JP2002529523A - 光学活性アミンをラセミ化する方法 - Google Patents
光学活性アミンをラセミ化する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、高められた温度で、水素の存在で水素化触媒または脱水素触媒を用いて、光学活性アミンを反応させることによる光学活性アミンをラセミ化する方法に関し、その際、前記反応は気相中で実施される。
Description
【０００１】 本発明は、高められた温度で、水素および水素化触媒または脱水素触媒の存在
で光学活性アミンを反応させることにより、式
で光学活性アミンを反応させることにより、式
【０００２】
【化２】
【０００３】 ［式中、 Ｒ１およびＲ２は、異なっており、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、アルキル、シクロアル
キル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリールおよび複素環式基であり、
かつ Ｒ３は、水素（Ｈ）であってもよく、その際、前記の基は、アルキル、シクロア
ルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノおよびジアルキ
ルアミノからなる群から選択される置換基を有していてもよい］ の光学活性アミンをラセミ化する方法に関する。
キル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリールおよび複素環式基であり、
かつ Ｒ３は、水素（Ｈ）であってもよく、その際、前記の基は、アルキル、シクロア
ルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノおよびジアルキ
ルアミノからなる群から選択される置換基を有していてもよい］ の光学活性アミンをラセミ化する方法に関する。
【０００４】 式Ｉの光学活性アミンは、例えば、活性化合物を製造するための重要な薬剤お
よび中間体である（例えば：DE-A 2903589、２ページ、17〜26行目参照）。しば
しば、２つのエナンチオマーのうち一方だけ（Ｉに示される不斉炭素元素に基づ
いて）が活性であるかもしくはもう１方のエナンチオマーよりも活性であるため
、例えば、公知の方法により相応するラセミアミンのラセミ体の分割により得ら
れるより不活性なエナンチオマーをラセミ化するための方法が必要とされており
、その結果、より活性なエナンチオマーを再びラセミ化アミンから公知の方法（
例えば、ラセミ体分割）により単離できる。
よび中間体である（例えば：DE-A 2903589、２ページ、17〜26行目参照）。しば
しば、２つのエナンチオマーのうち一方だけ（Ｉに示される不斉炭素元素に基づ
いて）が活性であるかもしくはもう１方のエナンチオマーよりも活性であるため
、例えば、公知の方法により相応するラセミアミンのラセミ体の分割により得ら
れるより不活性なエナンチオマーをラセミ化するための方法が必要とされており
、その結果、より活性なエナンチオマーを再びラセミ化アミンから公知の方法（
例えば、ラセミ体分割）により単離できる。
【０００５】 IN-A-162213（Chem. Abstracts 110: 192247v）は、１−２−アミノブタノー
ルとアンモニアを Rh／Al２O３の存在で処理することによりラセミ体の２−アミ
ノブタノールを製造する方法を開示している。
ルとアンモニアを Rh／Al２O３の存在で処理することによりラセミ体の２−アミ
ノブタノールを製造する方法を開示している。
【０００６】 US-A-4096186は、光学活性アミノアルコールをラセミ化する方法を記載してお
り、その際、アミノアルコールを有利には液相中で、コバルトを含有している水
素化触媒の存在で、アンモニアおよび水素と接触させている。光学活性２−アミ
ノ−１−ブタノールの反応において、最大で９７．６％のラセミ体収率の場合に
、単に６３％のラセミ化率が達成されている。それに対して、９９％のラセミ化
率の場合には、単に７５．１％のラセミ体収率が達成されている。
り、その際、アミノアルコールを有利には液相中で、コバルトを含有している水
素化触媒の存在で、アンモニアおよび水素と接触させている。光学活性２−アミ
ノ−１−ブタノールの反応において、最大で９７．６％のラセミ体収率の場合に
、単に６３％のラセミ化率が達成されている。それに対して、９９％のラセミ化
率の場合には、単に７５．１％のラセミ体収率が達成されている。
【０００７】 US-A-4990666は、光学活性アミノアルコールをラセミ化する方法を開示してお
り、その際、アミノアルコールを水素の存在でラネーコバルトと接触させている
。この特許は、例えば１６０℃を上回る高温は、ラセミ体の収率を下げることを
示している。さらに、これらの教示によれば、ラセミ化を不活性溶剤の存在で液
相中で実施している。
り、その際、アミノアルコールを水素の存在でラネーコバルトと接触させている
。この特許は、例えば１６０℃を上回る高温は、ラセミ体の収率を下げることを
示している。さらに、これらの教示によれば、ラセミ化を不活性溶剤の存在で液
相中で実施している。
【０００８】 JP-A-06135906（Derwent Abstract No. 94-197043/24; Chem. Abstracts 121:
179093z）には、水素および水素化触媒、例えば、ラネーニッケルおよびラネー
コバルトの存在で、光学活性ビシナル第一ジアミンをラセミ化する方法が記載さ
れている。
179093z）には、水素および水素化触媒、例えば、ラネーニッケルおよびラネー
コバルトの存在で、光学活性ビシナル第一ジアミンをラセミ化する方法が記載さ
れている。
【０００９】 DE-A-2851039には、光学活性１−アリールアミンのラセミ混合物を製造する方
法が記載されており、その際、液相中、水素化触媒、特にラネーコバルトの存在
で光学活性１−アリールアミンを水素を用いて処理している。
法が記載されており、その際、液相中、水素化触媒、特にラネーコバルトの存在
で光学活性１−アリールアミンを水素を用いて処理している。
【００１０】 DE-A-2903589には、高温で、水素化触媒の存在で光学活性アミンを水素を用い
て処理することによる光学活性アミンのラセミ混合物を製造する方法が記載され
ている。この文献は、光学活性アミンのラセミ化を、アミンの性質に応じて溶剤
または塊状の形、すなわち、液体または固体の形で実施することを示している。
ラネーコバルト触媒上での１２時間にわたる反応時間で、液相中の光学活性２−
アミノ−１−フェニルプロパンの反応は、最大９８％のラセミ化率の場合に、単
に９１．１％のラセミ体収率を生じる。
て処理することによる光学活性アミンのラセミ混合物を製造する方法が記載され
ている。この文献は、光学活性アミンのラセミ化を、アミンの性質に応じて溶剤
または塊状の形、すなわち、液体または固体の形で実施することを示している。
ラネーコバルト触媒上での１２時間にわたる反応時間で、液相中の光学活性２−
アミノ−１−フェニルプロパンの反応は、最大９８％のラセミ化率の場合に、単
に９１．１％のラセミ体収率を生じる。
【００１１】 本発明の課題は、プロセス生成物が高いラセミ化率と同時に高いラセミ化収率
および高い空時収率で得られる光学活性アミンをラセミ化する改善された経済的
な方法を見出すことであった。
および高い空時収率で得られる光学活性アミンをラセミ化する改善された経済的
な方法を見出すことであった。
【００１２】 上記の課題は、高められた温度で、水素および水素化触媒または脱水素触媒の
存在で光学活性アミンを反応させることにより、式Ｉ
存在で光学活性アミンを反応させることにより、式Ｉ
【００１３】
【化３】
【００１４】 ［式中、 Ｒ１およびＲ２は、異なっており、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、アルキル基、シクロア
ルキル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基および複素環式
基であり、 Ｒ３は、水素（Ｈ）であってもよく、その際、前記の基は、アルキル、シクロア
ルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノおよびジアルキ
ルアミノからなる群から選択される置換基を有していてもよい］ の光学活性アミンをラセミ化する方法において、反応を気相で実施することを特
徴とする、光学活性アミンをラセミ化する方法により達成されることが見出され
た。
ルキル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基および複素環式
基であり、 Ｒ３は、水素（Ｈ）であってもよく、その際、前記の基は、アルキル、シクロア
ルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノおよびジアルキ
ルアミノからなる群から選択される置換基を有していてもよい］ の光学活性アミンをラセミ化する方法において、反応を気相で実施することを特
徴とする、光学活性アミンをラセミ化する方法により達成されることが見出され
た。
【００１５】 本発明による方法は、気相中で、不連続的にまたは有利には以下のように連続
的に実施でき、その際、触媒を有利には反応器中に固定床として配置する。
的に実施でき、その際、触媒を有利には反応器中に固定床として配置する。
【００１６】 本発明による方法は、式Ｒ３ＮＨ２（式中、基Ｒ３は光学活性アミンＩの基Ｒ ３ に一致する）のアミンの不在において、または有利には存在下で実施すること
ができる（例えば、Ｒ３＝Ｈの光学活性アミンＩのラセミ化の場合は、アンモニ
アが存在する）。
ができる（例えば、Ｒ３＝Ｈの光学活性アミンＩのラセミ化の場合は、アンモニ
アが存在する）。
【００１７】 反応をアミンＲ３ＮＨ２の存在で実施する場合は、Ｒ３ＮＨ２対アミンＩのモ
ル比は、一般的に１：１〜５０：１、有利には１．５：１〜３０：１、特に有利
には、２：１〜２０：１、殊に有利には、２：１〜１０：１である。アミンＩに
対するＲ３ＮＨ２−過剰量は、５０：１よりも大きくてもよい。
ル比は、一般的に１：１〜５０：１、有利には１．５：１〜３０：１、特に有利
には、２：１〜２０：１、殊に有利には、２：１〜１０：１である。アミンＩに
対するＲ３ＮＨ２−過剰量は、５０：１よりも大きくてもよい。
【００１８】 水素は、一般的にアミン成分Ｉ １mol当たり、５〜４００リットルの量、有
利には５０〜２００リットルの量で反応中に導入され、その際、リットルの値は
、それぞれ標準条件（ＳＴＰ）で換算される。
利には５０〜２００リットルの量で反応中に導入され、その際、リットルの値は
、それぞれ標準条件（ＳＴＰ）で換算される。
【００１９】 光学活性アミンＩは、水素および有利にはアミンＲ３ＮＨ２もしくはアンモニ
ア、有利には水素および場合によりアミンＲ３ＮＨ２もしくはアンモニアから成
る、蒸発させるに十分に高い程度に選択されたガス流の形で、０．１〜１０MPa
、有利には０．１〜５MPa、殊に有利には０．１〜３MPaの圧力で、管型反応器中
で触媒上にガス流の形で連続的に通過させる。
ア、有利には水素および場合によりアミンＲ３ＮＨ２もしくはアンモニアから成
る、蒸発させるに十分に高い程度に選択されたガス流の形で、０．１〜１０MPa
、有利には０．１〜５MPa、殊に有利には０．１〜３MPaの圧力で、管型反応器中
で触媒上にガス流の形で連続的に通過させる。
【００２０】 触媒固定床の供給流は、上からでも下からでも流入させることができる。必要
なガス流は、有利には、循環ガス法により得られ、その際、例えば１リットルの
触媒床体積で、約５〜１０ｍ３／ｈ（標準条件で換算した体積で）の循環ガス量
および約２５０〜３５０リットル／時間の廃ガス量で行う。触媒負荷は、一般的
に触媒（床体積）１リットルおよび１時間当たり、アミンＩ ０．１〜２ｋｇ、
有利には０．１〜１ｋｇ、特に有利には０．２〜０．６ｋｇの範囲内である。
なガス流は、有利には、循環ガス法により得られ、その際、例えば１リットルの
触媒床体積で、約５〜１０ｍ３／ｈ（標準条件で換算した体積で）の循環ガス量
および約２５０〜３５０リットル／時間の廃ガス量で行う。触媒負荷は、一般的
に触媒（床体積）１リットルおよび１時間当たり、アミンＩ ０．１〜２ｋｇ、
有利には０．１〜１ｋｇ、特に有利には０．２〜０．６ｋｇの範囲内である。
【００２１】 ラセミ化のために選択される温度は、１００〜３００℃、有利には１５０〜２
７０℃、特に有利には１６０〜２５０℃、殊に有利には１７０〜２４０℃、とり
わけ１８０〜２３０℃の範囲内である。
７０℃、特に有利には１６０〜２５０℃、殊に有利には１７０〜２４０℃、とり
わけ１８０〜２３０℃の範囲内である。
【００２２】 上記のものよりも、高い温度、高い全圧および高い触媒負荷を使用することも
できる。本質的に使用された温度で、アミン成分Ｉ、存在する任意のアミンＲ３ ＮＨ２および形成されたラセミ化アミンの部分圧の合計である反応容器中の圧力
は、水素の注入により適当に所望の反応圧力まで高められる。
できる。本質的に使用された温度で、アミン成分Ｉ、存在する任意のアミンＲ３ ＮＨ２および形成されたラセミ化アミンの部分圧の合計である反応容器中の圧力
は、水素の注入により適当に所望の反応圧力まで高められる。
【００２３】 反応後に、搬出物を適当に減圧し、水素および場合によっては使用された式Ｒ ３ ＮＨ２のアミンを除去し、その際、これらを再循環させることができ、本質的
にラセミアミンＩを含有して得られる冷却された反応生成物は、大気圧または減
圧下で分別精留により精製される。
にラセミアミンＩを含有して得られる冷却された反応生成物は、大気圧または減
圧下で分別精留により精製される。
【００２４】 水素化触媒および脱水素触媒として、触媒活性成分として、銅、銀、金、鉄、
コバルト、ニッケル、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金、クロム、モリブデンおよびタングステンから成る群から
選択される元素を、それぞれの場合、金属の形（酸化数０）またはプロセス条件
下で相応する金属に還元される化合物、例えば酸化物の形で含有している触媒が
特に適当である。
コバルト、ニッケル、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金、クロム、モリブデンおよびタングステンから成る群から
選択される元素を、それぞれの場合、金属の形（酸化数０）またはプロセス条件
下で相応する金属に還元される化合物、例えば酸化物の形で含有している触媒が
特に適当である。
【００２５】 触媒活性成分として、銅、銀、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、
パラジウム、白金、クロムおよびモリブデンから成る群から選択される元素、特
に、銅、銀、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、クロムおよびモリ
ブデンから成る群から選択される元素を、それぞれの場合、金属の形で（酸化数
０）またはプロセス条件下で相応する金属に還元される化合物、例えば酸化物の
形で含有している触媒が有利である。
パラジウム、白金、クロムおよびモリブデンから成る群から選択される元素、特
に、銅、銀、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、クロムおよびモリ
ブデンから成る群から選択される元素を、それぞれの場合、金属の形で（酸化数
０）またはプロセス条件下で相応する金属に還元される化合物、例えば酸化物の
形で含有している触媒が有利である。
【００２６】 触媒活性成分の銅、銀、金、鉄、コバルト、ニッケル、レニウム、ルテニウム
、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、クロム、モリブデン
および／またはタングステンならびに酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、
二酸化チタン、二酸化ケイ素および／または炭素から成る群から選択される担体
材料を含有している触媒が有利である。
、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、クロム、モリブデン
および／またはタングステンならびに酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、
二酸化チタン、二酸化ケイ素および／または炭素から成る群から選択される担体
材料を含有している触媒が有利である。
【００２７】 これらの有利に使用される触媒において、担体材料の酸化アルミニウム（Ａｌ ２ Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸
化ケイ素（ＳｉＯ２）および／または炭素は、一般的に触媒活性材料中に全体で
２０〜９９．９質量％、有利には３０〜９９．９質量％の量で含有される。
化ケイ素（ＳｉＯ２）および／または炭素は、一般的に触媒活性材料中に全体で
２０〜９９．９質量％、有利には３０〜９９．９質量％の量で含有される。
【００２８】 いわゆる薄層触媒に適当な例は、例えば出願日１９９８年６月２７日のドイツ
特許出願第 19827385.1の１ページ、１４〜３０行目、およびDE-A 3513726に定
義されているように、触媒活性成分が構造化担体またはモノリスに塗布されてい
る触媒である。触媒活性成分は、公知の方法により、使用される構造化担体また
はモノリス、例えば、金属線メッシュまたはＳｉＯ２−、ＴｉＯ２−、ＺｒＯ２ −、またはＡｌ２Ｏ３−ハネカム体に、例えば、触媒活性金属、例えば貴金属を
DE-A-3513726に記載されているような減圧下で蒸着により塗布するか、またはDE
-A-4135055、DE-A-3915685またはUS-A-4746537に記載されているような含浸法に
より塗布する。
特許出願第 19827385.1の１ページ、１４〜３０行目、およびDE-A 3513726に定
義されているように、触媒活性成分が構造化担体またはモノリスに塗布されてい
る触媒である。触媒活性成分は、公知の方法により、使用される構造化担体また
はモノリス、例えば、金属線メッシュまたはＳｉＯ２−、ＴｉＯ２−、ＺｒＯ２ −、またはＡｌ２Ｏ３−ハネカム体に、例えば、触媒活性金属、例えば貴金属を
DE-A-3513726に記載されているような減圧下で蒸着により塗布するか、またはDE
-A-4135055、DE-A-3915685またはUS-A-4746537に記載されているような含浸法に
より塗布する。
【００２９】 本発明による方法で使用できる薄層触媒の例は、EP-A-646562の例１および２
で開示されているNo.1.4767(Kanthal)を有する材料および蒸着Pdを含有している
触媒、例３で開示されているNo. 1.4767を有する材料および蒸着Pdを含有してい
る触媒、および例４で開示されているNo. 1.4301を有する材料および蒸着Pdを含
有している触媒である(材料番号は、“Stahleisenliste”Stahleisen mbＨ出版
1990，第８版、８７ページおよび次ページに挙げられている）。
で開示されているNo.1.4767(Kanthal)を有する材料および蒸着Pdを含有している
触媒、例３で開示されているNo. 1.4767を有する材料および蒸着Pdを含有してい
る触媒、および例４で開示されているNo. 1.4301を有する材料および蒸着Pdを含
有している触媒である(材料番号は、“Stahleisenliste”Stahleisen mbＨ出版
1990，第８版、８７ページおよび次ページに挙げられている）。
【００３０】 さらに本発明による方法で使用できる水素化触媒および脱水素触媒は、通常、
反応条件下で不活性である担体材料、例えば、石英（ＳｉＯ２）、磁器、酸化マ
グネシウム、二酸化スズ、炭化ケイ素、ルチル、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ケイ
酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム（ステアタイト）、ケイ酸ジルコニウムま
たはケイ酸セリウムまたはこれらの混合物のコア上に触媒活性成分がシェル型で
塗布されたシェル型触媒が適当である。
反応条件下で不活性である担体材料、例えば、石英（ＳｉＯ２）、磁器、酸化マ
グネシウム、二酸化スズ、炭化ケイ素、ルチル、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ケイ
酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム（ステアタイト）、ケイ酸ジルコニウムま
たはケイ酸セリウムまたはこれらの混合物のコア上に触媒活性成分がシェル型で
塗布されたシェル型触媒が適当である。
【００３１】 このようなシェル型触媒と製造するために、通常、J. -F. Le Page et al., A
pplied Heterogeneous Catalysis, Edition Technip Paris, 1987, ISBN 2-7108
-0531-6、106〜123ページに記載されているような含浸法が用いられる。これら
の含浸法は、（ａ）過剰の溶液を用いて担体材料を含浸する（浸漬）（ｂ）含浸
ドラム中で担体材料を噴霧含浸し、続いてそれぞれ乾燥および焼成することを含
む。
pplied Heterogeneous Catalysis, Edition Technip Paris, 1987, ISBN 2-7108
-0531-6、106〜123ページに記載されているような含浸法が用いられる。これら
の含浸法は、（ａ）過剰の溶液を用いて担体材料を含浸する（浸漬）（ｂ）含浸
ドラム中で担体材料を噴霧含浸し、続いてそれぞれ乾燥および焼成することを含
む。
【００３２】 このようなシェル型触媒を製造するその他の可能な方法は、例えば、DE-A-164
2938およびDE-A-1769998中に記載されている。この方法で、触媒活性材料および
／またはその前駆化合物の成分の水性および／または有機溶剤を含有している溶
液または懸濁液（以後、“スラリー”と呼ぶ）は、触媒全質量中で所望の触媒活
性材料の割合が達成されるまで、加熱された被覆ドラム中、高温で、担体材料上
に噴霧される。DE-A-2106796によれば、例えば、DE-A-1280756に記載されている
ように被覆を流動床塗工機中で実施することもできる。スラリーは、場合により
、有機結合剤、有利にはコポリマー、例えばビニルアセテート／ビニルラウレー
トおよびビニルアセテート／エチレンをEP-A-744214に示されているように含有
することができる。
2938およびDE-A-1769998中に記載されている。この方法で、触媒活性材料および
／またはその前駆化合物の成分の水性および／または有機溶剤を含有している溶
液または懸濁液（以後、“スラリー”と呼ぶ）は、触媒全質量中で所望の触媒活
性材料の割合が達成されるまで、加熱された被覆ドラム中、高温で、担体材料上
に噴霧される。DE-A-2106796によれば、例えば、DE-A-1280756に記載されている
ように被覆を流動床塗工機中で実施することもできる。スラリーは、場合により
、有機結合剤、有利にはコポリマー、例えばビニルアセテート／ビニルラウレー
トおよびビニルアセテート／エチレンをEP-A-744214に示されているように含有
することができる。
【００３３】 本発明による方法中で使用できるシェル型触媒の例は、アルミナ凝集物を貴金
属塩水溶液、例えば、Pd塩溶液を用いて含浸させ、引き続き乾燥および焼成する
ことにより製造されているDE-A-2059978の例１（cat. A）に開示されている触媒
および J.-F. Le Page等により上記の文献中（Applied Heterogeneous Catalysi
s）の例えば１１０ページに開示されている含浸により製造され、Ａｌ２Ｏ３お
よびＮｉおよび／またはＣｏを含有している触媒である。
属塩水溶液、例えば、Pd塩溶液を用いて含浸させ、引き続き乾燥および焼成する
ことにより製造されているDE-A-2059978の例１（cat. A）に開示されている触媒
および J.-F. Le Page等により上記の文献中（Applied Heterogeneous Catalysi
s）の例えば１１０ページに開示されている含浸により製造され、Ａｌ２Ｏ３お
よびＮｉおよび／またはＣｏを含有している触媒である。
【００３４】 一般的に、本発明による方法中の触媒は、含浸法、沈殿法またはペプチゼーシ
ョン法により得られ、かつもっぱら触媒活性材料から成り、場合により、触媒を
成形体として使用する場合は、成形助剤（例えば、グラファイトまたはステアリ
ン酸）から成る触媒の形で使用できる。すなわち、他の触媒不活性随伴物を含有
することはない。
ョン法により得られ、かつもっぱら触媒活性材料から成り、場合により、触媒を
成形体として使用する場合は、成形助剤（例えば、グラファイトまたはステアリ
ン酸）から成る触媒の形で使用できる。すなわち、他の触媒不活性随伴物を含有
することはない。
【００３５】 担体としては、有利には、酸化物、炭化物または窒化物材料、特に有利には酸
化物材料を使用できる。
化物材料を使用できる。
【００３６】 これに関連して、触媒担体として使用される材料、例えば二酸化チタン（Ｓｉ
Ｏ２、アナターゼ、ルチル）、 酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３；有利にはα、β−、γ−またはθ−Ａｌ２Ｏ３ ；BASF社のD10-10；例えば、出願日１９９７年７月１４日のドイツ特許出願第 1
9730126.6 に記載されているように少なくとも１種の酸化アルミニウムの前駆体
を少なくとも１つのストラクチャー形成剤に液体媒体中で接触させることで製造
される大きな面積を有するＡｌ２Ｏ３、なお前記明細書は本願明細書に引用され
ている）、 二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２；有利には単斜または正方型）、 二酸化ケイ素（ＳｉＯ２；例えば、水ガラスからの沈殿またはゾルゲル法によっ
て得られるかまたは多孔性ＳｉＯ２、例えば、DE-A-19639016に記載されている
ような少なくとも５００ｍ２／ｇの多孔性の比表面積および少なくとも１．０ｍ
ｌ／ｇの多孔質性の細孔容積を有する多孔性ＳｉＯ２、またはシリカゲル（例え
ば、Ullmann, Enzykl. Techn. Chem., 第４版、第２１巻、475〜63ページ、1982
）またはアルミノケイ酸塩のようなケイ酸塩の形（例えば、Nature、第359巻 71
0〜12ページ、1992）、またはアルカリ金属またはアルカリ土類金属アルミノケ
イ酸塩（ゼオライト）の形、例えば、一般式Ｍ２／ｚＯ・Ａｌ２Ｏ３・ｘＳｉＯ ２ ・ｙＨ２Ｏ［式中、Ｍは、１価性または多価性金属、Ｈ、[NH４] を表し、ｚ
は、原子価を表し、ｘ＝１．８〜約１２であり、かつｙ＝０〜約８である］の形
、ケイ酸マグネシウム（例えば、ステアタイト）の形、ケイ酸ジルコニウム、ケ
イ酸セリウムまたはケイ酸カルシウムの形）、または出願日１９９７年７月３０
日のドイツ特許出願出願第 19732865.2 に記載されているように、少なくとも１
種の二酸化ケイ素の前駆体と少なくとも１種のストラクチャー形成剤とを液体媒
体中で接触させることにより製造される大きな比表面積を有するＳｉＯ２）、
主にフィロシリケートおよび／または鎖状フィロケイ酸塩から成るクレイ（例え
ば、ベントナイトまたはモンモリロナイト） 軽石、炭化ケイ素、酸化マグネシウム（MgO）、酸化亜鉛（ZnO）、二酸化スズ
（SnO２）、二酸化セリウム（CeO２）および／または炭素（例えば、押出物また
はペレット化型の活性炭またはグラファイト）、またはそれらの混合物は、触媒
活性材料の一部である。
Ｏ２、アナターゼ、ルチル）、 酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３；有利にはα、β−、γ−またはθ−Ａｌ２Ｏ３ ；BASF社のD10-10；例えば、出願日１９９７年７月１４日のドイツ特許出願第 1
9730126.6 に記載されているように少なくとも１種の酸化アルミニウムの前駆体
を少なくとも１つのストラクチャー形成剤に液体媒体中で接触させることで製造
される大きな面積を有するＡｌ２Ｏ３、なお前記明細書は本願明細書に引用され
ている）、 二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２；有利には単斜または正方型）、 二酸化ケイ素（ＳｉＯ２；例えば、水ガラスからの沈殿またはゾルゲル法によっ
て得られるかまたは多孔性ＳｉＯ２、例えば、DE-A-19639016に記載されている
ような少なくとも５００ｍ２／ｇの多孔性の比表面積および少なくとも１．０ｍ
ｌ／ｇの多孔質性の細孔容積を有する多孔性ＳｉＯ２、またはシリカゲル（例え
ば、Ullmann, Enzykl. Techn. Chem., 第４版、第２１巻、475〜63ページ、1982
）またはアルミノケイ酸塩のようなケイ酸塩の形（例えば、Nature、第359巻 71
0〜12ページ、1992）、またはアルカリ金属またはアルカリ土類金属アルミノケ
イ酸塩（ゼオライト）の形、例えば、一般式Ｍ２／ｚＯ・Ａｌ２Ｏ３・ｘＳｉＯ ２ ・ｙＨ２Ｏ［式中、Ｍは、１価性または多価性金属、Ｈ、[NH４] を表し、ｚ
は、原子価を表し、ｘ＝１．８〜約１２であり、かつｙ＝０〜約８である］の形
、ケイ酸マグネシウム（例えば、ステアタイト）の形、ケイ酸ジルコニウム、ケ
イ酸セリウムまたはケイ酸カルシウムの形）、または出願日１９９７年７月３０
日のドイツ特許出願出願第 19732865.2 に記載されているように、少なくとも１
種の二酸化ケイ素の前駆体と少なくとも１種のストラクチャー形成剤とを液体媒
体中で接触させることにより製造される大きな比表面積を有するＳｉＯ２）、
主にフィロシリケートおよび／または鎖状フィロケイ酸塩から成るクレイ（例え
ば、ベントナイトまたはモンモリロナイト） 軽石、炭化ケイ素、酸化マグネシウム（MgO）、酸化亜鉛（ZnO）、二酸化スズ
（SnO２）、二酸化セリウム（CeO２）および／または炭素（例えば、押出物また
はペレット化型の活性炭またはグラファイト）、またはそれらの混合物は、触媒
活性材料の一部である。
【００３７】 触媒活性成分の銅、銀、金、鉄、コバルト、ニッケル、レニウム、ルテニウム
、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、クロム、モリブデン
および／またはタングステンは、一般的に触媒の触媒活性成分中に、酸化数０の
金属として計算して、全体で０．１〜８０質量％、有利には０．１〜７０質量％
、特に有利には０．１〜６０質量％の量で含有される。
、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、クロム、モリブデン
および／またはタングステンは、一般的に触媒の触媒活性成分中に、酸化数０の
金属として計算して、全体で０．１〜８０質量％、有利には０．１〜７０質量％
、特に有利には０．１〜６０質量％の量で含有される。
【００３８】 触媒は、触媒活性材料を粉末状に粉砕して反応器中に導入するか、または有利
には、粉砕後に触媒活性材料を成形助剤と混合し、成形かつ熱処理し、触媒成形
体、例えば、ペレット、球体、リングまたは押出物として反応器中に配置して使
用される。
には、粉砕後に触媒活性材料を成形助剤と混合し、成形かつ熱処理し、触媒成形
体、例えば、ペレット、球体、リングまたは押出物として反応器中に配置して使
用される。
【００３９】 これらの触媒を製造するために種々の方法が可能である。
【００４０】 これらの触媒は、例えば、触媒成分の水酸化物、炭酸塩、酸化物および／また
は他の塩の粉末状混合物を水を用いてペプチゼーションし、引き続きこのように
得られた材料を押出しかつ熱処理することにより得られる。
は他の塩の粉末状混合物を水を用いてペプチゼーションし、引き続きこのように
得られた材料を押出しかつ熱処理することにより得られる。
【００４１】 本発明による方法中で使用される触媒は、触媒担体材料（上記参照）またはこ
れらの触媒担体材料の１種以上の混合物を、例えば、粉末または成形体、例えば
押出物、ペレット、球体またはリングの形で含浸することによっても製造できる
。
れらの触媒担体材料の１種以上の混合物を、例えば、粉末または成形体、例えば
押出物、ペレット、球体またはリングの形で含浸することによっても製造できる
。
【００４２】 上記の触媒担体材料の成形体の製造は、通常の方法で行うことができる。
【００４３】 触媒担体材料の含浸は、同様に通常の方法で、例えばEP-A-599180、EP-A-6739
18または A. B. Stiles、Catalyst Manufacture-Laboratory and Commercial Pr
eparations、Marcel Dekker, New York (1983)に記載されているように、それぞ
れ相応する金属塩溶液を１つ以上の含浸工程中で塗布することによる行うことが
でき、その際、金属塩として例えば、相応するニトレート、アセテートまたはク
ロリドが使用される。該材料は、含浸に続いて乾燥させ、場合により焼成する。
18または A. B. Stiles、Catalyst Manufacture-Laboratory and Commercial Pr
eparations、Marcel Dekker, New York (1983)に記載されているように、それぞ
れ相応する金属塩溶液を１つ以上の含浸工程中で塗布することによる行うことが
でき、その際、金属塩として例えば、相応するニトレート、アセテートまたはク
ロリドが使用される。該材料は、含浸に続いて乾燥させ、場合により焼成する。
【００４４】 含浸は、触媒担体材料をその水吸収度に応じて、飽和する最大限まで含浸溶液
を用いて湿らせる単純湿潤法（incipient wetness method）により行うことがで
きる。しかし、含浸は、上澄み溶液中で実施することもできる。
を用いて湿らせる単純湿潤法（incipient wetness method）により行うことがで
きる。しかし、含浸は、上澄み溶液中で実施することもできる。
【００４５】 多段含浸法では、それぞれの含浸工程の間に乾燥および場合により焼成すると
有利である。多段含浸法は、触媒担体材料を比較的に大量の金属で被覆しなけれ
ばならない場合に用いると特に有利である。
有利である。多段含浸法は、触媒担体材料を比較的に大量の金属で被覆しなけれ
ばならない場合に用いると特に有利である。
【００４６】 複数の金属成分を触媒担体材料に塗布するために、含浸は、全ての金属塩を同
時に用いるかまたはそれぞれの金属塩を任意の順序で連続的に用いて行うことが
できる。
時に用いるかまたはそれぞれの金属塩を任意の順序で連続的に用いて行うことが
できる。
【００４７】 本発明による方法中で使用される触媒を製造するために沈殿法を使用すること
もできる。従って、触媒は、例えば難溶性の触媒担体材料の微粉末のスラリーま
たは懸濁液の存在で無機塩基を用いて、これらの元素を含有している塩水溶液か
ら金属成分を共沈させ、引き続き得られた沈殿物を洗浄、乾燥および焼成するこ
とにより得られる。難溶性の触媒担体材料として、例えば、酸化アルミニウム、
二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウムおよび／または酸化ジルコニ
ウム水和物を使用することができる。
もできる。従って、触媒は、例えば難溶性の触媒担体材料の微粉末のスラリーま
たは懸濁液の存在で無機塩基を用いて、これらの元素を含有している塩水溶液か
ら金属成分を共沈させ、引き続き得られた沈殿物を洗浄、乾燥および焼成するこ
とにより得られる。難溶性の触媒担体材料として、例えば、酸化アルミニウム、
二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウムおよび／または酸化ジルコニ
ウム水和物を使用することができる。
【００４８】 本発明による方法中で使用される触媒は、これら全ての成分を共沈（混合沈殿
）させることにより製造できる。このために、有利には触媒成分含有の塩水溶液
を温かい状態で撹拌しながら水性無機塩基、特にアルカリ金属塩基、例えば炭酸
ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウムまたは水酸化カリウムと沈殿が完
了するまで混合する。使用する塩の種類は一般的には重要ではない：それという
のも、この方法では、塩の溶解度が特に重要であり、比較的濃度の高いこれらの
塩溶液を製造するのに必要な良好な溶解度を有することを基準としているからで
ある。個々の成分の塩を選択する場合は、不所望な沈殿を生じるかまたは錯体の
形成により沈殿を困難にするかまたは妨げることによる問題を生じないアニオン
含有の塩だけを選択することは自明である。
）させることにより製造できる。このために、有利には触媒成分含有の塩水溶液
を温かい状態で撹拌しながら水性無機塩基、特にアルカリ金属塩基、例えば炭酸
ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウムまたは水酸化カリウムと沈殿が完
了するまで混合する。使用する塩の種類は一般的には重要ではない：それという
のも、この方法では、塩の溶解度が特に重要であり、比較的濃度の高いこれらの
塩溶液を製造するのに必要な良好な溶解度を有することを基準としているからで
ある。個々の成分の塩を選択する場合は、不所望な沈殿を生じるかまたは錯体の
形成により沈殿を困難にするかまたは妨げることによる問題を生じないアニオン
含有の塩だけを選択することは自明である。
【００４９】 これらの沈殿反応中で得られる沈殿物は、一般的に化学的に不均一であり、特
に使用される塩の酸化物、水化酸化物、水酸化物、炭酸塩および不溶性かつ塩基
性の塩の混合物から成る。沈殿物の濾過性に関しては、沈殿物を老化させる場合
、すなわち、沈殿物が沈殿した後に多少の時間、場合により高温または空気を通
過させながら放置させた場合に有効であることがわかった。
に使用される塩の酸化物、水化酸化物、水酸化物、炭酸塩および不溶性かつ塩基
性の塩の混合物から成る。沈殿物の濾過性に関しては、沈殿物を老化させる場合
、すなわち、沈殿物が沈殿した後に多少の時間、場合により高温または空気を通
過させながら放置させた場合に有効であることがわかった。
【００５０】 これらの沈殿法によって得られる沈殿物は、さらに常用の方法により処理され
て触媒を生じる。洗浄後に、触媒は一般的に８０〜２００℃、有利には１００〜
１５０℃で乾燥し、その後に焼成する。焼成は、一般的に３００と８００℃の間
の温度、有利には４００〜６００℃、特に有利には４５０〜５５０℃で実施する
。
て触媒を生じる。洗浄後に、触媒は一般的に８０〜２００℃、有利には１００〜
１５０℃で乾燥し、その後に焼成する。焼成は、一般的に３００と８００℃の間
の温度、有利には４００〜６００℃、特に有利には４５０〜５５０℃で実施する
。
【００５１】 焼成後に、触媒は粉砕により一定の粒度に調整するかまたは粉砕後にグラファ
イトまたはステアリン酸のような成形助剤と混合し、これを成型機を用いて圧縮
物、例えばペレットに圧縮し、かつ熱処理することにより有利に調節される。そ
の際、熱処理温度は一般的に焼成温度に一致する。
イトまたはステアリン酸のような成形助剤と混合し、これを成型機を用いて圧縮
物、例えばペレットに圧縮し、かつ熱処理することにより有利に調節される。そ
の際、熱処理温度は一般的に焼成温度に一致する。
【００５２】 このように製造された触媒は、触媒活性金属をそれらの酸素含有化合物の形、
すなわち、特に酸化物および混合酸化物を含有している。
すなわち、特に酸化物および混合酸化物を含有している。
【００５３】 このように製造された触媒は、光学活性アミンＩのラセミ化に使用される前に
、通常は前還元する。しかし、該触媒を前還元せずに使用することもでき、その
際、触媒は反応器中に存在する水素によりラセミ化の条件下で還元される。
、通常は前還元する。しかし、該触媒を前還元せずに使用することもでき、その
際、触媒は反応器中に存在する水素によりラセミ化の条件下で還元される。
【００５４】 前還元のために、一般的にはじめに１５０〜２００℃で１２〜２０時間の間、
触媒を窒素／水素雰囲気にさらし、引き続き水素雰囲気中で２００〜４００℃で
約２４時間まで処理する。この前還元において、触媒中に存在する酸素含有金属
化合物の部分が相応する金属に還元され、その結果これらは種々の酸素化合物と
一緒に触媒の活性型で存在する。
触媒を窒素／水素雰囲気にさらし、引き続き水素雰囲気中で２００〜４００℃で
約２４時間まで処理する。この前還元において、触媒中に存在する酸素含有金属
化合物の部分が相応する金属に還元され、その結果これらは種々の酸素化合物と
一緒に触媒の活性型で存在する。
【００５５】 以下の触媒成分の濃度値（質量％）は、特記されない限り、最後の熱処理の後
および水素を用いた還元の前の完成した触媒の触媒活性成分にそれぞれ関連する
。
および水素を用いた還元の前の完成した触媒の触媒活性成分にそれぞれ関連する
。
【００５６】 最後の熱処理の後および水素を用いた還元の前の触媒の触媒活性材料の質量は
、触媒活性成分の質量の合計として定義され、その際、ペプチゼーション、含浸
または沈殿により製造される上記の触媒の場合は、触媒担体として使用される材
料を触媒活性材料の一部とする。
、触媒活性成分の質量の合計として定義され、その際、ペプチゼーション、含浸
または沈殿により製造される上記の触媒の場合は、触媒担体として使用される材
料を触媒活性材料の一部とする。
【００５７】 本発明の方法の中で使用される触媒の触媒活性材料は、さらに周期表の I A、
II A、III A、IV A、V A、VI A、I B、II B、III B、IV B および V B族から選
択される１種以上の元素（酸化数０）またはこれらの無機または有機化合物を含
有することができる。
II A、III A、IV A、V A、VI A、I B、II B、III B、IV B および V B族から選
択される１種以上の元素（酸化数０）またはこれらの無機または有機化合物を含
有することができる。
【００５８】 これらの元素またはこれらの化合物の例は： 遷移金属、例えば、ＭｎまたはＭｎ２Ｏ３またはＭｎＯ２；Ｖまたは酸化バナジ
ウムまたはバナジルピロリン酸塩；Ｎｂまたは酸化ニオブまたはニオブシュウ酸
塩；Ｔａまたは酸化タンタル；ランタノイド、例えば、ＣｅまたはＣｅＯ２また
はＰｒもしくはＰｒ２Ｏ３；アルカリ金属酸化物、例えば、Ｎａ２Ｏ；アルカリ
金属炭酸塩；アルカリ土類金属酸化物、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよび
ＢａＯ；アルカリ土類金属炭酸塩、例えば、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３およびＢａ
ＣＯ３；酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）である。
ウムまたはバナジルピロリン酸塩；Ｎｂまたは酸化ニオブまたはニオブシュウ酸
塩；Ｔａまたは酸化タンタル；ランタノイド、例えば、ＣｅまたはＣｅＯ２また
はＰｒもしくはＰｒ２Ｏ３；アルカリ金属酸化物、例えば、Ｎａ２Ｏ；アルカリ
金属炭酸塩；アルカリ土類金属酸化物、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよび
ＢａＯ；アルカリ土類金属炭酸塩、例えば、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３およびＢａ
ＣＯ３；酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）である。
【００５９】 本発明による方法において、有利には、含浸、沈殿またはペプチゼーションに
より製造され、かつ水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）および／または二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）および／また
は二酸化チタン（ＴｉＯ２）および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）および／
または活性炭またはグラファイトとしての炭素２０〜８５質量％、有利には２５
〜８０質量％、特に有利には３０〜７５質量％、ＣｕＯとして計算して銅の酸素
含有化合物１〜７０質量％、有利には２〜６５質量％、特に有利には４〜６０質
量％、殊に有利には２０〜６０質量％、ＮｉＯとして計算してニッケルの酸素含
有化合物０〜７０質量％、有利には１〜７０質量％、特に有利には５〜６６質量
％、およびＣｏＯとして計算してコバルトの酸素含有化合物、Ｃｒ２Ｏ３として
計算してクロムの酸素含有化合物、ＺｎＯとして計算して亜鉛の酸素含有化合物
、 ＭｏＯ３として計算してモリブデンの酸素含有化合物、ＭｎＯ２として計算して
マンガンの酸素含有化合物、ＭｇＯとして計算してマグネシウムの酸素含有化合
物、ＣａＯとして計算してカルシウムの酸素含有化合物および／またはＢａＯと
して計算してバリウムの酸素含有化合物０〜５０質量％、有利には０〜３０質量
％、例えば、０．１〜２５質量％を含有する触媒を使用する。
より製造され、かつ水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）および／または二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）および／また
は二酸化チタン（ＴｉＯ２）および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）および／
または活性炭またはグラファイトとしての炭素２０〜８５質量％、有利には２５
〜８０質量％、特に有利には３０〜７５質量％、ＣｕＯとして計算して銅の酸素
含有化合物１〜７０質量％、有利には２〜６５質量％、特に有利には４〜６０質
量％、殊に有利には２０〜６０質量％、ＮｉＯとして計算してニッケルの酸素含
有化合物０〜７０質量％、有利には１〜７０質量％、特に有利には５〜６６質量
％、およびＣｏＯとして計算してコバルトの酸素含有化合物、Ｃｒ２Ｏ３として
計算してクロムの酸素含有化合物、ＺｎＯとして計算して亜鉛の酸素含有化合物
、 ＭｏＯ３として計算してモリブデンの酸素含有化合物、ＭｎＯ２として計算して
マンガンの酸素含有化合物、ＭｇＯとして計算してマグネシウムの酸素含有化合
物、ＣａＯとして計算してカルシウムの酸素含有化合物および／またはＢａＯと
して計算してバリウムの酸素含有化合物０〜５０質量％、有利には０〜３０質量
％、例えば、０．１〜２５質量％を含有する触媒を使用する。
【００６０】 上記の触媒活性材料の成分の合計は、一般的に７０〜１００質量％、有利には
８０〜１００質量％、特に９０〜１００質量％、殊には９５〜１００質量％、例
えば１００質量％である。
８０〜１００質量％、特に９０〜１００質量％、殊には９５〜１００質量％、例
えば１００質量％である。
【００６１】 このような触媒の例は、全触媒に対して５〜８０質量％の金属含量を有するコ
バルト、ニッケルおよび銅および酸化アルミニウムおよび／または二酸化ケイ素
を含有しているDE-A-1953263で開示されている触媒（その際、該触媒は、金属含
量で換算してコバルトとニッケルの混合物７０〜９５質量％および銅５〜３０質
量％を含有し、その際、コバルト対ニッケルの質量比は、４：１〜１：４である
）、例えば、酸化アルミニウムに対して酸化銅２〜４質量％、酸化コバルト１０
質量％および酸化ニッケル１０質量％を含有する上記引用明細書中の実施例中に
記載されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２２０〜８５質量％、Ｃｕ
Ｏ １〜３０質量％およびそれぞれＣｏＯおよびＮｉＯ １〜４０質量％を含有
しているEP-A-382049で開示されている触媒、例えば、ＺｒＯ２として計算して
Ｚｎ７６質量％、ＣｕＯとして計算してＣｕ４質量％、Ｃｕ４質量％、ＣｏＯと
して計算してＣｏ １０質量％およびＮｉＯとして計算してＮｉ １０質量％の
成分を有する上記引用明細書中の６ページ目に記載されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２ ２０〜８５質量％、Ｃ
ｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物１〜３０質量％、ＮｉＯとして計算して
Ｎｉの酸素含有化合物３０〜７０質量％、ＭｏＯ３として計算してモリブデンの
酸素含有化合物０．１〜５質量％、およびＡｌ２Ｏ３およびＭｎＯ２として計算
してアルミニウムおよび／またはマンガンの酸素含有化合物０〜１０質量％を含
有するEP-A-696572で開示されている触媒、例えば、ＺｒＯ２ ３１．５質量％
、ＮｉＯ ５０質量％、ＣｕＯ １７質量％およびＭｏＯ３ １．５質量％の成
分を有する上記引用明細書中の８ページ目に記載されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２ ２２〜４０質量％、Ｃ
ｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物１〜３０質量％、ＮｉＯとして計算して
Ｎｉの酸素含有化合物１５〜５０質量％、その際、Ｎｉ：Ｃｕのモル比は、１よ
りも大きく、ＣｏＯとして計算してコバルトの酸素含有化合物１５〜５０質量％
、Ａｌ２Ｏ３またはＭｎＯ２として計算してアルミニウムおよび／またはマンガ
ンの酸素含有化合物０〜１０質量％、およびモリブデンの酸素不含化合物を含有
する出願日１９９８年６月１２日のドイツ特許出願第 19826396.1 中に開示され
ている触媒、例えば、ＺｒＯ２として計算してＺｒ ３３質量％、ＮｉＯとして
計算してＮｉ ２８質量％、ＣｕＯとして計算してＣｕ １１質量％およびＣｏ
Ｏとして計算してＣｏ ２８質量％の成分を有する上記引用明細書中、１７ペー
ジ目に開示されている触媒（Ａ）、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２ ２０〜８５質量％、Ｃ
ｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物１〜３０質量％、ＮｉＯとして計算して
Ｎｉの酸素含有化合物１４〜７０質量％、その際、Ｎｉ：Ｃｕのモル比は、１よ
りも大きく、Ａｌ２Ｏ３またはＭｎＯ２として計算してアルミニウムおよび／ま
たはマンガンの酸素含有化合物０〜１０質量％、およびコバルトまたはモリブデ
ンの酸素不含化合物を含有する出願日１９９７年９月２９日のドイツ特許出願第
19742911.4 中に開示されている触媒、例えば、ＺｒＯ２として計算してＺｒ
３２質量％、ＮｉＯとして計算してＮｉ ５１質量％およびＣｕＯとして計算し
てＣｕ １７質量％の成分を有する上記引用明細書中、１４〜１５ページ目に開
示されている触媒（Ａ）、 EP-A-284919中に開示されており、かつ一般式ＭｘＭｇｙ（ＳｉＯ２）・ｎＨ
２Ｏ［式中、Ｍは、Ｃｕ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから成る群から選択される二価
の還元可能な金属原子を表し、ｘおよびｙは、合わせて１．５の値を表し、ｎは
、乾燥後の０と８０の間の質量％を表す］を有する触媒、例えば、ＣｕＯ ３５
％、ＭｇＯ ９％およびＳｉＯ２ ３８％を含有する上記引用明細書の実施例に
記載されている触媒、ＣｕＯ ４５〜４７質量％、ＭｇＯ 約１５〜１７質量％
とＳｉＯ２ ３５〜３６質量％とから成るケイ酸マグネシウム、Ｃｒ２Ｏ３ 約
０．９質量％、ＢａＯ 約１質量％およびＺｎＯ 約０．６質量％から成るEP-A
-863140の３ページ目に記載されている触媒、 DE-A-2445303中に開示されており、かつ成分ＣｕｍＡｌ６（ＣＯ３）０．５ｍ Ｏ３（ＯＨ）ｍ＋１２［式中、ｍは、整数ではなくてもよい２と６の間の任意の
数字を表す］の塩基性銅−およびアルミニウム−含有炭酸塩を、３５０〜７００
℃で熱処理することにより得られる触媒、例えば、硝酸銅および硝酸アルミニウ
ムの溶液を重炭酸ナトリウムで処理し、それに引き続き、沈殿物を洗浄、乾燥お
よび熱処理することにより製造される上記引用明細書中、例１に開示されている
銅含有沈降触媒、 それぞれ焼成触媒の全量に対して、ＣｕＯとして計算して銅５〜５０質量％、
有利には１５〜４０質量％、ＳｉＯ２として計算してケイ素５０〜９５質量％、
有利には６０〜８５質量％、ＭｇＯとして計算してマグネシウム０〜２０質量％
、ＢａＯとして計算してバリウム０〜５質量％、ＺｎＯとして計算して亜鉛０〜
５質量％、およびＣｒ２Ｏ３として計算してクロム０〜５質量％を含有するWO 9
5/32171およびEP-A-816350中に開示されている担体触媒、例えば、ＣｕＯ ３０
質量％およびＳｉＯ２ ７０質量％を含有するEP-A-816350の５ページ目に開示
されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、銅およびニッケルの酸化物（原子
割合１：１〜１０：１）５〜１００質量％および酸化ジルコニウムおよび／また
は酸化アルミニウムを含有するEP-A-514692中に開示されている触媒、特に、水
素を用いて還元する前の触媒活性材料が、Ａｌ２Ｏ３および／またはＺｒＯ２
２０〜８０質量％、特に４０〜７０質量％、ＣｕＯ １〜３０質量％、ＮｉＯ
１〜３０質量％かつ場合によりＣｏＯ １〜３０質量％を含有している上記引用
明細書中の３ページ、２０〜３０行目に開示されている触媒、例えば、（活性化
後に）Ａｌ２Ｏ３ ５５質量％、Ｃｕ ３６質量％およびＮｉ ７質量％から成
る上記引用明細書中の例１に記載されている触媒、 （Ｈ２を用いて還元する前に）酸化銅および二酸化ジルコニウム８５〜１００
質量％、特に９５〜１００質量％および周期表の亜族 Ib〜VIIbおよびVIII族の
遷移金属酸化物０〜１５質量％、特に０〜５質量％を含有するEP-A-691157中に
開示されている触媒、例えば、成分ＣｕＯ ５２．６質量％およびＺｒＯ２ ４
７．４質量％の成分を有する上記引用明細書中の５〜６ページ目に記載されてい
る触媒、 触媒の全体量に対して、６質量％を上回って５０質量％までのコバルト、ニッ
ケルまたはその混合物、ルテニウム０．００１〜２５質量％、銅０〜１０質量％
および促進剤０〜５質量％を多孔性金属酸化物担体、例えば酸化アルミニウム、
アルミノケイ酸塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムまた
はこの混合物上に含有し、（ａ）担体を金属、促進剤またはその化合物を用いて
含浸させ、（ｂ）含浸させた担体を乾燥および焼成し、かつ（ｃ）焼成させた担
体を水素流中で還元することにより製造できる、EP-A-839575中に開示されてい
る触媒、 触媒の全体量に対して、コバルト、ニッケルまたはその混合物０．１〜６質量
％、ルテニウム０．００１〜２５質量％、銅０〜１０質量％および促進剤０〜５
質量％を多孔性金属酸化物担体、例えば酸化アルミニウム、アルミノケイ酸塩、
二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムまたはこの混合物上に含
有し、（ａ）担体を金属、促進剤またはその化合物を用いて含浸させ、（ｂ）含
浸させた担体を乾燥および焼成し、かつ（ｃ）焼成させた担体を水素流中で還元
することにより製造できる、EP-A-839574中に開示されている触媒、 銅およびチタンの酸素含有化合物を含有する出願日１９９８年１２月２３日の
ドイツ特許出願第 19859776.2 中に開示されている触媒、その際、該触媒は、金
属性銅粉末を添加することにより製造された成形体の形で使用されている。例え
ば、水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＴｉＯ２として計算してチタン
の酸素含有化合物２０〜８３質量％、ＣｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物
１５〜６０質量％、触媒材料を成形する前に添加された金属性銅２〜２９質量％
を含有する触媒である。
バルト、ニッケルおよび銅および酸化アルミニウムおよび／または二酸化ケイ素
を含有しているDE-A-1953263で開示されている触媒（その際、該触媒は、金属含
量で換算してコバルトとニッケルの混合物７０〜９５質量％および銅５〜３０質
量％を含有し、その際、コバルト対ニッケルの質量比は、４：１〜１：４である
）、例えば、酸化アルミニウムに対して酸化銅２〜４質量％、酸化コバルト１０
質量％および酸化ニッケル１０質量％を含有する上記引用明細書中の実施例中に
記載されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２２０〜８５質量％、Ｃｕ
Ｏ １〜３０質量％およびそれぞれＣｏＯおよびＮｉＯ １〜４０質量％を含有
しているEP-A-382049で開示されている触媒、例えば、ＺｒＯ２として計算して
Ｚｎ７６質量％、ＣｕＯとして計算してＣｕ４質量％、Ｃｕ４質量％、ＣｏＯと
して計算してＣｏ １０質量％およびＮｉＯとして計算してＮｉ １０質量％の
成分を有する上記引用明細書中の６ページ目に記載されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２ ２０〜８５質量％、Ｃ
ｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物１〜３０質量％、ＮｉＯとして計算して
Ｎｉの酸素含有化合物３０〜７０質量％、ＭｏＯ３として計算してモリブデンの
酸素含有化合物０．１〜５質量％、およびＡｌ２Ｏ３およびＭｎＯ２として計算
してアルミニウムおよび／またはマンガンの酸素含有化合物０〜１０質量％を含
有するEP-A-696572で開示されている触媒、例えば、ＺｒＯ２ ３１．５質量％
、ＮｉＯ ５０質量％、ＣｕＯ １７質量％およびＭｏＯ３ １．５質量％の成
分を有する上記引用明細書中の８ページ目に記載されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２ ２２〜４０質量％、Ｃ
ｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物１〜３０質量％、ＮｉＯとして計算して
Ｎｉの酸素含有化合物１５〜５０質量％、その際、Ｎｉ：Ｃｕのモル比は、１よ
りも大きく、ＣｏＯとして計算してコバルトの酸素含有化合物１５〜５０質量％
、Ａｌ２Ｏ３またはＭｎＯ２として計算してアルミニウムおよび／またはマンガ
ンの酸素含有化合物０〜１０質量％、およびモリブデンの酸素不含化合物を含有
する出願日１９９８年６月１２日のドイツ特許出願第 19826396.1 中に開示され
ている触媒、例えば、ＺｒＯ２として計算してＺｒ ３３質量％、ＮｉＯとして
計算してＮｉ ２８質量％、ＣｕＯとして計算してＣｕ １１質量％およびＣｏ
Ｏとして計算してＣｏ ２８質量％の成分を有する上記引用明細書中、１７ペー
ジ目に開示されている触媒（Ａ）、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＺｒＯ２ ２０〜８５質量％、Ｃ
ｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物１〜３０質量％、ＮｉＯとして計算して
Ｎｉの酸素含有化合物１４〜７０質量％、その際、Ｎｉ：Ｃｕのモル比は、１よ
りも大きく、Ａｌ２Ｏ３またはＭｎＯ２として計算してアルミニウムおよび／ま
たはマンガンの酸素含有化合物０〜１０質量％、およびコバルトまたはモリブデ
ンの酸素不含化合物を含有する出願日１９９７年９月２９日のドイツ特許出願第
19742911.4 中に開示されている触媒、例えば、ＺｒＯ２として計算してＺｒ
３２質量％、ＮｉＯとして計算してＮｉ ５１質量％およびＣｕＯとして計算し
てＣｕ １７質量％の成分を有する上記引用明細書中、１４〜１５ページ目に開
示されている触媒（Ａ）、 EP-A-284919中に開示されており、かつ一般式ＭｘＭｇｙ（ＳｉＯ２）・ｎＨ
２Ｏ［式中、Ｍは、Ｃｕ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから成る群から選択される二価
の還元可能な金属原子を表し、ｘおよびｙは、合わせて１．５の値を表し、ｎは
、乾燥後の０と８０の間の質量％を表す］を有する触媒、例えば、ＣｕＯ ３５
％、ＭｇＯ ９％およびＳｉＯ２ ３８％を含有する上記引用明細書の実施例に
記載されている触媒、ＣｕＯ ４５〜４７質量％、ＭｇＯ 約１５〜１７質量％
とＳｉＯ２ ３５〜３６質量％とから成るケイ酸マグネシウム、Ｃｒ２Ｏ３ 約
０．９質量％、ＢａＯ 約１質量％およびＺｎＯ 約０．６質量％から成るEP-A
-863140の３ページ目に記載されている触媒、 DE-A-2445303中に開示されており、かつ成分ＣｕｍＡｌ６（ＣＯ３）０．５ｍ Ｏ３（ＯＨ）ｍ＋１２［式中、ｍは、整数ではなくてもよい２と６の間の任意の
数字を表す］の塩基性銅−およびアルミニウム−含有炭酸塩を、３５０〜７００
℃で熱処理することにより得られる触媒、例えば、硝酸銅および硝酸アルミニウ
ムの溶液を重炭酸ナトリウムで処理し、それに引き続き、沈殿物を洗浄、乾燥お
よび熱処理することにより製造される上記引用明細書中、例１に開示されている
銅含有沈降触媒、 それぞれ焼成触媒の全量に対して、ＣｕＯとして計算して銅５〜５０質量％、
有利には１５〜４０質量％、ＳｉＯ２として計算してケイ素５０〜９５質量％、
有利には６０〜８５質量％、ＭｇＯとして計算してマグネシウム０〜２０質量％
、ＢａＯとして計算してバリウム０〜５質量％、ＺｎＯとして計算して亜鉛０〜
５質量％、およびＣｒ２Ｏ３として計算してクロム０〜５質量％を含有するWO 9
5/32171およびEP-A-816350中に開示されている担体触媒、例えば、ＣｕＯ ３０
質量％およびＳｉＯ２ ７０質量％を含有するEP-A-816350の５ページ目に開示
されている触媒、 水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、銅およびニッケルの酸化物（原子
割合１：１〜１０：１）５〜１００質量％および酸化ジルコニウムおよび／また
は酸化アルミニウムを含有するEP-A-514692中に開示されている触媒、特に、水
素を用いて還元する前の触媒活性材料が、Ａｌ２Ｏ３および／またはＺｒＯ２
２０〜８０質量％、特に４０〜７０質量％、ＣｕＯ １〜３０質量％、ＮｉＯ
１〜３０質量％かつ場合によりＣｏＯ １〜３０質量％を含有している上記引用
明細書中の３ページ、２０〜３０行目に開示されている触媒、例えば、（活性化
後に）Ａｌ２Ｏ３ ５５質量％、Ｃｕ ３６質量％およびＮｉ ７質量％から成
る上記引用明細書中の例１に記載されている触媒、 （Ｈ２を用いて還元する前に）酸化銅および二酸化ジルコニウム８５〜１００
質量％、特に９５〜１００質量％および周期表の亜族 Ib〜VIIbおよびVIII族の
遷移金属酸化物０〜１５質量％、特に０〜５質量％を含有するEP-A-691157中に
開示されている触媒、例えば、成分ＣｕＯ ５２．６質量％およびＺｒＯ２ ４
７．４質量％の成分を有する上記引用明細書中の５〜６ページ目に記載されてい
る触媒、 触媒の全体量に対して、６質量％を上回って５０質量％までのコバルト、ニッ
ケルまたはその混合物、ルテニウム０．００１〜２５質量％、銅０〜１０質量％
および促進剤０〜５質量％を多孔性金属酸化物担体、例えば酸化アルミニウム、
アルミノケイ酸塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムまた
はこの混合物上に含有し、（ａ）担体を金属、促進剤またはその化合物を用いて
含浸させ、（ｂ）含浸させた担体を乾燥および焼成し、かつ（ｃ）焼成させた担
体を水素流中で還元することにより製造できる、EP-A-839575中に開示されてい
る触媒、 触媒の全体量に対して、コバルト、ニッケルまたはその混合物０．１〜６質量
％、ルテニウム０．００１〜２５質量％、銅０〜１０質量％および促進剤０〜５
質量％を多孔性金属酸化物担体、例えば酸化アルミニウム、アルミノケイ酸塩、
二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムまたはこの混合物上に含
有し、（ａ）担体を金属、促進剤またはその化合物を用いて含浸させ、（ｂ）含
浸させた担体を乾燥および焼成し、かつ（ｃ）焼成させた担体を水素流中で還元
することにより製造できる、EP-A-839574中に開示されている触媒、 銅およびチタンの酸素含有化合物を含有する出願日１９９８年１２月２３日の
ドイツ特許出願第 19859776.2 中に開示されている触媒、その際、該触媒は、金
属性銅粉末を添加することにより製造された成形体の形で使用されている。例え
ば、水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、ＴｉＯ２として計算してチタン
の酸素含有化合物２０〜８３質量％、ＣｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物
１５〜６０質量％、触媒材料を成形する前に添加された金属性銅２〜２９質量％
を含有する触媒である。
【００６２】 本発明による方法において、特に有利には、含浸、沈殿またはペプチゼーショ
ンにより製造され、かつ触媒活性材料がＣｏＯとして計算してコバルト２０質量
％未満、有利には１０質量％未満、特に有利には５質量％未満、殊には１質量％
未満を含有する触媒を使用する。特に好ましくは、触媒活性材料は、コバルトま
たはその化合物の触媒活性量を含まない。
ンにより製造され、かつ触媒活性材料がＣｏＯとして計算してコバルト２０質量
％未満、有利には１０質量％未満、特に有利には５質量％未満、殊には１質量％
未満を含有する触媒を使用する。特に好ましくは、触媒活性材料は、コバルトま
たはその化合物の触媒活性量を含まない。
【００６３】 本発明による方法において、殊に有利には、含浸、沈殿またはペプチゼーショ
ンにより製造され、かつ水素を用いて還元する前の触媒活性材料が酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）および／または二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）および／ま
たは二酸化チタン（ＴｉＯ２）および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）２０〜
８５質量％、有利には２５〜８０質量％、特に有利には３０〜７５質量％を含有
する触媒を使用する。
ンにより製造され、かつ水素を用いて還元する前の触媒活性材料が酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）および／または二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）および／ま
たは二酸化チタン（ＴｉＯ２）および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）２０〜
８５質量％、有利には２５〜８０質量％、特に有利には３０〜７５質量％を含有
する触媒を使用する。
【００６４】 特に、水素を用いて還元する前の触媒活性材料が、酸化アルミニウム（Ａｌ２ Ｏ３）３５〜７５質量％、ＣｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物２０〜６０
質量％、およびＮｉＯとして計算してニッケルの酸素含有化合物５〜４５質量％
、有利には５〜２０質量％を含有する触媒を使用し、その際、これらの成分の合
計は、少なくとも８０質量％、有利には少なくとも９０質量％、特に有利には質
少なくとも９５質量％、例えば１００質量％である。このような触媒は、例えば
、EP-A-514692、３ページ、２４行〜３０行目に記載されているように製造でき
る。例えば、上記引用明細書中、例１には、（活性化の後に）Ａｌ２Ｏ３ ５５
質量％、Ｃｕ ３６質量％およびＮｉ ７質量％から成る触媒が記載されている
。
質量％、およびＮｉＯとして計算してニッケルの酸素含有化合物５〜４５質量％
、有利には５〜２０質量％を含有する触媒を使用し、その際、これらの成分の合
計は、少なくとも８０質量％、有利には少なくとも９０質量％、特に有利には質
少なくとも９５質量％、例えば１００質量％である。このような触媒は、例えば
、EP-A-514692、３ページ、２４行〜３０行目に記載されているように製造でき
る。例えば、上記引用明細書中、例１には、（活性化の後に）Ａｌ２Ｏ３ ５５
質量％、Ｃｕ ３６質量％およびＮｉ ７質量％から成る触媒が記載されている
。
【００６５】 本発明による方法で使用される式Ｉ
【００６６】
【化４】
【００６７】 の光学活性アミンの基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、相互に独立に、アルキル−、シクロ
アルキル−、アリールアルキル−、アリール−、ヘテロアリール−および複素環
式基であり、 Ｒ３は、水素（Ｈ）であってもよく、その際、前記の基は、反応条件下で不活性
であり、かつアルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ
、アルキルアミノおよびジアルキルアミノからなる群から選択される置換基で置
換されていてもよく、その際、さらにＲ１およびＲ２は、異なっている。
アルキル−、アリールアルキル−、アリール−、ヘテロアリール−および複素環
式基であり、 Ｒ３は、水素（Ｈ）であってもよく、その際、前記の基は、反応条件下で不活性
であり、かつアルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ
、アルキルアミノおよびジアルキルアミノからなる群から選択される置換基で置
換されていてもよく、その際、さらにＲ１およびＲ２は、異なっている。
【００６８】 Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、有利には： −線状または分枝状のアルキル基、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、特に有利
には、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、s−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、
イソペンチル、s−ペンチル、ネオペンチル、１，２−ジメチルプロピル、ｎ−
ヘキシル、イソヘキシル、s−ヘキシル、シクロペンチルメチル、ｎ−ヘプチル
、イソヘプチル、シクロヘキシルメチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、
ｎ−ノニル、イソノニル、ｎ−デシル、イソデシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデ
シル、イソ−ドデシルであり、 殊に有利には、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル
、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、s−ブチル、ｔ−ブチルおよび２−
エチルヘキシルであり、 −シクロアルキル基、有利には、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、例えば、シクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルお
よびシクロオクチル、特に有利には、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシ
クロオクチルであり、 殊に有利には、シクロペンチルおよびシクロヘキシルであり、 −アリールアルキル基、有利には、Ｃ７〜Ｃ２０−アリールアルキル、例えば、
ベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチ
ルメチル、フェナントリルメチル、４−ｔ−ブチルフェニルメチル、１−フェニ
ルプロピル、２−フェニルプロピル、３−フェニルプロピル、１−フェニルブチ
ル、２−フェニルブチル、３−フェニルブチルおよび４−フェニルブチルであり
、 特に有利には、ベンジル、１−フェネチルおよび２−フェネチルであり、 −芳香族基、有利には、Ｃ６〜Ｃ２０−アリール、例えば、フェニル、１−ナフ
チル、２−ナフチル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリルであり
、 特に有利には、フェニル、１−ナフチルおよび２−ナフチルであり、 殊に有利には、フェニルであり、 −複素芳香族基、有利には、Ｃ３〜Ｃ１５−ヘテロアリール、例えば、２−ピリ
ジニル、３−ピリジニル、４−ピリジニル、キノリニル、ピラジニル、ピロール
−３−イル、チエニル、イミダゾール−２−イル、２ーフラニルおよび３−フラ
ニルであり、 かつ −複素環式基は、有利には、Ｃ３〜Ｃ１５−ヘテロシクロアルキル、例えば、Ｎ
−アルキルピペリジン−３−イル、Ｎ−アルキルピペリジン−４−イル、N,N’-
ジアルキルピペラジン−２−イル、テトラヒドロフラン−３−イルおよびＮ−ア
ルキルピロリジン−３−イルであり、その際、 これらの場合に、基Ｒは、相互に独立に反応条件下で不活性な置換基、例えば、
Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコ
キシ、Ｃ６〜Ｃ２０−アリールオキシ、アミノ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルアミノ
およびＣ２〜Ｃ２０−ジアルキルアミノを有していてもよい。
には、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、s−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、
イソペンチル、s−ペンチル、ネオペンチル、１，２−ジメチルプロピル、ｎ−
ヘキシル、イソヘキシル、s−ヘキシル、シクロペンチルメチル、ｎ−ヘプチル
、イソヘプチル、シクロヘキシルメチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、
ｎ−ノニル、イソノニル、ｎ−デシル、イソデシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデ
シル、イソ−ドデシルであり、 殊に有利には、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル
、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、s−ブチル、ｔ−ブチルおよび２−
エチルヘキシルであり、 −シクロアルキル基、有利には、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、例えば、シクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルお
よびシクロオクチル、特に有利には、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシ
クロオクチルであり、 殊に有利には、シクロペンチルおよびシクロヘキシルであり、 −アリールアルキル基、有利には、Ｃ７〜Ｃ２０−アリールアルキル、例えば、
ベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチ
ルメチル、フェナントリルメチル、４−ｔ−ブチルフェニルメチル、１−フェニ
ルプロピル、２−フェニルプロピル、３−フェニルプロピル、１−フェニルブチ
ル、２−フェニルブチル、３−フェニルブチルおよび４−フェニルブチルであり
、 特に有利には、ベンジル、１−フェネチルおよび２−フェネチルであり、 −芳香族基、有利には、Ｃ６〜Ｃ２０−アリール、例えば、フェニル、１−ナフ
チル、２−ナフチル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリルであり
、 特に有利には、フェニル、１−ナフチルおよび２−ナフチルであり、 殊に有利には、フェニルであり、 −複素芳香族基、有利には、Ｃ３〜Ｃ１５−ヘテロアリール、例えば、２−ピリ
ジニル、３−ピリジニル、４−ピリジニル、キノリニル、ピラジニル、ピロール
−３−イル、チエニル、イミダゾール−２−イル、２ーフラニルおよび３−フラ
ニルであり、 かつ −複素環式基は、有利には、Ｃ３〜Ｃ１５−ヘテロシクロアルキル、例えば、Ｎ
−アルキルピペリジン−３−イル、Ｎ−アルキルピペリジン−４−イル、N,N’-
ジアルキルピペラジン−２−イル、テトラヒドロフラン−３−イルおよびＮ−ア
ルキルピロリジン−３−イルであり、その際、 これらの場合に、基Ｒは、相互に独立に反応条件下で不活性な置換基、例えば、
Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコ
キシ、Ｃ６〜Ｃ２０−アリールオキシ、アミノ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルアミノ
およびＣ２〜Ｃ２０−ジアルキルアミノを有していてもよい。
【００６９】 Ｒのこれらの置換基の数は、基の種類に応じて、０〜５、有利には０〜３、特
に有利には０、１または２である。置換基として、特に： −上記に定義したようなＣ１〜Ｃ２０−アルキル、 −上記に定義したようなＣ３〜Ｃ８−シクロアルキル、 −Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシ、有利にはＣ１〜Ｃ８−アルコキシ、例えばメトキ
シ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ
、s−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、イソペントキシ、s−ペントキ
シ、ネオ−ペントキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、ｎ−ヘキソキシ、イソヘ
キソキシ、s- ヘキソキシ、ｎ−ヘプトキシ、イソヘプトキシ、ｎ−オクトキシ
、イソオクトキシ、 特に有利には、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、s−ブトキシおよび
ｔ−ブトキシ、 −Ｃ６〜Ｃ２０−アリールオキシ、例えば、フェノキシ、１−ナフトキシおよび
２−ナフトキシ、有利にはフェノキシ、 −アミノ（−ＮＨ２）、 −Ｃ２〜Ｃ２０−ジアルキルアミノ、有利には、Ｃ２〜Ｃ１２−ジアルキルアミ
ノ、特に有利には、Ｃ２〜Ｃ８−ジアルキルアミノ、例えば、N,N−ジメチルア
ミノ、N,N−ジエチルアミノ、N,N−ジ−ｎ−プロピルアミノ、N,N−ジ−イソプ
ロピルアミノ、N,N−ジ−ｎ−ブチルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ、
Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、かつ −Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルアミノ、有利には、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルアミノで
あり、特に有利には、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、例えば、メチルアミノ、エ
チルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、イ
ソブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、シクロヘキシルア
ミノが該当する。
に有利には０、１または２である。置換基として、特に： −上記に定義したようなＣ１〜Ｃ２０−アルキル、 −上記に定義したようなＣ３〜Ｃ８−シクロアルキル、 −Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシ、有利にはＣ１〜Ｃ８−アルコキシ、例えばメトキ
シ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ
、s−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、イソペントキシ、s−ペントキ
シ、ネオ−ペントキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、ｎ−ヘキソキシ、イソヘ
キソキシ、s- ヘキソキシ、ｎ−ヘプトキシ、イソヘプトキシ、ｎ−オクトキシ
、イソオクトキシ、 特に有利には、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、s−ブトキシおよび
ｔ−ブトキシ、 −Ｃ６〜Ｃ２０−アリールオキシ、例えば、フェノキシ、１−ナフトキシおよび
２−ナフトキシ、有利にはフェノキシ、 −アミノ（−ＮＨ２）、 −Ｃ２〜Ｃ２０−ジアルキルアミノ、有利には、Ｃ２〜Ｃ１２−ジアルキルアミ
ノ、特に有利には、Ｃ２〜Ｃ８−ジアルキルアミノ、例えば、N,N−ジメチルア
ミノ、N,N−ジエチルアミノ、N,N−ジ−ｎ−プロピルアミノ、N,N−ジ−イソプ
ロピルアミノ、N,N−ジ−ｎ−ブチルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ、
Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、かつ −Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルアミノ、有利には、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルアミノで
あり、特に有利には、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、例えば、メチルアミノ、エ
チルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、イ
ソブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、シクロヘキシルア
ミノが該当する。
【００７０】 Ｒ３は、特に有利には水素（Ｈ）である。
【００７１】 本発明による方法中で使用できるアミンＩの例は： １−メトキシ−２−アミノプロパン（MOIPA）、２−アミノ−３−メチルブタン
、２−アミノ−３，３−ジメチルブタン、１−フェニルエチルアミン、１−ナフ
チルエチルアミン、２−ナフチルエチルアミン、１−フェニルプロピルアミン、
２−アミノ−１−フェニルプロパン、２−アミノ−１−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２−アミノ−１−（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）プロパン
、２−アミノ−１−シクロヘキシルプロパン、２−アミノ−６−メチルヘプタン
、２−アミノヘプタン、２−アミノ−４−メチルヘキサン、１−（４−メチルフ
ェニル）エチルアミン、１−（４−メトキシフェニル）エチルアミン、１−（３
−メトキシフェニル）エチルアミン、１−アミノテトラリン、トランス−１−ア
ミノ−２−ベンジルオキシシクロペンタンおよびトランス−１−アミノ−２−ベ
ンジルオキシシクロヘキサンである。
、２−アミノ−３，３−ジメチルブタン、１−フェニルエチルアミン、１−ナフ
チルエチルアミン、２−ナフチルエチルアミン、１−フェニルプロピルアミン、
２−アミノ−１−フェニルプロパン、２−アミノ−１−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２−アミノ−１−（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）プロパン
、２−アミノ−１−シクロヘキシルプロパン、２−アミノ−６−メチルヘプタン
、２−アミノヘプタン、２−アミノ−４−メチルヘキサン、１−（４−メチルフ
ェニル）エチルアミン、１−（４−メトキシフェニル）エチルアミン、１−（３
−メトキシフェニル）エチルアミン、１−アミノテトラリン、トランス−１−ア
ミノ−２−ベンジルオキシシクロペンタンおよびトランス−１−アミノ−２−ベ
ンジルオキシシクロヘキサンである。
【００７２】 特に有利には、１−メトキシ−２−アミノプロパン、２−アミノ−３−メチル
ブタンおよび２−アミノ−３，３−ジメチルブタンである。
ブタンおよび２−アミノ−３，３−ジメチルブタンである。
【００７３】 特に有利な１変法において、本発明の方法中では、この光学活性アミンから由
来し、（ａ）酸成分がカルボニル炭素原子に隣接してフッ素原子、窒素原子、リ
ン原子、酸素原子または硫黄原子を有するエステルを用いてヒドロラーゼの存在
でラセミアミンＩをエナンチオ選択的にアシル化し、かつ（ｂ）得られた光学活
性アミンＩとアミドとの混合物を分離することによりＩの相応するエナンチオマ
ー（Ｉで示される不斉炭素原子に対して）を製造する際に得られるアミドを分解
することにより得られる光学活性アミンＩを使用する。
来し、（ａ）酸成分がカルボニル炭素原子に隣接してフッ素原子、窒素原子、リ
ン原子、酸素原子または硫黄原子を有するエステルを用いてヒドロラーゼの存在
でラセミアミンＩをエナンチオ選択的にアシル化し、かつ（ｂ）得られた光学活
性アミンＩとアミドとの混合物を分離することによりＩの相応するエナンチオマ
ー（Ｉで示される不斉炭素原子に対して）を製造する際に得られるアミドを分解
することにより得られる光学活性アミンＩを使用する。
【００７４】 もう１つの特に有利な変法では、本発明による方法中では、（ａ）酸成分がカ
ルボニル炭素原子に隣接してフッ素原子、窒素原子、リン原子、酸素原子または
硫黄原子を有するエステルを用いてヒドロラーゼの存在でラセミアミンＩをエナ
ンチオ選択的にアシル化し、（ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合
物を分離し、かつ（ｃ）アミドの分解によりＩの相応する他のエナンチオマーを
得ることによるＩの相応するエナンチオマー（Ｉで示される不斉炭素原子に対し
て）を製造する際に得られる光学活性アミンＩを使用する。
ルボニル炭素原子に隣接してフッ素原子、窒素原子、リン原子、酸素原子または
硫黄原子を有するエステルを用いてヒドロラーゼの存在でラセミアミンＩをエナ
ンチオ選択的にアシル化し、（ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合
物を分離し、かつ（ｃ）アミドの分解によりＩの相応する他のエナンチオマーを
得ることによるＩの相応するエナンチオマー（Ｉで示される不斉炭素原子に対し
て）を製造する際に得られる光学活性アミンＩを使用する。
【００７５】 相応するラセミ体から光学活性アミンＩをａ）ラセミアミンＩを酸素成分がカ
ルボニル炭素に隣接してフッ素、窒素、リン、酸素または硫黄原子を有するエス
テルを用いてヒドロラーゼの存在でエナンチオ選択的にアシル化し、ｂ）得られ
た光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離し、ｃ）アミドを分解することに
より相応するＩのもう１方のエナンチオマーを得ることにより製造する方法は、
WO 95/08636 および WO96/23894に記載されている。
ルボニル炭素に隣接してフッ素、窒素、リン、酸素または硫黄原子を有するエス
テルを用いてヒドロラーゼの存在でエナンチオ選択的にアシル化し、ｂ）得られ
た光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離し、ｃ）アミドを分解することに
より相応するＩのもう１方のエナンチオマーを得ることにより製造する方法は、
WO 95/08636 および WO96/23894に記載されている。
【００７６】 ヒドロラーゼは、例えば、リパーゼ、特に微生物のリパーゼである。エステル
は、例えば、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ酢酸のＣ１〜Ｃ１２−アルキルエステル、
例えばエチルメトキシアセテートである。
は、例えば、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ酢酸のＣ１〜Ｃ１２−アルキルエステル、
例えばエチルメトキシアセテートである。
【００７７】 キラリティー中心の立体配置を保持した光学活性アミンＩから由来するアミド
の分解は、例えば、WO 97/10201に記載されているようにポリオールまたはアミ
ノアルコールおよびアルカリ金属水酸化物またはアルカリ土類金属水酸化物の存
在で加水分解することにより実施できる。
の分解は、例えば、WO 97/10201に記載されているようにポリオールまたはアミ
ノアルコールおよびアルカリ金属水酸化物またはアルカリ土類金属水酸化物の存
在で加水分解することにより実施できる。
【００７８】 これらの特に有利な変法は、特に経済的である、それというのも、例えば、WO 95/08636 および WO96/23894に記載されているように、アミンＩの所望のエナ
ンチオマーを製造した後に残される不所望のＩのエナンチオマーは、本発明の方
法によりラセミ化され、かつ例えば、WO 95/08636 および WO96/23894に記載さ
れているように、Ｉの所望のエナンチオマーを製造する方法中で新たに使用され
るからである。このように、ラセミアミンＩから全部で５０％を上回る所望のエ
ナンチオマーを得ることができる（本願の１ページ目、第２段落の記載も参照）
。
ンチオマーを製造した後に残される不所望のＩのエナンチオマーは、本発明の方
法によりラセミ化され、かつ例えば、WO 95/08636 および WO96/23894に記載さ
れているように、Ｉの所望のエナンチオマーを製造する方法中で新たに使用され
るからである。このように、ラセミアミンＩから全部で５０％を上回る所望のエ
ナンチオマーを得ることができる（本願の１ページ目、第２段落の記載も参照）
。
【００７９】 実施例 例１： 気相中での(R)-MOIPAの連続的ラセミ化 （Ｒ）−１−メトキシイソプロピルアミン（(R)-MOIPA）をアンモニアおよび
水素と一緒に前加熱装置を介して１５バールゲージ圧で運転された管型反応器中
に供給した。反応器は、１９０〜２１０℃であり；かつ循環ガス流量は、約７N
ｍ３／（ｌ触媒＊時間）であった。３００Ｎｌ／（ｌ触媒＊時間）の少量の廃ガ
スが生じた。
水素と一緒に前加熱装置を介して１５バールゲージ圧で運転された管型反応器中
に供給した。反応器は、１９０〜２１０℃であり；かつ循環ガス流量は、約７N
ｍ３／（ｌ触媒＊時間）であった。３００Ｎｌ／（ｌ触媒＊時間）の少量の廃ガ
スが生じた。
【００８０】 反応器を成分ＣｕＯ ４５質量％、ＮｉＯ １０質量％およびγ−Ａｌ２Ｏ３ −担体４５質量％を有する沈降触媒を用いて充填した。反応開始の前に、触媒を
水素流中、２４０℃で還元した。(R)-MOIPA対アンモニアのモル比は、１：６で
あり、かつ触媒負荷は、触媒（床体積）１リットルおよび１時間当たり、(R)-MO
IPA ０．３ｋｇおよびアンモニア０．２９ｋｇであった。
水素流中、２４０℃で還元した。(R)-MOIPA対アンモニアのモル比は、１：６で
あり、かつ触媒負荷は、触媒（床体積）１リットルおよび１時間当たり、(R)-MO
IPA ０．３ｋｇおよびアンモニア０．２９ｋｇであった。
【００８１】 反応器の搬出物を分離器中で減圧し、かつ蒸留により後処理した。
【００８２】 搬出物（アンモニア不含および水不含）のＧＣ分析［ＧＣ面積％］： (R)- + (S)-MOIPA 92.5 [HPLC: (R)-MOIPA ： (S)-MOIPA＝50.3:49.7] メタノール ０．３ イソプロピルアミン ０．６ メトキシイソプロパノール １．１ オクチルアミン ２．１ オクタノール ０．２ その他 ３．２ ラセミ化率： ９９％ ラセミ体収率： ９２％ 例２： 気相中での(S)-ピナコリルアミン（(S)-2-アミノ-3,3-ジメチルブタン）の連続
的なラセミ化 ピナコリルアミン（純度：90% (S)-エナンチオマー、10% ピナンコロン）を
アンモニアおよび水素と一緒にスタティックミキサーを介して大気圧で運転され
ている管型反応器中へ供給した（温度：１６０〜２００℃、１回の試行）。反応
器を触媒（成分に関しては以下を参照）、例えば３×３mmのペレットを用いて充
填した。反応器の搬出物を濃縮し、かつ付加生成物を冷却トラップ中で収集した
。搬出物の分析は、キラルHPLCを用いて行った。
的なラセミ化 ピナコリルアミン（純度：90% (S)-エナンチオマー、10% ピナンコロン）を
アンモニアおよび水素と一緒にスタティックミキサーを介して大気圧で運転され
ている管型反応器中へ供給した（温度：１６０〜２００℃、１回の試行）。反応
器を触媒（成分に関しては以下を参照）、例えば３×３mmのペレットを用いて充
填した。反応器の搬出物を濃縮し、かつ付加生成物を冷却トラップ中で収集した
。搬出物の分析は、キラルHPLCを用いて行った。
【００８３】 結果は、以下の表にまとめられている。
【００８４】
【表１】
【００８５】 比較試験１： DE-A-2903589と同様に (R)-MOIPAをラセミ化する実験 (R)-MOIPA １０ｇ（１１２mmol）、テトラヒドロフラン７０ｍｌおよびラネ
ーコバルト１ｇを０．３リットルオートクレーブ中に装入した。水素を用いて２
０barの圧力を調節した。オートクレーブを１６０℃に加熱し、かつＨ２圧を５
０barに増大させた。１２時間後に、これらの条件下で、オートクレーブを室温
まで冷却し触媒を濾別し、かつテトラヒドロフランを回転蒸発器上で取り除いた
。残留物量は、２．５ｇであった。
ーコバルト１ｇを０．３リットルオートクレーブ中に装入した。水素を用いて２
０barの圧力を調節した。オートクレーブを１６０℃に加熱し、かつＨ２圧を５
０barに増大させた。１２時間後に、これらの条件下で、オートクレーブを室温
まで冷却し触媒を濾別し、かつテトラヒドロフランを回転蒸発器上で取り除いた
。残留物量は、２．５ｇであった。
【００８６】 HPLC分析によるエナンチオマー過剰率（ee）の測定：４．８％ (S)-MOIPA＝４７．６面積％ (R)-MOIPA＝５２．４面積％ ＧＣ分析［面積％］ テトラヒドロフラン： ０．２ メトキシイソプロパノール： ２．２ （Ｒ）- ＋（Ｓ）- MOIPA： ６８．３ オクチルアミン： ３．７ オクタノール： １０．０ 未知の化合物の合計： １５．６ ラセミ化率： ９０％ ラセミ体収率： ６１％ 比較試験２： DE-A-2903589と同様に（Ｓ）−３，３−ジメチル−２−アミノブタン（ピナコリ
ルアミン）をラセミ化する実験 （Ｓ）- ピナコリルアミン（９９％ee）１０ｇをＴＨＦ６０ｇおよびラネーコ
バルト１ｇと一緒に０．３リットル撹拌オートクレーブ中で混合し、かつ水素雰
囲気中、圧力５０barおよび温度１６５℃で１２時間撹拌した。
ルアミン）をラセミ化する実験 （Ｓ）- ピナコリルアミン（９９％ee）１０ｇをＴＨＦ６０ｇおよびラネーコ
バルト１ｇと一緒に０．３リットル撹拌オートクレーブ中で混合し、かつ水素雰
囲気中、圧力５０barおよび温度１６５℃で１２時間撹拌した。
【００８７】 次に反応器内容物を室温まで冷却し、触媒から分離し、かつエナンチオマーの
割合をキラルHPLCカラムを用いて測定した。
割合をキラルHPLCカラムを用いて測定した。
【００８８】 エナンチオマー過剰率：９９％ 搬出物（アンモニア不含および水不含）のＧＣ分析［ＧＣ面積％］： ピナコロン ０．１ ピナコリルアミン ９９．２ ピナコロール ０．５ その他 ０．２ ラセミ化率 ０％ ラセミ体収率： ９９．２％
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 217/08 Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｂ０１Ｊ 23/74 ３２１Ｚ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，Ｚ Ａ，ＺＷ (72)発明者 アルトゥール ヘーン ドイツ連邦共和国 キルヒハイム オーベ ラー ヴァルトヴェーク 17 (72)発明者 アンドレアス クラマー ドイツ連邦共和国 フラインスハイム ア ム マンデルガルテン 13 (72)発明者 フランク フンケ ドイツ連邦共和国 リンブルガーホーフ フォン−デニス−シュトラーセ ３ (72)発明者 ヴォルフガング ジーゲル ドイツ連邦共和国 リンブルガーホーフ ゲーテシュトラーセ 34ベー (72)発明者 クリストフ ニュブリング ドイツ連邦共和国 ハスロッホ シュレー エンヴェーク ５エフ Ｆターム(参考） 4G069 AA02 AA03 AA08 BA01A BA01B BA02A BA04A BA04B BA06A BA08A BB04A BC09A BC10A BC13A BC31A BC31B BC32A BC33A BC35A BC58A BC59A BC60A BC62A BC64A BC66A BC67A BC67B BC68A BC68B BC70A BC71A BC72A BC73A BC74A BC75A CB59 DA05 EA02Y EC22Y FA01 FA02 FB09 FB13 FB23 FB44 FB64 FC08 4H006 AA02 AB84 AC52 AC82 BA05 BA16 BA19 BA20 BA21 BA22 BA23 BA24 BA25 BA26 BA30 BA55 BA60 BA61 BA81 BC10 BC11 BC13 BC32 BC37 BD10 BE14 BE20 BP10 4H039 CA71 CJ20
Claims (16)
- 【請求項１】 高められた温度で、水素および水素化触媒または脱水素触媒
の存在で光学活性アミンを反応させることにより、式 【化１】 ［式中、 Ｒ１およびＲ２は、異なっており、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、アルキル基、シクロア
ルキル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基および複素環式
基であり、Ｒ３は、水素であってもよく、その際、前記の基は、アルキル、シク
ロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノ、およびジ
アルキルアミノからなる群から選択される置換基を有していてもよい］ の光学活性アミンをラセミ化する方法において、反応を気相で実施することを特
徴とする、光学活性アミンをラセミ化する方法。 - 【請求項２】 反応を式Ｒ３ＮＨ２［式中、基Ｒ３は、光学活性アミンＩの
基Ｒ３に一致する］のアミンの存在で実施する、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 反応を、触媒活性成分の銅、銀、金、鉄、コバルト、ニッケ
ル、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
白金、クロム、モリブデンおよび／またはタングステンと酸化アルミニウム、二
酸化ジルコニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素および／または炭素から成る群
から選択される担体材料とを含有する触媒の存在で実施する、請求項１および２
に記載の方法。 - 【請求項４】 触媒の触媒活性材料が、触媒活性成分の銅、銀、金、鉄、コ
バルト、ニッケル、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム
、イリジウム、白金、クロム、モリブデンおよび／またはタングステンを全体で
０．１〜８０質量％の量で含有する、請求項１から３までのずれか１項に記載の
方法。 - 【請求項５】 触媒の触媒活性材料が、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニ
ウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素および／または炭素から成る群から選択され
る担体材料を全体で２０〜９９．９質量％の量で含有する、請求項１から４まで
のずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 水素を用いる還元の前に、触媒活性材料が酸化アルミニウム
（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）
、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）および／または炭素２０〜８５質量％、 ＣｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物１〜７０質量％、 ＮｉＯとして計算してニッケルの酸素含有化合物０〜７０質量％、および ＣｏＯとして計算してコバルトの酸素含有化合物、 Ｃｒ２Ｏ３として計算してクロムの酸素含有化合物、 ＺｎＯとして計算して亜鉛の酸素含有化合物、 ＭｏＯ３として計算してモリブデンの酸素含有化合物、 ＭｎＯ２として計算してマンガンの酸素含有化合物、 ＭｇＯとして計算してマグネシウムの酸素含有化合物、 ＣａＯとして計算してカルシウムの酸素含有化合物、および／または ＢａＯとして計算してバリウムの酸素含有化合物０〜５０質量％を含有する触媒
の存在で反応を実施する、請求項１および２に記載の方法。 - 【請求項７】 水素を用いる還元の前に、触媒活性材料が酸化アルミニウム
（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）
および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）２０〜８５質量％を含有する触媒の存
在で反応を実施する、請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 水素を用いる還元の前に、触媒活性材料が 酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）３５〜７５質量％、 ＣｕＯとして計算して銅の酸素含有化合物２０〜６０質量％、 ＮｉＯとして計算してニッケルの酸素含有化合物５〜４５質量％、 を含有し、その際、これらの成分の合計が少なくとも８０質量％である触媒の存
在で実施する、請求項１および２に記載の方法。 - 【請求項９】 多孔性金属酸化物担体上に、触媒の全質量に対して、６〜５
０質量％を上回るコバルト、ニッケルまたはその混合物、ルテニウム０．００１
〜２５質量％、銅０〜１０質量％、および促進剤０〜５質量％を含有する触媒の
存在で反応を実施する、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項１０】 多孔性金属酸化物担体上に、触媒の全質量に対して、コバ
ルト、ニッケルまたはその混合物０．１〜６質量％、ルテニウム０．００１〜２
５質量％、銅０〜１０質量％および促進剤０〜５質量％を含有する触媒の存在で
反応を実施する、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項１１】 触媒活性成分が、ＣｏＯとして計算して２０質量％未満の
コバルトを含有する触媒の存在で反応を実施する、請求項１から８までのいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項１２】 反応を１５０〜２７０℃の温度で実施する、請求項１から
１１までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１３】 反応を０．１〜５ＭＰａの圧力で実施する、請求項１から
１２までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１４】 光学活性アミンとして、１−メトキシ−２−アミノプロパ
ン、２−アミノ−３−メチルブタンまたは２−アミノ−３，３−ジメチルブタン
を使用する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１５】 光学活性アミンＩを、この光学活性アミンから由来し、 （ａ）酸成分がカルボニル炭素原子に隣接してフッ素原子、窒素原子、リン原子
、酸素原子または硫黄原子を有するエステルを用いてヒドロラーゼの存在でラセ
ミアミンＩをエナンチオ選択的にアシル化し、かつ （ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離すること によりＩの相応するエナンチオマーを製造する際に得られるアミドを分解するこ
とにより得る、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１６】 光学活性アミンＩを、 （ａ）酸成分がカルボニル炭素原子に隣接してフッ素原子、窒素原子、リン原子
、酸素原子または硫黄原子を有するエステルを用いてヒドロラーゼの存在でラセ
ミアミンＩをエナンチオ選択的にアシル化し、 （ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離し、かつ （ｃ）アミドの分解によりＩの相応する他のエナンチオマーを得ること によるＩの相応するエナンチオマーを製造する際に得る、請求項１から１４まで
のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19852282.7 | 1998-11-13 | ||
| DE1998152282 DE19852282A1 (de) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | Verfahren zur Racemisierung von optisch aktiven Aminen |
| DE1998159775 DE19859775A1 (de) | 1998-12-23 | 1998-12-23 | Verfahren zur Racemisierung von optisch aktiven Aminen |
| DE19859775.4 | 1998-12-23 | ||
| PCT/EP1999/002874 WO2000029357A1 (de) | 1998-11-13 | 1999-04-28 | Verfahren zur racemisierung von optisch aktiven aminen |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002529523A true JP2002529523A (ja) | 2002-09-10 |
Family
ID=26050107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000582349A Withdrawn JP2002529523A (ja) | 1998-11-13 | 1999-04-28 | 光学活性アミンをラセミ化する方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1129055B1 (ja) |
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