JP2002532630A - 二重浸漬パラジウム／錫架橋剤 - Google Patents
二重浸漬パラジウム／錫架橋剤Info
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Abstract
(57)【要約】
プラスチック対象物の面をダイレクト金属化処理するプロセス。該プラスチック対象物の面は、ピックリングにより粗面化処理される。第１の貴金属のコロイド水溶液又はイオノゲン水溶液で前記面を活性化処理するもので、前記コロイド水溶液又はイオノゲン水溶液は、第２の卑金属をも含んでいる。これにより、前記第１の貴金属と第２の卑金属とを含む活性化皮膜が前記面に形成される。処理溶液により、前記活性化皮膜に電子導電性が付与され、この処理では、前記第２の卑金属の少なくとも一部が前記活性化皮膜から溶け出し、電子導電性物質が前記活性化皮膜に吸着される。ついで、前記電子導電性活性化皮膜を金属化処理する。この電子導電性活性化皮膜の金属化処理の前に、“前記面の活性化処理及び電子導電性の付与処理”工程のシーケンスを少なくとも１回反復する。
Description
【０００１】 この発明は、以下の工程を用いて、プラスチック物体の表面をダイレクト金
属化するプロセスに関するものである：
属化するプロセスに関するものである：
【０００２】 前記プラスチック物体の表面をピックリングにより粗面化する工程；
【０００３】 前記表面を第１の貴金属のコロイド水溶液又はイオノゲン水溶液により活性
化する工程で、このコロイド又はイオノゲン溶液は、また、第２の卑金属をも含
んでおり、この工程により、前記第１の貴金属と第２の卑金属とを含む活性化す
る皮膜が前記表面に形成され；そして、
化する工程で、このコロイド又はイオノゲン溶液は、また、第２の卑金属をも含
んでおり、この工程により、前記第１の貴金属と第２の卑金属とを含む活性化す
る皮膜が前記表面に形成され；そして、
【０００４】 好ましくはアルカリ性処理溶液で前記第２の卑金属の少なくとも一部分を前
記活性化皮膜から溶出させて、電子伝導性物質を前記活性化皮膜に吸着させる前
記活性化皮膜に電子伝導性を付与する工程；
記活性化皮膜から溶出させて、電子伝導性物質を前記活性化皮膜に吸着させる前
記活性化皮膜に電子伝導性を付与する工程；
【０００５】 そして、電子伝導性活性化層が金属化処理されること。
【０００６】 このように、この発明は、プラスチック表面のダイレクト直流電気金属化プ
ロセスに関するものである。当然のことではあるが、この発明におけるプロセス
で、いくつかのプラスチック物体が同時に金属化されることも、この発明の一部
を構成する。この手段で金属化されたプラスチックスは、例えば、健康分野又は
自動車製造分野において、装飾目的に使用される。プラスチックスの金属化は、
また、電磁波シールドが目的の電子コンポーネンツの被覆の一部として実施され
る。原理的には、異なるプラスチックスを直流電気により金属化できる。
ロセスに関するものである。当然のことではあるが、この発明におけるプロセス
で、いくつかのプラスチック物体が同時に金属化されることも、この発明の一部
を構成する。この手段で金属化されたプラスチックスは、例えば、健康分野又は
自動車製造分野において、装飾目的に使用される。プラスチックスの金属化は、
また、電磁波シールドが目的の電子コンポーネンツの被覆の一部として実施され
る。原理的には、異なるプラスチックスを直流電気により金属化できる。
【０００７】 例えばアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）、そして、必要
であれば、ＡＢＳとポリカーボネート（ＰＣ）との混合体のようなプラスチック
の表面を装飾のために金属化できる。
であれば、ＡＢＳとポリカーボネート（ＰＣ）との混合体のようなプラスチック
の表面を装飾のために金属化できる。
【０００８】 この発明の出発点（DE 195 10 855 C2）である冒頭に記載のタイプの既知の
プロセスは、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体基板類の表面を
部分的又は選択的に電気分解金属化処理に使用されるものである。このプラスチ
ックの表面を硫酸クロムによるピックリングで粗面化した後、このプロセスの一
部として、クロム（ＩＶ）をクロム（ＩＩＩ）に還元する。これに続いて、付加
の錫化合物を含むパラジウムのコロイド酸溶液内での活性化処理が行われる。形
成された活性化皮膜の基部には、後処理される金属化処理のために、十分な電子
伝導性が付与される。このために、錫／銅交換が行われる。このために使用の処
理液は、銅イオンを含み、この銅イオンは、生分解性錯体形成物質により結合さ
れている。錫／銅交換は、電荷交換に基づくもので、この交換においては、錫（
ＩＩ）は、前記銅イオンにより酸化されて錫（ＩＶ）になり、これによって、前
記銅イオンそれら自体は、金属銅に還元され、プラスチックの面に群れをなすパ
ラジウムに定着する。
プロセスは、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体基板類の表面を
部分的又は選択的に電気分解金属化処理に使用されるものである。このプラスチ
ックの表面を硫酸クロムによるピックリングで粗面化した後、このプロセスの一
部として、クロム（ＩＶ）をクロム（ＩＩＩ）に還元する。これに続いて、付加
の錫化合物を含むパラジウムのコロイド酸溶液内での活性化処理が行われる。形
成された活性化皮膜の基部には、後処理される金属化処理のために、十分な電子
伝導性が付与される。このために、錫／銅交換が行われる。このために使用の処
理液は、銅イオンを含み、この銅イオンは、生分解性錯体形成物質により結合さ
れている。錫／銅交換は、電荷交換に基づくもので、この交換においては、錫（
ＩＩ）は、前記銅イオンにより酸化されて錫（ＩＶ）になり、これによって、前
記銅イオンそれら自体は、金属銅に還元され、プラスチックの面に群れをなすパ
ラジウムに定着する。
【０００９】 このような銅の定着の結果、前記コロイド溶液での活性化処理の間に形成さ
れた群状のパラジウムが電子伝導性になる。この既知のプロセスは、数多くの欠
点をもつことで特徴づけられる。まず第１に、このプロセスでは、極く限られた
量のパラジウム／錫しか前記粗面化されたプラスチック面に付与することができ
ない。したがって、これらプラスチック面を金属化処理するには、それなりの限
界がある。さらに加えて、ＡＢＳ又はＡＢＳ混合ものしか通常金属化処理できず
、それも、このプロセスに対し十分な許容性をもつものではない。特に、ＡＢＳ
混合ものの金属化処理には、遺憾なことが多々ある。この金属化処理は、実施す
ることは可能であるにしても再現できないことが多々あり、金属化処理するプラ
スチック対象物の面の領域によっては、適切な金属皮膜で被覆されないことが多
発する。異なるプラスチックスから組成される複数のプラスチック対象物を前記
既知のプロセスで金属化処理する場合、原則として、ＡＢＳ又はＡＢＳブレンド
ものしか金属化されない。
れた群状のパラジウムが電子伝導性になる。この既知のプロセスは、数多くの欠
点をもつことで特徴づけられる。まず第１に、このプロセスでは、極く限られた
量のパラジウム／錫しか前記粗面化されたプラスチック面に付与することができ
ない。したがって、これらプラスチック面を金属化処理するには、それなりの限
界がある。さらに加えて、ＡＢＳ又はＡＢＳ混合ものしか通常金属化処理できず
、それも、このプロセスに対し十分な許容性をもつものではない。特に、ＡＢＳ
混合ものの金属化処理には、遺憾なことが多々ある。この金属化処理は、実施す
ることは可能であるにしても再現できないことが多々あり、金属化処理するプラ
スチック対象物の面の領域によっては、適切な金属皮膜で被覆されないことが多
発する。異なるプラスチックスから組成される複数のプラスチック対象物を前記
既知のプロセスで金属化処理する場合、原則として、ＡＢＳ又はＡＢＳブレンド
ものしか金属化されない。
【００１０】 これに対し、この発明は、冒頭に示したタイプのプロセスの技術的問題点に
立脚し、異なるプラスチックスでも無事にかつ再現性をもって金属化処理でき、
これらプラスチックスに対し、すべての要件を満たす金属皮膜を付与するもので
ある。
立脚し、異なるプラスチックスでも無事にかつ再現性をもって金属化処理でき、
これらプラスチックスに対し、すべての要件を満たす金属皮膜を付与するもので
ある。
【００１１】 この技術的課題を解決するために、この発明は、上記したようなプロセスを
規定したもので、このプロセスは、”工程１．２）による面の活性化処理と工程
１．３）による前記活性化層を電子導電性にする処理”の工程のシーケンスを少
なくとも一回反復してから前記電子導電性活性化皮膜を金属化処理することを特
徴とするものである。工程１．２）及び１．３）は、前記電子導電性活性化皮膜
を金属化処理する前に数回にわたり反復されることも、この発明の一部を構成す
る。
規定したもので、このプロセスは、”工程１．２）による面の活性化処理と工程
１．３）による前記活性化層を電子導電性にする処理”の工程のシーケンスを少
なくとも一回反復してから前記電子導電性活性化皮膜を金属化処理することを特
徴とするものである。工程１．２）及び１．３）は、前記電子導電性活性化皮膜
を金属化処理する前に数回にわたり反復されることも、この発明の一部を構成す
る。
【００１２】 この発明は、極めて安全で効果的なプラスチック対象物の金属化処理が請求
の範囲の請求項１によるセオリーの実現により達成できることを見いだしたこと
に基づく。工程１．２）及び１．３）を反復して行うことにより、前記プラスチ
ックの面に吸着される貴金属／卑金属の量が実質的に--驚くなかれ前記活性化の
一部として--増加する。期待以上に、すぐれた品質の金属皮膜が前記プラスチッ
ク対象物に施される結果が得られる。この発明によるプロセスで、各種異なるプ
ラスチックスが効果的に、安全に金属化処理されることは驚異的である。ＡＢＳ
、ＡＢＳブレンドものに加えて、特にＡＢＳ／ＰＣブレンドものが再現性をもっ
て金属化処理され、形成された金属皮膜は、すべての要件を満たすものになる。
の範囲の請求項１によるセオリーの実現により達成できることを見いだしたこと
に基づく。工程１．２）及び１．３）を反復して行うことにより、前記プラスチ
ックの面に吸着される貴金属／卑金属の量が実質的に--驚くなかれ前記活性化の
一部として--増加する。期待以上に、すぐれた品質の金属皮膜が前記プラスチッ
ク対象物に施される結果が得られる。この発明によるプロセスで、各種異なるプ
ラスチックスが効果的に、安全に金属化処理されることは驚異的である。ＡＢＳ
、ＡＢＳブレンドものに加えて、特にＡＢＳ／ＰＣブレンドものが再現性をもっ
て金属化処理され、形成された金属皮膜は、すべての要件を満たすものになる。
【００１３】 この発明の一部として、例えば、自動車のラジエターグリルといった大形の
ＡＳＢ／ＰＣ部品類のような大形のプラスチック物体を容易に金属化処理するこ
とができる。多数の異なるプラスチックスからなるプラスチック対象物の面を容
易に、そして、所望に応じて完全に金属化処理できるものである。
ＡＳＢ／ＰＣ部品類のような大形のプラスチック物体を容易に金属化処理するこ
とができる。多数の異なるプラスチックスからなるプラスチック対象物の面を容
易に、そして、所望に応じて完全に金属化処理できるものである。
【００１４】 この発明の別の実施の態様においては、前記プラスチック対象物の面の粗面
化処理は、硫酸クロムによるピックリングで行われる。実用条件として、４００
ｇ／ｌのクロム酸と４００ｇ／ｌの硫酸を含む溶液を使用する。ピックリング処
理は、クロム酸単独でも実施できる。クロム酸又は硫酸クロムによるピックリン
グの後、粗面化された又はエッチングされた面から可能な限りクロム（ＩＶ）を
除去することもこの発明に含まれる。前記面の粗面化処理の後、徹底したリンス
処理を行うことが好ましい。この発明の好ましい実施の態様によれば、硫酸クロ
ム又はクロム酸によるピックリングの後、クロム（ＶＩ）がクロム（ＩＩＩ）に
還元される。このクロムの還元処理を前記したピックリング処理後に行うことも
、この発明の技術的範囲に包含される。クロム（ＶＩ）をクロム（ＩＩＩ）に還
元するには、例えば、重亜硫酸カリウム又は次亜硫酸カリウムが使用できる。前
記クロムの還元処理の後、ピックリング処理を少なくとも１回行うことが好まし
い。この発明の他の例では、前記プラスチック面の粗面化処理を過マンガン酸塩
溶液によるピックリング処理で行うようになっている。さらに他の例では、前記
粗面化処理は、プラズマピックリングで行われる。
化処理は、硫酸クロムによるピックリングで行われる。実用条件として、４００
ｇ／ｌのクロム酸と４００ｇ／ｌの硫酸を含む溶液を使用する。ピックリング処
理は、クロム酸単独でも実施できる。クロム酸又は硫酸クロムによるピックリン
グの後、粗面化された又はエッチングされた面から可能な限りクロム（ＩＶ）を
除去することもこの発明に含まれる。前記面の粗面化処理の後、徹底したリンス
処理を行うことが好ましい。この発明の好ましい実施の態様によれば、硫酸クロ
ム又はクロム酸によるピックリングの後、クロム（ＶＩ）がクロム（ＩＩＩ）に
還元される。このクロムの還元処理を前記したピックリング処理後に行うことも
、この発明の技術的範囲に包含される。クロム（ＶＩ）をクロム（ＩＩＩ）に還
元するには、例えば、重亜硫酸カリウム又は次亜硫酸カリウムが使用できる。前
記クロムの還元処理の後、ピックリング処理を少なくとも１回行うことが好まし
い。この発明の他の例では、前記プラスチック面の粗面化処理を過マンガン酸塩
溶液によるピックリング処理で行うようになっている。さらに他の例では、前記
粗面化処理は、プラズマピックリングで行われる。
【００１５】 プラスチック対象物の面を前記工程１．２）による面の活性化処理の前に浸
漬による酸での予備処理することも、この発明の技術的範囲に含まれる。この酸
は、好ましくは無機酸であり、最も好ましい酸は、塩酸である。実用面では、前
記予備処理は、塩酸の濃縮液、好ましくは、３０容量％の塩化水素酸が含まれる
ものである。
漬による酸での予備処理することも、この発明の技術的範囲に含まれる。この酸
は、好ましくは無機酸であり、最も好ましい酸は、塩酸である。実用面では、前
記予備処理は、塩酸の濃縮液、好ましくは、３０容量％の塩化水素酸が含まれる
ものである。
【００１６】 この発明の技術的範囲に包含される、この発明にとって特に重要である、こ
の発明の極めて好ましい実施の態様によれば、“酸に浸漬する予備処理、前記工
程１．２）による前記面の活性化処理及び前記工程１．３）による電子導電性付
与処理”は、前記電子導電性活性化皮膜を金属化処理する前に、少なくとも１回
反復される。換言すれば、前記１．１）による前記面の粗面化処理に続いて、工
程“浸漬--活性化処理--電子導電性付与”が続いて行われ、ついで、“浸漬--活
性化処理--電子導電性付与”の工程が少なくとも１回シーケンシャルに反復され
る。前記電子導電性の活性化皮膜を金属化処理する前に、前記工程を数回、即ち
、２回以上反復して行うことも、この発明に含まれる。前記１．１）による粗面
化処理に続いて、前記“浸漬--活性化処理--電子導電性付与”工程を行い、続い
て、“活性化処理--電子導電性付与”工程を少なくとも１回行うこともできる。
の発明の極めて好ましい実施の態様によれば、“酸に浸漬する予備処理、前記工
程１．２）による前記面の活性化処理及び前記工程１．３）による電子導電性付
与処理”は、前記電子導電性活性化皮膜を金属化処理する前に、少なくとも１回
反復される。換言すれば、前記１．１）による前記面の粗面化処理に続いて、工
程“浸漬--活性化処理--電子導電性付与”が続いて行われ、ついで、“浸漬--活
性化処理--電子導電性付与”の工程が少なくとも１回シーケンシャルに反復され
る。前記電子導電性の活性化皮膜を金属化処理する前に、前記工程を数回、即ち
、２回以上反復して行うことも、この発明に含まれる。前記１．１）による粗面
化処理に続いて、前記“浸漬--活性化処理--電子導電性付与”工程を行い、続い
て、“活性化処理--電子導電性付与”工程を少なくとも１回行うこともできる。
【００１７】 二つの異なる金属元素、即ち、貴金属と、この第１の金属と異なる卑金属と
をコロイド水溶液又はイオノゲン水溶液内に使用し、前記面を活性化処理するこ
ともこの発明の技術的範囲に包含される。この発明の一つの例においては、前記
貴金属は、パラジウムであり、前記卑金属は、錫（すず）である。実用面におい
ては、錫（ＩＩ）で安定のパラジウムのコロイド溶液が活性化処理に使用される
。
をコロイド水溶液又はイオノゲン水溶液内に使用し、前記面を活性化処理するこ
ともこの発明の技術的範囲に包含される。この発明の一つの例においては、前記
貴金属は、パラジウムであり、前記卑金属は、錫（すず）である。実用面におい
ては、錫（ＩＩ）で安定のパラジウムのコロイド溶液が活性化処理に使用される
。
【００１８】 パラジウム及び錫は、この溶液から前記プラスチック対象物の予備処理され
た面に吸着される。好ましくは、塩酸パラジウム−錫溶液を用いて、前記面を活
性化処理する。前記した例によれば、前記活性化皮膜は、パラジウム−錫皮膜か
らなるものである。この発明のプロセスにおいては、好ましくは、酸性、最も好
ましくは塩酸コロイド水溶液が用いられる。前記面の活性化処理の後、リンス処
理を行うことも、この発明の技術的範囲に包含される。
た面に吸着される。好ましくは、塩酸パラジウム−錫溶液を用いて、前記面を活
性化処理する。前記した例によれば、前記活性化皮膜は、パラジウム−錫皮膜か
らなるものである。この発明のプロセスにおいては、好ましくは、酸性、最も好
ましくは塩酸コロイド水溶液が用いられる。前記面の活性化処理の後、リンス処
理を行うことも、この発明の技術的範囲に包含される。
【００１９】 この発明の一部としての前記活性化皮膜に電子導電性を付与することは、後
続の金属化処理に備えての前記活性化皮膜における十分な電子導電性を意味する
ものである。前記工程１．３）によれば、第２の卑金属の少なくとも一部が前記
活性化皮膜から溶け出し、電子導電性物質が前記活性化皮膜に吸着されることは
、この発明の一つの例によれば、例えば、錫のような第２の卑金属の一部又は全
部が前記活性化皮膜から溶け出し、例えば、他の金属である電子伝導性物質に置
換されることを意味する。電子導電性物質が前記活性化皮膜において吸着される
ことは、この発明の他の例によれば、前記第２の卑金属の少なくとも一部が前記
活性化皮膜から溶け出し、電子導電性物質が前記活性化皮膜内に形成されること
を意味するものでもある。したがって、アルカリ性溶液での処理の結果、前記第
２の卑金属との反応が行われて、電子導電性物質、それぞれが電子導電性化合物
であるものが前記活性化皮膜に形成されることも、この発明の技術的範囲に包含
される。前記電子導電性物質の吸着に際しては、前記活性化皮膜と電子導電性物
質との間に架橋反応が行われる。この発明の一つの例においては、前記第２の卑
金属は、第３の金属に置換されて、前記活性化皮膜が電子導電性のものになる。
続の金属化処理に備えての前記活性化皮膜における十分な電子導電性を意味する
ものである。前記工程１．３）によれば、第２の卑金属の少なくとも一部が前記
活性化皮膜から溶け出し、電子導電性物質が前記活性化皮膜に吸着されることは
、この発明の一つの例によれば、例えば、錫のような第２の卑金属の一部又は全
部が前記活性化皮膜から溶け出し、例えば、他の金属である電子伝導性物質に置
換されることを意味する。電子導電性物質が前記活性化皮膜において吸着される
ことは、この発明の他の例によれば、前記第２の卑金属の少なくとも一部が前記
活性化皮膜から溶け出し、電子導電性物質が前記活性化皮膜内に形成されること
を意味するものでもある。したがって、アルカリ性溶液での処理の結果、前記第
２の卑金属との反応が行われて、電子導電性物質、それぞれが電子導電性化合物
であるものが前記活性化皮膜に形成されることも、この発明の技術的範囲に包含
される。前記電子導電性物質の吸着に際しては、前記活性化皮膜と電子導電性物
質との間に架橋反応が行われる。この発明の一つの例においては、前記第２の卑
金属は、第３の金属に置換されて、前記活性化皮膜が電子導電性のものになる。
【００２０】 前記活性化皮膜における前記第２の卑金属の酸化レベルは、＞０である。“
酸化された形態”で発生の前記第２の卑金属は、実際面では、第３の金属で置換
され、この金属は、好ましくは、元素金属の形態のもので、前記活性化皮膜の電
子導電性を確固たるものにする。実用面では、前記第２の卑金属は、第３の金属
により置換され、この金属は、前記第２の卑金属に較べて貴金属の部類に入るも
のである。前記第３の金属は、好ましくは銅である。この例においては、前記処
理溶液には、銅イオンが含まれ、これらイオンは、好ましくは、錯体形成物質と
結合されている。前記プラスチック面にボンドされた卑金属、好ましくは錫は、
前記処理溶液内で銅と交換される。実用面では、錫（ＩＩ）イオンは、銅イオン
により酸化され、錫（ＩＶ）になる。これら銅イオンそれら自体は、金属銅に還
元され、前記プラスチック面にボンドされる。これによって、前記面に適切な電
気伝導性が付与され、その結果、後処理で、前記プラスチックものを金属化処理
できる。
酸化された形態”で発生の前記第２の卑金属は、実際面では、第３の金属で置換
され、この金属は、好ましくは、元素金属の形態のもので、前記活性化皮膜の電
子導電性を確固たるものにする。実用面では、前記第２の卑金属は、第３の金属
により置換され、この金属は、前記第２の卑金属に較べて貴金属の部類に入るも
のである。前記第３の金属は、好ましくは銅である。この例においては、前記処
理溶液には、銅イオンが含まれ、これらイオンは、好ましくは、錯体形成物質と
結合されている。前記プラスチック面にボンドされた卑金属、好ましくは錫は、
前記処理溶液内で銅と交換される。実用面では、錫（ＩＩ）イオンは、銅イオン
により酸化され、錫（ＩＶ）になる。これら銅イオンそれら自体は、金属銅に還
元され、前記プラスチック面にボンドされる。これによって、前記面に適切な電
気伝導性が付与され、その結果、後処理で、前記プラスチックものを金属化処理
できる。
【００２１】 前記活性化皮膜から前記第２の卑金属の一部又は全部を置換する電子導電性
物質は、この発明の一部をなす金属であるべきであるが、必ずしもそうとは限ら
ないものである。この発明の他の例においては、前記活性化皮膜の電子導電性を
確保するためには、周期系の第６及び／又は第族のメイングループからの元素の
電子導電性化合物又はそれらの混合物の好ましくはアルカリ性処理溶液が使用さ
れている。この例においては、この発明の技術的範囲に包含されるものであるが
、前記活性化皮膜における電子導電性物質は、例えば、第２の卑金属との化学反
応により形成される。
物質は、この発明の一部をなす金属であるべきであるが、必ずしもそうとは限ら
ないものである。この発明の他の例においては、前記活性化皮膜の電子導電性を
確保するためには、周期系の第６及び／又は第族のメイングループからの元素の
電子導電性化合物又はそれらの混合物の好ましくはアルカリ性処理溶液が使用さ
れている。この例においては、この発明の技術的範囲に包含されるものであるが
、前記活性化皮膜における電子導電性物質は、例えば、第２の卑金属との化学反
応により形成される。
【００２２】 前記活性化皮膜に十分な電子導電性が確保されれば、前記プラスチック対象
物の面をダイレクト金属化処理できる。ダイレクト金属化処理を行うことができ
る点は、この発明の技術的範囲に含まれる。この発明の一つの例においては、電
解金属化処理により、前記電子導電性活性化皮膜に銅皮膜を施している。この発
明の別の例においては、電解金属化処理により、前記電子導電性活性化皮膜にニ
ッケル皮膜を施している。他の金属皮膜、例えば、クロム皮膜を金属化処理の一
部として、前記電子導電性活性化皮膜に施すことができることも、この発明の一
部をなす。ただ一層の金属皮膜を施すことができるのみならず、複数層の金属皮
膜を連続して施すことができることは、明らかなことである。
物の面をダイレクト金属化処理できる。ダイレクト金属化処理を行うことができ
る点は、この発明の技術的範囲に含まれる。この発明の一つの例においては、電
解金属化処理により、前記電子導電性活性化皮膜に銅皮膜を施している。この発
明の別の例においては、電解金属化処理により、前記電子導電性活性化皮膜にニ
ッケル皮膜を施している。他の金属皮膜、例えば、クロム皮膜を金属化処理の一
部として、前記電子導電性活性化皮膜に施すことができることも、この発明の一
部をなす。ただ一層の金属皮膜を施すことができるのみならず、複数層の金属皮
膜を連続して施すことができることは、明らかなことである。
【００２３】 金属化処理の前に、この発明の工程１．２）及び１．３）の工程を反復する
ことにより、又は、好ましくは、“酸を用いる浸漬--前記面の活性化処理--電子
導電性付与処理”の工程を反復することにより、実のある驚異的な利点を挙げる
ことができる。すでに上記したように、冒頭に説明した既知のプロセスに比較し
て、かなり多くの量の貴金属と卑金属、例えば、パラジウム／錫が活性化皮膜と
してプラスチック対象物の面に−驚くべきことに−被着される。驚くべきことに
、これは、多くの異なるプラスチックス、特に、ＡＢＳブレンドものについてす
ら可能なことである。この発明のプロセスは、また、貴金属、例えば、パラジウ
ムをかなりの量で節約することができる。この発明において記載のように、前記
した諸工程を二回繰り返すと、冒頭に説明した既知のプロセスに較べて、例えば
パラジウムのような貴金属の濃度を僅か半分にしたものしか含んでいないコロイ
ド又はイオノゲン水溶液を使用できる。このように、通常非常に高価である貴金
属を多大の利点をもって節約できる。それにも拘らず、等しい量又は多くの量の
前記金属、例えばパラジウムと錫を活性化層として前記面に施することができる
。
ことにより、又は、好ましくは、“酸を用いる浸漬--前記面の活性化処理--電子
導電性付与処理”の工程を反復することにより、実のある驚異的な利点を挙げる
ことができる。すでに上記したように、冒頭に説明した既知のプロセスに比較し
て、かなり多くの量の貴金属と卑金属、例えば、パラジウム／錫が活性化皮膜と
してプラスチック対象物の面に−驚くべきことに−被着される。驚くべきことに
、これは、多くの異なるプラスチックス、特に、ＡＢＳブレンドものについてす
ら可能なことである。この発明のプロセスは、また、貴金属、例えば、パラジウ
ムをかなりの量で節約することができる。この発明において記載のように、前記
した諸工程を二回繰り返すと、冒頭に説明した既知のプロセスに較べて、例えば
パラジウムのような貴金属の濃度を僅か半分にしたものしか含んでいないコロイ
ド又はイオノゲン水溶液を使用できる。このように、通常非常に高価である貴金
属を多大の利点をもって節約できる。それにも拘らず、等しい量又は多くの量の
前記金属、例えばパラジウムと錫を活性化層として前記面に施することができる
。
【００２４】 他方では、この発明に記載のように、前記プロセスにおける適切な諸工程を
２回繰り返し、既知のプロセスにおけると同じ量の貴金属を前記面に施す場合に
は、前記コロイド又はイオノゲン溶液における貴金属の濃度が同じで、前記活性
化処理の時間を半減できる。この発明のプロセスを用いて、金属化処理の後に最
適な品質の面の金属皮膜が達成される。被覆における欠陥は、殆どないものであ
る。大形のプラスチック面を簡単に金属化処理できる。ＡＢＳブレンドものを効
果的に、かつ、安全に金属化処理できる。
２回繰り返し、既知のプロセスにおけると同じ量の貴金属を前記面に施す場合に
は、前記コロイド又はイオノゲン溶液における貴金属の濃度が同じで、前記活性
化処理の時間を半減できる。この発明のプロセスを用いて、金属化処理の後に最
適な品質の面の金属皮膜が達成される。被覆における欠陥は、殆どないものであ
る。大形のプラスチック面を簡単に金属化処理できる。ＡＢＳブレンドものを効
果的に、かつ、安全に金属化処理できる。
【００２５】 この発明を図面を用いて以下詳細に説明する。略図のものは、以下を示す：
【００２６】 図１は、冒頭に説明の既知のプロセスを用いて、プラスチック対象物の面に
対するパラジウム／錫の吸着を示す。曲線１は、ＡＢＳプラスチック対象物の面
への吸着を示し、曲線２は、ＡＢＳ／ＰＣプラスチック対象物の面における吸着
を示す。前記プラスチック対象物は、まず最初に、４００ｇ／ｌのクロム酸と４
００ｇ／ｌの硫酸の溶液中でピックリングされ、ついで、クロム（ＩＶ）からク
ロム（ＩＩＩ）へ還元された。ついで３００ｍｌ／ｌの濃度の塩酸に予備浸漬さ
れた。
対するパラジウム／錫の吸着を示す。曲線１は、ＡＢＳプラスチック対象物の面
への吸着を示し、曲線２は、ＡＢＳ／ＰＣプラスチック対象物の面における吸着
を示す。前記プラスチック対象物は、まず最初に、４００ｇ／ｌのクロム酸と４
００ｇ／ｌの硫酸の溶液中でピックリングされ、ついで、クロム（ＩＶ）からク
ロム（ＩＩＩ）へ還元された。ついで３００ｍｌ／ｌの濃度の塩酸に予備浸漬さ
れた。
【００２７】 錫（ＩＩ）安定パラジウムのコロイド溶液における活性化処理が後続された
。図１から分かるように、最初の３分間の間、最高のレートでパラジウムの吸着
が増えた。５分の後、前記プラスチック対象物の面には、パラジウム／錫が一切
追加して被着されなかった。高い濃度のコロイド水溶液を選んだ場合でも、パラ
ジウム／錫の吸着量は、増加しなかった。図１から、これも分かるように、ＡＢ
Ｓ／ＰＣ対象物の面に対しては、パラジウム／錫は、満足できない僅かな程度に
しか吸着しない。活性化処理の後、前記プラスチック対象物の面を工程１．３）
により溶液で処理した。ついで、電解銅めっき又は電解ニッケルめっきを行った
。
。図１から分かるように、最初の３分間の間、最高のレートでパラジウムの吸着
が増えた。５分の後、前記プラスチック対象物の面には、パラジウム／錫が一切
追加して被着されなかった。高い濃度のコロイド水溶液を選んだ場合でも、パラ
ジウム／錫の吸着量は、増加しなかった。図１から、これも分かるように、ＡＢ
Ｓ／ＰＣ対象物の面に対しては、パラジウム／錫は、満足できない僅かな程度に
しか吸着しない。活性化処理の後、前記プラスチック対象物の面を工程１．３）
により溶液で処理した。ついで、電解銅めっき又は電解ニッケルめっきを行った
。
【００２８】 図２は、この発明からのプロセスを用いたプラスチック対象物の面に対する
パラジウム／錫の吸着を示す。曲線３は、ＡＢＳで作られた対象物に対するパラ
ジウム／錫の吸着を示し、曲線４は、ＡＢＳ／ＰＣで作られた対象物に対するパ
ラジウム／錫の吸着を示す。この発明からのプロセスについては、最初の手順は
、既に述べた既知のプロセスと基本的に同じであった。しかしながら、最初の処
理の後では、工程１．３）により処理が行われ、工程“塩酸への予備浸漬--パラ
ジウム溶液における活性化処理--工程１．３）による処理”が１回反復された。
パラジウム／錫の吸着を示す。曲線３は、ＡＢＳで作られた対象物に対するパラ
ジウム／錫の吸着を示し、曲線４は、ＡＢＳ／ＰＣで作られた対象物に対するパ
ラジウム／錫の吸着を示す。この発明からのプロセスについては、最初の手順は
、既に述べた既知のプロセスと基本的に同じであった。しかしながら、最初の処
理の後では、工程１．３）により処理が行われ、工程“塩酸への予備浸漬--パラ
ジウム溶液における活性化処理--工程１．３）による処理”が１回反復された。
【００２９】 図２に示す分割線５は、前記諸工程の第１のシーケンスの終わりと前記諸工
程の第２のシーケンスの始まりを示す。図２においては、この発明からのプロセ
スによる結果、ＡＢＳで作られた前記対象物並びにＡＢＳ／ＰＣで作られた前記
対象物の両者に吸着されたパラジウム／錫の量は、既知のプロセスと比較して約
２倍のものであることが明らかに分かる。このことは、当業者にとって驚異的な
ことになる。この発明のプロセスで、予想を上回る多量のパラジウム／錫がＡＢ
Ｓ／ＰＣブレンドもの及び他のＡＢＳブレンドものに吸着され、その後の金属化
処理を驚くべきほどに効果的に、かつ、安全に行うことができるようになる。前
記した諸工程を２回以上繰り返すようにすると、吸着されるパラジウム／錫のコ
ンテントは、さらに一層増加する。この発明のプロセスの結果、予期しない利点
を得ることができる。
程の第２のシーケンスの始まりを示す。図２においては、この発明からのプロセ
スによる結果、ＡＢＳで作られた前記対象物並びにＡＢＳ／ＰＣで作られた前記
対象物の両者に吸着されたパラジウム／錫の量は、既知のプロセスと比較して約
２倍のものであることが明らかに分かる。このことは、当業者にとって驚異的な
ことになる。この発明のプロセスで、予想を上回る多量のパラジウム／錫がＡＢ
Ｓ／ＰＣブレンドもの及び他のＡＢＳブレンドものに吸着され、その後の金属化
処理を驚くべきほどに効果的に、かつ、安全に行うことができるようになる。前
記した諸工程を２回以上繰り返すようにすると、吸着されるパラジウム／錫のコ
ンテントは、さらに一層増加する。この発明のプロセスの結果、予期しない利点
を得ることができる。
【図１】 既知の従来技術プロセスを用いてのプラスチック対象物の面に対
するパラジウム／錫の時間による吸着度を示すもので、ｘ軸は、分単位の時間を
表し、ｙ軸は、パラジウム／錫の吸着度をｍｇ／ｄｍ2で示すものである。
するパラジウム／錫の時間による吸着度を示すもので、ｘ軸は、分単位の時間を
表し、ｙ軸は、パラジウム／錫の吸着度をｍｇ／ｄｍ2で示すものである。
【図２】 この発明のプロセスを用いてのプラスチック対象物の面に対する
パラジウム／錫の時間による吸着度を示すもので、ｘ軸は、分単位の時間を表し
、ｙ軸は、パラジウム／錫の吸着度をｍｇ／ｄｍ2で示すものである。
パラジウム／錫の時間による吸着度を示すもので、ｘ軸は、分単位の時間を表し
、ｙ軸は、パラジウム／錫の吸着度をｍｇ／ｄｍ2で示すものである。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年１１月２１日（２０００．１１．２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
Claims (10)
- 【請求項１】以下の工程からなるプラスチック対象物の面をダイレクト金属
化処理するプロセス： １．１） 前記プラスチック対象物の面をピックリングにより粗 面化する工程； １．２） 前記表面を第１の貴金属のコロイド水溶液又はイオノ ゲン水溶液により活性化する工程で、このコロイド溶 液又はイオノゲン溶液は、第２の卑金属をも付加的に 含んでおり、この工程により、前記第１の貴金属と第 ２の卑金属とを含む活性化皮膜が前記面に形成され； そして、 １．３） 好ましくはアルカリ性処理溶液で前記第２の卑金属の 少なくとも一部を前記活性化皮膜から溶出させて、電 子導電性物質を前記活性化皮膜に吸着させる前記活性 化皮膜に電子導電性を付与する工程； 以上の工程により、続いて電子伝導性活性化皮膜を金属化処理し、 前記電子導電性活性化皮膜の金属化処理を行う前に、“前記工程１．２）に
よる前記面の活性化処理と前記工程１．３）による電子導電性付与処理”工程の
シーケンスを少なくとも１回反復することを特徴とするプロセス。 - 【請求項２】前記プラスチック対象物の面をクロム硫酸又はクロム酸又は過
マンガン酸溶液によるピックリングにより粗面化処理するか、又は、プラズマピ
ックリングにより粗面化処理することを特徴とする請求項１によるプロセス。 - 【請求項３】クロム硫酸又はクロム酸によるピックリングの後、クロム（Ｉ
Ｖ）がクロム（ＩＩＩ）に還元されることを特徴とする請求項１によるプロセス
。 - 【請求項４】前記工程１．２）による前記面の活性化処理の前に、前記プラ
スチック対象物の面を酸に浸漬して予備処理することを特徴とする請求項１から
請求項３の一つによるプロセス。 - 【請求項５】前記電子導電性活性化皮膜の金属化処理を行う前に、“酸に浸
漬する予備処理、前記工程１．２）による前記面の活性化処理及び前記工程１．
３）による電子導電性付与処理”の諸工程のシーケンスを少なくとも１回繰り返
すことを特徴とする請求項４によるプロセス。 - 【請求項６】第１の貴金属としてパラジウムを、第２の卑金属おいて錫を含
むコロイド水溶液又はイオノゲン水溶液を使用して、前記面を活性化処理するこ
とを特徴とする請求項１から請求項５の一つによるプロセス。 - 【請求項７】前記第２の卑金属の少なくとも一部を第３の金属と置換し、前
記活性化皮膜に電子導電性を付与することを特徴とする請求項１から請求項６の
一つによるプロセス。 - 【請求項８】電子導電性を付与するために、電子導電性物質を化学反応、好
ましくは、前記第２の卑金属との化学反応により形成することを特徴とする請求
項１から請求項７の一つによるプロセス。 - 【請求項９】電解金属化処理により、前記電子導電性活性化皮膜に銅皮膜が
施されることを特徴とする請求項１から請求項８の一つによるプロセス。 - 【請求項１０】電解金属化処理により、前記電子導電性活性化皮膜にニッケ
ル皮膜が施されることを特徴とする請求項１から請求項９の一つによるプロセス
。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19857290A DE19857290C2 (de) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | Verfahren zur direkten Metallisierung der Oberfläche eines Kunststoffgegenstandes |
| DE19857290.5 | 1998-12-14 | ||
| PCT/US1999/030124 WO2000036189A1 (en) | 1998-12-14 | 1999-12-14 | DOUBLE-DIP Pd/Sn CROSSLINKER |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002532630A true JP2002532630A (ja) | 2002-10-02 |
| JP2002532630A5 JP2002532630A5 (ja) | 2006-12-14 |
Family
ID=7890805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000588433A Pending JP2002532630A (ja) | 1998-12-14 | 1999-12-14 | 二重浸漬パラジウム／錫架橋剤 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1157149A4 (ja) |
| JP (1) | JP2002532630A (ja) |
| CN (1) | CN1330734A (ja) |
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| CA (1) | CA2355260A1 (ja) |
| DE (1) | DE19857290C2 (ja) |
| WO (1) | WO2000036189A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007039770A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Kakihara Kogyo Kk | 銅フリー樹脂めっきの耐食性向上方法 |
| JP2007039772A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Kakihara Kogyo Kk | 銅フリー樹脂めっきの成膜方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1630252A1 (de) * | 2004-08-27 | 2006-03-01 | ATOTECH Deutschland GmbH | Verfahren zur beschichtung von Substraten enthaltend Antimonverbindungen mit Zinn und Zinnlegierungen |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19510855C2 (de) * | 1995-03-17 | 1998-04-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Substraten aus nichtleitenden Materialien |
-
1998
- 1998-12-14 DE DE19857290A patent/DE19857290C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-14 CA CA002355260A patent/CA2355260A1/en not_active Abandoned
- 1999-12-14 BR BR9916170-2A patent/BR9916170A/pt not_active Application Discontinuation
- 1999-12-14 WO PCT/US1999/030124 patent/WO2000036189A1/en active Application Filing
- 1999-12-14 JP JP2000588433A patent/JP2002532630A/ja active Pending
- 1999-12-14 EP EP99966383A patent/EP1157149A4/en not_active Withdrawn
- 1999-12-14 CN CN99814415A patent/CN1330734A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007039770A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Kakihara Kogyo Kk | 銅フリー樹脂めっきの耐食性向上方法 |
| JP2007039772A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Kakihara Kogyo Kk | 銅フリー樹脂めっきの成膜方法 |
| JP4494310B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2010-06-30 | 柿原工業株式会社 | 銅フリー樹脂めっきの成膜方法 |
| JP4494309B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2010-06-30 | 柿原工業株式会社 | 銅フリーのニッケル−クロム樹脂めっきの耐食性向上方法 |
Also Published As
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