JP2003005578A

JP2003005578A - 感光体の特性評価装置及び特性評価方法

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Publication number: JP2003005578A
Application number: JP2001188036A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Masuda; 潔増田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-06-21
Filing date: 2001-06-21
Publication date: 2003-01-08

Abstract

(57)【要約】【課題】感光体の電子写真プロセス特性の測定と感光体
固有の特性（物性値）を精度良くかつ効率良く測定す
る。【解決手段】接触式の変位センサ７で計測した結果によ
り感光体１の感光層の膜厚を演算する処理と、帯電ユニ
ット２で感光体１を帯電しているときに、計測した表面
電位と帯電電流から感光層の静電容量を演算する処理
と、演算した静電容量と感光層の膜厚から感光層の比誘
電率を演算する処理と、帯電ユニット２で帯電を停止し
た後の表面電位と帯電を停止したときからの時間から暗
減衰時定数を演算する処理及び演算した暗減衰時定数と
感光層の静電容量と膜厚から比抵抗を演算することを自
動的に実行し、1台の特性評価装置で感光体の電子写真
プロセス特性及び感光体固有の特性（物性値）を評価す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子写真方式で
画像を形成するプリンタや複写機等に使用する感光体の
特性を測定する特性評価装置及び特性評価方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方式で画像を形成する複写機等
に使用する感光体に要求される基本特性としては、帯電
特性と帯電保持性能（暗減衰特性）と感度特性と分光感
度特性及び残留電位特性がある。これらの特性は電子写
真プロセスを模した測定装置で評価することが多い。一
方、帯電特性や暗減衰特性と関係する感光層の膜厚を測
定することもしばしば行われている。この感光層の膜厚
は、通常、電子写真プロセスを模した測定装置とは別
に、渦電流式の膜厚計を用いて測定することが多い。

【０００３】電子写真プロセスを模した測定装置では、
帯電特性の評価方法としては感光体の周囲に配置された
帯電器（コロトロン方式、スコロトロン方式、ローラ帯
電方式）が通常使用され、帯電器に印加する電圧と感光
体を回転させる線速をあらかじめ設定しておき、所定の
条件で感光体を帯電させ、この帯電させた感光体の帯電
電位レベルを評価する方法が採られている。しかしなが
ら、この方法では帯電器に印加する電圧あるいは感光体
の線速を変えると帯電電位レベルが変わり、感光体の本
質を捉えた感光体固有の特性値とはいえない。そのた
め、他のサンプルとの比較も条件が変わればできないこ
とになる。そこで帯電するときに、同時に感光体に流れ
込む電流を測定し、この電流から流れ込んだ電荷量を算
出し、測定開始から任意の時間経過した時刻の電荷量Ｑ
と帯電電位Ｖを複数ポイントで測定して、いわゆるＱ−
Ｖプロットを得て、このプロット点を通る直線の傾きで
あるＱ＝ＣＶから静電容量Ｃを算出することが行われて
いる。この静電容量Ｃの値は感光体固有の物性値であ
り、帯電時の印加電圧値や感光体線速等の条件に左右さ
れず、極めてすぐれた評価方法である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら電子写真
プロセスで使用される感光体は繰り返し使われるため、
使用中に特性の劣化すなわち疲労現象を生じる。このた
め繰り返し使用後に静電容量を測定すると初期の値から
変化していることがわかるが、画像形成を繰り返すと感
光層の膜が削られ、膜厚が変化していることがある。感
光体の静電容量は膜厚と比誘電率をパラメータとするの
で、静電容量の測定だけでは、これが変化したときどち
らのパラメータの変化の寄与が大きいか分からない。こ
の膜厚を別に測定し、静電容量の値と膜厚から比誘電率
を算出することができるが、前述したように、膜厚の測
定は電子写真プロセス特性の測定装置とは別の独立した
装置であり、測定作業が繁雑であった。また、渦電流式
の膜厚計の場合は扱う信号が微少であることもあり、測
定精度を維持するために測定治具や測定時に細心の注意
が必要とされる。電子写真プロセス特性の測定装置で同
時に膜厚も測定可能であれば、感光体固有の物性値が素
早く得られ、電子写真プロセス特性の変化がどの物性値
の変化によるのか分かり、感光体を評価するときのメリ
ットは大きいが、そのような評価装置は存在していなか
った。

【０００５】この発明はかかる点を考慮してなされたも
のであり、感光体の電子写真プロセス特性の測定と同時
に膜厚の測定も行い、感光体固有の特性（物性値）を精
度良くかつ効率良く測定することができる特性評価装置
及び特性評価方法を提供することを目的とするものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る感光体の
特性評価装置は、被測定用の電子写真用感光体の周囲に
配置された帯電ユニットと露光ユニットと除電ユニット
と感光体の中心位置から表面までの距離を計測する距離
計測手段と感光体の表面電位を計測する表面電位測定手
段と、帯電ユニットにより帯電している感光体の帯電電
流を計測する電流測定手段と、距離計測手段と表面電位
測定手段と電流測定手段の計測結果を入力して感光体の
特性を演算する制御装置とを有し、制御装置は、距離計
測手段で計測した結果により感光体の感光層の膜厚を演
算する処理と、帯電ユニットで感光体を帯電していると
きに、表面電位測定手段で計測した表面電位と電流測定
手段で計測した帯電電流から感光層の静電容量を演算す
る処理と、演算した静電容量と感光層の膜厚から感光層
の比誘電率を演算する処理と、帯電ユニットで帯電を停
止した後の表面電位測定手段で計測した表面電位と帯電
を停止したときからの時間から暗減衰時定数を演算する
処理及び演算した暗減衰時定数と感光層の静電容量と膜
厚から比抵抗を演算する自動的に実行し、1台の特性評
価装置で感光体の感光層の膜厚と電子写真プロセス特性
を自動的に計測し、感光体の特性を効率良く評価する。

【０００７】上記距離計測手段として接触式の変位セン
サを使用することにより、感光層の膜厚を計測すると
き、例えば渦電流式の膜厚計を用いた場合に必要となる
標準サンプルを用いた校正作業を不要となり、計測処理
を容易にする。

【０００８】また、接触式の変位センサを２組設け、感
光体を挟んで角度が１８０度異なる位置に配置して、感
光体を取り付けたときの偏心の影響をなくし、感光層の
膜厚の演算処理を容易にするとともに高精度な膜厚を得
る。

【０００９】この接触式の変位センサで計測したある基
準位置から感光体の感光層非塗工部までの距離と感光層
までの距離の差から感光層の膜厚を演算する。

【００１０】また、距離計測手段として感光体の軸方向
に対して垂直にレーザービームをスキャンする発光部
と、感光体を挟んで発光部と対向する位置に設けられた
受光部とを設け、発光部からのレーザビームが感光体の
感光層非塗工部により遮られた時間あるいは遮られない
時間と、発光部からのレーザビームが感光体の感光層に
より遮られた時間あるいは遮られない時間から感光層の
膜厚を演算して、感光体を取り付けたときの偏心の影響
をなくすとともに、評価する感光体の表面に傷を付ける
ことを防ぐ。

【００１１】この発明に係る感光体の特性評価方法は、
感光体の感光層の膜厚を演算し、感光体を帯電している
ときに、計測した表面電位と計測した帯電電流から感光
層の静電容量を演算し、演算した静電容量と感光層の膜
厚から感光層の比誘電率を演算し、感光体に対する帯電
を停止した後に計測した表面電位と帯電を停止したとき
からの時間から暗減衰時定数を演算し、演算した暗減衰
時定数と感光層の静電容量と膜厚から比抵抗を演算し、
感光体の感光層の膜厚と電子写真プロセス特性を自動的
に計測して感光体の特性を評価する。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の特性評価装置の
構成図である。図に示すように、円筒状の感光体１の電
子写真プロセス特性を測定する特性評価装置は、感光体
１を回転する感光体回転モータを有する感光体保持機構
に装着された感光体１の周囲に配置された帯電ユニット
２と露光ユニット３と除電ユニット４と感光体１上の表
面電位を計測する表面電位計５と感光体1の帯電電流を
測定する電流測定部６及び感光体1の膜厚を計測する接
触式の変位センサ７を有する。

【００１３】帯電ユニット２はコロトロン方式やスコロ
トロン方式、ローラ帯電方式、ブラシ帯電方式、針電極
方式のいずれを使用してもよい。露光ユニット３は白色
光露光や分光された光の露光あるいはレーザースキャナ
露光のいずれでもよく、測定の目的により適時選択され
る。除電ユニット４はＬＥＤアレイによる露光や除電ブ
ラシあるいはＡＣコロナ除電のいずれでもよい。表面電
位計５は感光体１の回転方向の露光ユニット３より下流
側に少なくとも１本と、帯電ユニット２と露光ユニット
３の間に１本あるのが好ましいが、これは目的によりど
ちらでもよい。電流測定部６は、例えば感光体１の基体
とアース間に接続された抵抗を有し、感光体１を帯電ユ
ニット２で帯電しているときに抵抗の両端の電圧差か
ら、感光体１の基体から抵抗を介してにアースに流れる
電流を帯電電流として測定する。接触式の変位センサ７
は、図２の側面図に示すように、感光体１の軸方向に沿
って設けられた変位センサ移動機構部８の、感光体１の
中心位置から径方向の一定の位置に取り付けられ、感光
体１の中心からの距離を測定する。この感光体１の感光
層９等の薄膜を計測する方法としては光の干渉を利用し
た方法があるが、これは透明な薄膜と基体からの反射の
あることが必須であり、光を吸収する感光体１には好ま
しい方法ではない。また、感光層９の膜厚を測定する方
法として渦電流方式のものは分解能もよく、使用可能で
あるが、測定前に膜厚が判っているフィルムでキャリブ
レーションをする必要があるため、このキャリブレーシ
ョンも必要なく、全ての工程を自動化して効率化を図る
ために、接触式の変位センサ７を使用し、感光体１の感
光層９の膜厚を、ある基準位置から感光体１の感光層非
塗工部１０までの距離と感光層８までの距離の差から求
める。この感光層９の膜厚を測定するために接触式の変
位センサ７を使用した場合、測定対象である感光体１の
ドラム径を大きくとりやすいという利点がある。

【００１４】この特性評価装置の制御部には、図３のブ
ロック図に示すように、パソコンからなる制御装置１１
と駆動制御部１２と入力部１３及び出力部１４を有す
る。制御装置１１は、帯電ユニット２と露光ユニット３
と除電ユニット４の動作を所定のタイミングで制御する
とともに所定のタイミングで表面電位計５と電流測定部
６と変位センサ７からの信号を入力して、感光体1の感
光層９の膜厚計測と、帯電時の帯電電流と感光体1の帯
電電位と暗減衰速度と光減衰時間の一連の計測をあらか
じめ指定された手順で自動的に実行し、感光体１の電子
写真プロセス特性を演算する。また、駆動制御部１２は
制御装置１１からの制御信号により感光体１を回転する
回転モータ１５を駆動するとともに変位センサ７を感光
体１に沿って移動する変位センサ移動機構部８を駆動す
る。出力部１４は制御装置１１から出力する感光体1の
膜厚や電子写真プロセス特性を表示装置１６に表示する
とともにプリンタ１７から出力させる。

【００１５】上記のように構成した特性評価装置１で感
光体１の各種特性を測定するときの処理を図４のフロー
チャートを参照して説明する。

【００１６】まず、感光体１を特性評価装置にセットし
た後、入力部１３でサンプル番号と測定開始指令を入力
すると（ステップＳ１）、制御装置１１は感光体１の感
光層９の膜厚測定を開始する（ステップＳ２）。この感
光層９の膜厚を測定するとき、図２に示すように、制御
装置１１は駆動制御部１２により変位センサ移動機構部
８を駆動させ、変位センサ７を感光体1の端部に移動
し、変位センサ７のロッドを伸ばして感光層非塗工部１
０に接触させて、感光体1の中心位置から感光層非塗工
部１０の表面までの距離ｒを測定する。この測定をする
ときに、変位センサ７のロッドの先端接触部の面積を極
力小さくするため、ロッドの先端接触部は球状になって
いることが望ましい。また、測定する変位センサ７は１
個でも良いが、角度が180度を置いて２個の変位センサ7
を設け、感光体1を挟んで対向する２方向から測定する
ことににより、感光体１をセッテイングしたときに偏芯
が生じていても打ち消すことができる。例えば、感光体
１の中心が１方向に＋Δｒだけ偏芯していると、一方の
変位センサ７で測定した値は（ｒ＋Δｒ）となり、対向
する他方の変位センサ7で測定した値は（ｒ−Δｒ）と
なり、２つの変位センサ７の出力を加算すると、（ｒ＋Δｒ）＋（ｒ−Δｒ）＝２ｒとなり、偏心の影響を受けずに感光体１の中心から感光
層非塗工部１０の表面までの距離ｒを得ることができ
る。次に、変位センサ移動機構部８により変位センサ７
を感光体１の感光層９の任意の位置に移動し、２つの変
位センサ７のロッドを伸ばして感光層９に接触させて、
感光体1の中心位置から感光層９の表面までの距離ｒ１
をそれぞれ測定する。制御装置１１は２つの変位センサ
７による感光層非塗工部１０の測定結果（ｒ＋Δｒ），
(ｒ−Δｒ)と感光層１０の測定結果（ｒ１＋Δｒ），
(ｒ１−Δｒ)から２ｒと２ｒ１を演算し、演算した２
ｒ，２ｒ１から感光層９の膜厚ｄを、ｄ＝(２ｒ１−２ｒ)／２で算出する。

【００１７】感光層９の膜厚ｄを算出した後、制御装置
１１は感光体１の電子写真プロセス特性の測定に入る
（ステップＳ３）。電子写真プロセス特性の測定に入る
と制御装置１１は駆動制御部１１により感光体回転モー
タ１５を駆動して感光体１を所定の回転速度、例えば18
00ｒｐｍで回転させ、除電ユニット４により感光体１を
除電した後、帯電ユニット２により感光体１の帯電を開
始する（ステップＳ４）。この帯電ユニット２による帯
電により高速で回転している感光体１の帯電電位は徐々
に上昇してゆく。制御装置１１は、帯電開始から一定時
間、例えば１０秒までに表面電位計５から出力される帯
電電位Ｖと電流測定部６から出力される帯電電流Ｉを一
定サンプリング時間、例えば２０msec毎に取り込む（ス
テップＳ５）。そしてサンプリングした帯電電流Ｉから
感光体１に時々刻々と流れ込んだ電荷量Ｑを演算し、こ
の電荷量Ｑとそのときの対応する帯電電位ＶについてＱ
−Ｖプロットを表示し、プロット点を通る直線を描画
し、この直線の傾きから感光層９の単位面積当たりの静
電容量Ｃ＝Ｑ／Ｖを演算する（ステップＳ６）。次に、
制御装置１１は演算した静電容量Ｃとあらかじめ記憶し
ている真空の誘電率ε_０と先に測定した膜厚ｄを用い、
Ｃ＝εε_０／ｄより感光層９の比誘電率εを演算する
（ステップＳ７）。

【００１８】帯電ユニット２による帯電を開始してか
ら、一定時間例えば１５秒経過すると制御装置１１は帯
電ユニット２による帯電を停止し（ステップＳ８）、表
面電位計５の出力データにより、その後の帯電電位の自
然放電により減衰する電位（暗減衰）を一定時間ｔ、例
えば５秒間サンプリングする（ステップＳ９）。この帯
電ユニット２による帯電を停止してから暗減衰する感光
層９の帯電電位Ｖは、感光体１を抵抗Ｒと静電容量Ｃを
並列した等価回路に置き換え、暗減衰開始電位をＶ_０と
するとＶ＝Ｖ_０ｅ^{−ｔ／（ＲＣ）} となる。そこで制御装置１１は暗減衰開始電位Ｖ_０と一
定時間ｔ経過後の帯電電位Ｖより１／ＲＣを演算し、先
に算出した静電容量Ｃから感光層９の単位面積当たり暗
抵抗Ｒを算出する。この暗抵抗Ｒも静電容量Ｃと同様に
感光体１の物性値であるが、膜厚ｄの効果を含んだ値で
あり、制御装置１１は、ρ＝Ｒ／ｄにより膜厚ｄの影響
を除いた物性値である比抵抗ρを算出する（ステップＳ
１０）。この算出した感光体１の感光層９の膜厚ｄや各
物性値を制御装置１１は出力部１４に出力し、表示装置
１６に表示するとともにプリンタ１７から出力し、露光
ユニット３で感光体１を露光した後、感光体１を取り外
して計測を終了する（ステップＳ１１）。

【００１９】このようにして、感光体1の感光層９の膜
厚ｄと、帯電時の帯電電流Ｉと感光体1の帯電電位Ｖと
静電容量Ｃと比誘電率εと暗減衰速度の時定数１／ＲＣ
や光減衰時間及び比抵抗ρをあらかじめ指定された手順
で自動的に得ることができる。

【００２０】前記特性評価装置においては、感光層９の
膜厚ｄを計測するために、接触式の変位センサ７を使用
した場合について説明したが、図５（ａ）の正面図と
（ｂ）の側面図に示すように、レーザ発光素子２０とポ
リゴンミラー２１とｆθレンズ２２を有する発光部２３
と、集光レンズ２４とレーザ受光素子２５を有する受光
部２６とからなる非接触式のレーザ変位計２７を使用し
て感光層９の膜厚ｄを計測しても良い。この非接触式の
レーザ変位計２７を使用した場合、発光部２３のレーザ
発光素子２０から出射したレーザビームをポリゴンミラ
ー２１によりスキャンし、スキャンしたレーザビームを
ｆθレンズ２２により等速で感光体１に照射し、この感
光体１により遮られないレーザビームを受光部２６の集
光レンズ２４でレーザ受光素子２５に集光し、感光体１
によりレーザビームが遮られた時間あるいは遮られない
時間を計測して感光体１の径方向の寸法を計測すること
により、感光体１の感光層非塗工部１０の径方向の寸法
２ｒと感光層１０の径方向の寸法２ｒ１を測定すること
ができる。このレーザビームを利用して感光体１の感光
層非塗工部１０の径方向の寸法２ｒと感光層１０の径方
向の寸法２ｒ１を測定するときに、レーザビームのスキ
ャンの範囲を、感光体１の径方向の全体を覆うようにす
ると、感光体１をセットしたときの偏心の影響を受けず
に光層非塗工部１０の径方向の寸法２ｒと感光層１０の
径方向の寸法２ｒ１を測定することができる。

【００２１】

【実施例】例えば接触式の変位センサ７として（株）キ
ーエンス製のリニアモータ式変位センサＡＺ−３１０を
２個使用し、表面電位計５としてはトレック社製のモデ
ル３４４を使用して特性評価装置を作製した。この特性
評価装置により、直径が３０ｍｍ、長さが３４０ｍｍの
基体に感光層９を同じ材料で膜厚ｄが２２μｍと２６μ
ｍと３０μｍと異ならせて作製した３種類の感光体１に
ついて、膜厚ｄと静電容量Ｃと比誘電率εと暗減衰速度
の時定数１／ＲＣ及び比抵抗ρを測定した結果を下記表
のサンプル番号１−１，２−１，３−１に示す。

【００２２】

【表１】

【００２３】上記表に示すように、比誘電率εと時定数
１／ＲＣと比抵抗ρはいずれのサンプルでも同一の値を
得ることができた。また、同じサンプルの感光体１に対
して特性評価装置で帯電と露光を繰り返し、感光体１の
特性に疲労を生じさせ、その後同様に特性値の測定を行
った。疲労の条件は感光体１を1000ｒｐｍで回転させた
状態で、幅150ｍｍのコロナ帯電チャージャに電流を−
３５μＡ流し、除電ＬＥＤを３０μＷ／ｃｍ^２で１５分
間オンし続けて行った。この特性値の測定結果を上記表
のサンプル番号１−２,２−２,３−２に示す。この場
合、比誘電率εと時定数１／ＲＣと比抵抗ρは各サンプ
ル毎に変化していることがを確認できた。

【００２４】また、同じ３種類のサンプルの感光体１を
特性評価装置にセットし、接触式の変位センサ７を２個
対向して配置し、膜厚ｄを計測し、感光体１を特性評価
装置より取り出し、その後、再度、特性評価装置にセッ
トし、膜厚計測を行い、これを３回繰り返した。その結
果と接触式の変位センサ７を１個使用して同様に繰り返
して膜厚ｄを測定した結果を下記表に示す。

【００２５】

【表２】

【００２６】上記表に示すように、接触式の変位センサ
７を２個対向して配置した場合は、変位センサ７を１個
使用した場合と比べて膜厚ｄの測定精度を高めることが
できる。

【００２７】

【発明の効果】この発明は以上説明したように、距離計
測手段で計測した結果により感光体の感光層の膜厚を演
算する処理と、帯電ユニットで感光体を帯電していると
きに、表面電位測定手段で計測した表面電位と電流測定
手段で計測した帯電電流から感光層の静電容量を演算す
る処理と、演算した静電容量と感光層の膜厚から感光層
の比誘電率を演算する処理と、帯電ユニットで帯電を停
止した後の表面電位測定手段で計測した表面電位と帯電
を停止したときからの時間から暗減衰時定数を演算する
処理及び演算した暗減衰時定数と感光層の静電容量と膜
厚から比抵抗を演算することを自動的に実行することに
より、1台の特性評価装置で感光体の電子写真プロセス
特性及び感光体固有の特性（物性値）を効率良く評価す
ることができる。

【００２８】また、距離計測手段として接触式の変位セ
ンサを使用することにより、感光層の膜厚を計測すると
きの標準サンプルを用いた校正作業を不要として計測処
理を容易にすることができる。

【００２９】さらに接触式の変位センサを２組設け、感
光体を挟んで角度が１８０度異なる位置に配置すること
により、感光体を取り付けたときの偏心の影響をなく
し、感光層の膜厚の演算処理を容易にするとともに高精
度な膜厚測定値を得ることができる。

【００３０】また、接触式の変位センサで計測したある
基準位置から感光体の感光層非塗工部までの距離と感光
層までの距離の差から感光層の膜厚を演算することによ
り、感光層の膜厚を高精度に算出し、感光層の膜厚が影
響する感光体の電子写真プロセス特性を高精度に算出し
て評価できる。

【００３１】また、距離計測手段として感光体の軸方向
に対して垂直にレーザービームをスキャンする発光部
と、感光体を挟んで発光部と対向する位置に設けられた
受光部とを設け、発光部からのレーザビームが感光体の
感光層非塗工部により遮られた時間あるいは遮られない
時間と、発光部からのレーザビームが感光体の感光層に
より遮られた時間あるいは遮られない時間から感光層の
膜厚を演算することにより、感光体を取り付けたときの
偏心の影響をなくし、評価する感光体の表面に傷を付け
ることを防ぐとともに感光層の膜厚を高精度に測定でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の特性評価装置の構成図である。

【図２】特性評価装置による感光体の膜厚計測処理を示
す側面図である。

【図３】制御部の構成を示すブロック図である。

【図４】感光体の特性測定処理を示すフローチャートで
ある。

【図５】非接触式のレーザ変位計の構成図である。

【符号の説明】

１；感光体、２；帯電ユニット、３；露光ユニット、
４；除電ユニット、５；表面電位計、６；電流測定部、
７；接触式の変位センサ、８；変位センサ移動機構部、
９；感光層、１０；感光層非塗工部、１１；制御装置、
１２；駆動制御部、１３；入力部、１４；出力部、１
５；感光体回転モータ、１６；表示装置、１７；プリン
タ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被測定用の電子写真用感光体の周囲に配
置された帯電ユニットと露光ユニットと除電ユニットと
感光体の中心位置から表面までの距離を計測する距離計
測手段と感光体の表面電位を計測する表面電位測定手段
と、帯電ユニットにより帯電している感光体の帯電電流
を計測する電流測定手段と、距離計測手段と表面電位測
定手段と電流測定手段の計測結果を入力して感光体の特
性を演算する制御装置とを有し、制御装置は、距離計測手段で計測した結果により感光体
の感光層の膜厚を演算する処理と、帯電ユニットで感光
体を帯電しているときに、表面電位測定手段で計測した
表面電位と電流測定手段で計測した帯電電流から感光層
の静電容量を演算する処理と、演算した静電容量と感光
層の膜厚から感光層の比誘電率を演算する処理と、帯電
ユニットで帯電を停止した後の表面電位測定手段で計測
した表面電位と帯電を停止したときからの時間から暗減
衰時定数を演算する処理及び演算した暗減衰時定数と感
光層の静電容量と膜厚から比抵抗を演算する自動的に実
行することを特徴とする感光体の特性評価装置。
【請求項２】上記距離計測手段は、接触式の変位セン
サからなる請求項1記載の感光体の特性評価装置。
【請求項３】上記接触式の変位センサは、感光体を挟
んで角度が１８０度異なる位置に配置された２組有する
請求項２記載の感光体の特性の接触式の変位センサから
なる感光体の特性評価装置。
【請求項４】上記制御装置は、接触式の変位センサで
計測したある基準位置から感光体の感光層非塗工部まで
の距離と感光層までの距離の差から感光層の膜厚を演算
する請求項２又は３記載の感光体の特性評価装置。
【請求項５】上記距離計測手段は、感光体の軸方向に
対して垂直にレーザービームをスキャンする発光部と、
感光体を挟んで発光部と対向する位置に設けられた受光
部とからなる請求項1記載の感光体の特性評価装置。
【請求項６】上記制御装置は、発光部からのレーザビ
ームが感光体の感光層非塗工部により遮られた時間ある
いは遮られない時間と、発光部からのレーザビームが感
光体の感光層により遮られた時間あるいは遮られない時
間から感光層の膜厚を演算する請求項５記載の感光体の
特性評価装置。
【請求項７】感光体の感光層の膜厚を演算し、感光体
を帯電しているときに、計測した表面電位と計測した帯
電電流から感光層の静電容量を演算し、演算した静電容
量と感光層の膜厚から感光層の比誘電率を演算し、感光
体に対する帯電を停止した後に計測した表面電位と帯電
を停止したときからの時間から暗減衰時定数を演算し、
演算した暗減衰時定数と感光層の静電容量と膜厚から比
抵抗を演算することを特徴とする感光体の特性評価方
法。