JP2003017718A - 受光モジュ−ル - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐雑音特性が良好な受光モジュールを提供す
る。 【解決手段】 受光素子と、金属製の複数のリードフレ
ームとを備えた受光モジュールであって、前記リードフ
レームの１つは、前記受光素子を載置する素子固定部と
リード部と舌片部７２とを有し、前記舌片部７２は、受
光素子への光導入孔７３を有しているとともに、前記素
子固定部と該舌片部７２によって前記受光素子の5面を
覆うように折り曲げられている事を特徴とする。前記舌
片部を有するリードフレームは所定の電位に接続される
シールド板とされる。
る。 【解決手段】 受光素子と、金属製の複数のリードフレ
ームとを備えた受光モジュールであって、前記リードフ
レームの１つは、前記受光素子を載置する素子固定部と
リード部と舌片部７２とを有し、前記舌片部７２は、受
光素子への光導入孔７３を有しているとともに、前記素
子固定部と該舌片部７２によって前記受光素子の5面を
覆うように折り曲げられている事を特徴とする。前記舌
片部を有するリードフレームは所定の電位に接続される
シールド板とされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光リモコンなどに好
適な受光モジュ−ルに関する。
適な受光モジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オ−ディオ装置、空調機器、テレ
ビジョン受信器など多くの室内機器においては、赤外光
が雑音に強くまた比較的多くの情報量を短時間に伝達で
きるので、発光ダイオ−ドと受光素子を利用した光リモ
コンが使用されている。その光リモコンに用いる受光モ
ジュ−ルは例えば実開平１−１０２８３４号公報に示さ
れるように、受光素子と回路素子をプリント基板上に載
置し、シ−ルドケ−スに収納してこれを構成している。
ビジョン受信器など多くの室内機器においては、赤外光
が雑音に強くまた比較的多くの情報量を短時間に伝達で
きるので、発光ダイオ−ドと受光素子を利用した光リモ
コンが使用されている。その光リモコンに用いる受光モ
ジュ−ルは例えば実開平１−１０２８３４号公報に示さ
れるように、受光素子と回路素子をプリント基板上に載
置し、シ−ルドケ−スに収納してこれを構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の受光モ
ジュ−ルでは、受光素子と回路素子との配線が複雑なた
め両者間で雑音を拾い易い。またプリント基板を用いる
ため占有体積が大きいという欠点が有る。そこで一つの
半導体基板上に受光素子と回路素子を集積する事が試み
られるが、実用に至っていない。何故ならば受光素子の
出力が低く、応答速度が遅く、あるいは回路素子に光が
当る事により誤動作を生じ易いからである。故に本発明
は上述の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわち雑
音を拾いにくい受光モジュ−ルを提供するものである。
また、小型の受光モジュ−ルを提供するものである。ま
た、応答速度の早い受光モジュ−ルを提供するものであ
る。また、誤動作を生じにくい受光モジュ−ルを提供す
るものである。
ジュ−ルでは、受光素子と回路素子との配線が複雑なた
め両者間で雑音を拾い易い。またプリント基板を用いる
ため占有体積が大きいという欠点が有る。そこで一つの
半導体基板上に受光素子と回路素子を集積する事が試み
られるが、実用に至っていない。何故ならば受光素子の
出力が低く、応答速度が遅く、あるいは回路素子に光が
当る事により誤動作を生じ易いからである。故に本発明
は上述の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわち雑
音を拾いにくい受光モジュ−ルを提供するものである。
また、小型の受光モジュ−ルを提供するものである。ま
た、応答速度の早い受光モジュ−ルを提供するものであ
る。また、誤動作を生じにくい受光モジュ−ルを提供す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の受光モジュール
は請求項１に記載のように、受光素子と、金属製の複数
のリードフレームとを備えた受光モジュールであって、
前記リードフレームの１つは、前記受光素子を載置する
素子固定部とリード部と舌片部とを有し、前記舌片部
は、受光素子への光導入孔を有しているとともに、前記
素子固定部と該舌片部によって前記受光素子の5面を覆
うように折り曲げられている事を特徴とする。
は請求項１に記載のように、受光素子と、金属製の複数
のリードフレームとを備えた受光モジュールであって、
前記リードフレームの１つは、前記受光素子を載置する
素子固定部とリード部と舌片部とを有し、前記舌片部
は、受光素子への光導入孔を有しているとともに、前記
素子固定部と該舌片部によって前記受光素子の5面を覆
うように折り曲げられている事を特徴とする。
【０００５】この様に請求項1記載の発明は、舌片部
が、受光素子への光導入孔を有しているとともに、前記
素子固定部と該舌片部によって前記受光素子の5面を覆
うように折り曲げられているので、舌片部と素子固定部
を備えるリードフレームによって、素子に入り込もうと
する不要な光や電磁波などのノイズを効果的に遮蔽する
事ができ、受光モジュールの耐雑音特性を良好なものと
する事ができる。
が、受光素子への光導入孔を有しているとともに、前記
素子固定部と該舌片部によって前記受光素子の5面を覆
うように折り曲げられているので、舌片部と素子固定部
を備えるリードフレームによって、素子に入り込もうと
する不要な光や電磁波などのノイズを効果的に遮蔽する
事ができ、受光モジュールの耐雑音特性を良好なものと
する事ができる。
【０００６】また、請求項２に記載のように、前記舌片
部を有するリードフレームが所定の電位に接続されるシ
ールド板とされる事により、受光モジュールの耐雑音特
性をより良好なものとする事ができる。
部を有するリードフレームが所定の電位に接続されるシ
ールド板とされる事により、受光モジュールの耐雑音特
性をより良好なものとする事ができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第１実施形態を図
１、図２、図３に従って説明する。図１は本実施形態に
係る受光モジュ−ルの平面断面図、図２は図１のＡＡ断
面図である。これらの図に於て、フレ−ム１は金属性の
板からなり、複数のリードフレームからなる。リードフ
レームの１つは、幅の広い素子固定部１１とリ−ド部１
２を有している。リ−ド部１２に略平行に他のリ−ドフ
レ−ム１３、１４が２本配置されている。
１、図２、図３に従って説明する。図１は本実施形態に
係る受光モジュ−ルの平面断面図、図２は図１のＡＡ断
面図である。これらの図に於て、フレ−ム１は金属性の
板からなり、複数のリードフレームからなる。リードフ
レームの１つは、幅の広い素子固定部１１とリ−ド部１
２を有している。リ−ド部１２に略平行に他のリ−ドフ
レ−ム１３、１４が２本配置されている。
【０００８】受光素子２は例えばシリコンＰＩＮホトダ
イオ−ドからなり、フレ−ム１の素子固定部１１に導電
性接着剤を介して固着されている。受光素子２は電極２
１、半導体基板（Ｐ層）２２、Ｉ層２３、空乏層２４、
拡散層（Ｎ層）２５、他の電極２６から構成されてい
る。Ｉ層２３はシリコンに濃度１０14ｃｍ-3程度のＰ型
不純物を添加されたものである。半導体基板２２は、こ
のＩ層２３の下部に選択拡散され、濃度１０19〜１０20
ｃｍ-3のＰ型不純物が添加されている。拡散層（ｎ層）
２５はＩ層２３の上部に部分的に選択拡散され、濃度１
０19〜１０20ｃｍ -3のＮ型不純物が添加されている。空
乏層２４はＮ層２５の表面からＩ層２３の内部に部分的
に延びて形成されたもので、キャリア濃度が非常に少な
い領域である。
イオ−ドからなり、フレ−ム１の素子固定部１１に導電
性接着剤を介して固着されている。受光素子２は電極２
１、半導体基板（Ｐ層）２２、Ｉ層２３、空乏層２４、
拡散層（Ｎ層）２５、他の電極２６から構成されてい
る。Ｉ層２３はシリコンに濃度１０14ｃｍ-3程度のＰ型
不純物を添加されたものである。半導体基板２２は、こ
のＩ層２３の下部に選択拡散され、濃度１０19〜１０20
ｃｍ-3のＰ型不純物が添加されている。拡散層（ｎ層）
２５はＩ層２３の上部に部分的に選択拡散され、濃度１
０19〜１０20ｃｍ -3のＮ型不純物が添加されている。空
乏層２４はＮ層２５の表面からＩ層２３の内部に部分的
に延びて形成されたもので、キャリア濃度が非常に少な
い領域である。
【０００９】回路素子３は素子固定部１１上に導電性接
着剤を介して固着されている。回路素子３は断面図で示
す様に、電極３０１、半導体基板（Ｐ層）３０２、Ｎ+
（埋込層）３０３、Ｎ層３０４、Ｎ+層３０５と３０
６、Ｐ層３０７、ＳｉＯ2層３０８、導電層３０９、導
電層３１０、他の電極３１１、３１２、３１３、３１４
から構成されている。この様に受光素子２と回路素子３
はそれぞれフレ−ム１と接続される電極２１と３０１上
に同一導電型（Ｐ型）の半導体基板２２と３０２を有し
ている。
着剤を介して固着されている。回路素子３は断面図で示
す様に、電極３０１、半導体基板（Ｐ層）３０２、Ｎ+
（埋込層）３０３、Ｎ層３０４、Ｎ+層３０５と３０
６、Ｐ層３０７、ＳｉＯ2層３０８、導電層３０９、導
電層３１０、他の電極３１１、３１２、３１３、３１４
から構成されている。この様に受光素子２と回路素子３
はそれぞれフレ−ム１と接続される電極２１と３０１上
に同一導電型（Ｐ型）の半導体基板２２と３０２を有し
ている。
【００１０】金属細線４１、４２、４３、４４は金等か
らなる配線手段で、それぞれ受光素子２の他の電極２６
と回路素子３の他の電極３１１との間、素子固定部１１
と他の電極３１３との間、他のリ−ドフレ−ム１３と他
の電極３１２との間、他のリ−ドフレ−ム１４と他の電
極３１４との間に接続されている。そして好ましくは、
この回路素子３の周辺をカ−ボン入りシリコ−ン等の遮
光性樹脂５が覆う様に設けられている。
らなる配線手段で、それぞれ受光素子２の他の電極２６
と回路素子３の他の電極３１１との間、素子固定部１１
と他の電極３１３との間、他のリ−ドフレ−ム１３と他
の電極３１２との間、他のリ−ドフレ−ム１４と他の電
極３１４との間に接続されている。そして好ましくは、
この回路素子３の周辺をカ−ボン入りシリコ−ン等の遮
光性樹脂５が覆う様に設けられている。
【００１１】フレ−ム１の素子固定部１１と受光素子２
と回路素子３又は遮光性樹脂５は、エポキシ樹脂等から
なりかつ受光素子２の必要な波長の光（概ね赤外光）に
対して透光性を有しかつ他の波長の光（特に可視光）に
対して遮光性を有する黒色の樹脂６で一体に覆われてい
る。
と回路素子３又は遮光性樹脂５は、エポキシ樹脂等から
なりかつ受光素子２の必要な波長の光（概ね赤外光）に
対して透光性を有しかつ他の波長の光（特に可視光）に
対して遮光性を有する黒色の樹脂６で一体に覆われてい
る。
【００１２】次にこの受光モジュ−ルの動作を図３のブ
ロック図に従い説明する。この図に於て回路素子３は、
例えばＡＢＬＣ３１５と増幅器３１６とリミッタ３１７
とフィルタ３１８と検波回路３１９と波形整形回路３２
０とトランジスタ３２１と抵抗３２２の各回路からな
る。受光素子２のアノ−ド側（電極２１）はフレ−ム１
を介してアノ−ド共通タイプとして接地電位に接続さ
れ、カソ−ド側（他の電極２６）は回路素子３の入力に
接続されている。ＡＢＬＣ３１５はオ−トバイアスロジ
ックレベルコントロ−ルであり、受光素子２に一定の逆
バイアス電位を与える。他のリ−ドフレ−ム１４に印加
される電位Ｖｃｃは回路素子３内の各回路に電圧を与え
る。リ−ド部１２は電源電位、すなわち接地電位に接続
されている。この様にして電気信号を変調された赤外光
を受けとった受光素子２からの信号は回路素子３を経
て、他のリ−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与え
る。
ロック図に従い説明する。この図に於て回路素子３は、
例えばＡＢＬＣ３１５と増幅器３１６とリミッタ３１７
とフィルタ３１８と検波回路３１９と波形整形回路３２
０とトランジスタ３２１と抵抗３２２の各回路からな
る。受光素子２のアノ−ド側（電極２１）はフレ−ム１
を介してアノ−ド共通タイプとして接地電位に接続さ
れ、カソ−ド側（他の電極２６）は回路素子３の入力に
接続されている。ＡＢＬＣ３１５はオ−トバイアスロジ
ックレベルコントロ−ルであり、受光素子２に一定の逆
バイアス電位を与える。他のリ−ドフレ−ム１４に印加
される電位Ｖｃｃは回路素子３内の各回路に電圧を与え
る。リ−ド部１２は電源電位、すなわち接地電位に接続
されている。この様にして電気信号を変調された赤外光
を受けとった受光素子２からの信号は回路素子３を経
て、他のリ−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与え
る。
【００１３】ここで、図1、図2に示すように、受光素子
２と回路素子３はそれぞれの裏側の電極がリードフレー
ムの素子固定部１１に導電性接着剤を介して共通に接続
され、前記リードフレームのリード部１２が電源電位
（接地電位）に接続されているので、リードフレームが
シールド板として機能し、受光素子２や回路素子３に侵
入する雑音を低減する事ができる。また、リードフレー
ム１３の前方に回路素子３を配置し、回路素子3の前方
に受光素子２を配置し、受光素子２、配線４１、回路素
子３、配線４３、リードフレーム１３を直線的に配列し
ているので、微弱信号が出力される配線４１を、大きな
信号が出力される配線４３、リードフレーム１３と離間
して配置する事ができる。その結果、配線４１に配線４
３やリードフレーム１３などの出力が与える影響を最小
限に抑制する事ができ、受光モジュールの動作の安定化
を図る事ができる。
２と回路素子３はそれぞれの裏側の電極がリードフレー
ムの素子固定部１１に導電性接着剤を介して共通に接続
され、前記リードフレームのリード部１２が電源電位
（接地電位）に接続されているので、リードフレームが
シールド板として機能し、受光素子２や回路素子３に侵
入する雑音を低減する事ができる。また、リードフレー
ム１３の前方に回路素子３を配置し、回路素子3の前方
に受光素子２を配置し、受光素子２、配線４１、回路素
子３、配線４３、リードフレーム１３を直線的に配列し
ているので、微弱信号が出力される配線４１を、大きな
信号が出力される配線４３、リードフレーム１３と離間
して配置する事ができる。その結果、配線４１に配線４
３やリードフレーム１３などの出力が与える影響を最小
限に抑制する事ができ、受光モジュールの動作の安定化
を図る事ができる。
【００１４】次に、カソ−ド共通タイプとして、本発明
の第２実施形態を図４に従って説明する。図４は本実施
形態に係る受光モジュ−ルのブロック図である。図４で
示した番号の内、図１ないし図３と同じ番号は同じ部品
である事を示す。受光素子２ａは第１実施形態で示した
受光素子２のＰ層とＮ層を逆転させたものである。すな
わちＩ層２３ａはシリコンにＮ型不純物を添加され、半
導体基板２２ａはＮ型不純物が添加され、拡散層（Ｐ
層）２５ａはＰ型不純物が添加されたものである。
の第２実施形態を図４に従って説明する。図４は本実施
形態に係る受光モジュ−ルのブロック図である。図４で
示した番号の内、図１ないし図３と同じ番号は同じ部品
である事を示す。受光素子２ａは第１実施形態で示した
受光素子２のＰ層とＮ層を逆転させたものである。すな
わちＩ層２３ａはシリコンにＮ型不純物を添加され、半
導体基板２２ａはＮ型不純物が添加され、拡散層（Ｐ
層）２５ａはＰ型不純物が添加されたものである。
【００１５】回路素子３ａは概ね第１実施形態で示した
回路素子３のＰ層とＮ層を逆転させたものであり、半導
体基板３０２ａはＮ型である。但しトランジスタ３２１
は第１実施形態と同じＮＰＮ型を用いる。受光素子２ａ
のカソ−ド側（電極２１）はフレ−ム１を介してカソ−
ド共通タイプとしてプラス電位に接続され、アノ−ド側
（他の電極２６）は回路素子３ａの入力に接続されてい
る。リ−ド部１２に印加される電源電位Ｖｃｃは回路素
子３ａ内の各回路にその電位を与える。他のリ−ドフレ
−ム１４は接地電位に接続されている。この様にして変
調された赤外光は受光素子２ａを経て、回路素子３ａに
より、他のリ−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与え
る。このカソ−ド共通タイプの実施形態もアノード共通
タイプの実施形態と同様の作用効果を奏する事ができ
る。
回路素子３のＰ層とＮ層を逆転させたものであり、半導
体基板３０２ａはＮ型である。但しトランジスタ３２１
は第１実施形態と同じＮＰＮ型を用いる。受光素子２ａ
のカソ−ド側（電極２１）はフレ−ム１を介してカソ−
ド共通タイプとしてプラス電位に接続され、アノ−ド側
（他の電極２６）は回路素子３ａの入力に接続されてい
る。リ−ド部１２に印加される電源電位Ｖｃｃは回路素
子３ａ内の各回路にその電位を与える。他のリ−ドフレ
−ム１４は接地電位に接続されている。この様にして変
調された赤外光は受光素子２ａを経て、回路素子３ａに
より、他のリ−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与え
る。このカソ−ド共通タイプの実施形態もアノード共通
タイプの実施形態と同様の作用効果を奏する事ができ
る。
【００１６】さらに本実施形態の受光モジュ−ルに用い
た受光素子２ａの光吸収効率特性を図５に従い説明す
る。この図に於て横軸は空乏層２４ａの厚さ（μｍ）で
あり、縦軸は光吸収効率（％）、すなわち発生フォトン
数を入射フォトン数で割ったものの百分率である。この
中で特性Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆは受光素子２ａが受ける光
の波長であり、それぞれ７００、７８０、９００、９４
０、１０００ｎｍである。赤外光（９３０〜９５０ｎ
ｍ）を効率よく（９０％以上）受けるには空乏層の厚さ
が１１０μｍ以上必要な事が判かる。
た受光素子２ａの光吸収効率特性を図５に従い説明す
る。この図に於て横軸は空乏層２４ａの厚さ（μｍ）で
あり、縦軸は光吸収効率（％）、すなわち発生フォトン
数を入射フォトン数で割ったものの百分率である。この
中で特性Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆは受光素子２ａが受ける光
の波長であり、それぞれ７００、７８０、９００、９４
０、１０００ｎｍである。赤外光（９３０〜９５０ｎ
ｍ）を効率よく（９０％以上）受けるには空乏層の厚さ
が１１０μｍ以上必要な事が判かる。
【００１７】従来の様に半導体基板上に受光素子を一体
化して製造すると、その受光素子内のＩ層はエピタキシ
ャル法で製造されるため、Ｉ層の不純物濃度は十分小さ
くならない。（１０16ｃｍ-3程度）故にＩ層の比抵抗が
小さいので空乏層の厚さを厚くする事ができない。これ
に対して本実施形態では、受光素子２ａは回路素子３ａ
と独立して製造されるので、受光素子２ａのＩ層２３ａ
の不純物濃度を１０14ｃｍ-3程度と小さく設定する事が
できる。故にＩ層２３ａの比抵抗が（５００〜３０００
Ωｃｍと）大きくなるので、空乏層の厚さは例えば１１
０μｍ以上と厚く製造する事ができる。従って赤外光を
効率よく（９０％以上）受光する事ができ、受光素子２
ａの感度が高くなり、応答速度が早くなる。
化して製造すると、その受光素子内のＩ層はエピタキシ
ャル法で製造されるため、Ｉ層の不純物濃度は十分小さ
くならない。（１０16ｃｍ-3程度）故にＩ層の比抵抗が
小さいので空乏層の厚さを厚くする事ができない。これ
に対して本実施形態では、受光素子２ａは回路素子３ａ
と独立して製造されるので、受光素子２ａのＩ層２３ａ
の不純物濃度を１０14ｃｍ-3程度と小さく設定する事が
できる。故にＩ層２３ａの比抵抗が（５００〜３０００
Ωｃｍと）大きくなるので、空乏層の厚さは例えば１１
０μｍ以上と厚く製造する事ができる。従って赤外光を
効率よく（９０％以上）受光する事ができ、受光素子２
ａの感度が高くなり、応答速度が早くなる。
【００１８】次にシ−ルドケ−スを用いた本発明の第３
実施形態を図６に従って説明する。以下の説明に於て第
１実施形態又は第２実施形態と同じ番号のものは同じ物
である事を示す。図６は、本実施形態に係る受光モジュ
−ルの斜視図であり、図１のフレ−ムの素子固定部１１
の延長上にコ字状の舌片部を設けこれを折り曲げたもの
である。すなわちフレ−ム７１の先端に設けた舌片部７
２に透孔７３を設け、その透孔７３が受光素子２又は２
ａの位置に対応するように、そして素子固定部と舌片部
７２の主表面が略平行になるように折り曲げ加工して舌
片部７２で樹脂６０の表面を覆う。透孔７３は受光素子
２又は２ａの光導入孔となり、受光素子２又は２ａと回
路素子３又は３ａはフレ−ム７１が少なくとも３面、図
の例では５面であるが、舌片部を箱型に加工しておけば
６面を覆う事ができる。またフレ−ムの薄い場合や、折
り曲げをしてもフレ−ムが少し元に戻り樹脂６０とフレ
−ムの間隔が大きくなるような場合には、樹脂６０の側
面に小さな突起を設け、舌片部７２の側面折曲部に孔も
しくは爪を設け、これらを係止させればフレ−ムは所定
の箱状に形成できる。このように、受光素子２と回路素
子３を共通に配置したフレームの一部を折り曲げてシー
ルド用の舌片部７２を形成したので、この舌片部７２も
受光素子２及び回路素子３の下面を覆うフレームと同電
位に保つ事ができ、受光素子２及び回路素子３の周囲を
広範囲にシールドする事ができる。
実施形態を図６に従って説明する。以下の説明に於て第
１実施形態又は第２実施形態と同じ番号のものは同じ物
である事を示す。図６は、本実施形態に係る受光モジュ
−ルの斜視図であり、図１のフレ−ムの素子固定部１１
の延長上にコ字状の舌片部を設けこれを折り曲げたもの
である。すなわちフレ−ム７１の先端に設けた舌片部７
２に透孔７３を設け、その透孔７３が受光素子２又は２
ａの位置に対応するように、そして素子固定部と舌片部
７２の主表面が略平行になるように折り曲げ加工して舌
片部７２で樹脂６０の表面を覆う。透孔７３は受光素子
２又は２ａの光導入孔となり、受光素子２又は２ａと回
路素子３又は３ａはフレ−ム７１が少なくとも３面、図
の例では５面であるが、舌片部を箱型に加工しておけば
６面を覆う事ができる。またフレ−ムの薄い場合や、折
り曲げをしてもフレ−ムが少し元に戻り樹脂６０とフレ
−ムの間隔が大きくなるような場合には、樹脂６０の側
面に小さな突起を設け、舌片部７２の側面折曲部に孔も
しくは爪を設け、これらを係止させればフレ−ムは所定
の箱状に形成できる。このように、受光素子２と回路素
子３を共通に配置したフレームの一部を折り曲げてシー
ルド用の舌片部７２を形成したので、この舌片部７２も
受光素子２及び回路素子３の下面を覆うフレームと同電
位に保つ事ができ、受光素子２及び回路素子３の周囲を
広範囲にシールドする事ができる。
【００１９】なおシ−ルドを設ける他の方法としては、
フレ−ムの上に素子が載置されこのフレ−ムが所定電位
に接続される事を利用して、このフレ−ムの一部を樹脂
から突出させ、樹脂全体を導電性熱収縮チュ−ブで覆
い、そのチュ−ブが突出したフレ−ムと電気的に接触す
るように構成する事でも構成できる。なお以上の説明に
於て、受光素子２、２ａとしてＰＩＮホトダイオ−ドを
例示したが、その他にホトトランジスタやホトダイオ−
ドなどにも適用可能である。
フレ−ムの上に素子が載置されこのフレ−ムが所定電位
に接続される事を利用して、このフレ−ムの一部を樹脂
から突出させ、樹脂全体を導電性熱収縮チュ−ブで覆
い、そのチュ−ブが突出したフレ−ムと電気的に接触す
るように構成する事でも構成できる。なお以上の説明に
於て、受光素子２、２ａとしてＰＩＮホトダイオ−ドを
例示したが、その他にホトトランジスタやホトダイオ−
ドなどにも適用可能である。
【００２０】上述の実施形態によれば、同一導電型の半
導体基板を有する受光素子と回路素子をそれぞれ電極を
介して同一フレ−ムに載置する。故に受光素子と回路素
子の電位が一定電位に固定される事で、いわゆるフロ−
ティングによる出力変動がない。そして、両素子を直接
接続するので微弱信号を扱う部分が十分近接し、関係す
る面積も小さくなる。故に耐雑音特性が良好となる。更
に受光素子を回路素子と独立して設けるので、受光素子
のＩ層の不純物濃度を小さくする事により、Ｉ層の比抵
抗が大きくなる。故に空乏層の厚みが大きくなり、光吸
収効率が高くなるので受光素子の感度が高くなり、応答
速度も早くなる。また、プリント基板を用いないでフレ
−ムに直接素子を載置するのでモジュ−ルが小型とな
る。
導体基板を有する受光素子と回路素子をそれぞれ電極を
介して同一フレ−ムに載置する。故に受光素子と回路素
子の電位が一定電位に固定される事で、いわゆるフロ−
ティングによる出力変動がない。そして、両素子を直接
接続するので微弱信号を扱う部分が十分近接し、関係す
る面積も小さくなる。故に耐雑音特性が良好となる。更
に受光素子を回路素子と独立して設けるので、受光素子
のＩ層の不純物濃度を小さくする事により、Ｉ層の比抵
抗が大きくなる。故に空乏層の厚みが大きくなり、光吸
収効率が高くなるので受光素子の感度が高くなり、応答
速度も早くなる。また、プリント基板を用いないでフレ
−ムに直接素子を載置するのでモジュ−ルが小型とな
る。
【００２１】さらに、受光素子及び回路素子を配置した
フレームと同電位の舌片部によって樹脂を覆う事でシ−
ルド効果を簡単にかつ確実に得る事ができる。その場
合、透孔によって受光素子には光が導かれるが同じ平面
内にある回路素子はフレ−ムにより光が遮られるので、
回路素子が光エネルギ−によって誤動作する事はない。
また本発明は回路素子の周辺を遮光性樹脂で覆う事によ
り、光が遮ぎられるので、回路素子が光エネルギ−によ
って誤動作しない。そして受光素子を透光性樹脂で覆う
ので、受光素子には適正な光が導かれる。以上のように
上記実施形態によれば、耐雑音特性が良好な受光モジュ
ールを提供する事ができる。また、受光素子の感度が高
く、応答速度も早い受光モジュールを提供する事ができ
る。また、小型で誤動作が少ない受光モジュールを提供
する事ができる。
フレームと同電位の舌片部によって樹脂を覆う事でシ−
ルド効果を簡単にかつ確実に得る事ができる。その場
合、透孔によって受光素子には光が導かれるが同じ平面
内にある回路素子はフレ−ムにより光が遮られるので、
回路素子が光エネルギ−によって誤動作する事はない。
また本発明は回路素子の周辺を遮光性樹脂で覆う事によ
り、光が遮ぎられるので、回路素子が光エネルギ−によ
って誤動作しない。そして受光素子を透光性樹脂で覆う
ので、受光素子には適正な光が導かれる。以上のように
上記実施形態によれば、耐雑音特性が良好な受光モジュ
ールを提供する事ができる。また、受光素子の感度が高
く、応答速度も早い受光モジュールを提供する事ができ
る。また、小型で誤動作が少ない受光モジュールを提供
する事ができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、舌片部が、受光素子への光導
入孔を有しているとともに、素子固定部と該舌片部によ
って受光素子の5面を覆うように折り曲げられているの
で、舌片部と素子固定部を備えるリードフレームによっ
て、素子に入り込もうとする不要な光や電磁波などのノ
イズを効果的に遮蔽する事ができ、受光モジュールの耐
雑音特性を良好なものとする事ができる。
入孔を有しているとともに、素子固定部と該舌片部によ
って受光素子の5面を覆うように折り曲げられているの
で、舌片部と素子固定部を備えるリードフレームによっ
て、素子に入り込もうとする不要な光や電磁波などのノ
イズを効果的に遮蔽する事ができ、受光モジュールの耐
雑音特性を良好なものとする事ができる。
【００２３】また、請求項２に記載のように、前記舌片
部を有するリードフレームが所定の電位に接続されるシ
ールド板とされる事により、受光モジュールの耐雑音特
性をより良好なものとする事ができる。
部を有するリードフレームが所定の電位に接続されるシ
ールド板とされる事により、受光モジュールの耐雑音特
性をより良好なものとする事ができる。
【００２４】よって、誤動作が少ない受光モジュールを
提供する事ができる。
提供する事ができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る受光モジュ−ルの
平面断面図である。
平面断面図である。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る受光モジュ−ルの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る受光モジュ−ルの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る受光モジュ−ルの
光吸収効率特性図である。
光吸収効率特性図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る受光モジュ−ルの
斜視図である。
斜視図である。
１ フレ−ム
２、２ａ 受光素子
３、３ａ 回路素子
５ 遮光性樹脂
６ 樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 西村 晋
鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取
三洋電機株式会社内
(72)発明者 前田 晋
鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取
三洋電機株式会社内
(72)発明者 田中 堅太郎
鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取
三洋電機株式会社内
(72)発明者 山根 幹仁
鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取
三洋電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5F049 MA04 MB03 NA03 NA04 NA17
NA19 NB01 RA08 RA10 SS03
TA02 TA20 UA05 UA12 WA01
5F088 AA03 AB03 BA02 BA03 BA15
BA20 BB01 EA08 EA20 GA04
JA02 JA20 KA02 LA01
Claims (2)
- 【請求項１】 受光素子と、金属製の複数のリードフレ
ームとを備えた受光モジュールであって、前記リードフ
レームの１つは、前記受光素子を載置する素子固定部と
リード部と舌片部とを有し、前記舌片部は、受光素子へ
の光導入孔を有しているとともに、前記素子固定部と該
舌片部によって前記受光素子の５面を覆うように折り曲
げられている事を特徴とする受光モジュール。 - 【請求項２】 前記舌片部を有するリードフレームが所
定の電位に接続されるシールド板とされている事を特徴
とする請求項1記載の受光モジュ−ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002141227A JP3516342B2 (ja) | 1991-03-07 | 2002-05-16 | 光リモコン用受光モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4178991 | 1991-03-07 | ||
| JP3-41789 | 1991-03-07 | ||
| JP2002141227A JP3516342B2 (ja) | 1991-03-07 | 2002-05-16 | 光リモコン用受光モジュ−ル |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010179A Division JP3696094B2 (ja) | 1991-03-07 | 2001-01-18 | 受光モジュ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017718A true JP2003017718A (ja) | 2003-01-17 |
| JP3516342B2 JP3516342B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=26381455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002141227A Expired - Lifetime JP3516342B2 (ja) | 1991-03-07 | 2002-05-16 | 光リモコン用受光モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3516342B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017181130A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線センサ装置 |
-
2002
- 2002-05-16 JP JP2002141227A patent/JP3516342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017181130A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線センサ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3516342B2 (ja) | 2004-04-05 |
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