JP2003008084A

JP2003008084A - 熱電モジュール

Info

Publication number: JP2003008084A
Application number: JP2001182830A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Onoe; 勝彦尾上; Toshiharu Hoshi; 星　　俊治
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2001-06-18
Filing date: 2001-06-18
Publication date: 2003-01-10

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ポスト電極の製造が容易であると共に、位置
合わせをして下基板上へ接合する工程が容易である熱電
モジュールを提供する。【解決手段】熱電素子１１は下部電極及び上部電極に
より直列に接続されており、この直列接続体の両端部の
熱電素子１１が配置された下部電極にリード層１６ａ、
１６ｂが接続されている。このリード層１６ａ、１６ｂ
の先端部上に、１個の電極体１７が跨って設けられてい
る。この電極体１７はポスト電極１７ａとポスト電極１
７ｂとをその間に絶縁体１７ｃを挟んで接合し、一体化
したものである。電極体１７は、ポスト電極１７ａがリ
ード層１６ａにのみ接触し、ポスト電極１７ｂがリード
層１６ｂにのみ接触するように、これらのリード層１６
ａ、１６ｂ上に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ペルチェ素子の熱
電変換機能を利用した熱電モジュールに関し、特に、パ
ッケージの電極とワイヤボンディングにより接続するた
めのポスト電極を有する熱電モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】熱電モジュールは、下基板及び上基板上
に夫々下部電極及び上部電極を形成し、下部電極と上部
電極が対向するように前記下基板及び上基板を平行に配
置し、両者間に複数個の熱電素子を配置して構成されて
いる。各下部電極及び上部電極には、夫々２個の熱電素
子が接合され、隣接する２個の下部電極上に設けられた
隣接する２個の熱電素子が、その上端部で１個の上部電
極により接続されており、これにより、複数個の熱電素
子が下部電極及び上部電極により直列に接続されてい
る。

【０００３】而して、図１５（ａ）は従来の一般的な熱
電モジュールを示す平面図、図１５（ｂ）はその側面図
である。下基板１と上基板２との間に前述の態様で熱電
素子３が配置されており、下基板１及び上基板２に設け
た下部電極及び上部電極（いずれも図示せず）により熱
電素子３が直列に接続されている。そして、この直列に
接続された熱電素子の両端の熱電素子は、下基板１上に
形成された電極パッド４に夫々接続されている。また、
この電極パッド４には例えば直径０．３ｍｍのＳｎメッ
キＣｕ線等のリード線５がハンダ付けにより接合されて
おり、電極パッド４はこのリード線５を介して熱電モジ
ュールが搭載されるパッケージの電極パッドと接続され
ている。また、熱電モジュールの上基板１２の外側の面
（上面）には、ＬＤ（半導体レーザダイオード）及びサ
ーミスタ等の素子をハンダ付けするためのメタライズ層
１４が形成されている。

【０００４】しかし、このリード線５を使用して熱電モ
ジュールの端子を外部に導出する方法は、リード線５を
手作業によりハンダ付けする必要があり、この接続工程
が煩雑であった。

【０００５】そこで、近時、図１６に示すように、熱電
モジュールの電極パッド４の代わりに、ポスト電極６を
設け、図１７に示すように、このポスト電極６とパッケ
ージの電極パッド７とをＡｕ線等のボンディングワイヤ
８を使用してワイヤボンディングする方法が提案されて
いる（特許第３０８２１７０号）。このワイヤボンディ
ングによる接続は、ハンダ付け作業が不要であり、自動
化が容易である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ポスト電極を備えた熱電モジュールは、ポスト電極を個
別に製造し、また、個別に位置合わせして下基板上に接
合する必要があり、製造及び組立が煩雑であるという欠
点を有する。

【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ポスト電極の製造が容易であると共に、位
置合わせをして下基板上へ接合する工程が容易である熱
電モジュールを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る熱電モジュ
ールは、下基板と、前記下基板に対向する上基板と、前
記下基板及び上基板の各対向面に形成された複数個の下
部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部電極との間
に設けられ前記下部電極及び上部電極により直列及び／
又は並列に接続された複数個の熱電素子と、前記下基板
における前記下部電極が形成されていない領域に配置さ
れた１対のポスト電極と、前記直列及び／又は並列に接
続された熱電素子群の両端部の熱電素子に接続された１
対の下部電極と前記ポスト電極とを夫々接続する１対の
リード層とを有し、前記１対のポスト電極は相互に絶縁
層を間に挟んで接合されていることを特徴とする。

【０００９】本発明に係る他の熱電モジュールは、下基
板と、前記下基板に対向する上基板と、前記下基板及び
上基板の各対向面に形成された複数個の下部電極及び上
部電極と、前記下部電極と上部電極との間に設けられ前
記下部電極及び上部電極により直列及び／又は並列に接
続された複数個の熱電素子と、前記下基板上に配置され
た１対のポスト電極と、前記直列及び／又は並列に接続
された熱電素子群の両端部の熱電素子に接続された１対
の下部電極と前記ポスト電極とを夫々接続する１対のリ
ード層とを有し、前記１対のポスト電極は絶縁体内に埋
め込まれており、前記１対のポスト電極間に前記絶縁体
が存在することを特徴とする。

【００１０】本願発明においては、１対のポスト電極が
絶縁層を間に挟んで接合されているか、又は絶縁体内に
埋め込まれることにより、一体化されているので、下部
電極上にポスト電極を接合する際に、１対のポスト電極
を同時に接合することができ、作業が簡略化される。ま
た、ポスト電極が隣接して配置されているので、パッケ
ージ側の電極パッドのうち、熱電モジュールへの電流入
出力用の電極パッドが隣接して配置されている場合は、
本発明の熱電モジュールを使用すると、ボンディングワ
イヤによるポスト電極と電極パッドとの接続が容易にな
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の実施例について具体的に説明する。図１は、本発明
の実施例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側
面図、（ｃ）はポスト電極の近傍の拡大平面図である。
また、図２は本実施例のポスト電極の形状を示す斜視図
である。Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性の下基板１０と上基板１
２との間にペルチェ素子からなる複数個の熱電素子１１
が配置されており、下基板１０及び上基板１２の対向面
には、夫々複数個の下部電極１５ｂ及び上部電極１５ａ
が形成されている。そして、各下部電極１５ｂ上に２個
の熱電素子１１がはんだ１５ｃにより接合され、隣接す
る下部電極１５ｂ上の隣接する熱電素子１１が１個の上
部電極１５ａにはんだ１５ｃにより接続されていて、こ
れにより、複数個の熱電素子１１が下部電極１５ｂ及び
上部電極１５ａにより直列に接続されている。なお、複
数個の熱電素子１１を下部電極１５ｂ及び上部電極１５
ａにより並列に接続することもできる。

【００１２】下基板１０はその長手方向の一端部におい
て、上基板１２よりも長く延出しており、この下基板１
０の延出部において、Ｌ字状パターンのリード層１６ａ
と、直線上パターンのリード層１６ｂが形成されてい
る。Ｌ字状のリード層１６ａは下基板１０の側縁にてそ
の長手方向に延びる部分と、端部にてその端縁に沿って
延びる部分とを有する。リード層１６ｂは下基板１０の
他方の側縁にてその長手方向に延びており、その先端は
リード層１６ａの先端部の近傍に位置する。これらのリ
ード層１６ａ、１６ｂは、熱電素子１１の直列接続体又
は並列接続体の両端部の熱電素子１１が配置された１対
の下部電極１５ｂにはんだ１５により電気的に接続され
ている。つまり、リード層１６ｂは下部電極１５ｂが延
長され、これと一体化していてもよい。

【００１３】上基板１２上の上部電極１５ａ及び下基板
１０上の下部電極１５ｂは、上基板１２及び下基板１０
上に例えばＣｕ層をメッキにより形成し、このＣｕ層を
パターニングすることにより形成されている。この下部
電極１５ｂの形成のためのパターニングの際に、前記直
列接続体の端部の下部電極１５ｂから延出するようにＣ
ｕ層をパターニングすることにより、リード層１６ａ、
１６ｂも同時に形成することができる。

【００１４】熱電モジュールの下基板１０の外側の面
（下面）には、熱電モジュールをパッケージ等にハンダ
付けするためのメタライズ層１３が形成されている。ま
た、熱電モジュールの上基板１２の外側の面（上面）に
は、ＬＤ（半導体レーザダイオード）及びサーミスタ等
の素子をハンダ付けするためのメタライズ層１４が形成
されている。これらのメタライズ層１３、１４は、夫々
下基板１０、上基板１２上に、例えば、Ｃｕ層、Ｎｉ層
及びＡｕ層をメッキにより形成した３層構造のメッキ層
である。なお、本実施例においては、例えば、上基板１
２の長さは１０ｍｍ、下基板１０の長さは１２ｍｍ、上
基板１２及び下基板１０の幅は６ｍｍであり、従って、
幅が６ｍｍ、長さが２ｍｍのパターニング領域にて、リ
ード層１６ａ、１６ｂがパターニングされている。

【００１５】このリード層１６ａ、１６ｂの先端部上
に、１個の電極体１７が跨って設けられている。この電
極体１７はポスト電極１７ａとポスト電極１７ｂとをそ
の間に絶縁体１７ｃを挟んで接合し、一体化したもので
ある。そして、電極体１７は、ポスト電極１７ａがリー
ド層１６ａにのみ接触し、ポスト電極１７ｂがリード層
１６ｂにのみ接触するように、これらのリード層１６
ａ、１６ｂ上に配置される。ポスト電極１７ａ、１７ｂ
は、例えばＣｕ又はＣｕ合金（Ｃｕ−Ｗ合金）の板材の
表面にＮｉメッキ又はＡｕメッキを施したものである。
絶縁体１７ｃは、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）又はガ
ラスの薄板の表面に、Ｎｉメッキ又はＡｕメッキを施し
たものである。

【００１６】ポスト電極からなる電極体１７は、例え
ば、高さが２ｍｍであり、ポスト電極１７ａ、絶縁体１
７ｃ、ポスト電極１７ｂの積層方向の各部分の長さは、
図３に示すように、ポスト電極１７ａ、１７ｂがいずれ
も１ｍｍ、絶縁体１７ｃが０．５ｍｍで、この積層方向
の全長は２．５ｍｍである。なお、図３（ａ）は図１
（ｃ）と同一の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−
Ａ線による断面図である。

【００１７】上述の如く構成された熱電モジュールにお
いては、下基板１０及び上基板１２間に熱電素子１１を
配置してこれらを組み立てた後、下基板１０上のリード
層１６ａ、１６ｂの各先端部上に、これらに跨るように
して、１個のポスト電極体１７を接合する。又は、下基
板１０上に下部電極及びリード層１６ａ、１６ｂを形成
した後、リード層１６ａ、１６ｂの各先端部上に、これ
らに跨るようにして、１個のポスト電極体１７を接合
し、その後、熱電素子１１と上基板１２を下基板１０上
に組み立てる。

【００１８】本実施例においては、ポスト電極１７ａ、
１７ｂは１個のポスト電極体１７として予め接合されて
いるので、その搭載すべき位置の位置合わせが容易であ
ると共に、接合のためのはんだ付け処理が容易である。
リード層１６ａとリード層１６ｂとの間の間隔は、下基
板１０上の銅メッキ層のパターニングの精細度等を考慮
すれば、通常のパターニング条件で、０．２ｍｍ程度と
小さくすることができる。そして、上述の如く、絶縁体
１７ｃの長さは０．５ｍｍであるから、ポスト電極体１
７の搭載位置が多少ずれても、絶縁体１７ｃは確実にリ
ード層１６ａ、１６ｂ上にかかるように配置することが
でき、換言すれば、ポスト電極１７ａ、１７ｂの位置が
リード層１６ａ、１６ｂ間の間隙を超えて他方のリード
層１６ｂ、１６ａ上にかかってしまうようなことがな
い。

【００１９】また、ポスト電極１７ａ、１７ｂが隣接し
て配置されているので、パッケージ側の電極パッドのう
ち、熱電モジュールへの電流入出力用の電極パッドが隣
接して配置されている場合は、本実施例の熱電モジュー
ルを使用すると、ボンディングワイヤによるポスト電極
１７ａ、１７ｂと電極パッドとの接続が容易になる。

【００２０】次に、本実施例のポスト電極体１７の製造
方法について説明する。図９は本実施例のポスト電極体
１７の製造方法を示すフローチャート、図１０（ａ）乃
至（ｃ）はこの製造方法を工程順に示す斜視図である。
Ｃｕ又はＣｕ合金（以下、総称してＣｕと表示する）の
ブロックからＣｕ板２０、２１を切り出す（ステップＳ
１）。また、アルミナの薄板２２を用意する（ステップ
Ｓ４）。そして、Ｃｕ板２０，２１と、アルミナ薄板２
２との間の相互接合面と、Ｃｕ板２０，２１及びアルミ
ナ薄板２２の一方向の両端部に、Ｎｉメッキを施す（ス
テップＳ２，Ｓ５）。次いで、このＮｉメッキ層の上に
Ａｕメッキを施す（ステップＳ３，Ｓ６）。これによ
り、Ｃｕ板２０，２１におけるアルミナ薄板２２との対
向面と、前記一方向の両端面に、夫々メッキ層２３，２
４が形成され、アルミナ薄板２２の表裏両面と、前記一
方向の両端面に、メッキ層２５が形成される。その後、
Ｃｕ板２０と、アルミナ薄板２２と、Ｃｕ板２１とを重
ね、メッキ層２３とメッキ層２５との間、及びメッキ層
２６とメッキ層２４との間を、ＡｕＳｎ共晶はんだによ
り接合する（ステップＳ７）。なお、この接合に際し、
Ａｇろう、ＡｕＧｅはんだ又はＡｕＳｉはんだを使用し
てもよい。これにより、図１０（ｂ）に示すＣｕ板２
０，２１及びアルミナ薄板２２の３層構造体が得られ
る。

【００２１】次いで、図１０（ｂ）に破線で示す切断線
に沿って、ダイシング加工により３層構造体を切断する
（ステップＳ８）。これにより、図１０（ｃ）に示すよ
うに、ポスト電極１７ａ、絶縁体１７ｃ及びポスト電極
１７ｂからなる複数の電極体１７が製造される。各電極
体１７においては、その端面（前記一方向の両端部）に
もメッキ層２３，２４，２５が形成されている。この端
面のメッキ層２３，２４，２５は、ポスト電極体１７の
１対のポスト電極１７ａ、１７ｂを下基板上にはんだ接
合する場合及びポスト電極１７ａ、１７ｂをワイヤボン
ディングする場合の接合性を高めるためのものである。
なお、上記実施例では、電極体１７の側面にはＮｉメッ
キ及びＡｕメッキを施していないが、本発明において
は、この電極体１７の側面にＮｉメッキ及びＡｕメッキ
を形成してもよい。

【００２２】この製造方法では、１つのブロックの積層
体から切断するために、多くのポスト電極対を得ること
ができ、生産性が高い。

【００２３】なお、絶縁体の薄板を使用する代わりに、
絶縁体をスパッタリングにより形成することもできる。
即ち、図１１に示すように、Ｃｕ板を用意し（ステップ
Ｑ１）、このＣｕ板の表面にＮｉメッキを施す（ステッ
プＱ２）。その後、Ａｕメッキ層上にアルミナをスパッ
タリングにより形成し（ステップＱ３）、更に、得られ
たアルミナ層の上に、Ｎｉメッキを施し（ステップＱ
４）、Ｎｉメッキ層の上に、Ａｕメッキを施す（ステッ
プＱ５）。一方、対向するポスト電極の素材として、Ｃ
ｕ板を用意し（ステップＱ６）、このＣｕ板の表面にＮ
ｉメッキを施し（ステップＱ７）、更にＡｕメッキを施
す（ステップＱ８）。そして、アルミナがスパッタリン
グされている方のＣｕ板と、アルミナが形成されていな
い方のＣｕ板とを、それらの表面のＡｕメッキ層を相互
に重ねて、ＡｕＳｎ共晶はんだにより接合する（ステッ
プＱ９）。その後、前述と同様にして、ダイシングによ
り、ポスト電極体を切り出す（ステップＱ１０）。

【００２４】次に、図４を参照して本発明の第２実施例
について説明する。図４は本発明の第２実施例を示す側
面図である。なお、図１乃至図３に示す第１の実施例と
同一構成物には同一符号を付してその詳細な説明は省略
する。本実施例は、第１の実施例と比較して、リード層
１６ｂが下部電極１５ｂを延長したものではなく、下部
電極１５ｂとリード層１６ｂとが分離されており、下部
電極１５ｂとリード層１６ｂとがはんだ１８により接続
されている点が異なり、それ以外の構成は第１の実施例
と同じである。本実施例においても、第１の実施例と同
様の効果を奏する。

【００２５】次に、図５を参照して本発明の第３実施例
について説明する。本実施例のポスト電極体３０は１対
のポスト電極３０ａ、３０ｂ間に薄い絶縁体３０ｃを挟
んで構成されたものである。本実施例においては、絶縁
体３０ｃの長さ（厚さ）がリード層１６ａ、１６ｂ間の
間隔よりも小さく、従って、ポスト電極体３０の配置精
度は図１乃至３に示す実施例よりも高いことが必要であ
るが、配置精度を高精度で制御すれば、本実施例のよう
に、配線間隔よりも狭い厚さの絶縁体３０ｃを使用する
ことができる。

【００２６】図６（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４実施
例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ線による断面図である。本実施例においては、ポ
スト電極体３１が、直方体状の絶縁体３１ｃと、この絶
縁体３１ｃ内にその上面及び下面で露出するように埋め
込まれた導電体からなる１対のポスト電極３１ａ、３１
ｂとを有する。そして、ポスト電極３１ａ、３１ｂは、
ポスト電極体３１をリード層１６ａ、１６ｂ上に跨るよ
うに配置した場合に、夫々リード層１６ａ、１６ｂのみ
に接触するような位置にて絶縁体３１ｃ内に埋め込まれ
ている。ポスト電極３１ａ、３１ｂは円柱状をなし、そ
の上下面で露出しており、夫々リード層１６ａ、１６ｂ
と電気的に接続されると共に、ポスト電極３１ａ、３１
ｂ上にワイヤボンディングすることができる。本実施例
も図１乃至図３に示す実施例と同様の効果を奏する。

【００２７】次に、本実施例のポスト電極体３１の製造
方法について説明する。図１２はこの製造方法のフロー
チャート、図１３は各工程を示す図である。先ず、図１
３（ａ）に示すように、アルミナのグリーンシート４１
を用意する（ステップＲ１）。このアルミナグリーンシ
ートは、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３粉末（主剤）１００重量部
に対し、Ｙ_２Ｏ_３粉末（焼結助剤）を３重量部、ポリビ
ニルブチラール（バインダ）を８重量部、ジブチルフタ
レート（可塑剤）を３重量部、アセトン（分散媒）を５
０重量部配合し、ボールミルでこれを混練してスラリー
を作り、押出し法により厚さが１ｍｍのグリーンシート
を形成する。

【００２８】次に、図１３（ｂ）に示すように、このグ
リーンシート４１に穴あけ加工し、複数個の孔４３がマ
トリクス状に設けられたグリーシート４２を得る（ステ
ップＲ２）。この穴あけ加工はＮＣパンチングマシーン
を使用することができる。その後、図１３（ｃ）に示す
ように、この孔４３内にＷ（タングステン）を主成分と
したペーストを埋込み（ステップＲ３）、Ｗ導体４５が
埋め込まれたグリーンシート４４を得る。次いで、この
グリーンシート４４を、２個のＷ導体４５毎に切断する
（ステップＲ４）。切断してからペーストを埋め込んで
もよいが、この手順の方が作業性がよい。こうして、図
１３（ｄ）に示すように、グリーンシート４４内に１対
のＷ導体４５が埋め込まれたシート４６を得る。そし
て、この分割されたシート４６を焼成して、アルミナを
セラミックス化する。これにより、図６に示すポスト電
極体３１が得られる。

【００２９】次に、ポスト電極体３１の他の形成方法に
ついて説明する。図１４はこのポスト電極体３１の他の
形成方法を示すフローチャートである。先ず、アルミナ
のグリーンシートＳ１を用意し（ステップＳ１）、図１
３（ｂ）のように、穴あけ加工する（ステップＳ２）。
その後、１対の孔毎に、グリーンシートを切断する（ス
テップＳ３）。次いで、分割されたグリーンシートを焼
成し（ステップＳ４）、アルミナをセラミックス化す
る。その後、孔内にＣｕペーストを埋込み、必要に応じ
て加熱してバインダーを除去した後（ステップＳ５）、
図６に示すポスト電極体を得る。この場合でも、グリー
ンシート状での切断の方が容易であるが、セラミックス
化してから分割してもよい。

【００３０】いずれの方法においても、絶縁体内に１対
の導電体が埋め込まれ、この絶縁体が前記絶縁体の表面
及び裏面で露出するポスト電極が容易に得られる。

【００３１】次に、本発明の第５実施例に係る熱電モジ
ュールについて説明する。図７はこの第４実施例の熱電
モジュールにおけるポスト電極体５０の部分の断面図で
ある。このポスト電極体５０はリード層１６ａ上に接合
されるポスト電極５０ａと、リード層１６ｂ上に接合さ
れるポスト電極５０ｂとの高さが異なり、ポスト電極５
０ａの方がポスト電極５０ｂよりも高い点が図２に示す
ポスト電極体１７と異なる。ポスト電極５０ａ、５０ｂ
間に挟まれた絶縁体５０ｃは低い方のポスト電極５０ｂ
と同一の高さを有する。

【００３２】このように構成された熱電モジュールは、
パッケージに搭載された後のワイヤボンディングの際
に、パッケージ側の電極パッドとポスト電極５０ａ、５
０ｂとの相対的な位置関係から、１対のボンディングワ
イヤがショートしそうな場合に、ポスト電極の高さを違
えることにより、このようなショートを防止することが
できる。

【００３３】図８（ａ）、（ｂ）は夫々本発明の第５実
施例に係るポスト電極体５１，５４を示す斜視図であ
る。この図８（ａ）に示すポスト電極体５１は１対のポ
スト電極５２間に挟まれた絶縁体５３がその下部におい
て欠落していて、ポスト電極体５１の下面が面一ではな
く、絶縁体５３の下端がポスト電極５２の下端よりも上
方に位置している。これにより、このポスト電極体５１
をはんだによりリード層１６ａ、１６ｂ上に跨って接合
する際に、リード層１６ａ、１６ｂと、ポスト電極５２
との間からはんだがはみ出たとしても、このはんだは、
絶縁体５３の欠落部の空間に面したポスト電極表面に濡
れていき、基板上でポスト電極５２がはんだを介してシ
ョートすることが確実に防止される。

【００３４】また、図８（ｂ）に示すポスト電極体５４
においては、１対のポスト電極５５に挟まれた絶縁体５
６がその下部だけでなく、上部においても欠落してい
る。このように、絶縁体５６の上端がポスト電極５５の
上端よりも下方に位置していることにより、ワイヤボン
ディングの際に、配線ミスを抑制することができる。

【００３５】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、１
対のポスト電極が絶縁体を介して一体化されているの
で、熱電モジュールの組立作業が容易であると共に、リ
ード層に対するポスト電極の配置精度も高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はポスト電極の近傍の拡
大平面図である。

【図２】本実施例のポスト電極の形状を示す斜視図で
ある。

【図３】（ａ）は図１（ｃ）と同一の平面図、（ｂ）
は図３（ａ）のＡ−Ａ線による断面図である。

【図４】本発明の第２実施例を示す側面図である。

【図５】本発明の第３実施例を示す断面図である。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４実施例を示
す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ
線による断面図である。

【図７】第５実施例の熱電モジュールにおけるポスト
電極体５０の部分の断面図である。

【図８】（ａ）、（ｂ）は第５実施例に係るポスト電
極体５１，５４を示す斜視図である。

【図９】本実施例のポスト電極体１７の製造方法を示
すフローチャートである。

【図１０】（ａ）乃至（ｃ）はこの製造方法を工程順
に示す斜視図である。

【図１１】ポスト電極体１７の他の製造方法を示すフ
ローチャートである。

【図１２】本実施例のポスト電極体３１の製造方法を
示すフローチャートである。

【図１３】（ａ）乃至（ｄ）はこの製造方法の各工程
を示す図である。

【図１４】ポスト電極体３１の他の形成方法を示すフ
ローチャートである。

【図１５】（ａ）は従来の一般的な熱電モジュールを
示す平面図、（ｂ）はその側面図である。

【図１６】ポスト電極を有する熱電モジュールを示す
図である。

【図１７】ポスト電極を有する熱電モジュールのパッ
ケージへの搭載方法を示す図である。

【符号の説明】

１０：下基板、１１：熱電素子、１２：上基板、
１３，１４：メタライズ層、１５、１５ｃ、１８；は
んだ１５ａ；上部電極、１５ｂ；下部電極、１６
ａ、１６ｂ：リード層、１７、３０、３１：ポスト電
極体、１７ａ、１７ｂ、３０ａ、３０ｂ、３１ａ、３
１ｂ：ポスト電極、１７ｃ、３０ｃ、３１ｃ：絶縁
体、２１：Ｃｕ板、２２：薄板、２３，２４，２
５，２６：メッキ層、４１、４２，４３：グリーンシ
ート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に形成された複数
個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部電極
との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により直列
及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、前記
下基板上に配置された１対のポスト電極と、前記直列及
び／又は並列に接続された熱電素子群の両端部の熱電素
子に接続された１対の下部電極と前記ポスト電極とを夫
々接続する１対のリード層とを有し、前記１対のポスト
電極は相互に絶縁層を間に挟んで接合されていることを
特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に形成された複数
個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部電極
との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により直列
及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、前記
下基板上に配置された１対のポスト電極と、前記直列及
び／又は並列に接続された熱電素子群の両端部の熱電素
子に接続された１対の下部電極と前記ポスト電極とを夫
々接続する１対のリード層とを有し、前記１対のポスト
電極は絶縁体内に埋め込まれており、前記１対のポスト
電極間に前記絶縁体が存在することを特徴とする熱電モ
ジュール。