JP2002531701A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項1】 式(Rx1Rx2...Rx11)1(My1My2...My6)zを有する、不純物が増加された希土類遷移金属磁歪材料であって、
式中、
各Rは、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム及びイットリウムからなる元素の群より選択され、0≦x1≦1、0≦x2≦1...0≦x11≦1、かつx1+x2+...+x11=1であり、かつ
各Mは、鉄、マンガン、コバルト、ニッケル、アルミニウム及びケイ素からなる元素の群より選択され、0≦y1≦1、0≦y2≦1...0≦y6≦1、y1+y2+...+y6=1、かつ1.8≦z≦2.1であり、
該材料は、整列化結晶構造又は多結晶構造を生じるように調製されると磁気歪みを有し、該材料の磁歪の異方性を利用して、印加磁場に応じて最適化された長さの巨視的変化を与え、該材料は、酸素不純物、窒素不純物及び炭素不純物を有し、前記酸素不純物が、6,011〜34,000ppmの範囲の原子パーセントを有し、前記窒素不純物が、575〜4,400ppmの範囲の原子パーセントを有し、かつ前記炭素不純物が、939〜21,000ppmの範囲の原子パーセントを有することによって、低コストで、許容可能な磁気歪み性能を示す材料。
【請求項2】 式(Smx1Dy1-x1)1Fe1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項3】 式(Tbx1Dy1-x1-x2Hox2)1Fe1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1、0≦x2≦0.5かつx1+x2≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項4】 式(Smx1Ho1-x1)1Fe1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項5】 式(Smx1Ho1-x1)1(Coy1Fe1-y1)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1かつ0≦y1≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項6】 式(Tbx1Dy1-x1)1(Mny1Fe1-y1)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1かつ0≦y1≦0.5である請求項1に記載の材料。
【請求項7】 式(Tbx1Dy1-x1)1(Coy1Fe1-y1)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1かつ0≦y1≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項8】 式(Tbx1Dy1-x1)1(Niy1Fe1-y1)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1かつ0≦y1≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項9】 式(Tbx1Dy1-x1)1(Aly1Fe1-y1)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1かつ0≦y1≦0.1である請求項1に記載の材料。
【請求項10】 式(Tbx1Dy1-x1)1(Aly1Mny2Fe1-y1-y2)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1、0≦y1≦0.1かつ0≦y2≦0.5である請求項1に記載の材料。
【請求項11】 式(Tbx1Dy1-x1-x2Hox2)1(Aly1Fe1-y1)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1、0≦x2≦0.5、x1+x2≦1かつ0≦y1≦0.1である請求項1に記載の材料。
【請求項12】 式(Tbx1Dy1-x1)1(Coy1Mny2Fe1-y1-y2)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1、0≦y1≦1、0≦y2≦0.5かつy1+y2≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項13】 式(Tbx1Dy1-x1-x2Hox2)1(Coy1Mny2Fe1-y1-y2)1.8-2.1を有し、式中0≦x1≦1、0≦x2≦0.5、x1+x2≦1、0≦y1≦1、0≦y2≦0.5かつy1+y2≦1である請求項1に記載の材料。
【請求項14】 前記酸素不純物が10,000〜34,000ppmの範囲の原子パーセントを有し、前記窒素不純物が1,200〜4,400ppmの範囲の原子パーセントを有し、かつ前記炭素不純物が4,800〜21,000ppmの範囲の原子パーセントを有することによって、前記材料が、有意に低コストで、許容可能な磁気歪み性能を示す請求項1に記載の材料。
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