JP2002525257A - 磁性を有する樹脂セラミック組成物 - Google Patents

磁性を有する樹脂セラミック組成物

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JP2002525257A JP2000570793A JP2000570793A JP2002525257A JP 2002525257 A JP2002525257 A JP 2002525257A JP 2000570793 A JP2000570793 A JP 2000570793A JP 2000570793 A JP2000570793 A JP 2000570793A JP 2002525257 A JP2002525257 A JP 2002525257A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、少なくとも約１ガウスの磁界を有する単一組成物を与えるために有効な量のセラミック充填剤を含む樹脂セラミック組成物に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 関係する出願との相互参照 本出願は、１９９８年９月１１日に出願された米国特許仮出願第６０／０９９
，９００号の優先権を主張するものである。
【０００２】 本発明の背景 １．発明の分野 本発明は、樹脂セラミック組成物に関する。更に詳細には、本発明の樹脂セラ
ミック組成物は、組成物に磁性を与えるセラミックを含む。
【０００３】 ２．従来の技術の説明 磁気又は電子的用途を有するデバイスに関連して、各種の樹脂が使用されてい
る。樹脂は、しばしばパッケージ又はそれに他のデバイスが取り付けられる支持
構造として使用される。従って、樹脂は、最終製品を提供するために更に加工さ
れなければならない。
【０００４】 半導体デバイスは、エポキシを含む各種の樹脂性物質中にパッケージ化及びカ
プセル化される。エポキシ樹脂は、優れた耐熱性、耐水性、電気的特性及び接着
性を有し、そしてこれらは、改質剤の添加によって各種の特性を獲得することが
できる。従って、エポキシ樹脂は、集積回路のような微小電子部品をパッケージ
化するために使用される。
【０００５】 電子工学的な適用に使用されるエポキシ組成物は、硬化剤及び充填剤を含んで
いてもよい。充填剤は、エポキシ樹脂に低い熱膨張係数及び高い熱伝導率のよう
な所望の特性を与えるために使用される。一般的に使用される充填剤は、エポキ
シとの組み合わせで使用される無機充填剤を含み、シリカ、石英、アルミナ、ガ
ラス繊維、ケイ酸カルシウム、各種の土壌及び粘土、並びにこれらの組み合わせ
を含む。電子工学的適用に使用される、各種の充填剤を含むエポキシ組成物の例
は、米国特許第４，０４２，５５０号に記載されている。
【０００６】 エポキシ組成物を使用している半導体デバイスの種類の一つは、ホール効果感
知デバイスのような近接感知デバイスである。ホール効果感知デバイスは、ホー
ル効果素子の感知面に加えられる磁束密度の変化によっている。ホール効果感知
デバイスの詳細な説明は、米国特許第５，７２９，１３０号、５，６９４，０３
８号、５，６５０，７１９号、５，３８９，８８９号及び４，９７０，４６３号
に記載されており、そして多くの異なったホール効果型感知デバイスの操作は、
Ａｌｌｅｇｒｏ（以前のＳｐｒａｇｕｅ）データブックＳＮ−５００に記載され
ている。
【０００７】 米国特許第４，９７０，４６３号に示されているような代表的なホール効果感
知デバイスにおいて、ホール効果感知デバイス素子の感知面から一定の距離を置
いて磁石が設置され、空隙を規定し、そしてアセンブリーを形成している。この
ようなアセンブリーの製造には、磁石が感知面に対して特定の方向で設置される
必要がある。ホール効果感知デバイスの位置を決めるために、ポッティング又は
重ね成型（ｏｖｅｒｍｏｌｄｉｎｇ）のような各種の技術が知られている。既知
の重ね成型の一つにおいて、磁石はパッケージ内部に既にカプセル化されている
既存の半導体上に重ね成型される。半導体に磁石を追加する又は重ね成型する工
程の追加は、このようなデバイスの製造の複雑さ及び費用を増加する。
【０００８】 製造費用の増加に加えて、このような感知デバイスの通常の欠点は、部品毎で
変化するかもしれないデバイスと磁石間の空隙による、デバイスの出力の信頼性
である。更に特定的には、磁石と半導体間の空隙が増加すれば、デバイスの最大
出力の範囲は減少し、感知デバイスの感度を減少する。従って、相対的に一定な
再現可能な出力特性を持つ低価格のホール効果感知デバイスを提供する必要が存
在する。
【０００９】 発明の概要 簡単には、本発明は、樹脂セラミック組成物に関し、そしてこれまで単一の組
成物では要求に応じられなかった多くの特性を提供する。本発明の重要な側面に
おいて、樹脂セラミック組成物は、磁界を提供することが可能である。従って、
本発明の樹脂セラミック組成物の使用は、別個の磁石を使用する必要を排除し、
そして従って外部磁石のの磁界を必要とするこのようなデバイスの費用を有意に
減少する。
【００１０】 本発明の一つの側面において、樹脂セラミック組成物は、集積回路をカプセル
化するために適したエポキシセラミック組成物である。本発明のこの側面の二つ
の態様が含まれる。一つの態様において、組成物は、既にカプセル化された集積
回路上に重ね成型される。本発明のもう一つの態様において、組成物は集積回路
ダイ（ｄｉｅ）のカプセル化のみに使用される。両方の態様において、この組成
物の使用は、外部磁石の必要を排除し、感知デバイスの価格を有意に減少し、そ
して相対的に一定な再現可能な出力特性を提供する。更に、本発明の樹脂セラミ
ック組成物のパッケージ又は重ね成型としての使用は、相対的に再現可能な、そ
して一定な空隙を提供し、そして従って同種の磁性物質と共に使用されるデバイ
スの感度を増加させる。磁界強度は温度依存であるため、本発明の一つの側面に
おいて、組成物は、−４０℃ないし１５０℃の範囲の予測される温度にわたって
適当な出力を与えることが可能な樹脂に基づくことができ、これは組成物を、自
動車への適用に使用する感知デバイスのために魅力あるものにする。
【００１１】 本発明の組成物は、樹脂、及び少なくとも約１ガウスの磁界を持つ組成物を得
るために有効な量のセラミック充填剤を含む。セラミック充填剤は、ストロンチ
ウムフェライト、バリウムフェライト、又はこれらの混合物を含むことができる
。樹脂がエポキシであり、そしてエポキシセラミック組成物が集積回路のカプセ
ル化に使用される場合、セラミック充填剤は、約１．５ミクロン以下の粒子サイ
ズを有していてもよい。相対的に小さい粒子サイズ及び形状は、これがカプセル
化に使用される他の樹脂より少ない応力を半導体に与えることにおいて、更なる
利益を提供する。
【００１２】 本発明は、更に樹脂セラミック組成物を調製する方法を提供する。本発明の方
法によれば、樹脂は、少なくとも約１ガウスの磁界を持つ得られる組成物を得る
ために有効な量のセラミック充填剤と混合される。樹脂セラミック充填剤混合物
は、磁界にさらされて、組成物中の磁気双極子が方向付けされる。
【００１３】 本発明は、更に熱を加えることによって熱硬化状態に転換することが可能な、
半導体デバイスをカプセル化するために適した、樹脂成型組成物を調製する方法
を提供する。この方法は、半導体デバイスとの使用に対して親和性な特性、及び
少なくとも約１ガウスの磁界を有する組成物を提供する。本発明のこの側面によ
れば、樹脂組成物は、必要な場合硬化剤、及び少なくとも約１ガウスの磁界を持
つ得られる組成物を得るために有効な量のセラミック充填剤と混合される。本発
明の重要な側面において、セラミック充填剤は、バリウムフェライト、ストロン
チウムフェライト及びこれらの混合物のような、磁性を有する誘電体を含むこと
ができる。樹脂／硬化剤／セラミック充填剤の混合物は、組成物の架橋に有効な
温度で所定の時間加熱される。樹脂／硬化剤／セラミック充填剤の混合物は、等
方性又は非等方性（即ち磁気的に方向付けされていないか又は磁気的に方向付け
されている）であることができる。
【００１４】 詳細な説明 本発明は、磁性を有する樹脂を提供する。本発明の一つの側面において、樹脂
は、各種の磁気反応感知デバイスに関連して使用することができる。磁束反応感
知デバイスの例は、一般的に本明細書中に参考文献として援用される、米国特許
第４，９７０，４６３号に記載されているような、ホール効果感知デバイス、特
定用途集積回路（ＡＳＩＣ）のようなホール効果感知デバイスを含む独立、混成
又は集積回路、リードスイッチ、ＭＲＥを含む混成、独立又は集積回路のような
磁気抵抗感知デバイス（ＭＲＳ）、及び磁気アキシアル接点スイッチ等を含む。
磁束密度の変化に対応する出力信号を与えるいかなる感知デバイスも、本発明に
よる方法によって製造することができる。
【００１５】 本発明に有用な樹脂は、熱可塑性及び熱硬化性樹脂を含むことができる。本発
明に使用することができる樹脂の代表的な例は、エポキシ、ポリエステル、ポリ
プロピレン、ポリエチレン、ポリブチレン、ポリカーボネート、スチレン、スル
ホン基剤樹脂、及びポリアミド−イミド樹脂を含む。
【００１６】 使用される特定の樹脂は、適用に依存し、特に樹脂は、樹脂が使用される適用
のために選択された既知の特性を有する。本発明が磁性樹脂を形成するための磁
性物質の添加を指向しているために、単一の樹脂、エポキシの特定の態様が例と
して記載される。磁性を持たない他の樹脂の選択及び適用は、当技術における通
常の技術による。これらの樹脂は、本発明によって磁性樹脂に処方することがで
きる。
【００１７】 本発明の一つの側面において、樹脂は、エポキシであり、そして本発明のエポ
キシ組成物は、既にカプセル化された集積回路を重ね成型するか、又は集積回路
ダイのカプセル化のみのいずれかによって半導体デバイスをカプセル化するため
の単一組成物を提供する。両方の態様において、この組成物は、別個の磁石の必
要を排除し、感知デバイスの価格を有意に減少し、そして相対的に一定な再現可
能な出力特性を与える。
【００１８】 本発明の一つの側面によるエポキシ組成物は、ある種の特性を提供するために
選択されて、それを半導体デバイスに使用するために親和性でそして適当である
ようにすることができる。本発明のこの側面において、電子デバイスに適用され
る樹脂性物質は、物質がデバイスを化学的に又は物理的に妨害しないように、電
子デバイスに対して親和性である。例えば、樹脂性組成物は、塩素、臭素、及び
フッ素のような化学的に反応して、腐食化合物を形成することができるイオンを
相対的に含まない。ここで使用されている“イオンを相対的に含まない”は、エ
ポキシ組成物が、半導体ダイのカプセル化に典型的に使用される、塩素、臭素、
フッ素又はいかなるこれらに組み合わせより少ない典型的な量を有することを意
味する。更に、エポキシ組成物は、導線の充分な密封性を提供して、半導体デバ
イスの劣化を更に補助することができる水分及びイオン性汚染物質の浸入を防ぐ
。
【００１９】 もう一つの重要な側面において、本発明の樹脂組成物は、低い熱膨張係数を、
この特性が必要な場合、提供することができる。殆んどが半導体の増大する複雑
さのために、このような半導体は、熱的に誘導される応力に更に脆弱になってき
ている。低い熱膨張係数を持たないカプセル化組成物の使用は、チップの破損、
導線の切断及び変数の変動による初期故障を起こすことができる。本発明の樹脂
組成物は、適用が比較的広い温度範囲にさらされるために、通常大きな熱誘導内
部応力がかかるような半導体の使用に対して有効である。
【００２０】 低い熱膨張係数に加えて、樹脂組成物は、更に、高い熱伝導率を、この特性が
重要である適用に対して、提供するように処方することができる。高い回路密度
の半導体デバイスは、低い回路密度のデバイスより単位面積当たり多くの熱を発
生し、より低い温度での作動及び長期の作動寿命を確保するために、カプセル化
剤を通しての迅速な熱の散逸が必要となる。接合部温度の１０℃の増加が、半導
体デバイスの期待寿命を半分に減少することが、電子工業界で広く受け入れられ
ている。従って、高い熱伝導率の特性、即ち迅速な熱の散逸は、微小電子デバイ
スの効率的な作動及び長期の寿命に対して必要とされる。
【００２１】 エポキシ樹脂 一つの側面において、本発明の組成物のエポキシ樹脂成分は、１つ以上のエポ
キシド基を有するもので、ビスフェニルＡのジグリシジルエーテル、フェノール
／ホルムアルデヒド樹脂のジグリシジルエーテル、脂肪族、シクロ脂肪族、芳香
族および複素環式エポキシなどの成形材料に使用されるもののいずれでもよい。
【００２２】 一般に使用されるエポキシ樹脂には、エピクロロヒドリンと、ビスフェニルＡ
との、あるいは水素化ビスフェニルＡとの、あるいはビスフェノールＦとの、あ
るいはノボラックフェノール樹脂との、もしくはグリセロール、ソルビトール、
ポリエチレンもしくはポリプロピレングリコールなどのポリオールとの反応によ
り調製されるエポキシが含まれる。例として、ポリエチレングリコールジグリシ
ダルエーテルの構造を、以下に示す。
【００２３】
【化１】
【００２４】 本発明に有用なエポキシ樹脂は、いくつか挙げると、”Ｅｐｏｎ”、”Ｅｐｉ
−Ｒｅｚ”、”Ｇｅｎｅｐｏｘｙ”および”Ａｒａｌｄｉｔｅ”など種々の登録
商標の下に市販されている。エポキシ化ノボラック樹脂も、本発明において有用
であり、”Ｃｉｂａ ＥＣＮ”および”Ｄｏｗ ＤＥＮ” の登録商標の下に市
販されている。
【００２５】 本明細書において使用できる硬化剤は、エポキシ樹脂を架橋し、それを硬質か
つ不融性の塊を形成するようにせしめるために一般に使用されるもののいずれか
である。これらの硬化剤は、当業界で周知であり、特定のもの１つもしくはそれ
らの組合せの使用が、許容される。使用できる硬化剤の例には、無水フタル酸、
無水テトラクロロフタル酸、二無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ
）、二無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、１，２，３，４−シクロペンタンテト
ラカルボン酸（ＣＰＤＡ）の二無水物、無水トリメリット酸、二重無水トリメリ
ット酸および無水ナド酸などの無水物；ノボラック；ならびにジアミン、芳香族
アミン、メチレンジアニリン、ｍ−フェニレンジアミンおよびｍ−トリレンジア
ミンなどのアミンが含まれる。
【００２６】 一般に、エポキシに添加される硬化剤の量は、最終製品の所望の特性に依存す
る。例えば、存在するエポキシ基の理論量に対して、約１０％以上の硬化剤が使
用される。
【００２７】 充填剤 本発明のセラミック充填剤は、本明細書に記載されるいずれかの樹脂とブレン
ドできる。セラミック充填剤は、組成物を硬化させる前に、および組成物中の磁
性双極子を配向させるための磁界存在下の硬化前に、樹脂および／または硬化剤
とブレンドすることができる。本発明の重要な側面において、エポキシ／硬化剤
は、磁性セラミック充填剤とブレンドされる。
【００２８】 本発明に有用な磁性セラミック充填剤は、電気絶縁材として作用し、したがっ
て導電性ではない誘電セラミックである。本発明の磁性セラミック充填剤は、少
なくとも約１ガウスの磁界を与え、磁性セラミック充填剤のパーセンテージによ
り少なくとも約１５０ガウス以下、６００ガウス以下およびそれ以上の磁界を与
える。組成物により与えられる磁界は、約−４０℃〜約１５０℃の範囲の温度で
少なくとも約１ガウスである。特に、組成物の磁性温度係数は、約−０．１９％
／℃である。換言すれば、磁性フラックスは、２５℃に対する温度変化１℃ごと
に０．１９％減少する。かくて、１５０℃では、組成物のガウス出力は、約２４
％減少する。
【００２９】 非常に重要な側面において、本発明のセラミック充填剤には、ストロンチウム
フェライト、バリウムフェライトおよび同価物が含まれる。別の非常に重要な側
面において、組成物が半導体デバイスとともに使用されるときは、セラミックは
、約１．５ミクロンの粒度を有する。小さい粒度は、エポキシ樹脂におけるセラ
ミック充填剤の十分な分散を可能とし、樹脂に熱膨張および伝導率の所望の特性
を与える。更に、粒度がより小さいと、集積回路ダイにもたらすストレスがより
少ない。
【００３０】 添加剤 種々のアジュヴァントを、特別の特性を与えるためにエポキシ成形材料に添加
できる。かくて、一般に触媒、離型剤、顔料、難燃剤および架橋剤が、エポキシ
樹脂、硬化剤および充填剤の他に使用される。
【００３１】 エポキシのオーバーモールドおよびポッティングポッティングによる半導体デ
バイスの調製 本発明の一つの側面において、上述のエポキシ樹脂は、硬化剤および磁性セラ
ミック充填剤とブレンドされる。ブレンドには、最終組成物に少なくとも約１ガ
ウスの所望の磁界を与えるのに有効な量のセラミック充填剤が含まれる。一つの
非常に重要な側面において、ブレンドには、樹脂／硬化剤／セラミック充填剤ブ
レンドの重量に対して、約４０〜約６５重量％、好ましくは５０重量％のセラミ
ック充填剤が含まれる。
【００３２】 樹脂／硬化剤／セラミック充填剤ブレンドは、すでに組み合わされた半導体上
にオーバー成形もしくはポッティングされる。ついで、エポキシ樹脂の硬化もし
くは架橋は、組成物を加熱することにより実施される。重要な側面において、加
熱は、約１１５℃で約６０分間実施される。
【００３３】 樹脂／硬化剤／セラミック充填剤ブレンドは、等方性でも異方性でもよい（す
なわち、非磁性的配向もしくは磁性的配向）。異方性の実施態様において、エポ
キシの硬化は、磁界の存在下で実施される。磁性配向は、当業者に周知の適切な
磁界を適用して実施できる。
【００３４】 半導体ダイのカプセル化 本発明の別の重要な側面において、本発明の組成物は、半導体ダイをカプセル
化するために使用される。本明細書では、半導体ダイは、従来の集積回路技術に
より形成された半導体ウェファーの一部分である。そのようなダイには、普通内
部電気回路に接続するためのボンドパッドが含まれる。特に、種々の既知の方法
が、ボンドフレームにボンドを接続するために既知である。ダイおよびボンドは
、パッケージ、普通エポキシ組成物にカプセル化される。
【００３５】 本発明の重要な側面において、普通半導体をカプセル化するために使用される
エポキシ組成物は、本発明による組成物と既知の技術により置換される。本発明
の方法は、空隙の減少したもしくは無空隙のデバイスを提供する。この方法は、
ダイと磁界との間の内部空隙を減少させる。
【００３６】 実施例 実施例１：熱伝導率 熱伝導率は、熱を伝導する材料の能力の尺度である。プラスチック材料の熱伝
導率を測定するために、Ｊ．Ｓｃｈｒｏｅｄｅｒ博士（ドイツ特許第１，１４５
，８２５号）により考案された方法に基づいて、Ｃｏｌｏｒａ Ｔｈｅｒｍｏｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｍｅｒを使用する。
【００３７】 この方法において、円筒形の材料サンプルを、沸点において１０〜２０℃の差
を有する２種の異なる純液体を含む２つの異なる沸騰チャンバーの間に置く。下
方チャンバー内の液体を沸騰するまで加熱し、熱は上方チャンバー内の液体を沸
騰させるために材料を通って移動する。時間は、上方沸騰チャンバー（低温側）
からの液体１ｍｌをビュレット内で蒸発および縮合させるために、一定量の熱が
サンプルを通って流れる尺度である。１ｍｌの液体をサンプルを通過する熱によ
り蒸発および縮合するために必要な時間を、既知の標準値と比較する。
【００３８】 熱伝導率をテストするために、テストする材料の０．７０’’Ｘ１／８’’デ
ィスクを成形する。このディスクを、熱伝導率計に入れ、前述のようにテストす
る。
【００３９】 カロリー／℃／ｃｍ／秒のプラスチックの熱伝導率（τ）を、下記のようにし
て計算する：
【００４０】
【数１】
【００４１】 式中、 Ｑ＝１ｍｌの液体Ｂの気化の熱、 ｔ＝１ｍｌを蒸留するための時間（秒）、 ＴA−ＴB＝２種の液体の沸点より与えられる温度差（℃）、 ｈ＝サンプルの高さ（ｃｍ）、 Ｆ＝サンプルの断面（ｃｍ2）、 ２５×１０-4よりも大きいτ値は、電子デバイスのカプセル化に非常に望まし
い。
【００４２】 実施例２：熱膨張 熱膨張の線係数は、材料の可逆熱還元膨張の尺度である。熱機械的分析器を、
成形されたエポキシもしくはプラスチック組成物の膨張特性を測定するために使
用する。
【００４３】 プラスチック材料は、ある温度でポリマー鎖が緩和し始める光沢状態に到達す
る。この温度は、プラスチックのガラス転移温度（Ｔg）と称する。Ｔgより低い
の熱膨張の平均係数を、α1と称する。Ｔgより高い熱膨張の平均係数を、α2と
称する。
【００４４】 プラスチック材料のα1、α2、Ｔgを測定するために、円筒形サンプル０．２
’’Ｘ０．２’’を含む試験片を、３５０OＦの温度および１０００ｐｓｉの圧
力を用いてトランスファー成形機で成形する。この試験片を、各材料につき所定
の温度および期間後硬化する。
【００４５】 ついで、後硬化された試験片を、熱機械的分析器の石英チューブチャンバーに
入れる。石英変位プローブを、試験片の上面に置く。ついで、チャンバーを所定
の速度（通常５℃／分）で加熱する。プラスチックの膨張を、情報をＸＹ記録器
に伝える変換器により感知する。生じたサーモグラムは、変位対温度を示す。
【００４６】 Ｔgを測定するために、変位対温度曲線の下部および上方部分の最良接線を引
く。これら２つの接線の交点における温度が、ガラス転移温度である。 α1およびα2は、下記のようにして計算される：
【００４７】
【数２】
【００４８】 式中、 α＝インチ／インチ／℃における熱膨張の平均線係数、 Ｌ1＝変位（インチ）、 Ａ＝Ｙ’軸の感度、 Ｌ0＝サンプルの元の長さ（インチ）、 Ｔ＝ＴＥを測定するために使用される温度範囲、 Ｆ＝キャリブレーションファクター。
【００４９】 α1およびα2値は、このようにしてすべての次のサンプルにおいて測定される
が、α1値、ガラス転移温度（Ｔg）より低い熱膨張の線係数は、電子デバイスを
カプセル化するためのエポキシ成形材料の性能を評価するのに重要な熱膨張係数
である。２３×１０-6未満のα1値は、電子デバイス用カプセル化剤にとって非
常に望ましい。
【００５０】 実施例３：熱伝導率、ＴgおよびＣＴＥの測定 熱伝導率を、Ｃ−Ｍａｔｉｃ Ｍｏｄｅｌ ＴＣＨＭ−ＤＶ熱伝導率テスト装
置およびそれに与えられた手順により測定した。より具体的には、計測器を、パ
イレックス（登録商標）基準を用いて検量した。サンプルを、下記のようにして 調製した： サンプル名と説明 １００−６５は、エポキシ樹脂１００ｇ、６５％充填剤、硬化剤２７．４ｇ；８
５−７０は、エポキシ樹脂１００ｇ、７０％充填剤、硬化剤２３．３ｇ；８５−
６５は、エポキシ樹脂１００ｇ、６５％充填剤、硬化剤２３．３ｇ；８５−４０
は、エポキシ樹脂１００ｇ、４０％充填剤、硬化剤２３．３ｇ。
【００５１】 充填剤％は、エポキシ樹脂および硬化剤の結合重量に基づく。 サンプルを、充填剤中の磁性双極子を配向させるために磁性フラックスに曝露
した。サンプルを、表１に示すようにして硬化し、Ｃ−Ｍａｔｉｃ Ｍｏｄｅｌ
ＴＣＨＭ−ＤＶを用いて、メーカーの指示に従って分析した。熱伝導率の結果
を、表１に示す。代替として、化合物を、非配向磁性双極子とともに利用できる
だろう。
【００５２】 前記サンプルも、ＡＳＴＭ Ｄ−３４１８を用いてＴg（ガラス転移）を、Ａ
ＳＴＭ Ｅ−８３１を用いて熱膨張の係数を測定するためにテストした。これら
のテスト結果を、表１に記載する。
【００５３】
【表１】
【００５４】 実施例４：オーバーモールドの調製 エポキシ樹脂（ＭＪＴ−０１０−０１８；インディアナ州、インディアナポリ
ス、ＴｈｅｒｍｏｓｅｔＰｌａｓｔｉｃｓ製）をセラミック充填剤バリウムフェ
ライトとブレンドして、約６２．５重量％のセラミック充填剤を有する樹脂を与
えた。ついで、樹脂／充填剤（１００ｇ）を２７ｇの硬化剤（ＥＰ８３０）とブ
レンドした。
【００５５】 半導体デバイス、例えば、磁石を取り出したＡｌｌｅｇｒｏ ｍｏｄｅｌ Ａ
ＴＳ６４０センサーを、予熱した金型に入れ、エポキシ／充填剤／硬化剤ブレン
ドを、センサーがブレンドとともにカプセル化されるように、エポキシ／充填剤
／硬化剤に注入した。金型を１１５℃に加熱する。金型の底は、セラミック内の
磁性極を配向するのに十分な強度を有する磁石を含んでいた。
【００５６】 金型内の組成物を約１１５℃で約６０分間加熱した後、硬化カプセル化半導体
を、金型から取り出した。 実施例５：ガウスレベルの測定 エポキシ樹脂を、実施例４に示すようにして調製し、表２に示されるパーセン
テージで磁性セラミック充填剤とブレンドした。サンプルを、充填剤内の磁性双
極子を配向させるために、磁性フラックスに曝露させた。代替的に、サンプルを
、双極子が配向されないように磁性フラックスに曝露させなかった。
【００５７】
【表２】
【００５８】 *：磁性セラミック充填剤のパーセンテージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０４Ｂ 14:30） Ｃ０４Ｂ 14:30） 111:90 111:90 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，Ｚ Ｗ Ｆターム(参考） 4J002 AA001 AA011 AA021 BB031 BB121 BB171 BC021 BC031 CD001 CD011 CD021 CD031 CD041 CD051 CF001 CG001 CM041 DM006 FD016 GQ01 GQ05 5E040 AB03 BB04 BB05 CA01 HB17 NN06

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂セラミック組成物であって： 樹脂；及び 少なくとも約１ガウスの磁界を持つ前記組成物を得るために有効な量のセラミ
    ック充填剤； を含む、前記樹脂セラミック組成物。
  2. 【請求項２】 前記充填剤が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト及びこれらの
    混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  3. 【請求項３】 前記樹脂が熱可塑性樹脂である、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  4. 【請求項４】 前記樹脂が熱硬化性樹脂である、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  5. 【請求項５】 前記樹脂がエポキシである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  6. 【請求項６】 前記樹脂がポリエステルである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  7. 【請求項７】 前記樹脂がポリプロピレンである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  8. 【請求項８】 前記樹脂がポリエチレンである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  9. 【請求項９】 前記樹脂がポリブチレンである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  10. 【請求項１０】 前記樹脂がポリカーボネートである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物
    。
  11. 【請求項１１】 前記樹脂がスチレンである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  12. 【請求項１２】 前記樹脂がスルホン系樹脂である、請求項１に記載の樹脂セラミック組成物。
  13. 【請求項１３】 前記樹脂がポリアミド−イミドである、請求項１に記載の樹脂セラミック組成
    物。
  14. 【請求項１４】 エポキシセラミック組成物であって： エポキシ樹脂； 硬化剤；及び 少なくとも約１ガウスの磁界を持つ前記組成物を得るために有効な量のセラミ
    ック充填剤； を含む、前記エポキシセラミック組成物。
  15. 【請求項１５】 前記セラミック充填剤が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト及
    びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１４に記載のエポキシセラ
    ミック組成物。
  16. 【請求項１６】 前記セラミック充填剤が、約１．５ミクロン以下の粒子サイズを有する、請求
    項１４に記載のエポキシセラミック組成物。
  17. 【請求項１７】 エポキシセラミック組成物中にカプセル化された半導体デバイスであって、前
    記 エポキシセラミック組成物が、エポキシ樹脂；硬化剤；及び少なくとも約１ガウ
    スの磁界を持つ前記組成物を得るために有効な量のセラミック充填剤を含む、前
    記半導体デバイス。
  18. 【請求項１８】 前記セラミック充填剤が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト及
    びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１７に記載の半導体デバイ
    ス。
  19. 【請求項１９】 前記セラミック充填剤が、約１．５ミクロンより小さい粒子サイズを有する、
    請求項１７に記載の半導体デバイス。
  20. 【請求項２０】 前記半導体デバイスが、ホール効果感知デバイスである、請求項１７に記載の
    半導体デバイス。
  21. 【請求項２１】 前記ホール効果感知デバイスが、約０の空隙を有する、請求項２０に記載の半
    導体デバイス。
  22. 【請求項２２】 半導体デバイスを調製する方法であって、前記方法が： エポキシセラミック組成物の混合物中に半導体デバイスをカプセル化し、前記
    エポキシセラミック組成物の混合物が、エポキシ樹脂；硬化剤；及び少なくとも
    約１ガウスの磁界を持つ前記組成物を得るために有効な量のセラミック充填剤を
    含む、カプセル化すること；及び 前記エポキシ／硬化剤／セラミック混合物を組成物を架橋するために有効な温
    度で加熱し、その間同時に前記エポキシ組成物を磁界にさらすこと、ここで前記
    磁界が前記エポキシ／硬化剤／セラミック混合物中の磁気双極子を配向させるた
    めに有効であり； を含む、前記調製方法。
  23. 【請求項２３】 前記セラミック充填剤が、約１．５ミクロン以下の粒子サイズを有する、請求
    項２２に記載の半導体デバイスを調製する方法。
  24. 【請求項２４】 前記セラミック充填剤が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト及
    びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２２に記載の半導体デバイ
    スを調製する方法。
  25. 【請求項２５】 エポキシセラミック組成物を調製する方法であって： エポキシ樹脂、硬化剤及び少なくとも約１ガウスの磁界を持つ前記組成物を得
    るために有効な量のセラミック充填剤を混合すること；及び 前記エポキシ／硬化剤／セラミック混合物を前記組成物を架橋するために有効
    な温度で加熱し、その間同時に前記組成物を磁界にさらし；前記磁界が前記エポ
    キシ／硬化剤／セラミック混合物中の磁気双極子を方向付けするために有効であ
    るように加熱すること； を含む、前記エポキシセラミック組成物を調製する方法。
  26. 【請求項２６】 前記セラミック充填剤が、１．５ミクロン以下の粒子サイズを有する、請求項
    ２５に記載のエポキシセラミック組成物を調製する方法。
  27. 【請求項２７】 前記セラミック充填剤が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト及
    びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２５に記載のエポキシセラ
    ミック組成物を調製する方法。
  28. 【請求項２８】 樹脂セラミック組成物を調製する方法であって： 樹脂を、少なくとも約１ガウスの磁界を持つ前記樹脂セラミック組成物を得る
    ために有効な量のセラミック充填剤と混合すること；及び 前記樹脂セラミックを磁界にさらすこと、ここで前記磁界は前記樹脂セラミッ
    ク混合物中の磁気双極子を配向させるために有効であり； を含む、前記組成物を調製する方法。
  29. 【請求項２９】 前記セラミック充填剤が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライト及
    びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２８に記載の樹脂セラミッ
    ク組成物を調製する方法。
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