JP2003002681A - 光ファイバ母材の製造方法および製造装置 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法および製造装置Info
- Publication number
- JP2003002681A JP2003002681A JP2001183411A JP2001183411A JP2003002681A JP 2003002681 A JP2003002681 A JP 2003002681A JP 2001183411 A JP2001183411 A JP 2001183411A JP 2001183411 A JP2001183411 A JP 2001183411A JP 2003002681 A JP2003002681 A JP 2003002681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- glass rod
- temperature
- preform
- core glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01406—Deposition reactors therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】クラッドの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正
確に制御できる光ファイバ母材の製造方法とそれに用い
る製造装置を提供する。 【解決手段】チャンバ２内にて、光ファイバ母材用のコ
アガラスロッド６に、回転チャック５によるコアガラス
ロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動および支持部
材３による延伸方向へのトラバース運動をさせながら、
バーナ４によりコアガラスロッドの外周面に火炎を吹き
つけてガラス微粒子８を堆積させ、光ファイバ用多孔質
母材を形成するときに、コアガラスロッドよりも高い第
１の位置と低い第２の位置などのチャンバ内の複数箇所
に設けた温度測定手段（９Ａ，９Ｂ）で温度測定し、測
定した温度の結果に応じて給気風量を調節する。あるい
は、レーザ変位計１０によって多孔質母材（スート母
材）の外径を測定し、これによってガラス微粒子の堆積
量を管理する。
確に制御できる光ファイバ母材の製造方法とそれに用い
る製造装置を提供する。 【解決手段】チャンバ２内にて、光ファイバ母材用のコ
アガラスロッド６に、回転チャック５によるコアガラス
ロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動および支持部
材３による延伸方向へのトラバース運動をさせながら、
バーナ４によりコアガラスロッドの外周面に火炎を吹き
つけてガラス微粒子８を堆積させ、光ファイバ用多孔質
母材を形成するときに、コアガラスロッドよりも高い第
１の位置と低い第２の位置などのチャンバ内の複数箇所
に設けた温度測定手段（９Ａ，９Ｂ）で温度測定し、測
定した温度の結果に応じて給気風量を調節する。あるい
は、レーザ変位計１０によって多孔質母材（スート母
材）の外径を測定し、これによってガラス微粒子の堆積
量を管理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ母材の
製造方法および装置に関し、特にＯＶＤ（outside vapo
r deposition）法により光ファイバ用の多孔質のスート
母材を合成する光ファイバ母材の製造方法および装置に
関する。
製造方法および装置に関し、特にＯＶＤ（outside vapo
r deposition）法により光ファイバ用の多孔質のスート
母材を合成する光ファイバ母材の製造方法および装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ伝送路網を利用した光通信シ
ステムは、高速かつ大容量の信号を伝送することができ
るものであり、光ファイバはその重要な構成要素の一つ
である。例えば、大容量伝送が可能な光通信システムを
実現するためには、波長１５５０ｎｍにおける波長分散
がゼロであり、伝送損失が小さい分散シフト光ファイバ
が好適である。光ファイバは通常、コアの外周部に、コ
アより屈折率が低いクラッドが形成されている構成であ
り、上記の分散シフト光ファイバは、コアとクラッドの
屈折率の差が大きい方が望ましい。
ステムは、高速かつ大容量の信号を伝送することができ
るものであり、光ファイバはその重要な構成要素の一つ
である。例えば、大容量伝送が可能な光通信システムを
実現するためには、波長１５５０ｎｍにおける波長分散
がゼロであり、伝送損失が小さい分散シフト光ファイバ
が好適である。光ファイバは通常、コアの外周部に、コ
アより屈折率が低いクラッドが形成されている構成であ
り、上記の分散シフト光ファイバは、コアとクラッドの
屈折率の差が大きい方が望ましい。
【０００３】光ファイバの製造方法としては、例えば、
ＶＡＤ（vapor-phase axial deposition）法やＯＶＤ
（outside vapor deposition）法で合成した光ファイバ
用の多孔質のスート母材（多孔質母材ともいう）を、ガ
ラス化炉で脱水および焼結（ガラス化）して透明な中間
母材とし、その母材を燃焼火炎やプラズマ火炎でもしく
は電気炉で延伸し、コアターゲットとなるガラスロッド
とする。得られたコアターゲットに、さらにＯＶＤ法な
どによりガラス微粒子（スート）を堆積させ、得られた
多孔質のスート母材をガラス化炉で脱水および焼結（ガ
ラス化）を行い、プリフォームとする。得られたプリフ
ォームを線引き用加熱炉で加熱溶融してプリフォームの
先端から線引きする線引き工程により、光ファイバとす
る。
ＶＡＤ（vapor-phase axial deposition）法やＯＶＤ
（outside vapor deposition）法で合成した光ファイバ
用の多孔質のスート母材（多孔質母材ともいう）を、ガ
ラス化炉で脱水および焼結（ガラス化）して透明な中間
母材とし、その母材を燃焼火炎やプラズマ火炎でもしく
は電気炉で延伸し、コアターゲットとなるガラスロッド
とする。得られたコアターゲットに、さらにＯＶＤ法な
どによりガラス微粒子（スート）を堆積させ、得られた
多孔質のスート母材をガラス化炉で脱水および焼結（ガ
ラス化）を行い、プリフォームとする。得られたプリフ
ォームを線引き用加熱炉で加熱溶融してプリフォームの
先端から線引きする線引き工程により、光ファイバとす
る。
【０００４】また、ＭＣＶＤ（modified chemical vapo
r deposition）法やプラズマ法では、直接ロッドを形成
することができ、この場合にはガラス化炉による熱処理
を行わずに、燃焼火炎などにより延伸し、コアターゲッ
トとなるガラスロッドとする。得られたコアターゲット
に、さらに上述のようにＯＶＤ法によりガラス微粒子を
堆積させ、得られた多孔質のスート母材を脱水および焼
結（ガラス化）してプリフォームとし、線引き加工して
光ファイバとする。
r deposition）法やプラズマ法では、直接ロッドを形成
することができ、この場合にはガラス化炉による熱処理
を行わずに、燃焼火炎などにより延伸し、コアターゲッ
トとなるガラスロッドとする。得られたコアターゲット
に、さらに上述のようにＯＶＤ法によりガラス微粒子を
堆積させ、得られた多孔質のスート母材を脱水および焼
結（ガラス化）してプリフォームとし、線引き加工して
光ファイバとする。
【０００５】上記のＯＶＤ法によりコアターゲットにガ
ラス微粒子を堆積させるには、例えば図４に示すＯＶＤ
装置を用いる。ＯＶＤ装置１は、チャンバ２内に支持部
材３とバーナ４を備えている。支持部材３に設けられた
回転チャック５に、コアターゲットとなるガラスロッド
６が保持され、ガラスロッド６の外周面にバーナ４から
原材料を含有する火炎を吹きつけ、ガラス微粒子を堆積
させる。このとき、ガラスロッド６は、回転チャック５
によるガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動
と、支持部材３が取り付けられた駆動部７によるガラス
ロッド６の延伸方向へのトラバース運動を行い、これに
よりガラスロッド６の外周面上に繰り返しガラス微粒子
が積層して、クラッドとなるスート８を均一に合成する
ことができる。
ラス微粒子を堆積させるには、例えば図４に示すＯＶＤ
装置を用いる。ＯＶＤ装置１は、チャンバ２内に支持部
材３とバーナ４を備えている。支持部材３に設けられた
回転チャック５に、コアターゲットとなるガラスロッド
６が保持され、ガラスロッド６の外周面にバーナ４から
原材料を含有する火炎を吹きつけ、ガラス微粒子を堆積
させる。このとき、ガラスロッド６は、回転チャック５
によるガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動
と、支持部材３が取り付けられた駆動部７によるガラス
ロッド６の延伸方向へのトラバース運動を行い、これに
よりガラスロッド６の外周面上に繰り返しガラス微粒子
が積層して、クラッドとなるスート８を均一に合成する
ことができる。
【０００６】上記のようにして合成されたスート母材を
焼結することで光ファイバ母材（プリフォーム）が得ら
れるが、光ファイバ母材の各部分の屈折率は、積層され
るガラス微粒子中の添加物の種類および濃度に依存す
る。例えば、高屈折率のコアとなる領域を合成する際に
は、屈折率を上昇せしめる所定の添加物原料をバーナか
ら送って、その添加物が含まれるガラス微粒子を積層さ
せることが必要である。
焼結することで光ファイバ母材（プリフォーム）が得ら
れるが、光ファイバ母材の各部分の屈折率は、積層され
るガラス微粒子中の添加物の種類および濃度に依存す
る。例えば、高屈折率のコアとなる領域を合成する際に
は、屈折率を上昇せしめる所定の添加物原料をバーナか
ら送って、その添加物が含まれるガラス微粒子を積層さ
せることが必要である。
【０００７】従って、所望の屈折率プロファイル、即
ち、所望の特性を有する光ファイバを線引きして製造し
うる光ファイバ母材を製造するには、光ファイバ母材の
屈折率分布を正確に測定し、スート母材あるいは光ファ
イバ母材の製造条件を制御することが重要である。
ち、所望の特性を有する光ファイバを線引きして製造し
うる光ファイバ母材を製造するには、光ファイバ母材の
屈折率分布を正確に測定し、スート母材あるいは光ファ
イバ母材の製造条件を制御することが重要である。
【０００８】例えば、高屈折率のコアの外周部に、コア
よりの低屈折率のディプレスト層と、ディプレスト層よ
りも高屈折率のセグメント層を積層してなる光ファイバ
を瀬蔵するための光ファイバ母材を製造する場合には、
コアをＶＡＤ法で製造し、ディプレスト層をフッ素添加
のＪＶＤ（jacketed vapor deposition ）法で製造し、
セグメント層をゲルマニウム添加のＪＶＤ法で製造し、
それぞれの層の屈折率を正確に制御しながら製造する。
よりの低屈折率のディプレスト層と、ディプレスト層よ
りも高屈折率のセグメント層を積層してなる光ファイバ
を瀬蔵するための光ファイバ母材を製造する場合には、
コアをＶＡＤ法で製造し、ディプレスト層をフッ素添加
のＪＶＤ（jacketed vapor deposition ）法で製造し、
セグメント層をゲルマニウム添加のＪＶＤ法で製造し、
それぞれの層の屈折率を正確に制御しながら製造する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の光ファイバ母材の製造方法では、下記の理由によ
り、ディプレスト層やセグメント層などの屈折率やガラ
ス微粒子の堆積量を正確に制御して合成することが困難
となる場合があるという問題があった。
従来の光ファイバ母材の製造方法では、下記の理由によ
り、ディプレスト層やセグメント層などの屈折率やガラ
ス微粒子の堆積量を正確に制御して合成することが困難
となる場合があるという問題があった。
【００１０】まず、例えば上記のゲルマニウム添加のＪ
ＶＤ法によりセグメント層を製造する際に、脈理が原因
で正確な屈折率プロファイルが測定できないため、歩留
りが良くないという問題があった。ここで、脈理とは、
光ファイバ母材中のゲルマニウム添加濃度について、コ
アの延伸方向の軸に対して平行に同心円状に形成される
不均一層が生じる現象のことを示す。
ＶＤ法によりセグメント層を製造する際に、脈理が原因
で正確な屈折率プロファイルが測定できないため、歩留
りが良くないという問題があった。ここで、脈理とは、
光ファイバ母材中のゲルマニウム添加濃度について、コ
アの延伸方向の軸に対して平行に同心円状に形成される
不均一層が生じる現象のことを示す。
【００１１】上記のセグメント層を形成する際には、そ
のΔ（基準となる屈折率に対する屈折率差）と幅（セグ
メント層の厚さ）を正確に制御することが必要である
が、上記の層を合成するためのゲルマニウム添加のＪＶ
Ｄ法においては弱い火炎を用いて合成しており、この弱
い火炎ではターゲットの中心に当たりにくいという問題
があった。
のΔ（基準となる屈折率に対する屈折率差）と幅（セグ
メント層の厚さ）を正確に制御することが必要である
が、上記の層を合成するためのゲルマニウム添加のＪＶ
Ｄ法においては弱い火炎を用いて合成しており、この弱
い火炎ではターゲットの中心に当たりにくいという問題
があった。
【００１２】また、一般のＯＶＤ法では、ガラス微粒子
の堆積量の安定化を図るために、重量センサなどを用い
てガラス微粒子を堆積させたスート母材の重量を測定し
ていたが、例えばコアガラスロッドの直径が１２ｍｍあ
るいは１６ｍｍ程度に小さい場合や、トラバース長が２
００ｍｍあるいは３００ｍｍ程度に短い場合では、重量
センサによる堆積量の測定が不能であるという問題があ
った。
の堆積量の安定化を図るために、重量センサなどを用い
てガラス微粒子を堆積させたスート母材の重量を測定し
ていたが、例えばコアガラスロッドの直径が１２ｍｍあ
るいは１６ｍｍ程度に小さい場合や、トラバース長が２
００ｍｍあるいは３００ｍｍ程度に短い場合では、重量
センサによる堆積量の測定が不能であるという問題があ
った。
【００１３】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもの
であり、従って本発明の目的は、ディプレスト層やセグ
メント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる光ファイバ母材の製造方
法と、それに用いる製造装置を提供することである。
であり、従って本発明の目的は、ディプレスト層やセグ
メント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる光ファイバ母材の製造方
法と、それに用いる製造装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光ファイバ母材の製造方法は、チャンバ内
にて、光ファイバ母材用のコアガラスロッドに、当該コ
アガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動およ
び前記延伸方向へのトラバース運動をさせながら、前記
コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけてガラス微
粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形成する工
程と、前記光ファイバ用多孔質母材を焼結する工程とを
有し、前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工程にお
いて、前記チャンバ内の複数箇所で温度測定し、測定し
た温度の結果に応じて給気風量を調節する。
め、本発明の光ファイバ母材の製造方法は、チャンバ内
にて、光ファイバ母材用のコアガラスロッドに、当該コ
アガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動およ
び前記延伸方向へのトラバース運動をさせながら、前記
コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけてガラス微
粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形成する工
程と、前記光ファイバ用多孔質母材を焼結する工程とを
有し、前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工程にお
いて、前記チャンバ内の複数箇所で温度測定し、測定し
た温度の結果に応じて給気風量を調節する。
【００１５】上記の本発明の光ファイバ母材の製造方法
は、好適には、前記光ファイバ用多孔質母材を形成する
工程において、前記チャンバ内における前記コアガラス
ロッドよりも高い第１の位置と前記コアガラスロッドよ
りも低い第２の位置との２箇所で温度測定し、前記第１
の位置の測定温度が第１の目標温度より高く、前記第２
の位置の測定温度が第２の目標温度より低い場合に、前
記給気風量を多く調節し、前記第１の位置の測定温度が
第１の目標温度より低く、前記第２の位置の測定温度が
第２の目標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく
調節する。
は、好適には、前記光ファイバ用多孔質母材を形成する
工程において、前記チャンバ内における前記コアガラス
ロッドよりも高い第１の位置と前記コアガラスロッドよ
りも低い第２の位置との２箇所で温度測定し、前記第１
の位置の測定温度が第１の目標温度より高く、前記第２
の位置の測定温度が第２の目標温度より低い場合に、前
記給気風量を多く調節し、前記第１の位置の測定温度が
第１の目標温度より低く、前記第２の位置の測定温度が
第２の目標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく
調節する。
【００１６】上記の本発明の光ファイバ母材の製造方法
においては、チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコア
ガラスロッドに、コアガラスロッドの延伸方向を回転軸
とする回転運動および延伸方向へのトラバース運動をさ
せながら、コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけ
てガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を
形成するときに、コアガラスロッドよりも高い第１の位
置と低い第２の位置などのチャンバ内の複数箇所で温度
測定し、測定した温度の結果に応じて給気風量を調節す
る。
においては、チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコア
ガラスロッドに、コアガラスロッドの延伸方向を回転軸
とする回転運動および延伸方向へのトラバース運動をさ
せながら、コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけ
てガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を
形成するときに、コアガラスロッドよりも高い第１の位
置と低い第２の位置などのチャンバ内の複数箇所で温度
測定し、測定した温度の結果に応じて給気風量を調節す
る。
【００１７】上記の本発明の光ファイバ母材の製造方法
によれば、チャンバー内の複数箇所で温度を測定して給
気風量を調整することにより、堆積面の温度を一定に保
ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御すること
が可能であり、これによってディプレスト層やセグメン
ト層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御
して合成することができる。
によれば、チャンバー内の複数箇所で温度を測定して給
気風量を調整することにより、堆積面の温度を一定に保
ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御すること
が可能であり、これによってディプレスト層やセグメン
ト層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御
して合成することができる。
【００１８】また、上記の目的を達成するため、本発明
の光ファイバ母材の製造方法は、光ファイバ母材用のコ
アガラスロッドに、当該コアガラスロッドの延伸方向を
回転軸とする回転運動および前記延伸方向へのトラバー
ス運動をさせながら、前記コアガラスロッドの外周面に
火炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ
用多孔質母材を形成する工程と、前記光ファイバ用多孔
質母材を焼結する工程とを有し、前記光ファイバ用多孔
質母材を形成する工程において、レーザ変位計を用いて
前記光ファイバ用多孔質母材の外径を測定し、前記ガラ
ス微粒子の堆積量を管理する。
の光ファイバ母材の製造方法は、光ファイバ母材用のコ
アガラスロッドに、当該コアガラスロッドの延伸方向を
回転軸とする回転運動および前記延伸方向へのトラバー
ス運動をさせながら、前記コアガラスロッドの外周面に
火炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ
用多孔質母材を形成する工程と、前記光ファイバ用多孔
質母材を焼結する工程とを有し、前記光ファイバ用多孔
質母材を形成する工程において、レーザ変位計を用いて
前記光ファイバ用多孔質母材の外径を測定し、前記ガラ
ス微粒子の堆積量を管理する。
【００１９】上記の本発明の光ファイバ母材の製造方法
は、チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコアガラスロ
ッドに、コアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回
転運動および延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけてガラ
ス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形成す
るときに、レーザ変位計によって多孔質母材（スート母
材）の外径を測定し、これによってガラス微粒子の堆積
量を管理する。
は、チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコアガラスロ
ッドに、コアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回
転運動および延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけてガラ
ス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形成す
るときに、レーザ変位計によって多孔質母材（スート母
材）の外径を測定し、これによってガラス微粒子の堆積
量を管理する。
【００２０】上記の本発明の光ファイバ母材の製造方法
によれば、レーザ変位計によってスート母材の外径を測
定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理するの
で、ディプレスト層やセグメント層などのガラス微粒子
の堆積量を正確に制御して合成することができる。
によれば、レーザ変位計によってスート母材の外径を測
定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理するの
で、ディプレスト層やセグメント層などのガラス微粒子
の堆積量を正確に制御して合成することができる。
【００２１】また、上記の目的を達成するため、本発明
の製造装置は、チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材
用のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、当該コアガラスロッドを支持する手段と、前記チャ
ンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバーナと、前
記チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測定
手段と、前記温度測定手段の測定した温度の結果に応じ
て給気風量を調節する手段とを有する。
の製造装置は、チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材
用のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、当該コアガラスロッドを支持する手段と、前記チャ
ンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバーナと、前
記チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測定
手段と、前記温度測定手段の測定した温度の結果に応じ
て給気風量を調節する手段とを有する。
【００２２】上記の本発明の製造装置は、好適には、前
記複数個ので温度測定手段が、前記チャンバ内における
前記コアガラスロッドよりも高い第１の位置と前記コア
ガラスロッドよりも低い第２の位置とに設けられてお
り、前記給気風量を調節する手段により、前記第１の位
置の測定温度が第１の目標温度より高く、前記第２の位
置の測定温度が第２の目標温度より低い場合に、前記給
気風量を多く調節し、前記第１の位置の測定温度が第１
の目標温度より低く、前記第２の位置の測定温度が第２
の目標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく調節
する。
記複数個ので温度測定手段が、前記チャンバ内における
前記コアガラスロッドよりも高い第１の位置と前記コア
ガラスロッドよりも低い第２の位置とに設けられてお
り、前記給気風量を調節する手段により、前記第１の位
置の測定温度が第１の目標温度より高く、前記第２の位
置の測定温度が第２の目標温度より低い場合に、前記給
気風量を多く調節し、前記第１の位置の測定温度が第１
の目標温度より低く、前記第２の位置の測定温度が第２
の目標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく調節
する。
【００２３】上記の本発明の製造装置によれば、コアガ
ラスロッドよりも高い第１の位置と低い第２の位置など
のチャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測定
手段により温度を測定し、測定した温度の結果に応じて
給気風量を調節することができるので、堆積面の温度を
一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御
することが可能であり、これによってディプレスト層や
セグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正
確に制御して合成することができる。
ラスロッドよりも高い第１の位置と低い第２の位置など
のチャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測定
手段により温度を測定し、測定した温度の結果に応じて
給気風量を調節することができるので、堆積面の温度を
一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御
することが可能であり、これによってディプレスト層や
セグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正
確に制御して合成することができる。
【００２４】また、上記の目的を達成するため、本発明
の製造装置は、チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材
用のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、当該コアガラスロッドを支持する手段と、前記チャ
ンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバーナと、前
記チャンバ内に設けられたレーザ変位計とを有し、前記
レーザ変位計を用いて前記光ファイバ用多孔質母材の外
径を測定し、前記ガラス微粒子の堆積量を管理する。
の製造装置は、チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材
用のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、当該コアガラスロッドを支持する手段と、前記チャ
ンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバーナと、前
記チャンバ内に設けられたレーザ変位計とを有し、前記
レーザ変位計を用いて前記光ファイバ用多孔質母材の外
径を測定し、前記ガラス微粒子の堆積量を管理する。
【００２５】上記の本発明の製造装置によれば、レーザ
変位計によってスート母材の外径を測定し、これによっ
てガラス微粒子の堆積量を管理するので、ディプレスト
層やセグメント層などのガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる。
変位計によってスート母材の外径を測定し、これによっ
てガラス微粒子の堆積量を管理するので、ディプレスト
層やセグメント層などのガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳しく説明する。
て図面を用いて詳しく説明する。
【００２７】まず、本実施形態に係る光ファイバ母材
（プリフォーム）の製造方法について説明する。例え
ば、ＶＡＤ（vapor-phase axial deposition）法やＯＶ
Ｄ（outside vapor deposition）法で合成した光ファイ
バ用の多孔質のスート母材を、ガラス化炉で脱水および
焼結（ガラス化）して透明な中間母材とし、その母材を
燃焼火炎やプラズマ火炎でもしくは電気炉で延伸し、コ
アターゲットとなるガラスロッドとする。得られたコア
ターゲットに、下記に説明するＯＶＤ法によりガラス微
粒子（スート）を堆積させ、得られた多孔質のスート母
材をガラス化炉で脱水および焼結（ガラス化）を行い、
プリフォームとする。
（プリフォーム）の製造方法について説明する。例え
ば、ＶＡＤ（vapor-phase axial deposition）法やＯＶ
Ｄ（outside vapor deposition）法で合成した光ファイ
バ用の多孔質のスート母材を、ガラス化炉で脱水および
焼結（ガラス化）して透明な中間母材とし、その母材を
燃焼火炎やプラズマ火炎でもしくは電気炉で延伸し、コ
アターゲットとなるガラスロッドとする。得られたコア
ターゲットに、下記に説明するＯＶＤ法によりガラス微
粒子（スート）を堆積させ、得られた多孔質のスート母
材をガラス化炉で脱水および焼結（ガラス化）を行い、
プリフォームとする。
【００２８】また、ＭＣＶＤ（modified chemical vapo
r deposition）法やプラズマ法では、直接ロッドを形成
することができ、この場合にはガラス化炉による熱処理
を行わずに、燃焼火炎などにより延伸し、コアターゲッ
トとなるガラスロッドとする。得られたコアターゲット
に、さらに上述のようにＯＶＤ法によりガラス微粒子を
堆積させ、得られた多孔質のスート母材を脱水および焼
結（ガラス化）してプリフォームとする。
r deposition）法やプラズマ法では、直接ロッドを形成
することができ、この場合にはガラス化炉による熱処理
を行わずに、燃焼火炎などにより延伸し、コアターゲッ
トとなるガラスロッドとする。得られたコアターゲット
に、さらに上述のようにＯＶＤ法によりガラス微粒子を
堆積させ、得られた多孔質のスート母材を脱水および焼
結（ガラス化）してプリフォームとする。
【００２９】上記のようにして得られたプリフォーム
は、線引き用加熱炉において加熱溶融し、プリフォーム
の先端から線引きする線引き工程により、光ファイバと
することができる。
は、線引き用加熱炉において加熱溶融し、プリフォーム
の先端から線引きする線引き工程により、光ファイバと
することができる。
【００３０】上記のＯＶＤ法によりコアターゲットにガ
ラス微粒子を堆積させるには、例えば図１に示すＯＶＤ
装置を用いる。図１中、（Ａ）は上面から見たときの模
式図、（Ｂ）は側面から見たときの模式図である。ＯＶ
Ｄ装置１は、チャンバ２内に支持部材３とバーナ４を備
えている。支持部材３に設けられた回転チャック５に、
コアターゲットとなるガラスロッド６が保持され、ガラ
スロッド６の外周面にバーナ４から原材料を含有する火
炎を吹きつけ、ガラス微粒子を堆積させる。このとき、
ガラスロッド６は、回転チャック５によるガラスロッド
の延伸方向を回転軸とする回転運動と、支持部材３が取
り付けられた駆動部７によるガラスロッド６の延伸方向
へのトラバース運動を行い、これによりガラスロッド６
の外周面上に繰り返しガラス微粒子が積層して、クラッ
ドとなるスート８を均一に合成することができる。
ラス微粒子を堆積させるには、例えば図１に示すＯＶＤ
装置を用いる。図１中、（Ａ）は上面から見たときの模
式図、（Ｂ）は側面から見たときの模式図である。ＯＶ
Ｄ装置１は、チャンバ２内に支持部材３とバーナ４を備
えている。支持部材３に設けられた回転チャック５に、
コアターゲットとなるガラスロッド６が保持され、ガラ
スロッド６の外周面にバーナ４から原材料を含有する火
炎を吹きつけ、ガラス微粒子を堆積させる。このとき、
ガラスロッド６は、回転チャック５によるガラスロッド
の延伸方向を回転軸とする回転運動と、支持部材３が取
り付けられた駆動部７によるガラスロッド６の延伸方向
へのトラバース運動を行い、これによりガラスロッド６
の外周面上に繰り返しガラス微粒子が積層して、クラッ
ドとなるスート８を均一に合成することができる。
【００３１】ここで、ＯＶＤ装置１のチャンバ２内に
は、ガラスロッド６よりも高い第１の位置に第１の温度
測定部（熱画像温度計）９Ａが設けられており、一方、
ガラスロッドよりも低い第２の位置に第２の温度測定部
（放射温度計）９Ｂが設けられている。
は、ガラスロッド６よりも高い第１の位置に第１の温度
測定部（熱画像温度計）９Ａが設けられており、一方、
ガラスロッドよりも低い第２の位置に第２の温度測定部
（放射温度計）９Ｂが設けられている。
【００３２】上記の第１の温度測定部（熱画像温度計）
９Ａと第２の温度測定部（放射温度計）９Ｂの測定温度
に応じて、不図示の調節手段により給気風量を調節す
る。例えば、第１の温度測定部（熱画像温度計）９Ａの
測定温度が第１の目標温度（例えば２８０〜２９０℃）
よりも高く、第２の温度測定部（放射温度計）９Ｂが第
２の目標温度（例えば４９０〜５００℃）よりも低い場
合には、火炎がターゲットであるガラスロッド６よりも
上に当たっているため、給気風量を多く調節して火炎を
水平に近づけて火炎の上昇を抑える。一方、第１の温度
測定部（熱画像温度計）９Ａの測定温度が第１の目標温
度（例えば２８０〜２９０℃）よりも低く、第２の温度
測定部（放射温度計）９Ｂが第２の目標温度（例えば４
９０〜５００℃）よりも高い場合には、火炎がターゲッ
トであるガラスロッド６よりも下に当たっているため、
給気風量を少なく調節することで火炎を上向きにさせ
る。
９Ａと第２の温度測定部（放射温度計）９Ｂの測定温度
に応じて、不図示の調節手段により給気風量を調節す
る。例えば、第１の温度測定部（熱画像温度計）９Ａの
測定温度が第１の目標温度（例えば２８０〜２９０℃）
よりも高く、第２の温度測定部（放射温度計）９Ｂが第
２の目標温度（例えば４９０〜５００℃）よりも低い場
合には、火炎がターゲットであるガラスロッド６よりも
上に当たっているため、給気風量を多く調節して火炎を
水平に近づけて火炎の上昇を抑える。一方、第１の温度
測定部（熱画像温度計）９Ａの測定温度が第１の目標温
度（例えば２８０〜２９０℃）よりも低く、第２の温度
測定部（放射温度計）９Ｂが第２の目標温度（例えば４
９０〜５００℃）よりも高い場合には、火炎がターゲッ
トであるガラスロッド６よりも下に当たっているため、
給気風量を少なく調節することで火炎を上向きにさせ
る。
【００３３】このように、チャンバ内の複数箇所で温度
を測定し、給気風量を調節することで堆積面温度を一定
に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御する
ことが可能であり、これによってディプレスト層やセグ
メント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる。
を測定し、給気風量を調節することで堆積面温度を一定
に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御する
ことが可能であり、これによってディプレスト層やセグ
メント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に
制御して合成することができる。
【００３４】また、ＯＶＤ装置１のチャンバ２内には、
ガラスロッド６の上部にレーザ変位計１０が設けられて
いる。レーザ変位計１０によって、ガラス微粒子の堆積
厚ｔを測定し、これによってスート８の形成後のスート
母材の外径を求め、ガラス微粒子の堆積量を管理する。
例えば、ガラスロッド径φ1 、ガラス微粒子の堆積厚ｔ
とすると、スートが形成されたスート母材の外径φ2 は
下記の式（１）で示される。
ガラスロッド６の上部にレーザ変位計１０が設けられて
いる。レーザ変位計１０によって、ガラス微粒子の堆積
厚ｔを測定し、これによってスート８の形成後のスート
母材の外径を求め、ガラス微粒子の堆積量を管理する。
例えば、ガラスロッド径φ1 、ガラス微粒子の堆積厚ｔ
とすると、スートが形成されたスート母材の外径φ2 は
下記の式（１）で示される。
【００３５】
【数１】
φ2 ＝φ1 ＋２ｔ （１）
【００３６】また、さらにトラバース長Ｌ、スート密度
ρとすると、ガラス微粒子の堆積量Ｍは近似的に下記の
式（２）で示される。
ρとすると、ガラス微粒子の堆積量Ｍは近似的に下記の
式（２）で示される。
【００３７】
【数２】
Ｍ＝ρＬπ（φ2 2 −φ1 2 ）／４ （２）
【００３８】従って、レーザ変位計１０によってガラス
微粒子の堆積厚ｔを測定し、これによってスート８の形
成後のスート母材の外径を求め、得られた結果の値およ
びその他の各パラメータを上記の式に代入することで、
ガラス微粒子の堆積量Ｍを求め、管理することができ
る。
微粒子の堆積厚ｔを測定し、これによってスート８の形
成後のスート母材の外径を求め、得られた結果の値およ
びその他の各パラメータを上記の式に代入することで、
ガラス微粒子の堆積量Ｍを求め、管理することができ
る。
【００３９】上記のように、ＯＶＤ装置に設けられたレ
ーザ変位計によって多孔質母材（スート母材）の外径を
測定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理する
ので、ディプレスト層やセグメント層などのガラス微粒
子の堆積量を正確に制御して合成することができる。
ーザ変位計によって多孔質母材（スート母材）の外径を
測定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理する
ので、ディプレスト層やセグメント層などのガラス微粒
子の堆積量を正確に制御して合成することができる。
【００４０】（実施例１）上記実施形態に係るＯＶＤ装
置により、給気風量を０ｍ／秒とする条件下でガラスロ
ッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、ガラ
スロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計とガ
ラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計によ
りそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計の測
定値が２８５℃であり、目標温度（２８０〜２９０℃）
の範囲内であった。また、放射温度計の測定値が４９６
℃であり、目標温度（４９０〜５００℃）の範囲内であ
った。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドに
水平に当たっており、給気風量の調節は行わなかった。
置により、給気風量を０ｍ／秒とする条件下でガラスロ
ッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、ガラ
スロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計とガ
ラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計によ
りそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計の測
定値が２８５℃であり、目標温度（２８０〜２９０℃）
の範囲内であった。また、放射温度計の測定値が４９６
℃であり、目標温度（４９０〜５００℃）の範囲内であ
った。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドに
水平に当たっており、給気風量の調節は行わなかった。
【００４１】（実施例２）上記実施形態に係るＯＶＤ装
置により、給気風量を０ｍ／秒とする条件下でガラスロ
ッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、ガラ
スロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計とガ
ラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計によ
りそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計の測
定値が２９４℃であり、目標温度（２８０〜２９０℃）
よりも高かった。また、放射温度計の測定値が４８１℃
であり、目標温度（４９０〜５００℃）よりも低かっ
た。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドより
も上に当たっており、給気風量を０．１４ｍ／秒に大き
くした。この調節の結果、熱画像温度計の測定値が２８
９℃で目標温度（２８０〜２９０℃）の範囲内となり、
また、放射温度計の測定値が４９７℃で目標温度（４９
０〜５００℃）の範囲内となり、火炎がターゲットであ
るガラスロッドに水平に当たるようになった。
置により、給気風量を０ｍ／秒とする条件下でガラスロ
ッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、ガラ
スロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計とガ
ラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計によ
りそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計の測
定値が２９４℃であり、目標温度（２８０〜２９０℃）
よりも高かった。また、放射温度計の測定値が４８１℃
であり、目標温度（４９０〜５００℃）よりも低かっ
た。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドより
も上に当たっており、給気風量を０．１４ｍ／秒に大き
くした。この調節の結果、熱画像温度計の測定値が２８
９℃で目標温度（２８０〜２９０℃）の範囲内となり、
また、放射温度計の測定値が４９７℃で目標温度（４９
０〜５００℃）の範囲内となり、火炎がターゲットであ
るガラスロッドに水平に当たるようになった。
【００４２】（実施例３）上記実施形態に係るＯＶＤ装
置により、給気風量を０．６ｍ／秒とする条件下でガラ
スロッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、
ガラスロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計
とガラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計
によりそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計
の測定値が２６９℃であり、目標温度（２８０〜２９０
℃）よりも低かった。また、放射温度計の測定値が５７
１℃であり、目標温度（４９０〜５００℃）よりも高か
った。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドよ
りも下に当たっており、給気風量を０．１４ｍ／秒に小
さくした。この調節の結果、熱画像温度計の測定値が２
８９℃で目標温度（２８０〜２９０℃）の範囲内とな
り、また、放射温度計の測定値が４９７℃で目標温度
（４９０〜５００℃）の範囲内となり、火炎がターゲッ
トであるガラスロッドに水平に当たるようになった。
置により、給気風量を０．６ｍ／秒とする条件下でガラ
スロッドの外周部にガラス微粒子を堆積させるときに、
ガラスロッドよりも高い位置に設けられた熱画像温度計
とガラスロッドよりも低い位置に設けられた放射温度計
によりそれぞれの位置の温度を測定した。熱画像温度計
の測定値が２６９℃であり、目標温度（２８０〜２９０
℃）よりも低かった。また、放射温度計の測定値が５７
１℃であり、目標温度（４９０〜５００℃）よりも高か
った。従って、火炎はターゲットであるガラスロッドよ
りも下に当たっており、給気風量を０．１４ｍ／秒に小
さくした。この調節の結果、熱画像温度計の測定値が２
８９℃で目標温度（２８０〜２９０℃）の範囲内とな
り、また、放射温度計の測定値が４９７℃で目標温度
（４９０〜５００℃）の範囲内となり、火炎がターゲッ
トであるガラスロッドに水平に当たるようになった。
【００４３】上記のように、上記各実施例においては、
ＯＶＤ装置に設けられた熱画像温度計および放射温度計
の温度測定結果から給気風量を調節し、堆積面の温度を
一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御
することが可能であり、これによってディプレスト層や
セグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正
確に制御して合成することができた。
ＯＶＤ装置に設けられた熱画像温度計および放射温度計
の温度測定結果から給気風量を調節し、堆積面の温度を
一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当たり方を制御
することが可能であり、これによってディプレスト層や
セグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正
確に制御して合成することができた。
【００４４】（実施例４）上記実施形態に係るＯＶＤ装
置により、直径φ1 ＝１６ｍｍのガラスロッドの外周部
に、トラバース長Ｌ＝３００ｍｍとして、クラッドとな
るガラス微粒子を堆積させた。このとき、レーザ変位計
出力電圧の時間に対する変化を調べ、結果を図２に示し
た。図２では、ガラス微粒子の非堆積部Ａと堆積部Ｂを
読み取っている。この図内の下に凸の頂部を結んだ破線
が堆積部Ｂの変化を示している。また、ガラス微粒子の
堆積厚のトラバース回数に対する変化を図３に示した。
堆積厚はトラバース回数に比例している。上記の合成中
において、ガラス微粒子の密度ρは一定であり、その値
は０．２３ｇ／ｃｍ3 であった。合成中のある時点で、
レーザ変位計１０によってガラス微粒子の堆積厚ｔを測
定すると、その値は１１．２ｍｍであった。従って、ス
ートが形成されたスート母材の外径φ2 およびガラス微
粒子の堆積量Ｍは下記の式（３）と（４）のように求
め、管理することができた。
置により、直径φ1 ＝１６ｍｍのガラスロッドの外周部
に、トラバース長Ｌ＝３００ｍｍとして、クラッドとな
るガラス微粒子を堆積させた。このとき、レーザ変位計
出力電圧の時間に対する変化を調べ、結果を図２に示し
た。図２では、ガラス微粒子の非堆積部Ａと堆積部Ｂを
読み取っている。この図内の下に凸の頂部を結んだ破線
が堆積部Ｂの変化を示している。また、ガラス微粒子の
堆積厚のトラバース回数に対する変化を図３に示した。
堆積厚はトラバース回数に比例している。上記の合成中
において、ガラス微粒子の密度ρは一定であり、その値
は０．２３ｇ／ｃｍ3 であった。合成中のある時点で、
レーザ変位計１０によってガラス微粒子の堆積厚ｔを測
定すると、その値は１１．２ｍｍであった。従って、ス
ートが形成されたスート母材の外径φ2 およびガラス微
粒子の堆積量Ｍは下記の式（３）と（４）のように求
め、管理することができた。
【００４５】
【数３】
φ2 ＝φ1 ＋２ｔ
＝１６＋２×１１．２＝３８．４ｍｍ （３）
【００４６】
【数４】
Ｍ＝ρＬπ（φ2 2 −φ1 2 ）／４
＝（０．２３／１０3 ）×３００×π×（３８．４2 −１６2 ）／４
＝６６．０ｇ （４）
【００４７】上記のように、上記の実施例においては、
レーザ変位計によって多孔質母材（スート母材）の外径
を測定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理す
るので、これによってディプレスト層やセグメント層な
どの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合
成することができた。
レーザ変位計によって多孔質母材（スート母材）の外径
を測定し、これによってガラス微粒子の堆積量を管理す
るので、これによってディプレスト層やセグメント層な
どの屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合
成することができた。
【００４８】本発明は、上記の実施の形態に限定されな
い。例えば、チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個
の温度測定手段は、上記の実施形態で示したガラスロッ
ドよりも高い第１の位置と前記コアガラスロッドよりも
低い第２の位置とに限らず、その他の位置で測定しても
よく、さらにチャンバ内の３箇所以上に温度測定手段を
設けて、温度測定してもよい。その他、本発明の要旨を
変更しない範囲で種々の変更をすることができる。
い。例えば、チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個
の温度測定手段は、上記の実施形態で示したガラスロッ
ドよりも高い第１の位置と前記コアガラスロッドよりも
低い第２の位置とに限らず、その他の位置で測定しても
よく、さらにチャンバ内の３箇所以上に温度測定手段を
設けて、温度測定してもよい。その他、本発明の要旨を
変更しない範囲で種々の変更をすることができる。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、チャンバー内の複数箇
所で温度を測定して給気風量を調整することにより、堆
積面の温度を一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当
たり方を制御することが可能であり、これによってディ
プレスト層やセグメント層などの屈折率やガラス微粒子
の堆積量を正確に制御して合成することができる光ファ
イバ母材の製造方法を提供できる。
所で温度を測定して給気風量を調整することにより、堆
積面の温度を一定に保ち、ターゲットに対する火炎の当
たり方を制御することが可能であり、これによってディ
プレスト層やセグメント層などの屈折率やガラス微粒子
の堆積量を正確に制御して合成することができる光ファ
イバ母材の製造方法を提供できる。
【００５０】本発明によれば、レーザ変位計によってス
ート母材の外径を測定し、これによってガラス微粒子の
堆積量を管理するので、ディプレスト層やセグメント層
などのガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合成する
ことができる光ファイバ母材の製造方法を提供できる。
ート母材の外径を測定し、これによってガラス微粒子の
堆積量を管理するので、ディプレスト層やセグメント層
などのガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合成する
ことができる光ファイバ母材の製造方法を提供できる。
【００５１】本発明によれば、コアガラスロッドよりも
高い第１の位置と低い第２の位置などのチャンバ内の複
数箇所に設けられた複数個の温度測定手段により温度を
測定し、測定した温度の結果に応じて給気風量を調節す
ることができるので、堆積面の温度を一定に保ち、ター
ゲットに対する火炎の当たり方を制御することが可能で
あり、これによってディプレスト層やセグメント層など
の屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合成
することができる熱処理装置を提供できる。
高い第１の位置と低い第２の位置などのチャンバ内の複
数箇所に設けられた複数個の温度測定手段により温度を
測定し、測定した温度の結果に応じて給気風量を調節す
ることができるので、堆積面の温度を一定に保ち、ター
ゲットに対する火炎の当たり方を制御することが可能で
あり、これによってディプレスト層やセグメント層など
の屈折率やガラス微粒子の堆積量を正確に制御して合成
することができる熱処理装置を提供できる。
【００５２】本発明によれば、レーザ変位計によってス
ート母材の外径を測定し、これによってディプレスト層
やセグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を
正確に制御して合成することができる熱処理装置を提供
できる。
ート母材の外径を測定し、これによってディプレスト層
やセグメント層などの屈折率やガラス微粒子の堆積量を
正確に制御して合成することができる熱処理装置を提供
できる。
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る光ファイバを
製造するためのＯＶＤ装置の（Ａ）上面および（Ｂ）側
面から見たときの模式構成図である。
製造するためのＯＶＤ装置の（Ａ）上面および（Ｂ）側
面から見たときの模式構成図である。
【図２】図２は、本発明の実施例に係るレーザ変位計出
力電圧の時間に対する変化を示す図である。
力電圧の時間に対する変化を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施例に係るガラス微粒子の
堆積厚のトラバース回数に対する変化を示す図である。
堆積厚のトラバース回数に対する変化を示す図である。
【図４】図４は、従来例に係るＯＶＤ装置の模式構成図
である。
である。
１…ＯＶＤ装置
２…チャンバ
３…支持部材
４…バーナ
５…回転チャック
６…ガラスロッド
７…駆動部
８…スート
９Ａ…第１の温度測定部（熱画像温度計）
９Ｂ…第２の温度測定部（放射温度計）
１０…レーザ変位計
Claims (6)
- 【請求項１】チャンバ内にて、光ファイバ母材用のコア
ガラスロッドに、当該コアガラスロッドの延伸方向を回
転軸とする回転運動および前記延伸方向へのトラバース
運動をさせながら、前記コアガラスロッドの外周面に火
炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ用
多孔質母材を形成する工程と、 前記光ファイバ用多孔質母材を焼結する工程とを有し、 前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工程において、
前記チャンバ内の複数箇所で温度測定し、測定した温度
の結果に応じて給気風量を調節する光ファイバ母材の製
造方法。 - 【請求項２】前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工
程において、前記チャンバ内における前記コアガラスロ
ッドよりも高い第１の位置と前記コアガラスロッドより
も低い第２の位置との２箇所で温度測定し、 前記第１の位置の測定温度が第１の目標温度より高く、
前記第２の位置の測定温度が第２の目標温度より低い場
合に、前記給気風量を多く調節し、 前記第１の位置の測定温度が第１の目標温度より低く、
前記第２の位置の測定温度が第２の目標温度より高い場
合に、前記給気風量を少なく調節する請求項１に記載の
光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項３】光ファイバ母材用のコアガラスロッドに、
当該コアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運
動および前記延伸方向へのトラバース運動をさせなが
ら、前記コアガラスロッドの外周面に火炎を吹きつけて
ガラス微粒子を堆積させ、光ファイバ用多孔質母材を形
成する工程と、 前記光ファイバ用多孔質母材を焼結する工程とを有し、 前記光ファイバ用多孔質母材を形成する工程において、
レーザ変位計を用いて前記光ファイバ用多孔質母材の外
径を測定し、前記ガラス微粒子の堆積量を管理する光フ
ァイバ母材の製造方法。 - 【請求項４】チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材用
のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動
および前記延伸方向へのトラバース運動をさせながら、
当該コアガラスロッドを支持する手段と、 前記チャンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外
周面に火炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバー
ナと、 前記チャンバ内の複数箇所に設けられた複数個の温度測
定手段と、 前記温度測定手段の測定した温度の結果に応じて給気風
量を調節する手段とを有する光ファイバ母材の製造装
置。 - 【請求項５】前記複数個ので温度測定手段が、前記チャ
ンバ内における前記コアガラスロッドよりも高い第１の
位置と前記コアガラスロッドよりも低い第２の位置とに
設けられており、 前記給気風量を調節する手段により、前記第１の位置の
測定温度が第１の目標温度より高く、前記第２の位置の
測定温度が第２の目標温度より低い場合に、前記給気風
量を多く調節し、前記第１の位置の測定温度が第１の目
標温度より低く、前記第２の位置の測定温度が第２の目
標温度より高い場合に、前記給気風量を少なく調節する
請求項４に記載の光ファイバ母材の製造装置。 - 【請求項６】チャンバ内に設けられ、光ファイバ母材用
のコアガラスロッドの延伸方向を回転軸とする回転運動
および前記延伸方向へのトラバース運動をさせながら、
当該コアガラスロッドを支持する手段と、 前記チャンバ内に設けられ、前記コアガラスロッドの外
周面に火炎を吹きつけてガラス微粒子を堆積させるバー
ナと、 前記チャンバ内に設けられたレーザ変位計とを有し、 前記レーザ変位計を用いて前記光ファイバ用多孔質母材
の外径を測定し、前記ガラス微粒子の堆積量を管理する
光ファイバ母材の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183411A JP4776099B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183411A JP4776099B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003002681A true JP2003002681A (ja) | 2003-01-08 |
| JP4776099B2 JP4776099B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=19023363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001183411A Expired - Fee Related JP4776099B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4776099B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022141209A (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-29 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法及び光ファイバ母材の製造システム |
| JP2022141198A (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-29 | 古河電気工業株式会社 | 測定装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06234539A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Fujikura Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
| JP2000272930A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-18 JP JP2001183411A patent/JP4776099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06234539A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Fujikura Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
| JP2000272930A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022141209A (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-29 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法及び光ファイバ母材の製造システム |
| JP2022141198A (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-29 | 古河電気工業株式会社 | 測定装置 |
| JP7354169B2 (ja) | 2021-03-15 | 2023-10-02 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法及び光ファイバ母材の製造システム |
| JP7354168B2 (ja) | 2021-03-15 | 2023-10-02 | 古河電気工業株式会社 | 測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4776099B2 (ja) | 2011-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3131162B2 (ja) | 光ファイバプリフォームの製造方法 | |
| JP2612949B2 (ja) | 光ファイバプリフォーム母材の製造方法 | |
| KR100640466B1 (ko) | 기상 축 증착 장치 및 방법 | |
| JP2622182B2 (ja) | 光ファイバプリフォーム母材の製造方法 | |
| KR20020040621A (ko) | 석영유리 본체를 제조하기 위한 방법과 장치 | |
| US20080013901A1 (en) | Macro-bending insensitive optical fiber | |
| US20070151298A1 (en) | Vapor axial deposition apparatus and method for fabricating soot preform using the same | |
| JP2003002681A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法および製造装置 | |
| US20040007025A1 (en) | Production process for porous glass preform | |
| EP1440949B1 (en) | Method for producing optical fiber base material | |
| JPH04292434A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| JP4057304B2 (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| KR100402847B1 (ko) | 광섬유 프리폼 외부기상증착장치 | |
| JPS6059178B2 (ja) | 光フアイバ用母材の製造方法 | |
| JPH0583500B2 (ja) | ||
| US20070157674A1 (en) | Apparatus for fabricating optical fiber preform and method for fabricating low water peak fiber using the same | |
| JP3635906B2 (ja) | 光ファイバ母材製造方法 | |
| JPH054825A (ja) | ガラス物品の製造方法 | |
| JP4056778B2 (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| JP2005139042A (ja) | 多孔質ガラス母材の製造方法 | |
| JP3952431B2 (ja) | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 | |
| JP3687625B2 (ja) | ガラス母材の製造方法 | |
| JP2000281377A (ja) | 光ファイバ用母材の製造方法及び装置 | |
| JP3826839B2 (ja) | ガラス母材の製造方法 | |
| JPS6374932A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080401 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110530 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110621 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110628 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4776099 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |