
持部212で支持されることにより、図3(a)に示す
ように、第1の支持部212で支持されていない部分に
おいて自重により撓んで変形する(即ち、図中−Z方向
に光学素子200が変形する)。従って、第1の支持部
212各々の中点近傍が光学素子200の自重変形の最
大変形箇所となり、光学素子200の光学的性能を落と
す原因となる。
【0024】一方、保持部材210は、光学素子200
の円周方向に沿ってほぼ等間隔で配置された3箇所の第
2の支持部214で支持されることにより、図3(b)
に示すように、第2の支持部214で支持されている部
分において突き上げにより変形する。また、光学素子2
00は、弾力性に優れた接合部216を介して保持部材
210と光学素子200の円周に亘って接合しているた
め、保持部材210の変形に従って変形する(即ち、図
中+Z方向に光学素子200が変形する)。
【0025】本実施形態の保持装置1は、第1の支持部
212と第2の支持部214が交互に光学素子200の
円周方向に沿って配置されているため、第1の支持部2
12によって光学素子200に生じる自重変形と、第2
の支持部214が保持部材210の突き上げ変形に従っ
て光学素子200に生じる変形と打ち消しあって、図3
(c)に示すように、光学素子200をフラットな状態
にすることが可能となり、自重変形を低減させ光学素子
の光学的性能の低下を防止することができる。
【0026】また、光学素子200の変形位置は、第1
の支持部212及び第2の支持部214によって限定さ
れるため、どの方向に光学素子200の変形が起こり、
光学的性能の劣化が発生するか予め知ることができる。
従って、光学素子200の収差の量と方向は、光学素子
200の面形状を面形状測定器などで測定又はコンピュ
ーターシミュレーションを行うことによって予測し、保
持装置1の寸法を決定することが好ましい。また、光学
素子の収差を予測することができれば、投影光学系13
0全体で収差が最小となるように、各光学素子を光軸回
りに回転して光学的性能の劣化を防止することができ
る。しかも、光学素子の自重変形による光学的性能の劣
化は、従来例で示した場合よりも比較にならないほど小
さいので投影光学系130全体について収差を補正すれ
ば十分となる。また、一の光学素子でも自重変形を低減
させることが可能なため、装置の小型化が可能となり、
経済性にも優れている。
【0027】R1面が321mm、R2面が817mm
の両凸の曲率半径を有する厚さ34mm程度の石英製の
光学素子200を、光軸を中心として光学素子200の
円周方向に沿ってほぼ等間隔に配置された3点で支持す
る場合、有限要素法によってシミュレーション計算をす
ると、光学素子200は50nm程度の自重変形を生じ
る。そこで、光軸を中心として内径220mm、外径2
50mm、厚さ15mmの寸法を有する真鍮製の保持部
材210を用いる。上述したように光学素子200(の
R2面)は、光学素子200の円周方向に沿って等間隔
に3箇所配置された第1の支持部212によって支持さ
れ、弾力性に優れた接着剤を用いて接合部216を介し
て保持部材210に接合される。第1の支持部212の
外径は、光軸を中心として220mm付近で高さ1mm
とする。ここで、第2の支持部214の寸法を外径6m
m、高さ5mmとし、保持部材210の外径235mm
付近を支持するように構成すると、光学素子200の自
重変形をほぼ無くし、光学素子200をフラットにする
ことができる。本発明においては、保持部材210の変
形を利用して(即ち、保持部材210を介して)光学素
子200の自重変形をほぼ無くすように変形させるた
め、保持部材210の形状寸法誤差が影響する。しか
し、シミュレーション結果より、保持部材210の形状
寸法誤差は一般公差範囲程度で実現可能であり、製造工
程が容易である。例えば、本実施例で示しているシミュ
レーション結果によって保持部材210の厚さを15m
mとしたが、16mmとしても光学素子200の変形量
の差異はほとんどない。
【0028】次に、図4及び図5を参照して、別の光学
素子保持装置2(以下、単に、保持装置2と省略する)
を説明する。図4は、本発明が適用される投影光学系1
30内の別の保持装置2を示す概略平面図であり、図5
は、保持装置2を示す概略斜視図である。重力は、光軸
方向と一致し、図面下向き方向である。図4及び図5の
保持装置2は、図1及び図2の保持装置1と同様である
が、第1の支持部212a及び第2の支持部214aの
構成が異なる。その他、図1及び図2に示すのと同一の
参照符号を付したものはその参照符号の表す部材と同一
であるものとし、重複説明は省略する。
【0029】第1の支持部212aは、光軸を中心とし
て180°ピッチで保持部材410の内側面410aの
2箇所に配置され光学素子200を支持する。即ち、第
1の支持部212aは、光軸に対して対象に配置される
ことになる。
【0030】第2の支持部214aは、光軸を中心とし
て180°ピッチで保持部材410の下面410bの2
箇所に配置され保持部材410を支持する。また、第2
の支持部214aは、光学素子200の円周方向に沿っ
て第1の支持部212aとほぼ等間隔で分布するように
交互に設けられている。即ち、光軸を中心として、第1
の支持部212aと第2の支持部214aが交互に90
°ピッチで配置されている。
【0031】従って、上述したように、光学素子200
は、2箇所の第1の支持部212aで支持されていない
部分において自重変形を生じるが、2箇所の第1の支持
部212aと等間隔で配置された第2の支持部214a
によって支持された保持部材410に従って突き上げ変
形によって打ち消し合う。これにより、光学素子200
は、フラットな状態に近づき、自重変形による光学素子
200の光学的性能の低下を防止することができる。
【0032】このように、2つの第1の支持部212a
と2つの第2の支持部214aを光学素子200の円周
方向に沿ってほぼ等間隔で交互に配置しても、図1及び
図2に示した保持装置1と同様の効果を得ることができ
る。また、保持装置1に比べて部品(第1の支持部21
2a及び第2の支持部214a等)点数、部品の加工時
間を減少させることができ、よりコストの削減が可能と
なる。
【0033】図6に、図1及び図2に示す保持装置1の
変形例を示す。図6は、本発明が適用される投影光学系
130内の図1及び図2に示した保持装置1の変形例で
ある光学素子保持装置3(以下、単に、保持装置3と省
略する)を示す概略平面図である。図6の保持装置3
は、図1及び図2の保持装置1と同様であるが、接合部
216aの構成が異なる。その他、図1及び図2に示す
のと同一の参照符号を付したものはその参照符号の表す
部材と同一であるものとし、重複説明は省略する。
【0034】接合部216aは、保持部材210の内側
面に配置され、光学素子200と保持部材210を光学
素子200の円周において断続的に接合する。同図にお
いて、接合部216aは9箇所に配置されているが、少
なくとも第2の支持部214が構成されている箇所の保
持部材210の内側面に配置すればよい。
【0035】図1に示したように、光学素子200の円
周に亘って保持部材210を接合しなくても、保持部材
210の変形に従って光学素子200は変形することが
可能である。換言すれば、保持部材210の変形が光学
素子200に忠実に反映されるように接合部216aを
配置する。
【0036】従って、接合部216aを保持部材210
の内側面に断続的に配置しても、図1及び図2に示した
保持装置1と同様の効果を得ることができる。また、接
合部材の使用量削減によるコストの低減と、接合部材か
らの脱ガス量低減を図ることができる。
【0037】以下、図7を参照して、本発明のレンズ保
持方法を適用した例示的な投影光学系130及び当該投
影光学系130を有する露光装置100について説明す
る。ここで、図7は、本発明の例示的な露光装置100
の概略断面図である。露光装置100は、図7に示すよ
うに、照明装置110と、マスク120と、投影光学系
130と、プレート140とを有する。露光装置100
は、例えば、ステップアンドリピート方式又はステップ
アンドスキャン方式でマスク120に形成された回路パ
ターンをプレート140に露光する投影露光装置であ
る。かかる投影露光装置はサブミクロンやクオーターミ
クロン以下のリソグラフィ工程に好適である。ここで、
「ステップアンドリピート方式」はウェハのショットの
一括露光ごとにウェハをステップ移動させて次のショッ
トを露光領域に移動させる露光法をいう。「ステップア
ンドスキャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的
にスキャンさせてマスクのパターンをウェハに露光する
と共に、1ショットの露光終了後ウェハをステップ移動
させて、次のショットの露光領域に移動させる露光法を
いう。
【0038】照明装置110は、転写用の回路パターン
が形成されたマスク120を照明し、光源部112と照
明光学系114を有する。
【0039】光源部112は、例えば、光源としてレー
ザーを使用する。レーザーは、波長約193nmのAr
Fエキシマレーザー、波長約248nmのKrFエキシ
マレーザー、波長約157nmのFエキシマレーザー
などを使用することができる。但し、レーザーの種類は
エキシマレーザーに限定されず、例えば、YAGレーザ
ーを使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定され
ない。光源部112にレーザーが使用される場合、レー
ザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する
光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコ
ヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用する
ことが好ましい。また、光源部112に使用可能な光源
はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水
銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能であ
る。
【0040】照明光学系114は、マスク120を照明
する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレ
ーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、
ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリ
ット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系
114は、軸上光、軸外光を問わず使用することができ
る。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや2組
のシリンドリカルレンズアレイ(又はレンチキュラーレ
ンズ)板を重ねることによって構成されるインテグレー
ター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場
合もある。開口絞りは解像度を向上させる変形照明用の
輪帯照明絞りや4重極照明絞りとして構成されてもよ
い。
【0041】マスク120は、例えば、石英製で、その
上には転写されるべき回路パターン(又は像)が形成さ
れ、図示しない第1のステージ(「レチクルステージ」
と呼ばれる場合もある)に支持及び駆動される。マスク
120から発せられた回折光は投影光学系130を通り
プレート140上に投影される。プレート140はウェ
ハや液晶基板などの被処理体でありレジストが塗布され
ている。マスク120とプレート140とは共役の関係
にある。ステップアンドスキャン方式の露光装置(「ス
キャナー」とも呼ばれる)の場合は、マスク120とプ
レート140を走査することによりマスク120のパタ
ーンをプレート140上に転写する。ステップアンドリ
ピート方式の露光装置(「ステッパー」とも呼ばれる)
の場合は、マスク120とプレート140を静止させた
状態で露光が行われる。
【0042】投影光学系130は、鏡筒132と、光学
素子200と、保持部材210と、第2の支持部214
及び/又は214aと押え環(又は板ばね)138とを
有する。保持部材210は鏡筒132に挿入され、その
上に第2の支持部214及び/又は214aを介して別
の保持部材210が鏡筒132に挿入される。投影光学
系130は、本発明の保持装置1を適用しているため、
光学素子各々の自重変形を低減させ、収差を少なく構成
することが可能である。
【0043】光学素子保持部材群は、鏡筒132に押え
環(又は板ばね)138によって所定の力で押えられ、
鏡筒132内部で光学素子保持部材群が固定される。光
学素子保持部材群は、図1及び図2、図4及び図5、図
6で示した保持装置1、2及び3から単独で構成されて
も複数を組み合わせて構成されてもよい。
【0044】プレート140は、ウェハや液晶基板など
の被処理体であり、フォトレジストが塗布されている。
フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗
布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理
とを含む。前処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性向上
剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高め
るための表面改質(即ち、界面活性剤塗布による疎水性
化)処理であり、HMDS(Hexamethyl‐d
isilazane)などの有機膜をコート又は蒸気処
理する。プリベークはベーキング(焼成)工程であるが
現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【0045】プレート140は、図示しない第2のステ
ージ(「ウェハステージ」と呼ばれる場合もある)に支
持される。第2のステージは当業界で周知のいかなる構
成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造
及び動作の説明は省略する。例えば、第2のステージは
リニアモータを利用してXY方向にプレート140を移
動する。マスク120とプレート140は、例えば、同
期して走査され、第1及び第2のステージの位置は、例
えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定
の速度比率で駆動される。第2のステージは、例えば、
ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に
設けられ、第1のステージ及び投影光学系130は、例
えば、鏡筒定盤は床等に載置されたベースフレーム上に
ダンパを介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設け
られる。
【0046】露光において、光源部112から発せられ
た光束は、照明光学系114によりマスク120を、例
えば、ケーラー照明する。マスク120を通過してマス
クパターンを反映する光は投影光学系130により投影
倍率β(例えば1/4、1/5)でプレート140に結
像される。露光装置100が使用する投影光学系130
は、本発明の光学素子保持方法を適用しているため収差
が抑えられ、優れた光学的性能で露光を行う。また、プ
レート140に転写されたマスクパターンの結果によっ
て、光学素子保持部材210及び/又は第2の支持部2
14及び/又は214aの寸法を変更して転写性能を調
整することもできる。これにより、露光装置100は、
プレート140へのパターン転写を高解像度に行って高
品位なデバイス(半導体素子、LCD素子、撮像素子
(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供すること
ができる。
【0047】露光装置100は投影光学系130を使用
したが、これに限らず本発明の光学素子保持装置を適用
して構成された屈折型投影光学系、反射屈折型投影光学
系、反射型光学系を使用しても良い。
【0048】次に、図8及び図9を参照して、上述の露
光装置100を利用したデバイスの製造方法の実施例を
説明する。図8は、デバイス(ICやLSIなどの半導
体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するための
フローチャートである。ここでは、半導体チップの製造
を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイ
スの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ス
テップ3(ウェハ製造)では、シリコンなどの材料を用
いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)
は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリ
ソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成す
る。ステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステッ
プ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボン
ディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工
程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
などの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0049】図9は、ステップ4のウェハプロセスの詳
細なフローチャートである。ステップ11(酸化)で
は、ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CV
D)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
13(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによ
って形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、
ウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処
理)では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ16
(露光)では、露光装置100によってマスクの回路パ
ターンをウェハに露光する。ステップ17(現像)で
は、露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチ
ング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが
済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステ
ップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路
パターンが形成される。
【0050】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずにその趣旨の範囲内で
様々な変形や変更が可能である。
【0051】
【発明の効果】本発明の光学装置及び光学素子保持方法
によれば、結像性能の劣化となる光学素子の自重変形に
よる収差を低減することで所望の光学的性能をもたら
し、高解像力を有する投影光学系を提供することができ
る。また、デバイス製造方法は高品位の半導体、LC
D、CCD、薄膜磁気ヘッドなどのデバイスを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 投影光学系に適用される本発明の光学素子保
持装置を示す概略平面図である。
【図2】 図1に示す光学素子保持装置の概略斜視図で
ある。
【図3】 図3(a)は、光学素子が第1の支持部に支
持された状態、図3(b)は、光学素子を搭載した光学
素子保持装置が第2に支持部に支持された状態、図3
(c)は、光学素子が第1及び第2の支持部に支持され
た状態を示す概略断面図である。
【図4】 投影光学系に適用される本発明の別の光学素
子保持装置を示す概略平面図である。
【図5】 図4に示す光学素子保持装置の概略斜視図で
ある。
【図6】 図1及び図2に示す光学素子保持装置の変形
例を示す概略平面図である。
【図7】 本発明の一側面としての露光装置の概略断面
図である。
【図8】 本発明の露光工程を有するデバイス製造方法
を説明するためのフローチャートである。
【図9】 図7に示すステップ4の詳細なフローチャー
トである。
【符号の説明】
1、2、3 光学素子保持装置 100 露光装置 130 投影光学系 200 光学素子 210、410 保持部材 212、212a 第1の支持部 214、214a 第2の支持部 216、216a 接合部

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光学素子の円周方向に設けられた第1の
    支持部を介し前記光学素子を保持する保持部材と、 前記光学素子の円周方向に前記光学素子の自重変形を打
    ち消すように前記保持部材を支持する第2の支持部とを
    有する光学素子保持装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の支持部と前記第2の支持部は
    前記光学素子の円周方向において交互に等間隔となるよ
    うに配置される請求項1記載の光学素子保持装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の支持部の角度ピッチは120
    °である請求項1記載の光学素子保持装置。
  4. 【請求項4】 前記第1の支持部の角度ピッチは180
    °である請求項1記載の光学素子保持装置。
  5. 【請求項5】 前記第2の支持部は前記保持部材と一体
    に形成される請求項1記載の光学素子保持装置。
  6. 【請求項6】 前記保持部材は前記光学素子の外周部と
    を弾力性を有しながら接合する接合部を更に有する請求
    項1記載の光学素子保持装置。
  7. 【請求項7】 前記接合部は前記光学素子の円周方向に
    断続的に設けられる請求項6記載の光学素子保持装置。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至7のうちいずれか一項記載
    の光学素子保持装置を備え、当該光学素子保持部材に保
    持された光学素子を介してパターンの形成されたマスク
    又はレチクルに形成されたパターンを被処理体に露光す
    る投影光学系を有する露光装置。
  9. 【請求項9】 請求項8記載の露光装置を用いて前記被
    処理体を投影露光するステップと、 前記投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行
    うステップとを有するデバイス製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項8記載の露光装置を用いて投影
    露光された前記被処理体より製造されるデバイス。
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