JP2003014567A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JP2003014567A JP2003014567A JP2001196648A JP2001196648A JP2003014567A JP 2003014567 A JP2003014567 A JP 2003014567A JP 2001196648 A JP2001196648 A JP 2001196648A JP 2001196648 A JP2001196648 A JP 2001196648A JP 2003014567 A JP2003014567 A JP 2003014567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration
- pressure
- diaphragm
- diaphragm portion
- sensor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】圧力と加速度を測定可能とする半導体圧力セン
サを提供する。 【解決手段】センサチップ１０のダイアフラム部１１に
重り部１を設ける。ダイアフラム部１１の質量が増して
加速を受けたときのダイアフラム部にかかる力が大きく
なることで、加速度に応じてダイアフラム部１１を撓ま
せ易くすることができ、圧力と加速度の何れか一方に応
じて他方を測定可能としたり、圧力と加速度を同時に測
定可能とすることができる。
サを提供する。 【解決手段】センサチップ１０のダイアフラム部１１に
重り部１を設ける。ダイアフラム部１１の質量が増して
加速を受けたときのダイアフラム部にかかる力が大きく
なることで、加速度に応じてダイアフラム部１１を撓ま
せ易くすることができ、圧力と加速度の何れか一方に応
じて他方を測定可能としたり、圧力と加速度を同時に測
定可能とすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば図８〜図１０に示すよ
うに、撓み自在に形成されたダイアフラム部１１を有す
る半導体基板からなるセンサチップ１０’と、外部の流
体の圧力により生じるダイアフラム部１１の撓みを検出
する検出手段と、センサチップ１０’に接合されて外部
からセンサチップ１０’への応力を緩和するためのガラ
ス台座２０とからなる半導体圧力センサが提供されてい
る。
うに、撓み自在に形成されたダイアフラム部１１を有す
る半導体基板からなるセンサチップ１０’と、外部の流
体の圧力により生じるダイアフラム部１１の撓みを検出
する検出手段と、センサチップ１０’に接合されて外部
からセンサチップ１０’への応力を緩和するためのガラ
ス台座２０とからなる半導体圧力センサが提供されてい
る。
【０００３】ダイアフラム部１１は、センサチップ１
０’の一面側に略矩形状の凹所１２を設けることで薄肉
に形成されてなる。このダイアフラム部１１の主表面側
には、前述の検出手段たるブリッジ接続された４つのピ
エゾ抵抗Ｒと、ワイヤが接続されることで前記ワイヤを
４つのピエゾ抵抗Ｒからなる前記ブリッジ回路に電気的
に接続するパッド１３とが形成されている。
０’の一面側に略矩形状の凹所１２を設けることで薄肉
に形成されてなる。このダイアフラム部１１の主表面側
には、前述の検出手段たるブリッジ接続された４つのピ
エゾ抵抗Ｒと、ワイヤが接続されることで前記ワイヤを
４つのピエゾ抵抗Ｒからなる前記ブリッジ回路に電気的
に接続するパッド１３とが形成されている。
【０００４】そして上述のセンサチップ１０’の凹所１
２が設けられた面をガラス台座２０に向けて、ガラス台
座２０に形成された圧力導入孔２１の開口を塞ぐよう
に、センサチップ１０’をガラス台座２０に陽極接合す
ることで半導体圧力センサが構成される。
２が設けられた面をガラス台座２０に向けて、ガラス台
座２０に形成された圧力導入孔２１の開口を塞ぐよう
に、センサチップ１０’をガラス台座２０に陽極接合す
ることで半導体圧力センサが構成される。
【０００５】このような半導体圧力センサでは、ガラス
台座２０の圧力導入孔２１から導入された流体の圧力が
センサチップ１０’のダイアフラム部１１にかかると、
ダイアフラム部１１が撓み、その撓みに応じて各ピエゾ
抵抗Ｒの抵抗値が変化することによって、センサチップ
１０’のパッド１３から前記撓みに応じて変化する電圧
信号が出力される。これにより上記半導体圧力センサを
用いれば、出力される前記電圧信号から流体の圧力を測
定することができる。
台座２０の圧力導入孔２１から導入された流体の圧力が
センサチップ１０’のダイアフラム部１１にかかると、
ダイアフラム部１１が撓み、その撓みに応じて各ピエゾ
抵抗Ｒの抵抗値が変化することによって、センサチップ
１０’のパッド１３から前記撓みに応じて変化する電圧
信号が出力される。これにより上記半導体圧力センサを
用いれば、出力される前記電圧信号から流体の圧力を測
定することができる。
【０００６】一方、上記従来の半導体圧力センサとは別
に、加速度を測定するために用いるられる半導体加速度
センサが提供されている。
に、加速度を測定するために用いるられる半導体加速度
センサが提供されている。
【０００７】半導体加速度センサは、例えば図１１〜図
１３に示すように、矩形枠状の支持部３１の内側面に１
対の薄肉のビーム部３２を介して揺動自在に支持された
マス部（重り部）３３を有する半導体基板からなる加速
度センサチップ３０と、加速度センサチップ３０の表裏
それぞれの面に接合され、加速度センサチップ３０のマ
ス部３３の揺動を規制するガラス材料からなるガラスス
トッパー４１，４２とからなる。
１３に示すように、矩形枠状の支持部３１の内側面に１
対の薄肉のビーム部３２を介して揺動自在に支持された
マス部（重り部）３３を有する半導体基板からなる加速
度センサチップ３０と、加速度センサチップ３０の表裏
それぞれの面に接合され、加速度センサチップ３０のマ
ス部３３の揺動を規制するガラス材料からなるガラスス
トッパー４１，４２とからなる。
【０００８】加速度センサチップ３０の各ビーム部３２
には、それぞれピエゾ抵抗が２つ形成されてあって、４
つのピエゾ抵抗はブリッジ接続されている。また、加速
度センサチップ３０のビーム部３２周辺には、ワイヤが
接続されることで前記ワイヤを前記ピエゾ抵抗のブリッ
ジ回路に電気的に接続するパッド３４が形成されてい
る。
には、それぞれピエゾ抵抗が２つ形成されてあって、４
つのピエゾ抵抗はブリッジ接続されている。また、加速
度センサチップ３０のビーム部３２周辺には、ワイヤが
接続されることで前記ワイヤを前記ピエゾ抵抗のブリッ
ジ回路に電気的に接続するパッド３４が形成されてい
る。
【０００９】ガラスストッパー４１，４２は、それぞれ
全体的に略矩形平板状であって、各ガラスストッパー４
１，４２の加速度センサチップ３０側に向って突出する
周壁先端が、加速度センサチップ３０の支持部３１に陽
極接合される。
全体的に略矩形平板状であって、各ガラスストッパー４
１，４２の加速度センサチップ３０側に向って突出する
周壁先端が、加速度センサチップ３０の支持部３１に陽
極接合される。
【００１０】このような半導体加速度センサでは、加速
を受けていないときには、図１３（ａ）に示すように、
１対のビーム部３２は撓まず、図１３（ｂ）に示すよう
に、加速を受けたときには、マス部３３に力がかかって
マス部３３が揺動しようとすることで、各ビーム部３２
が撓み、ビーム部３２の撓みに応じて前述のピエゾ抵抗
の抵抗値が変化し、その結果、加速度センサチップ３０
のパッド３４から前記撓みに応じて変化する電圧信号が
出力される。これにより上記半導体加速度センサを用い
れば、出力される前記電圧信号から加速度を測定するこ
とができる。
を受けていないときには、図１３（ａ）に示すように、
１対のビーム部３２は撓まず、図１３（ｂ）に示すよう
に、加速を受けたときには、マス部３３に力がかかって
マス部３３が揺動しようとすることで、各ビーム部３２
が撓み、ビーム部３２の撓みに応じて前述のピエゾ抵抗
の抵抗値が変化し、その結果、加速度センサチップ３０
のパッド３４から前記撓みに応じて変化する電圧信号が
出力される。これにより上記半導体加速度センサを用い
れば、出力される前記電圧信号から加速度を測定するこ
とができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、流体の
圧力がかかっているときだけ加速度を測定しようとする
場合や、前述とは逆に、加速を受けているときだけ圧力
を測定しようとする場合、さらに圧力と加速度を同時に
測定しようとする場合には、上記従来の半導体圧力セン
サだけでは上記各測定を行うことができず、半導体圧力
センサと半導体加速度センサの２つのセンサを用いなけ
ればならないといった問題があった。
圧力がかかっているときだけ加速度を測定しようとする
場合や、前述とは逆に、加速を受けているときだけ圧力
を測定しようとする場合、さらに圧力と加速度を同時に
測定しようとする場合には、上記従来の半導体圧力セン
サだけでは上記各測定を行うことができず、半導体圧力
センサと半導体加速度センサの２つのセンサを用いなけ
ればならないといった問題があった。
【００１２】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、圧力と加速度の何れか一方に応じて他方を測
定可能としたり、圧力と加速度を同時に測定可能とする
半導体圧力センサを提供する。
のであり、圧力と加速度の何れか一方に応じて他方を測
定可能としたり、圧力と加速度を同時に測定可能とする
半導体圧力センサを提供する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、撓み自在に形成されたダイアフ
ラム部を有する半導体基板からなるセンサチップと、外
部の流体の圧力により生じる前記ダイアフラム部の撓み
を検出する検出手段とを備えた半導体圧力センサであっ
て、ダイアフラム部に重り部を設けたことを特徴とし、
重り部をダイアフラム部に設けたことによって、ダイア
フラム部の質量が増して加速を受けたときのダイアフラ
ム部にかかる力が大きくなることで、加速度に応じてダ
イアフラム部を撓ませ易くすることができ、その結果、
圧力と加速度の何れか一方に応じて他方を測定可能とし
たり、圧力と加速度を同時に測定可能とすることができ
る。
に、請求項１の発明は、撓み自在に形成されたダイアフ
ラム部を有する半導体基板からなるセンサチップと、外
部の流体の圧力により生じる前記ダイアフラム部の撓み
を検出する検出手段とを備えた半導体圧力センサであっ
て、ダイアフラム部に重り部を設けたことを特徴とし、
重り部をダイアフラム部に設けたことによって、ダイア
フラム部の質量が増して加速を受けたときのダイアフラ
ム部にかかる力が大きくなることで、加速度に応じてダ
イアフラム部を撓ませ易くすることができ、その結果、
圧力と加速度の何れか一方に応じて他方を測定可能とし
たり、圧力と加速度を同時に測定可能とすることができ
る。
【００１４】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、ダイアフラム部は、半導体基板の一面側に凹所を設
けることで薄肉に形成されてなり、重り部は、ダイアフ
ラム部の前記凹所側の面に設けられたことを特徴とし、
請求項１と同様の作用を奏する。
て、ダイアフラム部は、半導体基板の一面側に凹所を設
けることで薄肉に形成されてなり、重り部は、ダイアフ
ラム部の前記凹所側の面に設けられたことを特徴とし、
請求項１と同様の作用を奏する。
【００１５】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、ダイアフラム部は、半導体基板の一面側に凹所を設
けることで薄肉に形成されてなり、重り部は、ダイアフ
ラム部の前記凹所と反対側の面に設けられたことを特徴
とし、請求項１と同様の作用を奏する。
て、ダイアフラム部は、半導体基板の一面側に凹所を設
けることで薄肉に形成されてなり、重り部は、ダイアフ
ラム部の前記凹所と反対側の面に設けられたことを特徴
とし、請求項１と同様の作用を奏する。
【００１６】請求項４の発明は、請求項１〜３の何れか
の発明において、重り部は、センサチップと別体であっ
て、ダイアフラム部に接合されたことを特徴とし、重り
部とセンサチップとを別体にすることによって、圧力測
定にのみ用いるセンサとセンサチップを共通化すること
ができ、コスト低減を図ることができる。
の発明において、重り部は、センサチップと別体であっ
て、ダイアフラム部に接合されたことを特徴とし、重り
部とセンサチップとを別体にすることによって、圧力測
定にのみ用いるセンサとセンサチップを共通化すること
ができ、コスト低減を図ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本実施形態における基本構成は従
来例と共通するために共通する部分については同一の符
号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分
についてのみ詳細に説明する。
来例と共通するために共通する部分については同一の符
号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分
についてのみ詳細に説明する。
【００１８】本実施形態は、図１〜図３に示すように、
ダイアフラム部１１に重り部１を設けた点に特徴があ
る。
ダイアフラム部１１に重り部１を設けた点に特徴があ
る。
【００１９】重り部１は、ダイアフラム部１１の凹所１
２側の裏面略中央部からガラス台座２０側に突出し、先
端側に向って幅狭になるように略矩形状に形成されてい
る。
２側の裏面略中央部からガラス台座２０側に突出し、先
端側に向って幅狭になるように略矩形状に形成されてい
る。
【００２０】このような本実施形態では、例えば図４に
示すように、流体の圧力がかけられたときには、従来例
と同様、ダイアフラム部１１が凹所１２と反対側に撓ん
で、センサチップ１０から前記撓みに応じた電圧信号が
出力される。
示すように、流体の圧力がかけられたときには、従来例
と同様、ダイアフラム部１１が凹所１２と反対側に撓ん
で、センサチップ１０から前記撓みに応じた電圧信号が
出力される。
【００２１】さらに、本実施形態では、重り部１をダイ
アフラム部１１に設けたことによって、重り部１の質量
だけダイアフラム部１１の質量ｍが増し、加速を受けた
ときにはダイアフラム部１１にかかる力（Ｆ＝ｍα、α
は加速度）が、ダイアフラム部１１に重り部１が設けら
れていない従来例と比べて大きくなることで、加速度に
応じてダイアフラム部１１を撓ませ易くすることができ
る。例えば図５に示すように、ダイアフラム部１１と略
平行な方向（図５中の矢印方向）に加速を受けたときに
は、加速度に応じてダイアフラム部１１が、上述の圧力
がかけられたときと異なる撓み方で撓み、センサチップ
１０から前記撓みに応じた電圧信号が出力される。
アフラム部１１に設けたことによって、重り部１の質量
だけダイアフラム部１１の質量ｍが増し、加速を受けた
ときにはダイアフラム部１１にかかる力（Ｆ＝ｍα、α
は加速度）が、ダイアフラム部１１に重り部１が設けら
れていない従来例と比べて大きくなることで、加速度に
応じてダイアフラム部１１を撓ませ易くすることができ
る。例えば図５に示すように、ダイアフラム部１１と略
平行な方向（図５中の矢印方向）に加速を受けたときに
は、加速度に応じてダイアフラム部１１が、上述の圧力
がかけられたときと異なる撓み方で撓み、センサチップ
１０から前記撓みに応じた電圧信号が出力される。
【００２２】また、圧力がかけられたときと、上記方向
に加速を受けたときとでは、それぞれダイアフラム部１
１の撓み方が異なっているので、本実施形態を用いれ
ば、前記各撓み方に応じて各ピエゾ抵抗Ｒの位置や向き
を設定することで、圧力がかけられたときの電圧信号と
加速を受けたときの電圧信号とを区別して、圧力がかけ
られているときだけ加速度を測定したり、加速を受けて
いるときだけ圧力を測定したり、図６に示すように、圧
力がかけられ且つ加速を受けたときに圧力と加速度を同
時に測定することができる。なお、ピエゾ抵抗の位置や
向きを設定することによって、特定の撓み方に対しての
み撓みを検出させることは、従来周知の技術であるから
図示並びに詳細な説明は省略する。
に加速を受けたときとでは、それぞれダイアフラム部１
１の撓み方が異なっているので、本実施形態を用いれ
ば、前記各撓み方に応じて各ピエゾ抵抗Ｒの位置や向き
を設定することで、圧力がかけられたときの電圧信号と
加速を受けたときの電圧信号とを区別して、圧力がかけ
られているときだけ加速度を測定したり、加速を受けて
いるときだけ圧力を測定したり、図６に示すように、圧
力がかけられ且つ加速を受けたときに圧力と加速度を同
時に測定することができる。なお、ピエゾ抵抗の位置や
向きを設定することによって、特定の撓み方に対しての
み撓みを検出させることは、従来周知の技術であるから
図示並びに詳細な説明は省略する。
【００２３】上述のように本実施形態では、圧力と加速
度の何れか一方に応じて他方を測定可能としたり、圧力
と加速度を同時に測定可能とすることができるのであ
る。
度の何れか一方に応じて他方を測定可能としたり、圧力
と加速度を同時に測定可能とすることができるのであ
る。
【００２４】ところで本実施形態では、重り部１をダイ
アフラム部１１の裏面に設けたが、図７に示すように、
ダイアフラム部１１の凹所１２と反対側の前面略中央部
に設けても良い。また、重り部１をセンサチップ１０と
別体にしてセンサチップ１０に接合しても良く、このと
きには、圧力測定にのみ用いるセンサとセンサチップ１
０を共通化することができ、その結果、コスト低減を図
ることができる。
アフラム部１１の裏面に設けたが、図７に示すように、
ダイアフラム部１１の凹所１２と反対側の前面略中央部
に設けても良い。また、重り部１をセンサチップ１０と
別体にしてセンサチップ１０に接合しても良く、このと
きには、圧力測定にのみ用いるセンサとセンサチップ１
０を共通化することができ、その結果、コスト低減を図
ることができる。
【００２５】さらに本実施形態では、ピエゾ抵抗Ｒで検
出手段を構成して、ダイアフラム部１１の撓みをピエゾ
抵抗Ｒの抵抗値の変化から検出したが、例えば、ダイア
フラム部１１の表裏何れかの面に配設された電極と、前
記電極と隙間を空けて略対向し、ダイアフラム部１１の
撓みに応じて動かないように固定された他の電極とで検
出手段を構成して、両電極間のギャップの変化による静
電容量変化からダイアフラム部１１の撓みを検出しても
良い。また、ダイアフラム部１１の表裏何れかの面に光
を照射して、ダイアフラム部１１からの反射光を検出す
る光学機器で検出手段を構成して、反射光の変化により
ダイアフラム部１１の撓みを検出しても良い。
出手段を構成して、ダイアフラム部１１の撓みをピエゾ
抵抗Ｒの抵抗値の変化から検出したが、例えば、ダイア
フラム部１１の表裏何れかの面に配設された電極と、前
記電極と隙間を空けて略対向し、ダイアフラム部１１の
撓みに応じて動かないように固定された他の電極とで検
出手段を構成して、両電極間のギャップの変化による静
電容量変化からダイアフラム部１１の撓みを検出しても
良い。また、ダイアフラム部１１の表裏何れかの面に光
を照射して、ダイアフラム部１１からの反射光を検出す
る光学機器で検出手段を構成して、反射光の変化により
ダイアフラム部１１の撓みを検出しても良い。
【００２６】
【発明の効果】請求項１の発明は、撓み自在に形成され
たダイアフラム部を有する半導体基板からなるセンサチ
ップと、外部の流体の圧力により生じる前記ダイアフラ
ム部の撓みを検出する検出手段とを備えた半導体圧力セ
ンサであって、ダイアフラム部に重り部を設けたので、
ダイアフラム部の質量が増して加速を受けたときのダイ
アフラム部にかかる力が大きくなることで、加速度に応
じてダイアフラム部を撓ませ易くすることができ、その
結果、圧力と加速度の何れか一方に応じて他方を測定可
能としたり、圧力と加速度を同時に測定可能とすること
ができるという効果がある。
たダイアフラム部を有する半導体基板からなるセンサチ
ップと、外部の流体の圧力により生じる前記ダイアフラ
ム部の撓みを検出する検出手段とを備えた半導体圧力セ
ンサであって、ダイアフラム部に重り部を設けたので、
ダイアフラム部の質量が増して加速を受けたときのダイ
アフラム部にかかる力が大きくなることで、加速度に応
じてダイアフラム部を撓ませ易くすることができ、その
結果、圧力と加速度の何れか一方に応じて他方を測定可
能としたり、圧力と加速度を同時に測定可能とすること
ができるという効果がある。
【００２７】請求項２の発明は、ダイアフラム部は、半
導体基板の一面側に凹所を設けることで薄肉に形成され
てなり、重り部は、ダイアフラム部の前記凹所側の面に
設けられたので、請求項１と同様の効果を奏する。
導体基板の一面側に凹所を設けることで薄肉に形成され
てなり、重り部は、ダイアフラム部の前記凹所側の面に
設けられたので、請求項１と同様の効果を奏する。
【００２８】請求項３の発明は、ダイアフラム部は、半
導体基板の一面側に凹所を設けることで薄肉に形成され
てなり、重り部は、ダイアフラム部の前記凹所と反対側
の面に設けられたので、請求項１と同様の効果を奏す
る。
導体基板の一面側に凹所を設けることで薄肉に形成され
てなり、重り部は、ダイアフラム部の前記凹所と反対側
の面に設けられたので、請求項１と同様の効果を奏す
る。
【００２９】請求項４の発明は、重り部は、センサチッ
プと別体であって、ダイアフラム部に接合されたので、
重り部とセンサチップとを別体にすることによって、圧
力測定にのみ用いるセンサとセンサチップを共通化する
ことができ、コスト低減を図ることができるという効果
がある。
プと別体であって、ダイアフラム部に接合されたので、
重り部とセンサチップとを別体にすることによって、圧
力測定にのみ用いるセンサとセンサチップを共通化する
ことができ、コスト低減を図ることができるという効果
がある。
【図１】実施形態を示す側面概略断面図である。
【図２】同上のセンサチップの断面斜視図である。
【図３】同上のセンサチップの斜視図である。
【図４】同上の圧力がかけられた状態を示す側面概略断
面図である。
面図である。
【図５】同上の加速を受けた状態を示す側面概略断面図
である。
である。
【図６】同上の圧力がかけられ且つ加速を受けた状態を
示す側面概略断面図である。
示す側面概略断面図である。
【図７】同上の他のセンサチップの断面斜視図である。
【図８】従来例を示す斜視図である。
【図９】同上の分解断面斜視図である。
【図１０】同上の断面斜視図である。
【図１１】半導体加速度センサの分解斜視図である。
【図１２】同上の上面図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は同上の動作説明用の側面断
面図である。
面図である。
１ 重り部
１０ センサチップ
１１ ダイアフラム部
１２ 凹所
２０ ガラス台座
２１ 圧力導入孔
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｐ 15/03 Ｇ０１Ｐ 15/03 Ｃ
15/125 15/125
(72)発明者 笠野 文宏
大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株
式会社内
Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD05 EE13
EE25 EE31 FF49
4M112 AA01 AA02 BA01 CA01 CA03
CA04 CA08 CA13 EA02 EA13
FA01
Claims (4)
- 【請求項１】 撓み自在に形成されたダイアフラム部を
有する半導体基板からなるセンサチップと、外部の流体
の圧力により生じる前記ダイアフラム部の撓みを検出す
る検出手段とを備えた半導体圧力センサであって、ダイ
アフラム部に重り部を設けたことを特徴とする半導体圧
力センサ。 - 【請求項２】 ダイアフラム部は、半導体基板の一面側
に凹所を設けることで薄肉に形成されてなり、重り部
は、ダイアフラム部の前記凹所側の面に設けられたこと
を特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 ダイアフラム部は、半導体基板の一面側
に凹所を設けることで薄肉に形成されてなり、重り部
は、ダイアフラム部の前記凹所と反対側の面に設けられ
たことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項４】 重り部は、センサチップと別体であっ
て、ダイアフラム部に接合されたことを特徴とする請求
項１〜３の何れかに記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196648A JP2003014567A (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196648A JP2003014567A (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003014567A true JP2003014567A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=19034414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001196648A Withdrawn JP2003014567A (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003014567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009098022A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
-
2001
- 2001-06-28 JP JP2001196648A patent/JP2003014567A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009098022A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107445133B (zh) | 对热机械封装应力具有低灵敏度的小型负荷传感器装置 | |
| US7508040B2 (en) | Micro electrical mechanical systems pressure sensor | |
| JPS61502365A (ja) | 半導体トランスジユ−サ | |
| US6584864B2 (en) | Sensor | |
| JPH09126934A (ja) | 内燃機関の燃焼室内の圧力を検出するための圧力検出器 | |
| JP2002350260A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| GB2280307A (en) | Semiconductor acceleration sensor and testing method thereof | |
| JPH03113337A (ja) | 加速度計一体形圧力センサ | |
| TWI794448B (zh) | 扭力壓力感測裝置及電動起子 | |
| JP2003014567A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0933371A (ja) | 半導体圧力計 | |
| JPH05149773A (ja) | ひずみゲ−ジの使用方法 | |
| KR20150129913A (ko) | 압저항형 세라믹 압력센서 | |
| US5589634A (en) | Semiconductor acceleration sensor for detecting acceleration in orthogonal directions | |
| US7690272B2 (en) | Flexural pivot for micro-sensors | |
| JP2001091206A (ja) | タッチセンサ | |
| JPH03202777A (ja) | 加速度センサ | |
| IT201900008865A1 (it) | Dispositivo e metodo per una rilevazione contemporanea di forze tangenziali e normali agenti in un punto di rilevazione in corrispondenza di una pinza freno o una sospensione di una ruota di veicolo | |
| JPH03239938A (ja) | 容量型圧力センサ | |
| RU2175117C1 (ru) | Датчик для измерения продольных усилий | |
| JPH09280970A (ja) | 剪断力検出器 | |
| EP0426171A2 (en) | Semiconductor pressing force sensor | |
| JPS62190774A (ja) | 加速度センサ | |
| JP2001337104A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH0658320B2 (ja) | 湿度センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080902 |