JP2003344741A - 補正部材、保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結像性能の劣化となる光学素子の変形及び位
置ずれによる収差を低減することで所望の光学性能をも
たらす補正部材、保持装置、露光装置及びデバイス製造
方法を提供する。 【解決手段】 光学部材の自重変形を補正するための補
正部材であって、前記光学部材に対して、反重力方向の
弾性力を印加する第１ユニットと、前記第１部材と前記
光学部材を挟んで対向して配置されており、前記光学部
材に重力方向の弾性力を印加する第２ユニットとを有す
ることを特徴とする補正部材を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、光学部
材を搭載する精密機械、特に、露光装置等の投影光学系
に関し、更に詳細には、半導体素子、撮像素子（ＣＣＤ
等）又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフ
ィー工程に使用される露光装置において、原版（例え
ば、マスク及びレチクル（なお、本出願ではこれらの用
語を交換可能に使用する。））の像を被処理体（例え
ば、半導体ウエハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）用のガラス基板）に投影露光する際、より正
確な結像関係を得るための光学部材の保持装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】フォトリソグラフィー技術を用いてデバ
イスを製造する際に、マスクに描画された回路パターン
を投影光学系によってウエハ等に投影して回路パターン
を転写する投影光学装置が従来から使用されている。投
影光学系は、回路パターンからの回折光をウエハの上に
干渉させて結像させる。 【０００３】近年の電子機器の小型化及び薄型化への要
請を実現するためには、電子機器に搭載されるデバイス
を高集積化する必要があり、転写される回路パターンの
微細化、即ち、高解像度化がますます要求されている。
高解像力を得るためには、光源の波長を短くすること、
及び、投影光学系の開口数（ＮＡ）を上げることが有効
であり、同時に投影光学系の収差を極めて小さく抑えな
くてはならない。 【０００４】投影光学系を構成するレンズ、ミラーなど
の光学素子に変形が生じると、変形前後で光路が屈折
し、一点に結像するべき光線が一点に収束せずに収差を
生じる。収差は位置ずれを招いてウエハ上の回路パター
ンの短絡を招く。一方、短絡を防止するためにパターン
寸法を広くすれば微細化の要求に反する。 【０００５】従って、収差が小さい投影光学系を実現す
るためには、投影光学系を構成する光学素子の形状及び
光軸に対する位置を変化させることなく投影光学系内に
保持して、光学素子が有する本来の光学的性能を最大限
に引き出す必要がある。特に、近年の投影光学系の高Ｎ
Ａ化により、投影レンズは大口径化しているのでレンズ
容積も大きくなり、自重による変形が発生しやすくなっ
ている。また、最近盛んに研究が進められている回折光
学素子も、その特徴の一つである薄さのために形状が変
化しやすくなっている。 【０００６】そこで、図７に示すように、セル１１００
に形成された少なくとも３箇所以上（実施例では３０箇
所）のレンズ支持点１２００と、かかるレンズ支持点１
２００のレンズ１３００を挟んだ対向側からバネ１４０
０でレンズ１３００を押えて固定する保持装置１０００
が公開特許公報２００１年２８４２２６号に提案されて
いる。その際、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）のような
低破壊強度のレンズでも割れないように押圧力が設計
（計算）されている。ここで、図７は、一例としての従
来の保持装置１０００を示す分解斜視図である。 【０００７】また、図８に示すように、セル２１００の
内周の３箇所に等間隔で設けられた半径方向屈曲マウン
ト部２２００の受座にレンズを設置し、その上部より、
レンズ形状に倣って押圧可能な光軸方向以外の剛性が低
いバネ部材でレンズを固定する保持装置２０００が公開
特許公報２００１年７４９９１号に提案されている。そ
の際、屈曲マウント部２２００の間は、ソフトマウント
部２３００によりレンズの自重たわみが最小となるよう
に、且つ、レンズの位置決めを過度に拘束しないように
レンズを分散して支持している。ここで、図８は、一例
としての従来の保持装置２０００を示す概略上面透視図
である。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかし、公開特許公報
２００１年２８４２２６号は、レンズ支持点１２００の
平面度（例えば、レンズ支持点１２００の高さにばらつ
きがあれば、レンズ支持点１２００を３０箇所以上設け
ても、実際にはその内の３箇所で支持していることにな
る）及びレンズの変形に関して考慮されておらず、単に
レンズを割らずに光軸に対して垂直方向にずれない（即
ち、横ずれを生じない）レンズの固定に目的が集中して
いる。従って、レンズの変形の観点から、収差が小さい
投影光学系を実現することが困難である。 【０００９】また、公開特許公報２００１年７４９９１
号は、レンズの変形（歪み）に関しては繊細な構成であ
るが、レンズの横ずれを防止するための押圧力を得るた
めには３箇所の屈曲マウント部２２００のバネ部材から
レンズに加わる荷重が大きくなる。従って、複屈折及び
レンズ割れの観点から、実現することが困難である。 【００１０】そこで、本発明は、結像性能の劣化となる
光学素子の変形及び位置ずれによる収差を低減すること
で所望の光学性能をもたらす補正部材、保持装置、露光
装置及びデバイス製造方法を提供することを例示的目的
とする。 【００１１】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一側面としての補正部材は、光学部材の自
重変形を補正するための補正部材であって、前記光学部
材に対して、反重力方向の弾性力を印加する第１ユニッ
ト（第１のバネ部）と、前記第１部材と前記光学部材を
挟んで対向して配置されており、前記光学部材に重力方
向の弾性力を印加する第２ユニット（第２のバネ部）と
を有することを特徴としている。ここで、光学部材の光
軸が重力方向及び反重力方向と垂直でない場合が好まし
い。特に、前記光学部材の光軸が前記重力方向及び前記
反重力方向と平行であれば尚好ましい。 【００１２】本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下
添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって
明らかにされるであろう。 【００１３】 【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の例示的な保持装置１００及び露光装置２００につい
て説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定す
るものではなく、本発明の目的が達成される範囲におい
て、各構成要素が代替的に置換されてもよい。例えば、
本実施形態では、保持装置１００を例示的に露光装置２
００の投影光学系２３０に適用しているが、露光装置２
００の照明光学系２１４、その他周知のいかなる光学系
に適用してもよい。ここで、図１は、露光装置２００の
投影光学系２３０に適用される本発明の保持装置１００
を示す概略断面斜視図である。重力方向（反重力方向）
は、光学部材１１０の光軸方向と一致し、図面矢印方向
である。重力方向（反重力方向）と光学部材の光軸方向
とが一致した場合が、光学部材の自重変形が大きくな
り、光学性能に大きな影響を与える場合が多いので、本
実施形態においては、重力方向と光学部材の光軸方向と
が一致する場合に対して本発明を適用した。但し、図１
は、断面図であるために、支持部１３０は２箇所しか図
示されていないが、実際には３箇所あることを理解され
たい。 【００１４】図１によく示されるように、保持装置１０
０は、セル部材１２０と、支持部１３０と、それと対向
する押圧部材１４０と、第１のバネ部１５０と、それと
対向する第２のバネ部１６０とを有し、光学部材１１０
を保持する。ここで、押圧部材１４０は、実際に光学部
材１１０に接触していなくても構わない。光学部材１１
０の光軸方向の位置決め公差と同じ長さの分だけ、光学
部材１１０と押圧部材１４０との間に間隔を持たせるよ
うに構成しても構わない。ここでは、光学部材１１０と
押圧部材１４０との間隔は０.１μｍ以内としている。 【００１５】光学部材１１０は、後述する支持部１３０
に載置され、反射、屈折及び回折等を利用して光を結像
させる。光学部材１１０は、例えば、レンズ、平行平板
ガラス、プリズム、ミラー及びフレンネルゾーンプレー
ト、キノフォーム、バイナリオプティックス、ホログラ
ム等の回折光学素子を含む。 【００１６】セル部材１２０は、３点において光学部材
１１０を支持する支持部１３０と、後述する第１のバネ
部１５０を載置する。セル部材は、光軸を中心とするリ
ング状部材であり、例えば、実質的に光学部材１１０の
線膨張率と等しい線膨張率を有する材料から構成され
る。このように構成すれば、温度環境変動時に、線膨張
率の違いから生じる光学部材とセルの相対変位により、
光学部材が支持部とバネ部を介して外力を受けて変形し
たり、ストレスがかかったりすることを防止することが
できる。 【００１７】図２には、図１に示す支持部１３０及び押
圧部材１４０の拡大模式図を示している。支持部１３０
は、図２に示すように、光学部材１１０を載置するため
の載置面１３２を有し、３点において光学部材１１０を
支持する。即ち、支持部１３０は、光軸を中心としてほ
ぼ等間隔でセル部材１２０の３箇所に配置されている。
このように、支持部１３０は光学部材１１０の円周方向
に沿ってほぼ等間隔で分布しているために、光学部材１
１０は支持部１３０上で安定する。支持部１３０の載置
面１３２には、例えば、球状の吸収部材１３２ａが形成
されており、光学部材１１０に損傷を与えることなく、
接触面積を最小にして（即ち、一点において）光学部材
１１０を載置する。ここで、図２は、図１に示す支持部
１３０及び押圧部材１４０の拡大模式図である。また、
支持部１３０は、ピンＰ２を介してセル部材１２０に接
合されている。 【００１８】押圧部材１４０は、光学部材１１０に関し
て支持部１３０と対向する側に設けられている。押圧部
材１４０は、光学部材１１０を押圧することによって支
持部１３０と共に光学部材１１０の光軸方向（縦方向）
の位置を固定する。詳細には、押圧部材１４０を例え
ば、図２に示すように、スペーサーＳ１及びピンＰ１を
介して支持部１３０に接合することにより、押圧部材１
４０の押圧面１４２を介して光学部材１１０に押圧力が
印加され、支持部１３０と押圧部材１４０によって光学
部材１１０を挟み込んで固定する。押圧部材１４０の押
圧面１４２は、光学部材１１０に損傷を与えないように
弾性部材や光学部材１１０の有する曲率によって形成さ
れる。 【００１９】図１に戻って、第１のバネ部１５０は、３
つの支持部１３０の間に設けられ、セル部材１２０に載
置されている。第２のバネ部１６０は、光学部材１１０
に関して第１のバネ部１５０の対向する側に設けられて
いる。 【００２０】第１のバネ部１５０及び第２のバネ部１６
０は、図３に示すように、スペーサーＳ２及びピンＰ３
を介して接合されている。第１のバネ部１５０は反重力
方向の第１の弾性力を印下面１５２を介して光学部材１
１０に印加し、第２のバネ部１６０は重力方向の、第１
の弾性力よりも小さい第２の弾性力を印加面１６２を介
して光学部材１１０に印加する。即ち、第１のバネ部１
５０が光学部材に与える力及び第２のバネ部１６０が光
学部材に与える力を合成した力により、光学部材１１０
は反重力方向に押し上げられている。但し、第１のバネ
部１５０と第２のバネ部１６０は、光学部材１１０の円
周方向において同じ位置に設ける必要はない。例えば、
光学部材１１０の円周方向において第１のバネ部１５０
の両側の位置に第２のバネ部１６０を設けてもよい。第
１のバネ部１５０及び第２のバネ部１６０の印下面１５
２及び１６２は、光学部材１１０の接触部の応力分散を
高めるために、光学部材１１０が有する曲率に沿って形
成されている。 【００２１】第１のバネ部１５０及び第２のバネ部１６
０は、光学部材１１０が光軸方向に対して垂直方向（横
方向）の位置決めに必要な力を、光学部材１１０に印加
する第１及び第２の弾性力による挟み込みによって分散
して与えている。従って、第１のバネ部１５０及び第２
のバネ部１６０は、光学部材１１０を大きく変形させた
り、割ったりすることなく光軸方向に対して垂直方向の
位置決めを行うことができる。その際、第１の弾性力及
び第２の弾性力を光学部材１１０の自重による変形を打
ち消すもしくは小さくすることができるように（第１の
弾性力を第２の弾性力よりも大きくする）設定する。 【００２２】つまり、保持装置１００は、支持部１３０
及び押圧部１４０によって主に光軸方向の位置決めを行
い、第１のバネ部１５０及び第２のバネ部１６０によっ
て主に光軸に対して垂直な方向の位置決めを行ってい
る。更に、光学部材１１０の自重変形をできる限り小さ
くするために、第１のバネ部１５０及び第２のバネ部１
６０を調整している。具体的には、第１及び第２の弾性
力の調節は、弾性係数の異なった材料で第１のバネ部１
５０及び第２のバネ部１６０を構成したり、スペーサー
Ｓ２の高さを変えたりして行う。 【００２３】従って、保持装置１００は、光学部材１１
０の質量をＭ、第１のバネ部１５０及び第２のバネ部１
６０の個数をｎ、光学部材１１０と第１のバネ部１５０
及び第２のバネ部１６０との静止摩擦係数をμ、耐横重
力仕様をＡ、耐縦重力仕様をＢ、光学部材１１０の破壊
荷重をＦ_ｍａｘとしたとき、個々のバネ部１５０が光学
部材１１０に与える第１の弾性力Ｆ_１、個々のバネ部１
６０が光学部材１１０に与える第２の弾性力Ｆ_２、押圧
部１４０による光学部材１１０への押圧力Ｆ_３を以下の
数式１を満足するように設定することにより、光学部材
１１０を大きく変形させたり割ったりすることなく光軸
方向及び光軸に対して垂直方向の位置決めを行うこと、
且つ、光学部材１１０の自重変形を最小にすることがで
き、結像性能の劣化となる光学部材１１０の変形及び位
置ずれによる収差を低減することで所望の光学性能を達
成することができる。 【００２４】また、第１のバネ部１５０、第２のバネ部
１６０及びスペーサーＳ２を含むユニットをＺ方向に駆
動する図示しない駆動ユニットを設けるように構成して
も構わない。かかる駆動ユニットを用いることにより、
光学部材１１０の変形量を調整することが可能になるた
め、自重変形を最小にする（できるだけ小さくする）だ
けでなく、積極的に光学部材１１０の形状をコントロー
ルし、光学系全体の収差を調整することも可能となる。 【００２５】また、第１のバネ部１５０のバネ定数、第
２のバネ部１６０のバネ定数及びスペーサーＳ２の高さ
が場所によって異なるように構成してもよい。勿論、連
続的にバネ部のバネ定数やスペーサーの高さを変化させ
るのが好ましいが、バネ定数とスペーサーの高さが異な
る組み合わせを複数種類準備しておき、それらを場所に
よって適切に配置するようにしても構わない。 【００２６】 【数１】 【００２７】以下、図４を参照して、本発明の保持装置
１００を適用した例示的な投影光学系２３０及び投影光
学系２３０を有する露光装置２００について説明する。
ここで、図４は、本発明の例示的な露光装置２００の概
略ブロック断面図である。露光装置２００は、図４に示
すように、回路パターンが形成されたマスク２２０を照
明する照明装置２１０と、照明されたマスクパターンか
ら生じる回折光をプレート２４０に投影する投影光学系
２３０と、プレート２４０を支持するステージ２４５と
を有する。 【００２８】露光装置２００は、例えば、ステップアン
ドスキャン方式やステップアンドリピート方式でマスク
２２０に形成された回路パターンをプレート２４０に露
光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミ
クロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程
に好適であり、以下、本実施形態ではステップアンドス
キャン方式（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説
明する。ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、
マスクに対してウエハを連続的にスキャン（走査）して
マスクパターンをウエハに露光すると共に、１ショット
の露光終了後ウエハをステップ移動して、次の露光領域
に移動する露光方法である。「ステップアンドリピート
方式」は、ウエハの一括露光ごとにウエハをステップ移
動して次のショットの露光領域に移動する露光方法であ
る。 【００２９】照明装置２１０は、転写用の回路パターン
が形成されたマスク２２０を照明し、光源部２１２と、
照明光学系２１４とを有する。 【００３０】光源部２１２は、例えば、光源としては、
波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５３ｎｍ
のＦ _２エキシマレーザーなどを使用することができる
が、光源の種類はエキシマレーザーに限定されず、例え
ば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、その光源の個
数も限定されない。また、ＥＵＶ光源等を用いても良
い。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用
すれば固体レーザー間相互のコヒーレンスはなく、コヒ
ーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さら
にスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転
的に揺動させてもよい。また、光源部２１２にレーザー
が使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望
のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレント
なレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレ
ント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部
２１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるもので
はなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなど
のランプも使用可能である。 【００３１】照明光学系２１４は、マスク２２０を照明
する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレ
ーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、
ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリ
ット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系
２１４は、軸上光、軸外光を問わずに使用することがで
きる。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２
組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラー
レンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレ
ーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される
場合もある。かかる照明光学系２１４のレンズなどの光
学素子の保持に本発明の光学素子保持装置１００を使用
することができる。 【００３２】マスク２２０は、例えば、石英製で、その
上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成さ
れ、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。
マスク２２０から発せられた回折光は、投影光学系２３
０を通りプレート２４０上に投影される。マスク２２０
とプレート２４０は、光学的に共役の関係にある。本実
施形態の露光装置２００はスキャナーであるため、マス
ク２２０とプレート２４０を縮小倍率比の速度比でスキ
ャンすることによりマスク２２０のパターンをプレート
２４０上に転写する。なお、ステップアンドリピート方
式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる。）の場合
は、マスク２２０とプレート２４０を静止させた状態で
露光が行われる。 【００３３】投影光学系２３０は、複数のレンズ素子の
みからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚
の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学
系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォー
ムなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の
光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要
な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス
材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素
子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成した
りする。 【００３４】かかる投影光学系２３０のレンズなどの光
学部材の保持に本発明の保持装置１００を使用すること
ができる。保持装置１００は、図９に示すようにセル部
材１２０に設けられた半径方向の変形を吸収することが
できるバネ部材１２２によって投影光学系２３０の鏡筒
２３２に連結されている。このような構成にすることに
よって、装置輸送時などの温度環境変動時に、線膨張率
の違いから生じる鏡筒とセルの相対変位により、セルが
鏡筒に対して偏芯するのを防止することができる。な
お、保持装置１００は、上述した構成であり、ここでの
詳細な説明は省略する。従って、投影光学系２３０は、
結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによ
る収差を低減することができ、所望の光学性能を達成す
ることができる。 【００３５】プレート２４０は、ウエハや液晶基板など
の被処理体でありフォトレジストが塗布されている。フ
ォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布
処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理と
を含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上
剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高め
るための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性
化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄ
ｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処
理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程である
が現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。 【００３６】ステージ２４５は、プレート２４０を支持
する。ステージ２４５は、当業界で周知のいかなる構成
をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及
び動作の説明は省略する。例えば、ステージ２４５は、
リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレートを移動す
ることができる。マスク２２０とプレート２４０は、例
えば、同期走査され、ステージ２４５と図示しないマス
クステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などによ
り監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ステ
ージ２４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持
されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び
投影光学系２３０は、例えば、床等に載置されたベース
フレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡
筒定盤上に設けられる。 【００３７】露光において、光源部２１２から発せられ
た光束は、照明光学系２１４によりマスク２２０を、例
えば、ケーラー照明する。マスク２２０を通過してマス
クパターンを反映する光は、投影光学系２３０によりプ
レート２４０に結像される。露光装置２００が使用する
投影光学系２３０（及び／又は照明光学系２１４）は、
本発明の保持装置１００で保持された光学素子を含ん
で、光学素子の変形及び位置ずれによる収差を抑えるこ
とができるので、高いスループットで経済性よく従来よ
りも高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像
素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供する
ことができる。 【００３８】次に、図５及び図６を参照して、上述の露
光装置２００を利用したデバイス製造方法の実施例を説
明する。図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体
チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフ
ローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を
例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイス
の回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステ
ップ３（ウエハ製造）では、シリコンなどの材料を用い
てウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）
は、前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いてリソグラ
フィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程
を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成さ
れた半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストな
どの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、それが出荷される。 【００３９】図６は、ステップ４のウエハプロセスの詳
細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
は、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着などによ
って形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、
ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処
理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６
（露光）では、露光装置２００によってマスクの回路パ
ターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）で
は、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが
済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステ
ップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路
パターンが形成される。本実施例のデバイス製造方法に
よれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することが
できる。 【００４０】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様
々な変形や変更が可能である。例えば、本発明の保持装
置は、レンズやミラーやフィルター等の様々な光学部材
を保持するために用いることができる。さらに、本発明
の保持装置をマスクやウエハを支持するために用いても
良い。 【００４１】本出願は、更に、以下の事項を開示する。 【００４２】〔実施態様１〕 光学部材の自重変形を補
正するための補正部材であって、前記光学部材に対し
て、反重力方向の弾性力を印加する第１ユニットと、前
記第１部材と前記光学部材を挟んで対向して配置されて
おり、前記光学部材に重力方向の弾性力を印加する第２
ユニットとを有することを特徴とする補正部材。 【００４３】〔実施態様２〕 光学部材を保持するため
の保持装置であって、前記光学部材を支持するための複
数の支持部と、実施態様１記載の補正部材とを有するこ
とを特徴とする保持装置。 【００４４】〔実施態様３〕 前記保持装置が前記支持
部を３つ有しており、前記３つの支持部の間それぞれ
に、前記第１部材と前記第２部材を少なくとも１つずつ
有していることを特徴とする実施態様２記載の保持装
置。 【００４５】〔実施態様４〕 光学部材を支持するため
の３つの支持部と、前記光学部材に反重力方向の第１の
弾性力を印加する第１ユニットと、前記光学部材を挟ん
で前記第１ユニットと対向する位置に配置された、前記
光学部材に重力方向の第２の弾性力を印加する第２ユニ
ットとを有していることを特徴とする保持装置。 【００４６】〔実施態様５〕 前記光学部材を挟んで前
記支持部と対向する位置に押さえ部材を有することを特
徴とする実施態様４記載の保持装置。 【００４７】〔実施態様６〕 前記第２の弾性力より
も、前記第１の弾性力の方が大きいことを特徴とする実
施態様２乃至５のうちいずれか１項記載の保持装置。 【００４８】〔実施態様７〕 前記光学部材の質量を
Ｍ、前記第１ユニット及び第２ユニットの個数をｎ、前
記光学部材と前記第１ユニット及び第２ユニットとの静
止摩擦係数をμ、耐横重力仕様をＡ、耐縦重力仕様を
Ｂ、前記光学部材の破壊荷重をＦ _ｍａｘとしたとき、前
記第１の弾性力Ｆ_１、前記第２の弾性力Ｆ_２、前記押圧
部による前記光学部材への押圧力Ｆ_３が【００４９】を満足する実施態様２乃至６のうちいずれ
か１項記載の保持装置。 【００５０】〔実施態様８〕 前記光学部材は所定の曲
率を有し、前記第１ユニット及び第２ユニットは、前記
光学部材の前記曲率に沿った前記弾性力を印加する印加
面を有する実施態様３乃至７のうちいずれか１項記載の
保持装置。 【００５１】〔実施態様９〕 実施態様２乃至８のうち
いずれか一項記載の保持装置を備え、当該保持装置に保
持された光学部材を介してマスク又はレチクルに形成さ
れたパターンを被処理体に露光する光学系を有する露光
装置。 【００５２】〔実施態様１０〕 実施態様９記載の露光
装置を用いて被処理体を露光するステップと、前記露光
された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップと
を有するデバイス製造方法。 【００５３】 【発明の効果】本発明の保持装置によれば、光学部材に
加える応力を分散することで、光学部材を破壊すること
なく必要最小限の応力で光学部材の光軸方向及び光軸に
対して垂直方向の位置決めを行うと共に、光学部材の自
重変形を最小限に抑えて光学部材を保持することができ
る。

【図面の簡単な説明】 【図１】 露光装置の投影光学系に適用される本発明の
保持装置を示す概略断面斜視図である。 【図２】 図１に示す支持部及び押圧部材の拡大模式図
である。 【図３】 図１に示す第１のバネ部及び第２のバネ部の
拡大模式図である。 【図４】 本発明の例示的な露光装置の概略ブロック断
面図である。 【図５】 本発明の露光装置を有するデバイス製造方法
を説明するためのフローチャートである。 【図６】 図５に示すステップ４のウエハプロセスの詳
細なフローチャートである。 【図７】 一例としての従来の保持装置を示す分解斜視
図である。 【図８】 一例としての従来の保持装置を示す概略上面
透視図である。 【図９】 本発明の露光装置の鏡筒内部の概略断面斜視
図である。 【符号の説明】 １００ 保持装置 １１０ 光学部材 １２０ セル部材 １２２ バネ部材 １３０ 支持部 １３２ 載置面 １４０ 押圧部 １４２ 押圧面 １５０ 第１のバネ部 １５２ 印加面 １６０ 第２のバネ部 １６２ 印加面 ２００ 露光装置 ２１０ 照明装置 ２２０ マスク ２３０ 投影光学系 ２３２ 鏡筒 ２４０ プレート ２４５ ステージ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 光学部材の自重変形を補正するための補
   正部材であって、 前記光学部材に対して、反重力方向の弾性力を印加する
   第１ユニットと、 前記第１部材と前記光学部材を挟んで対向して配置され
   ており、前記光学部材に重力方向の弾性力を印加する第
   ２ユニットとを有することを特徴とする補正部材。