JP2002543292A - マイクロ波プラズマによる容器処理用装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマによる容器処理用装置Info
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2367/00—Characterised by the use of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Derivatives of such polymers
- C08J2367/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Polymers & Plastics (AREA)
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、容器が導体材料から成るチャンバ１２内に設置され、回転対称であり、装置が、チャンバの軸Ａ１に対しほぼ直角であり、短辺がチャンバの軸の方向の寸法に対応し、矩形の窓の形状で開口する導波トンネル１５を含むこと、およびチャンバ１２の内径が、マイクロ波の伝播によって生じる電界が主に軸回転対称を有するモードでチャンバ内を伝播するような内径であることを特徴とするマイクロ波プラズマで容器を処理するための装置に関する。
Description
【０００１】 本発明は、たとえば熱可塑性材料の容器上の表面処理方法の分野に関する。
【０００２】 本発明はたとえば、テレフタル酸ポリエチレンなどの熱可塑性材料のボトルま
たはポット上に、バリア効果を有する薄層を堆積させる分野に適用される。
たはポット上に、バリア効果を有する薄層を堆積させる分野に適用される。
【０００３】 現在、特に、これら容器のガス透過性を下げるか、ある放射、特に紫外線に対
する不透過性を増して、これら容器内に充填された製品の保存期間を長くするた
めに、これら容器のバリア特性を向上させる試みがなされている。
する不透過性を増して、これら容器内に充填された製品の保存期間を長くするた
めに、これら容器のバリア特性を向上させる試みがなされている。
【０００４】 この目的のために、少なくとも表面において容器の材料を直接変えるか、容器
の特性を改良することができる有機または無機材料層で容器を被覆することをね
らいとする種々の方法が提案された。このような処理を実現するにあたりきわめ
て有利な方法は低圧プラズマにより処理を行うことである。このような方法にお
いては、チャンバの内部に真空を作り、同時に、好ましくは１ｍｂａｒ未満の絶
対圧力下で反応流体を注入する。反応流体は堆積させる材料の性質によって異な
る。反応流体は、通常、気体または混合気体の形態の下で、堆積すべき材料の前
駆体を含む。反応流体は担体ガスを含むこともできる。
の特性を改良することができる有機または無機材料層で容器を被覆することをね
らいとする種々の方法が提案された。このような処理を実現するにあたりきわめ
て有利な方法は低圧プラズマにより処理を行うことである。このような方法にお
いては、チャンバの内部に真空を作り、同時に、好ましくは１ｍｂａｒ未満の絶
対圧力下で反応流体を注入する。反応流体は堆積させる材料の性質によって異な
る。反応流体は、通常、気体または混合気体の形態の下で、堆積すべき材料の前
駆体を含む。反応流体は担体ガスを含むこともできる。
【０００５】 この反応流体は、活性分子を生み出すプラズマを形成するための前駆体を励起
するのに適したマイクロ波型電磁放射により制御される。堆積処理の場合、これ
らの分子は、堆積材料の安定性を保証するきわめて強い物理化学的結合により、
容器の表面上に堆積することができる。しかしながら場合によっては、処理は、
容器を構成する材料の表面を単に変性することであることもある。その場合、新
しい材料層の堆積はなく、プラズマの活性分子またはその種のものとの相互作用
による容器の材料の変性がある。
するのに適したマイクロ波型電磁放射により制御される。堆積処理の場合、これ
らの分子は、堆積材料の安定性を保証するきわめて強い物理化学的結合により、
容器の表面上に堆積することができる。しかしながら場合によっては、処理は、
容器を構成する材料の表面を単に変性することであることもある。その場合、新
しい材料層の堆積はなく、プラズマの活性分子またはその種のものとの相互作用
による容器の材料の変性がある。
【０００６】 マイクロ波型電磁放射を使用することにより、特に、広く使用されている無線
周波数型放射など他の放射では得ることが不可能な特別な構造を有する堆積を得
ることが可能である。
周波数型放射など他の放射では得ることが不可能な特別な構造を有する堆積を得
ることが可能である。
【０００７】 これらの方法の実施において直面する困難の１つは、被覆すべき全表面の処理
の均質性を得るという点に存在する。堆積処理の場合、これらの均質性の問題が
付着層の厚さおよびこの層の組成に関して影響を及ぼすことがある。もちろん、
堆積層のこの均質性の不良は満足できるものではない。
の均質性を得るという点に存在する。堆積処理の場合、これらの均質性の問題が
付着層の厚さおよびこの層の組成に関して影響を及ぼすことがある。もちろん、
堆積層のこの均質性の不良は満足できるものではない。
【０００８】 ところで、均質な処理の実現は、特にできるだけ高い均質性を有するプラズマ
を使用することにより行なわれる。
を使用することにより行なわれる。
【０００９】 したがって本発明は、プラズマの良好な均質性を保証することができるマイク
ロ波の最適な伝播を得ることが可能な装置を提供することを目的とする。堆積処
理の場合、この装置はさらに、工業的使用に適合する処理時間で、すなわち比較
的高い堆積速度で、この均質性を得ることを可能にするものでなくてはならない
。
ロ波の最適な伝播を得ることが可能な装置を提供することを目的とする。堆積処
理の場合、この装置はさらに、工業的使用に適合する処理時間で、すなわち比較
的高い堆積速度で、この均質性を得ることを可能にするものでなくてはならない
。
【００１０】 この目的のため本発明は、反応流体の励起による低圧プラズマを用いてマイク
ロ波型の電磁波により処理が実施される種類であって、かつ、容器が、結合装置
を介してマイクロ波が投入される導体材料のチャンバ内に設置される種類の、容
器の表面処理用の装置であって、チャンバが、容器の主軸を中心とする回転円筒
であること、結合装置が、チャンバの軸に対しほぼ直角な方向に延び、短辺がチ
ャンバの軸の方向の寸法に対応する矩形をチャンバの接線面上の投影において有
する窓の形状のチャンバの側壁内に開口する導波トンネルを含むこと、およびチ
ャンバの内径が、マイクロ波の伝播によって生じる電界が軸回転対称を有するモ
ードでチャンバ内を主に伝播するような内径であることを特徴とする装置を提供
する。
ロ波型の電磁波により処理が実施される種類であって、かつ、容器が、結合装置
を介してマイクロ波が投入される導体材料のチャンバ内に設置される種類の、容
器の表面処理用の装置であって、チャンバが、容器の主軸を中心とする回転円筒
であること、結合装置が、チャンバの軸に対しほぼ直角な方向に延び、短辺がチ
ャンバの軸の方向の寸法に対応する矩形をチャンバの接線面上の投影において有
する窓の形状のチャンバの側壁内に開口する導波トンネルを含むこと、およびチ
ャンバの内径が、マイクロ波の伝播によって生じる電界が軸回転対称を有するモ
ードでチャンバ内を主に伝播するような内径であることを特徴とする装置を提供
する。
【００１１】 本発明の他の特徴によれば、 − 容器がない状態でマイクロ波がチャンバに投入される時、電界強度の変化
がチャンバの半径上で２つの最大値を有し、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、チャンバの内径が２１３ｍ
ｍから２１７ｍｍであり、 − 容器がない状態でマイクロ波がチャンバに投入される時、電界強度の変化
がチャンバの半径上で３つの最大値を有し、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、チャンバの内径が３３４ｍ
ｍから３４０ｍｍであり、 − 容器がない状態でマイクロ波がチャンバに投入される時、電界強度の変化
がチャンバの半径上で４つの最大値を有し、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、チャンバの内径が４５５ｍ
ｍから４６５ｍｍであり、 − 導波トンネルが矩形断面であり、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、導波トンネルの断面がチャ
ンバの軸方向におよそ４３ｍｍの寸法を有し、直角方向におよそ８６ｍｍの寸法
を有し、 − 容器の内面上で処理が行われるように反応流体が容器の内部に投入され、 − 容器の外面上で処理が行われるように反応流体が容器の外部のチャンバに
投入され、 − チャンバの内部において、マイクロ波をほぼ透過させる材料で作成された
隔壁によってキャビティが画定され、容器がキャビティの内部に収納され、 − 処理が、低圧プラズマにより材料を堆積させる段階を含む。
がチャンバの半径上で２つの最大値を有し、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、チャンバの内径が２１３ｍ
ｍから２１７ｍｍであり、 − 容器がない状態でマイクロ波がチャンバに投入される時、電界強度の変化
がチャンバの半径上で３つの最大値を有し、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、チャンバの内径が３３４ｍ
ｍから３４０ｍｍであり、 − 容器がない状態でマイクロ波がチャンバに投入される時、電界強度の変化
がチャンバの半径上で４つの最大値を有し、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、チャンバの内径が４５５ｍ
ｍから４６５ｍｍであり、 − 導波トンネルが矩形断面であり、 − マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有し、導波トンネルの断面がチャ
ンバの軸方向におよそ４３ｍｍの寸法を有し、直角方向におよそ８６ｍｍの寸法
を有し、 − 容器の内面上で処理が行われるように反応流体が容器の内部に投入され、 − 容器の外面上で処理が行われるように反応流体が容器の外部のチャンバに
投入され、 − チャンバの内部において、マイクロ波をほぼ透過させる材料で作成された
隔壁によってキャビティが画定され、容器がキャビティの内部に収納され、 − 処理が、低圧プラズマにより材料を堆積させる段階を含む。
【００１２】 本発明の他の特徴は、以下の詳細な記述を読み、単一図が本発明の趣旨に合致
した装置の概略を示す添付の図面を参照することにより明らかになろう。
した装置の概略を示す添付の図面を参照することにより明らかになろう。
【００１３】 単一図に概略を示す装置は本発明の趣旨に合致した処理装置１０である。この
装置は、特に、熱塑性材料の容器の内面へ低圧プラズマによる被覆の堆積方法の
実施をはかるためのものである。
装置は、特に、熱塑性材料の容器の内面へ低圧プラズマによる被覆の堆積方法の
実施をはかるためのものである。
【００１４】 たとえば、容器はテレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）製ボトルとすることが
でき、形成すべき被覆はカーボンを主とする材料で構成することができる。しか
しながら本発明は、他の容器、ならびに、たとえば酸化ケイ素または酸化アルミ
ニウムを主材とする被覆などについて有利に実施することができよう。事実、こ
れらの被覆はすべて酸素および過酸化炭素などの気体に対するＰＥＴ製ボトルの
透過性を大幅に減らすことができるため、きわめて有利である。
でき、形成すべき被覆はカーボンを主とする材料で構成することができる。しか
しながら本発明は、他の容器、ならびに、たとえば酸化ケイ素または酸化アルミ
ニウムを主材とする被覆などについて有利に実施することができよう。事実、こ
れらの被覆はすべて酸素および過酸化炭素などの気体に対するＰＥＴ製ボトルの
透過性を大幅に減らすことができるため、きわめて有利である。
【００１５】 処理装置１０は一度に１つのボトルを処理するようになっている。しかしなが
らこの処理装置は、一連の同一な装置を含む回転機械内に組み込まれるのが好ま
しい、というのは、所与の時間内に多数のボトルを処理することができるように
する目的からである。
らこの処理装置は、一連の同一な装置を含む回転機械内に組み込まれるのが好ま
しい、というのは、所与の時間内に多数のボトルを処理することができるように
する目的からである。
【００１６】 したがって装置１０は、たとえば金属などの導体材料の外部チャンバ１２を含
む。チャンバ１２は軸Ａ１を中心として円筒形であり、本発明によれば、マイク
ロ波型電磁場の特別結合モードを容易にするように寸法が決められる。
む。チャンバ１２は軸Ａ１を中心として円筒形であり、本発明によれば、マイク
ロ波型電磁場の特別結合モードを容易にするように寸法が決められる。
【００１７】 事実、装置１０は、チャンバ１２の外部に配置され、マイクロ波領域の電磁界
を発生することができる発生器１４を含む。発生器１４によって発生されるマイ
クロ波の電界周波数はたとえば２．４５ＧＨｚである。
を発生することができる発生器１４を含む。発生器１４によって発生されるマイ
クロ波の電界周波数はたとえば２．４５ＧＨｚである。
【００１８】 発生器１４はチャンバ１２の外部の箱１３内に取り付けられ、発生器が発生す
る電磁放射は、円筒形チャンバの半径方向に延び、チャンバのほぼ中間の高さの
ところのチャンバ内に設けられた窓を通して開口するトンネル形状の導波路１５
により、チャンバ１２まで送られる。
る電磁放射は、円筒形チャンバの半径方向に延び、チャンバのほぼ中間の高さの
ところのチャンバ内に設けられた窓を通して開口するトンネル形状の導波路１５
により、チャンバ１２まで送られる。
【００１９】 以下で詳細に開示するように、導波路１５の形状および寸法も、チャンバ１２
内でのマイクロ波電界の好ましい結合ができるように調節される。
内でのマイクロ波電界の好ましい結合ができるように調節される。
【００２０】 チャンバ１２の内部には、チャンバと同軸であり、マイクロ波をほぼ透過し、
チャンバ１２の内部において、チャンバ１２に同軸な円筒形キャビティ１８を画
定する管１６を配置した。管１６はたとえば石英で作成される。キャビティ１８
は、その軸端のうちの１つ、この例では下端において、チャンバ１２の下部横断
隔壁２６により閉じられる。反対にキャビティ１８の上端は、ボトルが処理を受
けることになるキャビティの内部にボトルを挿入することができるように開口し
ている。ボトルは、チャンバ１２およびキャビティ１８に対しほぼ同軸に配置さ
れる。
チャンバ１２の内部において、チャンバ１２に同軸な円筒形キャビティ１８を画
定する管１６を配置した。管１６はたとえば石英で作成される。キャビティ１８
は、その軸端のうちの１つ、この例では下端において、チャンバ１２の下部横断
隔壁２６により閉じられる。反対にキャビティ１８の上端は、ボトルが処理を受
けることになるキャビティの内部にボトルを挿入することができるように開口し
ている。ボトルは、チャンバ１２およびキャビティ１８に対しほぼ同軸に配置さ
れる。
【００２１】 蓋２０は、キャビティ内を真空にできるようにキャビティ１８の上端を気密的
に閉じるためのものである。容器２４をキャビティ１８の内部に挿入できるよう
、蓋２０は軸方向において可動である。
に閉じるためのものである。容器２４をキャビティ１８の内部に挿入できるよう
、蓋２０は軸方向において可動である。
【００２２】 蓋２０上には、ネックで容器２４を固定するための手段２２と、キャビティ１
８内に様々な水準の真空を作り出す手段とが設けられる。したがってたとえば、
容器の内面の処理の場合、およそ０．１ｍｂａｒの絶対圧力に相当する真空を容
器２４に作り、ボトルの外部には、およそ５０ｍｂａｒの絶対圧力に相当する真
空を作る。容器２４の周囲に作られる真空により、容器が、その変形をもたらす
可能性のある過大な圧力差を受けるのが防止される。しかしながらこの真空度は
プラズマの形成を可能にするほど高くはない。それは、マイクロ波により供給さ
れるエネルギーが、堆積を所望しないボトルの外側に散逸しないようにするため
である。別の動作モードは、プラズマが開始できないよう、たとえば０．０１ｍ
ｂａｒ未満の十分に低い真空を容器２４の周囲に作ることである。この動作モー
ドは技術的にあまり有利ではない。なぜなら、この低い圧力レベルに到達するま
で、より多くの時間を要するからである。
８内に様々な水準の真空を作り出す手段とが設けられる。したがってたとえば、
容器の内面の処理の場合、およそ０．１ｍｂａｒの絶対圧力に相当する真空を容
器２４に作り、ボトルの外部には、およそ５０ｍｂａｒの絶対圧力に相当する真
空を作る。容器２４の周囲に作られる真空により、容器が、その変形をもたらす
可能性のある過大な圧力差を受けるのが防止される。しかしながらこの真空度は
プラズマの形成を可能にするほど高くはない。それは、マイクロ波により供給さ
れるエネルギーが、堆積を所望しないボトルの外側に散逸しないようにするため
である。別の動作モードは、プラズマが開始できないよう、たとえば０．０１ｍ
ｂａｒ未満の十分に低い真空を容器２４の周囲に作ることである。この動作モー
ドは技術的にあまり有利ではない。なぜなら、この低い圧力レベルに到達するま
で、より多くの時間を要するからである。
【００２３】 もちろん蓋２０は、チャンバ内、すなわちここでは容器２４の内部に、容器の
内部隔壁上に堆積させたい材料の少なくとも１つの前駆体を含む反応流体を注入
するための手段も含む。容器２４の処理には、堆積方法に対し追加となる方法の
実施も含まれることに留意されたい。したがって、堆積を実行する前、あるいは
堆積の後処理を実行する前に、容器の表面の第１準備処理を実行することを考え
ることができる。
内部隔壁上に堆積させたい材料の少なくとも１つの前駆体を含む反応流体を注入
するための手段も含む。容器２４の処理には、堆積方法に対し追加となる方法の
実施も含まれることに留意されたい。したがって、堆積を実行する前、あるいは
堆積の後処理を実行する前に、容器の表面の第１準備処理を実行することを考え
ることができる。
【００２４】 本装置は、石英管１６の周囲のチャンバ１２内に配置された軸Ａ１の環状板２
８、３０も含む。２つの環状板２８、３０は、導波路１５がチャンバ１２内に開
口する際に通過する窓の両側に軸方向に配置されるように、相互に軸方向に変位
している。しかしながら、それぞれの軸の位置は、処理すべき容器２４の形状に
応じて変化することができる。事実、導電材料で作製される環状板２８、３０は
、チャンバ１２内に投入される電磁界のための短絡を形成し、有効処理ゾーンの
レベルにおいて強度の最大値を得るために電界を軸方向に閉じ込める。したがっ
て環状板２８、３０は、環状板の軸位置の迅速かつ容易な調整を可能にする軸方
向滑動ロッド３２、３４により支承される。
８、３０も含む。２つの環状板２８、３０は、導波路１５がチャンバ１２内に開
口する際に通過する窓の両側に軸方向に配置されるように、相互に軸方向に変位
している。しかしながら、それぞれの軸の位置は、処理すべき容器２４の形状に
応じて変化することができる。事実、導電材料で作製される環状板２８、３０は
、チャンバ１２内に投入される電磁界のための短絡を形成し、有効処理ゾーンの
レベルにおいて強度の最大値を得るために電界を軸方向に閉じ込める。したがっ
て環状板２８、３０は、環状板の軸位置の迅速かつ容易な調整を可能にする軸方
向滑動ロッド３２、３４により支承される。
【００２５】 本発明によれば、提供される装置により、チャンバの内部において、可能な限
り高い均質性を有するプラズマを得ることができる。これを行うためには、電磁
界強度が可能な限り均一に分布すること、および特に、チャンバのある点におけ
る電界強度が、当該点の軸位置とはほぼ無関係であること、また、軸Ａ１を中心
とするこの点の角度位置ともほぼ無関係であることが必要である。
り高い均質性を有するプラズマを得ることができる。これを行うためには、電磁
界強度が可能な限り均一に分布すること、および特に、チャンバのある点におけ
る電界強度が、当該点の軸位置とはほぼ無関係であること、また、軸Ａ１を中心
とするこの点の角度位置ともほぼ無関係であることが必要である。
【００２６】 これを行うのに、以下に記述するような処理位置により最良の結果が得られた
ことがわかった。
ことがわかった。
【００２７】 導波路１５は、軸Ａ１に対し半径方向に延びることを見てきたが、軸Ａ１から
ほぼ１８５ｍｍのところに配置される底面隔壁３６により、半径方向において外
側に画定される。導波路１５は、軸Ａ１方向の高さがおよそ４３ｍｍ、幅がおよ
そ８６ｍｍの一定矩形断面を有する。
ほぼ１８５ｍｍのところに配置される底面隔壁３６により、半径方向において外
側に画定される。導波路１５は、軸Ａ１方向の高さがおよそ４３ｍｍ、幅がおよ
そ８６ｍｍの一定矩形断面を有する。
【００２８】 発生器１４は、導波路の下部隔壁内に設けられた開口部から導波路１５内に入
るそのアンテナ３８が、底面隔壁３６に対し半径方向に、発生器の製造者により
推奨された、あらかじめ決められた距離に配置される。
るそのアンテナ３８が、底面隔壁３６に対し半径方向に、発生器の製造者により
推奨された、あらかじめ決められた距離に配置される。
【００２９】 しかしながら、電磁界強度の最適な分布を得るための決定的なパラメータはチ
ャンバ１２の内径であることがわかった。
ャンバ１２の内径であることがわかった。
【００３０】 事実、２．４５ＧＨｚのマイクロ波発生器の使用の一環として、以下の３つの
場合に関してきわめて納得のゆく結果が得られた。
場合に関してきわめて納得のゆく結果が得られた。
【００３１】 − チャンバの内径が２１３ｍｍから２１７ｍｍで、容器がなく、キャビティ
内が真空でない状態では、電界強度の変化はチャンバの半径上で２つの最大値を
有する。
内が真空でない状態では、電界強度の変化はチャンバの半径上で２つの最大値を
有する。
【００３２】 − チャンバの内径が３３４ｍｍから３４０ｍｍで、容器がなく、キャビティ
内が真空でない状態では、電界強度の変化はチャンバの半径上で３つの最大値を
有する。
内が真空でない状態では、電界強度の変化はチャンバの半径上で３つの最大値を
有する。
【００３３】 − チャンバの内径が４５５ｍｍから４６５ｍｍで、容器がなく、キャビティ
内が真空でない状態では、電界強度の変化はチャンバの半径上で４つの最大値を
有する。
内が真空でない状態では、電界強度の変化はチャンバの半径上で４つの最大値を
有する。
【００３４】 これらの結果は、チャンバ内に存在する電磁界の像を得るために、チャンバの
内部において種々の方向（半径方向、外周方向、横断方向）に感熱紙を配置する
ことにより明らかにすることができる。３つの場合、電磁界が軸Ａ１を中心とす
る軸回転対称を有していることに注目することができた。
内部において種々の方向（半径方向、外周方向、横断方向）に感熱紙を配置する
ことにより明らかにすることができる。３つの場合、電磁界が軸Ａ１を中心とす
る軸回転対称を有していることに注目することができた。
【００３５】 およそ２１５ｍｍの内径を有するチャンバの場合、たとえば、およそ８５ｍｍ
の内径を有する石英管１６を使用することができる。このような装置を用いた試
験により、５００ｍｌの体積のＰＥＴ製ボトルの内面に、炭素を主とする材料の
均質な被覆を毎秒３００〜４００オングストローム程度の平均堆積速度で付着さ
せることができた。したがって、有効バリア層を得ることができる処理時間は１
〜３秒程度であり、産業レベルでこの装置を使用することが可能である。
の内径を有する石英管１６を使用することができる。このような装置を用いた試
験により、５００ｍｌの体積のＰＥＴ製ボトルの内面に、炭素を主とする材料の
均質な被覆を毎秒３００〜４００オングストローム程度の平均堆積速度で付着さ
せることができた。したがって、有効バリア層を得ることができる処理時間は１
〜３秒程度であり、産業レベルでこの装置を使用することが可能である。
【００３６】 以上の如く、本発明により、特にバリア特性に関して必要な全品質を有する堆
積を容器の内部隔壁上できわめて短時間に実行するための実用的装置を得ること
が可能である。さらにこの装置は十分に単純でコンパクトであるため、１時間あ
たりに多数の容器を処理することができる回転機械上に設置することができる。
積を容器の内部隔壁上できわめて短時間に実行するための実用的装置を得ること
が可能である。さらにこの装置は十分に単純でコンパクトであるため、１時間あ
たりに多数の容器を処理することができる回転機械上に設置することができる。
【００３７】 さらにこのような装置は、たとえば、材料の堆積を発生しないが、プラズマ状
態になった時、容器を構成する材料の構造の表面を変化させる酸素、窒素、また
はアルゴンなどの気体または混合気を使用する処理など、被覆の堆積以外の種類
の処理を実行するのに使用することができる。この装置は容器の外表面を処理す
るのに使用することもできる。その場合、当然のことながら反応流体はキャビテ
ィ内ではあるが容器の外側に注入されなければならない。
態になった時、容器を構成する材料の構造の表面を変化させる酸素、窒素、また
はアルゴンなどの気体または混合気を使用する処理など、被覆の堆積以外の種類
の処理を実行するのに使用することができる。この装置は容器の外表面を処理す
るのに使用することもできる。その場合、当然のことながら反応流体はキャビテ
ィ内ではあるが容器の外側に注入されなければならない。
【図１】 本発明の趣旨に合致した装置の概略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ， ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ Ｇ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
Claims (13)
- 【請求項１】 反応流体の励起による低圧プラズマを用いてマイクロ波型の
電磁波により処理が実施されるタイプ、および容器が、結合装置を介してマイク
ロ波が投入される導体材料のチャンバ（１２）内に設置されるタイプの、容器の
表面処理用装置であって、 チャンバ（１２）が、容器（２４）の主軸（Ａ１）を中心とする回転円筒であ
ること、結合装置が、チャンバの軸（Ａ１）に対しほぼ直角な方向に延び、短辺
がチャンバの軸の方向の寸法に対応する矩形をチャンバの接線面上の投影におい
て呈する窓の形状のチャンバの側壁内に開口する導波トンネル（１５）を含むこ
と、およびチャンバ（１２）の内径が、マイクロ波の伝播によって生じる電界が
軸回転対称を呈するモードでマイクロ波がチャンバ内を主に伝播するような内径
であることを特徴とする装置。 - 【請求項２】 容器（２４）がない状態でマイクロ波がチャンバ（１２）に
投入される時、電界の強度変化がチャンバの半径上で２つの最大値を有すること
を特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有すること、および
チャンバ（１２）の内径が２１３ｍｍから２１７ｍｍであることを特徴とする請
求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 容器がない状態でマイクロ波がチャンバに投入される時、電
界の強度変化がチャンバの半径上で３つの最大値を有することを特徴とする請求
項１に記載の装置。 - 【請求項５】 マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有すること、および
チャンバ（１２）の内径が３３４ｍｍから３４０ｍｍであることを特徴とする請
求項４に記載の装置。 - 【請求項６】 容器がない状態でマイクロ波がチャンバに投入される時、電
界の強度変化がチャンバの半径上で４つの最大値を有することを特徴とする請求
項１に記載の装置。 - 【請求項７】 マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有すること、および
チャンバの内径が４５５ｍｍから４６５ｍｍであることを特徴とする請求項６に
記載の装置。 - 【請求項８】 導波トンネル（１５）が矩形断面であることを特徴とする請
求項１から７のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項９】 マイクロ波が２．４５ＧＨｚの周波数を有すること、導波ト
ンネル（１５）の断面がチャンバ（１２）の軸（Ａ１）の方向におよそ４３ｍｍ
の寸法を有し、直角方向におよそ８６ｍｍの寸法を有することを特徴とする請求
項８に記載の装置。 - 【請求項１０】 容器の内面上で処理が行われるように反応流体が容器（２
４）の内部に投入されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載
の装置。 - 【請求項１１】 容器の外面上で処理が行われるように反応流体が容器（２
４）の外部のチャンバ（１２）に投入されることを特徴とする請求項１から１０
のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項１２】 チャンバ（１２）の内部において、マイクロ波をほぼ透過
させる材料で作成された隔壁（１６）によりキャビティ（１８）が画定されるこ
と、および容器（２４）がキャビティ（１８）の内部に収納されることを特徴と
する請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項１３】 処理が、低圧プラズマにより材料を堆積させる段階を含む
ことを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9906178A FR2792854B1 (fr) | 1999-04-29 | 1999-04-29 | Dispositif pour le depot par plasma micro-ondes d'un revetement sur un recipient en materiau thermoplastique |
| FR99/06178 | 1999-04-29 | ||
| PCT/FR2000/000916 WO2000066804A1 (fr) | 1999-04-29 | 2000-04-11 | Dispositif pour le traitement d'un recipient par plasma micro-ondes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002543292A true JP2002543292A (ja) | 2002-12-17 |
| JP3735257B2 JP3735257B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=9545610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000615424A Expired - Fee Related JP3735257B2 (ja) | 1999-04-29 | 2000-04-11 | マイクロ波プラズマによる容器処理用装置 |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7670453B1 (ja) |
| EP (1) | EP1198611B9 (ja) |
| JP (1) | JP3735257B2 (ja) |
| KR (1) | KR100467160B1 (ja) |
| CN (1) | CN1158405C (ja) |
| AT (1) | ATE244320T1 (ja) |
| AU (1) | AU772766B2 (ja) |
| BR (1) | BR0010064B1 (ja) |
| CA (1) | CA2370337C (ja) |
| DE (1) | DE60003690T2 (ja) |
| ES (1) | ES2202094T3 (ja) |
| FR (1) | FR2792854B1 (ja) |
| MX (1) | MXPA01010669A (ja) |
| PT (1) | PT1198611E (ja) |
| WO (1) | WO2000066804A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005081309A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置 |
| JP2006508247A (ja) * | 2002-11-28 | 2006-03-09 | シデル | 熱可塑性容器面上にマイクロ波プラズマによってコーティングを付着させる方法および装置 |
| JP2008025029A (ja) * | 2006-07-17 | 2008-02-07 | Sidel Participations | 容器の内表面にコーティングを蒸着するための装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10138697B4 (de) * | 2001-08-07 | 2005-02-24 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und Spritzblasen eines dreidimensionalen Körpers |
| EP1507887B1 (de) * | 2002-05-24 | 2008-07-09 | Schott Ag | Mehrplatz-beschichtungsvorrichtung und verfahren zur plasmabeschichtung |
| CN100347229C (zh) * | 2002-11-12 | 2007-11-07 | 陶氏环球技术公司 | 在容器中沉积等离子体涂层的方法和设备 |
| KR20050086510A (ko) * | 2002-11-12 | 2005-08-30 | 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. | 용기상에 플라즈마 코팅을 퇴적시키기 위한 방법 및 장치 |
| DE10331946B4 (de) * | 2003-07-15 | 2008-06-26 | Schott Ag | Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken |
| EP1595913A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-16 | Inergy Automotive Systems Research (SA) | Method for preparing a hollow element of a fuel system |
| FR2871813B1 (fr) * | 2004-06-17 | 2006-09-29 | Sidel Sas | Dispositif de depot, par plasma micro-ondes, d'un revetement sur une face d'un recipient en materiau thermoplastique |
| FR2872555B1 (fr) * | 2004-06-30 | 2006-10-06 | Sidel Sas | Circuit de pompage a vide et machine de traitement de recipients equipee de ce circuit |
| MX2007004481A (es) * | 2004-10-13 | 2007-05-09 | Dow Global Technologies Inc | Proceso para recubrimiento de plasma. |
| FR2892425B1 (fr) * | 2005-10-24 | 2008-01-04 | Sidel Sas | Appareil refroidi pour le depot par plasma d'une couche barriere sur un recipient. |
| FR2908009B1 (fr) | 2006-10-25 | 2009-02-20 | Sidel Participations | Procede et dispositif de regulation d'alimentation electrique d'un magnetron, et installation de traitement de recipients thermoplastiques qui en fait application |
| FR2932395B1 (fr) * | 2008-06-13 | 2011-06-10 | Sidel Participations | Procede de protection d'appareil(s) de mesure ou autre(s) |
| US10081864B2 (en) | 2011-03-10 | 2018-09-25 | Kaiatech, Inc | Method and apparatus for treating containers |
| FR3091875B1 (fr) | 2019-01-17 | 2021-09-24 | Innovative Systems Et Tech Isytech | Procédé et dispositif de traitement pour le dépôt d’un revêtement à effet barrière |
| KR102596216B1 (ko) | 2021-10-29 | 2023-11-01 | 현대제철 주식회사 | 용융아연도금강판 및 이의 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0624782A (ja) * | 1992-02-06 | 1994-02-01 | Ceramoptec Inc | 光ファイバー製造用の外面被覆ガラス体を製造する方法と装置 |
| JPH08508964A (ja) * | 1994-02-09 | 1996-09-24 | ザ・コカ−コーラ・カンパニー | 主に無機物質のプラズマ補助堆積による不活性又は不浸透性内部表面を有する中空容器 |
| JPH08509166A (ja) * | 1994-02-16 | 1996-10-01 | ザ・コカ−コーラ・カンパニー | プラズマ補助表面反応又は表面上の重合による不活性又は不浸透性内部表面を有する中空容器 |
| JP2001518685A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | テトラ ラヴァル ホールディングズ アンド ファイナンス エス．アー． | プラズマ強化処理におけるプラスチック製ボトルの内面処理方法および装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740566B2 (ja) * | 1986-02-04 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| US4970435A (en) * | 1987-12-09 | 1990-11-13 | Tel Sagami Limited | Plasma processing apparatus |
| US4893584A (en) * | 1988-03-29 | 1990-01-16 | Energy Conversion Devices, Inc. | Large area microwave plasma apparatus |
| FR2631199B1 (fr) * | 1988-05-09 | 1991-03-15 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur a plasma |
| US5074245A (en) * | 1989-09-20 | 1991-12-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond synthesizing apparatus |
| US5225740A (en) * | 1992-03-26 | 1993-07-06 | General Atomics | Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation |
| DE4316349C2 (de) * | 1993-05-15 | 1996-09-05 | Ver Foerderung Inst Kunststoff | Verfahren zur Innenbeschichtung von Hohlkörpern mit organischen Deckschichten durch Plasmapolymerisation, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US5679412A (en) * | 1993-10-28 | 1997-10-21 | Manfred R. Kuehnle | Method and apparatus for producing gas impermeable, chemically inert container structures for food and volatile substances |
| KR970071945A (ko) * | 1996-02-20 | 1997-11-07 | 가나이 쯔도무 | 플라즈마처리방법 및 장치 |
| JPH09321030A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| TW392215B (en) * | 1997-02-19 | 2000-06-01 | Anelva Corp | Surface processing apparatus |
| DE19722205A1 (de) * | 1997-05-27 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Kunststoff- oder Glasbehältern mittels eines PCVD-Beschichtungsverfahrens |
| FR2776540B1 (fr) * | 1998-03-27 | 2000-06-02 | Sidel Sa | Recipient en matiere a effet barriere et procede et appareil pour sa fabrication |
-
1999
- 1999-04-29 FR FR9906178A patent/FR2792854B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-11 BR BRPI0010064-1A patent/BR0010064B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-04-11 WO PCT/FR2000/000916 patent/WO2000066804A1/fr active IP Right Grant
- 2000-04-11 MX MXPA01010669A patent/MXPA01010669A/es active IP Right Grant
- 2000-04-11 CN CNB008069026A patent/CN1158405C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-11 AT AT00918933T patent/ATE244320T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-04-11 EP EP00918933A patent/EP1198611B9/fr not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-11 PT PT00918933T patent/PT1198611E/pt unknown
- 2000-04-11 DE DE60003690T patent/DE60003690T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-11 ES ES00918933T patent/ES2202094T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-11 US US10/501,718 patent/US7670453B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-11 KR KR10-2001-7013643A patent/KR100467160B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-04-11 AU AU39712/00A patent/AU772766B2/en not_active Ceased
- 2000-04-11 JP JP2000615424A patent/JP3735257B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-11 CA CA002370337A patent/CA2370337C/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0624782A (ja) * | 1992-02-06 | 1994-02-01 | Ceramoptec Inc | 光ファイバー製造用の外面被覆ガラス体を製造する方法と装置 |
| JPH08508964A (ja) * | 1994-02-09 | 1996-09-24 | ザ・コカ−コーラ・カンパニー | 主に無機物質のプラズマ補助堆積による不活性又は不浸透性内部表面を有する中空容器 |
| JPH08509166A (ja) * | 1994-02-16 | 1996-10-01 | ザ・コカ−コーラ・カンパニー | プラズマ補助表面反応又は表面上の重合による不活性又は不浸透性内部表面を有する中空容器 |
| JP2001518685A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | テトラ ラヴァル ホールディングズ アンド ファイナンス エス．アー． | プラズマ強化処理におけるプラスチック製ボトルの内面処理方法および装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006508247A (ja) * | 2002-11-28 | 2006-03-09 | シデル | 熱可塑性容器面上にマイクロ波プラズマによってコーティングを付着させる方法および装置 |
| JP2005081309A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置 |
| JP2008025029A (ja) * | 2006-07-17 | 2008-02-07 | Sidel Participations | 容器の内表面にコーティングを蒸着するための装置 |
| JP4612020B2 (ja) * | 2006-07-17 | 2011-01-12 | シデル・パーティシペーションズ | 容器の内表面にコーティングを蒸着するための装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2370337A1 (fr) | 2000-11-09 |
| PT1198611E (pt) | 2003-11-28 |
| BR0010064B1 (pt) | 2010-10-05 |
| MXPA01010669A (es) | 2003-10-15 |
| DE60003690D1 (de) | 2003-08-07 |
| AU3971200A (en) | 2000-11-17 |
| FR2792854A1 (fr) | 2000-11-03 |
| AU772766B2 (en) | 2004-05-06 |
| FR2792854B1 (fr) | 2001-08-03 |
| CN1349567A (zh) | 2002-05-15 |
| WO2000066804A1 (fr) | 2000-11-09 |
| EP1198611B1 (fr) | 2003-07-02 |
| EP1198611B9 (fr) | 2003-11-05 |
| ATE244320T1 (de) | 2003-07-15 |
| JP3735257B2 (ja) | 2006-01-18 |
| DE60003690T2 (de) | 2004-06-03 |
| US7670453B1 (en) | 2010-03-02 |
| CN1158405C (zh) | 2004-07-21 |
| EP1198611A1 (fr) | 2002-04-24 |
| KR20020028874A (ko) | 2002-04-17 |
| ES2202094T3 (es) | 2004-04-01 |
| CA2370337C (fr) | 2004-10-12 |
| BR0010064A (pt) | 2002-01-15 |
| KR100467160B1 (ko) | 2005-01-24 |
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