JP2003017973A - 圧電共振子、フィルタ、電子通信機器、圧電共振子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ダイヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の太
さなどの形状を自由に設定可能とする。 【解決手段】表面にダイヤフラム３が形成されている基
板２に対してその裏面側から所要の貫通開口６に対応す
る形状にエッチングして当該基板裏面側に少なくとも梁
４の厚さの底部７付き有底開口８を形成する第１工程
と、前記底部に対して当該基板の裏面側からレーザを選
択照射して前記梁を形成する領域を残して前記底部を除
去することにより前記ダイヤフラム裏面側を露出させる
第２工程とを含むから、ダイヤフラム強度の補強目的に
合わせて梁の太さなどの形状を自由に設定可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振子、フィ
ルタ、電子通信機器および圧電共振子の製造方法に関す
る。この圧電共振子は、フィルタや発振子などに使用さ
れて、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、さらにそれ以上の超高周波
帯において厚み縦振動するものである。

【０００２】

【従来の技術】本発明者らは、特願２０００−３５５７
７５号で、貫通した開口を有する基板と、前記基板の表
面側から前記開口を覆う形態で前記基板の表面に形成さ
れた薄膜状のダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの表面
に設けられた共振部と、前記ダイヤフラムの裏面に設け
られた梁とを備えた圧電共振子を出願している。

【０００３】この出願に係る圧電共振子にあっては、前
記梁によりダイヤフラムが強度的に補強される。これに
より、ダイヤフラムがそれに作用する大きな応力により
変形することが無くなる。その結果、共振部における振
動特性の劣化など、を防止可能としたものである。

【０００４】そして、上記構造を有する圧電共振子の従
来の製造は次の通りである。すなわち、その表面にダイ
ヤフラム用の薄膜が形成されている基板に対して、その
裏面側から前記薄膜に至るまで異方性エッチングする。
これにより前記開口を形成する。この異方性エッチング
に際して、パターニングにより薄膜裏面側に基板の一部
が前記梁として残されるようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は、前記梁の形成を異方性エッチングにより行うから、
ダイヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の太さ形状な
どを自由に設定することが困難である。また、このこと
により圧電共振子の生産性にも劣る。

【０００６】したがって、ダイヤフラム裏面にその補強
目的の梁を有する圧電共振子に対し、レーザ加工を用い
て前記梁を形成可能とし、これによって、その生産性を
向上することを解決すべき課題としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】(１)本発明の圧電共振子
は、表裏面に貫通する開口を有する基板と、この基板の
貫通開口を覆う形態で該基板表面に形成されている薄膜
状のダイヤフラムと、このダイヤフラムの表面に設けら
れた、一対の電極間に少なくとも１層の圧電薄膜を介装
してなる共振部と、前記ダイヤフラム裏面に該ダイヤフ
ラムの機械的強度を補強する補強梁とを備え、前記ダイ
ヤフラム裏面側の梁が、レーザ加工により形成されてい
ることを特徴とする。

【０００８】本発明によると、レーザ加工により、ダイ
ヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の太さなどの形状
を自由に設定することができるので、特願２０００−３
５５７７５に比べ、生産性の高い圧電共振子構造を提供
できる。

【０００９】本発明は、好ましくは、前記基板の貫通開
口の内周を構成する内周壁が、前記ダイヤフラムに対し
てほぼ垂直に形成されている。

【００１０】この構造とした場合、基板寸法を変えず
に、ダイヤフラム面積を大きくできるから、ダイヤフラ
ム上により多くの共振部を搭載できるようになる。

【００１１】本発明は、さらに好ましくは、前記ダイヤ
フラムが、それに対しての応力集中が緩和する形態に構
成されている。

【００１２】この構造とした場合、応力集中によるダイ
ヤフラムの割れや反りなどが抑制ないしはなくなり、信
頼性に優れた圧電共振子を提供することができる。

【００１３】この応力集中緩和形態として前記ダイヤフ
ラムにおける平面視形状が円形ないしはほぼ円形あるい
は多角形に形成すると、応力集中によるダイヤフラムの
割れや反りなどが抑制ないしはなくなり、信頼性に優れ
た圧電共振子を提供することができる。

【００１４】(２)本発明のフィルタは、前記(１)の圧電
共振子の複数を備え、それらの圧電共振子における電極
同士をフィルタ回路の構成に接続してなることを特徴と
する。このフィルタによると、レーザ加工により、ダイ
ヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の形状を自由に設
定することができるので、生産性が高く信頼性に優れた
フィルタ構造を提供できる。 (３)本発明の電子通信機器は、前記(１)の圧電共振子を
備え、それらの圧電共振子を電子通信動作に使用するこ
とを特徴とする。このフィルタによると、レーザ加工に
より、ダイヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の形状
を自由に設定することができるので、生産性が高く信頼
性に優れた電子通信機器の構造を提供できる。 (４)本発明の圧電共振子の製造方法第１は、表裏面に貫
通する開口を有する基板と、この基板の前記貫通開口を
覆う形態で該基板表面に形成されている薄膜状のダイヤ
フラムと、このダイヤフラムの表面に設けられた共振部
とを有し、前記ダイヤフラム裏面に該ダイヤフラムの機
械的強度を補強する補強梁を備えた圧電共振子を製造す
る方法であって、表面にダイヤフラムが形成されている
基板に対してその裏面側から前記貫通開口に対応する形
状に加工して当該基板裏面側に少なくとも前記補強梁の
厚さの底部を備えた有底開口を形成する有底開口形成工
程と、前記有底開口における前記底部に対して当該基板
の裏面側からレーザを選択照射して前記梁を形成する領
域を残して前記底部を除去することにより前記ダイヤフ
ラム裏面側を露出させる梁形成工程と、前記ダイヤフラ
ム表面に前記共振部を形成する共振部形成工程とを含む
ことを特徴とする。

【００１５】本発明第１によると、レーザ加工により、
ダイヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の形状を自由
に設定することができるので、特願２０００−３５５７
５５に比べ、高い生産性で圧電共振子を生産できる。

【００１６】本発明の圧電共振子の製造方法第２は、表
裏面に貫通する開口を有する基板と、この基板の前記貫
通開口を覆う形態で該基板表面に形成されている薄膜状
のダイヤフラムと、このダイヤフラムの表面に設けられ
た共振部とを有し、前記ダイヤフラム裏面に該ダイヤフ
ラムの機械的強度を補強する補強梁を備えた圧電共振子
を製造する方法であって、表面にダイヤフラムが形成さ
れている基板に対してその裏面側から前記貫通開口に対
応する形状に加工して当該基板裏面側に少なくとも前記
補強梁の厚さに所要厚さを加えた厚さの底部を備えた有
底開口を形成する有底開口形成工程と、前記有底開口に
おける前記底部に対して当該基板裏面側からレーザを選
択照射して前記梁を形成する領域を残して前記所要の厚
さに前記底部を加工する底部加工工程と、前記底部を前
記梁を形成する領域を残してエッチングで除去してダイ
ヤフラム裏面側を露出させる梁形成工程と、前記ダイヤ
フラム表面に前記共振部を形成する共振部形成工程とを
含むことを特徴とする。

【００１７】本発明第２によると、レーザ加工により、
ダイヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の形状を自由
に設定することができるので、特願２０００−３５５７
７５に比べて、より高い生産性で圧電共振子を生産でき
る。

【００１８】さらに、本発明第２によると、レーザ加工
でダイヤフラム裏面がダメージを受けなくて済むから好
ましい。

【００１９】本発明第１および第２は、好ましくは、前
記有底開口形成工程における加工が、エッチング加工で
ある。

【００２０】このエッチング加工による場合、有底開口
形成工程において、バッチ処理が可能となるため、加工
時間を短縮できて好ましい。

【００２１】本発明第１および第２は、好ましくは、前
記有底開口形成工程における加工が、レーザ加工、イオ
ンミリング加工、ドリル加工から選択された１種の加工
である。

【００２２】本発明の圧電共振子の製造方法第３は、表
裏面に貫通する開口を有する基板と、この基板の前記貫
通開口を覆う形態で該基板表面に形成されている薄膜状
のダイヤフラムと、このダイヤフラムの表面に設けられ
た共振部とを有し、前記ダイヤフラム裏面に該ダイヤフ
ラムの機械的強度を補強する補強梁を備えた圧電共振子
を製造する方法であって、表面にダイヤフラムが形成さ
れている基板に対してその裏面側からレーザを選択照射
して前記補強梁の厚さの領域を残して前記貫通開口を形
成して前記ダイヤフラム裏面側を露出させる梁形成工程
と、前記ダイヤフラム表面に前記共振部を形成する共振
部形成工程とを含むことを特徴とする。

【００２３】本発明第３によると、レーザ加工により、
ダイヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の形状を自由
に設定することができるので、より複雑な形状の梁をも
つ圧電共振子を生産できる。

【００２４】本発明の圧電共振子製造方法第１〜第３
は、好ましくは、レーザ照射により前記貫通開口の内周
壁におけるテーパ部を除去する工程を含む。こうした場
合、同一のチップサイズでウェットエッチングで形成さ
れたダイヤフラム寸法に比べてダイヤフラム寸法を大き
くすることができ、また、同一のダイヤフラム寸法とす
ると、ウェットエッチングよりもチップサイズを小さく
することができる。

【００２５】本発明の圧電共振子製造方法第１〜第３
は、好ましくは、レーザ照射により前記基板の裏面側か
ら前記貫通開口における表面からの平面視形状を円形な
いしは多角形に形成する。こうした場合、応力集中がお
こりやすいダイヤフラムに対して、その応力集中を緩和
してその変形や反りのない圧電共振子を製造できて好ま
しい。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に示す
実施の形態に基づいて説明する。

【００２７】図１ないし図３は、本発明の実施形態に係
り、図１は、圧電共振子の要部断面図、図２は、圧電共
振子の平面図、図３は、図１の圧電共振子の製造方法を
示す工程図、である。

【００２８】図１および図２を参照して、本実施の形態
により製造される圧電共振子の構造を説明する。

【００２９】この圧電共振子１は、基板２と、ダイヤフ
ラム３と、補強梁４と、２つの第１、第２共振部５とを
有する。

【００３０】基板２は、例えば(１００)面のＳｉ基板な
どからなり、その表裏面を貫通した平面視形状が正方形
の貫通開口６を有する。基板２の裏面にＳｉＯ２薄膜な
どの誘電薄膜２ａが形成されている。

【００３１】ダイヤフラム３は、基板２の貫通開口６を
覆う形態で基板２表面に設けられたＳｉＯ２薄膜であ
る。

【００３２】補強梁４は、基板２と同じ材料からなり、
ダイヤフラム３裏面において前記貫通開口６に対して十
字状に横切るような形態で設けられてダイヤフラム２の
機械的強度を補強する。

【００３３】両共振部５は、共に、ダイヤフラム３表面
に設けられ、共に、上下一対の電極５ａ，５ｂ間に圧電
材料であるＺｎＯ薄膜５ｃが介装されて構成されてい
る。この場合、両電極５ａ，５ｂは、基板２上に延びて
配線電極とされる。

【００３４】図３を参照して圧電共振子１の製造方法を
説明する。 (第１工程)…ＳｉＯ２薄膜形成工程 図３(ａ)で示すように、(１００)面のＳｉからなる基板
２の表裏両面に熱酸化やスパッタやＣＶＤ法などの適宜
の成膜技術によりＳｉＯ２薄膜２ａ，２ｂを形成する。
このＳｉＯ２薄膜に代えてＳｉＮ薄膜やその他の薄膜で
もよい。 (第２工程)…貫通開口形成工程 図３(ｂ)で示すように、基板２に貫通開口６を形成する
ため、基板２裏面側のＳｉＯ２薄膜２ａを、フォトリソ
グラフィ法による開口形状にパターニングをしてからこ
のＳｉＯ２薄膜２ａをＨＦ系エッチャントでウェットエ
ッチングしたり、またはＲＩＥによりドライエッチング
したりすることにより除去して基板２の裏面側を露出さ
せる。 (第３工程) …有底開口形成工程 図３(ｃ)で示すように、基板２裏面の前記露出箇所に対
してＴＭＡＨやＫＯＨ等のエッチング液によりエッチン
グする。このときのエッチング深さを制御して補強梁の
厚さ分例えば１０〜５０μｍの基板部分７を底部とする
有底開口８が残るように基板２に対してウェットエッチ
ングする。 (第４工程) …梁形成工程 図３(ｄ)で示すように、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザやＳＨＧ
ＹＡＧレーザやＫｒＦＴエキシマレーザなどのレーザを
用いて有底開口８における底部７を照射して補強梁とな
る部位以外を除去する。こうして、基板２に表裏面を貫
通した貫通開口６が形成されかつ前記ＳｉＯ２薄膜２ｂ
において貫通開口６を覆うＳｉＯ２薄膜ｂ部分が露出さ
れてダイヤフラム３として形成される。そして、このと
き、ダイヤフラム３の裏面側に梁４が形成される。 (第５工程) …共振部形成工程 図３(ｅ)で示すように、ダイヤフラム３の表面に、両共
振部５を形成する。なお、両共振部５の形成方法は、簡
単に説明すると、下側電極５ａの電極材料をリフトオフ
蒸着で堆積させて該下側電極５ａを形成する。次いで、
下側電極５ａ上に圧電薄膜５ｃをスパッタやＣＶＤ法な
どの公知の成膜法で成膜し、次いで、その圧電薄膜５ｃ
上に上側電極５ｂの電極材料をリフトオフ蒸着で堆積さ
せて該上側電極５ｂを形成する。

【００３５】上述の製造方法の場合、第４工程を有する
から、ダイヤフラム３の裏面側に梁４の厚さに対応した
底部７付きの有底開口８に対して、レーザ照射で梁４の
周囲を加工するから、梁４の太さを容易に設定できる。
その結果、圧電共振子１の生産性を高めることができ
る。

【００３６】また、第３工程でエッチング加工、第４工
程でレーザ加工を行うが、第３工程についてもレーザ加
工する場合が考えられる。前者を実施形態加工、後者を
比較加工ということにする。

【００３７】実施形態加工と比較加工とを比較する。

【００３８】まず、基板２の厚さを３００μｍ、梁４の
厚さを３０μｍ、加工対象となる素子数を２０００個と
する。また、エッチング加工による加工速度を１μｍ／
分、レーザ加工による加工速度を１０μｍ／秒とする。

【００３９】比較加工の場合、１素子当たり３０秒の加
工時間を要する。このとき、２０００素子で６００００
秒(１０００分)となる。

【００４０】実施形態加工の場合、１素子当たり第３工
程で２７０分、第４工程で３０秒の加工時間を要する。
したがって、実施形態加工の方が長い加工時間となる。
しかしながら、実施形態加工では、第３工程を比較的小
さな加工設備で多数の素子に対してバッチ処理で加工で
きるから、素子数２０００個を加工する場合、実施形態
加工が、比較加工よりも１素子当たりの加工時間が短く
て済む。

【００４１】さらに、上述の実施形態では、貫通開口６
の内周壁６ａをダイヤフラム３に対して垂直に形成する
ことができるので、ダイヤフラム３の面積が増大し、ダ
イヤフラム３に搭載できる共振部５の数が増える。これ
は、逆に、同一サイズのダイヤフラムをウェットエッチ
ングで形成するときよりもチップサイズを小型にできる
ことにもなる。

【００４２】なお、本発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、種々な応用や変形が考えられる。 (１)上述の実施形態の場合、前記梁４が囲まれた領域に
共振部５を形成したが、その領域のすべてに共振部５を
形成するとは限らず、コンデンサやインダクタを形成す
るものでもよい。 (２)上述の実施形態の場合、図３(ｃ)の工程(有底開口
形成工程)で、ウェットエッチングであったが、これに
限定されるものではなく、ドライエッチングあるいはレ
ーザあるいはイオンミリングあるいはドリル加工であっ
てもよい。 (３)本実施の形態において、図３(ｃ)と図３(ｄ)との間
に、図４で示すような工程を含めてもよい。すなわち、
この工程は、表面にダイヤフラム３が形成されている基
板２に対してその裏面側から前記貫通開口６に対応する
形状にエッチングして当該基板２の裏面側に少なくとも
前記補強梁４の厚さに所要厚さを加えた厚さの底部７付
き有底開口８を形成する工程(有底開口形成工程)であ
る。

【００４３】そして、この工程後に図３(ｄ)の工程(底
部加工工程)で、前記底部７に対して当該基板２の裏面
側からレーザを選択照射して梁４を形成する領域を残し
て前記所要の厚さに前記底部７を加工し、そして、図３
(ｅ)の工程(梁形成工程)で前記底部７を前記梁を形成す
る領域を残してエッチングで除去してダイヤフラム３の
裏面側を露出させるとよい。

【００４４】この図４の工程を付加することで、梁４を
レーザ加工で形成するときに、ダイヤフラム３の裏面側
が直接、レーザ照射による高温下におかれずに済み、レ
ーザ照射でダイヤフラム３がダメージを受けずに済む。 (４) 上述の実施形態の場合、基板２の貫通開口６の内
周壁６ａはテーパ形状を有するが、図５で示すように、
この貫通開口６の内周壁６ａをレーザ加工でダイヤフラ
ムに対して垂直ないしはほぼ垂直に加工してもよい。こ
うすると、貫通開口６の内周壁６ａにテーパ形状が無く
なるから、同一寸法のダイヤフラム３を得るのに必要な
基板寸法をより小型にできる。 (５)上述の実施形態におけるダイヤフラム３を図６で示
すように、それに対しての応力集中が緩和する形態に構
成されるようにしてもよい。例えば、図６では、その応
力集中緩和形態が、ダイヤフラム３における平面視形状
が円形ないしはほぼ円形に形成されている。この場合、
応力集中緩和形態は、前記ダイヤフラム３における平面
視形状が多角形に形成されているものでもよい。 (６)上述の実施形態の圧電共振子は、図７(ａ)で示すよ
うなπ型ラダーフィルタ、図７(ｂ)で示すようなＴ型フ
ィルタ、図７(ｃ)で示すようなＬ型フィルタに組み込ん
で使用することができる。 (７) 上述の実施形態の圧電共振子は、携帯電話や無線
ＬＡＮやその他、あらゆる各種電子通信機器に搭載して
もよい。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイヤフラム強度の補強目的に合わせて梁の太さなどの
形状を自由に設定することができるので、エッチングと
は異なり、高い生産性で信頼性の高い圧電共振子を生産
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る圧電共振子の要部断面
図

【図２】図１の圧電共振子の平面図、

【図３】図１の圧電共振子の製造方法を示す工程図

【図４】本発明の他の実施形態に係る圧電共振子の要部
断面図

【図５】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子
の要部断面図

【図６】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子
の要部平面図

【図７】本発明の実施形態の圧電共振子を用いたフィル
タの回路図

【符号の説明】

１ 圧電共振子 ２ 基板 ３ ダイヤフラム ４ 梁 ５ 共振部 ５ａ，５ｂ 電極 ５ｃ 圧電薄膜 ６ 貫通開口 ６ａ 開口の内周壁 ７ 底部 ８ 有底開口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 唐沢 泰彦 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 小川 圭二 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 栗原 秀彦 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 久保 竜一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J108 AA07 BB07 CC04 CC11 EE03 EE04 EE07 EE13 JJ01 KK03 MM04 MM11

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表裏面に貫通する貫通開口を有する基板
   と、 この基板の貫通開口を覆う形態で該基板表面に形成され
   ている薄膜状のダイヤフラムと、 このダイヤフラムの表面に設けられた共振部と、 前記ダイヤフラム裏面に該ダイヤフラムの機械的強度を
   補強する補強梁とを備え、 前記ダイヤフラム裏面側の梁が、レーザ加工により形成
   されている、ことを特徴とする圧電共振子。
2. 【請求項２】請求項１に記載の圧電共振子において、 前記基板の貫通開口の内周を構成する内周壁が、前記ダ
   イヤフラムに対してほぼ垂直に形成されている、ことを
   特徴とする圧電共振子。
3. 【請求項３】請求項１または２に記載の圧電共振子にお
   いて、 前記ダイヤフラムが、それに対しての応力集中が緩和す
   る形態に構成されている、ことを特徴とする圧電共振
   子。
4. 【請求項４】請求項３に記載の圧電共振子において、 前記応力集中緩和形態が、前記ダイヤフラムにおける平
   面視形状が円形ないしはほぼ円形に形成されているもの
   である、ことを特徴とする圧電共振子。
5. 【請求項５】請求項３に記載の圧電共振子において、 前記応力集中緩和形態が、前記ダイヤフラムにおける平
   面視形状が多角形に形成されているものである、ことを
   特徴とする圧電共振子。
6. 【請求項６】請求項１ないし５いずれかに記載の圧電共
   振子の複数を備え、それらの圧電共振子をフィルタ回路
   の構成に接続してなる、ことを特徴とするフィルタ。
7. 【請求項７】請求項１ないし５いずれかに記載の圧電共
   振子を備え、それらの圧電共振子を電子通信動作に使用
   する、ことを特徴とする電子通信機器。
8. 【請求項８】表裏面に貫通する開口を有する基板と、こ
   の基板の前記貫通開口を覆う形態で該基板表面に形成さ
   れている薄膜状のダイヤフラムと、このダイヤフラムの
   表面に設けられた共振部とを有し、前記ダイヤフラム裏
   面に該ダイヤフラムの機械的強度を補強する補強梁を備
   えた圧電共振子を製造する方法であって、 表面にダイヤフラムが形成されている基板に対してその
   裏面側から前記貫通開口に対応する形状に加工して当該
   基板裏面側に少なくとも前記補強梁の厚さの底部を備え
   た有底開口を形成する有底開口形成工程と、 前記有底開口における前記底部に対して当該基板の裏面
   側からレーザを選択照射して前記梁を形成する領域を残
   して前記底部を除去することにより前記ダイヤフラム裏
   面側を露出させる梁形成工程と、 前記ダイヤフラム表面に前記共振部を形成する共振部形
   成工程と、 を含む、ことを特徴とする圧電共振子の製造方法。
9. 【請求項９】表裏面に貫通する開口を有する基板と、こ
   の基板の前記貫通開口を覆う形態で該基板表面に形成さ
   れている薄膜状のダイヤフラムと、このダイヤフラムの
   表面に設けられた共振部とを有し、前記ダイヤフラム裏
   面に該ダイヤフラムの機械的強度を補強する補強梁を備
   えた圧電共振子を製造する方法であって、 表面にダイヤフラムが形成されている基板に対してその
   裏面側から前記貫通開口に対応する形状に加工して当該
   基板裏面側に少なくとも前記補強梁の厚さに所要厚さを
   加えた厚さの底部を備えた有底開口を形成する有底開口
   形成工程と、 前記有底開口における前記底部に対して当該基板裏面側
   からレーザを選択照射して前記梁を形成する領域を残し
   て前記所要の厚さに前記底部を加工する底部加工工程
   と、 前記底部を前記梁を形成する領域を残してエッチングで
   除去してダイヤフラム裏面側を露出させる梁形成工程
   と、 前記ダイヤフラム表面に前記共振部を形成する共振部形
   成工程と、 を含む、ことを特徴とする圧電共振子の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項８または９に記載の圧電共振子の
    製造方法において、 前記有底開口形成工程における加工が、エッチング加工
    である、ことを特徴とする圧電共振子の製造方法。
11. 【請求項１１】請求項８または９に記載の圧電共振子の
    製造方法において、 前記有底開口形成工程における加工が、レーザ加工、イ
    オンミリング加工、ドリル加工から選択された１種の加
    工である、ことを特徴とする圧電共振子の製造方法。
12. 【請求項１２】表裏面に貫通する開口を有する基板と、
    この基板の前記貫通開口を覆う形態で該基板表面に形成
    されている薄膜状のダイヤフラムと、このダイヤフラム
    の表面に設けられた共振部とを有し、前記ダイヤフラム
    裏面に該ダイヤフラムの機械的強度を補強する補強梁を
    備えた圧電共振子を製造する方法であって、 表面にダイヤフラムが形成されている基板に対してその
    裏面側からレーザを選択照射して前記補強梁の厚さの領
    域を残して前記貫通開口を形成して前記ダイヤフラム裏
    面側を露出させる梁形成工程と、 前記ダイヤフラム表面に前記共振部を形成する共振部形
    成工程と、 を含む、ことを特徴とする圧電共振子の製造方法。
13. 【請求項１３】請求項８ないし１２いずれかに記載の圧
    電共振子の製造方法において、 レーザ照射により前記貫通開口の内周壁におけるテーパ
    部を除去するテーパ部除去工程を含む、ことを特徴とす
    る圧電共振子の製造方法。
14. 【請求項１４】請求項８ないし１３いずれかに記載の圧
    電共振子の製造方法において、 レーザ照射により前記基板の裏面側から前記貫通開口に
    おける表面からの平面視形状を円形ないしは多角形に形
    成する工程を含む、ことを特徴とする圧電共振子の製造
    方法。