JP2002507056A - マイクロエレクトロニクス用ウエハの化学処理装置及び方法 - Google Patents

マイクロエレクトロニクス用ウエハの化学処理装置及び方法

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JP2002507056A JP2000536096A JP2000536096A JP2002507056A JP 2002507056 A JP2002507056 A JP 2002507056A JP 2000536096 A JP2000536096 A JP 2000536096A JP 2000536096 A JP2000536096 A JP 2000536096A JP 2002507056 A JP2002507056 A JP 2002507056A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、マイクロエレクトロニクス用基板として用いられる材料からなる複数枚のウエハ（１）を処理するための装置に関し、この装置は処理浴（２１）を収容可能で且つ少なくとも１枚の第１寸法のウエハ（２）を支承可能な支持手段（２２）を備えた処理槽（２０）と、第１寸法のウエハを掴んで処理槽内へ取り込み或いは処理槽外へ取り出す保持手段（２７）とを備えている。本発明は、少なくとも１枚の第１寸法よりも小さな第２寸法のウエハ（１）を支持可能な支持体（１０）を更に備え、この支持体は、前記保持手段（２７）により把持可能で且つ処理槽（２０）の支持手段（２２）上に載置可能な寸法形状を有している点に特徴を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明はマイクロエレクトロニクスの分野に関し、更に詳細には微細電子デバ
イス製造用基板として用いられる材料からなるウエハを処理する装置、特に化学
処理装置の分野に関するものである。
【０００２】 更に具体的に言えば、本発明はウエハの処理及びハンドリングのための装置と
方法、特にカセットを用いずにウエハを取り扱う所謂「カセットレス方式」と呼
ばれる方式の装置と方法に関するものである。勿論、本発明はウエハを収容する
カセットを用いた形式も対象としている。
【０００３】 従来より、一般にマイクロエレクトロニクス用ウエハの化学処理では化学薬品
からなる浴中へのウエハの浸漬が必要で、この浴の幾つかは腐食性である。
【０００４】 カセットレス方式でウエハをハンドリングして処理する場合、先ず最初に処理
用カセットの中に１バッチ分例えば２５枚のウエハが配置され、このカセットの
中から順次ウエハが取り出されて種々の異なる化学浴中に浸漬される。個々の浴
の間ではウエハは特別な櫛歯状治具により掴まれて浴から浴へと搬送される。個
々の浴中ではウエハは化学浴中に定置されたウエハ支持体上に置かれる。
【０００５】 ウエハは各処理槽に固有のウエハ支持体上に置かれ、処理中は櫛歯状治具は処
理槽外に移動する。この形式の装置では、各処理槽内のウエハ支持体を適切に設
計することにより化学処理を最適化することができる。このウエハ支持体は、体
積及び表面積をかなり小さくして化学処理に対する障害を極力少なくすることが
できる。
【０００６】 この形式の装置はまた、カセットやバスケットを処理槽間のウエハの搬送に用
いる場合、カセットやバスケット上に残留する生成物で浴が汚染されるのを回避
することができる。更には、例えば搬送用の櫛歯状治具を多重的に装備して櫛歯
状治具が異種化学組成の複数の浴に連続的に浸かるのを回避することができるの
も特筆すべきことである。この場合、ウエハが化学処理を受けている間に櫛歯状
治具を洗浄することができる。しかしながら、この形式の装置では、同一のシス
テムで種々の寸法のウエハを処理することは不可能である。即ち、櫛歯状治具は
単一タイプのウエハについてさえ適正な保持を確実とするような機械的調整が本
来的に困難であり、従って種々の寸法タイプのウエハの適正な保持を可能とする
ような調整を達成することは問題外のことである。
【０００７】 本発明の課題は、上述のような形式の装置において一つ以上の寸法タイプのウ
エハを処理することのできる低コストの手段を提供することである。
【０００８】 この課題を達成するため、マイクロエレクトロニクス用基板として用いられる
材料からなる複数枚のウエハを処理するための本発明による装置は、 処理浴を収容可能で、且つ少なくとも１枚の第１寸法のウエハを支承可能な支
持手段を備えた処理槽と、 第１寸法のウエハを掴んで処理槽内へ取り込み或いは処理槽外へ取り出す保持
手段とを備えたものにおいて、 少なくとも１枚の第１寸法よりも小さな第２寸法のウエハを支持可能な支持体
を更に備え、該支持体が前記保持手段により直接把持可能で且つ処理槽の支持手
段上に載置可能な寸法形状を有することを特徴とするものである。
【０００９】 従って、本発明による装置は、たとえ第１寸法のウエハの処理に専用のもので
あっても、第１寸法より小さな第２寸法のウエハの化学処理を行うことが可能で
ある。
【００１０】 例えば、本発明による装置を主に直径２０ｃｍのウエハの処理用のものとした
場合、本来の設計によって櫛歯状治具などの把持手段はこの直径に合うように調
整されており、また処理槽もこの寸法のウエハを載置可能なウエハ支持手段を装
備している。
【００１１】 この場合、本発明による装置は、上記櫛歯状治具で掴むことのできる寸法形状
を備えたウエハ支持体を使用してこの支持体の中に例えば直径１０ｃｍのウエハ
を置くようにしたので、１０ｃｍ径ウエハの処理にも使用可能である。
【００１２】 ウエハ支持体の寸法形状は、例えば上述の例では直径２０ｃｍの第１寸法のウ
エハと同等の形状を有するハンドリング用の保持板によって適切に定めることが
できる。
【００１３】 ウエハ支持体が上記のハンドリング用保持板を２枚備えていると更に好適であ
り、この場合、両保持板は第２寸法のウエハの処理バッチ分を直接またはカセッ
トを介して保持可能な細長い支持具で相互に連結する。
【００１４】 本発明はまた、マイクロエレクトロニクス用基板に用いられる材料からなる複
数枚のウエハを処理するに際し、少なくとも１枚の第１寸法のウエハを掴み、該
ウエハを、少なくとも１枚の第１寸法のウエハを支承可能な支持手段を備えた処
理槽内の処理浴中に浸漬させるように当初から設計されている保持手段を用いる
工程を含むウエハ処理方法も提供し、この方法は、前記工程に代えて、同一の保
持手段を用いて少なくとも１枚の第１寸法よりも小さな第２寸法のウエハを支持
可能な支持体を掴むと共に、該支持体を前記処理槽内に導入して前記支持手段上
に載置することにより前記第２寸法のウエハを前記処理浴中に浸漬させる付加工
程を有することを特徴とする。
【００１５】 本発明のその他の形態と特徴及び利点は、限定を意図しない実施形態として添
付図面を参照した以下の詳細な説明から明らかである。
【００１６】 微細電子デバイスの製造には、シリコン、石英、ガラスなどの材料からなるウ
エハが使用される。更に一般的に言えば、この種のウエハの材料は、半導体、セ
ラミック、或いはプラスチック材料であるが、勿論、本発明はこれらに限定され
るものではない。このようなウエハは、通常はほぼ円形で薄い板形状である。例
えばシリコンウエハでは、典型的なウエハ１の直径は、１０ｃｍ（４インチ）、
１２．５ｃｍ（５インチ）、１５ｃｍ（６インチ）、２０ｃｍ（８インチ）、或
いは３０ｃｍ（１２インチ）などがある。但し本発明は他の形状のウエハにも互
換性があり、例えば平面表示パネル製造用の形状を有するウエハにも適用可能で
ある。
【００１７】 本発明によれば、複数枚のウエハが種々の技術的処理プロセスに付されて電子
部品や光部品、或いは光電子部品が形成される。係るプロセスは、複数枚のウエ
ハを化学液浴２１の中で化学的に処理する一つ以上の工程を含んでいる。
【００１８】 この処理浴２１の典型例は、酸類、塩基類、溶媒類、或いは脱イオン水などの
混合液及び洗浄溶液である。処理浴２１は、薬品中央分配システムから自動供給
されて複数の処理槽２０内に収容される。処理槽２０は加熱可能であり、超音波
などで活性化することも可能である。これらの処理槽２０は化学処理システム上
でグループ化されており、ウエハはウエハローディング及び／又は搬送ステーシ
ョンを起点として或る処理槽から別の処理槽へ、そして終点のウエハ取り出しス
テーションまで自動搬送される。
【００１９】 好ましくは複数枚のウエハを例えば２５枚で１バッチとしてバッチ処理する。
化学処理工程の後に各バッチのウエハをハンドリングして第１ウエハ収納ボック
ス５に収納する。
【００２０】 図１は、第１ウエハ収納ボックス５が蓋７を閉められており、このボックスの
内部に、複数枚のウエハを収容したハンドリング及び収納用のカセット４又はバ
スケットが収容されている状態を示している。このハンドリング及び収納用のカ
セット４はプラスチック製であり、一般的に適用される化学処理浴の特性に影響
を与えるものではない。
【００２１】 以下に述べる本発明による方法の一実施形態においては、前述の支持体１０を
用いることによって２０ｃｍ径のウエハ用に設計された処理装置を１０ｃｍ径の
ウエハの化学処理に使用している。
【００２２】 以下、１０ｃｍ径のものをウエハ１、２０ｃｍ径のものをウエハ２で示す。
【００２３】 図２において、昇降システム３０がハンドリング及び収納用カセット４の中か
ら一連の１０ｃｍ径ウエハ１を取り出すと、搬送手段２６がこれら１０ｃｍ径ウ
エハ１を掴んで支持体１０内に配置する。その後、支持体１０は別のハンドリン
グ及び収納用カセット３内に収容可能であり、このカッセト３自体も例えばウエ
ハ１に対する化学処理に待機するために別の収納ボックスに収容可能である。
【００２４】 この第２のハンドリング及び収納用カセット３は、２０ｃｍ径のウエハ２を収
納可能なカセットと同一のものとすることが好ましい。
【００２５】 一般原則として、支持体１０は上述した物理的及び／又は化学的処理に適合す
るものでなければならず、またウエハを汚染するものであってはならない。この
支持体１０は、極めて高純度で化学的に不活性な材料、例えば石英や種々のプラ
スチック材或いはフッ素処理製品で製作することが好ましい。この形式の支持体
１０は、複数の保持部材１１と、ウエハ１を支持体１０上に支承しておく複数の
部材１４とを備えている。本発明を限定するものではないが、一つの実施例にお
ける保持部材１１は、一対の保持板１２と複数のバー１５からなる支持具１４と
から成っている。
【００２６】 本発明によれば、支持体１０は、２０ｃｍ径ウエハ２をハンドリングする設備
を１０ｃｍ径ウエハ１の処理に使用できるようにするためのアダプターである。
従って、その保持部材１１は２０ｃｍウエハ用設備と互換性を有する寸法形状で
なければならず、それは、この保持部材１１こそが支持体１０のハンドリング部
分であるからである。例えば、２０ｃｍ径ウエハ２の周縁部の径方向に対向する
部分を二つの櫛歯状搬送具２７で掴む方式の場合、この櫛歯状搬送具２７は保持
部材１１も同様に掴むことができなければならず、従って保持部材１１もまたほ
ぼ２０ｃｍの間隔で径方向に離れた対向保持対象部４７を有していなければなら
ない（図３のａ図及びｂ図参照）。同様に、支持体１０を処理槽２０内の底部で
２０ｃｍ径ウエハ２の支承用の支持部材２２の上に置くことができるように、保
持部材１１は支持体１０を支持部材２２上に載置可能な支承部４８を備えていな
ければならない（図３のａ図及びｂ図参照）。
【００２７】 基本的な実施形態においては、保持部材１１はウエハ２と同じ寸法（直径及び
厚さ）を有しており、それにより、ウエハ２の収納用に設計された収納ボックス
上に位置するウエハ２の把持用に設計された櫛歯状搬送具２７で掴むことができ
るようになっている。
【００２８】 但し、保持部材１１の形状はこれ以外のものとすることもでき、保持対象部４
７と支承部４８及び支持具１４の位置と寸法さえ適正であれば、化学処理を効果
的且つ均一化するように最適化することができる。図３のａ図とｂ図に係る保持
部材１１の二つの実施形態を示す。尚、これらの図においては、処理対象の大き
い方の径のウエハ２が櫛歯状搬送具２７の間に挟まれている状態を破線で示して
ある。
【００２９】 保持部材１１がウエハ２よりも厚い場合は、少なくとも保持対象部４７と支承
部４８の領域に、ハンドリング及び収納用カセット３と搬送手段２６及び櫛歯状
搬送具２７並びにウエハ支持部材２２などと共通に作用可能なエッジ部４３を設
けることが好ましい。
【００３０】 即ち、一般的にハンドリング及び収納用カセット３や搬送手段２６及び櫛歯状
搬送具２７やウエハ支持部材２２は、ノッチ４１を有する把持部４０を備えてい
る。各把持部４０に一連の複数のノッチ４１があることもあり（図４のａ図）、
或いは各把持部４０に単一のノッチ４１があることもある（図４のｂ図）。
【００３１】 図４のｂ図に特に示したように、このノッチ４１はウエハ１を位置決めできる
形状を有している。ノッチ４１の開口部両側には面取り部４２が設けられ、ウエ
ハ１をノッチ４１内へガイドするようになっている。保持部材１１がウエハ２よ
りも厚い場合は、保持部材は櫛歯状搬送具２７のノッチ４１内に直接入り込むこ
とができない。そこで、保持部材１１のエッジ部４３を把持部４０と密に確実に
係合できるような形状にしておくわけである。エッジ部４３は把持部４０の面取
り部４２と係合するテーパー形状とすることもできる（図４のｃ図）。別の変形
態様としてエッジ部４３は平坦面で突出部４４を備えたものとしてもよい（図４
のｄ図）。この場合、突出部４４の厚さはウエハ１と同等である。更に別の変形
例として、保持部材１１のエッジ部４３は把持部４０の全幅が嵌入する溝４５を
備えたものとしてもよい（図４のｅ図）。図４のｆ図に、この最後の変形態様に
対応する保持板１２が櫛歯状搬送具２７に掴まれている状態を示す。溝４５の両
縁部が領域４７で櫛歯状搬送具２７と部分的に重なっており、この領域で保持板
１２が櫛歯状搬送具２７により保持されている。
【００３２】 支持体１０の非限定的な特別な実施形態を図５に示す。この支持体１０は単一
の縦向き保持板１２と３本の水平バー１５とから構成されている。保持板１２は
バー１５の中間部に位置し、バーとは直交している。各バー１５は保持板１２に
剛性に接合されている。１０ｃｍ径ウエハ１は保持板１２の両面側で保持板１２
と平行に３本のバー１５の上へ縦向きに載置される。これら３本のバー１５は、
その長手方向に規則的な間隔で複数のノッチ４１を有している。
【００３３】 以上に概略を述べた支持体１０の更に好適な実施形態を図６及び図７に示す。
この実施形態では、２枚の縦向きの保持板１２と３本の水平バー１５とが剛性体
を形成している。第１のタイプのウエハ１は２枚の保持板１２の間でこれら保持
板と平行に３本のバー１５の上へ載置される。
【００３４】 図８及び図９は本発明の更に別の実施形態による支持体を示す斜視図及び模式
断面図であり、この支持体１０は、２枚の保持板１２と４本のバー１５とを備え
ている。各バー１５の両端は各保持板１２の内側の面上で台形の四隅に位置して
いる。このように配置により４本のバー１５は処理対象の一連のウエハ１を一括
収容したカセット６を収容保持可能なカセット保持部材１６を構成している。
【００３５】 以上の説明では１枚又は２枚の保持板１２と３本又は４本のバー１５を備えた
支持体１０を述べたが、２枚以上の保持板１２や別の本数のバー１５を備えた支
持体１０や、例えば連続的もしくは断続的な凹面など、ウエハ１のための他の形
式の支承部材１４，１５を備えた支持体の変形も可能であることは述べるまでも
ない。
【００３６】 上述の支持体１０を使用した本発明による方法の二つの実施形態を説明すれば
以下の通りである。
【００３７】 図１０は本発明によるウエハ処理方法の第１実施形態における種々の工程段階
を示しており、この実施形態では図８及び図９を参照して先に述べた支持体を使
用している。第１工程Ａでは、第１タイプのウエハ１を公知の搬送手段２６によ
りハンドリング及び収納用カセット４から取り出す。第１タイプのウエハ１は昇
降システム３０により持ち上げられ、搬送手段２６で把持されて処理用カセット
６内に移される（工程Ａ）。カセット搬送システム２８がカセット６と係合して
これを搬送し、図８及び図９に示すように該カセットを支持体１０上に載置する
（工程Ｂ）。これにより、本来は直径の大きい方の第２タイプのウエハ２を掴ん
で移動させるように設計されている櫛歯状搬送具２７が工程Ｃにおいて保持板１
２と係合できるようになり、ウエハ１の入ったカセット６を支承したまま支持体
１０を処理槽２０へ向けて移動させることができる。処理槽２０は化学処理浴２
１を収容している。支持体１０は処理槽２０の底部に向かって下降され、その保
持板１２がウエハ支持部材２２上に載置されるが、この支持部材も本来は直径の
大きいほうの第２タイプのウエハ２を支承するように設計されたものである。化
学処理が行われている間に櫛歯状搬送具２７を処理槽２０から引き上げ、必要に
応じて洗浄しておくことができる。化学処理が終了したら、支持体１０を櫛歯状
搬送具２７で掴んで引き上げ、搬送する。これにより支持体１０を別の化学処理
用処理槽へ搬送することができる。この化学処理操作が終了したら、上述の工程
Ａ，Ｂ，Ｃを時間的に逆の順序で実行すれば第１タイプのウエハ１の搬出及び／
又は収納を行うことができる。
【００３８】 図１１は本発明によるウエハ処理方法の第２実施形態における種々の工程段階
を示している。この実施形態は、二つの主要工程Ｇ及びＨを備えている。工程Ｇ
では、搬送手段２６と昇降システム３０を用いて１０ｃｍ径ウエハ１をハンドリ
ング及び収納用カセット４から支持体１０へ搬送する。次に、本来は大きい方の
ウエハ２を掴んで搬送するように設計されている櫛歯状搬送具２７が保持板１２
と係合して支持体１０を持ち上げ、これを処理槽２０の底部へ運んで処理槽底部
のウエハ支持ロッド２２の上に載置するが、これらの支持ロッドも本来は大きい
方のウエハ２を載置するために設計されているものである（工程Ｈ）。処理槽２
０には化学処理浴が収容されている。ウエハ１に対する化学処理が行われている
間に櫛歯状搬送具２７を処理槽２０の外部へ引き上げて洗浄することができる。
その後、工程ＧとＨを逆の順序で実行してウエハ１を収納ボックス４へ収容し、
或いはその途中で支持体１０を別の処理槽へ移動させて別の化学処理や洗浄を行
うこともできる。
【００３９】 以上、２０ｃｍ径ウエハの処理用に設計されている設備で１０ｃｍ径ウエハを
処理する場合について本発明の使用例を説明したが、本発明はこれ以外の如何な
る２種類の寸法形状のウエハの処理にも適用可能であることは述べるまでもない
ことである。
【００４０】 以上に述べたように、本発明による処理装置及び処理方法は、櫛歯状搬送具２
７たウエハ支持ロッド２２の付いた処理槽２０などを交換したり調整したりする
ことなく異なる寸法形状の種々のタイプのウエハ１を取り扱うことができるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ウエハ収納ボックスの模式的な断面図である。
【図２】 収容ボックスからハンドリング用カセット及びウエハ支持体への本発明による
ウエハの搬送の様子を模式的に示す説明図である。
【図３】 本発明によるウエハ支持体のハンドリング手段の二つの実施形態（ａ図及びｂ
図）を端面側から模式的に示した説明図である。
【図４】 本発明によるウエハ支持用の各部材と支持体ハンドリング手段のエッジ部の種
々の実施形態とを模式的に示す説明図で、ａ図とｂ図はそれぞれ複式と単式の支
持部材を示す断面図、ｃ図〜ｅ図は支持部材と連携動作するエッジ形状の種々の
例を示す断面図、ｆ図は搬送用櫛歯状治具と一体でｅ図に示した形状のエッジを
有する本発明によるウエハ支持体を示す正面図である。
【図５】 本発明によるウエハ支持体の非限定的な一実施形態を示す斜視図である。
【図６】 本発明によるウエハ支持体の別の非限定的な実施形態を示す斜視図である。
【図７】 図６に示した本発明によるウエハ支持体の部分的な正面図である。
【図８】 本発明によるウエハ処理方法の種々の工程段階を示す説明図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年４月３日（２０００．４．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】 米国特許第５６５７８７９号明細書にはカセット容積を調整するためのプレー トを備えたウエハ収容カセットが開示され、このカセットは、異なる寸法のウエ ハを収容可能とするために同様にカセット形状のスリーブも備えている。 またト゛イツ特許公報第４５００２０５号には異なる寸法のウエハを収容可能とす るためのアダプターを備えたウエハ収容カセットが開示されている。 従来より、一般にマイクロエレクトロニクス用ウエハの化学処理では化学薬品
からなる浴中へのウエハの浸漬が必要で、この浴の幾つかは腐食性である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA01 FA01 FA03 FA09 GA02 HA72 MA23 PA16 5F043 AA01 EE01 EE35 EE36

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロエレクトロニクス用基板として用いられる材料から
    なる複数枚のウエハ（１）を処理するための装置であって、 処理浴（２１）を収容可能で、且つ少なくとも１枚の第１寸法のウエハ（２）
    を支承可能な支持手段（２２）を備えた処理槽（２０）と、 第１寸法のウエハを掴んで処理槽内へ取り込み或いは処理槽外へ取り出す保持
    手段（２７）とを備えたものにおいて、 少なくとも１枚の第１寸法よりも小さな第２寸法のウエハ（１）を支持可能な
    支持体（１０）を更に備え、該支持体が前記保持手段（２７）により直接把持可
    能で且つ処理槽（２０）の支持手段（２２）上に載置可能な寸法形状を有するこ
    とを特徴とするウエハ処理装置。
  2. 【請求項２】 支持体（１０）が少なくとも１枚の保持板（１２）を備え、
    該保持板が第１寸法のウエハ（２）と同等の形状を有していることを特徴とする
    請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 支持体が２枚の保持板（１２）を備え、これら保持板がそれ
    ぞれ第１寸法のウエハ（２）と類似する形状を有し、両保持板が第２寸法のウエ
    ハ（１）の処理バッチ分を保持可能な支持具（１５）によって互いに連結されて
    いることを特徴とする請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 支持具が主に複数のバー（１５）からなることを特徴とする
    請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 支持具（１５）が第２寸法のウエハ（１）を直接支承可能で
    あることを特徴とする請求項３又は４のいずれか１項に記載の装置。
  6. 【請求項６】 支持具（１５）が、第２寸法のウエハ（１）を収容したカセ
    ット（６）を介して第２寸法のカセット（１）を支承可能であることを特徴とす
    る請求項３または４のいずれか１項に記載の装置。
  7. 【請求項７】 マイクロエレクトロニクス用基板として用いられる材料から
    なる複数枚のウエハ（１）を処理するに際し、少なくとも１枚の第１寸法のウエ
    ハ（２）を掴み、該ウエハ（２）を、少なくとも１枚の第１寸法のウエハ（２）
    を支承可能な支持手段（２２）を備えた処理槽（２０）内の処理浴（２１）中に
    浸漬させるように当初から設計されている保持手段（２７）を用いる工程を含む
    ウエハ処理方法において、 前記工程に代えて、同一の保持手段（２７）を用いて少なくとも１枚の第１寸
    法よりも小さな第２寸法のウエハ（１）を支持可能な支持体（１０）を掴むと共
    に、該支持体（１０）を前記処理槽（２０）内に導入して前記支持手段（２２）
    上に載置することにより前記第２寸法のウエハ（１）を前記処理浴（２１）中に
    浸漬させる付加工程を有することを特徴とするウエハ処理方法。
  8. 【請求項８】 前記付加工程に先行して前記第２寸法のウエハ（１）を前記
    支持体（１０）に直接導入する工程を備えたことを特徴とする請求項７に記載の
    方法。
  9. 【請求項９】 前記付加工程に先行して、前記第２寸法のウエハ（１）をカ
    セット（６）内に配置する工程と、該カセット（６）を前記支持体（１０）内に
    導入する工程とを備えたことを特徴とする請求項７に記載の方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030048682A (ko) * 2001-12-12 2003-06-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 습식세정장치
FR2852142B1 (fr) * 2003-03-05 2005-12-30 Installation de traitement de tranches de materiau semiconducteur
FR2857283B1 (fr) * 2003-07-09 2005-09-02 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de nettoyage de plaquettes disposant d'un circuit d'isolation du moniteur de concentration.
US7127367B2 (en) 2003-10-27 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Tailored temperature uniformity
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US8111978B2 (en) * 2008-07-11 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with shower head
US9070730B2 (en) * 2011-10-07 2015-06-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for removing a vertically-oriented substrate from a cassette
US10020213B1 (en) 2016-12-30 2018-07-10 Sunpower Corporation Semiconductor wafer carriers
JP6971137B2 (ja) * 2017-12-04 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5301700A (en) * 1992-03-05 1994-04-12 Tokyo Electron Limited Washing system
DE4300205A1 (de) * 1993-01-07 1994-07-14 Deutsche Bundespost Telekom Probenhalterung in Kassettenform
US5853496A (en) * 1995-08-08 1998-12-29 Tokyo Electron Limited Transfer machine, transfer method, cleaning machine, and cleaning method
TW310452B (ja) * 1995-12-07 1997-07-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5657879A (en) * 1996-02-05 1997-08-19 Seh America, Inc. Combination wafer carrier and storage device
DE19832038A1 (de) * 1997-07-17 1999-01-28 Tokyo Electron Ltd Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen
US6199564B1 (en) * 1998-11-03 2001-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus

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