JP2002368005A - ＧａＮ・ＨＢＴ超格子ベース構造 - Google Patents
ＧａＮ・ＨＢＴ超格子ベース構造Info
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
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- H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より高い効率およびより高い周波数の動作性
を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）を
提供すること。 【解決手段】 窒化ガリウム（GaN）層と、いろいろな
Ａｌ組成を持つ窒化アルミニウム・ガリウム（AlGaN）
層の交互層を有し、ベース層（２８）の中に傾斜超格子
構造を形成しているHBT（２０）が含まれる。ベース層
（２８）中のAlGaNの薄層がベースｐ型キャリア濃度を
増加させる。AlGaN薄層中のAl組成の傾斜がベース層
（２８）を横切って静電界を誘起し、それがキャリア速
度を増加させ、従ってキャリア走行時間を低下させる。
この構造は、従って、走行時間を減少させ、同時にｐ型
キャリア濃度を増加させてディバイスの動作効率を改善
する。
を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）を
提供すること。 【解決手段】 窒化ガリウム（GaN）層と、いろいろな
Ａｌ組成を持つ窒化アルミニウム・ガリウム（AlGaN）
層の交互層を有し、ベース層（２８）の中に傾斜超格子
構造を形成しているHBT（２０）が含まれる。ベース層
（２８）中のAlGaNの薄層がベースｐ型キャリア濃度を
増加させる。AlGaN薄層中のAl組成の傾斜がベース層
（２８）を横切って静電界を誘起し、それがキャリア速
度を増加させ、従ってキャリア走行時間を低下させる。
この構造は、従って、走行時間を減少させ、同時にｐ型
キャリア濃度を増加させてディバイスの動作効率を改善
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタ（HBT）、さらに詳しくは、既知HBTの
加工の複雑さがない、より高い効率およびより高い周波
数の動作性を有する、HBT及びHBTの製造方法に関する。
ーラトランジスタ（HBT）、さらに詳しくは、既知HBTの
加工の複雑さがない、より高い効率およびより高い周波
数の動作性を有する、HBT及びHBTの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ヘテロ
接合バイポーラトランジスタ（HBT）は、一般に、この
技術分野で公知である。このようなディバイスの例は、
ここで参照することによって全てが本明細書に含まれる
米国特許第５，３４９，２０１号、同第５，３６５，０
７７号、同第５，４０４，０２５号、並びに本出願と共
通の出願人の所有になる米国特許第５，４４８，０８７
号および同第５，６７２，５２２号の各明細書に開示さ
れている。このようなHBTは、比較的高い周波数に対す
る応答性およびより広い動作温度範囲を必要とする用途
で使用されることが知られ、例えば電力増幅器、低ノイ
ズ増幅器、並びに衛星および太陽光線利用用途における
電力変換電子回路において用いられている。
接合バイポーラトランジスタ（HBT）は、一般に、この
技術分野で公知である。このようなディバイスの例は、
ここで参照することによって全てが本明細書に含まれる
米国特許第５，３４９，２０１号、同第５，３６５，０
７７号、同第５，４０４，０２５号、並びに本出願と共
通の出願人の所有になる米国特許第５，４４８，０８７
号および同第５，６７２，５２２号の各明細書に開示さ
れている。このようなHBTは、比較的高い周波数に対す
る応答性およびより広い動作温度範囲を必要とする用途
で使用されることが知られ、例えば電力増幅器、低ノイ
ズ増幅器、並びに衛星および太陽光線利用用途における
電力変換電子回路において用いられている。
【０００３】典型的なHBTは、普通、ガリウムヒ素（GaA
s）またはインジウムリン（InP）のような半導体基板上
に形成される。コレクタ層、ベース層およびエミッタ層
は、その基板の上面にエピタキシャル形成される。さら
に詳しくは、公知のHBTでは、ｎ+ドープされたサブコレ
クタ層が基板の上面に直接形成され、続いてｎ-コレク
タ層が形成されることが知られている。コレクタ層の上
面にｐ+ベース層が形成され、続いてｎ+ドープされたエ
ミッタ層が形成される。サブコレクタ、ベースおよびエ
ミッタの各層上に、ディバイスを外部電気回路に接続す
るためのコンタクト（接点）が形成される。
s）またはインジウムリン（InP）のような半導体基板上
に形成される。コレクタ層、ベース層およびエミッタ層
は、その基板の上面にエピタキシャル形成される。さら
に詳しくは、公知のHBTでは、ｎ+ドープされたサブコレ
クタ層が基板の上面に直接形成され、続いてｎ-コレク
タ層が形成されることが知られている。コレクタ層の上
面にｐ+ベース層が形成され、続いてｎ+ドープされたエ
ミッタ層が形成される。サブコレクタ、ベースおよびエ
ミッタの各層上に、ディバイスを外部電気回路に接続す
るためのコンタクト（接点）が形成される。
【０００４】バイポーラトランジスタのベース−エミッ
タ接合の両端間に入力電圧が印加されると、ベース−エ
ミッタ接合は順方向バイアスされ、その結果として電子
がエミッタ層からベース層へと放出される。電子が、例
えば拡散によってベース−コレクタ接合に達すると、電
界が電子をコレクタ層に向ける。
タ接合の両端間に入力電圧が印加されると、ベース−エ
ミッタ接合は順方向バイアスされ、その結果として電子
がエミッタ層からベース層へと放出される。電子が、例
えば拡散によってベース−コレクタ接合に達すると、電
界が電子をコレクタ層に向ける。
【０００５】ホモ接合バイポーラトランジスタでは、正
孔が、順方向バイアスエミッタ接合の結果として、エミ
ッタ層からベース層へと放出される。正孔のベース層へ
の注入は、ディバイスのより低いカットオフ周波数とよ
り低い電流利得をもたらし、その結果としてディバイス
の効率が一層低下され、かつディバイスの動作周波数が
より低くなる。正孔の注入を低下させるために、普通
は、ベースのｐ−ドーピングがエミッタよりも低くされ
る。残念ながら、このような構成はより大きな抵抗を持
つベース層をもたらし、それがまたディバイスの出力電
力を低下させる。
孔が、順方向バイアスエミッタ接合の結果として、エミ
ッタ層からベース層へと放出される。正孔のベース層へ
の注入は、ディバイスのより低いカットオフ周波数とよ
り低い電流利得をもたらし、その結果としてディバイス
の効率が一層低下され、かつディバイスの動作周波数が
より低くなる。正孔の注入を低下させるために、普通
は、ベースのｐ−ドーピングがエミッタよりも低くされ
る。残念ながら、このような構成はより大きな抵抗を持
つベース層をもたらし、それがまたディバイスの出力電
力を低下させる。
【０００６】ヘテロ接合バイポーラトランジスタでは、
正孔注入を低下させ、従ってディバイスのベース走行時
間およびカットオフ周波数を改善するエネルギー障壁と
して作用するエミッタ層に、より広いバンドギャップの
材料が用いられる。そのディバイスの動作性をさらに改
善するために、ベース層のｐ−ドーピングはベース層の
抵抗を下げるために可能な限り大きくされる。
正孔注入を低下させ、従ってディバイスのベース走行時
間およびカットオフ周波数を改善するエネルギー障壁と
して作用するエミッタ層に、より広いバンドギャップの
材料が用いられる。そのディバイスの動作性をさらに改
善するために、ベース層のｐ−ドーピングはベース層の
抵抗を下げるために可能な限り大きくされる。
【０００７】米国特許第５，３４９，２０１号明細書
は、ベース走行時間を減少させ、動作周波数を増加さ
せ、そして電流利得を増加させる交代（alternate）材
料系を用いるHBTを開示している。
は、ベース走行時間を減少させ、動作周波数を増加さ
せ、そして電流利得を増加させる交代（alternate）材
料系を用いるHBTを開示している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】簡単に言うと、本発明
は、窒化ガリウム（GaN）層および窒化アルミニウム・
ガリウム（AlGaN）層の交互層（alternating layers）
から形成された、ベース領域中に内蔵（built-in）電界
を確立するそのような仕方で傾斜が付けられている（gr
aded）上記AlGaN層のＡｌ組成を持つ傾斜超格子構造（g
raded superlattice structure）を形成しているベース
層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
に関する。ベース層中のAlGaNの薄層は、これら層中の
ｐ型ドーパントがGaN層中にトンネル効果で入り込むの
を可能にし、かくしてｐ型ドーパントの活性化エネルギ
ーを低下させ、かつベースｐ型キャリア濃度を増加させ
る。AlGaN薄層中のＡｌ組成のこの傾斜（grading）がベ
ース層を横切って静電界を誘起し、それがエミッタから
ベースへと放出される電子の速度を増加させる。この構
造は、従って、注入電子の走行時間を減少させ、同時に
ｐ型キャリアの濃度を増加させてディバイスの動作効率
を改善する。
は、窒化ガリウム（GaN）層および窒化アルミニウム・
ガリウム（AlGaN）層の交互層（alternating layers）
から形成された、ベース領域中に内蔵（built-in）電界
を確立するそのような仕方で傾斜が付けられている（gr
aded）上記AlGaN層のＡｌ組成を持つ傾斜超格子構造（g
raded superlattice structure）を形成しているベース
層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
に関する。ベース層中のAlGaNの薄層は、これら層中の
ｐ型ドーパントがGaN層中にトンネル効果で入り込むの
を可能にし、かくしてｐ型ドーパントの活性化エネルギ
ーを低下させ、かつベースｐ型キャリア濃度を増加させ
る。AlGaN薄層中のＡｌ組成のこの傾斜（grading）がベ
ース層を横切って静電界を誘起し、それがエミッタから
ベースへと放出される電子の速度を増加させる。この構
造は、従って、注入電子の走行時間を減少させ、同時に
ｐ型キャリアの濃度を増加させてディバイスの動作効率
を改善する。
【０００９】本発明のこれらのおよび他の目的は、次の
明細および添付図面を参照すると容易に理解されるだろ
う。本発明は、改善されたベース走行時間、およびより
高効率の電力動作およびより高周波数の動作に備えるも
のである増加したベース中ｐ型キャリア濃度を有するヘ
テロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に関する。
窒化ガリウム／窒化アルミニウム・ガリウム（GaN／AlG
aN）材料系から形成されたHBTでは、ｐ型キャリア濃度
は高アクセプタ活性化エネルギーによって制限される。
本発明は、GaNとAlGaNとの交互層を利用して、活性化エ
ネルギーを効果的に低下させることによってｐ型キャリ
ア速度を効果的に増加させる傾斜超格子を形成するもの
である。より高いｐ型キャリア濃度は、より高効率の電
力動作およびより高周波数の動作を可能にする。傾斜超
格子は傾斜が付けられているベースを横切ってバンドギ
ャップエネルギーをもたらす。この傾斜がベースを横断
して静電界を誘起し、その静電界がキャリア速度を増加
させ、その速度増加がキャリア走行時間を低下させる。
例えば、以下で議論される構成の場合、HBTのアクセプ
タ活性化エネルギーは、例えば０．１２５ｅＶから０．
０９ｅＶまで減少されることが示されている。この結果
として、ベースｐ型キャリア濃度は５×１０17ｃｍ-3か
ら２×１０ 18ｃｍ-3まで増加され、またベース走行時間
は４５ｐｓから２０ｐｓまで低下される。
明細および添付図面を参照すると容易に理解されるだろ
う。本発明は、改善されたベース走行時間、およびより
高効率の電力動作およびより高周波数の動作に備えるも
のである増加したベース中ｐ型キャリア濃度を有するヘ
テロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に関する。
窒化ガリウム／窒化アルミニウム・ガリウム（GaN／AlG
aN）材料系から形成されたHBTでは、ｐ型キャリア濃度
は高アクセプタ活性化エネルギーによって制限される。
本発明は、GaNとAlGaNとの交互層を利用して、活性化エ
ネルギーを効果的に低下させることによってｐ型キャリ
ア速度を効果的に増加させる傾斜超格子を形成するもの
である。より高いｐ型キャリア濃度は、より高効率の電
力動作およびより高周波数の動作を可能にする。傾斜超
格子は傾斜が付けられているベースを横切ってバンドギ
ャップエネルギーをもたらす。この傾斜がベースを横断
して静電界を誘起し、その静電界がキャリア速度を増加
させ、その速度増加がキャリア走行時間を低下させる。
例えば、以下で議論される構成の場合、HBTのアクセプ
タ活性化エネルギーは、例えば０．１２５ｅＶから０．
０９ｅＶまで減少されることが示されている。この結果
として、ベースｐ型キャリア濃度は５×１０17ｃｍ-3か
ら２×１０ 18ｃｍ-3まで増加され、またベース走行時間
は４５ｐｓから２０ｐｓまで低下される。
【００１０】図１を参照すると、本発明によるHBTが図
解され、それは参照数字２０で一般に示されている。HB
T２０は、例えばサファイアまたは炭化ケイ素（SiC）か
ら形成された半絶縁基板２２を含んでいる。これらの基
板２２の上面にｎ+窒化ガリウム（GaN）サブコレクタ層
２４が形成される。窒化ガリウム層をエピタキシャル成
長させる方法は、ここで参照することにより本明細書に
含まれる米国特許第５，７２５，６７４号明細書に開示
されている。サブコレクタ層２４は、分子線エピタキシ
ャル成長（MBE）法を用いて、例えば１０００ｎｍの厚
さまで成長させてもよく、またケイ素（Ｓｉ）で６×１
０18ｃｍ-3の濃度までドープしてもよい。サブコレクタ
層２４の一部分にそれを覆ってｎ-GaNコレクタ層２６
が、例えばMBE法で形成される。サブコレクタ層２４の
一部分だけを覆ってコレクタ層２６を形成するのに、常
用のフォトリソグラフィ技術を用いてもよい。
解され、それは参照数字２０で一般に示されている。HB
T２０は、例えばサファイアまたは炭化ケイ素（SiC）か
ら形成された半絶縁基板２２を含んでいる。これらの基
板２２の上面にｎ+窒化ガリウム（GaN）サブコレクタ層
２４が形成される。窒化ガリウム層をエピタキシャル成
長させる方法は、ここで参照することにより本明細書に
含まれる米国特許第５，７２５，６７４号明細書に開示
されている。サブコレクタ層２４は、分子線エピタキシ
ャル成長（MBE）法を用いて、例えば１０００ｎｍの厚
さまで成長させてもよく、またケイ素（Ｓｉ）で６×１
０18ｃｍ-3の濃度までドープしてもよい。サブコレクタ
層２４の一部分にそれを覆ってｎ-GaNコレクタ層２６
が、例えばMBE法で形成される。サブコレクタ層２４の
一部分だけを覆ってコレクタ層２６を形成するのに、常
用のフォトリソグラフィ技術を用いてもよい。
【００１１】本発明の１つの重要な側面によれば、コレ
クタ−ベース界面３０においては低い値を持ち、そして
キャリア速度を増加させ、従ってディバイスの走行時間
を減少させる静電界をベース層２８の中に生じさせるエ
ミッタ−ベース界面３２においてはより高い値を持つ一
定でないバンドギャップエネルギーを有するベース層２
８が形成される。例えば、ベース層２８は、AlGaN／GaN
の交互層より成る超格子から形成されてもよい。ここで
参照することにより本明細書に含まれる米国特許第５，
８３１，２７７号明細書は、AlxN(1-x)／GaN超格子構造
を形成する系を開示している。特に、超格子ベース層２
８はコレクタ層２６の上面に形成される。この超格子ベ
ース層２８は周期的AlGaN−GaN層からMBE法によって１
５０ｎｍの総厚さまで形成される。各GaN層は未ドープ
であってもよく、また３ｎｍの厚さまで形成されてもよ
い。AlGaN層は１ｎｍの厚さまで形成されてもよく、マ
グネシウム・Ｍｇで１×１０19ｃｍ-3のレベルまでドー
プされてもよく、この場合アルミニウム・Ａｌ組成はコ
レクタ−ベース界面３０において０．０５であり、そし
てエミッタ−ベース界面３２に向かって連続的に増加し
てエミッタ−ベース界面３２において０．３０という最
終値になってもよい。図２は、本発明の１態様のエミッ
タ−ベース金属接合からの距離の関数としての、ベース
層中のＡｌ組成の１例を示すものである。図１に戻って
説明すると、ベース層２８を形成している交互AlGaN／G
aN層中のAlGaNの薄層は、ベース層２８の中のｐ型濃度
を増加させ、これが高電力効率および高周波数動作を増
加させる。
クタ−ベース界面３０においては低い値を持ち、そして
キャリア速度を増加させ、従ってディバイスの走行時間
を減少させる静電界をベース層２８の中に生じさせるエ
ミッタ−ベース界面３２においてはより高い値を持つ一
定でないバンドギャップエネルギーを有するベース層２
８が形成される。例えば、ベース層２８は、AlGaN／GaN
の交互層より成る超格子から形成されてもよい。ここで
参照することにより本明細書に含まれる米国特許第５，
８３１，２７７号明細書は、AlxN(1-x)／GaN超格子構造
を形成する系を開示している。特に、超格子ベース層２
８はコレクタ層２６の上面に形成される。この超格子ベ
ース層２８は周期的AlGaN−GaN層からMBE法によって１
５０ｎｍの総厚さまで形成される。各GaN層は未ドープ
であってもよく、また３ｎｍの厚さまで形成されてもよ
い。AlGaN層は１ｎｍの厚さまで形成されてもよく、マ
グネシウム・Ｍｇで１×１０19ｃｍ-3のレベルまでドー
プされてもよく、この場合アルミニウム・Ａｌ組成はコ
レクタ−ベース界面３０において０．０５であり、そし
てエミッタ−ベース界面３２に向かって連続的に増加し
てエミッタ−ベース界面３２において０．３０という最
終値になってもよい。図２は、本発明の１態様のエミッ
タ−ベース金属接合からの距離の関数としての、ベース
層中のＡｌ組成の１例を示すものである。図１に戻って
説明すると、ベース層２８を形成している交互AlGaN／G
aN層中のAlGaNの薄層は、ベース層２８の中のｐ型濃度
を増加させ、これが高電力効率および高周波数動作を増
加させる。
【００１２】エミッタ層３４は、例えばMBE法でベース
層２８の上面に形成される。エミッタ層３４はAlGaNか
ら１５０ｎｍの厚さまで形成されてもよく、またケイ素
で６×１０18ｃｍ-3の濃度においてドープされてもよ
い。
層２８の上面に形成される。エミッタ層３４はAlGaNか
ら１５０ｎｍの厚さまで形成されてもよく、またケイ素
で６×１０18ｃｍ-3の濃度においてドープされてもよ
い。
【００１３】コレクタ、ベースおよびエミッタの各コン
タクトは常用の金属堆積およびリフトオフ技術により形
成される。さらに詳しくは、コレクタコンタクト３６は
サブコレクタ層２４の上に形成され、ベースコンタクト
３８はベース層２８の上面に形成され、一方エミッタコ
ンタクト４０はエミッタ層３４の上面に形成される。
タクトは常用の金属堆積およびリフトオフ技術により形
成される。さらに詳しくは、コレクタコンタクト３６は
サブコレクタ層２４の上に形成され、ベースコンタクト
３８はベース層２８の上面に形成され、一方エミッタコ
ンタクト４０はエミッタ層３４の上面に形成される。
【００１４】明らかに、上記の教示に照らして、本発明
には数多くの修正および変更が可能である。従って、本
発明は、前記特許請求の範囲内で、上記で具体的に述べ
た方法以外の他の方法でも実施できることが理解される
べきである。
には数多くの修正および変更が可能である。従って、本
発明は、前記特許請求の範囲内で、上記で具体的に述べ
た方法以外の他の方法でも実施できることが理解される
べきである。
【００１５】特許請求され、そして米国特許で保証され
ることが求められるものは、前記特許請求の範囲に記載
されるとおりである。
ることが求められるものは、前記特許請求の範囲に記載
されるとおりである。
【図１】本発明による傾斜超格子ベース層を有するHBT
を図解するものである。
を図解するものである。
【図２】本発明の１態様のエミッタからの距離の関数と
しての、ベース層中のＡｌ組成のグラフを示す。
しての、ベース層中のＡｌ組成のグラフを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F003 BB01 BB04 BC01 BF06 BG06 BM01 BM02 BM03 BN09 BP32 BP95
Claims (8)
- 【請求項１】基板；ｎ＋ドープＧａＮサブコレクタ層；
ｎ−ドープＧａＮコレクタ層；超格子を形成するＡｌＧ
ａＮ／ＧａＮの交互層から形成されるベースコレクタ界
面を画定する前記コレクタ層の上に形成されたベース
層；ｎ＋ドープＡｌＧａＮ層；エミッタベース界面を画
定する前記ベース層の上に形成されるｎ＋ＡｌＧａＮエ
ミッタ層；前記ベース層の上に形成されるベースコンタ
クト；前記サブコレクタの上に形成されるコレクタコン
タクト；及び前記エミッタの上に形成されるエミッタコ
ンタクト；を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）。 - 【請求項２】前記ＡｌＧａＮ層におけるＡｌ濃度が不規
則である請求項１に記載のＨＢＴ。 - 【請求項３】基板；ｎ＋ドープＧａＮサブコレクタ層；
ｎ−ドープＧａＮコレクタ層；超格子を形成するＡｌＧ
ａＮ／ＧａＮの交互層から形成されるベースコレクタ界
面を画定する前記コレクタ層の上に形成されたベース
層；ｎ＋ドープＡｌＧａＮ層；エミッタベース界面を画
定する前記ベース層の上に形成されるｎ＋ＡｌＧａＮエ
ミッタ層（該エミッタベース界面におけるＡｌ濃度は、
前記ベースコレクタ界面よりも該エミッタベース界面に
おける方が大きい）；前記ベース層の上に形成されるベ
ースコンタクト；前記サブコレクタの上に形成されるコ
レクタコンタクト；及び前記エミッタの上に形成される
エミッタコンタクト；を含むヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタ（ＨＢＴ）。 - 【請求項４】前記交互ＡｌＧａＮ層は、Ａｌ濃度が傾斜
するように形成される請求項１に記載のＨＢＴ。 - 【請求項５】サファイア及び炭化ケイ素からなる群から
選ばれる材料から形成される基板；ｎ＋ドープＧａＮサ
ブコレクタ層；ｎ−ドープＧａＮコレクタ層；超格子を
形成するＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互層から形成されるベ
ースコレクタ界面を画定する前記コレクタ層の上に形成
されたベース層；ｎ＋ドープＡｌＧａＮ層；エミッタベ
ース界面を画定する前記ベース層の上に形成されるｎ＋
ＡｌＧａＮエミッタ層；前記ベース層の上に形成される
ベースコンタクト；前記サブコレクタの上に形成される
コレクタコンタクト；及び前記エミッタの上に形成され
るエミッタコンタクト；を含むヘテロ接合バイポーラト
ランジスタ（ＨＢＴ）。 - 【請求項６】（ａ）基板の上にサブコレクタ層を形成す
る工程； （ｂ）該サブコレクタ層の上にコレクタ層を形成する工
程； （ｃ）ベースコレクタ界面を画定する該コレクタ層の上
にベース層を形成する工程（該ベース層は不規則バンド
ギャップエネルギーと共に形成される）； （ｄ）ベースコレクタ界面を画定する該ベース層の上に
エミッタ層を形成する工程；及び （ｅ）該ベース、サブコレクタ及びエミッタ層の上にコ
ンタクトを形成する工程；を含むヘテロ接合バイポーラ
トランジスタを製造する方法。 - 【請求項７】前記ベース層が形成される請求項６に記載
の方法。 - 【請求項８】（ａ）基板の上にサブコレクタ層を形成す
る工程； （ｂ）該サブコレクタ層の上にコレクタ層を形成する工
程； （ｃ）ベースコレクタ界面を画定する該コレクタの上に
ＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互層の超格子としてベース層を
形成する工程（該ベース層は不規則バンドギャップエネ
ルギーと共に形成される）； （ｄ）ベースコレクタ界面を画定する該ベース層の上に
エミッタ層を形成する工程；及び （ｅ）該ベース、サブコレクタ及びエミッタ層の上にコ
ンタクトを形成する工程；を含むヘテロ接合バイポーラ
トランジスタを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|
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| JP6986349B2 (ja) | 2014-05-27 | 2021-12-22 | シランナ・ユー・ブイ・テクノロジーズ・プライベート・リミテッドSilanna Uv Technologies Pte Ltd | ｎ型超格子及びｐ型超格子を備える電子デバイス |
| US11322643B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-05-03 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Optoelectronic device |
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| CN113809156B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-07-23 | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 | 一种化合物半导体材料的hbt外延结构及其制备方法 |
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2001
- 2001-04-12 US US09/833,372 patent/US20020149033A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-04-03 TW TW091106733A patent/TW554527B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-11 JP JP2002108650A patent/JP2002368005A/ja active Pending
- 2002-04-11 EP EP02008132A patent/EP1249872A3/en not_active Withdrawn
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