JP2002541464A - イオン光学システムを有するガントリ - Google Patents
イオン光学システムを有するガントリInfo
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- A61N5/1042—X-ray therapy; Gamma-ray therapy; Particle-irradiation therapy with spatial modulation of the radiation beam within the treatment head
- A61N5/1043—Scanning the radiation beam, e.g. spot scanning or raster scanning
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
- G21K5/10—Irradiation devices with provision for relative movement of beam source and object to be irradiated
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- A61N2005/1085—X-ray therapy; Gamma-ray therapy; Particle-irradiation therapy characterised by the type of particles applied to the patient
- A61N2005/1087—Ions; Protons
Abstract
(57)【要約】
【課題】
【解決手段】本発明は、イオンビームをガントリの回転軸に曲げるための４０°〜４５°の範囲の曲げ角度を有する第１曲げ電磁石；該イオンビームを該ガントリの回転軸に平行に曲げるための第１曲げ電磁石の曲げ角度と同じ曲げ角度を有する第２曲げ電磁石；該イオンビームを該イオンビームと該ガントリ回転軸との交わりに向けて曲げるための４０°〜９０°の範囲の曲げ角度を有する第３曲げ電磁石を含み、交わりはイソセンタと呼ばれるイオン光学システムを有するガントリであって、かつ、該ガントリは、さらに、ビーム方向に垂直である平面で該イオンビームを垂直走査するための、該第３曲げ電磁石の上流に位置する垂直走査電磁石；該第１曲げ電磁石の下流であって、かつ、該電磁石の上流に位置する調整可能な励磁を有する少なくとも６つの四極子電磁石を含み、四極子電磁石はガントリ入射口からイソセンタへ完全にアクロマティックなビーム輸送をもたらし；既定ビームサイズパターンに従って、イソセンタでの該イオンビームサイズ制御；およびガントリ回転角度から独立したイソセンタでの該イオンビームでのサイズおよびイソセンタでの該イオンビームのスポット形をもたらし、ガントリは加速器とガントリを結合する固定ビーム輸送において、０°〜３６０°のいかなる角度でも回転することができ、かつ、該固定ビーム伝達ラインから出て、該ガントリへ入る該イオンビームは、該固定ビーム伝達ラインの水平および垂直平面で異なったエミッタンスを有するイオン光学システムを有するガントリに関する。
Description
【０００１】
本発明は請求項１の前文に記載されるイオン光学システムを有するガントリに
関する。
関する。
【０００２】
このようなガントリのためのイオン光学システムは、プロトンビームを該ガン
トリの回転軸から曲げるために、米国特許第4,870,287号から公知であるような
曲げ角度９０°を有する第１曲げ電磁石を包含する。さらに、第１曲げ電磁石の
曲げ角度と同じ曲げ角度を有する第２曲げ電磁石は、該イオンビームを該ガント
リの該軸と平行に曲げる。最後に、上記した先行技術によると９０°の曲げ角度
を有する第３曲げ電磁石は、該イオンビームを該ガントリの該回転軸と該イオン
ビームの交わりに向けて曲げる。この交わりはイソセンタと呼ばれる。
トリの回転軸から曲げるために、米国特許第4,870,287号から公知であるような
曲げ角度９０°を有する第１曲げ電磁石を包含する。さらに、第１曲げ電磁石の
曲げ角度と同じ曲げ角度を有する第２曲げ電磁石は、該イオンビームを該ガント
リの該軸と平行に曲げる。最後に、上記した先行技術によると９０°の曲げ角度
を有する第３曲げ電磁石は、該イオンビームを該ガントリの該回転軸と該イオン
ビームの交わりに向けて曲げる。この交わりはイソセンタと呼ばれる。
【０００３】 第１および第２曲げ電磁石の間に２つの四極子電磁石を配置することは、米国
特許第4,870,287号から、さらに公知である。第２および第３曲げ電磁石の間に
も、２つの他の四極子電磁石を配置する。しかし、このようなガントリの欠点は
、もしも非対称イオンビームが固定伝達ラインからガントリ入射口へ導入された
なら、たった４つの四極子を有するこのようなガントリ内でのビーム輸送は、ガ
ントリ回転の角度に依存することになり、非対称ビームは垂直および水平平面で
異なったエミッタンスを有するビームとしての意味を有する。
特許第4,870,287号から、さらに公知である。第２および第３曲げ電磁石の間に
も、２つの他の四極子電磁石を配置する。しかし、このようなガントリの欠点は
、もしも非対称イオンビームが固定伝達ラインからガントリ入射口へ導入された
なら、たった４つの四極子を有するこのようなガントリ内でのビーム輸送は、ガ
ントリ回転の角度に依存することになり、非対称ビームは垂直および水平平面で
異なったエミッタンスを有するビームとしての意味を有する。
【０００４】 医療用シンクロトロンの理論的研究ならびに既存施設での測定では、ゆっくり
と取り出されたビームは、水平および垂直平面で上記した異なったエミッタンス
を有することを示していた。これは回転ガントリへの固定伝達ラインの整合性を
複雑にしている。ガントリの水平および垂直平面の入射口ビームパラメーターは
、ガントリ回転角度の関数となり、もしも特別な注意が払われないなら、この従
属性はガントリ射出口のビームパラメーターへと変換される。
と取り出されたビームは、水平および垂直平面で上記した異なったエミッタンス
を有することを示していた。これは回転ガントリへの固定伝達ラインの整合性を
複雑にしている。ガントリの水平および垂直平面の入射口ビームパラメーターは
、ガントリ回転角度の関数となり、もしも特別な注意が払われないなら、この従
属性はガントリ射出口のビームパラメーターへと変換される。
【０００５】 これらの欠点を解消するために、ガントリ内で該四極子電磁石に加えて、複数
の他の四極子電磁石を含む「回転子」と呼ばれる、特別な整合部分が、M. Bened
iktとC. Carli,「医療用シンクロトロンのためのガントリへの整合性」Particle
Accelerator Conference PAC '97, Vancouver 1997にて提案された。この回転
子は固定伝達ライン内のガントリの上流に配置される。
の他の四極子電磁石を含む「回転子」と呼ばれる、特別な整合部分が、M. Bened
iktとC. Carli,「医療用シンクロトロンのためのガントリへの整合性」Particle
Accelerator Conference PAC '97, Vancouver 1997にて提案された。この回転
子は固定伝達ライン内のガントリの上流に配置される。
【０００６】 この回転子は、ガントリ上にいかなる特別なイオン光学拘束力を適用しなくて
も、固定伝達ラインへ回転ガントリを整合させることができる一般的な方法をも
たらす。他方、これは伝達ラインの余分な長さ約１０ｍを占め、これは病院へ取
り付ける極めてコンパクな医療用加速器複合体の形態にとしては不利である。さ
らに、回転子全体はガントリとともに同期的に回転されなければならない。これ
は、極めて正確な機械的回転のために余分な装置を必要とする。
も、固定伝達ラインへ回転ガントリを整合させることができる一般的な方法をも
たらす。他方、これは伝達ラインの余分な長さ約１０ｍを占め、これは病院へ取
り付ける極めてコンパクな医療用加速器複合体の形態にとしては不利である。さ
らに、回転子全体はガントリとともに同期的に回転されなければならない。これ
は、極めて正確な機械的回転のために余分な装置を必要とする。
【０００７】
したがって、本発明の目的は空間と費用を節約し、かつ、このような回転子を
回避することにあり、非対称的イオンビームの輸送と独立したガントリ回転を可
能とする。すなわち、イオン光学設定は、たとえビームが水平および垂直平面で
異なったエミッタンスでもってガントリへ入ったとしても、ガントリ射出口でビ
ームパラメーターをガントリ回転角度から独立させるべきである。
回避することにあり、非対称的イオンビームの輸送と独立したガントリ回転を可
能とする。すなわち、イオン光学設定は、たとえビームが水平および垂直平面で
異なったエミッタンスでもってガントリへ入ったとしても、ガントリ射出口でビ
ームパラメーターをガントリ回転角度から独立させるべきである。
【０００８】
本発明の目的は、独立請求項１の主題によって達成される。好ましい実施態様
は、請求項１に従属する従属請求項に記載される。
は、請求項１に従属する従属請求項に記載される。
【０００９】 したがって、イオン光学システムを有するガントリは、さらに、 ビーム方向に垂直である平面で該イオンビームの水平走査を行うための、該第
３曲げ電磁石の上流に配置する水平走査電磁石； ビーム方向に垂直である平面で該イオンビームの垂直走査を行うための、該第
３曲げ電磁石の上流に配置する垂直走査電磁石； 該第１曲げ電磁石の下流であって、かつ、該走査電磁石の上流に位置する調整
可能な励磁を有する少なくとも６つの四極子電磁石を含み、 四極子電磁石は、 ガントリ入口からイソセンタへの完全にアクロマチックであるビーム輸送； 既定のビームサイズパターンに従うイソセンタでの該イオンビームのサイズ制
御；および ガントリ回転角度から独立した、イソセンタでの該イオンビームのサイズおよ
びイソセンタでの該イオンビームのスポット形をもたらし、 ガントリは加速器とガントリを結合する固定ビーム伝達ラインにおいて、０°
〜３６０°のいかなる角度でも回転でき、かつ、該固定ビーム伝達ラインから出
て、該ガントリへ入る該イオンビームは、該固定ビーム伝達ラインの水平および
垂直平面で異なったエミッタンスを有する。
３曲げ電磁石の上流に配置する水平走査電磁石； ビーム方向に垂直である平面で該イオンビームの垂直走査を行うための、該第
３曲げ電磁石の上流に配置する垂直走査電磁石； 該第１曲げ電磁石の下流であって、かつ、該走査電磁石の上流に位置する調整
可能な励磁を有する少なくとも６つの四極子電磁石を含み、 四極子電磁石は、 ガントリ入口からイソセンタへの完全にアクロマチックであるビーム輸送； 既定のビームサイズパターンに従うイソセンタでの該イオンビームのサイズ制
御；および ガントリ回転角度から独立した、イソセンタでの該イオンビームのサイズおよ
びイソセンタでの該イオンビームのスポット形をもたらし、 ガントリは加速器とガントリを結合する固定ビーム伝達ラインにおいて、０°
〜３６０°のいかなる角度でも回転でき、かつ、該固定ビーム伝達ラインから出
て、該ガントリへ入る該イオンビームは、該固定ビーム伝達ラインの水平および
垂直平面で異なったエミッタンスを有する。
【００１０】 イオンビーム（通常、１≦Ｚ≦８）が癌治療の用途において、好ましい物理的
および生物学的性質を有することは周知である。最も適したビーム伝送技術は、
特にプロトンより重いイオンでは、加速器からのエネルギー変動および請求項１
の特徴部分に記載される横方向強度制御ラスタ走査を含む、いわゆる活性ビーム
走査である。消極的なビーム伝送とは逆に、活性走査システムは患者へ可変的ス
ポットサイズを有する細い鉛筆様ビームを伝送し、治療領域上でそれを走査する
ことを目的とする。
および生物学的性質を有することは周知である。最も適したビーム伝送技術は、
特にプロトンより重いイオンでは、加速器からのエネルギー変動および請求項１
の特徴部分に記載される横方向強度制御ラスタ走査を含む、いわゆる活性ビーム
走査である。消極的なビーム伝送とは逆に、活性走査システムは患者へ可変的ス
ポットサイズを有する細い鉛筆様ビームを伝送し、治療領域上でそれを走査する
ことを目的とする。
【００１１】 ビーム輸送システムによって鉛筆様ビームを形成し、かつ保存することは、ガ
ントリのイオン光学システムにおけるこの場合には、大きな重要性を有する。標
的に対する線量の適合性は、もしもビームがいかなる方向からも患者へ挿入でき
るなら、さらに最適化され得る。このことは室内座標系において、水平軸のまわ
りに回転する該ガントリによって達成される。鉛筆ビーム走査を回転ガントリと
組み合わせると、特殊な別のイオン光学問題を引き起こす。
ントリのイオン光学システムにおけるこの場合には、大きな重要性を有する。標
的に対する線量の適合性は、もしもビームがいかなる方向からも患者へ挿入でき
るなら、さらに最適化され得る。このことは室内座標系において、水平軸のまわ
りに回転する該ガントリによって達成される。鉛筆ビーム走査を回転ガントリと
組み合わせると、特殊な別のイオン光学問題を引き起こす。
【００１２】 このビームは、伝達ラインの出口、ガントリ入口、およびガントリイソセンタ
で、それぞれ、シグマ・マトリックスσ（０）、σ（１）およびσ（２）で表示
される。シグマ・マトリックスは、一般には、下記形式を有する。 σ（ｉ）１１ σ（ｉ）１２ σ（ｉ）１３ σ（ｉ）１４ σ（ｉ）＝σ（ｉ）２１ σ（ｉ）２２ σ（ｉ）２３ σ（ｉ）２４ （１） σ（ｉ）３１ σ（ｉ）３２ σ（ｉ）３３ σ（ｉ）３４ σ（ｉ）４１ σ（ｉ）４２ σ（ｉ）４３ σ（ｉ）４４ ここで、ｉ＝０，１，２であり、個々のマトリックス項は、通常の意味を有す
る。シグマ・マトリックスは、現実の正定符号であって、かつ、対称的マトリッ
クスである。シグマ・マトリックスの対角項の平方根は、ｘ，ｘ'，ｙおよびｙ'
座標におけるビームサイズの測定値である。ここで、[ｘ，ｘ'，ｙ，y']は、シ
グマ・マトリックスによって特徴つけられた四次元楕円面の内側の体積をビーム
が占める四次元位相空間である。オフ・対角項は、位相空間内の楕円の方向性を
決定する。伝達ラインの出口で、いわゆる未結合ビームが予想され、すなわち、
２つの横方向位相空間、[ｘ，ｘ']および[ｙ，ｙ']の間に相関関係は存在しない
。このような場合、水平および垂直相を結合するシグマ・マトリックスの要素は
ゼロになる。これらの性質を考慮すれば、伝達ラインの射出口でのビームのシグ
マ・マトリックスは単純な形式で記載され得る： σ（０）１１ σ（０）１２ ０ ０ σ（０）＝ σ（０）２１ σ（ｉ）２２ ０ ０ （２） ０ ０ σ（０）３３ σ（０）３４ ０ ０ σ（０）４３ σ（０）４４
で、それぞれ、シグマ・マトリックスσ（０）、σ（１）およびσ（２）で表示
される。シグマ・マトリックスは、一般には、下記形式を有する。 σ（ｉ）１１ σ（ｉ）１２ σ（ｉ）１３ σ（ｉ）１４ σ（ｉ）＝σ（ｉ）２１ σ（ｉ）２２ σ（ｉ）２３ σ（ｉ）２４ （１） σ（ｉ）３１ σ（ｉ）３２ σ（ｉ）３３ σ（ｉ）３４ σ（ｉ）４１ σ（ｉ）４２ σ（ｉ）４３ σ（ｉ）４４ ここで、ｉ＝０，１，２であり、個々のマトリックス項は、通常の意味を有す
る。シグマ・マトリックスは、現実の正定符号であって、かつ、対称的マトリッ
クスである。シグマ・マトリックスの対角項の平方根は、ｘ，ｘ'，ｙおよびｙ'
座標におけるビームサイズの測定値である。ここで、[ｘ，ｘ'，ｙ，y']は、シ
グマ・マトリックスによって特徴つけられた四次元楕円面の内側の体積をビーム
が占める四次元位相空間である。オフ・対角項は、位相空間内の楕円の方向性を
決定する。伝達ラインの出口で、いわゆる未結合ビームが予想され、すなわち、
２つの横方向位相空間、[ｘ，ｘ']および[ｙ，ｙ']の間に相関関係は存在しない
。このような場合、水平および垂直相を結合するシグマ・マトリックスの要素は
ゼロになる。これらの性質を考慮すれば、伝達ラインの射出口でのビームのシグ
マ・マトリックスは単純な形式で記載され得る： σ（０）１１ σ（０）１２ ０ ０ σ（０）＝ σ（０）２１ σ（ｉ）２２ ０ ０ （２） ０ ０ σ（０）３３ σ（０）３４ ０ ０ σ（０）４３ σ（０）４４
【００１３】 もしもガントリが角度αでもって、固定伝達ラインにおいて回転するなら、ガ
ントリ入口でのビームのシグマ・マトリックス、σ（１）は、下記変換式によっ
て示されるであろう： σ（１）＝ Ｍα・σ（０）・Ｍα Ｔ （３） ここで、ＭαＴは角度αによって座標系の回転を記述し、下記式を有するＭα
に対する転置マトリックスである。 ｃｏｓα ０ ｓｉｎα ０ Ｍα＝ ０ ｃｏｓα ０ ｓｉｎα （４） −ｓｉｎα ０ ｃｏｓα ０ ０ −ｓｉｎα ０ ｃｏｓα
ントリ入口でのビームのシグマ・マトリックス、σ（１）は、下記変換式によっ
て示されるであろう： σ（１）＝ Ｍα・σ（０）・Ｍα Ｔ （３） ここで、ＭαＴは角度αによって座標系の回転を記述し、下記式を有するＭα
に対する転置マトリックスである。 ｃｏｓα ０ ｓｉｎα ０ Ｍα＝ ０ ｃｏｓα ０ ｓｉｎα （４） −ｓｉｎα ０ ｃｏｓα ０ ０ −ｓｉｎα ０ ｃｏｓα
【００１４】 ガントリのビーム輸送系は、その伝達マトリックスＭGANによって特徴つけら
れえる。 ｒ１１ ｒ１２ ０ ０ ＭGAN＝ ｒ２１ ｒ２２ ０ ０ （５） ０ ０ ｒ３３ ｒ３４ ０ ０ ｒ４３ ｒ４４
れえる。 ｒ１１ ｒ１２ ０ ０ ＭGAN＝ ｒ２１ ｒ２２ ０ ０ （５） ０ ０ ｒ３３ ｒ３４ ０ ０ ｒ４３ ｒ４４
【００１５】 伝達マトリックスＭGANは、ｄｅｔＭGAN＝１（６）の条件を充足しなければな
らない。ガントリ光学自体における水平および垂直平面間に結合が存在しないこ
とは、等式（５）において既に仮定されている。適当な項はゼロにセットされて
いる。さらに、ガントリのビーム輸送系は、ガントリイソセンタでアクロマティ
ックであると仮定されている。（ＤISO＝０、Ｄ'ISO＝０（７，８）、ここで、
ＤISOはガントリイソセンタでの分散関数である。）これは分散関数に関する項
がなくても、伝達マトリックスＭGANを４×４形として書くことができる。ガン
トリイソセンタでのビームのシグマ・マトリックス、σ（２）は、下記関係式で
示される： σ（２）＝ ＭGAN・σ（１）・ＭGAN Ｔ （９） ガントリ中のアクロマティックなビーム輸送もまた、ガントリ回転角度とは独
立していなければならない。これは、もしも分散関数およびその誘導体がガント
リ入口でゼロにセットされるなら、達成され得る。これは伝達ライン上のイオン
光学拘束力へ翻訳され、その出口でイオン分散フリー領域を形成する。
らない。ガントリ光学自体における水平および垂直平面間に結合が存在しないこ
とは、等式（５）において既に仮定されている。適当な項はゼロにセットされて
いる。さらに、ガントリのビーム輸送系は、ガントリイソセンタでアクロマティ
ックであると仮定されている。（ＤISO＝０、Ｄ'ISO＝０（７，８）、ここで、
ＤISOはガントリイソセンタでの分散関数である。）これは分散関数に関する項
がなくても、伝達マトリックスＭGANを４×４形として書くことができる。ガン
トリイソセンタでのビームのシグマ・マトリックス、σ（２）は、下記関係式で
示される： σ（２）＝ ＭGAN・σ（１）・ＭGAN Ｔ （９） ガントリ中のアクロマティックなビーム輸送もまた、ガントリ回転角度とは独
立していなければならない。これは、もしも分散関数およびその誘導体がガント
リ入口でゼロにセットされるなら、達成され得る。これは伝達ライン上のイオン
光学拘束力へ翻訳され、その出口でイオン分散フリー領域を形成する。
【００１６】 ガントリイソセンタでのビームパラメーターは全てがガントリ回転軸から独立
していなくてもよい。腫瘍照射線として、これは両縦方向平面におけるビームサ
イズおよびビームスポット形において、角度の独立を達成するに充分である。丸
いビームスポットが必要である。シグマ・マトリックス数理学的形式言語では、
これらの要件は、下記のように記載され得る。 σ（２）11 ＝σ（２）33≠ｆ（α）AND σ（２）13＝０≠ｆ（α）（１０） さらに、ビームサイズは直径４〜１０ｍｍに調整可能でなければならない。
していなくてもよい。腫瘍照射線として、これは両縦方向平面におけるビームサ
イズおよびビームスポット形において、角度の独立を達成するに充分である。丸
いビームスポットが必要である。シグマ・マトリックス数理学的形式言語では、
これらの要件は、下記のように記載され得る。 σ（２）11 ＝σ（２）33≠ｆ（α）AND σ（２）13＝０≠ｆ（α）（１０） さらに、ビームサイズは直径４〜１０ｍｍに調整可能でなければならない。
【００１７】 基本的前提を列挙した後、我々はガントリ回転軸角度へのガントリイソセンタ
でのビームパラメーターの従属性を調査することを進めることができる。伝達ラ
インの出口からガントリイソセンタへの全体の変換を表現するために、等式（３
）および（９）を組み合わせると便宜的である。 σ（２）＝ＭGAN・σ（１）・ＭT GAN＝ＭGAN・Ｍα・σ（０）・ＭT α・ＭT GNA
＝ ＭOVER・σ（０）・ＭT OVER （１１） ここで、ＭOVERは下記関連式によって示される伝達ラインの出口からガントリ
イソセンタへの全体的伝達マトリックスである。 ＭOVER ＝ ＭGAN・Ｍα （１２）
でのビームパラメーターの従属性を調査することを進めることができる。伝達ラ
インの出口からガントリイソセンタへの全体の変換を表現するために、等式（３
）および（９）を組み合わせると便宜的である。 σ（２）＝ＭGAN・σ（１）・ＭT GAN＝ＭGAN・Ｍα・σ（０）・ＭT α・ＭT GNA
＝ ＭOVER・σ（０）・ＭT OVER （１１） ここで、ＭOVERは下記関連式によって示される伝達ラインの出口からガントリ
イソセンタへの全体的伝達マトリックスである。 ＭOVER ＝ ＭGAN・Ｍα （１２）
【００１８】 マトリックスＭαはガントリ回転角度αに従属する項を含むから（等式（４）
参照）、これらの項は変換式（１１）によりガントリイソセンタσ（２）のビー
ムのシグマ・マトリックス（１１）へも「進入」する。１つはマトリックス増倍
式（１１）から得られる。 σ（２）11＝ｒ2 11・[ σ（０）11ｃｏｓ2α＋σ（０）33ｓｉｎ2α]＋２ｒ11ｒ 12 σ（０）12ｃｏｓ2α＋ｒ2 12・[σ（０）22ｃｏｓ2α＋σ（０）44ｓｉｎ2α]
＋ ２ｒ11ｒ12σ（０）34ｓｉｎ2α （１３） 等式（１３）のαを含む項を取り除くことが実現可能であること、およびその
ようにする数種の方法が存在することを見出すことは興味深い。その場合、等式
（１３）は、 もしも、ｒ１１＝０ AND σ（０）２２＝σ（０）４４であるなら、 σ（２）１１＝ ｒ２ １２・σ（０）２２ ≠ ｆ（α） （１４） または もしも、ｒ１２＝０ AND σ（０）１１＝σ（０）３３であるなら、 σ（２）１１＝ｒ２ １１・σ（０）１１ ≠ ｆ（α） （１５） となる。
参照）、これらの項は変換式（１１）によりガントリイソセンタσ（２）のビー
ムのシグマ・マトリックス（１１）へも「進入」する。１つはマトリックス増倍
式（１１）から得られる。 σ（２）11＝ｒ2 11・[ σ（０）11ｃｏｓ2α＋σ（０）33ｓｉｎ2α]＋２ｒ11ｒ 12 σ（０）12ｃｏｓ2α＋ｒ2 12・[σ（０）22ｃｏｓ2α＋σ（０）44ｓｉｎ2α]
＋ ２ｒ11ｒ12σ（０）34ｓｉｎ2α （１３） 等式（１３）のαを含む項を取り除くことが実現可能であること、およびその
ようにする数種の方法が存在することを見出すことは興味深い。その場合、等式
（１３）は、 もしも、ｒ１１＝０ AND σ（０）２２＝σ（０）４４であるなら、 σ（２）１１＝ ｒ２ １２・σ（０）２２ ≠ ｆ（α） （１４） または もしも、ｒ１２＝０ AND σ（０）１１＝σ（０）３３であるなら、 σ（２）１１＝ｒ２ １１・σ（０）１１ ≠ ｆ（α） （１５） となる。
【００１９】 同じセットの拘束力が、ガントリの垂直平面で得られ得る。 {ｒ３３＝０ ＡＮＤ σ（０）２２＝σ（０）４４} ＯＲ {ｒ３４＝０ ＡＮＤ σ（０）＝σ（０）３３} （１６）
【００２０】 ｘｙ相関項σ（２）１３は、 σ（２）１３＝ｓｉｎαｃｏｓα・[ｒ１１ｒ３３（σ（０）３３−σ（０）１
１）＋ｒ１１ｒ３４（σ（０）３４−σ（０）１２）＋ｒ１２ｒ３４（σ（０） ４４ −σ（０）２２）＋ｒ１２ｒ３３（σ（０）３４−σ（０）１２）] （１７） であろう。
１）＋ｒ１１ｒ３４（σ（０）３４−σ（０）１２）＋ｒ１２ｒ３４（σ（０） ４４ −σ（０）２２）＋ｒ１２ｒ３３（σ（０）３４−σ（０）１２）] （１７） であろう。
【００２１】 もしも下記拘束力が満たされるなら、σ（２）１３＝０≠ｆ（α）の条件を満
足する。 {ｒ１１＝０ ＡＮＤ ｒ３３＝０ ＡＮＤ σ（０）２２＝σ（０）４４} ＯＲ {ｒ１２＝０ ＡＮＤ ｒ３４＝０ ＡＮＤ σ（０）１１＝σ（０）３３}
足する。 {ｒ１１＝０ ＡＮＤ ｒ３３＝０ ＡＮＤ σ（０）２２＝σ（０）４４} ＯＲ {ｒ１２＝０ ＡＮＤ ｒ３４＝０ ＡＮＤ σ（０）１１＝σ（０）３３}
【００２２】 上記イオン光学拘束力間の論理的関係は、表１に概略される。 好ましい実施態様および本発明のさらなる利点は、添付する図面に基づいてよ
り詳細にここに記載される。
り詳細にここに記載される。
【００２３】 図１はガントリの配置図である。 図２は２つの有意なガントリ位置におけるガントリのビーム包絡線の図である
。 図３はガントリ回転角度の関数としてのガントリのビーム包絡線の図である。 図４は走査電磁石の作用の説明図である。
。 図３はガントリ回転角度の関数としてのガントリのビーム包絡線の図である。 図４は走査電磁石の作用の説明図である。
【００２４】 上記マトリックス解析は、コンピュータシミュレーションにより行う。拘束力
はイソセンタの正常導電性ガントリ上に適用される。その配置は図１に示され、
ここで、参照番号２０〜２７は四極子電磁石を示し、１および２は第１および第
２曲げ電磁石として４２°の曲げ電磁石をそれぞれ示し、３は第３曲げ電磁石と
して９０°曲げ電磁石を示し、４はイオンビームを示し、７はガントリ５の回転
軸を示し、１０はイソセンタを示し、３０はガントリ入口を示し、６はイソセン
タ１０でのイオンビーム４と軸７との交わりを示す。１１は水平スキャナを示し
、１２は垂直スキャナを示し、１３は入射口極面１５の３０°回転を示し、かつ
、１４は射出口極面１６の２１°回転を示す。
はイソセンタの正常導電性ガントリ上に適用される。その配置は図１に示され、
ここで、参照番号２０〜２７は四極子電磁石を示し、１および２は第１および第
２曲げ電磁石として４２°の曲げ電磁石をそれぞれ示し、３は第３曲げ電磁石と
して９０°曲げ電磁石を示し、４はイオンビームを示し、７はガントリ５の回転
軸を示し、１０はイソセンタを示し、３０はガントリ入口を示し、６はイソセン
タ１０でのイオンビーム４と軸７との交わりを示す。１１は水平スキャナを示し
、１２は垂直スキャナを示し、１３は入射口極面１５の３０°回転を示し、かつ
、１４は射出口極面１６の２１°回転を示す。
【００２５】 入射口ビームエミッタンスは、２つの横方向平面において、εｘ＝５πｍｍ．
ｍｒａｄおよびεｙ＝１πｍｍ．ｍｒａｄであり、運動量幅はΔｐ／ｐ＝０．２
％である。シミュレーションは、これが要求されるイオン光学拘束力に適合し、
かつ、σ（０）２２＝σ（０）４４（表１の左欄）の条件を満足する小さな発散
量を有する入射口ビームにおける満足すべきビーム集束を達成することを示す。
図２ａおよび２ｂは、ガントリ回転角度が９０°異なる２つの有意なガントリ配
置におけるガントリ５のビーム包絡線４０および４１を示す。
ｍｒａｄおよびεｙ＝１πｍｍ．ｍｒａｄであり、運動量幅はΔｐ／ｐ＝０．２
％である。シミュレーションは、これが要求されるイオン光学拘束力に適合し、
かつ、σ（０）２２＝σ（０）４４（表１の左欄）の条件を満足する小さな発散
量を有する入射口ビームにおける満足すべきビーム集束を達成することを示す。
図２ａおよび２ｂは、ガントリ回転角度が９０°異なる２つの有意なガントリ配
置におけるガントリ５のビーム包絡線４０および４１を示す。
【００２６】 図２ａ）は、ガントリがその水平平面で最小エミッタンスを有するビームを輸
送する場合の状況である。図２ｂ）はガントリがその垂直平面で最小エミッタン
スを有するビームを輸送する場合の状況である。参照番号２０〜２７は四極子を
示し、１および２は４２°曲げ電磁石を示し、３は９０°曲げ電磁石を示し、上
部プロット４０はガントリ５の水平平面を示し、下部プロット４１はガントリの
垂直平面を示し、かつ、点線４２が分散関数を示す。
送する場合の状況である。図２ｂ）はガントリがその垂直平面で最小エミッタン
スを有するビームを輸送する場合の状況である。参照番号２０〜２７は四極子を
示し、１および２は４２°曲げ電磁石を示し、３は９０°曲げ電磁石を示し、上
部プロット４０はガントリ５の水平平面を示し、下部プロット４１はガントリの
垂直平面を示し、かつ、点線４２が分散関数を示す。
【００２７】 １つの位置で、ガントリ５の水平平面は最大エミッタンスを有するビーム４を
輸送し、他の位置では、ガントリ５の水平平面は最小エミッタンスを有するビー
ム４を輸送する。
輸送し、他の位置では、ガントリ５の水平平面は最小エミッタンスを有するビー
ム４を輸送する。
【００２８】 ビーム輸送の角度独立性を証明するために、下記図３は、全てのビーム包絡線
がガントリ回転角度１０°増加する毎に、これら２つのガントリ位置間に存在す
ることを１つのプロットにて示す。これらのプロットは、４ｍｍのアウトプット
ビーム（図３ａ）および１０ｍｍのアウトプットビーム（図３ｂ）において示さ
れ、εｘ／εｙ＝５である。図３に対応するガントリのイオン光学設定は、表２
に列挙される。参照記号は図２ａおよび図２ｂで示されるものと同じである。プ
ロットの解像能を増加させるために、第３曲げ電磁石３の開口は釣合いを外れて
いる（out of scale）。
がガントリ回転角度１０°増加する毎に、これら２つのガントリ位置間に存在す
ることを１つのプロットにて示す。これらのプロットは、４ｍｍのアウトプット
ビーム（図３ａ）および１０ｍｍのアウトプットビーム（図３ｂ）において示さ
れ、εｘ／εｙ＝５である。図３に対応するガントリのイオン光学設定は、表２
に列挙される。参照記号は図２ａおよび図２ｂで示されるものと同じである。プ
ロットの解像能を増加させるために、第３曲げ電磁石３の開口は釣合いを外れて
いる（out of scale）。
【００２９】 ビームサイズ制御は、この作業への伝達ラインに関与することなく、ガントリ
光学によって専ら行う。これは、伝達ラインがガントリイソセンタ１０で要求さ
れるビームサイズにかかわらず、同じアウトプットラパメーターを有するビーム
を常にその射出口で形成することを意味する。ガントリ四極子２２〜２７の異な
った設定は、イソセンタ１０でビームサイズを制御するために利用される。図３
に示される２つの極端な実施例のほかに、全ビーム直径４〜１０ｍｍにおいて１
ｍｍ毎にシミュレーションが行われた。
光学によって専ら行う。これは、伝達ラインがガントリイソセンタ１０で要求さ
れるビームサイズにかかわらず、同じアウトプットラパメーターを有するビーム
を常にその射出口で形成することを意味する。ガントリ四極子２２〜２７の異な
った設定は、イソセンタ１０でビームサイズを制御するために利用される。図３
に示される２つの極端な実施例のほかに、全ビーム直径４〜１０ｍｍにおいて１
ｍｍ毎にシミュレーションが行われた。
【００３０】 図４は走査電磁石１１および１２の作用を説明する。走査電磁石１１および１
２は、第３曲げ電磁石３の上流であって、最後の四極子レンズ２７の下流に配置
される。この位置はイオン光学の観点から最適であると判断された。第３ガント
リ電磁石３の入射口および射出口の極面１５および１６のエッジ集束は、平行走
査モードをほぼ達成するために使用される。理想的な平行走査からの偏角は、１
０ｃｍの最大ビームずれで０．２°である。走査フィールドは２０×２０ｃｍ２ である。入射口および射出口の極面回転角度１３、１４（図１に示される）は、
それぞれ３０°および２１°である。図４の上部は、水平平面１１１および第３
曲げ電磁石３の曲げ範囲に示される水平走査１１によって生じるビーム偏向５０
を示す。図４の下部は水平平面１１２および第３曲げ電磁石３の曲げ範囲に示さ
れる垂直走査１２によって生じるビーム偏向６０を示す。
２は、第３曲げ電磁石３の上流であって、最後の四極子レンズ２７の下流に配置
される。この位置はイオン光学の観点から最適であると判断された。第３ガント
リ電磁石３の入射口および射出口の極面１５および１６のエッジ集束は、平行走
査モードをほぼ達成するために使用される。理想的な平行走査からの偏角は、１
０ｃｍの最大ビームずれで０．２°である。走査フィールドは２０×２０ｃｍ２ である。入射口および射出口の極面回転角度１３、１４（図１に示される）は、
それぞれ３０°および２１°である。図４の上部は、水平平面１１１および第３
曲げ電磁石３の曲げ範囲に示される水平走査１１によって生じるビーム偏向５０
を示す。図４の下部は水平平面１１２および第３曲げ電磁石３の曲げ範囲に示さ
れる垂直走査１２によって生じるビーム偏向６０を示す。
【００３１】 本発明の解決策は、表１に列挙される要求イオン光学拘束力を満足することが
できるガントリのみを使用できる。このようなガントリは、適当な数の可変要素
、本発明に従えば、調節可能な励磁を有する少なくとも６つの四極子電磁石を有
していなければならない。本発明は、６つのイオン光学拘束力：アクロマティッ
ク輸送のために２つ、回転独立性を得るために２つおよびビームサイズ制御のた
めに２つを全て一緒に使用する。これは、本発明に従えば、四極子の最小数は６
であることを意味する。表２から明らかなように、好ましい実施態様は最小数に
比べて、ある冗長性をもたらす８つの四極子を含む。しかしながら、この冗長性
は変数が任意の数に設定され得ない、あるシステムの現実的デザインにおいては
利点を有する。四極子極先端の磁性線束密度は物理的に限定され（その限界は好
ましい実施態様では０．８Ｔに設定される）、もちろん、ガントリ内側のビーム
包絡線は、ビーム輸送要素の開口ができるだけ小さくなるような方法で制御され
るべきである。さらに、この冗長性はビーム輸送システムの誤った感度を最小限
にするために使用され得る。
できるガントリのみを使用できる。このようなガントリは、適当な数の可変要素
、本発明に従えば、調節可能な励磁を有する少なくとも６つの四極子電磁石を有
していなければならない。本発明は、６つのイオン光学拘束力：アクロマティッ
ク輸送のために２つ、回転独立性を得るために２つおよびビームサイズ制御のた
めに２つを全て一緒に使用する。これは、本発明に従えば、四極子の最小数は６
であることを意味する。表２から明らかなように、好ましい実施態様は最小数に
比べて、ある冗長性をもたらす８つの四極子を含む。しかしながら、この冗長性
は変数が任意の数に設定され得ない、あるシステムの現実的デザインにおいては
利点を有する。四極子極先端の磁性線束密度は物理的に限定され（その限界は好
ましい実施態様では０．８Ｔに設定される）、もちろん、ガントリ内側のビーム
包絡線は、ビーム輸送要素の開口ができるだけ小さくなるような方法で制御され
るべきである。さらに、この冗長性はビーム輸送システムの誤った感度を最小限
にするために使用され得る。
【００３２】 ガントリ伝達マトリックスの適当な項をゼロに設定して、ガントリイソセンタ
でビームパラメーターからガントリ回転角度含有項を除去することは、２つの横
方向平面におけるいかなるエミッタンスの差異においても有効であることに注目
すべきである。実際に、これは全くεｘ／ｅｙ比に全く依存しない。その計算は
εｘ／ｅｙ＝５およびεｘ／ｅｙ＝１０において実施された。これは先行技術か
ら公知である測定値よりもより大きい。しかしながら、極端に大きなエミッタン
ス比では、イソセンタで等しいビームスポットサイズを得るか、合理的な開口内
のガントリ内側にビーム包絡線を保つか、あるいは結合点で適当なビームを形成
する問題に誰しも遭遇する。これらの問題は、εｘ／ｅｙ＞１５において生じる
。
でビームパラメーターからガントリ回転角度含有項を除去することは、２つの横
方向平面におけるいかなるエミッタンスの差異においても有効であることに注目
すべきである。実際に、これは全くεｘ／ｅｙ比に全く依存しない。その計算は
εｘ／ｅｙ＝５およびεｘ／ｅｙ＝１０において実施された。これは先行技術か
ら公知である測定値よりもより大きい。しかしながら、極端に大きなエミッタン
ス比では、イソセンタで等しいビームスポットサイズを得るか、合理的な開口内
のガントリ内側にビーム包絡線を保つか、あるいは結合点で適当なビームを形成
する問題に誰しも遭遇する。これらの問題は、εｘ／ｅｙ＞１５において生じる
。
【００３３】 また、回転独立ビーム輸送を達成するために、ガントリ拘束力のセットにたっ
た２つ以上のイオン光学拘束力、いわゆるｒ１１＝ｒ３３＝０またはｒ１２＝ｒ ３４ ＝０を追加されなければならないことは、本発明の興味深い事実である。ア
クロマティックなビーム輸送およびビームサイズ制御のための他の拘束力は、と
にかく充足されなければならない。
た２つ以上のイオン光学拘束力、いわゆるｒ１１＝ｒ３３＝０またはｒ１２＝ｒ ３４ ＝０を追加されなければならないことは、本発明の興味深い事実である。ア
クロマティックなビーム輸送およびビームサイズ制御のための他の拘束力は、と
にかく充足されなければならない。
【００３４】 曲げ電磁石は２Ｔまでの磁場を使用するように仮定されている。しかし、電磁
石の傾斜中にある飽和関連動的効果を避けるためには、１．８Ｔへ磁場を低下さ
せることが実現可能である。しかしながら、この変化は本発明の回転独立ビーム
輸送の概念に何等影響を与えない。
石の傾斜中にある飽和関連動的効果を避けるためには、１．８Ｔへ磁場を低下さ
せることが実現可能である。しかしながら、この変化は本発明の回転独立ビーム
輸送の概念に何等影響を与えない。
【００３５】 ガントリ設定がガントリ回転角度の関数である場合には、ガントリ５をあるモ
ードに取りつけることは、確かに可能性がある。しかしながら、このようなモー
ドはビームサイズの関数、さらにガントリ回転角度の関数として、全ての設定を
保存する大きなデータセットを必要とする。ビームエネルギーと粒子種の関数と
して、異なった設定を有する必要性も存在する。したがって、ガントリ回転角度
への依存性を除去することは、大きな利点である。これは１００のファクター（
９０°−ガントリ回転の１つの四極子、１°−ガントリ位置の角度解像）により
データ量をおおよそ低下させる。
ードに取りつけることは、確かに可能性がある。しかしながら、このようなモー
ドはビームサイズの関数、さらにガントリ回転角度の関数として、全ての設定を
保存する大きなデータセットを必要とする。ビームエネルギーと粒子種の関数と
して、異なった設定を有する必要性も存在する。したがって、ガントリ回転角度
への依存性を除去することは、大きな利点である。これは１００のファクター（
９０°−ガントリ回転の１つの四極子、１°−ガントリ位置の角度解像）により
データ量をおおよそ低下させる。
【００３６】 非対称ビームのガントリ回転独立ビーム輸送となるイオン光学拘束力間の論理
的関係と要約は、表１に示される。イオン光学拘束力の２つの可能性あるセット
は、表１の２つのカラムに示される。論理的「OR」はこれらの２つのカラムの間
で使用され、一方、論理的「AND」は所与のカラム内の拘束力間を結合する。
的関係と要約は、表１に示される。イオン光学拘束力の２つの可能性あるセット
は、表１の２つのカラムに示される。論理的「OR」はこれらの２つのカラムの間
で使用され、一方、論理的「AND」は所与のカラム内の拘束力間を結合する。
【００３７】
【表１】 伝達ライン 常にアクロマティック： 伝達ラインの射出口でＤ＝０ AND Ｄ'＝０ ガントリ 常にアクロマティック： ｒ１６＝０ ＡＮＤ ｒ２６＝０ σ（０）２２＝σ（０）４４ ＡＮＤ ｒ１１＝０ ＡＮＤ ｒ３３＝０ ＯＲ σ（０）１１＝σ（０）３３ ＡＮＤ ｒ１２＝０ ＡＮＤ ｒ３４＝０
【００３８】 図３に示される回転独立ビーム輸送に対応するガントリ設定は、表２に列挙さ
れる。下記略号が使用される。Ｌeff＝四極子の効果長、Ａｐ＝四極子極開口の
半径、Ｂ＝四極子極先端の磁性流速密度（「−」は垂直フォーカス）、ＢＢＥＮ Ｄ ＝双極子電磁石の磁性流速密度、ＩＲ＝入射口極面回転角度、ＥＲ＝射出口極
面回転角度、ｄ＝ドリフト長。全ての曲げ電磁石は場勾配がないように設計され
ている。すわなわち、Ｎ＝０である。
れる。下記略号が使用される。Ｌeff＝四極子の効果長、Ａｐ＝四極子極開口の
半径、Ｂ＝四極子極先端の磁性流速密度（「−」は垂直フォーカス）、ＢＢＥＮ Ｄ ＝双極子電磁石の磁性流速密度、ＩＲ＝入射口極面回転角度、ＥＲ＝射出口極
面回転角度、ｄ＝ドリフト長。全ての曲げ電磁石は場勾配がないように設計され
ている。すわなわち、Ｎ＝０である。
【００３９】
【表２】
【図１】 ガントリの配置図である。
【図２A】 ２つの有意なガントリ位置におけるガントリのビーム包絡線の図
である。
である。
【図２B】 ２つの有意なガントリ位置におけるガントリのビーム包絡線の図
である。
である。
【図３A】 ガントリ回転角度の関数としてのガントリのビーム包絡線の図で
ある。
ある。
【図３B】 ガントリ回転角度の関数としてのガントリのビーム包絡線の図で
ある。
ある。
【図４】 走査電磁石の作用の説明図である。
１、２：第１および第２曲げ電磁石として４２°の曲げ電磁石 ３：第３曲げ電磁石として９０°曲げ電磁石 ４：イオンビーム ５：ガントリ ６：イソセンタ１０でのイオンビーム４と軸７との交わり ７：ガントリ５の回転軸 １０：イソセンタ １１：水平スキャナ、走査電磁石 １１１：水平平面 １１２：水平平面 １２：垂直スキャナ、走査電磁石 １３：入射口極面１５の３０°回転 １４：射出口極面１６の２１°回転 １５：入射口および射出口の極面 １６：入射口および射出口の極面 ２０〜２７：四極子電磁石 ２７：四極子レンズ ３０：ガントリ入口 ４０：ガントリ５の水平平面 ４１：ガントリの垂直平面 ４２：分散関数 ５０：ビーム偏向 ６０：ビーム偏向
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年５月２１日（２００１．５．２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 1/093 Ｇ２１Ｋ 1/093 Ｓ 5/10 5/10 Ｍ (72)発明者 マリウス パブロビック ドイツ、Ｄ−64291 ダルムスタッド、プ ランクストラッセ １ Ｆターム(参考） 4C082 AA01 AC05 AE03 AG12 AG13 AG52 【要約の続き】 立したイソセンタでの該イオンビームでのサイズおよび イソセンタでの該イオンビームのスポット形をもたら し、ガントリは加速器とガントリを結合する固定ビーム 輸送において、０°〜３６０°のいかなる角度でも回転 することができ、かつ、該固定ビーム伝達ラインから出 て、該ガントリへ入る該イオンビームは、該固定ビーム 伝達ラインの水平および垂直平面で異なったエミッタン スを有するイオン光学システムを有するガントリに関す る。
Claims (3)
- 【請求項１】 イオンビーム（４）をガントリの回転軸（７）から曲げるため
の、４０°〜４５°の範囲の曲げ角度を有する第１曲げ電磁石（１）； 該イオンビーム（４）を該ガントリ（５）の回転軸（７）と平行に曲げるため
の、第１曲げ電磁石（１）の曲げ角度と同じ曲げ角度を有する第２曲げ電磁石（
２）； ガントリ（５）の回転軸（７）と該イオンビーム（４）の交わり（６）に向け
て該イオンビーム（４）を曲げるための、４５°〜９０°の範囲の曲げ角度を有
する第３曲げ電磁石を含み、交わり（６）はイソセンタ（１０）と呼ばれるイオ
ン光学システムを有するガントリであって、 該ガントリは、さらに、 ビーム方向に垂直な平面で該イオンビーム（４）の水平走査を行うための、該
第３曲げ電磁石（３）の上流に位置する水平走査電磁石（１１）； ビーム方向に垂直な平面で該イオンビーム（４）の垂直走査を行うための、該
第３曲げ電磁石（３）の上流に位置する垂直走査電磁石（１２）； 該第１曲げ電磁石（１）の下流であって、かつ、該走査電磁石（１１、１２）
の上流に位置する調整可能な励磁を有する、少なくとも６つの四極子電磁石（２
２〜２７）を含み、 四極子電磁石は、 ガントリ入口（３０）からイソセンタ（１０）への完全にアクロマティックで
あるビーム輸送； 既定ビームサイズパターンに従うイソセンタ（１０）での該イオンビーム（４
）のサイズ制御；および ガントリ（５）の回転角度から独立した、イソセンタ（１０）での該イオンビ
ーム（４）のサイズおよびイソセンタ（１０）での該イオンビーム（４）のスポ
ット形をもたらし、ガントリ（５）は加速器をガントリ（５）と結合する固定ビ
ーム伝達ラインにおいて、０°〜３６０°のいかなる角度でも回転でき、かつ、
該固定ビーム伝達ラインから出て、該ガントリ（５）へ入る該イオンビーム（４
）は、該固定ビーム伝達ラインの水平および垂直平面で異なったエミッタンスを
有することを特徴とするガントリ。 - 【請求項２】 前記イオンビーム（４）輸送の磁気剛性率は、調整可能な励
磁において、少なくとも１．１〜６．６Ｔｍの範囲であることを特徴とする、請
求項１記載のガントリ。 - 【請求項３】 少なくとも２つの別な四極子（２０、２１）が、ビーム輸送
システムの誤った感度を最小限とするために、第１曲げ電磁石（１）の上流に配
置されることを特徴とする、請求項１または請求項２記載のガントリ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99106657A EP1041579A1 (en) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | Gantry with an ion-optical system |
| EP99106657.2 | 1999-04-01 | ||
| PCT/EP2000/002948 WO2000060611A1 (en) | 1999-04-01 | 2000-04-03 | Gantry with an ion-optical system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002541464A true JP2002541464A (ja) | 2002-12-03 |
| JP4523723B2 JP4523723B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=8237905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000610018A Expired - Fee Related JP4523723B2 (ja) | 1999-04-01 | 2000-04-03 | イオン光学システムを有するガントリ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (2) | EP1041579A1 (ja) |
| JP (1) | JP4523723B2 (ja) |
| AT (1) | ATE309609T1 (ja) |
| DE (1) | DE60023864T2 (ja) |
| ES (1) | ES2248060T3 (ja) |
| WO (1) | WO2000060611A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100821354B1 (ko) | 2007-02-22 | 2008-04-11 | 한국원자력연구원 | 전자석을 이용한 이온빔 균일 조사 장치 및 조사 방법 |
| JP2008532597A (ja) * | 2005-03-09 | 2008-08-21 | パウル・シェラー・インスティトゥート | 陽子線治療を施すと同時に広視野のビームズアイビュー（ｂｅｖ）によるｘ線画像を撮影するシステム及び方法 |
| JP2013505757A (ja) * | 2009-09-28 | 2013-02-21 | イオンビーム アプリケーションズ， エス．エー． | 粒子線治療用小型ガントリ |
| WO2013175600A1 (ja) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | 三菱電機株式会社 | 荷電粒子ビーム輸送系及び粒子線治療装置 |
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|---|---|---|---|---|
| DE10057824A1 (de) * | 2000-11-21 | 2002-06-06 | Schwerionenforsch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Anpassung einer Ionenstrahlfleckgröße in der Tumorbestrahlung |
| EP1358657A1 (en) * | 2001-02-06 | 2003-11-05 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH | Gantry system for transport and delivery of a high energy ion beam in a heavy ion cancer therapy facility |
| JP2009162770A (ja) * | 2001-02-06 | 2009-07-23 | Gsi Ges Fuer Schwerionenforschung Mbh | 重イオンガントリー用ビーム走査システム |
| US6693283B2 (en) * | 2001-02-06 | 2004-02-17 | Gesellschaft Fuer Schwerionenforschung Mbh | Beam scanning system for a heavy ion gantry |
| AU2002353904B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-07-07 | Loma Linda University Medical Center | Method and device for delivering radiotherapy |
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