JP2003013261A - エッチング液組成物 - Google Patents
エッチング液組成物Info
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- JP2003013261A JP2003013261A JP2001192791A JP2001192791A JP2003013261A JP 2003013261 A JP2003013261 A JP 2003013261A JP 2001192791 A JP2001192791 A JP 2001192791A JP 2001192791 A JP2001192791 A JP 2001192791A JP 2003013261 A JP2003013261 A JP 2003013261A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミニウム系金属配線のエッチングに使用す
るウエットエッチング液を提供すること。 【解決手段】 リン酸、硝酸、有機酸、さらには陽イオ
ン成分を含有する水溶液からなるウエットエッチング
液。
るウエットエッチング液を提供すること。 【解決手段】 リン酸、硝酸、有機酸、さらには陽イオ
ン成分を含有する水溶液からなるウエットエッチング
液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等
の、信号配線に用いる積層配線の形成方法に関し、更に
詳しくは、基板上のアルミニウム系金属層とモリブデン
等の高融点金属層との積層膜のエッチング方法に関し、
信頼性の高い積層配線の形成方法に関する。
の、信号配線に用いる積層配線の形成方法に関し、更に
詳しくは、基板上のアルミニウム系金属層とモリブデン
等の高融点金属層との積層膜のエッチング方法に関し、
信頼性の高い積層配線の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide）等の透明画素電極をマトリクス状に配列し、これ
をＴＦＴ（Thin Film Transistor）で駆動するアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置においては、ＴＦＴを駆
動するためのゲート電極、およびこのゲート電極から延
在するゲート配線やデータ配線等を同じガラス基板上に
形成したＴＦＴパネル構造が採用される。最も一般的な
逆スタガ型のＴＦＴパネル構造の概略の断面図を図1を
参照して説明する。ガラス基板1上にゲート電極2を順テ
ーパ状に形成し、ゲート電極3およびi型半導体層4、n型
半導体層5を介してソース電極6とドレイン電極7をゲー
ト電極2と対向して配置することにより、ＴＦＴが形成
される。通常i型半導体層4はノンドープのa-Ｓiから、n
型半導体層5はn型不純物を含むn+ a-Ｓiから形成され
る。ゲート電極2はＡｌ系金属等からなり、この上層に
形成されるi型半導体層4のステップカバレッジを確保し
たり、ゲート絶縁膜3の絶縁耐性を向上するためにその
側面を順テーパ状に加工する。従来より、Ａｌ系金属等
からなるゲート電極2やここから延在するゲート配線を
順テーパ状に加工するためにはガラス基板1上に全面に
Ａｌ系金属層をスパッタリング等で成膜し、この上にレ
ジストパターンを選択的に形成後、このレジストパター
ンをマスクとして等方的にウエットエッチングする方法
が採用されている。ところで、近年のＴＦＴパネルにお
いては、Ａｌ系金属配線と半導体層との拡散を防止した
り、Ａｌ系金属配線のヒロック防止するために図２の様
に、低抵抗のＡｌ系金属配線21の上層に、モリブデン
（Ｍo）等の高融点金属配線22を積層した積層配線構
造、あるいは図３の様に、低抵抗のＡｌ系金属配線21の
上層、下層の両面に、Ｍo等の高融点金属配線22を積層
した積層配線構造が多く採用されるようになり、この場
合もＭo等の高融点金属配線22の側面を順テーパ状に加
工することにより絶縁耐性を向上することが出来る。従
来Ａｌ系金属のウエットエッチング液としては、燐酸、
硝酸、酢酸を混合した混酸が使用される。混酸を使用し
た場合には、Ａｌ系金属と高融点金属との積層構造には
順テーパ状に加工することは、種々の原因により極めて
困難である。しかしながら、特開平6-104241号公報に
は、Ｍo/Ａl系積層膜を上記の混酸を使用して、ウエッ
トエッチングを行う場合の手段として、積層膜の膜厚比
を制御することが記載されているが、根本的には、解決
には至っていない。以上の事から、上記積層膜のウエッ
トエッチング液に関し、良好な順テーパを与えることの
できる優れたエッチング液が要望されている。
xide）等の透明画素電極をマトリクス状に配列し、これ
をＴＦＴ（Thin Film Transistor）で駆動するアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置においては、ＴＦＴを駆
動するためのゲート電極、およびこのゲート電極から延
在するゲート配線やデータ配線等を同じガラス基板上に
形成したＴＦＴパネル構造が採用される。最も一般的な
逆スタガ型のＴＦＴパネル構造の概略の断面図を図1を
参照して説明する。ガラス基板1上にゲート電極2を順テ
ーパ状に形成し、ゲート電極3およびi型半導体層4、n型
半導体層5を介してソース電極6とドレイン電極7をゲー
ト電極2と対向して配置することにより、ＴＦＴが形成
される。通常i型半導体層4はノンドープのa-Ｓiから、n
型半導体層5はn型不純物を含むn+ a-Ｓiから形成され
る。ゲート電極2はＡｌ系金属等からなり、この上層に
形成されるi型半導体層4のステップカバレッジを確保し
たり、ゲート絶縁膜3の絶縁耐性を向上するためにその
側面を順テーパ状に加工する。従来より、Ａｌ系金属等
からなるゲート電極2やここから延在するゲート配線を
順テーパ状に加工するためにはガラス基板1上に全面に
Ａｌ系金属層をスパッタリング等で成膜し、この上にレ
ジストパターンを選択的に形成後、このレジストパター
ンをマスクとして等方的にウエットエッチングする方法
が採用されている。ところで、近年のＴＦＴパネルにお
いては、Ａｌ系金属配線と半導体層との拡散を防止した
り、Ａｌ系金属配線のヒロック防止するために図２の様
に、低抵抗のＡｌ系金属配線21の上層に、モリブデン
（Ｍo）等の高融点金属配線22を積層した積層配線構
造、あるいは図３の様に、低抵抗のＡｌ系金属配線21の
上層、下層の両面に、Ｍo等の高融点金属配線22を積層
した積層配線構造が多く採用されるようになり、この場
合もＭo等の高融点金属配線22の側面を順テーパ状に加
工することにより絶縁耐性を向上することが出来る。従
来Ａｌ系金属のウエットエッチング液としては、燐酸、
硝酸、酢酸を混合した混酸が使用される。混酸を使用し
た場合には、Ａｌ系金属と高融点金属との積層構造には
順テーパ状に加工することは、種々の原因により極めて
困難である。しかしながら、特開平6-104241号公報に
は、Ｍo/Ａl系積層膜を上記の混酸を使用して、ウエッ
トエッチングを行う場合の手段として、積層膜の膜厚比
を制御することが記載されているが、根本的には、解決
には至っていない。以上の事から、上記積層膜のウエッ
トエッチング液に関し、良好な順テーパを与えることの
できる優れたエッチング液が要望されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題はアルミ
ニウム系金属配線のウエットエッチングに関し、特に、
アルミニウム系金属配線とモリブテン等の高融点金属配
線との積層膜のウエットエッチングに関するものであ
り、優れたエッチング液を提供することである。
ニウム系金属配線のウエットエッチングに関し、特に、
アルミニウム系金属配線とモリブテン等の高融点金属配
線との積層膜のウエットエッチングに関するものであ
り、優れたエッチング液を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために提案するものであり、Ａｌ系金属層の形成
方法、特に、Ａｌ系金属層と高融点金属層との積層構造
を有する積層配線のウエットエッチング法に関するもの
であり、ウエットエッチング液がリン酸、硝酸、有機酸
および陽イオン成分を含有する水溶液からなることを特
徴とする。
決するために提案するものであり、Ａｌ系金属層の形成
方法、特に、Ａｌ系金属層と高融点金属層との積層構造
を有する積層配線のウエットエッチング法に関するもの
であり、ウエットエッチング液がリン酸、硝酸、有機酸
および陽イオン成分を含有する水溶液からなることを特
徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に使用されるウエットエッ
チング液としては、リン酸、硝酸、有機酸、さらには陽
イオン成分を含有する水溶液である。本発明に使用され
るリン酸の濃度は全溶液中で50〜80重量％であり、リン
酸は、本発明のエッチング液において、主にＡｌ系金属
層のエッチングに寄与するものであり、50重量％以下で
あると、Ａｌ系金属層のエッチング速度が遅くなり、ま
た80重量％以上であるとＡｌ系金属層のエッチング速度
が速くなり好ましくない。本発明に使用される硝酸の濃
度は、全溶液中で0.5〜10重量％であり、硝酸は本発明
のエッチング液において、主にＭo等の高融点金属層の
エッチングに寄与するものであり、0.5重量％以下で
は、Ｍo等の高融点金属層のエッチング速度が遅くな
り、10重量％以下ではＭo等の高融点金属層のエッチン
グ速度が速くなり好ましくない。本発明に使用される有
機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、等の
モノカルボン酸類、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマ
ル酸、フタル酸等のジカルボン酸類、トリメリット酸等
のトリカルボン酸類、ヒドロキシ酢酸、乳酸、サリチル
酸等のオキシモノカルボン酸類、リンゴ酸、酒石酸等の
オキシジカルボン酸、クエン酸等のオキシトリカルボン
酸類、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノカルボ
ン酸類が挙げられる。本発明に使用される有機酸の濃度
は、0.5〜10重量％の範囲であり、有機酸の濃度はリン
酸、硝酸の濃度、あるいはエッチングの条件等により、
適宜決定すれば良い。本発明に使用される陽イオン成分
としては、アンモニア、さらに、メチルアミン、ジメチ
ルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピ
ルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチ
ルアミン、トリブチルアミン等の脂肪族アミン類、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン等のアルカノールアミン類、エチレンジアミ
ン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テト
ラメチレンジアミン等のポリアミン類、ピロール、ピロ
リン、ピロリジン、モルホリン等の環式アミン類等が挙
げられ、さらに、テトラメチルアンモニウム水酸化物、
テトラエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−
ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等の、第四級
アンモニウムイオンが挙げられる。また、本発明に使用
される陽イオン成分としては、上記アンモニウムイオ
ン、アミンイオン、第四級アンモニウムイオンの他に、
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イオンが挙げら
れる。上記、陽イオン成分は全溶液中、0.1〜20重量％
の範囲であり、0.1重量％以下では、エッチング液のラ
イフが短くなり、さらに20重量％以下では、モリブデ
ン、アルミニウムのエッチング速度が遅くなり好ましく
ない。本発明の使用温度は常温〜70℃の範囲で行われる
が、本発明における使用温度は、使用される積層膜の種
類、厚さ等から、勘案して、適宜決定すれば良い。
チング液としては、リン酸、硝酸、有機酸、さらには陽
イオン成分を含有する水溶液である。本発明に使用され
るリン酸の濃度は全溶液中で50〜80重量％であり、リン
酸は、本発明のエッチング液において、主にＡｌ系金属
層のエッチングに寄与するものであり、50重量％以下で
あると、Ａｌ系金属層のエッチング速度が遅くなり、ま
た80重量％以上であるとＡｌ系金属層のエッチング速度
が速くなり好ましくない。本発明に使用される硝酸の濃
度は、全溶液中で0.5〜10重量％であり、硝酸は本発明
のエッチング液において、主にＭo等の高融点金属層の
エッチングに寄与するものであり、0.5重量％以下で
は、Ｍo等の高融点金属層のエッチング速度が遅くな
り、10重量％以下ではＭo等の高融点金属層のエッチン
グ速度が速くなり好ましくない。本発明に使用される有
機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、等の
モノカルボン酸類、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマ
ル酸、フタル酸等のジカルボン酸類、トリメリット酸等
のトリカルボン酸類、ヒドロキシ酢酸、乳酸、サリチル
酸等のオキシモノカルボン酸類、リンゴ酸、酒石酸等の
オキシジカルボン酸、クエン酸等のオキシトリカルボン
酸類、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノカルボ
ン酸類が挙げられる。本発明に使用される有機酸の濃度
は、0.5〜10重量％の範囲であり、有機酸の濃度はリン
酸、硝酸の濃度、あるいはエッチングの条件等により、
適宜決定すれば良い。本発明に使用される陽イオン成分
としては、アンモニア、さらに、メチルアミン、ジメチ
ルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピ
ルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチ
ルアミン、トリブチルアミン等の脂肪族アミン類、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン等のアルカノールアミン類、エチレンジアミ
ン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テト
ラメチレンジアミン等のポリアミン類、ピロール、ピロ
リン、ピロリジン、モルホリン等の環式アミン類等が挙
げられ、さらに、テトラメチルアンモニウム水酸化物、
テトラエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−
ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等の、第四級
アンモニウムイオンが挙げられる。また、本発明に使用
される陽イオン成分としては、上記アンモニウムイオ
ン、アミンイオン、第四級アンモニウムイオンの他に、
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イオンが挙げら
れる。上記、陽イオン成分は全溶液中、0.1〜20重量％
の範囲であり、0.1重量％以下では、エッチング液のラ
イフが短くなり、さらに20重量％以下では、モリブデ
ン、アルミニウムのエッチング速度が遅くなり好ましく
ない。本発明の使用温度は常温〜70℃の範囲で行われる
が、本発明における使用温度は、使用される積層膜の種
類、厚さ等から、勘案して、適宜決定すれば良い。
【０００６】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明す
る。尚、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
る。尚、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【０００７】実施例1
図４（a）〜（ｃ）で詳細に説明する。まずTFTガラス基
板１上に、アルミニウム21（750Å）、次いでモリブデ
ン22（750Å）をスパッタし、図４（a）の様な積層膜を
形成する。さらに、図４（b）に示すようにモリブデン/
アルミニウム積層膜上に、フォトレジスト23を塗布、あ
らかじめ用意したパターンマスクを露光転写後、現像し
所望のフォトレジストパターンを形成した構造を得る。
上記図４（b）の基板を用いて、リン酸70重量％、硝酸4
重量％、酢酸3.5重量％、水酸化アンモニウム2重量％、
残分が水であるエッチング液で40℃、100秒（30％オ−
バ−エッチ時間）エッチングを行い水でリンス後、乾燥
し、さらにアミン系剥離液でフォトレジスト23を剥離し
た後、電子顕微鏡（SEM）で観察を行った。その結果、
図４（c）で示す様に、良好な順テーパ状の、モリブデ
ン/アルミニウム積層膜が得られた。
板１上に、アルミニウム21（750Å）、次いでモリブデ
ン22（750Å）をスパッタし、図４（a）の様な積層膜を
形成する。さらに、図４（b）に示すようにモリブデン/
アルミニウム積層膜上に、フォトレジスト23を塗布、あ
らかじめ用意したパターンマスクを露光転写後、現像し
所望のフォトレジストパターンを形成した構造を得る。
上記図４（b）の基板を用いて、リン酸70重量％、硝酸4
重量％、酢酸3.5重量％、水酸化アンモニウム2重量％、
残分が水であるエッチング液で40℃、100秒（30％オ−
バ−エッチ時間）エッチングを行い水でリンス後、乾燥
し、さらにアミン系剥離液でフォトレジスト23を剥離し
た後、電子顕微鏡（SEM）で観察を行った。その結果、
図４（c）で示す様に、良好な順テーパ状の、モリブデ
ン/アルミニウム積層膜が得られた。
【０００８】比較例1
前記図４（b）の基板を用いて、リン酸70重量％、硝酸4
重量％、酢酸3.5重量、残分が水であるエッチング液で4
0℃、55秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチングを行
い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離液でフォ
トレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で観察
を行った。その結果、図４（ｄ）で示す様に、順テーパ
状のモリブデン/アルミニウム積層膜は得られなかっ
た。
重量％、酢酸3.5重量、残分が水であるエッチング液で4
0℃、55秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチングを行
い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離液でフォ
トレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で観察
を行った。その結果、図４（ｄ）で示す様に、順テーパ
状のモリブデン/アルミニウム積層膜は得られなかっ
た。
【０００９】実施例2
図５（a）〜（ｃ）で詳細に説明する。まずTFTガラス基
板１上に、モリブデン22（750Å）、アルミニウム21（1
500Å）、次いでモリブデン22（750Å）をスパッタし、
図５（a）の様な積層膜を形成する。さらに、図５（b）
に示すようにモリブデン/アルミニウム積層膜上に、フ
ォトレジスト23を塗布、あらかじめ用意したパターンマ
スクを露光転写後、現像し所望のフォトレジストパター
ンを形成した構造を得る。上記図５（b）の基板を用い
て、リン酸75重量％、硝酸3重量％、酢酸5重量％、水酸
化アンモニウム3.5重量％、残分が水であるエッチング
液で45℃、55秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチング
を行い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離液で
フォトレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で
観察を行った。その結果、図５（c）で示す様に、良好
な順テーパ状のモリブデン/アルミニウム/モリブデン積
層膜が得られた。
板１上に、モリブデン22（750Å）、アルミニウム21（1
500Å）、次いでモリブデン22（750Å）をスパッタし、
図５（a）の様な積層膜を形成する。さらに、図５（b）
に示すようにモリブデン/アルミニウム積層膜上に、フ
ォトレジスト23を塗布、あらかじめ用意したパターンマ
スクを露光転写後、現像し所望のフォトレジストパター
ンを形成した構造を得る。上記図５（b）の基板を用い
て、リン酸75重量％、硝酸3重量％、酢酸5重量％、水酸
化アンモニウム3.5重量％、残分が水であるエッチング
液で45℃、55秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチング
を行い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離液で
フォトレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で
観察を行った。その結果、図５（c）で示す様に、良好
な順テーパ状のモリブデン/アルミニウム/モリブデン積
層膜が得られた。
【００１０】実施例3
前記図５（b）の基板を用いて、リン酸70重量％、硝酸4
重量％、プロピオン酸5重量％、水酸化アンモニウム3.5
重量％、残分が水であるエッチング液で45℃、40秒（30
％オ−バ−エッチ時間）エッチングを行い水でリンス
後、乾燥し、さらにアミン系剥離液でフォトレジスト23
を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で観察を行った。そ
の結果、図５（c）で示す様に、良好な順テーパ状のモ
リブデン/アルミニウム/モリブデン積層膜が得られた。
重量％、プロピオン酸5重量％、水酸化アンモニウム3.5
重量％、残分が水であるエッチング液で45℃、40秒（30
％オ−バ−エッチ時間）エッチングを行い水でリンス
後、乾燥し、さらにアミン系剥離液でフォトレジスト23
を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で観察を行った。そ
の結果、図５（c）で示す様に、良好な順テーパ状のモ
リブデン/アルミニウム/モリブデン積層膜が得られた。
【００１１】実施例4
前記図５（b）の基板を用いて、リン酸70重量％、硝酸4
重量％、プロピオン酸5重量％、水酸化ナトリウム4重量
％、残分が水であるエッチング液で45℃、50秒（30％オ
−バ−エッチ時間）エッチングを行い水でリンス後、乾
燥し、さらにアミン系剥離液でフォトレジスト23を剥離
した後、電子顕微鏡（SEM）で観察を行った。その結
果、図５（c）で示す様に、良好な順テーパ状のモリブ
デン/アルミニウム/モリブデン積層膜が得られた。
重量％、プロピオン酸5重量％、水酸化ナトリウム4重量
％、残分が水であるエッチング液で45℃、50秒（30％オ
−バ−エッチ時間）エッチングを行い水でリンス後、乾
燥し、さらにアミン系剥離液でフォトレジスト23を剥離
した後、電子顕微鏡（SEM）で観察を行った。その結
果、図５（c）で示す様に、良好な順テーパ状のモリブ
デン/アルミニウム/モリブデン積層膜が得られた。
【００１２】比較例2
前記図５（b）の基板を用いて、リン酸75重量％、硝酸3
重量％、酢酸5重量％、残分が水であるエッチング液で4
5℃、30秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチングを行
い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離液でフォ
トレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で観察
を行った。その結果、図５（ｄ）で示す様に、順テーパ
状のモリブデン/アルミニウム/モリブデン積層膜は得ら
れなかった。
重量％、酢酸5重量％、残分が水であるエッチング液で4
5℃、30秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチングを行
い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離液でフォ
トレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SEM）で観察
を行った。その結果、図５（ｄ）で示す様に、順テーパ
状のモリブデン/アルミニウム/モリブデン積層膜は得ら
れなかった。
【００１３】比較例3
前記図５（b）の基板を用いて、リン酸70重量％、硝酸4
重量％、プロピオン酸5重量％、残分が水であるエッチ
ング液で45℃、30秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチ
ングを行い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離
液でフォトレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SE
M）で観察を行った。その結果、図５（ｄ）で示す様
に、順テーパ状のモリブデン/アルミニウム/モリブデン
積層膜は得られなかった。
重量％、プロピオン酸5重量％、残分が水であるエッチ
ング液で45℃、30秒（30％オ−バ−エッチ時間）エッチ
ングを行い水でリンス後、乾燥し、さらにアミン系剥離
液でフォトレジスト23を剥離した後、電子顕微鏡（SE
M）で観察を行った。その結果、図５（ｄ）で示す様
に、順テーパ状のモリブデン/アルミニウム/モリブデン
積層膜は得られなかった。
【００１４】
【発明の効果】本発明のエッチング液組成物を使用する
ことにより、アルミニウム系金属配線とモリブテン等の
高融点金属配線との積層膜のウエットエッチングを良好
に行えるようになった。
ことにより、アルミニウム系金属配線とモリブテン等の
高融点金属配線との積層膜のウエットエッチングを良好
に行えるようになった。
【図１】逆スタガ型のＴＦＴパネル構造の概略の断面図
【図２】Ａｌ系金属配線の上層に、Ｍo系の高融点金属
配線を積層した積層配線構造
配線を積層した積層配線構造
【図３】Ａｌ系金属配線の上層、下層の両面に、Ｍo系
の高融点金属配線を積層した積層配線構造
の高融点金属配線を積層した積層配線構造
【図４】モリブデン/アルミニウム積層膜の製造工程図
【図５】モリブデン/アルミニウム/モリブデン積層膜の
製造工程図
製造工程図
１：ガラス基板 ２：ゲート電極 ３：ゲート絶縁膜
４：ｎ型半導体層 ５：ｉ型半導体層 ６：ソース電極 ７：ドレイン電極
２１：Ａｌ系ゲート電極 ２２：Mo系ゲート電極 ２
３：フォトレジスト
４：ｎ型半導体層 ５：ｉ型半導体層 ６：ソース電極 ７：ドレイン電極
２１：Ａｌ系ゲート電極 ２２：Mo系ゲート電極 ２
３：フォトレジスト
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/28 Ｈ０１Ｌ 21/28 Ｅ ５Ｆ１１０
21/306 21/306 Ｆ
21/3213 21/88 Ｃ
21/336 29/78 ６２７Ｃ
29/786 ６１７Ｌ
(72)発明者 青山 哲男
新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱
瓦斯化学株式会社新潟研究所内
Ｆターム(参考） 2H092 GA25 HA06 JA26 JB24 KA18
MA18 NA13 NA29
4K057 WA11 WB05 WB08 WC05 WE02
WE04 WE11 WN01
4M104 BB02 BB16 CC05 DD37 DD64
FF08 FF13 GG20 HH14
5F033 HH08 HH20 MM05 MM19 PP15
QQ08 QQ10 QQ20 QQ35 VV06
VV15 XX03
5F043 AA24 AA27 BB16 GG04
5F110 AA16 BB01 CC07 DD02 EE03
EE04 EE14 EE15 EE23 EE44
QQ05
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上のアルミニウム膜またはアルミニ
ウム合金膜を、エッチングする際に使用する、リン酸、
硝酸、有機酸および陽イオン成分を含有する水溶液から
なるエッチング液組成物。 - 【請求項２】 基板上のアルミニウム膜またはアルミニ
ウム合金膜が、モリブデン/アルミニウム積層膜また
は、モリブデン/アルミニウム/モリブデン積層膜である
ことを特徴とする請求項1記載のエッチング液組成物。 - 【請求項３】 陽イオン成分が、アンモニウムイオン、
アンミンイオン、第四級アンモニウムイオンまたはアル
カリ金属イオンであることを特徴とするエッチング液組
成物。
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ID=19031191
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- 2001-06-26 JP JP2001192791A patent/JP4596109B2/ja not_active Expired - Lifetime
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