JP2002513510A - 電子デバイス用インターフェース構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 インターフェースは、誘電体インターフェース層上でパターン化された浮動パッド金属化層（３０または６３０）を含み、この金属化層の第１部分が中央パッド（２６または６２６）を形成し、第２部分が中央部分から延在してインターフェースビア中に入り込む延長部（２８または６２８）を形成する。別のインターフェースは、穴を被覆する導電材料（２１４）を含む浮動接点構造を備え、浮動パッド金属化層の少なくとも一部が穴からの延長部（２１６）を形成する。導電性接点区域インターフェースは、第１および第２接点区域（１１２および１１８）間に連結された少なくとも１個のインターフェース構造（２２、２４、２６、２８、３０）を含み、この構造は、第１および第２接点区域間に順応性接合部を形成する部分的にオープンな内部を有する導体を含む。

Description

【発明の詳細な説明】 電子デバイス用インターフェース構造 従来の技術 ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ＝ball grid array）技術は単位面積当たりの 相互接続部の密度を高くすることができるが、セラミックまたはポリマーＢＧＡ 基板とプリント回路板とを接合する場合に熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致が起こ り、その結果、しばしばはんだ接合部にクラックが生じ、特に基板の寸法が大き くなり、温度範囲が広くなるにつれてこの傾向は強くなる。カラムグリッドアレ イ（ＣＧＡ＝column grid array）技術や他のＢＧＡ技術では、共晶はんだをプ リント回路板やマルチチップモジュールのアレイパッドに適用し、得られる接合 部を、溶融しないより高温のはんだカラムまたはボールにはんだ付けする。ＢＧ ＡおよびＣＧＡ構造はともに可撓性でなく、損傷を受けやすい。種々の形式のＢ ＧＡおよびＣＧＡについて、インターフェースを補強し、熱膨張係数不一致のは んだ接合部への影響を軽減するために、構造体をポリマー接着剤で精密に下側充 填することにより、信頼性を高める試みがなされている。しかし、硬化後に接着 剤を除去するのは難しいので、ポリマー接着剤では修理適性が損なわれる。さら に、このような形式の構造は、２つの別々のはんだ工程を必要とし、通常のはん だ構造より高価となり、接合部の高さが高いため、より大きな縦方向スペースを 必要とする。 半導体回路チップを基板に直接取りつける従来のマイクロボールグリッドアレ イインターフェース技術では、チップの中心に密集させた一連のはんだバンプを 用いて、異なる熱膨張係数間に応力が生じる区域を限定する。この例では、チッ プはそのパッドを成形し直し、はんだマイクロバンプをこれらの成形し直された パッドに適用する。１例では、ボールグリッドアレイ法を用い、熱膨張係数の応 力効果を回避するために、温度範囲を装置の動作時に３０−７０℃に限定する。 別のボールグリッドアレイインターフェース法では、チップがプリント回路板ま たは基板に対面する区域を直接の相互接続に使用しない。その代わりに、金属化 層をチップから隣接する支持構造にまわし、その隣接支持構造にはんだボール接 続部を設ける。この方法は、寸法とピン数に制約をもたらすとともに、電気的寄 生効果を生じる恐れがある。 発明の概要 熱膨張係数の異なる複数の構造間に高順応性の導電性相互接続部を設ける方法 が開発できれば、望ましく、またチップパッドをチップの中心または隣接する支 持構造まで再設定する必要なしに、熱応力および材料応力状態であっても、長期 の信頼性を有する（すなわち、クラックや断線のない）ベースパッドおよび金属 化接点区域を得ることができれば、望ましい。 この発明の第１の観点によれば、熱膨張係数の異なる２つの材料を電気的に相 互接続する方法および構造が提供される。「浮動（フローティング）パッド」構 造を用いて、２つの材料の応力および熱の受け入れ先を設けるとともに、ベース パッドとは無関係な浮動パッドの移動を可能にすることによって、信頼性を高め る。この発明によれば、浮動パッドインターフェース（界面）構造を半導体チッ プの元々のパッドに、異なる熱膨張係数間での応力除去を行うマイクロ延長部に よって、連結する。浮動パッドインターフェース構造は、単一のパッドと１個の 延長部、または１つの延長部では極端な熱応力／ひずみ状況に十分でない場合に は数個の延長部を含む。この発明は、ビア相互接続区域に、ビアに亀裂を生じた り、チップパッド位置の接続部を破断したりする力を加えることなく、熱および 材料応力を受け入れる構造を提供する。浮動パッドは、半導体と無関係な移動を 許すとともに、ビア区域に小さな力しか与えないように、したがって大きな熱膨 張係数差により引き起こされる熱応力差を吸収するように、特定のパターンに画 定された所定の材料を通して電気的相互接続を達成する。 この発明の別の実施例では、はんだ付け可能で、圧力を加える必要なしに電気 的相互接続を形成するマイクロ構造インターフェースが提供される。インターポ ーザにより事前に相互接続部を所定の位置に保持することができ、このようなイ ンターポーザにより、組立を簡単にし、表面実装技術に自己整合効果を与える。 導電性接点区域インターフェースは、少なくとも１個の導電性第１接点区域と、 この第１接点区域と向かい合い、かつ実質的に位置合わせされた少なくとも１個 の導電性第２接点区域と、前記第１接点区域および前記第２接点区域間に連結さ れた少なくとも１個のインターフェース構造とを備える。このインターフェース 構造は、前記第１接点区域および前記第２接点区域間に順応性ジョイントを形成 する部分的にオープンな内部を有する少なくとも１個の導体から構成する。 さらに、電子部品用の一層可撓性のインターフェース構造を設けるのが望まし い。このような一層可撓性のインターフェース構造は、下側にベース表面を必要 とせず、そしてこの構造を用いて、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、ウェー ハ、個別のダイまたはチップ、マイクロ電気機械構造（ＭＥＭＳ）、プリント回 路（ＰＣ）板、表面実装技術などの構造から、ボールグリッドアレイ、マイクロ ボールグリッドアレイ、カラムグリッドアレイ、フリップチップ、はんだ接合、 自動化テープボンディング（ＴＡＢ）により形成される接続部などの接続部との 熱膨張係数の不一致から生じる応力を除去することができる。 この発明の１実施例では、軟質フィルムインターフェースが、軟質フィルムと 、軟質フィルムの一部分に被着された軟質材料と、軟質材料上の表面金属化層と を備え、軟質フィルムにはそこを貫通して表面金属化層まで達する少なくとも１ 個のビアが設けられ、さらに、軟質材料および表面金属化層上でパターン化され た浮動パッド金属化層を含み、浮動パッド金属化層の第１部分が中央パッドを形 成し、浮動パッド金属化層の第２部分が、中央パッドから延在し、少なくとも１ 個のビア中に入り込む少なくとも１個の延長部を形成する、浮動パッド構造を備 える。 この発明の新規と考えられる特徴は、特許請求の範囲に記載した通りである。 この発明の構成および実施方法を、その目的および効果とともに、図面と関連し た以下の説明から明らかにする。ここで、同一符号は同じ素子を表す。 図１はベースパッドに重なる順応性被膜の縦断面図である。 図２はさらに第１インターフェース誘電層を含む、図１と同様の断面図であ る。 図３ａはさらに第１インターフェース誘電層に重なる浮動パッド構造を含む 、図２と同様の断面図である。 図３ｂは第１インターフェース誘電層を除去した状態を示す、図３ａと同様 の断面図である。 図４はベースパッドに重なるパターン化された浮動パッド構造の一つの平面 図である。 図５ａ、５ｂおよび５ｃは他の浮動パッドの例の平面図である。 図６は他の浮動パッド例の縦断面図である。 図７は第１インターフェース誘電層に重なる第２インターフェース誘電層と 第２対の浮動パッド構造を含む、図３ａと同様の断面図である。 図８は第２対の浮動パッド構造の一つの平面図である。 図９ははんだバンプおよびはんだボールを位置決めするための開口を第２浮 動パッド構造の上に有する第３インターフェース誘電層を含む、図７と同様の断 面図で、過剰な誘電材料を除去した状態を示す。 図１０ははんだバンプおよびはんだボールを取り付けるための金属化層を設 けたビアを有する第２インターフェース誘電層を示す、図３ａと同様の断面図で ある。 図１１は内部にはんだが存在するビアを有する第２インターフェース誘電層 を示す、図３ａと同様の断面図である。 図１２ははんだバンプおよびはんだボールを取り付けるための開口をはんだ の上に有する第３インターフェース誘電層を示す、図１１と同様の断面図である 。 図１３は浮動ピン接点用のインターフェース構造の縦断面図である。 図１４は図１３のピンの一つの平面図である。 図１４ａは穴が中間基板を完全には貫通しない、インターフェース構造の縦 断面図である。 図１５はそれぞれエリアアレイパッドを有するプリント回路板およびマルチ チップモジュールの縦断面図である。 図１６はこの発明の種々のインターフェース実施例を含む、図１５と同様の 断面図である。 図１７はこの発明のインターポーザ実施例を含む、図１６と同様の断面図で ある。 図１８はインターフェースおよびインターポーザの側面図である。 図１９はインターフェース上にハンダ付け可能な表面を含む図１８と同様の 図である。 図２０は湾曲したベースを示す図１７と同様の図である。 図２１軟質材料および表面金属化層を取り付けた軟質フィルムの縦断面図で ある。 図２２は軟質フィルムに重なる浮動パッド構造を含む、図２１と同様の図で ある。 図２３は表面金属化層の一部に重なるパターン化された浮動パッド構造の一 つの平面図である。 図２４は軟質フィルム上に延在するはんだマスクを示す図２２と同様の断面 図である。 図２５は表面金属化層をはんだボールおよびエポキシボールを介してベース パッドに取り付けた状態を示す、図２４と同様の断面図である。 図２６は浮動パッド構造をボールグリッドアレイを介して導電パッドに取り 付けた状態を示す、図２５と同様の断面図である。 発明の具体的な説明 図１は導電性パッド１２を有するベース表面１０に重なっている順応性被膜１ ４の縦断面図である。ベース表面は、まだセグメント化された個別のチップに切 断されていない半導体ウェーハ、またはウェーハからセグメント化されたチップ いずれかから構成される。まだセグメント化されていないウェーハに加工するこ とにより、インターフェース（界面）構造の大量生産が可能であり、単一チップ の取扱い上の問題、たとえば、順応性被膜のコーナーエッジの剥れや、光リソグ ラフィー加工の際の単一ダイ取扱いに関連した位置決めの困難性などを回避する ことができる。あるいは、ベース表面は、たとえば、受動素子、プリント回路（ ＰＣ）板、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、可撓性相互接続層構造（たとえ ば、Ｃｏｌｅの米国特許第５，５２７，７４１号（１９９６年６月１８日発行） に記載された構造）から構成するか、あるいはフォトン構造、液晶構造またはマ イクロ電気機械構造（ＭＥＭＳ＝microelectromechanical structure）（たとえ ば、本出願人に譲渡されたＧｈｅｚｚｏらの米国特許第５，４５４，９０４号（ １９９５年１０月３日発行）に記載された構造）を含む基板またはウェーハから 構成することができる。ＭＥＭＳおよびフォトン装置をウェーハ加工工程に直 接組み込んで、一体化構造を形成することができる。あるいは、ＭＥＭＳを用い て別体の構造を製造し、それを後でウェーハに付加することもできる。導電パッ ド１２は、上述したベース表面のいずれかの上に設けたパッドまたは金属化層か ら構成することができる。この発明によれば、導電パッド用のインターフェース 接続部が一層安定であり、したがって導電パッドの面積を通常のパッドより小さ くする（たとえば直径または長さを約１ミル−約４ミルの範囲とする）ことがで きる。 順応性被膜１４は、ポリイミドや、Ｇｏｒｃｚｙｃａらの米国特許第５，１６ １，０９３号（１９９２年１１月３日発行）に記載されているようなシロキサン ポリイミド−エポキシ（ＳＰＩ／ｅｐｏｘｙ）などの材料から構成する。順応性 被膜は高または低モジュラス絶縁材料から形成するのがよく、通常厚さを約２μ ｍ−約１００μｍの範囲とする。順応性被膜は、ベース表面１０上に熱および／ または接着剤（図示せず）で積層するか、たとえば、スピンコート、スプレーコ ートまたは化学蒸着（ＣＶＤ）法によりベース表面１０上に堆積することができ る。 順応性被膜１４に適当な方法で被膜ビア１６を形成する。１例では、Ｅｉｃｈ ｅｌｂｅｒｇｅｒらの米国特許第４，８９４，１１５号（１９９０年１月１６日 発行）に記載されているように、順応性被膜を高エネルギー連続波レーザで繰り 返しスキャニングして、所望の寸法および形状のビアホールを形成する。ほかの 方法として、たとえば、光パターン形成可能なポリイミドを光パターニングする 方法や、エキシマレーザをマスク（図示せず）とともに用いる方法などが適当で ある。 ベース金属化層１８は、たとえば、スパッタリングおよび／またはメッキによ り形成し、標準フォトレジストおよびエッチング法でパターン化することができ る。たとえば、Ｅｉｃｈｅｌｂｅｒｇｅｒらの米国特許第４，８３５，７０４号 （１９８９年５月３０日発行）に、金属化層をパターン化する有用な適応性リソ グラフィシステムが記載されている。１例では、ベース金属化層は、スパッタし た１０００Åのチタンの薄い接着層を、スパッタした３０００Åの銅の薄層で被 覆し、さらに銅を、たとえば厚さ４μｍに電気メッキした層で被覆した構成とす る。所望に応じて、電気メッキした銅の上にチタンの１０００Åのバッファ層を 設層することができる。ベース金属化層の材料の他の例としてはモリブデン、タ ングステンおよび金が挙げられる。ベース金属化層に適切な材料は、ベース表面 の材料によって、また電子部品を使用する環境、たとえば高温環境または酸化性 環境などによって、変わる。 図２は、図１と同様であるが、さらに第１インターフェース誘電層２０を含む 、断面図である。第１インターフェース誘電層２０は、軟質の低モジュラス材料 、たとえば、ＳＰＩ／ｅｐｏｘｙ、他の軟質エポキシ樹脂、シリコーンゴム材料 、ＴＥＦＬＯＮポリテトラフルオロエチレン（テフロンはデュポン社の商標名） 、または低モジュラスのまたは低モジュラスとなるように変性した他のポリマー から、厚さ約２μｍ−約３ミルの範囲に構成するのが好ましい。厚さの好ましい 範囲は約１００μｍ−約４００μｍである。 第１インターフェース誘電層２０には、順応性被膜１４に重なるベース金属化 層１８の部分まで貫通するビア２２が設けられている。図２のビア２２は図１の ビア１６と同様の方法で形成することができる。第１インターフェース誘電層の 厚さが順応性被膜の厚さより小さい場合には、図示のように、ビア２２をビア１ ６より小さくすることができる。 図３ａは、図２と同様であるが、さらに第１インターフェース誘電層２０に重 なる浮動パッド構造３０および３０ａを含む断面図であり、図４は、ベースパッ ドに重なる浮動パッド構造３０の１つの平面図である。浮動パッド構造は、ベー ス金属化区域に無用な力を加えることなく、熱応力と材料応力順応する。 浮動パッド構造３０用の金属化層は、図１のベース金属化層１８に関して説明 した方法と同様の方法により、被着し、パターン化することができる。図４では 、浮動パッド構造は、ビア金属化層２４を貫通してベース金属化層１８に達する 複数のパターン化延長部２８を有する中央パッド２６を含む。 中央パッド２６の寸法は、浮動パッド構造の特定の用途にしたがって変わる。 たとえば、はんだボールまたははんだバンプを中央パッドに直接取り付ける場合 には、中央パッドをこれらの取付け部を受け入れるのに十分な大きさとする必要 がある。中央パッドの寸法は延長部の長さにも影響する。中央パッドの直径が小 さいと、必要なスペースは、直径の大きいパッドの場合より小さくなり、したが って、より多くのスペースが残り、延長部を長くとることができる。延長部にと ることのできる長さを左右するもう一つの因子は、ベース金属化層１８の面積で ある。 浮動パッド構造用の金属化層の厚さは、浮動パッド構造３０で示されるように 均一であっても、浮動パッド構造３０ａで示されるように変動してもよい。図３ ａにおいて、変形した中央パッド２６ａは中央パッド２６と、追加の金属化区域 ２７とを含む。１実施例では、延長部２８の厚さが約２μｍ−約８μｍであり、 変形した中央パッド２６ａの厚さが約４μｍ−約２０μｍである。薄い延長部の 方が厚い延長部より可撓性にすぐれる点でこの実施例は有効であり、一方、中央 パッドは他の導電表面にはんだ付けするのに十分な厚さとするのが好ましい。１ 実施例では、追加の金属化区域は、はんだ付けの容易な金属、たとえば、ニッケ ル−金板から構成する。 図３ｂは、図３ａと同様であるが、第１インターフェース誘電層を取り除いた 状態を示す断面図である。たとえば、ＭＥＭＳなどの実施例では、第１インター フェース誘電層がＭＥＭＳ装置の移動を妨害しない、あるいは光素子に干渉しな いように、第１インターフェース誘電層２０を除去するのが望ましい。第１イン ターフェース誘電層の除去は、測定または制御の目的に用いることのできる移動 性を持った構造を作製する機会が得られるという意味でも、有用である。これら の実施例では、第１インターフェース誘電層２０の材料を、順応性被膜１４に干 渉することなく、たとえば、昇華法、溶剤、またはレーザにより除去できる材料 となるように選択する。 関連する実施例では、少なくとも図３ａの各浮動パッド構造の下側の区域２０ ａの部分を除去し、インターフェース誘電層２０の残りをそのままの位置に残す ことができる。所望に応じて、第１インターフェース誘電層を感光材料から構成 することができ、この感光材料をパッド領域以外の領域で増感し、こうして、浮 動パッドインターフェースの下側から感光材料を簡単に除去することができる。 この実施例では、区域２０ａにおける浮動パッドインターフェースの下側に用途 に応じた特定のフィラー材料（固体でも流体でもよい）を挿入して、特別な減衰 （振動）制御または熱管理を実現する可能性が得られる。 図５ａ、５ｂおよび５ｃは浮動パッドの他の例の平面図である。図４に示した 浮動パッド構造金属化層のパターン形成は、例示のために示したに過ぎない。任 意の数（１個または複数個）の延長部を用いることができ、また延長部はまっす ぐである必要はない。図５ａにおいて、蛇行延長部２８ａ、螺旋延長部２８ｂ、 鋸歯状延長部２８ｃおよび屈曲延長部２８ｄは、例示のために可能な形状を示す ものである。図５ｂに示すように、中央パッド５２６はこれを取り囲むリング５ ３０まで延在する延長部５２８を有し、一方リング５３０は外側のリング５３４ まで延在する延長部５３２を有するようにすることができ、そして外側リング５ ３４にはベース金属化層１８（図５ｂでは図示せず）まで達するビア５３６が設 けられている。図５ｃに示すように、延長部２８を湾曲させて、ピン止め風車形 状の浮動インターフェースパッドを形成することもできる。図５ａ、５ｂおよび ５ｃの形状は、延長部にかかる機械的応力を軽減するのに有効であり、ベース表 面１０が平面でない場合に特に有効である。延長部の形状を選ぶときに、それか ら得られるインダクタンス効果を考慮するのが適切である。 図６は、延長部にかかる機械的応力を軽減するのに有効な浮動パッドの別の実 施例を示す縦断面図である。図６では、第１インターフェース誘電層２０がくぼ み部分２０ａを有する。くぼみ部分は、第１インターフェース誘電層の被着時に 形成するか、第１インターフェース誘電層から別の工程でエッチングにより形成 するか、このような形状に熱プレスすることができる。このようにすると、浮動 パッドインターフェース構造３０ｂ用の金属化層を形成する際、延長部２８が応 力除去用のくぼみをもつようになる。追加の金属化区域２７ａを被着して中央パ ッドの金属化層を延長部のレベル以上にもちあげることができる。図示しないが 、図３ａおよび図３ｂの実施例では、浮動パッド構造の金属化層を形成する際に 、自然にくぼみができている、と予想される。 図７は、図３ａと同様であるが、さらに第１インターフェース誘電層２０に重 なる第２インターフェース誘電層３２および第２対の浮動パッド構造３３を含む 実施例の断面図である。図８は、第２対の浮動パッド構造３３の一方の平面図で ある。 この実施例では、第１対の浮動パッド構造３０のそれぞれをパターン化して、 ビア２４を通してベース金属化層１８に接続された延長部２８およびベース金属 化層に接続されていない他の延長部２８ａをもたせている。 第２インターフェース誘電層３２は、第１インターフェース誘電層２０の材料 と同様の材料から形成すればよく、これをパターン化して、ベース金属化層に直 接接続されていない延長部２８ａまで達するビア３６を設ける。中央パッド３８ および延長部４０を含む第２浮動パッド構造３３を、第１対の浮動パッド構造３ ０と同様な方法で作製することができる。 図示の便宜上、図３ａは単層浮動インターフェースの例を示し、図７は二重層 浮動インターフェースの例を示すが、浮動インターフェース構造にさらに層を加 えることが可能である。このような追加の層は、単一または二重浮動パッド層が 極端な熱応力またはひずみを吸収するのに十分でない場合に、より大きな応力受 入部を設けるのに有効である。多重層インターフェース例では追加の熱的−機械 的分離が得られる。それは浮動パッド構造がさらに遠く離れ、複合てこを、した がってより大きな物理的自由度を与えるからである。 図９は、図７と同様であるが、第３インターフェース誘電層４２を含む例の断 面図である。第３インターフェース誘電層４２に、はんだバンプ４４およびはん だボール４８をはんだフラックス４６に位置決めするための開口を第２浮動パッ ド構造の上に設け、そして区域４５において過剰な誘電材料を除去した状態が示 されている。過剰な誘電材料を除去することは、表面区域への応力蓄積（そりや たわみの原因となる）をなくすのに役立ち、また過剰な誘電材料の除去によりコ ンプライアンスや可撓性が増加する。誘電材料は、種々の方法、たとえばフォト レジストおよびエッチング工程、機械的切削またはレーザアブレーションにより 除去することができる。 図１０は、図３ａと同様の断面図で、はんだバンプ４４およびはんだボール４ ８の取付け用の金属化層５０の設けられたビアを有する、第２インターフェース 誘電層３２を示す。金属化層５０は金属化層１８と同様に被着することができる 。１実施例では、金属化層５０を、はんだ付け用の良好な接点を形成するニッケ ル−金合金から構成する。インターフェース誘電層３２および金属化層５０を被 着 することは、中央パッド接点区域の厚さを増すために金属化区域２７（図３ａに 示した）を用いることの、代わりとなる。 図１１は、図３ａと同様の断面図で、はんだ５４が存在するビアを有する第１ インターフェース誘電層３２を示す。はんだは、たとえば、金属スクリーニング 、熱リフロー、スパッタリング、電気メッキなどの方法で被着することができる 。図１１の実施例では、第２インターフェース誘電層３２を、ポリイミドなどの 材料またははんだマスクから構成することができる。 図１２は図１１と同様の断面図で、本例は、はんだバンプ４４およびはんだボ ール４８を位置決めするためのはんだ上に開口を有する、第３インターフェース 誘電層５６を含む。第３インターフェース誘電層５６はポリイミドなどの材料ま たははんだマスクから構成することができ、はんだバンプまたはボール取付けの 際にはんだ５４を保持するのに有効である。所望に応じて、第１、第２および第 ３インターフェース誘電層２０、３２および５６を、図３ｂの第１インターフェ ース誘電層２０に関して説明したように、完全に除去するか、図９に関して説明 したように、選択的に（所望に応じて順応性被膜１４とともに）除去することが できる。 この発明によれば、ＭＥＭＳ、フォトン素子、液晶構造および半導体チップ、 たとえばシリコン、ガリウムひ素、炭化けい素チップなど、を種々の基板材料、 たとえばセラミックス、ポリマー、可撓性相互接続層、に広い温度範囲にわたっ て高い信頼性を維持しながら、直接はんだ付けすることができる。その上、チッ プパッドを中央位置に整形し直す従来の工程をとることなく、はんだを加熱し、 溶融することにより、修理を行うことができる。 図１３は、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ＝pin grid array）装置に見られるよ うな、浮動ピン接点用のインターフェース構造の縦断面図である。図１４は図１ ３のピンの１つの平面図である。剛固なピン接続構造をプリント回路板に組み合 わせると、半導体チップパッドを基板に結合するときに生じる機械的応力と同様 の機械的応力を、製作中および動作中に生成するおそれがある。マイクロプロセ ッサチップは高温を生じるおそれがあり、このような高温のため、チップとチッ プを取り付けるプリント回路板との間に大きな熱膨張差が生じる。 図１３および図１４において、基板２１０は、プリント回路板、可撓性相互接 続層あるいは他の構造的に適切な材料から構成することができる。低モジュラス インターフェース誘電領域２１２は、図２の第１インターフェース誘電層２０に 関して説明した材料と同様の材料から構成することができる。インターフェース 誘電領域２１２は金属化層２１４で被覆することができる。金属化層２１４は、 インターフェース誘電領域２１２の穴を覆い、そこから基板２１０の両表面に延 在する延長部２１６を有する。金属化層をパターン化して、パッド相互接続領域 ２１１まで延在する延長部２１６を形成するのが好ましい。パッド相互接続領域 ２１１は金属化配線（ラン）により、他のパッド相互接続領域または基板の金属 化区域（図示せず）に接続されている。はんだ２２２を、金属化層２１４と支持 構造２１８に取り付けられた導電性ピン２２０との間に適用することができる。 インターフェース誘電領域および延長部は、ピングリッドアレイ、その他のピン 素子を取り付けたり、取り外したりする際に遭遇する異なる熱膨張係数および機 械的応力に合わせて、基板が機械的応力を調節することを可能にするので、「浮 動（フローティング）」スルーホール構造が得られる。 図１３では穴がインタフェース誘電領域を貫通するものとして図示してあるが 、この発明は、穴がインターフェース誘電材料の途中までしか通らない状況でも 有効である。 図１４ａは、穴が中間基板２１０ａを完全には貫通しない例の縦断面図である 。図１４ａは、基板全体が低モジュラス誘電領域からなる実施例でもある。図１ ４ａに示す基板は、たとえば、プリント回路板２４０とピンを有するチップとの 間の連結ボードとして有用である。中間基板２１０ａは中間パッド２４２を有し 、これらの中間パッド２４２は、内部金属化層により、中間基板の反対側表面（ 図示せず）上のパッドまたは他の金属化層に連結することができ、また、はんだ ２４６により、たとえばプリント回路板２４０のパッド２４４に連結することが できる。 図１５は第１表面および第２表面の断面図である。ここで、第１表面は、はん だ１１４で被覆されたアレイパッド１１２で表わされる第１接点区域を有するプ リント回路（ＰＣ）板１１０で表わし、第２表面は、対応するアレイパッド１１ ２とほぼ位置合わせされた、はんだ１２０で被覆されたアレイパッド１１８で表 わされる第２接点区域を有するマルチチップモジュール（ＭＣＭ）１１６で表わ す。 プリント回路板およびＭＣＭ上のアレイパッドを図示したが、この発明は多数 の金属区域の任意のものを連結するのに有効である。この発明が有効な他の形式 の金属接点区域としては、たとえば、基板上の金属化配線（ラン）、金属化基板 、可撓性相互接続構造、回路チップパッド、半導体ウェーハチップパッド、赤外 線センサ、ホログラフィアレイなどがある。 プリント回路板１１０のような表面がヒートシンクであるか、ヒートシンクを 含むか、図１５に示すように接着剤１１１でヒートシンク１１３に取り付けられ ている場合、インターフェース構造が形成する熱通路を用いて、ＭＣＭから熱を 取り除くことができる。 図１６は、この発明のいくつかのインターフェース構造を含む例を示す、図１ ５と同様の断面図である。各インターフェース構造は、連結する接点区域間に順 応性接続部を形成する部分的にオープンな内部を有する。「部分的にオープンな 内部」とは、接点区域を電気接続するのに用いる金属に加えて、空気（オープン 空間）または順応性材料を含む内部を意味する。 このようなインターフェース構造の１例として、圧潰ワイヤ組立１２２が挙げ られ、これは、極細金属線をプレスして、スチールウールに似た外観を有する構 造体にすることによって製造でき、したがって、本来的に複数の平面でばね作用 を有する。このようなワイヤ組立インターフェース構造は、シンチ・コネクタ・ デバイス（Ｃｉｎｃｈ Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ、米国イリノイ州 エルク・グルーブ・ヴィレッジ）から商標名ＦＵＺＺボタン（ｂｕｔｔｏｎ）に て入手できる。ワイヤ通路のインダクタンスはＢＧＡやＣＧＡより小さいので、 電子装置用のパワードライバの寸法を小さくすることができる。 ワイヤ組立１２２は、銅、金、ベリリウム銅、金メッキベリリウム銅、貴金属 合金（たとえばパラジウム−金合金）などの材料から構成することができる。通 常、ワイヤの太さは約０．５ミル−約２０ミルの範囲である。圧潰ワイヤ組立用 に単一の圧縮ワイヤを用いても、複数のプレスワイヤを用いてもよい。３−７ミ ルの範囲の標準ダイパッドの場合、ワイヤ組立１２２の直径は約３ミルである。 ワイヤ組立１２２の形状は２つの金属区域の連結を可能にする形状ならどのよう なものでもよい。ワイヤ組立には、たとえば、球、円筒、ひょうたん、直方体な どの形状も適当である。 別のインターフェース構造として、鉛直なストランドワイヤを絶縁物で包囲し た構成のストランドコアワイヤ組立１２４が挙げられる。１例では、ワイヤを細 い銅絶縁ワイヤとする。絶縁物ははんだ付けを行う温度に耐える材料でなければ ならない。このような材料の例として、ＴＥＦＬＯＮ（商標）ポリテトラフルオ ロエチレンが挙げられる。ワイヤを絶縁物とともに束にし、２つの金属区域間に 挿入することができる。ワイヤがインターフェースの端部で露出していない場合 には、溶剤浸漬、機械的研磨またはエッチング法を用いて、ワイヤを露出させる ことができる。絶縁されているので、はんだがストランドコアワイヤ組立中にい ちじるしくしみ込むことはない。 別のインターフェース構造として、溶解性ポリマーやワイヤワニスなどの材料 からなる除去可能な絶縁物を有するストランドコアワイヤ組立１２６が挙げられ る。変圧器絶縁ワニスに類似した昇華性絶縁物を用いてもよく、これは、たとえ ば、はんだ付けの完了後に、昇華または溶剤により除去することができる。後述 するように、絶縁物を鉛直なワイヤから除去すると、可撓性の一層高い構造が得 られる。 別のインターフェース構造として、キャップ付き端部１２９を有する圧潰ワイ ヤ組立１２８が挙げられる。圧潰ワイヤは端面がでこぼこになるが、はんだまた は金属からなるキャップで端面を平らにし、インターフェースの接点区域へのは んだ付けを容易にすることができる。圧潰ワイヤ組立には、所望に応じて、除去 可能な絶縁物またははんだレジストを組み入れて、圧潰ワイヤへのはんだのしみ 込みを阻止することもできる。このようなはんだのしみ込みがあるとインターフ ェースの可撓性が低下する。 他のインターフェース構造として、順応性カラム１３０が挙げられる。このカ ラム１３０は、ゴムなどのポリマーで例示されるような軟質材料からなる内部区 域または中空な区域１３３を金属化外層１３１で包囲した構成である。中空な内 部区域１３３を得るには、製造時に最初は材料をそこに存在させ、後で昇華また は拡散などの方法により除去することができる。この実施例では、内部の材料を 簡単に取り出すために、金属化外層１３１に１個以上の開口（図示せず）が必要 になる。 図１７は図１６と同様な図であり、さらに必要に応じて設けるインターポーザ （介在）構造１３２を設けた例を示す。インターポーザ構造は、はんだ付け時に 、インターフェース構造を所定の位置に保持するのに有効である。インターポー ザ構造は、はんだ付け後にそのままの位置に残しても、取り去ってもよい。イン ターポーザ構造を除去する場合、溶剤に溶解するか分解するワックスやポリカー ボネートなどの材料が有用である。インターポーザ構造を残す場合、アセンブリ の製造および作動温度に耐える構造的に適切な材料なら何を用いてもよい。たと えば、プリント回路板、ポリフェニレンサルファイドなどの硬質プラスチックま たは充填剤入り硬質プラスチックが例示される。 図１８は、インターフェース構造１３４とインターポーザ構造１３２の線図的 側面図である。１例では、インターフェース構造をリベット形状に形成し、これ により、インターフェース構造の一部がインターポーザ構造の上まで延在して、 インターフェース構造がインターポーザ構造から抜け落ちるのを防止する。リベ ット形状は、たとえばプレス加工など通常の方法で形成することができる。 水平方向および／または鉛直方向に移動可能な遊嵌リベット１３４ａも、高温 作動時にインターポーザ構造および接点区域にかかる応力を軽減するのに有効で あり、はんだが接点パッドと整合してインターフェースを移動する融通性と、湾 曲平面に対する融通性とが得られる。遊嵌（すきまばめ）を実現する１例では、 インターポーザ構造を、溶剤に溶解し得る材料に浸漬し、インターフェース構造 をインターポーザ構造に挿入し、リベットを形成し、そしてインターポーザ構造 を溶剤に浸漬して最初の浸漬材料を除去する。 図１６のインターフェース構造１２６および１２８に関して説明したように、 圧潰ワイヤまたは鉛直方向ストランドワイヤへのはんだのしみ込みを防止する絶 縁物質をインターフェース構造に充填することにより、インターフェース構造を 改変することができる。はんだがインターフェース構造の深くまでしみ込むと、 構造が可撓性のない固体構造となり、熱膨張係数に関連した熱応力の有効な吸収 体とならないおそれがある。 絶縁材料は、浸漬などの方法により付与することができ、適当な溶剤に溶解し 得るポリマーまたは種々の技法で除去することのできる様々な有機および無機材 料のいずれかとすればよい。熱昇華法は、たとえばＷｏｊｎａｒｏｗｓｋｉらの 米国特許第５，４４９，４２７号（１９９５年９月１２日発行）に記載されてい る。 組立後、絶縁材料を、所望に応じて、昇華、溶剤、熱分解などの種々の方法で 除去して、インターフェース構造のばね状コンプライアンスを増加するのがよい 。 図１９は、図１８と同様の図で、インターフェース構造上にハンダ付け可能な 表面１３８を含む例を示す。インターフェース構造の上下両区域を化学処理する か、機械研磨して、はんだ付け可能なインターフェースを露出させることができ る。リベットボタンの所望区域を露出させるには、たとえばプラズマ、反応性イ オンエッチング（ＲＩＥ＝reactive ion etching）、溶剤、火炎処理、機械研磨 などを用いることができる。はんだに浸漬するか、無電解メッキでメッキするこ とによりインターフェース構造表面を予めすずメッキする工程を所望に応じて行 って、インターフェース表面の接点区域へのはんだ付けを容易にするとともに、 はんだの表面張力がインターフェース構造を接点パッドと整合するように移動す るのを助ける。 インターフェース構造を加熱し、はんだを溶融することにより、修理を行うこ とができる。絶縁材料が存在しない（絶縁材料が最初からなかったか、絶縁材料 を除去してあるいずれか）場合には、はんだがはんだ接合部からインターフェー ス構造中へしみ込み、したがって手作業の再加工を必要とせずに、過剰なはんだ が修理区域から除去される。 この発明は、平坦でない部品を組み立てる平坦（プレーナ）化技術として使用 することができる。プリント回路板などの表面はいつも平坦なわけではなく、ま た相互接続すべき表面がたとえば湾曲していることがあるので、平坦化技術は有 用である。図２０は、図１７と同様の図で、インターポーザ３３２に遊嵌したイ ンターフェース３３４により、湾曲したベース３１０のパッド３１２を表面３１ ６のパッド３１８に連結した構成を示す。 図２１は、軟質フィルム６１０に表面金属化層６１６で軟質材料６１２および ６１４を取り付けた構成の縦断面図である。軟質（可撓性）フィルム６１０を、 たとえば、ＫＡＰＴＯＮポリイミド（ＫＡＰＴＯＮはデュポン社の商標名）など の軟質ポリマーから形成するのが好ましい。１例では、軟質フィルムの厚さが約 ７．５μｍ−約１２５μｍ（０．３−５ミル）である。 軟質材料６１２および６１４は、低モジュラス軟質材料、たとえばＳＰＩ／ｅ ｐｏｘｙ、他の軟質エポキシ類、シリコーンゴム材料、ＭＵＬＴＩＰＯＳＩＴ ＸＰ−９５００熱硬化性エポキシ樹脂（ＭＵＬＴＩＰＯＳＩＴは米国マサチュー セッツ州マールボロ一所在のシップレイ社の商標名）、ＴＥＦＬＯＮポリテトラ フルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮはデュポン社の商標名）、多孔性ポリテトラフ ルオロエチレンあるいはモジュラスが小さいか、モジュラスが小さくなるように 変性した他のポリマーから形成し、その厚さは、用途および吸収すべき正味の差 動応力に応じて、約０．５ｍｍ−約１．２５０ｍｍ（２０−５０ミル）の範囲で ある。軟質材料は柔らかい柔順なインターフェースを与え、後で設けられる浮動 パッドが熱膨張係数の不一致を吸収するにつれて簡単に移動することを可能にす る。 軟質材料は、たとえば、スピンコーティング、スプレーコーティング、フィル ム光堆積、ロール塗布により塗工することができる。軟質材料は、たとえば、光 パターン化技術および／またはマスク技術により、パターン形成することができ る。図２１に示すように、軟質材料の厚さを、（軟質材料６１２で示されるよう に）均一としても、（軟質材料６１４で示されるように）変化させてもよい。軟 質材料６１４のエッジをテーパすることは、表面金属化層６１６にかかる応力を 軽減するのに有用である。 表面金属化層６１６は、たとえばスパッタリングおよび／またはメッキにより マスクを介して形成するか、あるいは表面全体に形成し、その後標準的なフォト レジストおよびエッチング法でパターン化することができる。たとえばＥｉｃｈ ｅｌｂｅｒｇｅｒらの米国特許第４，８３５，７０４号（１９８９年５月３０日 発行）に、金属化層をパターン化する有用な適応性リソグラフィシステムが記載 されている。１例では、表面金属化層は、チタンをスパッタした厚さ約１０００ −２０００Åの薄い接着層を、銅をスパッタした厚さ約３０００−５０００Åの 薄層で被覆し、さらに銅を厚さ約３μｍ−約１０μｍに電気メッキした層で被覆 した構成である。表面金属化層に適切な材料は、それが接触することになる材料 や、電子部品を使用する環境、たとえば高温環境や酸化性環境などに応じて、変 わる。表面金属化層がはんだと接触する場合には、ニッケルおよび金（厚さ約１ ０００−２０００Å）を電気メッキした銅の上に被着するのが好ましい。表面金 属化層が導電性ポリマーと接触する場合には、銅の上に被着する材料としてはチ タン（厚さ約１０００−２０００Å）が有用である。 図２２は、図２１と同様の図で、浮動パッド構造６３０を軟質フィルム６１０ に重ねて可撓性インターフェース構造６０１を形成した構成である。適当な方法 で、ビア６２４を軟質フィルム６１０に形成し、表面金属化層６１６まで到達さ せる。１例では、たとえば、Ｅｉｃｈｅｌｂｅｒｇｅｒらの米国特許第４，８９ ４，１１５号（１９９０年１月１６日発行）に記載されているように、軟質フィ ルムを高エネルギー連続波レーザで繰り返しスキャンして、所望の寸法および形 状のビアホールを形成することができる。他の方法として、たとえば、光パター ン形成可能なポリイミドを光パターニングする方法や、マスク（図示せず）とと もにエキシマレーザを用いる方法が適当である。 好適な実施例では、図２２に示すように、表面金属化層６１６の一部分６２０ が軟質材料を覆い、別の部分６２１がそこから延在して軟質フィルム６１０に接 触する。この実施例では、ビア６２４を表面金属化層の接点部分６２１まで到達 させるのが有効である。この実施例は好適な実施例であるが、ビアが軟質材料と 接触している表面金属化層の部分まで到達すれば、この発明は実施可能である。 図２３は、表面金属化層６１６の部分６２０に重なるパターン化浮動パッド構 造６３０の一つを示す平面図である。浮動パッド構造６３０のための金属化層は 、図２１の表面金属化層に関して説明したのと同様の方法で、被着し、パターン 化することができる。図２２および図２３では、浮動パッド構造が、中央パッド ６２６と、ビア６２４を通して表面金属化層６１６まで到達するパターン化延長 部６２８を含む。 中央パッド６２６の寸法は、浮動パッド構造の特定の用途にしたがってかわる 。たとえば、はんだボールまたははんだバンプを中央パッドに直接取り付ける場 合には、中央パッドがこれらの取付け部を受け入れるのに十分な大きさでなけれ ばならない。 図３ａに関して説明したように、浮動パッド構造用の金属化層の厚さは均一で あるか、変化する（中央パッドが延長部より厚い）か、いずれでもよい。１実施 例では、延長部６２８の厚さが約２μｍ−約８μｍの範囲にあり、中央パッド６ ２６の厚さが約２μｍ−約２０μｍの範囲にある。薄い延長部が厚い延長部より 一層可撓性であり、一方中央パッドが他の導電性表面への取付けに備えて十分に 厚いことが好ましいので、この実施例は有用である。上述したように、任意の数 （１個以上）の延長部を用いることができ、また延長部の形状もどのような形状 でもよい。たとえば、まっすぐな延長部、蛇行延長部、螺旋形延長部、鋸歯状延 長部、屈曲延長部、ピン止め風車形状の延長部、延長部がリングまで延び、その リングからの延長部が別のリングまで延びる配置（図示せず）などがある。 図６に関して説明したように、延長部にかかる機械的応力を軽減するためのく ぼみを軟質フィルムに意図的に形成することができる。このようなくぼみは、軟 質材料の被着前、途中または後に、たとえばエッチングや熱プレスにより形成す ることができる。くぼみを軟質フィルムに形成すれば、延長部６２８も応力除去 用のくぼみをもつことになる。所望に応じて、別の金属化層を中央パッドに被着 することができる。図示しないが、図２２および図２４−２６の実施例では、く ぼみを意図的に形成しなくても、浮動パッド構造の金属化層を被着する結果とし て、自然に有効なくぼみができると、考えられる。 図２４は、図２２と同様の図で、所望に応じて、軟質フィルムの上にはんだマ スク６３２が延在する構成を示す。中央パッド６２６を別の導電性表面またはパ ッドにはんだ付けする必要がある場合に、はんだ溶食やはんだの延長部６２８へ のはみ出しを防止するために、このマスクは有用である。はんだマスクは、はん だをマスクすることのできる材料ならいずれから形成してもよい。たとえば、Ｕ Ｖ露光し、熱硬化することのできる光パターン化可能なエポキシ樹脂がある。 図２５は、図２４と同様の図で、表面金属化層６１６を導電材料７１６を介し てベースパッド７１２に取り付けた状態を示す。導電材料は、たとえば、はんだ ボールまたは導電性ポリマーから形成すればよい。ベースパッド７１２の下側に 位置するベース部材７１０は、まだセグメント化された個別チップに切断されて いない半導体ウェーハ、ウェーハからセグメント化されたチップ、受動素子、プ リント回路（ＰＣ）板、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、Ｃｏｌｅらの米国 特許第５，５２７，７４１号（１９９６年６月１８日発行）に記載されたような 可撓性相互接続層構造から構成するか、あるいはフォトン構造、液晶構造または マイクロ電気機械構造（ＭＥＭＳ）（たとえば、本出願人に譲渡されたＧｈｅｚ ｚｏらの米国特許第５，４５４，９０４号（１９９５年１０月３日発行）に記載 された構造）を含む基板またはウェーハから構成することができる。ベースパッ ド７１２は、上述したベース部材のいずれかの上のパッドまたは金属化層から構 成することができる。 可撓性インターフェース構造は、ベース部材とは別に製作し、後ではんだによ り、あるいはたとえば銀または金エポキシなどの導電性ポリマーにより取り付け ることができる。はんだを用いる場合、はんだマスク７１４をベース部材の上に 設けることができる。ベース部材がＭＣＭからなる場合、高温鉛はんだ（たとえ ば錫１０部＋鉛９０部）が有用である。ベース部材がプリント回路板からなる場 合、低温はんだ（たとえば錫３７部＋鉛６３部）を用いることができる。 図２６は、図２５と同様の図であり、浮動パッド構造６３０を装着部材７４２ のボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）７３６を介して装着パッド７４０に取り付け た状態を示す。ＢＧＡはんだボール７３６を被着し、はんだを浮動パッド構造６ ３０に再流動させることができる。装着部材７４２は、ベース部材の構造および 装置と同様の構造および装置から構成することができる。特に有用な装着部材の 例としては、フリップチップ、表面実装部品、セラミックフィルタ、抵抗器組立 、セラミックキャパシタ、ＭＥＭＳ、はんだパッド（マイクロＢＧＡ）構造を取 り付けた大型プロセッサダイなどが挙げられる。所望に応じて、位置決めまたは 機械的理由から、可撓性インターフェース構造の表面金属化層６１６をパターン 化して、微小ＢＧＡからフルサイズＢＧＡに展開することができる。この装置を 用いて、多数の装置を同時にベース部材７１０に取り付けることができる。 図２６はさらに、軟質フィルム６１０の少なくとも一部および軟質材料６１２ および６１４の少なくとも一部を除去した状態を示す。軟質材料を除去する必要 がある場合、また（好ましくは）表面金属化層６１６が軟質材料を包囲する場合 、軟質材料を除去する前に、軟質フィルムの少なくとも一部７２８（ならびにも し被着可能なら、その上に重なるはんだマスク）を、軟質材料に隣接する表面か ら除去する必要がある。好ましくは、中央パッドまたは延長部の下側の区域から は軟質フィルムを除去しない。 この実施例では、軟質フィルムの材料は、たとえば、レーザアブレーションま たはポリマー灰化により除去できる材料となるように選択するのが好ましく、ま た軟質材料は、他の材料に干渉することなく、たとえば昇華法や溶剤などにより 除去して、開口７５０を残すことのできる材料となるように選択するのが好まし い。このような軟質フィルムの部分的除去および／または軟質材料の部分的また は全面的除去により運動自由度を高めることができる。 所望に応じて、多レベルの浮動パッド（図示せず）を用いることができる。こ のような追加の層は、単一の浮動パッド層が極端な熱応力またはひずみに対して 十分でない場合に、より大きな応力吸収部を形成するのに有効である。多層イン ターフェースの例は追加の熱−機械的分離も実現する。複数の浮動パッド構造が さらに遠く離れ、複合てこを、したがってより高い物理的自由度を与えるからで ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＡ，ＪＰ，ＭＸ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．導電性ベースパッド（１２）を有するベース表面（１０）と、 ベース表面およびベースパッド上に形成され、それを貫通してベースパッドま で延在する被膜ビア（１６）を有する順応性被膜（１４）と、 順応性被膜上でパターン化され、被膜ビア中に入り込むベース金属化層（１８ ）と、 順応性被膜に重なり、それを貫通してベース金属化層まで延在する少なくとも １個の誘電体インターフェースビア（２２）を有する低モジュラス誘電体インタ ーフェース層（２０）と、 誘電体インターフェース層の上でパターン化された浮動パッド金属化層を含み 、浮動パッド金属化層の第１部分が中央パッド（２６）を形成し、第２部分が、 中央パッドから延在し、前記少なくとも１個の誘電体インターフェースビア中に 入り込む少なくとも１つの延長部（２８）を形成する、浮動パッド構造（３０） とを備えるインターフェース。 ２．浮動パッド金属化層が中央パッド（２６）からの２個以上の延長部（２８ ）を含み、前記誘電体インターフェース層に２個以上の誘電体インターフェース ビア（２２）が設けられ、前記延長部それぞれが対応する誘電体インターフェー スビア中に入り込む、請求項１に記載のインターフェース。 ３．ベースパッドの上方で、誘電体インターフェース層および浮動パッド金属 化層のレベルがくぼんでいる、請求項２に記載のインターフェース。 ４．浮動パッド金属化層がさらに２個以上の非結合性延長部（２８ａ）を含み 、これらの非結合性延長部は誘電体インターフェースビア中に入り込まず、 前記インターフェースはさらに、前記浮動パッド構造に重なり、それを貫通し て前記２個以上の非結合性延長部まで延在する追加のビアを有する追加の誘電体 インターフェース層（３２）と、 前記追加の誘電体インターフェース層の上でパターン化された追加の浮動パッ ド金属化層を含み、追加の浮動パッド金属化層の第１部分が追加の中央パッド（ ３８）を形成し、第２部分が、中央パッドから延在し、追加のビアそれぞれに入 り込む追加の延長部（４０）を形成する、追加の浮動パッド構造（３３）とを 備える、 請求項２に記載のインターフェース。 ５．内部に少なくとも部分的に入り込む少なくとも１個の穴を有し、低モジュ ラス誘電体インターフェース材料（２１２）を含む基板（２１０）と、 前記少なくとも１個の穴を被覆する導電材料（２１４）からなり、浮動パッド 金属化層の少なくとも一部が前記少なくとも１個の穴からの少なくとも１個の延 長部（２１６）を形成している、浮動接点構造と を備えるインターフェース。 ６．さらに、 支持構造（２１８）に連結され、前記少なくとも１個の穴内に配置された導電 性ピン（２２０）と、 導電性ピンと前記浮動接点構造とを結合するはんだ（２２２）と を備える請求項５に記載のインターフェース。 ７．前記基板（２１０）がさらに、低モジュラス誘電体インターフェース材料 を取り囲む剛性材料を含む請求項６に記載のインターフェース。 ８．前記少なくとも１個の穴が基板の一部に貫入し、前記基板はさらに、少な くとも１個の穴とは反対側の表面に位置する基板パッド金属化層（２４２）を備 え、 前記インターフェースはさらに、支持構造（２１８）に連結され、前記少なく とも１個の穴内に配置された導電性ピン（２２０）と、 導電性ピンと前記浮動接点構造とを結合するはんだ（２２２）と、 上部に表面金属化パッド（２４４）を有する表面（２４０）と、 基板パッド金属化層と表面金属化パッドとを結合するはんだ（２４６）と を備える請求項５に記載のインターフェース。 ９．少なくとも１個の導電性第１接点区域（１１２）と、 前記第１接点区域と向かい合いかつ実質的に位置合わせされた少なくとも１個 の導電性第２接点区域（１１８）と、 前記第１接点区域および前記第２接点区域間に連結され、前記第１接点区域お よび前記第２接点区域間に順応性ジョイントを形成する部分的にオープンな内部 を有する少なくとも１個の電気導体からなる、少なくとも１個のインターフェー ス構造（１２２、１２４、１２６、１２８または１３０）と を備える導電接点区域インターフェース。 １０．さらに第１および第２表面（１１０および１１６）を含み、 前記少なくとも１個の第１接点区域が前記第１表面上に配置された複数の導電 性第１接点区域（１１２）の第１アレイを構成し、 前記少なくとも１個の第２接点区域が前記第２表面上に配置された複数の導電 性第２接点区域（１１８）の第２アレイを構成し、所定の第２接点区域が所定の 第１接点区域と向かい合いかつ実質的に位置合わせされ、 前記少なくとも１個のインターフェース構造が複数のインターフェース構造（ １２２、１２４、１２６、１２８および／または１３０）を構成し、各インター フェース構造が実質的に位置合わせされた１対の第１および第２接点区域に接続 された、 請求項９に記載のインターフェース。 １１．前記インターフェース構造がはんだ結合（１１４および１２０）により 実質的に位置合わせされた１対の第１および第２接点区域に接続され、前記複数 のインターフェース構造が、ワイヤメッシュ構造（１２２または１２８）、鉛直 な撚り線を含む構造（１２４および１２６）または非導電性内層（１３３）を導 電性外層（１３１）で包囲した構造（１３０）からなる、請求項１０に記載のイ ンターフェース。 １２．インターポーザ構造（１３２）が第１表面および第２表面の間に存在し 、前記インターフェース構造を包囲する、請求項１１に記載のインターフェース 。 １３．第１表面（１１０）上に配置された第１配列の導電性第１接点区域（１ １２）と第２表面（１１６）上に配置された第２配列の導電性第２接点区域（１ １８）との間に導電性接点区域インターフェース構造を製造するにあたり、 所定の第２接点区域を所定の第１接点区域と実質的に位置合わせし、 インターポーザ（１３２）を複数のインターフェース構造（１２２、１２４、 １２６、１２８および／または１３０）のまわりに、かつ第１表面と第２表面と の間に配置し、この際、インターフェース構造が対応する１対の実質的に位置合 わせされた第１および第２接点区域間に配置されるようにし、各インターフェー ス構造は、対応する１対の実質的に位置合わせされた第１接点区域および第２接 点区域間に順応性ジョイントを形成する部分的にオープンな内部を有する少なく とも１個の導体からなり、 インターフェース構造を対応する１対の実質的に位置合わせされた第１および 第２接点区域にはんだ結合（１１４および１２０）で連結する 工程を含む、導電性接点区域インターフェース構造の製造方法。 １４．インターポーザ材料をインターフェース構造のまわりに配置する工程に おいて、インターフェース構造を整形してインターポーザ材料の穴内にリベット （１３４）を形成する、請求項１３に記載の方法。 １５．インターフェース構造を整形する工程において、遊嵌リベット（１３４ ａ）を整形する、請求項１４に記載の方法。 １６．軟質フィルム（６１０）と、 軟質フィルムの一部分に被着された軟質材料（６１２または６１４）と、 軟質材料上の表面金属化層（６１６）と、 軟質フィルムにはそこを貫通して表面金属化層まで達する少なくとも１個のビ ア（６２４）が設けられ、 軟質材料および表面金属化層上でパターン化された浮動パッド金属化層を含み 、浮動パッド金属化層の第１部分が中央パッド（６２６）を形成し、第２部分が 、中央パッドから延在し、前記少なくとも１個のビア中に入り込む少なくとも１ 個の延長部（６２８）を形成する、浮動パッド構造（６３０）と を備える軟質フィルムインターフェース（６０１）。 １７．浮動パッド金属化層が中央パッドからの２個以上の延長部を含み、軟質 フィルムには２個以上のビアが設けられ、各延長部が対応するビア中に入り込む 、請求項１６に記載のインターフェース。 １８．表面金属化層のフィルム部分（６２１）が軟質フィルムと接触しており 、前記２個以上のビアが表面金属化層のフィルム部分まで達する、請求項１７に 記載のインターフェース。 １９．（ａ）軟質フィルム（６１０）と、軟質フィルムの第１部分に被着され た軟質材料（６１２または６１４）と、軟質材料および軟質フィルムの第２部分 上の表面金属化層（６１６）とを備え、軟質フィルムにはそこを貫通して軟質フ ィルムの第２部分上に配置された表面金属化層まで達する少なくとも２個のビア （６２４）が設けられ、さらに、軟質材料および表面金属化層上でパターン化さ れた浮動パッド金属化層を含み、浮動パッド金属化層の第１部分が中央パッド（ ６２６）を形成し、第２部分が、中央パッドから延在し、前記少なくとも２個の ビア中に入り込む少なくとも２個の延長部（６２８）を形成する、浮動パッド構 造（６３０）を備える軟質フィルムインターフェース（６０１）、 （ｂ）少なくとも１個の導電性ベースパッド（７１２）を有するベース部材（ ７１０）、および （ｃ）表面金属化層とベースパッドとを連結する導電材料 を備える電子パッケージ（６０２）。 ２０．導電材料がはんだボールまたは導電性ポリマーであり、 ベース部材がプリント基板、マルチチップモジュール、半導体ウェーハ、チッ プ、受動部品または可撓性相互接続層構造であり、 前記パッケージはさらに、少なくとも１個の導電性マウントパッド（７４０） を有するマウント部材（７４２）と、浮動パッド構造の中央パッドおよび前記少 なくとも１個のマウントパッドを結合する第２導電材料とを備える、 請求項１９に記載のパッケージ。