JP2002500438A - ワークピースのチャック - Google Patents

ワークピースのチャック

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JP2002500438A JP2000526953A JP2000526953A JP2002500438A JP 2002500438 A JP2002500438 A JP 2002500438A JP 2000526953 A JP2000526953 A JP 2000526953A JP 2000526953 A JP2000526953 A JP 2000526953A JP 2002500438 A JP2002500438 A JP 2002500438A
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Abstract

(57)【要約】 ワークピースチャックは、半導体ウェハーのような平らなワークピースをその上に取り付けることができる上アッセンブリを含む。下アッセンブリは、チャックを支持するベースに設けられている。チャックに設けられた真空、ばねまたは弾性ワッシャのような非拘束アタッチメント手段は、上アッセンブリを下アッセンブリに対し保持するとともに、下アッセンブリをベースに対し保持する。さらにウェハーを上アセンブリの頂部表面に保持することが可能である。ヒータおよびヒートシンクは、底部アッセンブリに設けることができ、これによってウェハーの温度サイクルテストを可能とする。非拘束手段によってチャックを一体保持することによって、複数のチャックレイヤーは、温度の影響による膨張力の下で、連続的に互いに相対的に移動できる。チャックの機械的応力およびおよびそれによりチャックおよびワークピースが温度の影響で破壊されることは、実質的になくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の分野） 本発明は、大略的には平らなワークピースを保持するためのチャックに関し、
特に半導体ウエハーなどのワークピースを保持してその温度を制御するためのチ
ャックに関する。
【０００２】 （発明の背景） 半導体集積回路産業では、個々の集積回路チップ・ダイのコストが、ＩＣパッ
ケージのコストに比して低下し続けている。このため、様々なＩＣテストや評価
のステップを、比較的高価なパッケージステップが完了した後よりも、ダイがウ
エハーにあるうちに行うことの重要性が高まりつつある。
【０００３】 ますます、ＩＣプロセスにおいて、半導体ウエハーは一連のテスト及び評価の
ステップを経る。これらのステップにおいて、ウエハーは、処理が実行されるプ
ロセスステーションにて、静止状態に保持される。多くのプロセスでは、ウエハ
ーが極めて平坦に保持されることが重要である。例えば、回路テストは、典型的
には、ＩＣ群について広い温度範囲にわたって温度スクリーニングをするために
、ＩＣ群をパッケージに組み上げる前に、実行される。ウエハーは、典型的には
、ホストテストマシンの真空プラットホーム上に保持される。ホストテストマシ
ンは、例えばウエハー上の回路群を電気的にテストするプローブステーションな
どである。このプローバーは、テスターに接続された一群の電気プローブを備え
ており、それらプローブは、ウエハー上の回路群の予め定められた様々な部分に
対して所定の電気的励起を提供し、その励起に対する回路の応答を検出する。適
切な電気的接触がなされるよう保証し、且つ、プローブがウエハーに与える機械
的負荷を既知且つ均一なものにするために、ウエハーを非常に平坦に維持するこ
とが重要である。
【０００４】 典型的なプローバーシステムでは、ウエハーはウエハーチャックの上面の上に
載置される。ウエハーチャックは、その底面にて、プローバーの支持構造に保持
されている。典型的には、真空システムがそのチャックに接続されている。チャ
ック上面につながった一連のチャネル又は空隙領域が、ウエハーを真空引きし、
ウエハーをチャック上面に保持させる。プローバーのチャック支持構造は、ウエ
ハー回路の電気的テストを実行する際の要求に応じて、ウエハーをプローブの下
に位置させる。
【０００５】 ウエハー回路の温度スクリーニングを可能にするために、チャックは、ウエハ
ーを所望の温度まで加熱するヒータと、ウエハーを必要に応じて冷却するための
ヒートシンクを備える。これにより、このチャックに接続されたプローバーシス
テムは、所定の温度範囲内の様々な温度でウエハー回路の性能を分析するために
用いることが可能になる。
【０００６】 従来のウエハーチャックは、互いに締結された複数のコンポーネントから構成
されている。例えば、典型的なチャックは、プローバーを搭載するための底部プ
レートすなわち支持部と、その底部プレート上のヒートシンクと、そのヒートシ
ンク上のヒータと、上部プレートすなわち支持アセンブリと、を備える。上部プ
レート上にウエハーが保持される。この上部プレートは、上面を真空引きするた
めに用いられる真空チャネルを含んでいる。従来のチャックでは、これら各層の
すべてが、典型的には、ボルトやリベット等、又は他の堅固で曲がりにくい機械
的締結手段で、互いに固定されている。更に、チャックは、典型的には、ホスト
マシンの基部に対して、同様の固定手段で保持されている。
【０００７】 チャックを一体に保持したり、チャックを基部に固定したりするためのこれら
の従来手段は、チャック構造内に機械的な応力を生じさせる。チャックが温度変
化にさらされると、このような応力がチャックの変形を生じさせる傾向があり、
ウエハーの平坦性を損なう結果をもたらす。ウエハーの上面が平坦でなくなると
、プローバーにより実行される回路性能測定が不正確になる可能性がある。
【０００８】 チャックの変形は、典型的には、異なるチャック層が異なる熱膨張係数を持つ
ことによって引き起こされ、その結果、温度が変わるにつれて、異なる層が異な
る熱膨張力を受ける。各チャック層は相互に堅固に締結されているので、この力
の違いがチャックを撓ませる。チャックが変形するにつれて、膨張力がチャック
内に蓄積する。たいていのチャックでは、各層を互いに締め付けるクランプ力は
、層の間の径方向の相対移動に抗するに十分な大きさであり、撓みが増加する。
あるチャックでは、膨張力が周期的にクランプ力を超えるようになっており、各
層は互いに対して素早くぐいっと動き、蓄積された応力を解放する。この素早い
「ポッピング」動作は、予想が非常に困難であり、実質的なウエハーの形状及び
／又は位置の誤差を生じさせる可能性がある。また、このシステムでは、クラン
プ力が非常に大きいので、チャック層群は、ゼロ膨張状態まで完全に解放される
わけではない。したがって、一般に、いくらかの特定できない変形の量が各温度
にわたって常に存在する。
【０００９】 従来の機械的に拘束されたチャックアセンブリにより引き起こされるこれらの
効果は、大径チャックでは大きくなることが分かるであろう。すなわち、大径チ
ャックを一体にクランプ又はボルト留めする際の応力は、小径チャックを組み立
てる際に生じる応力よりも大きい。したがって、大きいチャックほど、温度に応
じ、小さいチャックよりもより大きく変形する傾向がある。したがって、従来の
ウエハーチャック技術を用いた場合、ウエハー径が増大を続けるにつれて、ウエ
ハーを各温度にわたって平坦状態に保持することがますます困難になる。
【００１０】 温度を周期的に変化させる（temperature cycling）のに用いられる従来のウ エハーチャックは、典型的には、チャックとプローバーの支持構造との間に良好
な熱伝導が行われるような態様で、プローバーの支持構造上に搭載される。これ
らのシステムでは、ウエハーの温度サイクルのための大量のエネルギーは、プロ
ーバーとチャックとの間の熱流の形で失われていく。また、プローバー支持構造
における温度変化は、ウエハーに空間的なずれを生じさせ、このずれがプローバ
ーの回路テストに不正確さをもたらす。
【００１１】 （発明の目的） 本発明の目的は、前述の従来装置の欠点を実質的に取り除いたワークピースチ
ャックを提供することである。
【００１２】 本発明の更なる目的は、ワークピースを支持するワークピースチャックにおい
て、広範囲の温度変化にわたって、ワークピースを実質的に平坦に保つことがで
きるようにすることである。
【００１３】 本発明の別の目的は、互いに固く、それでいて機械的に拘束されないように保
持されることにより、チャック内での熱応力及び機械的応力を低減させるワーク
ピースチャックを提供することである。
【００１４】 本発明の別の目的は、ウエハープローバーマシンのようなホストマシンの支持
構造に対して、真空やバネのような、固くそれでいて機械的に拘束しないように
保持する手段、により保持されるワークピースチャックを提供することである。
【００１５】 本発明の更に別の目的は、広範囲の温度にわたる電気的プローブテストの間、
大径の半導体ウエハーを支持し、平坦に維持することができるワークピースチャ
ックを提供することである。
【００１６】 本発明の更に別の目的は、半導体ウエハーを支持するワークピースチャックで
あって、基部上に載置可能であり、その基部を周囲の温度又はそれに近い温度に
維持しつつその半導体ウエハーを加熱及び冷却する手段を含んだワークピースチ
ャックを提供することである。
【００１７】 本発明の更に別の目的は、基部上に載置可能で、半導体ウエハーを加熱及び冷
却する手段を含み、半導体ウエハーを支持するワークピースチャックであって、
そのワークピースチャックと基部との間を熱的に分離し、エネルギー効率を改善
したワークピースチャックを提供することである。
【００１８】 （発明の概要） 本発明のこれら及び他の目的は、本発明に係るワークピースを保持するための
チャック装置及び方法により実現される。本発明のチャックは、その上にワーク
ピース、例えばウエハー、が載置される上側の支持部すなわちアセンブリと、そ
のチャックを基部に載置するための下側の支持部すなわちアセンブリを備える。
ここで、基部は、回路プローバーのようなホストマシンの支持構造などである。
概略的には、上側支持部は第１の温度により特徴づけられ、下側支持部は第二の
温度によって特徴づけられる。チャックは、更に、非拘束アタッチメント手段を
備える。この手段は、前記上側及び下側の支持部を一体的に保持し、前記下側支
持部と基部とを一体的に保持し、それら上側支持部、下側支持部、基部の間の熱
効果の相違に起因する熱膨張力によって引き起こされるチャックの各層間の実質
的に連続的な相対運動を許容する。真空やバネ、ベレヴィル（belleville）ワッ
シャなどのバネワッシャなど、それらチャック各層間の径方向の相対移動を完全
に拘束するほど十分な力でクランプされない非拘束アタッチメント手段を用いる
ことにより、従来システムの強固に組み付けられたチャックにおいて生じる機械
的応力が除去される。各層同士の相対移動は実質的に連続的であり、非拘束アタ
ッチメント手段の利用により、従来システムにおける、急に痙攣するようなポッ
ピング動作、が除去される。
【００１９】 ある態様では、上側アセンブリは絶縁材料からなる基板を備える。ある特定の
態様では、この絶縁材料はセラミックである。真空ウエハーアタッチメントを用
いる場合、この基板の上面には、ウエハーを正しい位置に保持するための、真空
引き用配気パターンが設けられる。基板は、上側アセンブリを真空引きするため
の１又は複数の真空ポートを有することが可能であり、前記上面のパターンとそ
の真空ポートとを接続する内部チャネルすなわち空洞領域を含み得る。すなわち
その基板は孔を有しており、その孔は、その基板と、その基板の上及び下に金属
表面があるならばその表面とを通り、下側支持部すなわちアセンブリの真空ポー
トに至る。
【００２０】 上面の真空配気パターンは、その上面に沿った狭いチャネルによって区切られ
た盛り上がった矩形領域の矩形状配列を含んだ「ワッフル」パターンとすること
ができ、そのチャネルを通して、ウエハーを保持するための真空引きが行われる
。この構成では、ウエハーの底面が盛り上がった矩形領域の上面に載る。
【００２１】 上面の真空配気パターンは、その上面に対して、いくつかのプロセスの一つに
より形成することができる。ある方法では、チャネル即ち「通り」のパターンは
、セラミック基板に彫られ、ウエハーの裏面に対して電気的な接触が必要な場合
は金属の層によって被覆される。別の態様では、金属の均一な層が基板の上面に
堆積され、そのあとで金属の中に向かってチャネルパターンがエッチング形成さ
れ、盛り上がった矩形の金属パッドのパターンが残る。別の態様では、セラミッ
ク基板上に矩形金属パッドの配列を成長させ、それらパッドの間にチャネルが残
る。チャックとウエハーとの間を電気的に導通するために、パターンニングされ
た真空配気層の上部に、金属の薄い層を付加することも可能である。各金属層は
、シルクスクリーンプロセスや、鍍金、スパッタリング、鑞接（brazing）その 他のプロセス、あるいはそれらの組合せにより形成することができる。 測定感
度を改善するために、回路テストの間、テストするウエハーとグランド（ground
）との間の電流漏れを低減することが望ましい場合がある。この目的のために、
本発明のチャックの基板は、当該基板の底面に接するガード層を備えることがで
きる。ガード層は、基板の底面に接触する金属の層であり、外部との電気的なア
クセスを可能にするための端子に接続されている。基板における漏れ、すなわち
キャパシタンス効果を低減するために、テスト対象の回路に供給されている励起
信号に近似的に等しい信号が、ガード層に供給される。このようにして基板の上
面及び下面を同じ電位に維持することにより、基板内の漏れ電流は実質的に低減
又は除去される。ガード層の下には絶縁面があり、この絶縁面が、テスト対象の
回路に供給される励起電流と近似的に等しい信号がそのガード層に供給されるこ
とを可能にしている。
【００２２】 前記上側及び下側のアセンブリは、真空作用により一体に保持されており、上
側アセンブリの底面には別の真空配気パターンを形成することができる。このパ
ターンは、前記基板の上面の真空パターンの形成に用いたどの手段を用いてでも
、作ることができる。このパターンは、お互いの間に同心環状真空配気領域を備
えた、複数の同心状の盛り上がった部分を形成する。ガード層は、この上側アセ
ンブリの底面真空配気パターンすなわちガード層自体の真空パターンによって、
上側アセンブリと一体に保持される。
【００２３】 下側アセンブリは、ウエハーを加熱したり冷却したりするためのヒータ及びヒ
ートシンクを備えることができる。ある態様では、ヒートシンクは、ヒータの上
に、したがってウエハーの近くに配置され、冷却時に、より効率的に熱がヒート
シンクに流れるようにしている。ヒータは、ヒートシンクの底面に対し、１又は
複数の手法で取り付けることができる。これら手法の一つは、ヒータをヒートシ
ンクに直接圧着（vulcanize）するという方法であり、別の方法は、ヒータをヒ ートシンクにエポキシを用いて接着することを含む。ヒートシンクは、流体が流
れる配管を含み得る。配管は、螺旋状の吸入部と、それとは逆向きの螺旋状の放
出部とを備えるように形成され、吸入配管は放出配管に近接し、ヒートシンクか
ら熱を効率よく均一に取り去る。ある態様では、流体は下側アセンブリの底部を
流れることができ、これによりチャックと基部との間の環境温度障壁が維持され
、チャックと基部との間の熱流が遮られる。
【００２４】 上側及び下側のアセンブリは、１個又は複数のアラインメント・ピンにより、
相互に位置決めされる。ある態様では、アラインメント・ピンは、下側アセンブ
リに圧入され、下側アセンブリの上面に突き出している。上側及び下側のアセン
ブリが一緒になる際、そのアラインメント・ピンが上側アセンブリの底面のアラ
インメント孔に嵌まり合う。ある態様では、例えばチャックの中央に位置するア
ラインメント孔は、円く、係合相手のアラインメント・ピンとの摺動可能にはま
り合うようなサイズに形成されている。別の孔は、ピンに対して一方向について
摺動可能にフィットし、ピンの直交半径方向（orthogonal radial direction） 移動を可能にするように、引き延ばした形状とされている。この構成は、相対的
な回転を防止しつつ、パーツの拡大及び収縮を可能にしている。
【００２５】 本発明は、チャックと基部の間の熱的な分離を可能とすると共に、ウエハーに
作用する機械負荷、例えばプローバーのプローブ又はプローブアレイによって引
き起こされる力に起因する負荷など、に対する十分な機械的支持を可能にする。
下側アセンブリは下側支持プレートを備え、このプレートに対してヒートシンク
を取り付けることができる。ヒートシンクは、ヒートシンク底部と下側支持プレ
０との上部との間に配置される複数の熱絶縁部材の上に載置される。これら部材
は、柱（ポスト）やロッド、円柱、球形ボールなどの形状にすることができ、直
立や横臥を含むどのような空間的姿勢でもよく、ガラスやセラミックなどの熱的
絶縁材料により形成することができる。これら部材は、チャックの下側アセンブ
リないでの熱絶縁と機械支持を可能にする。これら部材の数や配置は、要求する
チャックの剛さに基づいて選択することができる。大きい径のチャックに適度な
剛さを持たせるためには、３以上の部材（これは平面を規定するのに十分である
）を用いることができる。この理由により、非常に公差の小さい高さを持つ複数
の部材が用いられる。
【００２６】 ヒートシンクの底部には、真空シールを設けることもでき、これによりチャッ
クを基部に対して真空により取り付けることができる。リングをヒートシンクの
底部に装着することができる。このリングは、要求されるシール部、例えばＯリ
ング、等を含むことができ、チャックの底部を基部に対してシールする。リング
には、基部上のチャックを支持するとともに熱絶縁を提供する別のロッドを通す
ための開口を設けることもできる。
【００２７】 本発明に関するチャックとワークピースの温度の制御に用いられる温度制御シ
ステムは、本願と同日出願で本願と同じ譲受人に譲渡された、本願と同時係属中
の「ワークピースチャックのための温度制御システム」と題した米国特許出願に
記載した。本発明のチャックに関して用いられる電気系制御システムは、本願と
同日出願で本願と同じ譲受人に譲渡された、本願と同時係属中の「ワークピース
チャックのための電力及び制御システム」と題した米国特許出願に記載した。こ
れら同時継続中の特許出願は、参照のためにこの明細書に全体的に組み込まれる
。
【００２８】 本発明に関する前述した又はその他の目的、特徴、及び利点は、このあとの本
発明の好適な実施態様のより詳細な説明と添付図面から明らかであろう。添付図
面においては、異なる図面における類似の参照符号は、同一の部材を示すものと
する。図面は必ずしも実寸にしたがったものではなく、本発明の原理を説明する
ために強調が行われている。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明のワークピースチャック１０の一実施形態の斜視模式図であ
る。このチャック１０は、半導体ウェハーがマウントできる頂部表面１２を含ん
でいる。一実施形態では、頂部表面１２は、ウェハーの底部表面に沿って真空を
分配する下記のような分配パターンが形成され、これによってウェハーをチャッ
ク１０に保持する。チャック１０は、処理されているウェハーから熱を除去する
のに使用されるヒートシンク１４も含む。ポート１８，２０は、ヒートシンク１
４内に冷却流体を循環させることを可能とする。チャック１０は、ヒートシンク
１４の底面に取り付けられたヒータ１６も含む。下に詳述するように、チャック
１０は、プローバ（ｐｒｏｂｅｒ）マシーンのようなホストマシーンに取り付け
られるベース４８を覆う下絶縁プレート２２も含む。チャック１０の部品は、ガ
ラスや他の絶縁材料で作られたロッド２４のような複数の断熱サポート部材によ
って機械的にサポートプレート２２上に支持される。
【００３０】 チャック１０は、下記するような非拘束アタッチメント手段によって一体的に
（つかんだ状態：閉じた状態に）保持される。アタッチメント手段は、チャック
を位置決めする間、ホストマシーンによって導入される加速中にチャックを一体
的にするのに十分なクランプ（つかむ）する力を供給する。同時に、アタッチメ
ント手段は、他の熱膨張力の下で、チャック１０の複数のレイヤー（層）のそれ
ぞれが相対的に実質的に連続的に動けるようにして熱膨張の影響による横方向の
力がクランピング力を克服することができるように、拘束しないようなやり方で
チャックを保持する。
【００３１】 図２は、チャックを一体的に保持するのに真空を利用するこの発明のワークピ
ースチャック１０の一実施形態の分解模式図である。図３は、図２のチャック１
０の断面模式図である。図２および３に示すように、チャック１０は、パターン
化された頂部表面１２を含む上部アッセンブリまたはサポート２６を含む。頂部
表面１２は、ウェハーをチャックに保持するためウェハーの底面に真空を分配す
るための真空分配パターンを含む。頂部表面１２は、絶縁基板２１８を覆って形
成される。絶縁基板２８は、窒化アルミニウム、アルミナまたはこれに似たもの
のようなセラミック材料から形成され得る。頂部金属被覆層は、真空分配パター
ンの上に形成することができ、これによってテストの下でのウエハーとチャック
１０との間のよい電気的接続が提供される。金属被覆層は、頂部表面上および２
５のような基板２８の側部を覆ってスパッタされ得る。例えば穴２３内に挿入さ
れたネジまたはスタッド２７によって固定されたワイヤーおよびラグ（ｌｕｇ：
耳たぶ）によっておよびアッセンブリ２６の側部に沿ってメタルをコンタクトす
ることによって金属被覆層への電気的接続がなされる。この例では、上アッセン
ブリは、下チャック部材に真空によって取り付けられるため、セラミック基板２
８の底面にも真空分配パターンが形成され得る。
【００３２】 メタリック層３３は、基板の底面に接触するように配置され得る。このメタリ
ック層が絶縁層３５をその下面に有するとき、メタリック層は、テスト中におけ
る容量結合ノイズを除去するのに用いられる導電ガードを形成する。回路のテス
トに使用される励起（エキサイテイション：excitation）信号と実質的に同一の
信号がガードに供給される。ウェハーおよびガードを同一の電位に維持すること
によって、基板２８を介しての漏れが減少される。３１のような基板の側部に沿
ってガード３３の部分を形成することによって、ガード３３への接続がなされ得
る。導電部材は、直接ろうづけ（ブレーズ：brazing）やスタッドやコネクタを 基板２８の穴２９に挿入することによってガードに接続するために取り付け得る
。ガード層が挿入される場合、チャックの下部材への電気的導通を防止するため
に絶縁層３５がガード層の下に形成され得る。他の実施形態では、ガード３３は
、省略される。
【００３３】 図２および３における残りの部材は、チャック１０の下アッセンブリまたは下
サポート３０を構成する。下アッセンブリ３０は、動作の温度範囲に適したアル
ミニウムや銅などの材料からなる熱導通キャップ３２によってカバーされたヒー
トシンク１４を含む。キャップ３２は、ろう付（ブレージング）や他の取り付け
プロセスでヒートシンク１４の頂部に取り付けられる。
【００３４】 ヒートシンク１４は、ヒートシンク内に螺旋状に流体を通す一対のチャンネル
を含むことができる。入口チャンネル３６は、入口２０からの流体を受け入れ、
出口チャンネル３８は、ヒートシンク１４から出口１８を介し出ていく流体を通
す。チャンネルは、壁３４で仕切られている。キャップ３２がヒートシンク１４
の頂部に取り付けられたとき、壁３４は、チャンネル３６および３８を分離する
。ヒートシンク１４に入ってくる流体は、ヒートシンク１４の中心の中心領域へ
螺旋状に通り、出口１８に流体を戻る出口チャンネル３８に入る。
【００３５】 流入流体と流出流体の最大温度差は、ポート（口）１８と２０において起こる
。螺旋リターン構成は、螺旋の中心において冷却流体が除去される場合に比べ温
度はウェハー全体により均一に維持されるようにトータルの温度差を広げる。す
なわち、流体がヒートシンクの中心から排除された場合には、全体の温度差がウ
ェハーの端から中心に渡って生じる。本発明では、入口とリターンの間の温度差
は、チャンネルが互いに近接して設けらるところに維持されており、最も小さな
差がチャンネルがヒートシンクの中心で交差するところに存在し、最も大きな差
がポート１８，２０に接続されるチャンネル部分に存在する。
【００３６】 ヒートシンク１４の底面は、ヒートシンクを支持するために利用できる複数の
スタッドまたは釘（pegs）４０で形成される。チャック１０の下アッセンブリ３
０は、ヒートシンク１４の底部に取り付けられたヒータ１６を含み得る。このヒ
ータ１６は、クリアランス穴４２のパターンで形成され、ヒータ１６およびヒー
トシンク１４が互いに取り付けられたときスタッド４０はヒータ１６を通過でき
る。ヒータは、抵抗ホイルヒータでよく、加硫（vulcanizing）処理またはエポ キシ接続などによって、ヒートシンク１４の底面に貼り付けることができる。ヒ
ータ１６との電気的接続は、ヒータの端からチャックの外に突出するタブ４３を
介し行われる。
【００３７】 ヒータ１６をヒートシンク１４に貼り付けることにより、これらの間に緊密な
接触が得られる。これにより、熱は早く効果的に、ヒートシンク１４の導体を介
しワークピースの導体キャップ３２へ伝導する。加流プロセスは、ヒートシンク
１４および／またはヒータ１６にに接着剤を適用し、これらを接着することを含
む。次に、取り付けられたヒータおよびヒートシンクは、押さえつけられて加熱
され接着剤が硬化される。その結果、ヒータ１６とヒートシンク１４の間のよい
熱伝導が得られる。
【００３８】 下サポートアッセンブリ３０は、図示のようにヒートシンク１４の周辺にヒー
トシンクの底面にボルト４６によって取り付けられる上真空プラットフォームリ
ング４４を含む。上真空プラットフォームリング４４は、下真空アタッチメント
リング５０とともにチャックのベースまたは他のベースに取り付けられる真空ア
タッチメントアッセンブリの一部として使用される。ベースは、処理されるウェ
ハー上の装置の一部であり、図３において例えば想像線で示される符号４８で示
されるプローバのチャックサポート構造の頂部である。この真空アタッチメント
アッセンブリは、以下に詳述する。
【００３９】 上述したように、ヒートシンクの下表面には、ベース４８上にチャック１０を
サポートする複数の支持釘またはスタッド４０が形成される。このベース４８は
、チャック１０の底部またはホスト装置例えばプローバの一部であるサポート構
造のいずれの部分でもよい。要求される機械的サポートを提供するとともに、同
時にチャック１０のホストマシーンからの熱的絶縁を得るために、ヒートシンク
スタッド４０が図２および３に示される直立ポスト、スタッドまたはロッドの形
状の複数の熱非伝導部材２４に調和して置かれる。一実施形態において、これら
の部材２４は、セラミックやガラスなどの熱的絶縁材料で作られる。熱絶縁サポ
ート部材２４は、適切であればどのような形状であればよく、円筒、球状ボール
またはここに記載されるロッドでもよい。これらは、どのような方向でもよい。
例えば直立させても、下にねかせてもよい。ここでは、直立したロッドを使用し
て説明するが、他の形状、方向でもよい。ここで、図２においては、この部材は
、２セットのガラスロッドを含む。１セットのロッド５２は、ここに記載される
ようにヒートシンク１４に中に形成されるスタッド４０に下に位置する。図２に
示される第２のセットのガラスロッド５４第１のセットを囲むリング上に配置さ
れる。この第２のセットは、下に示すように、真空アタッチメントアッセンブリ
の中でベース４８上の周辺においてヒートシンクをサポートするために利用され
る。
【００４０】 下サポートアッセンブリ３０は、上サポートアッセンブリ２６およびしたサポ
ートアッセンブリ３０が組み合わされるときにこれらを整列するための１以上の
配列（アライメント）ピン５８を含む。このアライメントピン５８は、ヒートシ
ンク１４およびそのキャップ３２内に押し込められる適合される。このピンは、
上アッセンブリ２６およびベース４８内のアライメント穴の中に滑って適合され
る。一実施形態において、２つのアライメントピン５８が使用される。上アッセ
ンブリ２６およびベース４８は、円形の穴であって、ピンの一端を受け入れるも
のを含む。他のピンの反対側端は、上アッセンブリ２６およびベース４８のアラ
イメントスロットに受け入れられ、ベースおよびチャックの相対位置が調整可能
となる。すなわち、相対位置が変更されて、相対的な径方向の膨張、収縮に適応
される。しかし、相対回転は、中心間の移動と同様に防止される。
【００４１】 下サポートアッセンブリ３０は、下絶縁プレート２２をヒートシンク／ヒータ
の組とベース４０との間に有する。下プレート２２は、追加の熱絶縁を提供し、
部材５２とアライメントピン５８を熱的に絶縁するための複数のクリアランス穴
とともに形成することが可能である。下ベース４８は、ベールを流体を循環する
手段を含むことができる。流体は、ベース４８の冷却または温度コントロールの
ために循環される。これによって、チャックおよびベース間の熱バリアを確立し
、チャックおよびプローバサポート構造の間の熱の流れを防ぐ。
【００４２】 上述したように、下アッセンブリ３０は、チャックをベースに取り付けチャッ
クをベース上に支持する真空アタッチメントアッセンブリを含む。真空アタッチ
メントアッセンブリは、上真空プラットフォームリング４４およびした真空アタ
ッチメントリング５０を含む。下リング５０は、２つの環状リング６０，６２で
あって複数の薄肉絶縁チューブ６６によって互いに間隔を置いて対向する。絶縁
チューブはステンレススチールなどの低熱伝達材料で構成される。一例において
、２４のチューブが均等にスペースをあけて、リング６０，６２の周りに同心状
配置され、リング６０内に２４の穴６９が位置され、リング６２内に２４の整列
された穴７０が位置される。穴６８，７０のそれぞれは、円筒状に広げたカウン
ターボア（counterbore）６９，７１を含む。このカンターボア６９，７１内に は、チューブ６６の一端が位置される。チューブ６６は、オーブンブレージング
、ハンダ付その他似たプロセスによって２つのリング６０，６２へ組み合わされ
この位置に取り付けられる。
【００４３】 各リング６０，６２は、穴６８，７０のリングの反対側に形成された一対の環
状チャンネルを含む。リング６０は、穴６８の対向する側部上に２つの環状チャ
ンネル７６，７８を有する。リング６２は、穴７０の対向する側部上に２つの環
状チャンネル８０，８２を有する。各チャンネルには、Ｏ−リングが挿入されて
おり、対応するリング６０，６２の真空シールを提供する。特に、チャンネル７
６，７８は、Ｏ−リング８４，８６をそれぞれ含み、リング６０を上真空プラッ
トフォームリング４４にシールする。チャンネル８０，８２は、Ｏ−リング８８
，９０をそれぞれ含み、リング６２をベース４８にシールする。下真空アタッチ
メントリング５０は、真空アタッチメントアッセンブリに真空を供給し、ｈｃあ
っく１０をベース４８に保持するための真空ポート９２を含む真空ポート９２に
真空が供給される（真空引きされる）とき、下サポートアッセンブリ３０は、ベ
ース４８に保持される。
【００４４】 上述したように、セラミックやガラスなどの熱絶縁材料で構成される第２のセ
ットのロッド５４は、チャック１０をベース４８条に支持するための真空アタッ
チメントアッセンブリの一部として使用される。各ロッド５４は、対応する一対
の穴６８，７０内およびステンレススチールチューブ６６内に位置される。真空
が供給される時、上真空プラットフォームリング４４の表面およびベースは、そ
れらの間のロッド５４に抗して引っ張られる。Ｏ−リング８４，８６，８８，９
０は、アタッチメントとロッドの真空シールを提供し、ロッドに機械的サポート
を提供する。
【００４５】 図４は、本発明のチャック１０の上アッセンブリ２６の平面模式図であり、チ
ャック１０の頂部表面１２上の真空分配パターンの一例を示している。図示され
るように、パターンは、実際には、内側パターン１１０および外側パターン１１
２の２つのパターンを含んでいる。それぞれは、真空接続ポート１１４，１１６
にそれぞれ有している。ポート１１４、１１６は、チャンネル１２２，１２４に
よって、それぞれ真空パターン１１０、１１２に接続されている。内側および外
側パターンは、チャックを異なる直径のウェハーに適応させる。例えば、一例で
は、チャック１０は、８インチウェハーまたは１２インチウェハーのいずれにも
使用される。８インチウェハーが利用されるとき、ポート１１４に真空が供給さ
れ、内側真空パターン１１０のみが利用される。１２インチウェハーが使用され
るとき、真空が真空ポート１１４および１１６の両方に供給され、真空パターン
１１０および１１２の両方が利用される。
【００４６】 各真空パターン１１０，１１２は、チャンネルまたは溝１２８によって分離さ
れた高くされた矩形の領域１２６の矩形のグリッド（格子）を含む。チャックに
保持されているウェハーは、高くされた矩形の領域１２６上に置かれ、チャンネ
ル１２８内の真空がウェハーを下に保持する。チャンネル１２８の幅は、図４に
ｘで示されており、チャンネル間の距離は、ｙで示されている。一例では、ｘ＝
０．０２５インチ、ｙ＝０．２５０インチである。他の例では、ｘ＝０．０５０
インチ、ｙ＝０．１００インチである。多くの他の大きさが使用できる。
【００４７】 真空パターンは、いくつかの可能な方法の１つによって形成される。一例では
、パターンは、基板の表面にチャンネル１２８を研削（グラインディング）する
ことによって形成される。これによって、高くなった領域１２６がチャンネルの
間に残される。次に、表面は、導電性金属物質によってコートされる。他の例で
は、基板の頂部表面上に一定の金属層が堆積される。次に、チャンネルのパター
ンがメタル内にエッチングされる。高い矩形の金属パッドが残される。他の例で
は、高い領域は、セラミック基板上に、パッド間のチャンネルを残して矩形金属
パッドのアレイを堆積することによって形成される。チャックとウェハーの電気
的導通を提供するために、金属の薄い層がパターンが形成された真空分配層の頂
部上に追加される。これら金属層は、シルクスクリーニング、プレーティング（
メッキ）、スパッタリング、ブレージングなどで形成することができる。
【００４８】 上述のように、この発明の上およびしたサポートまたはアッセンブリは、ばね
の力によって一体的に保持されてもよい。図５は、チャックを一体的に保持する
ためにスプリングを使用するこの発明のチャックの変形例２１０を示す部分断面
図である。図５は、この発明の変形例を説明するのに必要なチャック２１０の部
分のみを示している。チャック２１０の他の部分は、図２，３の対応する部材と
同様である。
【００４９】 チャック２１０は、ヒートシンク２１４上の導電キャップ３２に真空によって
保持される上サポートまたはアッセンブリ２６を含む。ヒータ１６は、加硫また
はエポキシボンド等の貼り付け手段によってヒートシンク２１４のそこにぴった
りと取り付けられる。チャック、２１０は、ベース２４８によりホストマシーン
に取り付けられる。下サポートプレート２２は、ベース２４８とチャック２１０
の上部分の間に配置される。
【００５０】 ベース２４８は、ベース２４８の周縁端部を形成する環状フランジ２４９を含
む。下マウントリング２５０は、フランジ２４９の下に位置する。ボルト２０４
は、チャック２１０の下アッセンブリを保持する。ボルト２０４は、大きいすぎ
るクリアランス穴２１２、２１３を通ってヒートシンク２１４、下サポートプレ
ート２２２内にそれぞれ伸び、下マウントリング２５０内のねじきり穴２０２０
内にねじ込まれている。
【００５１】 チャック２１０の下アッセンブリは、ばねの力によって一体的に保持される。
ばね力は、フラットワッシャ２０５およびキャプチャー（捕獲）カップ部材２０
８によって捕らえられた部分圧縮コイルばね２０６によって提供される。テフロ
ン（商標）ワッシャ２１１は、カップ部材２０８およびヒートシンク２１４の間
に設けられ、チャック部品が異なる温度の影響で部品間で互いに相対的に滑るこ
とが可能になっており、ヒートシンク２１４とベース２４８の熱絶縁を提供して
いる。大きすぎるクリアランスホールは、チャック部品が互いに相対的に動くこ
とを可能とし、熱的絶縁を与えている。このように、チャックおよびワークピー
スの異なる温度の影響による歪みは実質的になくなる。
【００５２】 図６は、この発明のワークピースチャックの変形例３１０の部分断面図である
。この例のチャックは、ブレージングなど公知の方法でヒートシンク３１４に固
定されたキャップまたはカバー３３２によってカバーされたヒートシンク３１４
の上に取り付けられたトップアッセンブリ３２６を含む。ヒータ３１６は、加硫
またはエポキシ接合などの方法でヒートシンク３１４の底に接着される。ヒート
シンク３１４およびヒータ３１６は、ベース３４８上に設けられたサポートプレ
ート３２２上に取り付けられる。２つのアライメントピン３５８Ａおよび３５８
Ｂは、対応する穴内に押し込め適合することまたはブレージングや他の接合プロ
セスによって、キャップ３３２に取り付けられる。アライメントピン３５８Ａ、
３５８Ｂの自由端は、上アッセンブリ３２６内のアライメント穴内に突出する。
ピン３５８Ａを受け入れる中心アライメント穴は、アライメントピン３５８Ａの
自由端がすぺり適合するように円形できる。アライメントピン３５８Ｂを受け入
れる他の穴は、温度差の影響による径方向の動きを許容し、チャック３１０の不
憫間の回転を防止するために長穴にできる。
【００５３】 この例では、ベース３４８は、ボルト３２１でヒートシンク３１４に取り付け
られる。ボルト３２１は、ヒートシンク３１４内のネジ穴３１５に固定される。
本発明に従った非拘束アタッチメントを提供するために、弾性ばねタイプワッシ
ャ３２３が各ボルト３２１とともに利用される。一例では、弾性またはばねわっ
さｙ３２３は、さらばね（ベルビル）ワッシャである。これらを締め付けるため
にボルト３２１に印加されるトルクは、ワッシャ３２３を部分的に圧縮し、予想
される加速度の下でチャックを一体的に保持するために十分な力が加えられるの
に十分である。しかし、印加されるトルクは、チャック３１０を一体的に保持す
る力が熱の影響によって生じる膨張力によって解消されるように、十分低い。そ
の結果、チャック層は、加速度に対して一体的に保持されつつ、熱膨張力の下実
質的に連続的に互いに相対的に移動が可能である。ベース３４８は、ホストマシ
ンにボルト締めされ、チャック３１０をプローバサポート構造上に保持する。
【００５４】 図７は、この発明の変形例４１０の断面図である。チャック４１０は、絶縁層
４３５上に設けられたトップアッセンブリ４２６を含む。ヒートシンク４１４は
、導体上キャップ４３２によってカバーされる。導体上キャップ４３２は、ブレ
ージングや他の方法で取り付けられる。弾性、圧縮（ばね状）絶縁ペーパー４１
７は、ヒータ４１６の底に適用される。ステンレススチールなどの材料で形成さ
れたメタリック背面プレート４１９は、弾性ペーパ４１７の底にネジ（図示せず
）取り付けられる。上記ネジは、ペーパー４１７および背面プレート４１９を通
り抜け、ヒートシンク４１４にねじ込まれる。これによって、ヒータ４１６がヒ
ートシンク４１４の底面に取り付けられる。チャック４１０の上部材は、下サポ
ートプレート４２２およびベース４４８の上に設けられる。これらはホストマシ
ーンにボルト（図示せず）によって、取り付けることが可能である。
【００５５】 チャック４１０の上部分は、ベース４４８にアタッチメント機構４３７によっ
て取り付けられる。このアタッチメント機構４３７は、ヒートシンク４１４の底
の一部として一体的に設けられたボス４３９を含む。インサート４３３は、ボス
４３９の内側にブレージングなどによって固定的に形成されている。図８に詳細
が示されている３点アタッチメント部材４２７は、ベース４４８内の凹み４４１
内に固定的に設けられている。３点部材４２７は、チャック４１０が組み合わさ
れて時、インサート４３３にクリアランス（間隙）を提供する穴４５１を含む。
ネジ４２９は、インサート４３３のネジ穴４３１にねじ込まれる。ネジ４２９は
、例えばさらばねワッシャである弾性ワッシャ４２３に抗して取り付ける力を提
供する。弾性ワッシャ４２３は、フラットワッシャ４２５状に設けられる。フラ
ットワッシャ４２５は、セラミックのような絶縁材料で構成でき、チャック４１
０とプローバマシーン間の熱の流れを減少できる。ネジ４２９は、ばねワッシャ
４２３によって提供されるばね力がチャック４１０の上部部をベース４４８に保
持するために適用されるように締め付けられる。３点アタッチメント部材４２７
およびネジ４２９および弾性ワッシャ４２３を使用するばねアタッチメントは、
位置決め動作における加速度の下でベース４４８状でチャック４１０を一体的に
保持するのに十分な力を提供する一方、異なる温度の影響による歪みが実質的に
なくなるように、熱膨張力によって生じるベース４４８およびチャック４１０の
上部分の間の相対運動は許容される。
【００５６】 図８は、３点アタッチメント部材４２７の詳細断面図である。アタッチメント
部材は、チャック４１０が組み立てられた時、インサート４３３に接触する２つ
の静止球形接触ボール４４５Ｂ、４４５Ｃを有する。静止ボール４４５Ｂ、４４
５Ｃは、それぞれ調整可能セットネジ４４７Ｂおよび４４７Ｃにより静止位置に
保持される。球形ボール４４５Ａは、コイルばね４４９に対応し移動可能であり
、軸４５３に沿った移動が許容される。これによって、チャック層は、熱膨張力
の下で、相対的に移動可能となる。
【００５７】 この発明は、好適な実施例を用いて説明したが当業者によって理解されるよう
な種々の形態および詳細の変更は、以下の特許請求の範囲に記載されるようにこ
の発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るワークピースチャックの１実施態様を模式的に示す
斜視図である。
【図２】 本発明に係る、チャックの一体保持のために真空を用いる構成の
ワークピースチャックの１実施態様を模式的に示す分解斜視図である。
【図３】 チャックの一体保持のために真空を用いる図２のワークピースチ
ャックを模式的な断面図である。
【図４】 平坦なワークピースの保持のために用いられる真空配気パターン
を示す、本発明に係るチャックの上面の模式図である。
【図５】 チャックを一体保持するためにバネを用いた、本発明のワークピ
ースチャックの別の態様の模式的な部分断面図である。
【図６】 本発明のワークピースチャックの更に別の態様の模式的な部分断
面図である。
【図７】 本発明のワークピースチャックの更に別の態様の模式的な断面図
である。
【図８】 本発明に係る３点アタッチメント部材の模式的な断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M106 AA01 BA01 CA60 CA62 DJ02 5F031 CA02 HA02 HA13 HA30 HA37

Claims (65)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワークピースを支持するためのチャックであって、 その上にワークピースを載置可能な、第１の温度により特徴づけられる上側支
    持部と、 当該チャックを基部に載置するための、第二の温度によって特徴づけられる下
    側支持部と、 前記上側及び下側支持部を一体的に保持し、前記下側支持部と基部とを一体的
    に保持し、当該チャックの各層の間の熱効果の相違に起因する熱膨張力によって
    引き起こされる当該チャックのそれら各層間の実質的に連続的な相対移動を許容
    する非拘束アタッチメント手段と、 を備えるチャック。
  2. 【請求項２】 前記非拘束アタッチメント手段は真空引き手段を含む、請求
    項１のチャック。
  3. 【請求項３】 前記非拘束アタッチメント手段は少なくとの１つのバネを含
    む、請求項１のチャック。
  4. 【請求項４】 前記非拘束アタッチメント手段は少なくとも１つの弾力性の
    ワッシャを含む、請求項１のチャック。
  5. 【請求項５】 前記非拘束アタッチメント手段は、前記上側支持部上に前記
    ワークピースを保持するように適合された、請求項１記載のチャック。
  6. 【請求項６】 前記上側支持部は電気絶縁性材料を含む、請求項１のチャッ
    ク。
  7. 【請求項７】 前記上側支持部はセラミック材料を含む、請求項１のチャッ
    ク。
  8. 【請求項８】 前記非拘束アタッチメント手段は、前記ワークピースを支持
    するための、前記上側支持部上に形成されたパターン形成された上面部を含み、
    前記パターン形成された上面部上のパターンは前記ワークピースの底面を真空引
    きするのに適合している、請求項１のチャック。
  9. 【請求項９】 前記上側支持部は、前記パターン形成された上面部を覆う金
    属の層を更に含む、請求項８のチャック。
  10. 【請求項１０】 前記非拘束アタッチメント手段は、前記上側支持部上にパ
    ターン形成された下面部を備え、このパターン形成された下面部を真空引きする
    ことにより前記上側支持部を前記下側支持部に対して保持する、請求項１のチャ
    ック。
  11. 【請求項１１】 前記上側支持部は金属層を含んだガード部を備える、請求
    項１のチャック。
  12. 【請求項１２】 前記下側支持部は、当該下側支持部から突出した少なくと
    も１個のアラインメント・ピンを備え、このアラインメント・ピンは、前記上側
    支持部及び下側支持部を一体保持する際に、前記上側支持部の底面の少なくとも
    １つの対応するアラインメント孔に挿入される、請求項１のチャック。
  13. 【請求項１３】 前記少なくとも１つのアラインメント・ピンは、前記下側
    支持部に対して圧入されている、請求項１２のチャック。
  14. 【請求項１４】 少なくとも１つのアラインメント孔が、前記下側支持部と
    前記上側支持部の径方向の相対移動を可能にし、且つそれら下側支持部と上側支
    持部との間の相対的な回転を規制するするような長穴として形成された、請求項
    １２のチャック。
  15. 【請求項１５】 前記下側支持部が前記ワークピースに熱を供給するヒータ
    を備える、請求項１のチャック。
  16. 【請求項１６】 前記ヒータと前記上側支持部との間に、前記ワークピース
    の温度を制御するヒートシンクを備える、請求項１５のチャック。
  17. 【請求項１７】 前記下側支持部が前記ワークピースの温度を制御するため
    のヒートシンクを備える、請求項１のチャック。
  18. 【請求項１８】 前記ヒートシンクは、その内部に温度制御流体を循環させ
    る手段を備える、請求項１７のチャック。
  19. 【請求項１９】 前記下側支持部が前記チャックを前記基部上に支持するた
    めの複数の支持部材を備える、請求項１のチャック。
  20. 【請求項２０】 前記支持部材が熱的に非伝導性の材料から構成される、請
    求項１９のチャック。
  21. 【請求項２１】 前記支持部材がガラスからなる、請求項１９のチャック。
  22. 【請求項２２】 前記支持部材がセラミックからなる、請求項１９のチャッ
    ク。
  23. 【請求項２３】 前記支持部材が球状のボールの形状に形成される、請求項
    １９のチャック。
  24. 【請求項２４】 前記支持部材が円柱の形状に形成される、請求項１９のチ
    ャック。
  25. 【請求項２５】 前記円柱が垂直向きに配置される、請求項２４のチャック
    。
  26. 【請求項２６】 前記円柱が水平向きに配置される、請求項２４のチャック
    。
  27. 【請求項２７】 前記支持部材がポストの形状に形成される、請求項１９の
    チャック。
  28. 【請求項２８】 前記ポストが垂直向きに配置される、請求項２４のチャッ
    ク。
  29. 【請求項２９】 前記ポストが水平向きに配置される、請求項２４のチャッ
    ク。
  30. 【請求項３０】 支持部材の量が、要求されるチャック剛性に基づき選択さ
    れる、請求項１９のチャック。
  31. 【請求項３１】 前記下側支持部は、当該下側支持部の下面に取り付けられ
    たリングを備え、このリングが前記チャックと前記基部との間の真空シールを提
    供する、請求項１のチャック。
  32. 【請求項３２】 ワークピースをチャックにより支持する方法であって、 その上にワークピースを載置可能な、第１の温度により特徴づけられる上側支
    持部を設け、 当該チャックを基部に載置するための、第二の温度によって特徴づけられる下
    側支持部を設け、 前記上側及び下側支持部を非拘束的に一体保持し、前記下側支持部と基部とを
    非拘束的に一体保持し、これにより当該チャックの各層が、それら各層の間の熱
    効果の相違に起因する熱膨張力によって、相互に実質的に連続的に相対移動可能
    とする、 方法。
  33. 【請求項３３】 前記上側及び下側支持部を非拘束的に一体保持するステッ
    プは、前記チャックを真空引きするステップを含む、請求項３２の方法。
  34. 【請求項３４】 前記上側及び下側支持部を非拘束的に一体保持するステッ
    プは、前記チャックにバネを設けるステップを含む、請求項３２の方法。
  35. 【請求項３５】 前記上側及び下側支持部を非拘束的に一体保持するステッ
    プは、前記チャックに弾力性のワッシャを設けるステップを含む、請求項３２の
    方法。
  36. 【請求項３６】 前記上側支持部の上面にパターンを形成するステップを更
    に含み、このパターンは前記ワークピースの底面を真空引きして前記ワークピー
    スを前記上面に保持するのに適合している、請求項３２の方法。
  37. 【請求項３７】 前記上面にパターンを形成するステップは、前記上面の上
    に金属材料を堆積するステップを含む、請求項３６の方法。
  38. 【請求項３８】 前記上面上に金属材料を堆積するステップは、シルクスク
    リーンプロセスを含む、請求項３７の方法。
  39. 【請求項３９】 前記上面上に金属材料を堆積するステップは、鍍金プロセ
    スを含む、請求項３７の方法。
  40. 【請求項４０】 前記上面上に金属材料を堆積するステップは、スパッタリ
    ングプロセスを含む、請求項３７の方法。
  41. 【請求項４１】 前記上面上に金属材料を堆積するステップは、鑞接プロセ
    スを含む、請求項３７の方法。
  42. 【請求項４２】 前記上側支持部内に金属の層を含むガード層を形成するス
    テップを更に含む、請求項３２の方法。
  43. 【請求項４３】 前記ワークピースを加熱するためのヒータを前記下側支持
    部に設けるステップ、を更に含む請求項３２の方法。
  44. 【請求項４４】 前記ワークピースの温度を制御するためのヒートシンクを
    前記下側支持部と前記ヒータとの間に設けるステップ、を更に含む請求項４３の
    方法。
  45. 【請求項４５】 前記ワークピースの温度を制御するためのヒートシンクを
    前記下側支持部に設けるステップ、を更に含む請求項３２の方法。
  46. 【請求項４６】 前記ヒートシンクに温度制御流体を循環させる、請求項４
    ５の方法。
  47. 【請求項４７】 ワークピースの支持のためのチャックであって、 当該チャックを基部に載置するための下側支持部であって、前記下側支持部は
    第一の温度によって特徴づけられ、前記基部は第二の温度によって特徴づけられ
    る下側支持部と、 前記下側支持部と前記基部との間に設けられる熱的に非伝導性の部材であって
    、前記下側支持部を前記基部上で機械的に支持すると共に前記下側支持部を前記
    基部から熱的に絶縁し、前記下側支持部と前記基部との間の熱流を実質的に低減
    する熱的非伝導性部材と、 を備えるチャック。
  48. 【請求項４８】 前記熱的非伝導性部材はガラスからなる、請求項４７のチ
    ャック。
  49. 【請求項４９】 前記熱的非伝導性部材はセラミックからなる、請求項４７
    のチャック。
  50. 【請求項５０】 前記熱的非伝導性部材が球状のボールの形状に形成される
    、請求項４７のチャック。
  51. 【請求項５１】 前記熱的非伝導性部材が円柱の形状に形成される、請求項
    ４７のチャック。
  52. 【請求項５２】 前記円柱が垂直向きに配置される、請求項５１のチャック
    。
  53. 【請求項５３】 前記円柱が水平向きに配置される、請求項５１のチャック
    。
  54. 【請求項５４】 前記支持部材が柱の形状に形成される、請求項４７のチャ
    ック。
  55. 【請求項５５】 前記柱が垂直向きに配置される、請求項５４のチャック。
  56. 【請求項５６】 前記柱が水平向きに配置される、請求項５４のチャック。
  57. 【請求項５７】 前記熱的非伝導性部材の量が、要求されるチャック剛性に
    基づき選択される、請求項４７のチャック。
  58. 【請求項５８】 ワークピースを支持する方法であって、 当該チャックを基部に載置するための下側支持部であって、前記下側支持部は
    第一の温度によって特徴づけられ、前記基部は第二の温度によって特徴づけられ
    る下側支持部を設け、 前記下側支持部と前記基部との間に設けられる熱的に非伝導性の部材であって
    、前記下側支持部を前記基部上で機械的に支持すると共に前記下側支持部を前記
    基部から熱的に絶縁し、前記下側支持部と前記基部との間の熱流を実質的に低減
    する熱的非伝導性部材を設ける、 方法。
  59. 【請求項５９】 前記熱的非伝導性部材の量を、要求されるチャック剛性に
    応じて選択するステップを更に含む、請求項５８の方法。
  60. 【請求項６０】 ワークピースを支持するチャックであって、 その上にワークピースを支持することが可能な熱伝導性アセンブリと、 その熱伝導性アセンブリに接着され、前記熱伝導性アセンブリを通して熱を伝
    導させることにより前記ワークピースを加熱するヒータと、 を含むチャック。
  61. 【請求項６１】 前記ヒータは前記熱伝導性アセンブリに対して圧着（vulc
    anize）されている、請求項６０のチャック。
  62. 【請求項６２】 前記熱伝導性アセンブリは、前記ワークピースの温度を制
    御するための、熱伝導性支持プレートに結合されたヒートシンクを備える、請求
    項６０のチャック。
  63. 【請求項６３】 ワークピースを支持する方法であって、 その上にワークピースを支持することが可能な熱伝導性アセンブリを設け、 その熱伝導性アセンブリに接着され、前記熱伝導性アセンブリを通して熱を伝
    導させることにより前記ワークピースを加熱するヒータを設ける、 方法。
  64. 【請求項６４】 前記ヒータを前記接着ステップは、前記ヒータを前記熱伝
    導性アセンブリに圧着（vulcanize）するステップを含む、請求項６３の方法。
  65. 【請求項６５】 前記熱伝導性アセンブリがヒートシンクを備える、請求項
    ６３の方法。
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