JP2003013229A - Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 - Google Patents
Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法Info
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- JP2003013229A JP2003013229A JP2001194386A JP2001194386A JP2003013229A JP 2003013229 A JP2003013229 A JP 2003013229A JP 2001194386 A JP2001194386 A JP 2001194386A JP 2001194386 A JP2001194386 A JP 2001194386A JP 2003013229 A JP2003013229 A JP 2003013229A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微粒子の表面全体に薄膜を均一に成膜できる
ＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、微粒子
の表面全体に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
微粒子を収容する真空チャンバー１１と、この真空チャ
ンバーを回転させるモータ１６と、真空チャンバー内に
原料ガスを導入する原料ガス発生源２２と、真空チャン
バーにＲＦ出力を供給する高周波電源２５と、を具備
し、上記モータを用いて真空チャンバーを回転させるこ
とにより、真空チャンバー内の微粒子を動かしながら該
微粒子の表面全体に薄膜を成膜するものである。
ＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、微粒子
の表面全体に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
微粒子を収容する真空チャンバー１１と、この真空チャ
ンバーを回転させるモータ１６と、真空チャンバー内に
原料ガスを導入する原料ガス発生源２２と、真空チャン
バーにＲＦ出力を供給する高周波電源２５と、を具備
し、上記モータを用いて真空チャンバーを回転させるこ
とにより、真空チャンバー内の微粒子を動かしながら該
微粒子の表面全体に薄膜を成膜するものである。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微粒子に薄膜を成
膜するＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法に関する。
膜するＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion）成膜装置は、平面状の基板表面や比較的単純な立
体形状を持つ物体表面に所定の膜を成膜するものであ
る。硬質炭素膜成膜用のＣＶＤ成膜装置についても同様
である。
ion）成膜装置は、平面状の基板表面や比較的単純な立
体形状を持つ物体表面に所定の膜を成膜するものであ
る。硬質炭素膜成膜用のＣＶＤ成膜装置についても同様
である。
【０００３】一般的な高周波平行平板プラズマＣＶＤ装
置は、真空チャンバーを有し、この真空チャンバー内
で、高周波電源が接続された平板電極（カソード）と、
接地された平板電極（アノード）を平行に対向させた装
置である。このＣＶＤ装置には真空排気系とガス導入系
が組み込まれており、接地されたアノード電極は、表面
に無数の穴がシャワー状に分布したガスシャワー電極と
なって原料ガスを導入する場合もある。カソード電極と
高周波電源はマッチングボックスを介して接続されてい
る。
置は、真空チャンバーを有し、この真空チャンバー内
で、高周波電源が接続された平板電極（カソード）と、
接地された平板電極（アノード）を平行に対向させた装
置である。このＣＶＤ装置には真空排気系とガス導入系
が組み込まれており、接地されたアノード電極は、表面
に無数の穴がシャワー状に分布したガスシャワー電極と
なって原料ガスを導入する場合もある。カソード電極と
高周波電源はマッチングボックスを介して接続されてい
る。
【０００４】この装置を用いて例えばＤＬＣ膜を成膜す
る場合は次のような手順に従う。まず、カソード電極上
に成膜対象物（例えばＳｉウェハーやＳＵＳ板等）を固
定する。次いで、真空チャンバーを真空排気し、所定の
真空度に到達させる。次いで、原料ガスを真空チャンバ
ー内に供給する。なお、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)
成膜の場合は炭化水素系ガスを使用する。次いで、高周
波電源によってカソード電極にマッチングボックスを介
して高周波出力を印加する。これにより、アノード電極
とカソード電極との間に原料ガスによるプラズマが発生
し、カソード電極上にＤＬＣ膜が堆積する。次いで、所
定時間成膜後高周波出力を切り、ガス供給を止める。次
いで、真空排気を止めてチャンバーを大気開放し、成膜
対象物を取り出す。
る場合は次のような手順に従う。まず、カソード電極上
に成膜対象物（例えばＳｉウェハーやＳＵＳ板等）を固
定する。次いで、真空チャンバーを真空排気し、所定の
真空度に到達させる。次いで、原料ガスを真空チャンバ
ー内に供給する。なお、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)
成膜の場合は炭化水素系ガスを使用する。次いで、高周
波電源によってカソード電極にマッチングボックスを介
して高周波出力を印加する。これにより、アノード電極
とカソード電極との間に原料ガスによるプラズマが発生
し、カソード電極上にＤＬＣ膜が堆積する。次いで、所
定時間成膜後高周波出力を切り、ガス供給を止める。次
いで、真空排気を止めてチャンバーを大気開放し、成膜
対象物を取り出す。
【０００５】次に、従来の粉体成膜用スパッタ装置につ
いて説明する。この粉体成膜用スパッタ装置は、粉体表
面に膜をつける装置であって、回転可能に構成された回
転型真空チャンバーを有し、この真空チャンバーはドラ
ム形状からなり、この真空チャンバー内にターゲット電
極を配置し、真空チャンバーを接地し、真空チャンバー
中心線上に原料ターゲット電極を配置したスパッタ方式
である。このスパッタ装置は、回転型真空チャンバー内
に粉体を置き、この粉体表面にターゲットの材質と同様
の成分の膜を粉体表面に成膜するものである。
いて説明する。この粉体成膜用スパッタ装置は、粉体表
面に膜をつける装置であって、回転可能に構成された回
転型真空チャンバーを有し、この真空チャンバーはドラ
ム形状からなり、この真空チャンバー内にターゲット電
極を配置し、真空チャンバーを接地し、真空チャンバー
中心線上に原料ターゲット電極を配置したスパッタ方式
である。このスパッタ装置は、回転型真空チャンバー内
に粉体を置き、この粉体表面にターゲットの材質と同様
の成分の膜を粉体表面に成膜するものである。
【０００６】この装置を用いれば一般的なスパッタ装置
で成膜可能な膜を粉体表面に成膜する事が可能となる。
具体的には、例えばアルミなどの各種金属膜、ＳｉＯ2
膜、アルミナなどのセラミック膜などを粉体表面に成膜
することが可能である。
で成膜可能な膜を粉体表面に成膜する事が可能となる。
具体的には、例えばアルミなどの各種金属膜、ＳｉＯ2
膜、アルミナなどのセラミック膜などを粉体表面に成膜
することが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
高周波平行平板プラズマＣＶＤ装置では、あまり複雑な
形状のものにはつきまわり良くＣＶＤ膜を成膜すること
ができないため、粉体（微粒子）の全表面には均一に成
膜することができない。一方、前述したように粉体に成
膜する方法としては回転型真空チャンバーを用いた粉体
成膜用スパッタ装置があるが、ターゲット材質と同様の
成分の膜しか成膜することができない。従って、ＤＬＣ
などのＣＶＤ膜を粉体に成膜することは困難であった。
高周波平行平板プラズマＣＶＤ装置では、あまり複雑な
形状のものにはつきまわり良くＣＶＤ膜を成膜すること
ができないため、粉体（微粒子）の全表面には均一に成
膜することができない。一方、前述したように粉体に成
膜する方法としては回転型真空チャンバーを用いた粉体
成膜用スパッタ装置があるが、ターゲット材質と同様の
成分の膜しか成膜することができない。従って、ＤＬＣ
などのＣＶＤ膜を粉体に成膜することは困難であった。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、微粒子の表面全体に薄膜
を均一に成膜できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法
を提供することにある。
れたものであり、その目的は、微粒子の表面全体に薄膜
を均一に成膜できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、微粒子の表面全体
に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、微粒子を収
容する真空チャンバーと、この真空チャンバーを回転さ
せる駆動機構と、真空チャンバー内に原料ガスを導入す
る原料ガス導入機構と、真空チャンバーに電力を供給す
る電力供給機構と、を具備し、上記駆動機構を用いて真
空チャンバーを回転させることにより、真空チャンバー
内の微粒子を動かしながら該微粒子の表面全体に薄膜を
成膜することを特徴とする。
め、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、微粒子の表面全体
に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、微粒子を収
容する真空チャンバーと、この真空チャンバーを回転さ
せる駆動機構と、真空チャンバー内に原料ガスを導入す
る原料ガス導入機構と、真空チャンバーに電力を供給す
る電力供給機構と、を具備し、上記駆動機構を用いて真
空チャンバーを回転させることにより、真空チャンバー
内の微粒子を動かしながら該微粒子の表面全体に薄膜を
成膜することを特徴とする。
【００１０】上記ＣＶＤ成膜装置によれば、電力供給機
構によって真空チャンバーに電力を供給し、駆動機構で
真空チャンバーを回転させることによって微粒子を動か
しながら該微粒子の表面全体に薄膜を成膜している。こ
れにより、微粒子の表面全体に容易に薄膜を成膜するこ
とができる。
構によって真空チャンバーに電力を供給し、駆動機構で
真空チャンバーを回転させることによって微粒子を動か
しながら該微粒子の表面全体に薄膜を成膜している。こ
れにより、微粒子の表面全体に容易に薄膜を成膜するこ
とができる。
【００１１】また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置におい
ては、上記真空チャンバーは円筒形状部を有しており、
上記原料ガス導入機構における原料ガスの導入方向は、
重力方向に対して真空チャンバーの回転方向に３０°以
上９０°以下の方向であることが好ましい。
ては、上記真空チャンバーは円筒形状部を有しており、
上記原料ガス導入機構における原料ガスの導入方向は、
重力方向に対して真空チャンバーの回転方向に３０°以
上９０°以下の方向であることが好ましい。
【００１２】また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置におい
ては、上記真空チャンバー内に配置され、接地電位に接
続された内部電極をさらに含み、この内部電極は真空チ
ャンバーの内径より小さい外径を有し、内部電極と真空
チャンバーとの隙間がパッシェンの法則に基づいて成膜
時の圧力から放電が発生しないように決定されており、
内部電極は放電空間として作用する中空部を有すると共
に開口部を有し、この中空部は該開口部を介して真空チ
ャンバーの内面に繋げられていることも可能である。こ
れにより、真空チャンバーを回転させて成膜している時
にチャンバー内面にＤＬＣ膜が形成されることを抑制す
ることができる
ては、上記真空チャンバー内に配置され、接地電位に接
続された内部電極をさらに含み、この内部電極は真空チ
ャンバーの内径より小さい外径を有し、内部電極と真空
チャンバーとの隙間がパッシェンの法則に基づいて成膜
時の圧力から放電が発生しないように決定されており、
内部電極は放電空間として作用する中空部を有すると共
に開口部を有し、この中空部は該開口部を介して真空チ
ャンバーの内面に繋げられていることも可能である。こ
れにより、真空チャンバーを回転させて成膜している時
にチャンバー内面にＤＬＣ膜が形成されることを抑制す
ることができる
【００１３】また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置におい
ては、内部電極における中空部の内表面の面積が該中空
部内から該開口部を通して見える真空チャンバーの内表
面の面積に比べて大きいことも可能である。このように
する事で成膜時に微粒子表面に負の自己バイアスをかけ
る事が可能となり、微粒子表面に緻密なＤＬＣ薄膜を成
膜することができる。
ては、内部電極における中空部の内表面の面積が該中空
部内から該開口部を通して見える真空チャンバーの内表
面の面積に比べて大きいことも可能である。このように
する事で成膜時に微粒子表面に負の自己バイアスをかけ
る事が可能となり、微粒子表面に緻密なＤＬＣ薄膜を成
膜することができる。
【００１４】また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置におい
て、上記内部電極における中空部の内表面には、該内部
電極に薄膜が成膜されることを抑制する防着板が配置さ
れていることも可能である。また、上記防着板を所定温
度に加熱する加熱部をさらに含むことも可能である。
て、上記内部電極における中空部の内表面には、該内部
電極に薄膜が成膜されることを抑制する防着板が配置さ
れていることも可能である。また、上記防着板を所定温
度に加熱する加熱部をさらに含むことも可能である。
【００１５】本発明に係るＣＶＤ成膜方法は、微粒子の
表面全体に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜方法であって、真
空チャンバー内にアース電極を配置し、真空チャンバー
内に微粒子を収容し、真空チャンバー内に原料ガスを供
給し、真空チャンバーを回転させることにより真空チャ
ンバー内の微粒子を動かし、真空チャンバーに電力を供
給し、アース電極と真空チャンバーの間に原料ガス系プ
ラズマを発生させることにより、微粒子の表面全体に薄
膜を成膜することを特徴とする。
表面全体に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜方法であって、真
空チャンバー内にアース電極を配置し、真空チャンバー
内に微粒子を収容し、真空チャンバー内に原料ガスを供
給し、真空チャンバーを回転させることにより真空チャ
ンバー内の微粒子を動かし、真空チャンバーに電力を供
給し、アース電極と真空チャンバーの間に原料ガス系プ
ラズマを発生させることにより、微粒子の表面全体に薄
膜を成膜することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるＣＶＤ成膜装置を模式的に示す構成
図である。図２は、図１に示す２−２線に沿った断面図
である。
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるＣＶＤ成膜装置を模式的に示す構成
図である。図２は、図１に示す２−２線に沿った断面図
である。
【００１７】ＣＶＤ成膜装置は、ドラム缶のような真空
チャンバー１１、この真空チャンバー１１内に原料ガス
を導入する原料ガス導入機構、真空チャンバー１１を回
転させる回転駆動機構、真空チャンバー１１に高周波電
力（ＲＦ出力）を供給する電力供給機構、及び、真空チ
ャンバー１１内を真空排気する真空排気機構から構成さ
れている。
チャンバー１１、この真空チャンバー１１内に原料ガス
を導入する原料ガス導入機構、真空チャンバー１１を回
転させる回転駆動機構、真空チャンバー１１に高周波電
力（ＲＦ出力）を供給する電力供給機構、及び、真空チ
ャンバー１１内を真空排気する真空排気機構から構成さ
れている。
【００１８】図１に示すように、真空チャンバー１１
は、コーティング対象の微粒子２３を収容するものであ
って、円筒形状部１１ａ、一端封止部１１ｂ及び他端封
止部１１ｃから構成されている。円筒形状部１１ａは、
全体として円筒形状を有する必要は必ずしも無く、円筒
形状が部分的に形成されているものであれば良い。円筒
形状部１１ａの一方側は平面が略円形状の一端封止部１
１ｂにより封止されており、円筒形状部１１ａの他方側
は平面が略円形状の他端封止部１１ｃにより封止されて
いる。
は、コーティング対象の微粒子２３を収容するものであ
って、円筒形状部１１ａ、一端封止部１１ｂ及び他端封
止部１１ｃから構成されている。円筒形状部１１ａは、
全体として円筒形状を有する必要は必ずしも無く、円筒
形状が部分的に形成されているものであれば良い。円筒
形状部１１ａの一方側は平面が略円形状の一端封止部１
１ｂにより封止されており、円筒形状部１１ａの他方側
は平面が略円形状の他端封止部１１ｃにより封止されて
いる。
【００１９】他端封止部１１ｃの中央には開口部が形成
されており、この開口部を通して筒状のガスシャワー電
極１２が配置されている。この開口部の内壁面とガスシ
ャワー電極１２との間には磁性流体シール部１７が配置
されている。この磁性流体シール部１７は、磁性流体に
よって真空チャンバー１１内の気密を保持するものであ
る。このガスシャワー電極１２は接地電位に接続されて
いる。ガスシャワー電極１２の内部には冷却水が循環さ
れており、成膜時にガスシャワー電極を一定温度に制御
するようになっている。
されており、この開口部を通して筒状のガスシャワー電
極１２が配置されている。この開口部の内壁面とガスシ
ャワー電極１２との間には磁性流体シール部１７が配置
されている。この磁性流体シール部１７は、磁性流体に
よって真空チャンバー１１内の気密を保持するものであ
る。このガスシャワー電極１２は接地電位に接続されて
いる。ガスシャワー電極１２の内部には冷却水が循環さ
れており、成膜時にガスシャワー電極を一定温度に制御
するようになっている。
【００２０】ガスシャワー電極１２の一方側は真空チャ
ンバー１１内に配置され、ガスシャワー電極１２の他方
側は真空チャンバー１１外に配置されている。ガスシャ
ワー電極１２は、その内部が二重管で構成されており、
内側の管が原料ガスを供給するものであり、外側の管が
真空チャンバー１１内を排気する管として用いられる。
ンバー１１内に配置され、ガスシャワー電極１２の他方
側は真空チャンバー１１外に配置されている。ガスシャ
ワー電極１２は、その内部が二重管で構成されており、
内側の管が原料ガスを供給するものであり、外側の管が
真空チャンバー１１内を排気する管として用いられる。
【００２１】ガスシャワー電極１２の一方側には、原料
ガスをシャワー状に吹き出すガス吹き出し口１２ａが複
数形成されている。これらのガス吹き出し口１２ａは、
上記内側の管の一方側に繋げられている。ガス吹き出し
口１２ａは、図２に示すように重力方向１４に対して真
空チャンバーの回転方向１３に３０°〜９０°程度の方
向（好ましくは６０°程度の方向）に配置されている。
ガスをシャワー状に吹き出すガス吹き出し口１２ａが複
数形成されている。これらのガス吹き出し口１２ａは、
上記内側の管の一方側に繋げられている。ガス吹き出し
口１２ａは、図２に示すように重力方向１４に対して真
空チャンバーの回転方向１３に３０°〜９０°程度の方
向（好ましくは６０°程度の方向）に配置されている。
【００２２】上記内側の管の他方側には真空バルブ１８
を介してマスフローコントローラー１９の一方側に接続
されている。マスフローコントローラー１９の他方側は
真空バルブ２０及びフィルター２１を介して原料ガス発
生源２２に接続されている。この原料ガス発生源２２
は、成膜する薄膜によって発生させる原料ガスの種類が
異なるが、例えばＤＬＣ膜を成膜する場合は炭化水素ガ
ス等を発生させるものとする。
を介してマスフローコントローラー１９の一方側に接続
されている。マスフローコントローラー１９の他方側は
真空バルブ２０及びフィルター２１を介して原料ガス発
生源２２に接続されている。この原料ガス発生源２２
は、成膜する薄膜によって発生させる原料ガスの種類が
異なるが、例えばＤＬＣ膜を成膜する場合は炭化水素ガ
ス等を発生させるものとする。
【００２３】前記回転駆動機構は、真空チャンバー１１
を回転させるものであって、円筒形状部１１ａの外表面
に取り付けられたローラー１５と、このローラーを回転
させるモータ１６と、から構成されている。つまり、モ
ータ１６によってローラー１５を回転させ、この回転力
を真空チャンバー１１の外表面に伝えることにより、図
２に示すように、ガスシャワー電極１２を回転中心とし
て真空チャンバー１１を矢印１３のように回転させるよ
うになっている。真空チャンバー１１を回転させると、
その内部に収容された微粒子２３が真空チャンバー内面
を転がる。なお、真空チャンバー１１内の気密性は、真
空チャンバー１１の回転時においても磁性流体シール部
１７によって保持される。
を回転させるものであって、円筒形状部１１ａの外表面
に取り付けられたローラー１５と、このローラーを回転
させるモータ１６と、から構成されている。つまり、モ
ータ１６によってローラー１５を回転させ、この回転力
を真空チャンバー１１の外表面に伝えることにより、図
２に示すように、ガスシャワー電極１２を回転中心とし
て真空チャンバー１１を矢印１３のように回転させるよ
うになっている。真空チャンバー１１を回転させると、
その内部に収容された微粒子２３が真空チャンバー内面
を転がる。なお、真空チャンバー１１内の気密性は、真
空チャンバー１１の回転時においても磁性流体シール部
１７によって保持される。
【００２４】前記電力供給機構は、真空チャンバー１１
に高周波電力（ＲＦ出力）を供給するものであって、イ
ンピーダンス整合器（マッチングボックス）２４及び高
周波電源２５などから構成されている。つまり、真空チ
ャンバー１１はマッチングボックス２４に接続されてお
り、マッチングボックス２４は同軸ケーブルを介して高
周波電源（ＲＦ電源）２５に接続されている。
に高周波電力（ＲＦ出力）を供給するものであって、イ
ンピーダンス整合器（マッチングボックス）２４及び高
周波電源２５などから構成されている。つまり、真空チ
ャンバー１１はマッチングボックス２４に接続されてお
り、マッチングボックス２４は同軸ケーブルを介して高
周波電源（ＲＦ電源）２５に接続されている。
【００２５】前記真空排気機構は真空チャンバー１１内
を真空排気するものである。ガスシャワー電極１２に
は、真空チャンバー１１内を排気する排気口１２ｂが複
数設けられている。排気口１２ｂはガスシャワー電極の
外側の管の一端に繋がっており、該外側の管の他端は配
管を介して真空バルブ２７、手動バタフライバルブ２８
及び大気開放用のリーク弁２９に接続されている。手動
バタフライバルブ２８は、メインバルブとして機能する
ものであって、バルブの開きを手動で調節することによ
って真空チャンバー１１内の圧力を調整するものであ
る。
を真空排気するものである。ガスシャワー電極１２に
は、真空チャンバー１１内を排気する排気口１２ｂが複
数設けられている。排気口１２ｂはガスシャワー電極の
外側の管の一端に繋がっており、該外側の管の他端は配
管を介して真空バルブ２７、手動バタフライバルブ２８
及び大気開放用のリーク弁２９に接続されている。手動
バタフライバルブ２８は、メインバルブとして機能する
ものであって、バルブの開きを手動で調節することによ
って真空チャンバー１１内の圧力を調整するものであ
る。
【００２６】また、配管は、その内部の圧力を計測する
イオンゲージ３６及びピラニゲージ３７に接続されてい
る。イオンゲージ３６は１０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空圧
力まで計測できるものであり、ピラニゲージ３７は１０
-2Ｔｏｒｒ以上の低真空圧力を計測するものである。手
動バタフライバルブ２８は配管を介して高真空引き用の
ターボ分子ポンプ３０に接続されており、ターボ分子ポ
ンプ３０は冷却水によって冷却されるように構成されて
いる。ターボ分子ポンプ３０は１０-6Ｔｏｒｒ以下の高
真空に引くことができるものである。
イオンゲージ３６及びピラニゲージ３７に接続されてい
る。イオンゲージ３６は１０-6Ｔｏｒｒ以下の高真空圧
力まで計測できるものであり、ピラニゲージ３７は１０
-2Ｔｏｒｒ以上の低真空圧力を計測するものである。手
動バタフライバルブ２８は配管を介して高真空引き用の
ターボ分子ポンプ３０に接続されており、ターボ分子ポ
ンプ３０は冷却水によって冷却されるように構成されて
いる。ターボ分子ポンプ３０は１０-6Ｔｏｒｒ以下の高
真空に引くことができるものである。
【００２７】ターボ分子ポンプ３０は配管を介して真空
バルブ３１に接続されている。この真空バルブ３１及び
上記真空バルブ２７は配管を介して低真空引き用のロー
タリーポンプ３２に接続されており、ロータリーポンプ
３２は配管を介してオイルミストトラップ３３に接続さ
れている。オイルミストトラップ３３は、ポンプ３２で
発生したオイルミストなどが配管を通じて下流側に飛散
するのを防止するものである。
バルブ３１に接続されている。この真空バルブ３１及び
上記真空バルブ２７は配管を介して低真空引き用のロー
タリーポンプ３２に接続されており、ロータリーポンプ
３２は配管を介してオイルミストトラップ３３に接続さ
れている。オイルミストトラップ３３は、ポンプ３２で
発生したオイルミストなどが配管を通じて下流側に飛散
するのを防止するものである。
【００２８】次に、上記ＣＶＤ成膜装置を用いて容器の
内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。図３
は、図１に示すＣＶＤ成膜装置を用いて微粒子に薄膜を
被覆した粉体を示す断面図である。
内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。図３
は、図１に示すＣＶＤ成膜装置を用いて微粒子に薄膜を
被覆した粉体を示す断面図である。
【００２９】まず、図２に示す複数の微粒子２３からな
る粉体を真空チャンバー１１内に収容する。この後、モ
ータ１６によってローラー１５を回転させ、この回転力
を真空チャンバー１１の外表面に伝えることにより、ガ
スシャワー電極１２を回転中心として真空チャンバー１
１を矢印１３のように回転させる。真空チャンバー１１
を回転させると、その内部に収容された微粒子２３が真
空チャンバー内面において重力方向１４とそれに対して
回転方向１３に９０°の間を転がりながら動く。
る粉体を真空チャンバー１１内に収容する。この後、モ
ータ１６によってローラー１５を回転させ、この回転力
を真空チャンバー１１の外表面に伝えることにより、ガ
スシャワー電極１２を回転中心として真空チャンバー１
１を矢印１３のように回転させる。真空チャンバー１１
を回転させると、その内部に収容された微粒子２３が真
空チャンバー内面において重力方向１４とそれに対して
回転方向１３に９０°の間を転がりながら動く。
【００３０】次に、手動バタフライバルブ２８、真空バ
ルブ３１及びリーク弁２９を閉じ、真空バルブ２７を開
いて、ロータリーポンプ３２を作動させる。これによ
り、排気口１２ｂ、ガスシャワー電極の外側の管、配管
を通して真空チャンバー１１内が真空排気される。次い
で、真空チャンバー１１内が所定の圧力となったことを
ピラニゲージ３７によって確認した後、ロータリーポン
プ３２を停止し、真空バルブ２７を閉じ、真空バルブ３
１を開いて、ターボ分子ポンプ３０を作動させる。そし
て、１Ｔｏｒｒ未満まで真空引きした後、手動バタフラ
イバルブ２８を開く。これにより、排気口１２ｂ、ガス
シャワー電極の外側の管、配管を通して真空チャンバー
１１内が真空排気され、真空チャンバー１１内を高真空
状態まで真空引きされる。この際、イオンゲージ３６に
より計測された真空チャンバー１１内の圧力をオペレー
タが観察しながら、手動バタフライバルブ２８の開きを
調節して真空チャンバー１１内の圧力を所定値になるよ
うに調整する。また、このとき、ターボ分子ポンプ３０
は冷却水により冷却されている。
ルブ３１及びリーク弁２９を閉じ、真空バルブ２７を開
いて、ロータリーポンプ３２を作動させる。これによ
り、排気口１２ｂ、ガスシャワー電極の外側の管、配管
を通して真空チャンバー１１内が真空排気される。次い
で、真空チャンバー１１内が所定の圧力となったことを
ピラニゲージ３７によって確認した後、ロータリーポン
プ３２を停止し、真空バルブ２７を閉じ、真空バルブ３
１を開いて、ターボ分子ポンプ３０を作動させる。そし
て、１Ｔｏｒｒ未満まで真空引きした後、手動バタフラ
イバルブ２８を開く。これにより、排気口１２ｂ、ガス
シャワー電極の外側の管、配管を通して真空チャンバー
１１内が真空排気され、真空チャンバー１１内を高真空
状態まで真空引きされる。この際、イオンゲージ３６に
より計測された真空チャンバー１１内の圧力をオペレー
タが観察しながら、手動バタフライバルブ２８の開きを
調節して真空チャンバー１１内の圧力を所定値になるよ
うに調整する。また、このとき、ターボ分子ポンプ３０
は冷却水により冷却されている。
【００３１】次に、真空バルブ１８，２０を開き、原料
ガス発生源２２において原料ガス（例えば炭化水素ガ
ス）を発生させ、この炭化水素ガスをフィルター２１、
真空バルブ２０を通して配管内に導入し、マスフローコ
ントローラー１９によって流量制御された炭化水素ガス
を配管及びガスシャワー電極１２の内側の管に導入す
る。そして、この内側の管を通った炭化水素ガスをガス
吹き出し口１２ａから吹き出させる。これにより、真空
チャンバー１１内を転がりながら動いている微粒子２３
に炭化水素ガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と
排気能力のバランスによって、ＤＬＣ薄膜の成膜に適し
た圧力に保たれる。
ガス発生源２２において原料ガス（例えば炭化水素ガ
ス）を発生させ、この炭化水素ガスをフィルター２１、
真空バルブ２０を通して配管内に導入し、マスフローコ
ントローラー１９によって流量制御された炭化水素ガス
を配管及びガスシャワー電極１２の内側の管に導入す
る。そして、この内側の管を通った炭化水素ガスをガス
吹き出し口１２ａから吹き出させる。これにより、真空
チャンバー１１内を転がりながら動いている微粒子２３
に炭化水素ガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と
排気能力のバランスによって、ＤＬＣ薄膜の成膜に適し
た圧力に保たれる。
【００３２】この後、真空チャンバー１１にマッチング
ボックス２４を介して高周波電源（ＲＦ電源）２５から
例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ出力が供給される。これ
により、真空チャンバー１１とガスシャワー電極１２と
の間にプラズマを着火する。このとき、マッチングボッ
クス２４は、真空チャンバー１１とガスシャワー電極１
２のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタ
ンスＣによって合わせている。これによって、真空チャ
ンバー１１内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜
が微粒子２３の表面全体に成膜される。つまり、真空チ
ャンバー１１を回転させることによって微粒子２３を転
がしているため、図３に示すように、微粒子２３の表面
全体にＤＬＣ膜３５を均一に成膜することが容易にでき
る。
ボックス２４を介して高周波電源（ＲＦ電源）２５から
例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ出力が供給される。これ
により、真空チャンバー１１とガスシャワー電極１２と
の間にプラズマを着火する。このとき、マッチングボッ
クス２４は、真空チャンバー１１とガスシャワー電極１
２のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタ
ンスＣによって合わせている。これによって、真空チャ
ンバー１１内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜
が微粒子２３の表面全体に成膜される。つまり、真空チ
ャンバー１１を回転させることによって微粒子２３を転
がしているため、図３に示すように、微粒子２３の表面
全体にＤＬＣ膜３５を均一に成膜することが容易にでき
る。
【００３３】ここで、微粒子２３を構成する母材は、金
属でもセラミックでも良く、種々の材料を用いることが
可能である。また、微粒子２３は、単一の物質から構成
されている必要は必ずしも無く、複数の物質を混合した
ものから構成されていることも可能である。また、微粒
子２３の形状は、種々の形状を用いることが可能であ
り、例えば球又は球に近い形状とすることが好ましい。
また、微粒子２３の粒径２３ａは１０μｍ以下であるこ
とが好ましい。また、ＤＬＣ膜３５は、炭素を主成分と
する非晶質炭素系薄膜であって、種々の硬質炭素膜を含
むものである。
属でもセラミックでも良く、種々の材料を用いることが
可能である。また、微粒子２３は、単一の物質から構成
されている必要は必ずしも無く、複数の物質を混合した
ものから構成されていることも可能である。また、微粒
子２３の形状は、種々の形状を用いることが可能であ
り、例えば球又は球に近い形状とすることが好ましい。
また、微粒子２３の粒径２３ａは１０μｍ以下であるこ
とが好ましい。また、ＤＬＣ膜３５は、炭素を主成分と
する非晶質炭素系薄膜であって、種々の硬質炭素膜を含
むものである。
【００３４】上記第１の実施の形態によれば、真空チャ
ンバー１１にＲＦ出力を供給し、真空チャンバー１１を
回転させることによって微粒子２３を転がしながら該微
粒子の表面全体に薄膜（ＤＬＣ膜）を被覆している。こ
れにより、微粒子２３の表面全体に容易にＤＬＣ膜３５
を均一に成膜することができる。
ンバー１１にＲＦ出力を供給し、真空チャンバー１１を
回転させることによって微粒子２３を転がしながら該微
粒子の表面全体に薄膜（ＤＬＣ膜）を被覆している。こ
れにより、微粒子２３の表面全体に容易にＤＬＣ膜３５
を均一に成膜することができる。
【００３５】図４は、本発明に係る第２の実施の形態に
よるＣＶＤ成膜装置を模式的に示す断面図であり、図１
及び図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
よるＣＶＤ成膜装置を模式的に示す断面図であり、図１
及び図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
【００３６】真空チャンバー１１内には内部電極４２が
配置されている。この内部電極（アノード電極）４２
は、冷却板３８、断熱材３９、ヒーターユニット４０及
び防着板４１から構成されている。冷却板３８の内側に
は断熱材３９が形成されており、この断熱材３９の内側
にはヒーターユニット４０が形成されている。このヒー
ターユニット４０の内側には防着板４１が形成されてい
る。
配置されている。この内部電極（アノード電極）４２
は、冷却板３８、断熱材３９、ヒーターユニット４０及
び防着板４１から構成されている。冷却板３８の内側に
は断熱材３９が形成されており、この断熱材３９の内側
にはヒーターユニット４０が形成されている。このヒー
ターユニット４０の内側には防着板４１が形成されてい
る。
【００３７】内部電極４２は、図１に示すガスシャワー
電極１２と同様に他端封止部１１ｃの開口部を通して真
空チャンバー内に挿入して配置されている。また、内部
電極４２は、図４に示すように真空チャンバー１１の内
径より少し小さい外径を有する。内部電極４２と真空チ
ャンバー１１の内面との隙間（即ち、冷却板３８と真空
チャンバー１１の内面との隙間）は、パッシェンの法則
に基づいて成膜時の圧力から放電が発生しないように決
定され、通常は３ｍｍ〜３ｃｍ程度である。
電極１２と同様に他端封止部１１ｃの開口部を通して真
空チャンバー内に挿入して配置されている。また、内部
電極４２は、図４に示すように真空チャンバー１１の内
径より少し小さい外径を有する。内部電極４２と真空チ
ャンバー１１の内面との隙間（即ち、冷却板３８と真空
チャンバー１１の内面との隙間）は、パッシェンの法則
に基づいて成膜時の圧力から放電が発生しないように決
定され、通常は３ｍｍ〜３ｃｍ程度である。
【００３８】内部電極４２の断面は図４に示すように馬
蹄形状からなり、内部電極４２には開口部４４が設けら
れている。内部電極４２は、放電空間４３として作用す
る中空部を持つシリンダのような形状となっている。プ
ラズマはシリンダの中空部（放電空間４３）に発生する
ように構成されている。この中空部の形状は、内部電極
４２における中空部の内表面の面積が、中空部内から開
口部４４を通して見える真空チャンバー１１の内表面の
面積に比べて十分大きくなるように決定される。このよ
うにする事で成膜時に粉体表面に負の自己バイアスをか
ける事が可能となり、粉体表面に緻密なＤＬＣ薄膜を堆
積させる事が可能となる。
蹄形状からなり、内部電極４２には開口部４４が設けら
れている。内部電極４２は、放電空間４３として作用す
る中空部を持つシリンダのような形状となっている。プ
ラズマはシリンダの中空部（放電空間４３）に発生する
ように構成されている。この中空部の形状は、内部電極
４２における中空部の内表面の面積が、中空部内から開
口部４４を通して見える真空チャンバー１１の内表面の
面積に比べて十分大きくなるように決定される。このよ
うにする事で成膜時に粉体表面に負の自己バイアスをか
ける事が可能となり、粉体表面に緻密なＤＬＣ薄膜を堆
積させる事が可能となる。
【００３９】内部電極４２の中空部の内表面には原料ガ
スをシャワー状に供給するガス吹き出し口（図示せず）
が複数設けられている。これらガス吹き出し口は、第１
の実施の形態と同様に真空バルブ１８を介してマスフロ
ーコントローラー１９の一方側に接続されている。ま
た、内部電極の開口部４４の角度（開口部４４の開き具
合）は一度に処理する粉体の量に応じて決定されるが、
上述したようにシリンダ中空部の表面積に比べて小さく
なるように設計される。
スをシャワー状に供給するガス吹き出し口（図示せず）
が複数設けられている。これらガス吹き出し口は、第１
の実施の形態と同様に真空バルブ１８を介してマスフロ
ーコントローラー１９の一方側に接続されている。ま
た、内部電極の開口部４４の角度（開口部４４の開き具
合）は一度に処理する粉体の量に応じて決定されるが、
上述したようにシリンダ中空部の表面積に比べて小さく
なるように設計される。
【００４０】上述したように内部電極４２における最内
側には防着板４１が形成されており、この防着板４１は
中空部内であって該内部電極においてプラズマが発生す
る放電空間４３に接する部分に位置している。防着板４
１は、内部電極４２に薄膜が成膜されることを抑制する
ためのものである。防着板４１はヒーターユニット４０
によって加熱されて所定温度に保持されるようになって
いる。防着板４１の保持温度は、成膜条件などによって
適切な温度を適宜採用すれば良いが、好ましい一例とし
ては３５０℃以上である。
側には防着板４１が形成されており、この防着板４１は
中空部内であって該内部電極においてプラズマが発生す
る放電空間４３に接する部分に位置している。防着板４
１は、内部電極４２に薄膜が成膜されることを抑制する
ためのものである。防着板４１はヒーターユニット４０
によって加熱されて所定温度に保持されるようになって
いる。防着板４１の保持温度は、成膜条件などによって
適切な温度を適宜採用すれば良いが、好ましい一例とし
ては３５０℃以上である。
【００４１】このようにヒーターによって防着板を所定
温度（例えば３５０℃以上）に加熱して保持した状態
で、粉体（微粒子）２３に薄膜を成膜すると、内部電極
４２に薄膜が付着するのを抑制することができる。即
ち、内部電極のプラズマに接する部分に薄膜が付着する
ことを抑制できるので、内部電極に付着した薄膜が剥離
されることもない。
温度（例えば３５０℃以上）に加熱して保持した状態
で、粉体（微粒子）２３に薄膜を成膜すると、内部電極
４２に薄膜が付着するのを抑制することができる。即
ち、内部電極のプラズマに接する部分に薄膜が付着する
ことを抑制できるので、内部電極に付着した薄膜が剥離
されることもない。
【００４２】防着板４１の材質としては、防着板を使用
する際の温度に耐える金属であれば、種々の金属を用い
ることも可能であり、例えばＳｉ、Ｓｉ化合物（例えば
ＳｉＣ、ＳｉＯ2など）、Ｃｒ、Ｔｉなどが好ましく、
具体的にはブラスト処理したクロム板、表面をＳｉＯ2
処理したアルミ板などが好ましい。
する際の温度に耐える金属であれば、種々の金属を用い
ることも可能であり、例えばＳｉ、Ｓｉ化合物（例えば
ＳｉＣ、ＳｉＯ2など）、Ｃｒ、Ｔｉなどが好ましく、
具体的にはブラスト処理したクロム板、表面をＳｉＯ2
処理したアルミ板などが好ましい。
【００４３】ヒーターユニット４０と冷却板３８との間
には断熱材３９が配置されており、冷却板３８は冷却手
段（図示せず）によって冷却されて所定温度に保持され
るようになっている。
には断熱材３９が配置されており、冷却板３８は冷却手
段（図示せず）によって冷却されて所定温度に保持され
るようになっている。
【００４４】上記第２の実施の形態においても、第１の
実施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわ
ち、真空チャンバー１１にＲＦ出力を供給し、真空チャ
ンバー１１を回転させることによって微粒子２３を転が
しながら該微粒子の表面全体に薄膜（ＤＬＣ膜）を被覆
している。これにより、微粒子２３の表面全体に容易に
ＤＬＣ膜３５を均一に成膜することができる。
実施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわ
ち、真空チャンバー１１にＲＦ出力を供給し、真空チャ
ンバー１１を回転させることによって微粒子２３を転が
しながら該微粒子の表面全体に薄膜（ＤＬＣ膜）を被覆
している。これにより、微粒子２３の表面全体に容易に
ＤＬＣ膜３５を均一に成膜することができる。
【００４５】また、第２の実施の形態では、成膜時に
は、プラズマの発生する場所である内部電極４２の開口
部４４の近傍における真空チャンバー１１の内表面が粉
体２３によって覆われているので、真空チャンバー１１
の内表面にＤＬＣ膜が形成される事はない。そのため、
真空チャンバーからの膜剥離、異常放電、放電不安定等
の問題が生じることがなく、安定して粉体表面に均一に
ＤＬＣ膜を形成させる事が可能となる。
は、プラズマの発生する場所である内部電極４２の開口
部４４の近傍における真空チャンバー１１の内表面が粉
体２３によって覆われているので、真空チャンバー１１
の内表面にＤＬＣ膜が形成される事はない。そのため、
真空チャンバーからの膜剥離、異常放電、放電不安定等
の問題が生じることがなく、安定して粉体表面に均一に
ＤＬＣ膜を形成させる事が可能となる。
【００４６】つまり、第２の実施の形態では、アース電
極である内部電極４２に比してカソード電極を兼ねる真
空チャンバー１１の内面の面積が大きいので、プラズマ
発生時に粉体表面にマイナス（−）の自己バイアスをか
ける事が可能となり、プラス（＋）の自己バイアス電圧
が粉体表面に生じることを抑制できる。これにより、十
分に緻密なＤＬＣ膜を形成することができる。
極である内部電極４２に比してカソード電極を兼ねる真
空チャンバー１１の内面の面積が大きいので、プラズマ
発生時に粉体表面にマイナス（−）の自己バイアスをか
ける事が可能となり、プラス（＋）の自己バイアス電圧
が粉体表面に生じることを抑制できる。これにより、十
分に緻密なＤＬＣ膜を形成することができる。
【００４７】また、第２の実施の形態では、内部電極４
２を真空チャンバー１１の内径より少し小さい外径を有
するように形成し、内部電極４２と真空チャンバー１１
の内面との隙間を、パッシェンの法則に基づいて成膜時
の圧力から放電が発生しないように決定している。この
ため、粉体２３で覆っているチャンバー内面にのみプラ
ズマを発生させ、粉体２３で覆っていないチャンバー内
面にプラズマが接しないようにすることができる。これ
により、真空チャンバー１１を回転させて成膜している
時にチャンバー内面にＤＬＣ膜が形成されることを抑制
することができる。従って、長時間成膜を行っても、チ
ャンバー内面にＤＬＣ膜が形成され厚膜化する事に起因
する放電条件の変化を防止でき、異常放電を防止し、安
定放電を持続することが可能となる。よって、ＣＶＤ成
膜装置を長時間運転しても安定成膜が実現できる。
２を真空チャンバー１１の内径より少し小さい外径を有
するように形成し、内部電極４２と真空チャンバー１１
の内面との隙間を、パッシェンの法則に基づいて成膜時
の圧力から放電が発生しないように決定している。この
ため、粉体２３で覆っているチャンバー内面にのみプラ
ズマを発生させ、粉体２３で覆っていないチャンバー内
面にプラズマが接しないようにすることができる。これ
により、真空チャンバー１１を回転させて成膜している
時にチャンバー内面にＤＬＣ膜が形成されることを抑制
することができる。従って、長時間成膜を行っても、チ
ャンバー内面にＤＬＣ膜が形成され厚膜化する事に起因
する放電条件の変化を防止でき、異常放電を防止し、安
定放電を持続することが可能となる。よって、ＣＶＤ成
膜装置を長時間運転しても安定成膜が実現できる。
【００４８】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、微粒子２３に薄膜を
成膜する成膜条件を適宜変更することも可能である。ま
た例えば、原料ガス発生源としては、炭化水素ガスの発
生源に限られず、種々の発生源を用いることも可能であ
り、それにより、微粒子２３にＤＬＣ膜以外の薄膜を成
膜することが可能となる。つまり、上記実施の形態で
は、ＣＶＤ成膜装置で成膜する薄膜としてＤＬＣ膜を挙
げているが、微粒子２３の表面全体に他の薄膜を被覆す
る際に上記ＣＶＤ成膜装置を用いることも可能である。
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、微粒子２３に薄膜を
成膜する成膜条件を適宜変更することも可能である。ま
た例えば、原料ガス発生源としては、炭化水素ガスの発
生源に限られず、種々の発生源を用いることも可能であ
り、それにより、微粒子２３にＤＬＣ膜以外の薄膜を成
膜することが可能となる。つまり、上記実施の形態で
は、ＣＶＤ成膜装置で成膜する薄膜としてＤＬＣ膜を挙
げているが、微粒子２３の表面全体に他の薄膜を被覆す
る際に上記ＣＶＤ成膜装置を用いることも可能である。
【００４９】また、上記実施の形態では、前述した真空
排気機構を用いているが、これに限定されるものではな
く、全自動化した真空排気機構を用いることも可能であ
る。
排気機構を用いているが、これに限定されるものではな
く、全自動化した真空排気機構を用いることも可能であ
る。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
力供給機構によって真空チャンバーに電力を供給し、駆
動機構で真空チャンバーを回転させることによって微粒
子を動かしながら該微粒子の表面全体に薄膜を成膜して
いる。したがって、微粒子の表面全体に薄膜を均一に成
膜できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供する
ことができる。
力供給機構によって真空チャンバーに電力を供給し、駆
動機構で真空チャンバーを回転させることによって微粒
子を動かしながら該微粒子の表面全体に薄膜を成膜して
いる。したがって、微粒子の表面全体に薄膜を均一に成
膜できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態によるＣＶＤ成
膜装置を模式的に示す構成図である。
膜装置を模式的に示す構成図である。
【図２】図１に示す２−２線に沿った断面図である。
【図３】図１に示すＣＶＤ成膜装置を用いて微粒子に薄
膜を被覆した粉体を示す断面図である。
膜を被覆した粉体を示す断面図である。
【図４】本発明に係る第２の実施の形態によるＣＶＤ成
膜装置を模式的に示す断面図である。
膜装置を模式的に示す断面図である。
１１…真空チャンバー
１１ａ…円筒形状部
１１ｂ…一端封止部
１１ｃ…他端封止部
１２…ガスシャワー電極
１２ａ…ガス吹き出し口
１２ｂ…排気口
１３…矢印（回転方向）
１４…重力方向
１５…ローラー
１６…モータ
１７…磁性流体シール部
１８，２０，２７，３１…真空バルブ
１９…マスフローコントローラー
２１…フィルター
２２…原料ガス発生源
２３…微粒子（粉体）
２４…マッチングボックス（インピーダンス整合器）
２５…高周波電源（ＲＦ電源）
２８…手動バタフライバルブ
２９…リーク弁
３０…ターボ分子ポンプ
３２…ロータリーポンプ
３３…オイルミストトラップ
３５…ＤＬＣ膜
３６…イオンゲージ
３７…ピラニゲージ
３８…冷却板
３９…断熱材
４０…ヒーターユニット
４１…防着板
４２…内部電極（アノード電極）
４３…放電空間
４４…開口部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小林 巧
千葉県流山市大字西平井956番地の１ 株
式会社ユーテック内
Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BA05 BC04 BD14
CA47 CA62 DA02 EC21 ED01
4K030 AA09 BA28 CA18 EA06 FA03
GA04 KA05 KA17 KA30
Claims (7)
- 【請求項１】 微粒子の表面全体に薄膜を成膜するＣＶ
Ｄ成膜装置であって、 微粒子を収容する真空チャンバーと、 この真空チャンバーを回転させる駆動機構と、 真空チャンバー内に原料ガスを導入する原料ガス導入機
構と、 真空チャンバーに電力を供給する電力供給機構と、 を具備し、 上記駆動機構を用いて真空チャンバーを回転させること
により、真空チャンバー内の微粒子を動かしながら該微
粒子の表面全体に薄膜を成膜することを特徴とするＣＶ
Ｄ成膜装置。 - 【請求項２】 上記真空チャンバーは円筒形状部を有し
ており、上記原料ガス導入機構における原料ガスの導入
方向は、重力方向に対して真空チャンバーの回転方向に
３０°以上９０°以下の方向であることを特徴とする請
求項１に記載のＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項３】 上記真空チャンバー内に配置され、接地
電位に接続された内部電極をさらに含み、この内部電極
は真空チャンバーの内径より小さい外径を有し、内部電
極と真空チャンバーとの隙間がパッシェンの法則に基づ
いて成膜時の圧力から放電が発生しないように決定され
ており、内部電極は放電空間として作用する中空部を有
すると共に開口部を有し、この中空部は該開口部を介し
て真空チャンバーの内面に繋げられていることを特徴と
する請求項１に記載のＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項４】 上記内部電極における中空部の内表面の
面積が該中空部内から該開口部を通して見える真空チャ
ンバーの内表面の面積に比べて大きいことを特徴とする
請求項３に記載のＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項５】 上記内部電極における中空部の内表面に
は、該内部電極に薄膜が成膜されることを抑制する防着
板が配置されていることを特徴とする請求項３又は４に
記載のＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項６】 上記防着板を所定温度に加熱する加熱部
をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のＣＶＤ
成膜装置。 - 【請求項７】 微粒子の表面全体に薄膜を成膜するＣＶ
Ｄ成膜方法であって、 真空チャンバー内にアース電極を配置し、 真空チャンバー内に微粒子を収容し、 真空チャンバー内に原料ガスを供給し、 真空チャンバーを回転させることにより真空チャンバー
内の微粒子を動かし、 真空チャンバーに電力を供給し、アース電極と真空チャ
ンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることによ
り、微粒子の表面全体に薄膜を成膜することを特徴とす
るＣＶＤ成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194386A JP4388717B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194386A JP4388717B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009180938A Division JP5277442B2 (ja) | 2009-08-03 | 2009-08-03 | 微粒子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003013229A true JP2003013229A (ja) | 2003-01-15 |
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