JP2002517741A - 基体上の構造要素のエッジの距離ｐを決定する方法 - Google Patents

基体上の構造要素のエッジの距離ｐを決定する方法

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Abstract

(57)【要約】 基体の座標軸（ｘ,y）に対して非直交の構造要素（１６）のエッジの距離Ｐを決定する方法。構造要素（１６）は、参照点（１４）を有するＣＣＤカメラの検出器アレイ（１３）上に結像される。座標系に対し角度θで回転させた測定窓（１７）を用いて、参照点（１４）に対する構造要素のエッジの距離ＰIPCを決定する。座標系の原点に対する参照点（１４）の距離Ｌは、角度θと実際の測定テーブル座標ｘ,yにより決定され、その結果Ｐ＝ＰIPC＋Ｌ，Ｌ＝ｘｃｏｓθ＋ｙｓｉｎθにより距離Ｐが求められる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、請求項１の前提概念に記載の、基体上の構造要素のエッジの距離Ｐを
決定する方法に関するものである。
【０００２】 この種の公知の方法を実施するために適した測定器は、たとえば１９９８年３
月３１日にEducation Programm der Semicon Genfで発行されたDr.Carola Blaes
ing著"Pattern Placement Metrology for Mask Making"に記載されている。
【０００３】 測定対象である構造要素は、特に、半導体の製造に使用されるウェーハーまた
はレチクル上のマスク表面または構造物の不透明な領域または透明な領域である
。測定されるのは、マスク上に定義された座標系における構造要素のエッジの位
置である。マスクは、測定器内で測定面内を変位可能な測定テーブル上に支持さ
れる。測定テーブルは、干渉法により測定可能であるように参照点に対して相対
的に変位可能であり、この場合マスク座標系の位置は位置合わせマークを介して
測定器座標系に対し相対的に調整される。参照点としては通常、結像系の光軸と
マスクとの衝合点が用いられる。
【０００４】 測定される構造領域は、測定テーブルを適当に変位させた後、結像系によりＣＣ
Ｄカメラの検出器アレイに拡大して結合される。検出器アレイの画素は行と列を
成して、マスク座標系の方向調整された軸線に平行に配置されている。通常、測定
される構造要素のエッジも同様にマスク座標系の軸線に対し平行または垂直に調
整され、したがって検出器アレイの行と列に対しても平行または垂直に調整され
ている。検出器アレイによって受信された構造要素の像を評価して得られるエッ
ジ位置は、エッジが参照点に対し相対的に位置している補間した画素行または画
素列により記載される。一般に検出器アレイは、その中心が結像系の光軸上にあ
り、したがってこの中心が参照点として用いられるように方向を調整される。
【０００５】 構造要素の像の評価は、像分析法を用いて行なわれる。ソフトウェアにより生
成した矩形の測定窓を用いてアレイの特定の領域が測定用に選定される。測定窓
は、構造要素の被測定像の一部分上に設定される。結像系の解像度と結像特性の
ためにエッジ像のコントラストは強い。最良のコントラストはＴＶオートフォー
カスシステムを用いて設定される。１つの測定窓の内部にあってそれぞれの行ま
たは列において構造要素のエッジに対し平行に位置している画素の強度から平均
値が形成される。エッジに対して垂直な方向では、この平均値からエッジ像の強
度プロフィールと画素行または画素列との関係が得られる。エッジの位置は前記
強度プロフィールの５０％値によって定義される。
【０００６】 測定される構造要素には種々の幅と長さのものがある。１つの構造要素のマス
ク上での位置を表示するため、互いに平行なエッジの位置を測定し、２つのエッジ
の中心線を位置として表示することが多い。検出器アレイによって形成される測
定フィールドの内側で幅単位および長さ単位で測定可能な構造要素の場合、或い
は２つの構造要素が交差している場合には、２つの中心線の交点の座標により位
置が表示される。
【０００７】 半導体回路を設計する場合、マスク座標系に対し平行または垂直でない複数個
の構造要素を使用する傾向が多くなってきている。この非直交構造要素の、検出
器アレイに生じる像は、画素の行および列に対し平行または垂直でない。
【０００８】 ＣＣＤカメラまたは測定テーブルを回転させることにより、これら構造要素を
画素の行および列に対し直交するように指向させることができる。回転角は測定
できるので、エッジの位置または構造要素の位置が非回転座標系に換算され、した
がって同じ評価方法に従って測定器を直交構造要素と非直交構造要素とに使用で
き、測定値を比較可能な表示で出力させることができる。
【０００９】 この方法の欠点は機械的構成が複雑なことで、ＣＣＤカメラまたは測定テーブ
ルを回転させる際に精密な支持が必要である。また、回転操作自体とエッジの方
向調整に付加的な時間を要し、測定の実行時間が長くなる。構造密度が増大し、し
かも測定により検査されるべき構造要素の数量が増えるにしたがって、実行時間
はますます重要性を帯びてくる。
【００１０】 したがって本発明の課題は、任意の方向に指向した構造要素に適用可能で、測定
フィールド内側での測定過程において機械的変更をせずに済むような方法を提供
することである。
【００１１】 この課題は、冒頭で述べた種類の方法において、本発明によれば、矩形の測定窓
を生じさせて、その参照線をエッジ方向に対し平行に指向させ、検出器アレイの座
標系においてエッジ方向に対し垂直に位置している測定窓の参照線の方向をその
回転角θにより決定し、測定窓の参照線が検出器アレイの行と列に対し直交して
いない場合には、行と列を成しているフィールドが測定窓の参照線に対し平行に
位置するような合成アレイを形成させ、それぞれ１つのフィールドによって覆わ
れる検出器アレイの画素の強度を重み付け評価することにより決定される強度値
をフィールドに割り当て、フィールドに割り当てられた強度値から、エッジと参照
点との距離によりエッジの前記距離ＰIPCを決定し、基体の座標系におけるエッジ
の距離Ｐが、回転角θ、距離ＰIPC、基体の座標系における参照点の位置ｘ,yに依
存して、Ｐ＝ＰIPC＋Ｌ，Ｌ＝ｘｃｏｓθ＋ｙｓｉｎθにより与えられていること
によって解決される。
【００１２】 エッジ方向に対して平行に測定窓の参照線の方向を自動調整するため、測定窓
をエッジ方向に対し垂直に分割し、それぞれの測定窓において、エッジ位置を定義
する測定情報を検出し、測定情報の最適な相関が得られるまで測定窓を回転させ
る。合成フィールドの大きさを画素の大きさに適合させるのが合目的である。こ
の適合は回転角θに依存して行なうのが有利である。
【００１３】 本発明による方法は、公知の測定器が生成する測定情報と同じ測定情報から出
発している。矩形の測定窓の内側でエッジの位置を画素強度から導出するという
基本的な測定原理が維持される。したがって本発明による方法には、既存の測定
器に適用できるという利点がある。
【００１４】 測定フィールドの所定の座標系においてソフトウェアにより生成される測定窓
の回転角は高精度で算出され、測定値を表示する際に付加的なパラメータとして
使用される。このパラメータは、直交構造要素に対する公知の方法においてはす
でに暗黙に得られるものであり、公知の方法ではｘ軸と９０゜をなし、y軸と０゜
を成す。これは、非直交構造要素に拡大される方法と従来使用されている方法と
の結合を容易にする。
【００１５】 選定した測定窓によって覆われる実際の画素（リアルピクセル）の強度測定値
を、測定窓の境界部に対し直交する合成画素アレイに転用することは大きな進歩
である。合成画素（フィールド）に割り当てられる強度値は、覆われている実際
の画素を重み付け評価することにより生じる。これにより、測定窓の座標系内部
で公知の画像分析方法を用いて構造要素のエッジの位置を決定することができる
。検出されたエッジは、数学的には測定窓の回転座標系における直線であるので、
測定窓の回転角から座標変換によりエッジと実際の検出器アレイの測定フィール
ド内にある参照点との距離を決定することができる。参照点としては、検出器ア
レイにより形成される測定フィールドの中心を通る測定システムの光軸が選定さ
れる。
【００１６】 マスク座標系内での位置は、この座標系の原点に対する参照点の距離を付加的
に求めることで得られる。この距離が実際の測定テーブル座標と測定窓の回転角
とに依存していることは明白である。したがってエッジの位置は、マスク座標系
の原点までの直線の距離と、この直線が座標系の軸と成す角度とにより定義され
ている。
【００１７】 したがって、任意の角度で交差している２つの構造要素の位置を、これらの構造
要素に割り当てられた直線の交点によって定義でき、決定することができる。同
様のことは、任意の方向に設定され幅単位と長さ単位で測定可能な構造要素の位
置に対しても適用される。
【００１８】 次に本発明による方法を、図示した実施形態を用いて詳細に説明する。 図１は第１の構造パターン（ａ）を示している。この構造パターン(ａ)は互い
に垂直な２つの構造要素１,２から構成されている。それぞれの構造要素には、
これら構造要素１,２のそれぞれのエッジ５,５’および６,６’を決定（測定）
する測定窓３,４が設定されている。エッジの差５−５’および６−６’から構
造要素１,２の幅７,８が得られる。構造要素１,２の中心線９,１０は通常どおり
これら構造要素の位置を決定するために用いられ、交点１１は構造パターン（ａ
）の位置を決定するために用いられる。
【００１９】 第２の構造パターン(ｂ)は、前記構造パターン（ａ）に比べて交点１１の周り
に回転している。両構造パターン（ａ）と（ｂ）を同じ直交座標系で表示すると
、構造パターン(ｂ)は非直交と呼ばれる。
【００２０】 次に図２を用いて、不透明構造要素としてマスク１２上に取り付けられた直交
構造要素１の位置を決定するための通常の方法について説明する。マスク１２は
図示していない測定テーブル上にある。マスク座標系ｘ,ｙは測定テーブル座標
系に対して方向を調整されている。実際の測定域は、ＣＣＤカメラの検出器アレ
イ１３によって表わされる。測定域内の参照点１４として検出器アレイ１３の中
心が用いられる。この中心は図示していない結像系の光軸上にある。検出器アレ
イ１３の画素（ここには図示せず）は、行と列を成してマスク座標系に対し平行
に指向している。
【００２１】 測定窓３内で検出した強度プロフィール１５は、図式的には台形状の変化を示
す。エッジ位置として、強度プロフィール１５のエッジの５０％の値を定義する
。左側のエッジは、参照点１４から垂直方向に間隔ＸIPC（ＩＰＣ＝Image Proce
ssing Coordinate）を有している。参照点１４とマスク座標系のｙ軸との垂直方
向の間隔をＸstage（stage=測定テーブル）とする。同じようにして構造要素１
の上側のエッジおよび下側のエッジの座標を検出することができる。したがって
一般に１つのエッジの位置は、
【００２２】 ＰX＝ＸIPC＋Ｘstage ＰY＝ＹIPC＋Ｙstage により与えられている。
【００２３】 すなわち直交構造要素の場合これは、マスク座標系のｘ軸またはｙ軸に垂直な
ベクトルであり、その長さはエッジと付属の座標軸との垂直方向の間隔に等しい
。 図３は、これらの測定から直交構造パターン１,２の位置１１をいかに検出す
るかを示すものである。位置１１は中心線９,１０の交点１１の座標によって定
義され、すなわちパターン座標系の原点（０,０）から交点１１へ向かうベクト
ルによって定義される。このベクトルは、互いに垂直な前記２つのベクトル成分
Ｐx，Ｐyから構成される。
【００２４】 図４には、部分的に図示した検出器アレイ１３のｘ方向に対して長手方向が角
度（９０−θ）を成すような構造要素１６が図示されている。長いエッジの位置
を測定するために構造要素１６を横切るように横方向に設置されている測定窓１
７は、その短い境界線１８がエッジ延在方向に対して平行になるように指向して
いる。この指向調整は測定器の操作者自身が行うことができるが、測定器に対す
るジョブ定義により自動的に行なってもよい。以下に、この指向調整を自動的に
最適化する方法について述べる。図４において長いほうの境界線１９は、検出器
アレイ１３のｘ方向と角度θを成している。
【００２５】 測定窓１７の内部にはフィールド２０が形成され、その行と列は境界線１８に
平行に延びている。フィールド２０はそれぞれ、構造要素１６の外側の領域から
わかるように、検出器アレイ１３の画素２１のいくつかを部分的に覆っている。
図をわかりやすくするため、構造要素１６によって覆われる画素２１は図示して
いない。覆われている割合を決定すれば、それぞれの画素２１の測定強度を重み
付けすることができる。重み付けされた強度値の総和はそれぞれのフィールド２
０に割り当てられる。
【００２６】 フィールド２０は通常画素２１と同じ大きさを持っていない。合目的には、た
とえば測定窓の境界線１９の方向でのフィールド２０の幅、すなわち測定される
べきエッジに平行な方向での幅を、角度θの大きさに適合させるのがよい。これ
により、覆われる画素２１の数量を減少させることができ、考慮されるべき強度
成分を正確に決定することができる。１つの列においてエッジ方向に平行なフィ
ールドの平均値から強度プロフィール２２が形成される。この強度プロフィール
２２と測定窓１７との関係を別個に引き出してグラフで示した。５０％の値２３
は、測定窓１７の境界線１８に対するエッジの相対位置を示している。
【００２７】 構造要素１６のエッジ方向に平行に測定窓１７の境界線１８を指向調整する作
業を自動的に最適化するため、測定窓をエッジ方向に対して垂直に２分割しても
よい。部分窓のそれぞれにおいて、エッジの位置を決定する測定情報が検出され
る。これは強度プロフィールの推移、或いはたとえば検出したエッジ位置でもよ
い。測定窓は測定情報の最適な相関が得られるまで回転され、たとえば両部分窓
において同じエッジ位置、或いは差が小さなそれぞれのエッジ位置が得られるま
で回転される。
【００２８】 測定窓１７に向いているベクトル２４は、エッジ検出方向に平行に延び且つ検
出器アレイ１３上の図示していない参照点１４を通る直線上にある。したがって
ベクトル２４の長さは、前記直線に対する測定窓１７の参照線１８の垂直距離に
相当している。測定窓１７内部での構造要素１６のエッジの位置に関する特性曲
線を用いて、エッジと参照点との距離を決定することができる。
【００２９】 図５は、非直交構造要素１６の位置決定に必要な、マスク座標系ｘ,yにおける
いくつかの決定量を示したものである。構造要素１６の測定エッジは検出器アレ
イ１３の参照点１４から垂直距離ＰIPCの位置にある。マスク座標系の原点（０,
０）を通りエッジ方向に平行に延びている直線に対する参照点１４の垂直距離を
表わすベクトルＬは、ｘ軸に対して角度θを成している。このとき非直交構造要
素１６の図示したエッジの位置Ｐは、
【００３０】 Ｐ＝ＰIPC＋Ｌ， Ｌ＝ｘｃｏｓθ＋ｙｓｉｎθ によって与えられる。θ＝０゜であれば、ｘ軸に直交する構造要素１が得られ、
θ＝９０゜であれば図３に示すようなｘ軸に平行な構造要素２の位置が得られる
。したがって、直交構造要素に対してすでに採用した、エッジの位置Ｐに対する
表示を共用できる。
【００３１】 図６は、直交構造要素１と非直交構造要素１６から構成されている構造要素の
位置を提示するためのいくつかの決定量を示している。この場合も、構造要素１
,１６のそれぞれの２つのエッジの位置から中心線９,２５を決定することができ
る。座標原点からこれら中心線の交点２７へ向かうベクトル２６は、ｘ,y座標系
における構造要素の位置を表わしている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 直交構造要素と非直交構造要素の一例を示す図である。
【図２】 直交構造要素の位置を定義する方法を説明する図である。
【図３】 １つの構造要素の位置を決定する方法を説明する図である。
【図４】 非直交構造要素におけるエッジ測定を説明する図である。
【図５】 非直交構造要素の位置を定義する方法を説明する図である。
【図６】 任意の方向に設定された構造要素の位置を定義する方法を説明する図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA07 AA12 AA22 DD02 DD06 FF01 FF04 FF51 JJ03 JJ26 QQ32 QQ36 SS03 SS13 UU05 5L096 AA06 BA08 CA02 DA02 EA39 FA05 FA66 FA67 FA69 GA17

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体上の構造要素のエッジの、基体平面に対し位置固定して割
    り当てられたｘ／y座標系の原点に対する距離Ｐを決定する方法であって、 −行と列を成している画素がｘ／y座標系の軸に平行に指向している検出器アレ
    イ上に、基体平面に対し光軸が垂直な結像系により構造要素を結像させ、 −基体がｘ／y方向に変位可能な測定テーブル上に支持されており、検出器の検出
    領域において検出器に位置固定されている参照点に対する相対変位を干渉法によ
    り測定し、 −測定窓内にある画素からエッジ方向に対し垂直に導出されるエッジ像の強度プ
    ロフィールにより、検出器アレイ上の参照点に対するエッジの距離ＰIPCを決定
    する前記方法において、 矩形の測定窓（１７）を生じさせて、その参照線（１８）をエッジ方向に対し
    平行に指向させ、検出器アレイ（１３）の座標系においてエッジ方向に対し垂直
    に位置している測定窓（１７）の参照線（１９）の方向をその回転角θにより決
    定し、測定窓（１７）の参照線（１８,１９）が検出器アレイ（１３）の行と列に
    対し直交していない場合には、行と列を成しているフィールド（２０）が測定窓
    （１７）の参照線（１８,１９）に対し平行に位置するような合成アレイを形成
    させ、それぞれ１つのフィールド（２０）によって覆われる検出器アレイ（１３
    ）の画素（２１）の強度を重み付け評価することにより決定される強度値をフィ
    ールド（２０）に割り当て、フィールド（２０）に割り当てられた強度値から、エ
    ッジと参照点（１４）との距離によりエッジの前記距離ＰIPCを決定し、基体（１
    ２）の座標系におけるエッジの距離Ｐが、回転角θ、距離ＰIPC、基体（１２）の
    座標系における参照点（１４）の位置ｘ,yに依存して、 Ｐ＝ＰIPC＋Ｌ，Ｌ＝ｘｃｏｓθ＋ｙｓｉｎθ により与えられていることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】エッジ方向に対して平行に測定窓（１７）の参照線（１８）の
    方向を自動調整するため、測定窓（１７）をエッジ方向に対し垂直に分割し、それ
    ぞれの測定窓において、エッジ位置を定義する測定情報を検出し、測定情報の最適
    な相関が得られるまで測定窓（１７）を回転させることを特徴とする、請求項１
    に記載の方法。
  3. 【請求項３】フィールド（２０）の大きさを画素（２１）の大きさに適合さ
    せることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】フィールド（２０）の大きさの適合を回転角θに依存して行な
    うことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006113931A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Fujitsu Ltd 高精度マーク位置・姿勢検出装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072503B2 (en) * 1999-05-04 2006-07-04 Speedline Technologies, Inc. Systems and methods for detecting defects in printed solder paste
US6891967B2 (en) * 1999-05-04 2005-05-10 Speedline Technologies, Inc. Systems and methods for detecting defects in printed solder paste
AU5703900A (en) * 1999-06-29 2001-01-31 Nikon Corporation Method and apparatus for detecting mark, exposure method and apparatus, and production method for device and device
US6853751B1 (en) * 2000-03-31 2005-02-08 Cognex Technology And Investment Corporation Location of generally rectangular shaped objects in an image
DE10047211B4 (de) * 2000-09-23 2007-03-22 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat
JP4112812B2 (ja) * 2001-03-27 2008-07-02 株式会社東芝 パターン評価方法、パターン評価装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
DE10129818B4 (de) * 2001-06-15 2007-03-15 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zum Auslesen eines Detektionschips einer elektronischen Kamera
JP3699949B2 (ja) * 2002-09-26 2005-09-28 株式会社東芝 パターン計測方法、このパターン計測方法を用いる半導体装置の製造方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにパターン計測装置
DE10245621B4 (de) * 2002-09-30 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Übergabe einer Meßposition eines auf einer Maske zu bildenden Strukturelementes
GB2427909B (en) * 2003-12-12 2007-09-26 Speedline Technologies Inc Systems and methods for machine vision systems
US7349567B2 (en) * 2004-03-05 2008-03-25 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for determining angular pose of an object
DE102004020024A1 (de) 2004-04-23 2005-11-10 Sick Ag Verfahren zur Sicherung einer Werkzeugmaschine und optoelektronischer Sensor zur Durchführung eines solchen Verfahrens
US7342642B2 (en) * 2005-06-20 2008-03-11 Asml Netherlands B.V. Pre-aligning a substrate in a lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured by the manufacturing method
DE102007017630B4 (de) * 2006-05-16 2009-08-20 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Steigern der Messgenauigkeit beim Bestimmen der Koordinaten von Strukturen auf einem Substrat
CN101122457B (zh) * 2006-08-09 2010-09-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像边界扫描系统及方法
WO2008141665A1 (en) 2007-05-23 2008-11-27 Trimble Jena Gmbh Leveling apparatus and method
DE102007025304B4 (de) 2007-05-30 2009-02-26 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Verbesserung der Reproduzierbarkeit einer Koordinaten-Messmaschine und deren Genauigkeit
DE102007039983A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-26 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Messen von Positionen von Strukturen auf einem Substrat mit einer Koordinaten Messmaschine
DE102007045277A1 (de) * 2007-09-18 2009-04-02 Technische Universität Ilmenau Verfahren zur Bestimmung des Kantenortes bei Antastung im Auflicht in der optischen Längenmesstechnik
DE102007049100B4 (de) * 2007-10-11 2009-07-16 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Centrality von Masken
US8042405B2 (en) * 2008-07-23 2011-10-25 University Of Kentucky Research Foundation Method and apparatus for characterizing microscale formability of thin sheet materials
DE102008037465B4 (de) * 2008-10-17 2019-06-19 Kla-Tencor Mie Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Position von Materialkanten auf einer Maske für die Halbleiterherstellung
CN102102983B (zh) * 2009-12-21 2013-06-12 重庆工商大学 以单基色峰谷为特征测量沿光轴方向的位移的方法
CN102116607B (zh) * 2009-12-30 2013-06-12 重庆工商大学 以一维对比度为特征测量轴向位移的方法及装置
CN104023625A (zh) * 2011-09-08 2014-09-03 Apn健康有限责任公司 R波检测方法
US9013714B2 (en) * 2011-12-06 2015-04-21 The Procter & Gamble Company Method of analyzing video or image data of an absorbent article
CN114640802A (zh) * 2022-03-15 2022-06-17 世维(苏州)电子科技有限公司 一种无重叠成像矩阵相机排布方法及矩阵相机

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4547895A (en) * 1978-10-30 1985-10-15 Fujitsu Limited Pattern inspection system
JPS5743279A (en) * 1980-08-29 1982-03-11 Fujitsu Ltd Method for detecting position of x-y symmetrical body
DE3323836A1 (de) * 1983-07-01 1985-01-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur festlegung einer koordinate auf einer oberflaeche eines festkoerpers und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens
US4723297A (en) * 1984-09-27 1988-02-02 Siemens Aktiengesellschaft Method for automatic correction of character skew in the acquisition of a text original in the form of digital scan results
GB8429250D0 (en) * 1984-11-20 1984-12-27 Rosen D Measurement method
DE3612145A1 (de) * 1986-04-10 1987-10-15 Ralf Hinkel Verfahren zur kantendetektierung
DE3786699T2 (de) * 1986-05-10 1993-11-11 Fujitsu Ltd System zur Untersuchung von Mustern.
JPH0769155B2 (ja) * 1990-11-27 1995-07-26 大日本スクリーン製造株式会社 プリント基板のパターン検査方法
JPH0820214B2 (ja) * 1990-11-27 1996-03-04 大日本スクリーン製造株式会社 プリント基板のライン幅検査方法
JPH05196681A (ja) * 1991-06-26 1993-08-06 Digital Equip Corp <Dec> 連続移動する電気回路の相互接続試験方法及び装置
US5737441A (en) * 1991-12-12 1998-04-07 Nikon Corporation Aligning method and apparatus
JP3244783B2 (ja) * 1992-07-17 2002-01-07 キヤノン株式会社 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法
US6278957B1 (en) * 1993-01-21 2001-08-21 Nikon Corporation Alignment method and apparatus therefor
US5875264A (en) * 1993-12-03 1999-02-23 Kaman Sciences Corporation Pixel hashing image recognition system
US5627624A (en) * 1994-10-31 1997-05-06 Lsi Logic Corporation Integrated circuit test reticle and alignment mark optimization method
JPH08186069A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Nikon Corp 露光装置
JPH08316134A (ja) * 1995-05-24 1996-11-29 Nikon Corp 露光方法
KR100257279B1 (ko) * 1996-06-06 2000-06-01 이시다 아키라 주변노광장치 및 방법
DE19642293C2 (de) * 1996-10-14 1998-07-16 Zeiss Carl Jena Gmbh Koordinatenmeßgerät
US6188467B1 (en) * 1997-06-13 2001-02-13 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for fabricating semiconductor devices
US6072897A (en) * 1997-09-18 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Dimension error detection in object

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006113931A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Fujitsu Ltd 高精度マーク位置・姿勢検出装置
JP4611708B2 (ja) * 2004-10-18 2011-01-12 富士通株式会社 高精度マーク位置・姿勢検出装置

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