JP2002367251A - 光磁気記録媒体装置 - Google Patents
光磁気記録媒体装置Info
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10595—Control of operating function
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10556—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving or switching or masking the transducers in or out of their operative position
- G11B11/10563—Access of indexed parts
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】媒体へのアクセス性能を低下させずに消費電流
を抑制することができる光磁気記録媒体装置を提供す
る。 【解決手段】光磁気記録媒体装置は、キャリッジにシー
ク電流が印加されるシーク中において、バイアスコイル
に印加するバイアス電流を所定の電流制限手段により制
限する。これにより、シーク電流とバイアス電流を合計
した加算電流のピークを低減することができ、装置全体
の消費電流も抑制することができる。電流制限手段は、
例えば、媒体アクセス時に必要なバイアス電流の規定値
より小さいバイアス電流を設定したり、シーク電流とバ
イアス電流の合計が許容電流を超えないように、バイア
ス電流値を設定する。
を抑制することができる光磁気記録媒体装置を提供す
る。 【解決手段】光磁気記録媒体装置は、キャリッジにシー
ク電流が印加されるシーク中において、バイアスコイル
に印加するバイアス電流を所定の電流制限手段により制
限する。これにより、シーク電流とバイアス電流を合計
した加算電流のピークを低減することができ、装置全体
の消費電流も抑制することができる。電流制限手段は、
例えば、媒体アクセス時に必要なバイアス電流の規定値
より小さいバイアス電流を設定したり、シーク電流とバ
イアス電流の合計が許容電流を超えないように、バイア
ス電流値を設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
対する記録・再生を制御する光磁気記録媒体装置に関
し、特に、消費電流を抑制する光磁気記録媒体装置に関
する。
対する記録・再生を制御する光磁気記録媒体装置に関
し、特に、消費電流を抑制する光磁気記録媒体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体装置では、光磁気記録媒
体への記録時、及び消去時、さらには、近年実用化され
たいわゆるＭＳＲ媒体（磁気超解像を用いた光磁気記録
媒体）については、再生時においても、光磁気記録媒体
に対してバイアス磁界を印加する必要がある。バイアス
磁界発生手段として、コイルが利用されるが、コイルに
バイアス電流を流すと、コイルのインダクタンスが影響
して電流の立ち上がりが鈍ることを考慮する必要があ
る。
体への記録時、及び消去時、さらには、近年実用化され
たいわゆるＭＳＲ媒体（磁気超解像を用いた光磁気記録
媒体）については、再生時においても、光磁気記録媒体
に対してバイアス磁界を印加する必要がある。バイアス
磁界発生手段として、コイルが利用されるが、コイルに
バイアス電流を流すと、コイルのインダクタンスが影響
して電流の立ち上がりが鈍ることを考慮する必要があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】例えば、レーザビーム
を媒体面に導くキャリッジを、媒体のトラックを横切る
方向（半径方向）に移動させ、媒体面上の目的位置に位
置付けを行うためのシークが行われる場合、シーク後に
コイルにバイアス電流を流し始めても、電流の立ち上が
りが鈍いために、規定の大きさのバイアス磁界が発生す
るまでに所定時間がかかり、記録・消去・再生タイミン
グ（以下、アクセスタイミングと称す場合がある）に間
に合わない場合が想定される。
を媒体面に導くキャリッジを、媒体のトラックを横切る
方向（半径方向）に移動させ、媒体面上の目的位置に位
置付けを行うためのシークが行われる場合、シーク後に
コイルにバイアス電流を流し始めても、電流の立ち上が
りが鈍いために、規定の大きさのバイアス磁界が発生す
るまでに所定時間がかかり、記録・消去・再生タイミン
グ（以下、アクセスタイミングと称す場合がある）に間
に合わない場合が想定される。
【０００４】図１２は、シーク後にバイアス電流を流す
場合を説明する図である。図１２に示されるように、シ
ーク中（時刻t1〜t2）は、トラックエラー信号（ＴＥ
Ｓ）に基づいて、キャリッジの移動（シーク）を制御す
る信号（シーク電流指示信号）が出力され、それに応じ
たシーク電流が発生する。そして、シーク後（時刻t3）
に、規定値のバイアス磁界を発生させるためのバイアス
電流指示信号が出力され、それに従って、バイアス電流
が発生する。しかしながら、図１２の場合、バイアス電
流の立ち上がりが鈍いために、アクセスタイミング（時
刻t4）において、バイアス電流が規定値まで達せず、規
定値のバイアス磁界の印加が間に合わず、記録・消去・
再生が正常に行われない。
場合を説明する図である。図１２に示されるように、シ
ーク中（時刻t1〜t2）は、トラックエラー信号（ＴＥ
Ｓ）に基づいて、キャリッジの移動（シーク）を制御す
る信号（シーク電流指示信号）が出力され、それに応じ
たシーク電流が発生する。そして、シーク後（時刻t3）
に、規定値のバイアス磁界を発生させるためのバイアス
電流指示信号が出力され、それに従って、バイアス電流
が発生する。しかしながら、図１２の場合、バイアス電
流の立ち上がりが鈍いために、アクセスタイミング（時
刻t4）において、バイアス電流が規定値まで達せず、規
定値のバイアス磁界の印加が間に合わず、記録・消去・
再生が正常に行われない。
【０００５】このような場合、例えば、バイアス電流を
流したまま、１トラック内側に再シークが行われ、そこ
からの媒体の回転により、キャリッジを目標位置に再度
位置決めするリカバリ処理が実行されるが、無駄な時間
と電流を消費してしまう。
流したまま、１トラック内側に再シークが行われ、そこ
からの媒体の回転により、キャリッジを目標位置に再度
位置決めするリカバリ処理が実行されるが、無駄な時間
と電流を消費してしまう。
【０００６】このような不都合を解消するために、シー
クを開始する前、又はシーク中にバイアス電流を流す方
法が知られている。
クを開始する前、又はシーク中にバイアス電流を流す方
法が知られている。
【０００７】図１３は、シーク前にバイアス電流を流す
場合を説明する図である。図１３に示されるように、シ
ーク開始（時刻t1）より前（時刻t0）に、規定値のバイ
アス磁界を発生させるためのバイアス電流指示信号が出
力され、それに従って、バイアス電流をあらかじめ流し
ておく。従って、バイアス電流は、シーク中に規定値ま
で達する。そして、バイアス電流を流したままの状態
で、トラックエラー信号（ＴＥＳ）基づいたシーク電流
指示信号が出力され、それに応じたシーク電流が発生す
る。そして、この場合、シーク後（時刻t2）のアクセス
タイミング（時刻t4）においては、バイアス電流は既に
規定値まで達しているので、シーク後に即消去・記録・
再生を開始することができる。
場合を説明する図である。図１３に示されるように、シ
ーク開始（時刻t1）より前（時刻t0）に、規定値のバイ
アス磁界を発生させるためのバイアス電流指示信号が出
力され、それに従って、バイアス電流をあらかじめ流し
ておく。従って、バイアス電流は、シーク中に規定値ま
で達する。そして、バイアス電流を流したままの状態
で、トラックエラー信号（ＴＥＳ）基づいたシーク電流
指示信号が出力され、それに応じたシーク電流が発生す
る。そして、この場合、シーク後（時刻t2）のアクセス
タイミング（時刻t4）においては、バイアス電流は既に
規定値まで達しているので、シーク後に即消去・記録・
再生を開始することができる。
【０００８】しかしながら、この場合、シーク電流とバ
イアス電流が同時に流れるため、シーク電流とバイアス
電流を合計した消費電流のピーク値が大きくなってしま
う。近年、シーク性能の向上に伴って、シーク電流も増
大し、また、媒体の高密度化に伴って、より大きな磁界
が必要となることから、バッテリ電池駆動やインターフ
ェース経由の装置の電源供給の要望に応じるべく、バイ
アス電流も増大の傾向にある。また、再生磁界を必要と
する媒体の場合、磁性膜の特性上、大きなバイアス磁界
を必要とすることがあり、場合によっては、記録・消去
磁界よりも大きな磁界が要求されることがある。このよ
うな状況下において、消費電流の低減が要求されてい
る。
イアス電流が同時に流れるため、シーク電流とバイアス
電流を合計した消費電流のピーク値が大きくなってしま
う。近年、シーク性能の向上に伴って、シーク電流も増
大し、また、媒体の高密度化に伴って、より大きな磁界
が必要となることから、バッテリ電池駆動やインターフ
ェース経由の装置の電源供給の要望に応じるべく、バイ
アス電流も増大の傾向にある。また、再生磁界を必要と
する媒体の場合、磁性膜の特性上、大きなバイアス磁界
を必要とすることがあり、場合によっては、記録・消去
磁界よりも大きな磁界が要求されることがある。このよ
うな状況下において、消費電流の低減が要求されてい
る。
【０００９】そこで、本発明の目的は、媒体へのアクセ
ス性能を低下させずに消費電流を抑制することができる
光磁気記録媒体装置を提供することにある。
ス性能を低下させずに消費電流を抑制することができる
光磁気記録媒体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光磁気記録媒体装置は、キャリッジにシー
ク電流が印加されるシーク中において、バイアスコイル
に印加するバイアス電流を所定の電流制限手段により制
限する。これにより、シーク電流とバイアス電流を合計
した加算電流のピークを低減することができ、装置全体
の消費電流も抑制することができる。
に、本発明の光磁気記録媒体装置は、キャリッジにシー
ク電流が印加されるシーク中において、バイアスコイル
に印加するバイアス電流を所定の電流制限手段により制
限する。これにより、シーク電流とバイアス電流を合計
した加算電流のピークを低減することができ、装置全体
の消費電流も抑制することができる。
【００１１】電流制限手段は、例えば、媒体アクセス時
に必要なバイアス電流の規定値より小さいバイアス電流
を設定したり、シーク電流とバイアス電流の合計が許容
電流を超えないように、バイアス電流値を設定する。
に必要なバイアス電流の規定値より小さいバイアス電流
を設定したり、シーク電流とバイアス電流の合計が許容
電流を超えないように、バイアス電流値を設定する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。しかしながら、本発明の技術的範囲が、本
実施の形態に限定されるものではない。
て説明する。しかしながら、本発明の技術的範囲が、本
実施の形態に限定されるものではない。
【００１３】図１は、本発明の実施の形態における光磁
気記録媒体装置のブロック構成例を示す図である。図１
において、光磁気記録媒体装置は、インターフェース１
７を介してホスト装置に接続されている。光磁気記録媒
体装置は、全体的な制御を行うＭＰＵ１２、媒体との間
でコマンド及びデータのリード／ライトに必要な処理を
行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタル
シグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６を有する。
気記録媒体装置のブロック構成例を示す図である。図１
において、光磁気記録媒体装置は、インターフェース１
７を介してホスト装置に接続されている。光磁気記録媒
体装置は、全体的な制御を行うＭＰＵ１２、媒体との間
でコマンド及びデータのリード／ライトに必要な処理を
行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタル
シグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６を有する。
【００１４】ＯＤＣ１４は、ファーマッタ１４−１と誤
り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２を有する。ライト
アクセス時には、フォーマッタ１４−１がライトデータ
を光磁気記録媒体のセクタ単位に分割して記録フォーマ
ットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデ
ータ単位にＥＣＣを生成して付加するとともに、必要に
応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加す
る。
り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２を有する。ライト
アクセス時には、フォーマッタ１４−１がライトデータ
を光磁気記録媒体のセクタ単位に分割して記録フォーマ
ットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデ
ータ単位にＥＣＣを生成して付加するとともに、必要に
応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加す
る。
【００１５】リードアクセス時には、リードされたセク
タデータに対して、ＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行
った後に誤り検出及び誤り訂正を行う。さらに、フォー
マッタ１４−１はセクタデータを連結し、それをリード
データとしてホスト装置に転送する。
タデータに対して、ＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行
った後に誤り検出及び誤り訂正を行う。さらに、フォー
マッタ１４−１はセクタデータを連結し、それをリード
データとしてホスト装置に転送する。
【００１６】ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１と
レーザダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイ
オード（ＬＤ）制御回路２２の制御出力は、光学ヘッド
に設けられたレーザダイオードユニット３０に供給さ
れ、レーザビームが光磁気記録媒体面に照射される。レ
ーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０
−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有す
る。ライト変調部２１は、光磁気ディスクの種類に応じ
て、ライトデータをピットポジションモジュレーション
（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィ
ドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも
言う）でのデータ形式に変換する。
レーザダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイ
オード（ＬＤ）制御回路２２の制御出力は、光学ヘッド
に設けられたレーザダイオードユニット３０に供給さ
れ、レーザビームが光磁気記録媒体面に照射される。レ
ーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０
−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有す
る。ライト変調部２１は、光磁気ディスクの種類に応じ
て、ライトデータをピットポジションモジュレーション
（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィ
ドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも
言う）でのデータ形式に変換する。
【００１７】リードＬＳＩ２４は、リード復調部２５と
周波数シンセサイザ（ＰＬＬ回路）２６を有する。リー
ドＬＳＩ２４に対しては、光学ヘッドに設けられたＩＤ
／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−
１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドア
ンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力され
ている。そして、周波数シンセサイザ２６は、セクタの
ＶＦＯ信号に同期したリードクロックを発生する。ま
た、リード復調部２５は、光学ヘッドからのＩＤ信号又
はＭＯ信号からのセクタマークを検出し、検出信号ＳＭ
をＯＤＣ１４に出力する。また、リード復調部２５は、
光学ヘッドから入力されたＭＯ信号をデジタル変換され
たセクタデータとしてＯＤＣ１４に出力する。
周波数シンセサイザ（ＰＬＬ回路）２６を有する。リー
ドＬＳＩ２４に対しては、光学ヘッドに設けられたＩＤ
／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−
１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドア
ンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力され
ている。そして、周波数シンセサイザ２６は、セクタの
ＶＦＯ信号に同期したリードクロックを発生する。ま
た、リード復調部２５は、光学ヘッドからのＩＤ信号又
はＭＯ信号からのセクタマークを検出し、検出信号ＳＭ
をＯＤＣ１４に出力する。また、リード復調部２５は、
光学ヘッドから入力されたＭＯ信号をデジタル変換され
たセクタデータとしてＯＤＣ１４に出力する。
【００１８】ＤＳＰ１６は、光磁気記録媒体に対するレ
ーザビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、
目標トラックにシークしてオントラックするためのシー
ク制御部及びオントラック制御部として機能する。
ーザビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、
目標トラックにシークしてオントラックするためのシー
ク制御部及びオントラック制御部として機能する。
【００１９】光学ヘッドには、光磁気記録媒体からの戻
り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用デ
ィテクタ４７が設けられている。ＴＥＳ検出回路４８
は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳを生
成して、ＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳは、トラックゼ
ロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣ
パルスが生成されてＤＳＰ１６に入力される。そして、
ＤＳＰ１６は、ドライバ６６を駆動して、ボイスコイル
モータ（ＶＣＭ）６８を制御し、光学ヘッドを搭載する
キャリッジを、トラックを横切る方向に移動させるシー
ク制御及びトラックオン制御を実行する。
り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用デ
ィテクタ４７が設けられている。ＴＥＳ検出回路４８
は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳを生
成して、ＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳは、トラックゼ
ロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣ
パルスが生成されてＤＳＰ１６に入力される。そして、
ＤＳＰ１６は、ドライバ６６を駆動して、ボイスコイル
モータ（ＶＣＭ）６８を制御し、光学ヘッドを搭載する
キャリッジを、トラックを横切る方向に移動させるシー
ク制御及びトラックオン制御を実行する。
【００２０】また、光学ヘッドには、光磁気記録媒体か
らの戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）
用ディテクタ４５が設けられている。ＦＥＳ検出回路４
６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５からの受光出力からＦＥ
Ｓを生成してＤＳＰ１６に入力する。そして、ＤＳＰ１
６は、ドライバ５８を駆動してフォーカスアクチュエー
タ６０を制御し、フォーカスエントリ制御を実行する。
らの戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）
用ディテクタ４５が設けられている。ＦＥＳ検出回路４
６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５からの受光出力からＦＥ
Ｓを生成してＤＳＰ１６に入力する。そして、ＤＳＰ１
６は、ドライバ５８を駆動してフォーカスアクチュエー
タ６０を制御し、フォーカスエントリ制御を実行する。
【００２１】さらに、ＤＳＰ１６は、ＭＰＵ１２の指示
に従って、ドライバ３８を介してスピンドルモータ４０
を制御し、ドライバ４２を介してバイアスコイル４４に
供給する電流を制御して、バイアスコイル４４により発
生する磁界を制御する。バイアスコイル４４は、光磁気
記録媒体面における光学ヘッド側と反対側に配置されて
おり、記録・消去に光磁気記録媒体にバイアス磁界を印
加する。また、光磁気記録媒体がＭＳＲ媒体である場合
には、再生時にもバイアス磁界を印加する。
に従って、ドライバ３８を介してスピンドルモータ４０
を制御し、ドライバ４２を介してバイアスコイル４４に
供給する電流を制御して、バイアスコイル４４により発
生する磁界を制御する。バイアスコイル４４は、光磁気
記録媒体面における光学ヘッド側と反対側に配置されて
おり、記録・消去に光磁気記録媒体にバイアス磁界を印
加する。また、光磁気記録媒体がＭＳＲ媒体である場合
には、再生時にもバイアス磁界を印加する。
【００２２】図２は、ＤＳＰ１６の概略ブロック構成図
である。図２において、トラックエラー信号（ＴＥＳ）
は媒体上のトラックセンターからのズレを正弦波状の信
号で示したものであり、光学ヘッドにて生成される。こ
の信号は２つに分かれ、一方は比較器を通過してＴＺＣ
信号としてＤＳＰ１６に入力され、もう一方はＬＰＦを
通過してＴＥＳ信号としてＤＳＰ１６に入力される。
である。図２において、トラックエラー信号（ＴＥＳ）
は媒体上のトラックセンターからのズレを正弦波状の信
号で示したものであり、光学ヘッドにて生成される。こ
の信号は２つに分かれ、一方は比較器を通過してＴＺＣ
信号としてＤＳＰ１６に入力され、もう一方はＬＰＦを
通過してＴＥＳ信号としてＤＳＰ１６に入力される。
【００２３】ＴＺＣ信号はトラックエラー信号を２値化
したエッジ信号であり、ＤＳＰ１６の位置／速度検知部
１６１は、このＴＺＣ信号のエッジをカウントすること
でシーク中の現在位置を検知することができ、またエッ
ジの間隔を測定することでシークの実速度（別に媒体の
トラックピッチ情報が必要）を検知することが可能とな
る。
したエッジ信号であり、ＤＳＰ１６の位置／速度検知部
１６１は、このＴＺＣ信号のエッジをカウントすること
でシーク中の現在位置を検知することができ、またエッ
ジの間隔を測定することでシークの実速度（別に媒体の
トラックピッチ情報が必要）を検知することが可能とな
る。
【００２４】ＤＳＰ１６の差分検出部１６２は、現在位
置より目標速度を求め、検知された実速度との差を算出
する。算出された速度誤差は、ＰＩＤフィルタ１６３に
入力される。一方、ＬＰＦを通過したＴＥＳ信号は、サ
ンプリング周波数毎にＡＤＣ１６４によりデジタル信号
に変換され、入力ゲイン部１６５により入力ゲインが乗
算される。なお、この入力ゲインは入力感度（回路定
数、信号感度）のバラツキを吸収するためのものであ
る。この結果は位置誤差となり、ＰＩＤフィルタ１６３
に入力される。
置より目標速度を求め、検知された実速度との差を算出
する。算出された速度誤差は、ＰＩＤフィルタ１６３に
入力される。一方、ＬＰＦを通過したＴＥＳ信号は、サ
ンプリング周波数毎にＡＤＣ１６４によりデジタル信号
に変換され、入力ゲイン部１６５により入力ゲインが乗
算される。なお、この入力ゲインは入力感度（回路定
数、信号感度）のバラツキを吸収するためのものであ
る。この結果は位置誤差となり、ＰＩＤフィルタ１６３
に入力される。
【００２５】ＰＩＤフィルタ１６３は、低域補償／位相
進み計算のためのものであり、トラックサーボループが
閉じられているときはＴＥＳ側に、シーク制御時にはＴ
ＺＣ側にスイッチが接続される。なお、シーク（キャリ
ッジ制御）中でなく、且つトラックサーボループが閉じ
られていないときには、このスイッチは開かれたままと
なり入力はゼロ状態になる。
進み計算のためのものであり、トラックサーボループが
閉じられているときはＴＥＳ側に、シーク制御時にはＴ
ＺＣ側にスイッチが接続される。なお、シーク（キャリ
ッジ制御）中でなく、且つトラックサーボループが閉じ
られていないときには、このスイッチは開かれたままと
なり入力はゼロ状態になる。
【００２６】ＰＩＤフィルタ１６３の計算結果は、出力
ゲイン部１６６で出力ゲインが乗算され、制御指示信号
としてＤＡＣ１６７を介して出力される。この出力ゲイ
ンは出力感度（ドライバの駆動感度、アクチュエータの
加速性能）のばらつきを吸収するためのものである。出
力されたシーク電流指示信号に従って、パワーアンプを
介して、ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）にシーク電流が
印加される。
ゲイン部１６６で出力ゲインが乗算され、制御指示信号
としてＤＡＣ１６７を介して出力される。この出力ゲイ
ンは出力感度（ドライバの駆動感度、アクチュエータの
加速性能）のばらつきを吸収するためのものである。出
力されたシーク電流指示信号に従って、パワーアンプを
介して、ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）にシーク電流が
印加される。
【００２７】バイアス電流制御部１６８は、本発明の実
施の形態に特徴的なバイアス電流制御を実行し、バイア
ス電流制御部１６８により設定されたバイアス電流指示
信号が、ＤＡＣ（デジタルアナログコンバータ）１６９
を介して出力される。ＤＡＣ１６９からのバイアス電流
指示信号に従って、パワーアンプを介して、バイアスコ
イルに電流が印加される。なお、バイアス電流制御部１
６８には、バイアス電流指示信号として、媒体に対する
消去・記録・再生時それぞれに対応する必要な規定値が
ＭＰＵ１２より設定される。
施の形態に特徴的なバイアス電流制御を実行し、バイア
ス電流制御部１６８により設定されたバイアス電流指示
信号が、ＤＡＣ（デジタルアナログコンバータ）１６９
を介して出力される。ＤＡＣ１６９からのバイアス電流
指示信号に従って、パワーアンプを介して、バイアスコ
イルに電流が印加される。なお、バイアス電流制御部１
６８には、バイアス電流指示信号として、媒体に対する
消去・記録・再生時それぞれに対応する必要な規定値が
ＭＰＵ１２より設定される。
【００２８】図３は、本発明の第１の実施の形態におけ
るバイアス電流制御を説明する図であって、ＴＥＳ信号
（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バイアス電流指示
信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が示されている。
第１の実施の形態では、シーク中において、規定値より
低いバイアス電流が流れるように、バイアス電流指示信
号を出力することで、シーク中における消費電流のピー
クを抑制するとともに、ある程度のバイアス電流を流し
ておくことで、シーク後のアクセスタイミングにおい
て、規定値のバイアス電流を流すことができる。
るバイアス電流制御を説明する図であって、ＴＥＳ信号
（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バイアス電流指示
信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が示されている。
第１の実施の形態では、シーク中において、規定値より
低いバイアス電流が流れるように、バイアス電流指示信
号を出力することで、シーク中における消費電流のピー
クを抑制するとともに、ある程度のバイアス電流を流し
ておくことで、シーク後のアクセスタイミングにおい
て、規定値のバイアス電流を流すことができる。
【００２９】図３において、シーク開始（時刻t1）より
前（時刻t0）に、必要な大きさのバイアス磁界を発生さ
せるための規定値のバイアス電流指示信号が出力され、
それに従って、バイアス電流をあらかじめ流しておく。
そして、時刻t1でシークのためのシーク電流指示信号が
出力されると、バイアス電流指示信号は、規定値からそ
れより低い値に設定される。その結果、シーク中のバイ
アス電流は減少し、加算電流もその分減少する。特に、
シークにおける加速時のピーク電流が抑制される。な
お、シーク中のバイアス電流の大きさは、図３（ｄ）の
破線により示されている。また、図３では、バイアス電
流指示信号が規定値の５０％に低減される場合が例示さ
れている。
前（時刻t0）に、必要な大きさのバイアス磁界を発生さ
せるための規定値のバイアス電流指示信号が出力され、
それに従って、バイアス電流をあらかじめ流しておく。
そして、時刻t1でシークのためのシーク電流指示信号が
出力されると、バイアス電流指示信号は、規定値からそ
れより低い値に設定される。その結果、シーク中のバイ
アス電流は減少し、加算電流もその分減少する。特に、
シークにおける加速時のピーク電流が抑制される。な
お、シーク中のバイアス電流の大きさは、図３（ｄ）の
破線により示されている。また、図３では、バイアス電
流指示信号が規定値の５０％に低減される場合が例示さ
れている。
【００３０】このように、シーク中は、バイアス電流指
示信号を規定値より小さくすることで、シーク電流とバ
イアス電流を合計した加算電流を抑制することができ
る。そして、シーク終了後（時刻t2）に、バイアス電流
指示信号を規定値に戻す。シーク終了後（時刻t2）にお
いては、現在位置の確認のためのＩＤリードなどに要す
る時間が発生するため、アクセスタイミング（時刻t4）
までの間に、バイアス電流は、規定値まで達することが
できる。目的の大木さんのバイアス磁界を発生させるた
めの電流値を規定値とする。
示信号を規定値より小さくすることで、シーク電流とバ
イアス電流を合計した加算電流を抑制することができ
る。そして、シーク終了後（時刻t2）に、バイアス電流
指示信号を規定値に戻す。シーク終了後（時刻t2）にお
いては、現在位置の確認のためのＩＤリードなどに要す
る時間が発生するため、アクセスタイミング（時刻t4）
までの間に、バイアス電流は、規定値まで達することが
できる。目的の大木さんのバイアス磁界を発生させるた
めの電流値を規定値とする。
【００３１】図４は、第１の実施の形態におけるバイア
ス電流制御のフローチャートである。図４において、Ｄ
ＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８は、ＭＰＵよりシ
ークコマンドを受信すると、出力中のバイアス電流指示
信号の規定値をバックアップメモリに記憶する（Ｓ１０
０）。バックアップされる規定値は、記録・再生・消去
それぞれに設定されている規定値におけるそのシークコ
マンド後に実行される処理の規定値である。バイアス電
流制御部１６８は、その規定値より小さいバイアス電流
指示信号を設定する（Ｓ１０１）。具体的には、規定値
に所定の定数（１未満、例えば、０．５）を乗算して、
規定値より小さいバイアス電流値を求め、バイアス電流
制御部１６８は、規定値より小さいそのバイアス電流値
に対応するバイアス電流指示信号をバイアスコイルに出
力する。その後、シーク制御を開始する。
ス電流制御のフローチャートである。図４において、Ｄ
ＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８は、ＭＰＵよりシ
ークコマンドを受信すると、出力中のバイアス電流指示
信号の規定値をバックアップメモリに記憶する（Ｓ１０
０）。バックアップされる規定値は、記録・再生・消去
それぞれに設定されている規定値におけるそのシークコ
マンド後に実行される処理の規定値である。バイアス電
流制御部１６８は、その規定値より小さいバイアス電流
指示信号を設定する（Ｓ１０１）。具体的には、規定値
に所定の定数（１未満、例えば、０．５）を乗算して、
規定値より小さいバイアス電流値を求め、バイアス電流
制御部１６８は、規定値より小さいそのバイアス電流値
に対応するバイアス電流指示信号をバイアスコイルに出
力する。その後、シーク制御を開始する。
【００３２】すなわち、まず、キャリッジは、加速処理
（Ｓ１０２）され、加速処理が終了すると（Ｓ１０
３）、等速処理され（Ｓ１０４）、等速処理が終了する
と（Ｓ１０５）、減速処理（Ｓ１０６）され、減速処理
が終了すると（Ｓ１０７）、シークが終了する。シーク
中は、規定値より小さいバイアス電流値が出力されてい
るので、図３（ｄ）に示されたように、シーク電流とバ
イアス電流を合算した加算電流のピークが抑えられる。
シークが終了すると、バイアス電流制御部１６８は、バ
ックアップされていたバイアス電流の規定値を読み出し
て、バイアス電流指示信号を規定値に戻す（Ｓ１０
８）。これにより、バイアス電流は、アクセスタイミン
グ（時刻t4）までに、規定値に復帰することができる。
（Ｓ１０２）され、加速処理が終了すると（Ｓ１０
３）、等速処理され（Ｓ１０４）、等速処理が終了する
と（Ｓ１０５）、減速処理（Ｓ１０６）され、減速処理
が終了すると（Ｓ１０７）、シークが終了する。シーク
中は、規定値より小さいバイアス電流値が出力されてい
るので、図３（ｄ）に示されたように、シーク電流とバ
イアス電流を合算した加算電流のピークが抑えられる。
シークが終了すると、バイアス電流制御部１６８は、バ
ックアップされていたバイアス電流の規定値を読み出し
て、バイアス電流指示信号を規定値に戻す（Ｓ１０
８）。これにより、バイアス電流は、アクセスタイミン
グ（時刻t4）までに、規定値に復帰することができる。
【００３３】なお、規定値より小さいバイアス電流値
は、規定に１未満の定数を乗算して求める場合に限られ
ず、例えば、所定値を減算して求めてもよい。
は、規定に１未満の定数を乗算して求める場合に限られ
ず、例えば、所定値を減算して求めてもよい。
【００３４】図５は、本発明の第２の実施の形態におけ
るバイアス電流制御を説明する図であって、図３同様
に、ＴＥＳ信号（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バ
イアス電流指示信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が
示されている。第２の実施の形態では、シーク中におい
て、あらかじめ決められた許容電流値を超えないよう
に、バイアス電流値を設定することで、シーク中におけ
る消費電流を抑制する。
るバイアス電流制御を説明する図であって、図３同様
に、ＴＥＳ信号（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バ
イアス電流指示信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が
示されている。第２の実施の形態では、シーク中におい
て、あらかじめ決められた許容電流値を超えないよう
に、バイアス電流値を設定することで、シーク中におけ
る消費電流を抑制する。
【００３５】図５において、シーク開始（時刻t1）より
前（時刻t0）に、規定値のバイアス電流指示信号が出力
され、それに従って、バイアス電流をあらかじめ流して
おく。そして、時刻t1でシークのためのシーク電流指示
信号が出力されると、許容電流値からシーク電流値を差
し引いた値がバイアス電流値として設定される。
前（時刻t0）に、規定値のバイアス電流指示信号が出力
され、それに従って、バイアス電流をあらかじめ流して
おく。そして、時刻t1でシークのためのシーク電流指示
信号が出力されると、許容電流値からシーク電流値を差
し引いた値がバイアス電流値として設定される。
【００３６】その結果、シーク電流とバイアス電流の合
計が許容電流を超える場合は、バイアス電流は、規定値
より低い値に設定される。シーク中のバイアス電流の大
きさは、図３（ｄ）の破線により例示されている。
計が許容電流を超える場合は、バイアス電流は、規定値
より低い値に設定される。シーク中のバイアス電流の大
きさは、図３（ｄ）の破線により例示されている。
【００３７】このように、シーク中は、許容電流値を超
えないようにバイアス電流値が設定されるので、シーク
中のバイアス電流が抑制される。そして、シーク終了後
（時刻t2）に、バイアス電流指示信号を規定値に戻し、
アクセスタイミングまでに、バイアス電流は規定値に達
する。
えないようにバイアス電流値が設定されるので、シーク
中のバイアス電流が抑制される。そして、シーク終了後
（時刻t2）に、バイアス電流指示信号を規定値に戻し、
アクセスタイミングまでに、バイアス電流は規定値に達
する。
【００３８】図６及び図７は、第２の実施の形態におけ
るバイアス電流制御のフローチャートである。図６にお
いて、ＤＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８は、ＭＰ
Ｕよりシークコマンドを受信すると、バイアス電流指示
信号の規定値をバックアップメモリで記憶する（Ｓ２０
０）。バックアップされる規定値は、記録・再生・消去
それぞれに設定されている規定値におけるそのシークコ
マンド後に実行される処理の規定値である。シーク制御
における加速処理が開始されると（Ｓ２０１）、バイア
ス電流制御部１６８は、 シーク電流値＋規定バイアス電流値＝加速電流値 を演算し（Ｓ２０２）、その加算電流値を許容電流値と
比較する（Ｓ２０３）。
るバイアス電流制御のフローチャートである。図６にお
いて、ＤＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８は、ＭＰ
Ｕよりシークコマンドを受信すると、バイアス電流指示
信号の規定値をバックアップメモリで記憶する（Ｓ２０
０）。バックアップされる規定値は、記録・再生・消去
それぞれに設定されている規定値におけるそのシークコ
マンド後に実行される処理の規定値である。シーク制御
における加速処理が開始されると（Ｓ２０１）、バイア
ス電流制御部１６８は、 シーク電流値＋規定バイアス電流値＝加速電流値 を演算し（Ｓ２０２）、その加算電流値を許容電流値と
比較する（Ｓ２０３）。
【００３９】加算電流値＞許容電流値の場合、バイアス
電流制御部１６８は、さらに、 許容電流値−シーク電流値＝バイアス電流値 を演算し、その計算されたバイアス電流値に設定する
（Ｓ２０４）。
電流制御部１６８は、さらに、 許容電流値−シーク電流値＝バイアス電流値 を演算し、その計算されたバイアス電流値に設定する
（Ｓ２０４）。
【００４０】一方、加算電流値≦許容電流値の場合、バ
イアス電流制御部１６８は、バックアップされている規
定値をバイアス電流値に設定する（Ｓ２０５）。そし
て、それぞれ設定されたバイアス電流値をバイアス電流
指示信号として出力する。
イアス電流制御部１６８は、バックアップされている規
定値をバイアス電流値に設定する（Ｓ２０５）。そし
て、それぞれ設定されたバイアス電流値をバイアス電流
指示信号として出力する。
【００４１】シーク制御における等速処理及び減速処理
においても同様の処理が行われる（Ｓ２０６〜Ｓ２１
８）。すなわち、加算電流と許容電流が比較され、加算
電流値＞許容電流値の場合は、許容電流値−シーク電流
値がバイアス電流値として設定され、加算電流値≦許容
電流値の場合、バックアップされている規定値がバイア
ス電流値に設定される。シークが終了すると、バイアス
電流制御部１６８は、バックアップされていたバイアス
電流の規定値を読み出して、バイアス電流指示信号を規
定値に戻す（Ｓ２１９）。これにより、バイアス電流
は、アクセスタイミング（時刻t4）までに、規定値に達
する。
においても同様の処理が行われる（Ｓ２０６〜Ｓ２１
８）。すなわち、加算電流と許容電流が比較され、加算
電流値＞許容電流値の場合は、許容電流値−シーク電流
値がバイアス電流値として設定され、加算電流値≦許容
電流値の場合、バックアップされている規定値がバイア
ス電流値に設定される。シークが終了すると、バイアス
電流制御部１６８は、バックアップされていたバイアス
電流の規定値を読み出して、バイアス電流指示信号を規
定値に戻す（Ｓ２１９）。これにより、バイアス電流
は、アクセスタイミング（時刻t4）までに、規定値に達
する。
【００４２】図８は、本発明の第３の実施の形態におけ
るバイアス電流制御を説明する図であって、図３同様
に、ＴＥＳ信号（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バ
イアス電流指示信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が
示されている。第３の実施の形態では、シーク中におけ
る加速処理、等速処理、減速処理において、上記第１及
び第２の実施の形態におけるバイアス電流制御を切り換
えて利用する。
るバイアス電流制御を説明する図であって、図３同様
に、ＴＥＳ信号（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バ
イアス電流指示信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が
示されている。第３の実施の形態では、シーク中におけ
る加速処理、等速処理、減速処理において、上記第１及
び第２の実施の形態におけるバイアス電流制御を切り換
えて利用する。
【００４３】図８に示されるように加速処理及び等速処
理では、第１の実施の形態を利用して、バイアス電流の
規定値に所定の定数を乗算した値をバイアス電流値とし
て設定する。このとき、規定値に乗算される定数は、各
処理で異なるようにしてもよい。加速処理のように、比
較的大きいシーク電流が必要な場合は、バイアス電流を
低くするために、小さな定数（図８では、０．１）が設
定され、シーク電流が比較的小さい等速処理では、加速
処理に設定される定数より大きい定数（図８では、０．
５）が設定されてもよい。
理では、第１の実施の形態を利用して、バイアス電流の
規定値に所定の定数を乗算した値をバイアス電流値とし
て設定する。このとき、規定値に乗算される定数は、各
処理で異なるようにしてもよい。加速処理のように、比
較的大きいシーク電流が必要な場合は、バイアス電流を
低くするために、小さな定数（図８では、０．１）が設
定され、シーク電流が比較的小さい等速処理では、加速
処理に設定される定数より大きい定数（図８では、０．
５）が設定されてもよい。
【００４４】さらに、減速処理では、例えば、第２の実
施の形態を利用して、許容電流値−シーク電流値がバイ
アス電流値として設定され、加算電流のピーク値が抑え
られる。シーク終了後は、バイアス電流値は規定値に戻
る。
施の形態を利用して、許容電流値−シーク電流値がバイ
アス電流値として設定され、加算電流のピーク値が抑え
られる。シーク終了後は、バイアス電流値は規定値に戻
る。
【００４５】図９は、第３の実施の形態におけるバイア
ス電流制御のフローチャートである。図９において、Ｄ
ＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８は、シークコマン
ドを受信すると、バイアス電流指示信号の規定値をバッ
クアップメモリで記憶する（Ｓ３００）。
ス電流制御のフローチャートである。図９において、Ｄ
ＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８は、シークコマン
ドを受信すると、バイアス電流指示信号の規定値をバッ
クアップメモリで記憶する（Ｓ３００）。
【００４６】シーク制御における加速処理が開始される
と（Ｓ３０１）、バイアス電流制御部１６８は、規定値
に所定の定数（１未満、例えば、０．１）を乗算して、
規定値より小さいバイアス電流値を設定する（Ｓ３０
２）。
と（Ｓ３０１）、バイアス電流制御部１６８は、規定値
に所定の定数（１未満、例えば、０．１）を乗算して、
規定値より小さいバイアス電流値を設定する（Ｓ３０
２）。
【００４７】加速処理が終了し（Ｓ３０３）、シーク制
御が等速処理になると（Ｓ３０４）、バイアス電流制御
部１６８は、バイアス電流値を設定し直す。すなわち、
バイアス電流の規定値に、加速処理における定数と異な
る別の定数を乗算して新たなバイアス電流値を設定する
（Ｓ３０５）。
御が等速処理になると（Ｓ３０４）、バイアス電流制御
部１６８は、バイアス電流値を設定し直す。すなわち、
バイアス電流の規定値に、加速処理における定数と異な
る別の定数を乗算して新たなバイアス電流値を設定する
（Ｓ３０５）。
【００４８】加速処理が終了し（Ｓ３０６）、シーク制
御が減速処理に移ると（Ｓ３０７）、バイアス電流制御
部１６８は、 シーク電流値＋規定バイアス電流値＝加速電流値 を演算し（Ｓ３０８）、その加算電流値を許容電流値と
比較する（Ｓ３０９）。
御が減速処理に移ると（Ｓ３０７）、バイアス電流制御
部１６８は、 シーク電流値＋規定バイアス電流値＝加速電流値 を演算し（Ｓ３０８）、その加算電流値を許容電流値と
比較する（Ｓ３０９）。
【００４９】加算電流値＞許容電流値の場合、バイアス
電流制御部１６８は、さらに、 許容電流値−シーク電流値＝バイアス電流値 を演算し、その計算されたバイアス電流値に設定する
（Ｓ３１０）。
電流制御部１６８は、さらに、 許容電流値−シーク電流値＝バイアス電流値 を演算し、その計算されたバイアス電流値に設定する
（Ｓ３１０）。
【００５０】一方、加算電流値≦許容電流値の場合、バ
イアス電流制御部１６８は、バックアップされている規
定値をバイアス電流値に設定する（Ｓ３１１）。そし
て、それぞれ設定されたバイアス電流値をバイアス電流
指示信号として出力する。
イアス電流制御部１６８は、バックアップされている規
定値をバイアス電流値に設定する（Ｓ３１１）。そし
て、それぞれ設定されたバイアス電流値をバイアス電流
指示信号として出力する。
【００５１】減速処理が終了（シークが終了）すると
（Ｓ３１２）、バイアス電流制御部１６８は、バックア
ップされていたバイアス電流の規定値を読み出して、バ
イアス電流指示信号を規定値に戻す（Ｓ３１３）。
（Ｓ３１２）、バイアス電流制御部１６８は、バックア
ップされていたバイアス電流の規定値を読み出して、バ
イアス電流指示信号を規定値に戻す（Ｓ３１３）。
【００５２】図１０は、本発明の第４の実施の形態にお
けるバイアス電流制御を説明する図であって、図３同様
に、ＴＥＳ信号（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バ
イアス電流指示信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が
示されている。バイアス電流の立ち上がり時間と比較し
て、シーク開始時からアクセス時までの時間（すなわ
ち、シーク時間とシーク後の現在位置確認用のＩＤリー
ド時間）が短い場合は、上述の各実施の形態で説明した
ようなバイアス電流制御を行っても、間に合わない場合
がある。そこで、第４の実施の形態では、シーク時間を
判定し、シーク時間が所定時間より短い場合は、上述の
各実施の形態で説明したようなバイアス電流制御を実行
せず、シーク中においても、規定値のバイアス電流値が
そのまま出力される。
けるバイアス電流制御を説明する図であって、図３同様
に、ＴＥＳ信号（ａ）、シーク電流指示信号（ｂ）、バ
イアス電流指示信号（ｃ）、加算電流（ｄ）の波形図が
示されている。バイアス電流の立ち上がり時間と比較し
て、シーク開始時からアクセス時までの時間（すなわ
ち、シーク時間とシーク後の現在位置確認用のＩＤリー
ド時間）が短い場合は、上述の各実施の形態で説明した
ようなバイアス電流制御を行っても、間に合わない場合
がある。そこで、第４の実施の形態では、シーク時間を
判定し、シーク時間が所定時間より短い場合は、上述の
各実施の形態で説明したようなバイアス電流制御を実行
せず、シーク中においても、規定値のバイアス電流値が
そのまま出力される。
【００５３】図１１は、第４の実施の形態におけるバイ
アス電流制御のフローチャートであり、上記第１の実施
の形態に第４の実施の形態の処理が追加される場合を例
に説明する。ＤＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８
は、シークコマンドを受信すると、バイアス電流指示信
号の規定値をバックアップで記憶する（Ｓ４００）。そ
の後、シーク時間が所定時間より短いかどうかを判定す
る（Ｓ４１０）。具体的には、シーク時間として、例え
ば、シーク制御により求められる現在位置から目標位置
までのトラック本数が所定本数より少ないかどうかが判
定される。もちろん、トラック本数と１トラックの移動
時間によりシーク時間を求めてもよい。また、トラック
本数とトラックピッチからシーク距離に基づいて判定し
てもよい。シーク時間が所定時間より短い場合は、バイ
アス電流の規定値に所定の定数を乗算して新たなバイア
ス電流値を設定する制御を行わず、シークが開始されて
も、既に設定されているバイアス電流の規定値がそのま
ま出力され続ける。シーク時間又はシーク距離が所定時
間以上の場合は、上述の各実施の形態で述べたようなバ
イアス電流値を制限する制御が行われる。
アス電流制御のフローチャートであり、上記第１の実施
の形態に第４の実施の形態の処理が追加される場合を例
に説明する。ＤＳＰ１６のバイアス電流制御部１６８
は、シークコマンドを受信すると、バイアス電流指示信
号の規定値をバックアップで記憶する（Ｓ４００）。そ
の後、シーク時間が所定時間より短いかどうかを判定す
る（Ｓ４１０）。具体的には、シーク時間として、例え
ば、シーク制御により求められる現在位置から目標位置
までのトラック本数が所定本数より少ないかどうかが判
定される。もちろん、トラック本数と１トラックの移動
時間によりシーク時間を求めてもよい。また、トラック
本数とトラックピッチからシーク距離に基づいて判定し
てもよい。シーク時間が所定時間より短い場合は、バイ
アス電流の規定値に所定の定数を乗算して新たなバイア
ス電流値を設定する制御を行わず、シークが開始されて
も、既に設定されているバイアス電流の規定値がそのま
ま出力され続ける。シーク時間又はシーク距離が所定時
間以上の場合は、上述の各実施の形態で述べたようなバ
イアス電流値を制限する制御が行われる。
【００５４】上記では、再生時にもバイアス磁界を印加
する場合で述べたが、媒体の種類により、記録・消去時
のみに印加する媒体の場合は、再生時には、バイアス磁
界を印加しない。
する場合で述べたが、媒体の種類により、記録・消去時
のみに印加する媒体の場合は、再生時には、バイアス磁
界を印加しない。
【００５５】（付記１）光磁気記録媒体に対して少なく
とも再生を行う光磁気記録媒体装置において、前記光磁
気記録媒体上に光ビームを照射する光学ヘッドを前記光
磁気記録媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、当
該キャリッジに駆動電流を供給する駆動電流制御部と、
前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するバイアス
磁界発生部と、当該バイアス磁界発生部にバイアス電流
を供給するバイアス電流制御部とを備え、前記バイアス
電流制御部は、駆動電流の供給に応じて、バイアス電流
値を制御することを特徴とする光磁気記録媒体装置。
とも再生を行う光磁気記録媒体装置において、前記光磁
気記録媒体上に光ビームを照射する光学ヘッドを前記光
磁気記録媒体の半径方向に移動させるキャリッジと、当
該キャリッジに駆動電流を供給する駆動電流制御部と、
前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するバイアス
磁界発生部と、当該バイアス磁界発生部にバイアス電流
を供給するバイアス電流制御部とを備え、前記バイアス
電流制御部は、駆動電流の供給に応じて、バイアス電流
値を制御することを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【００５６】（付記２）付記１において、前記バイアス
電流制御部は、駆動電流が供給されている期間、バイア
ス電流値を規定値に対して制限制御することを特徴とす
る光磁気記録媒体装置。
電流制御部は、駆動電流が供給されている期間、バイア
ス電流値を規定値に対して制限制御することを特徴とす
る光磁気記録媒体装置。
【００５７】（付記３）付記２において、前記バイアス
電流制御部は、前記規定値より小さい所定値にバイアス
電流値を設定することを特徴とする光磁気記録媒体装
置。
電流制御部は、前記規定値より小さい所定値にバイアス
電流値を設定することを特徴とする光磁気記録媒体装
置。
【００５８】（付記４）付記２において、前記バイアス
電流制御部は、駆動電流値とバイアス電流値の合計が許
容電流値を超えないように、前記バイアス電流値を設定
することを特徴とする光磁気記録媒体装置。
電流制御部は、駆動電流値とバイアス電流値の合計が許
容電流値を超えないように、前記バイアス電流値を設定
することを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【００５９】（付記５）付記２において、前記バイアス
電流制御部は、前記キャリッジの加速移動のための駆動
電流が供給されている期間、等速移動のための駆動電流
が供給されている期間、減速移動のための駆動電流が供
給されている期間の少なくとも二つの期間で、異なるバ
イアス電流値を設定することを特徴とする光磁気記録媒
体装置。
電流制御部は、前記キャリッジの加速移動のための駆動
電流が供給されている期間、等速移動のための駆動電流
が供給されている期間、減速移動のための駆動電流が供
給されている期間の少なくとも二つの期間で、異なるバ
イアス電流値を設定することを特徴とする光磁気記録媒
体装置。
【００６０】（付記６）付記５において、前記バイアス
電流制御部は、前記各期間の少なくとも一つの期間につ
いて、前記規定値より小さい所定値にバイアス電流値を
設定することを特徴とする光磁気記録媒体装置。
電流制御部は、前記各期間の少なくとも一つの期間につ
いて、前記規定値より小さい所定値にバイアス電流値を
設定することを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【００６１】（付記７）付記５において、前記バイアス
電流制御部は、前記各期間の少なくとも一つの期間につ
いて、駆動電流値とバイアス電流値の合計が許容電流値
を超えないように、前記バイアス電流値を設定すること
を特徴とする光磁気記録媒体装置。
電流制御部は、前記各期間の少なくとも一つの期間につ
いて、駆動電流値とバイアス電流値の合計が許容電流値
を超えないように、前記バイアス電流値を設定すること
を特徴とする光磁気記録媒体装置。
【００６２】（付記８）付記１乃至７のいずれかにおい
て、前記バイアス電流制御部は、前記キャリッジの移動
時間又は移動距離が所定値より短い場合、駆動電流の供
給にかかわらず、規定値のバイアス電流を供給すること
を特徴とする光磁気記録媒体装置。
て、前記バイアス電流制御部は、前記キャリッジの移動
時間又は移動距離が所定値より短い場合、駆動電流の供
給にかかわらず、規定値のバイアス電流を供給すること
を特徴とする光磁気記録媒体装置。
【００６３】（付記９）付記１乃至８のいずれかにおい
て、前記規定値は、駆動電流の供給により移動する前記
キャリッジの移動後に必要となるバイアス電流値である
ことを特徴とする光磁気記録媒体装置。
て、前記規定値は、駆動電流の供給により移動する前記
キャリッジの移動後に必要となるバイアス電流値である
ことを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【００６４】本発明の保護範囲は、上記の実施の形態に
限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均
等物に及ぶものである。
限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均
等物に及ぶものである。
【００６５】
【発明の効果】以上、本発明によれば、キャリッジのシ
ーク時において、バイアスコイルに印加するバイアス電
流を制限することで、光磁気記録媒体装置全体の消費電
流のピーク値を抑制することができる。
ーク時において、バイアスコイルに印加するバイアス電
流を制限することで、光磁気記録媒体装置全体の消費電
流のピーク値を抑制することができる。
【００６６】また、本発明のバイアス電流制御は、光磁
気記録媒体装置内のＤＳＰで実行可能であるので、部品
の追加などによるコストアップなく、消費電流を抑制す
ることが可能となる。
気記録媒体装置内のＤＳＰで実行可能であるので、部品
の追加などによるコストアップなく、消費電流を抑制す
ることが可能となる。
【００６７】また、ＩＤＥインターフェースやＩＥＥＥ
１３９４インターフェースのようなインターフェース経
由で、バッテリ電池から電源供給を受ける場合の電源の
制約に有用である。
１３９４インターフェースのようなインターフェース経
由で、バッテリ電池から電源供給を受ける場合の電源の
制約に有用である。
【図１】本発明の実施の形態における光磁気記録媒体装
置のブロック構成例を示す図である。
置のブロック構成例を示す図である。
【図２】ＤＳＰ１６の概略ブロック構成図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるバイアス電
流制御を説明する図である。
流制御を説明する図である。
【図４】第１の実施の形態におけるバイアス電流制御の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施の形態におけるバイアス電
流制御を説明する図である。
流制御を説明する図である。
【図６】第２の実施の形態におけるバイアス電流制御の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図７】第２の実施の形態におけるバイアス電流制御の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図８】本発明の第３の実施の形態におけるバイアス電
流制御を説明する図である。
流制御を説明する図である。
【図９】第３の実施の形態におけるバイアス電流制御の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１０】本発明の第４の実施の形態におけるバイアス
電流制御を説明する図である。
電流制御を説明する図である。
【図１１】第４の実施の形態におけるバイアス電流制御
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図１２】シーク後にバイアス電流を流す場合を説明す
る図である。
る図である。
【図１３】シーク前からバイアス電流を流す場合を説明
する図である。
する図である。
１２ ＭＰＵ １４ ＯＤＣ １６ ＤＳＰ ４４ バイアスコイル ６８ ＶＣＭ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D075 AA03 CC31 CF04 5D091 AA08 CC17 CC19 HH20
Claims (5)
- 【請求項１】光磁気記録媒体に対して少なくとも再生を
行う光磁気記録媒体装置において、 前記光磁気記録媒体上に光ビームを照射する光学ヘッド
を前記光磁気記録媒体の半径方向に移動させるキャリッ
ジと、 当該キャリッジに駆動電流を供給する駆動電流制御部
と、 前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するバイアス
磁界発生部と、 当該バイアス磁界発生部にバイアス電流を供給するバイ
アス電流制御部とを備え、 前記バイアス電流制御部は、駆動電流の供給に応じて、
バイアス電流値を制御することを特徴とする光磁気記録
媒体装置。 - 【請求項２】請求項１において、 前記バイアス電流制御部は、駆動電流が供給されている
期間、バイアス電流値を規定値に対して制限制御するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体装置。 - 【請求項３】請求項２において、 前記バイアス電流制御部は、前記規定値より小さい所定
値にバイアス電流値を設定することを特徴とする光磁気
記録媒体装置。 - 【請求項４】請求項２において、 前記バイアス電流制御部は、駆動電流値とバイアス電流
値の合計が許容電流値を超えないように、前記バイアス
電流値を設定することを特徴とする光磁気記録媒体装
置。 - 【請求項５】請求項２において、 前記バイアス電流制御部は、前記キャリッジの加速移動
のための駆動電流が供給されている期間、等速移動のた
めの駆動電流が供給されている期間、減速移動のための
駆動電流が供給されている期間の少なくとも二つの期間
で、異なるバイアス電流値を設定することを特徴とする
光磁気記録媒体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001173713A JP2002367251A (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 光磁気記録媒体装置 |
| US09/956,066 US6845065B2 (en) | 2001-06-08 | 2001-09-19 | Magneto-optical recording medium processing apparatus |
| DE10158421A DE10158421A1 (de) | 2001-06-08 | 2001-11-29 | Verarbeitungsvorrichtung für ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001173713A JP2002367251A (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 光磁気記録媒体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367251A true JP2002367251A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19015123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001173713A Pending JP2002367251A (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 光磁気記録媒体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6845065B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002367251A (ja) |
| DE (1) | DE10158421A1 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62189655A (ja) | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録ヘツドのバイアス磁界駆動法 |
| JPS63144445A (ja) | 1986-12-05 | 1988-06-16 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスク装置のフオ−カス制御方式 |
| US5677899A (en) * | 1991-02-15 | 1997-10-14 | Discovision Associates | Method for moving carriage assembly from initial position to target position relative to storage medium |
| US6434087B1 (en) * | 1995-01-25 | 2002-08-13 | Discovision Associates | Optical disc system and method for controlling bias coil and light source to process information on a storage medium |
| JP3024925B2 (ja) | 1995-09-07 | 2000-03-27 | 富士通株式会社 | 光磁気記憶装置とそのバイアス電流制御方法 |
| JP2000189655A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-11 | Heiwa Corp | パチンコ玉の揚送研磨装置 |
| JP2000339695A (ja) | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク記録装置 |
-
2001
- 2001-06-08 JP JP2001173713A patent/JP2002367251A/ja active Pending
- 2001-09-19 US US09/956,066 patent/US6845065B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-29 DE DE10158421A patent/DE10158421A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6845065B2 (en) | 2005-01-18 |
| US20020186623A1 (en) | 2002-12-12 |
| DE10158421A1 (de) | 2002-12-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091006 |