JP2002365457A - 光導波路およびその製造方法、ならびに光信号伝送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長手方向端部に形成される光路変換用ミラー
を効果的に保護し得る構造をもつ光導波路およびその製
造方法ならびに光信号伝送装置を提供する。 【解決手段】 光路変換用ミラー３１ａが面する空間４
１ａは、コア層１２、クラッド層１３、１４ａおよび封
止壁１４ｂを含む光導波路２５と、基板１１とによっ
て、外気から完全に遮断されている。同様に、光路変換
用ミラー３１ｂが面する空間４１ｂは、コア層１２、ク
ラッド層１３、１４ａおよび封止壁１４ｃを含む光導波
路２５と、基板１１とによって、外気から完全に遮断さ
れている。このため、光路変換用ミラー３１ａ，３１ｂ
に汚れ、ごみおよびきず等が付くのを効果的に回避でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光を伝播可能な光
導波路およびその製造方法、ならびにそのような光導波
路を用いて光信号を伝送する光信号伝送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（Integrated Circuit；集積回路）
やＬＳＩ（Large Scale Integration；大規模集積回
路）における技術の進歩により、それらの動作速度や集
積規模が向上し、例えばマイクロプロセッサの高性能化
やメモリチップの大容量化が急速に進んでいる。これに
伴い、電気信号の高速伝送や電気信号配線の高密度化が
必要となるが、このような電気信号配線を用いた場合に
は、これらの要求に十分対応することが困難であり、電
気信号の遅延が問題となることが多い。また、電気信号
伝送の高速化や電気信号配線の高密度化を図ると、ＥＭ
Ｉ（Electromagnetic Interference）ノイズがより多く
発生する傾向にあるため、これを防止するための対策が
不可欠となる。

【０００３】このような状況から、近年、光配線（光イ
ンターコネクション）が注目されている。この光配線
は、機器間、機器内のボード間、またはボード内のチッ
プ間等、種々の箇所において適用可能であると考えられ
ている。その中でも、チップ間のように比較的短距離間
での信号伝送においては、チップが搭載されている基板
上に光導波路を形成し、この光導波路を信号伝送路とし
た光伝送・通信システムを構築することが好適であると
考えられている。このような光伝送・通信システムを普
及させるためには、光導波路の作製プロセスを確立する
ことが重要である。

【０００４】上述の光導波路に要求される条件として
は、その光伝送損失が小さいこと、その作製が容易であ
ること等が挙げられる。このような条件を満たす光伝送
損失が低い材料としては石英系の材料がある。石英は、
既に光ファイバで実証されているように、光透過性が極
めて良好である。従って、石英を用いて光導波路を作製
した場合には、０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低損失化が達成
されている。しかし、この場合、その作製に長時間を要
すること、作製温度が高温（８００°Ｃ以上）となるこ
と、大面積化が困難であること、作製コストが高くなる
こと等の問題がある。そこで、低温の作製プロセス下で
このような光導波路を作製可能にするための材料とし
て、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミ
ド等の高分子材料が挙げられる。

【０００５】ところで、このような光導波路を用いた光
伝送・通信システムを、例えばマルチチップモジュール
（Multichip Module；ＭＣＭ）における各ＬＳＩ間を結
ぶ伝送路に適用するに当たって、光信号を出力する発光
素子として、端面発光型の素子、例えば、半導体レーザ
ダイオード（Laser Diode ；ＬＤ）や発光ダイオード
（Light Emitting Diode；ＬＥＤ）等を使用することが
考えられる。ここで、端面発光型の素子とは、素子の主
たる表面（以下、主表面という。）に直交する端面から
光が出射するタイプの発光素子である。この場合には、
光導波路の長手方向の端面に発光端面が対向するように
基板上に発光素子を配置し、この発光素子から出射され
た光信号を光導波路へ入射させるようにすればよい。

【０００６】しかし、省電力化を図る場合や２次元アレ
イ状の配置に好適なＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surf
ace Emitting Laser）のような面発光型の発光素子を使
用する場合には、光導波路の長手方向の端面に発光面が
対向するように発光素子を基板上に配置することは困難
である。ここで、面発光型の発光素子とは、素子の主表
面から光が出射するタイプの発光素子である。

【０００７】このような事情は、伝送されてきた光信号
を受信する受光素子においても同様である。すなわち、
フォトダイオードに代表される通常の光検出器は、一般
に主表面で光を受ける面受光型であるので、このような
受光素子を基板上に光導波路の端面に受光面が対向する
ように配置するのは困難である。

【０００８】これを解決する方法として、面発光型の発
光素子および面受光型の受光素子を基板上の光導波路の
上側（すなわち、光導波路の光伝播方向と直交し、かつ
基板から離れる位置）に発光面または受光面を下向きに
してそれぞれ配置し、発光素子から基板側に出射した光
信号を、光導波路の一方の端面に設けられた光路変換用
ミラーによりほぼ垂直に反射させて光導波路内に入射さ
せ、この光導波路内を伝播した光信号を、光導波路の他
方の端面に設けられた光路変換用ミラーによりほぼ垂直
に反射させて受光素子に導くことにより、光路を変換さ
せて発光素子と受光素子との間で光結合を行う方法があ
る。このような方法を実現するためには、光導波路の端
面近傍に、光導波路の外部からの光信号を反射させて光
導波路内に入射させるための光路変換用ミラーと、光導
波路内を伝播してきた光信号を反射させて光導波路の外
部に出射させるための光路変換用ミラーを形成する必要
がある。また、光導波路を多層化した場合にも、各層に
形成される光導波路間で光結合を行うために光路変換用
ミラーが必要である。

【０００９】この光路変換用ミラーを形成する方法とし
て、例えば、図１７（Ａ）、（Ｂ）に示すようなレーザ
アブレーション法がある。この方法では、誘電体基板１
０１上に光導波路を構成するコア層１０２を形成した
後、レーザ光ＬＢの光強度を変化させつつレーザ光ＬＢ
を走査しながら照射することによりコア層１０２に傾斜
面を形成し、この形成した傾斜面を光路変換用ミラー１
０２Ａとしている。また、レーザ光ＬＢを照射する代わ
りに、例えばイオンビームを照射することによりコア層
１０２に光路変換用ミラー１０２Ａを形成する方法もあ
る。さらに、レーザ光ＬＢを走査する代わりに、レーザ
光ＬＢを固定しつつマスクを移動させながらレーザ光Ｌ
Ｂを照射することにより、コア層１０２に光路変換用ミ
ラー１０２Ａを形成することもできる。このようにして
形成された光路変換用ミラー１０２Ａによって、図１７
（Ｂ）に示したように、コア層１０２の内部を伝播して
きた光信号Ｓの伝播方向を、誘電体基板１０１の主表面
と直交する方向に変化させて光路変換を行っている。

【００１０】さらに、光路変換用ミラーの他の形成方法
としては、例えば特開平６−２６５７３８号公報に開示
されているような方法がある。この方法では、図１８
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、熱酸化シリコン基板１１
１上に、コア層１１２およびフォトレジスト膜１１３を
順次形成し、このフォトレジスタ膜１１３においてその
厚みが徐々に薄くなるような斜面構造１１３Ａを光路変
換用ミラーを形成する箇所に設けた後、酸素プラズマＰ
を用いたドライエッチングを行う。これにより、光導波
路を構成するコア層を形成すると同時に、フォトレジス
タ膜１１３とコア層１１２とのエッチング比に基づきコ
ア層１１２の斜面構造１１３Ａに対応する位置に光路変
換用ミラー１１２Ａを形成する。このようにして形成し
た光路変換用ミラー１１２Ａによって、図１８（Ｂ）に
示したように、コア層１１２の内部を伝播してきた光Ｓ
の伝播方向を、熱酸化シリコン基板１１１の主表面と直
交する方向に変化させて光路変換を行っている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記のような方法によ
って形成された光路変換用ミラーによって光信号の光路
変換を行う場合には、そこでの反射効率を高めるため
に、光路変換用ミラーが空気等の低屈折率媒質と直接接
するようにすることが好ましい。この場合には、光路変
換用ミラーでの内面反射の際に光が全反射を起こすよう
にすることができるからである。しかしながら、このよ
うな構造の光導波路においては、光路変換用ミラー自体
が外気に露されていることから、そこにごみや汚れ等が
付着し、あるいはきずが付く虞れがある。この場合に
は、光路変換用ミラーの反射率が低下し、十分な光量を
伝送できなくなる等の問題が生ずる。

【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、長手方向の端部に形成される光
路変換用ミラーを効果的に保護し得る構造を有する光導
波路およびその製造方法、ならびにそのような光導波路
を備えた光信号伝送装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の光導波路は、光
信号を伝播し得るように基板上に配設されると共に、光
信号の伝播方向における端部に光路変換用ミラーが設け
られた光導波路であって、光路変換用ミラーが、光導波
路自身と基板とによって囲まれた閉じた空間に面するよ
うにしたものである。

【００１４】本発明の光信号伝送装置は、基板と、光信
号を伝播し得るように基板上に配設されると共に、光信
号の伝播方向における端部に光路変換用ミラーを有する
光導波路と、光路変換用ミラーに向けて光を発する発光
素子、または光導波路内を伝播して光路変換用ミラーで
反射された光信号を受光する受光素子、の少なくとも一
方と、を備え、光路変換用ミラーが、光導波路と基板と
によって囲まれた閉じた空間に面するようにしたもので
ある。

【００１５】本発明の光導波路または光信号伝送装置で
は、光路変換用ミラーの面する空間が外気から遮断され
た閉じた空間であるため、光路変換用ミラーが、汚染や
きず等から保護される。

【００１６】本発明の第１の観点に係る光導波路の製造
方法は、第１の基板とは異なる第２の基板上に、光信号
の伝播方向となる方向における端部に光路変換用ミラー
とこの光路変換用ミラーに面する凹部空間とを有する光
導波路を形成する第１の工程と、光導波路が形成された
第２の基板を第１の基板に重ね合わせて、凹部空間が光
導波路および第１の基板によって囲まれた閉じた空間と
なるように、光導波路を第１の基板に転写する第２の工
程とを含むものである。

【００１７】本発明の第２の観点に係る光導波路の製造
方法は、第１の基板とは異なる第２の基板上に、クラッ
ド層の一部となる第１のクラッド層を形成する工程と、
第１のクラッド層の上に、コア層をパターニングして形
成する工程と、コア層の、光信号の伝播方向となる方向
における端部に、光路変換用ミラーを形成する工程と、
コア層の上に、クラッド層の一部となる第２のクラッド
層を、光路変換用ミラーに対応する部分に開口空間を有
するようにパターニングして形成する工程と、第１のク
ラッド層、コア層および第２のクラッド層を含む積層体
が形成された第２の基板を第１の基板に重ね合わせて、
第２のクラッド層の開口空間が積層体および第１の基板
によって囲まれた閉じた空間となるように、積層体を第
１の基板に転写する工程とを含むものである。

【００１８】本発明の第３の観点に係る光導波路の製造
方法は、第１の基板とは異なる第２の基板上に、クラッ
ド層の一部となる第１のクラッド層を形成する工程と、
第１のクラッド層の上に、コア層をパターニングして形
成する工程と、コア層の上に、クラッド層の一部となる
第２のクラッド層をパターニングして形成する工程と、
コア層の、光信号の伝播方向となる方向における端部の
近傍の第２のクラッド層に、光路変換用ミラーと、この
光路変換用ミラーに面する凹部空間とを形成する工程
と、第１のクラッド層、コア層および第２のクラッド層
を含む積層体が形成された第２の基板を第１の基板に重
ね合わせて、第２のクラッド層の凹部空間が積層体およ
び第１の基板によって囲まれた閉じた空間となるよう
に、積層体を第１の基板に転写する工程とを含むもので
ある。

【００１９】本発明の第１ないし第３のいずれか１つに
係る光導波路の製造方法では、まず、第１の基板とは異
なる第２の基板上に、光信号の伝播方向となる方向にお
ける端部に光路変換用ミラーおよび凹部空間（または開
口空間）を有する光導波路が形成される。次に、第２の
基板上に形成された光導波路が、天地を反転した状態で
第１の基板に転写される。この転写により、凹部空間
（または開口空間）は、光導波路自身および第１の基板
によって囲まれた閉じた空間（封止された空間）とな
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００２１】［第１の実施の形態］ 〈構造〉図１は本発明の第１の実施の形態における光信
号伝送装置の断面構造を表すものである。この光信号伝
送装置１は、基板１１と、この基板１１上に接着層１５
を介して配置された光導波路２５とを備えている。

【００２２】光導波路２５は、光信号を伝播可能なコア
層１２と、このコア層１２の側面（光信号の伝播方向で
ある長手方向と直交する方向の４つの面）を覆うクラッ
ド層１３、１４Ａと、クラッド層１３と一体をなす封止
壁１４Ｂ、１４Ｃとを含んで構成されている。封止壁１
４Ｂは、コア層１２、クラッド層１３，１４Ａおよび基
板１１と共に、閉じた空間４１Ａを形成している。これ
については後述する。クラッド層１３，１４Ａ、および
封止壁１４Ｂ，１４Ｃは、例えば屈折率が１．５２程度
のビスフェノールを主材とするエポキシ樹脂により構成
される。コア層１２は、クラッド層１３、１４Ａの構成
材料よりも屈折率の大きな材料、例えば屈折率が１．５
４程度のエポキシ樹脂により構成される。なお、クラッ
ド層１３，１４Ａは、コア層１２の屈折率よりも小さい
屈折率を有するものであれば、他の材料、例えば、ポリ
イミド、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ；Polyme
thyl Methacrylate ）等のアクリル樹脂、ポリエチレン
やポリスチレン等のポリオレフィン樹脂、あるいは合成
ゴムによっても構成可能である。

【００２３】ここで、コア層１２が本発明における「コ
ア層」の一具体例に対応し、クラッド１３，１４Ａが本
発明における「クラッド層」の一具体例に対応する。ク
ラッド１４Ａはまた、本発明における「第２のクラッド
層」の一具体例にも対応する。

【００２４】コア層１２の長手方向における両端部に
は、光路変換用ミラー３１Ａ、３１Ｂが形成されてい
る。これらの光路変換用ミラー３１Ａ、３１Ｂは、それ
ぞれ、基板１１の表面となす外角が鋭角（ここでは、ほ
ぼ４５°）をなすように傾斜している。ここにいう外角
とは、コア層１２をその長手方向に沿って切ったときの
断面（図示の断面）がなす図形（ここでは台形）の外角
を意味するものであり、内角の対義語として用いられ
る。

【００２５】光路変換用ミラー３１Ａは、基板１１、ク
ラッド層１３，１４Ａ、および封止壁１４Ｂ等によって
封止された空間４１Ａに面している。なお、図１では図
示しないが、空間４１Ａは、封止壁１４Ｂと直交する方
向（紙面と平行な方向）に延びる他の２つの封止壁によ
っても囲まれており、これらの部材によって外気から完
全に遮断された閉じた空間をなしている。光路変換用ミ
ラー３１Ａは、後述する発光素子２１の発光面から出射
された光信号をほぼ全反射して光導波路２５の光伝播方
向に導くという光路変換機能を有する。

【００２６】光路変換用ミラー３１Ｂは、基板１１、ク
ラッド層１３，１４Ａ、および封止壁１４Ｃ等によって
封止された空間４１Ｂに面している。なお、図１では図
示しないが、空間４１Ｂもまた、封止壁１４Ｃと直交す
る方向（紙面と平行な方向）に延びる他の２つの封止壁
によって囲まれており、これらの部材によって外気から
完全に遮断された閉じた空間をなしている。光路変換用
ミラー３１Ｂは、光導波路２５の内部を伝播してきた光
信号をほぼ全反射して後述する受光素子２２の受光面に
導くという光路変換機能を有する。

【００２７】なお、通常、空間４１Ａ，４１Ｂの内部は
空気で満たされているが、他のガスで満たされていても
よいし、あるいは、ほぼ真空状態に保持されるようにし
てもよい。但し、他のガスを封入する場合には、化学的
に不活性であり、かつ、空気と同程度の低い屈折率を有
するガス（例えば、窒素ガス等）を用いることが好まし
い。あるいは、空間４１Ａ，４１Ｂがほぼ真空状態にな
っていてもよい。

【００２８】光信号伝送装置１はまた、発光素子２１
と、受光素子２２とを備えている。発光素子２１は、そ
の主表面２１Ａが基板１１の側（光導波路２５の側）を
向くようにして複数のバンプ６０、６１等によって基板
１１上に固設されると同時に、これらのバンプ６０、６
１等によって配線パターンの接続パッド（図示せず）に
電気的に接続されている。この発光素子２１は、その主
表面２１Ａが発光面になっているいわゆる面発光型の発
光素子であり、例えばレーザダイオードや発光ダイオー
ドが用いられる。発光素子２１は、基板１１上に配置さ
れた図示しない半導体チップからバンプ６０、６１等を
介して供給される電気信号を光信号に変換し、変換した
光信号をその主表面２１Ａ（以下、発光面２１Ａとい
う。）から光導波路２５の光路変換用ミラー３１Ａに向
けて出射するようになっている。

【００２９】受光素子２２は、その主表面２２Ａが基板
１１の側（光導波路２５の側）を向くようにして複数の
バンプ６２、６３等によって基板１１上に固設されると
同時に、これらのバンプ６２、６３等によって基板１１
上の配線パターンの接続パッド（図示せず）に電気的に
接続されている。受光素子２２は、その主表面２２Ａが
受光面になっているいわゆる面受光型の発光素子であ
り、例えばフォトダイオードが用いられる。受光素子２
２は、光導波路２５のコア層１２内部を伝播してきて光
路変換用ミラー３１Ｂで反射された光信号をその主表面
２２Ａ（以下、受光面２２Ａという。）で受光し、この
受光した光信号を電気信号に変換して、基板１１上に配
置された図示しない他の半導体チップに出力するように
なっている。

【００３０】なお、基板１１としては、以下に挙げるよ
うな様々なタイプのものが使用可能である。例えば、ア
ルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、低温焼成ガラスセラミック、ガ
ラスセラミック、アルミニウムナイトライド（Ａｌ
Ｎ）、およびムライト等の無機絶縁材料からなるセラミ
ック多層配線基板や、ＦＲ−４等のガラスエポキシ樹脂
からなるガラスエポキシ多層配線基板、通常のガラスエ
ポキシ配線基板上に例えば感光性エポキシ樹脂等を用い
たフォトリソグラフィ技術で高密度パターン形成を可能
にしたいわゆるビルドアップ多層配線基板が用いられ
る。あるいは、ポリイミドフィルム等の絶縁材料を用い
たフレキシブル多層配線基板や、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ（po
lyphenyl ether）樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィ
ン樹脂（例えばデュポン社製のテフロン（登録商標：ポ
リテトラフルオロエチレン））等の有機絶縁材料を用い
た有機多層配線基板等も使用可能である。このほか、基
板１１としては、例えば誘電体材料からなるコア基板上
に、電気的配線パターンが高密度に印刷された印刷基板
を配設してなるいわゆるプリント配線基板を使用するこ
とも可能である。

【００３１】また、接着層１５は、光導波路２５を基板
１１に接着するためのものであり、例えばガラスエポキ
シ樹脂等の光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂により構成
される。この接着層１５は、上記の接着の役割の他に、
基板１５の表面の凸凹を平坦化する役割も果たしてい
る。

【００３２】次に、以上の構成を有する光信号伝送装置
１の動作および作用を説明する。

【００３３】まず、一般的な動作を説明する。この光信
号伝送装置１では、電源（図示しない）からバンプ６０
等を介して電力が供給されることにより、発光素子２１
および受光素子２２が動作可能な状態となる。基板１１
上の図示しない半導体チップからバンプ６０等を介して
発光素子２１に電気信号が出力されると、発光素子２１
は、この電気信号を光信号に変換し、変換した光信号を
発光面２１Ａより出射する。発光素子２１の発光面から
出射した光信号は、光導波路２５に側面から入射し、コ
ア層１２の光路変換用ミラー３１Ａに入射する。光路変
換用ミラー３１Ａに入射した光信号は、そこで、入射方
向に対してほぼ垂直な方向（コア層１２の長手方向）に
反射され、コア層１２の内部を光伝播方向に沿って伝播
し、光導波路２５の他方の端部に形成されている光路変
換用ミラー３１Ｂに入射する。光路変換用ミラー３１Ｂ
に入射した光信号は、そこで、入射方向に対してほぼ垂
直な方向に反射された後、光導波路２５の側面から出射
し、受光素子２２の受光面２２Ａに入射する。受光素子
２２は、受光した光信号を電気信号に変換し、変換した
電気信号を基板１１上の他の半導体チップ（図示せず）
に出力する。このようにして、基板１１上の複数の半導
体チップ間で光導波路２５を通して光信号が伝送され
る。

【００３４】次に、光信号伝送装置１の特徴的な作用を
説明する。この光信号伝送装置１では、光路変換用ミラ
ー３１Ａが面している空間４１Ａは、コア層１２、クラ
ッド層１３、１４Ａおよび封止壁１４Ｂを含む光導波路
２５と、基板１１とによって、外気から完全に遮断され
ている。同様に、光路変換用ミラー３１Ｂが面している
空間４１Ｂは、コア層１２、クラッド層１３、１４Ａお
よび封止壁１４Ｃを含む光導波路２５と、基板１１とに
よって、外気から完全に遮断されている。このため、光
路変換用ミラー３１Ａ，３１Ｂに汚れ、ごみ、きず等が
付くのを効果的に回避することができる。したがって、
これらの異物等の付着による反射率の低下がなく、効率
的な（損失の少ない）光伝送が可能になる。

【００３５】また、本実施の形態の光信号伝送装置１
は、以下の点でも有利である。すなわち、一般に、図１
に示したような構造の光信号伝送装置は、外部からの光
ノイズや機械的なダメージを受け易いことから、その表
面を、保護層により覆って保護することが好ましい。と
ころが、仮に光路変換用ミラー３１Ａ，３１Ｂが直接外
気に接していたとすると、保護層が光路変換用ミラー３
１Ａの表面をも覆ってしまう。このような保護層は、通
常は合成樹脂等で構成されることから、光路変換用ミラ
ー３１Ａ，３１Ｂを境界面として両側の媒質の屈折率の
差が小さくなってしまう。この結果、光信号が光路変換
用ミラー３１Ａ，３１Ｂに入射したときの内面反射によ
る全反射が起きにくくなり、反射損失が増大する。

【００３６】これに対して、本実施の形態では、光路変
換用ミラー３１Ａ，３１Ｂがそれぞれ面する空間４１
Ａ，４１Ｂが外気から完全に遮断されていることから、
これらの空間４１Ａ，４１Ｂに保護層の一部が侵入する
ことがない。このため、空間４１Ａ，４１Ｂは常に空気
等の低屈折率（屈折率がほぼ１．０）のガスによって満
たされることになり、１．５以上の屈折率を有するコア
層１２との間に大きな屈折率の差が維持される。この結
果、光信号が光路変換用ミラー３１Ａ，３１Ｂに入射し
たときの内面反射による全反射が確実に起きることにな
り、反射損失を極めて小さくすることができる。したが
って、この点においても、効率的な光伝送が可能にな
る。 〈製造方法〉

【００３７】次に、図２ないし図８を参照して、光信号
伝送装置１の製造方法を説明する。なお、図２ないし図
８は、それぞれ、光信号伝送装置１の主要な製造工程に
おける断面構造を表すもので、図１に示した断面図に対
応している。

【００３８】まず、図２に示したように、例えばガラス
基板のような平滑な表面を有する基板５１を準備し、ス
ピンコーティング等によって基板５１上に液状の樹脂材
料（例えば、熱硬化性の樹脂）を塗布した後に加熱処理
を行ってこの樹脂材料を硬化させる。これにより、クラ
ッド層１３が基板５１上に形成される。

【００３９】なお、後工程（光導波路２５を他の基板に
転写する際の基板５１の剥離工程）を容易にするため
に、予め基板５１とクラッド層１３との間に、基板分離
層（図示せず）を形成しておくことが好ましい。この基
板分離層としては、次のようなものが考えられる。

【００４０】例えば、本出願人が特願平１１−１２０６
３１において提案しているように、後工程において薄い
フッ化水素や緩衝フッ化水素等の溶液により容易に溶解
除去することができる材料（二酸化シリコン等）を用い
て、基板５１とクラッド層１３との間の全面に基板分離
層を形成する方法である。

【００４１】また、例えば、本出願人が特願平１１−２
０８５０７において提案しているように、プラズマＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）法等によって、転写
後の剥離工程で容易に溶解除去可能な例えばアルミニウ
ム等からなるダミー層のパターン（図示せず）を基板５
１とクラッド層１３との間に選択的に（隙間を点在させ
るようにして）形成する方法がある。

【００４２】また、例えば、本出願人が特願平１１−１
９９０２３において提案しているように、シリコーンオ
イルを硬化させてなる剥離性向上膜、もしくは、光導波
路の形成材料よりも低い転移温度を有する材料（例え
ば、アクリル樹脂）からなる剥離性向上膜を、基板５１
とクラッド層１３との間の全面に形成しておくという方
法もある。

【００４３】次に、図３に示したように、フォトリソグ
ラフィ技術を用いたパターニングにより、クラッド層１
３上の所定の位置に、短冊状にパターニングされたコア
層１２を形成する。このとき、同時に、コア層１２の長
手方向における両端部に、所定の傾斜角（基板１１の表
面に対してほぼ４５°）で傾斜している光路変換用ミラ
ー３１Ａ、３１Ｂを形成する。

【００４４】コア層１２の形成は、例えば、本出願人が
特願平１１−１０８１９９において開示した方法により
行う。すなわち、まず、クラッド層１３の上に、このク
ラッド層１３を構成する樹脂材料よりも硬化後の屈折率
が高い樹脂材料（例えば、光硬化性のエポキシ樹脂）を
スピンコーティング等により塗布する。

【００４５】次に、透明基体上に遮光膜パターンを形成
してなるフォトマスク（図示せず）を、基板５１の上に
位置合わせして配置する。このフォトマスクの遮光膜パ
ターンには、コア層１２の平面形状に対応した形状を有
する開口部が設けられている。この開口部の長手方向の
両端部近傍領域の遮光膜は、開口部の中心に向かって膜
厚が徐々に薄くなるように形成され、後述する露光時に
おいて、その膜厚に応じた量の光を透過させるようにな
っている。

【００４６】このようなフォトマスクを基板５１上に配
置した後、このフォトマスク側から樹脂材料に向けて光
を照射する。この樹脂材料として、光の吸収量が比較的
少なく光透過性に優れているエポキシ樹脂を用いると、
クラッド層１３で反射した光、および基板５１の表面や
裏面において反射した光が、主としてこの樹脂材料の硬
化に寄与し、樹脂材料はクラッド層１３側から硬化を始
め、クラッド層１３に固着する。この結果、開口部の長
手方向の両端部に対応する部分以外の領域では、樹脂材
料はその厚さ方向の全体にわたって硬化される。一方、
開口部の両端部に対応する部分の近傍領域では、遮光膜
の厚さに応じて樹脂材料の硬化部分の厚さが決定され
る。すなわち、遮光膜が比較的厚い部分では、樹脂材料
の下層部分のみが硬化する。遮光膜が比較的薄い部分で
は、樹脂材料の下層部分だけでなく、それよりも上の部
分も硬化する。

【００４７】次に、この樹脂材料のうち、光によって硬
化されなかった未硬化部分を有機溶剤等を用いて溶解除
去する。これにより、図３に示したように、コア層１２
が形成されるとともに、その長手方向における両端部
に、所定の傾斜角で傾斜している面で構成される光路変
換用ミラー３１Ａ、３１Ｂが形成される。

【００４８】なお、このようなパターニング方法の代わ
りに、図１７に示したレーザアブレーション法や、図１
８に示した斜面構造付きフォトレジストを用いたドライ
エッチング法を用いることも可能である。

【００４９】このようにして、コア層１２に光路変換用
ミラー３１Ａ，３１Ｂを形成したのち、図４に示したよ
うに、硬化後の屈折率がクラッド層１３と同じくなるよ
うな光硬化性の樹脂材料をスピンコーティング等により
全面に塗布したのち、図示しないフォトマスクを基板１
１上に位置合わせをして配置し、このフォトマスク側か
ら樹脂材料層に向けて光を照射する。ここで用いるフォ
トマスクは、光路変換用ミラー３１Ａ、３１Ｂを除くコ
ア層１２の全体をカバーするような、コア層１２よりも
一回り大きい領域のみが露光されることとなるようなパ
ターンを有するものである。この光照射により、樹脂材
料層のうちの露光された部分のみがその厚さ方向の全体
にわたって硬化し、それ以外の領域はすべて未硬化のま
まとなる。

【００５０】次に、樹脂材料層のうち、光によって硬化
されなかった未硬化部分を有機溶剤等を用いて溶解除去
する。これにより、クラッド層１４Ａおよび封止壁１４
Ｂ、１４Ｃからなる硬化樹脂パターン１４が形成され
る。この硬化樹脂パターン１４は、光路変換用ミラー３
１Ａ、３１Ｂにそれぞれ対応する領域に開口部Ｋ１，Ｋ
２を有している。このため、この時点では、光路変換用
ミラー３１Ａ、３１Ｂは外気と接した状態となってい
る。ここで、開口部Ｋ１，Ｋ２が本発明における「開口
空間」の一具体例に対応する。

【００５１】次に、例えばダイシングソーを用いて、硬
化樹脂パターン１４の外縁に沿って、クラッド層１３に
切り込み溝１３Ａを形成するトリミング処理を行う。こ
れにより、基板５１上に、コア層１２と、コア層１２を
包むクラッド層１３、１４Ａと、クラッド層１４Ａと一
体をなす封止壁１４Ｂ、１４Ｃとからなる光導波路２５
が形成される。

【００５２】次に、図５に示したように、別の基板１１
を準備し、この基板１１上に接着剤を塗布することによ
り接着層１５を形成し、その上方に、光導波路２５が形
成された基板５１を、上下反転させて配置する。接着剤
としては、例えば、光硬化型のエポキシ樹脂のような有
機樹脂材料を用いる。但し、接着剤は、熱硬化型のもの
でもよい。

【００５３】次に、図６に示したように、光導波路２５
が形成された基板５１を、上下反転させた状態で、クラ
ッド層１４Ａが基板１１上の接着層１５に密着するよう
に基板１１上に位置合わせしながら重ね合わせる。そし
て、この状態で、基板５１の上方からの光の照射によっ
て接着層１５を硬化させる。なお、接着剤が熱硬化型の
場合には、加熱処理により硬化させる。

【００５４】次に、図７に示したように、互いに接着さ
れた状態の基板１１および基板５１を、所定の溶液に浸
すことにより、基板５１とクラッド層１３との間に予め
形成されている上記の基板分離層を溶解し、基板５１を
光導波路２５から分離する。これにより、光導波路２５
が基板１１に転写される。基板分離層が、例えばアルミ
ニウムからなる場合には、溶液として例えば塩酸系ある
いはりん酸系のものを用いるのが好ましい。なお、基板
５１とクラッド層１３との密着性が、接着層１５の接着
力よりも十分小さい場合には、基板分離層および溶液へ
の浸漬工程は不要であり、単に機械的な力を加えること
のみによって基板５１を光導波路２５から分離すること
ができる。

【００５５】図８は、基板５１を光導波路２５から完全
に分離して基板１１への光導波路２５の転写を終了した
状態を表すものである。この図に示したように、光導波
路２５のコア層１２の両端部に形成されている光路変換
用ミラー３１Ａ，３１Ｂと接する空間４１Ａ、４１Ｂ
は、基板１１、クラッド層１３、および封止壁１４Ｂ，
１４Ｃによって完全に封止され、外気から遮断された状
態となる。

【００５６】次に、図１に示したように、光導波路２５
が転写された基板１１に、面発光型の発光素子２１およ
び面受光型の受光素子２２を、バンプ６０，６１，６
２，６３等によって基板１１上にそれぞれ実装する。こ
の実装は、例えばフリップチップボンディング法を用い
て行うが、その際、発光素子２１の発光面と受光素子２
２の受光面とが、それぞれ、基板１１上の光導波路２５
の光路変換用ミラー３１Ａ，３１Ｂと対向するように位
置合わせをして行う。このようにして、光信号伝送装置
１の主要な製造工程が完了する。

【００５７】なお、必要に応じて、光信号伝送装置１の
上に保護層を形成するようにしてもよい。

【００５８】以上のように、本実施の形態では、予め他
の基板５１の上に、コア層１２の両端部の光路変換用ミ
ラー３１Ａ、３１Ｂに対応した位置に開口部１４Ａ，１
４Ｂを有する光導波路２５を形成し、この光導波路２５
を基板１１に転写することにより、開口部１４Ａ，１４
Ｂが、光路変換用ミラー３１Ａ，３１Ｂが面する閉じた
空間４１Ａ、４１となるようにしたので、複雑な構造の
光導波路を比較的容易に製造することができる。

【００５９】なお、本実施の形態の製造方法では、基板
５１の全面にクラッド層１３を塗布形成して硬化させて
おき、その上にコア層１２および硬化樹脂パターン１４
を形成した後に硬化樹脂パターン１４の外縁に沿ってク
ラッド層１３をダイシングソーによりトリミングするよ
うにしたが、この方法には限定されない。例えば、コア
層１２を形成する際に、同時に、その平面形状をパター
ニングしておくようにしてもよい。この場合には、トリ
ミング工程が不要となり、製造工程がより簡略化され
る。

【００６０】［第２の実施の形態］ 〈構造〉図９は本発明の第２の実施の形態に係る光信号
伝送装置の断面構造を表すものである。本実施の形態の
光信号伝送装置は、光導波路を構成するクラッド層の長
手方向（光信号の伝播方向）における両端部に光路変換
用ミラーを形成し、この光路変換用ミラーと接する空間
を封止壁により封止したものである。なお、図９におい
て、図１と同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜
その説明を省略する。

【００６１】本実施の形態の光信号伝送装置２は、上記
第１の実施の形態における光導波路２５に代えて、光導
波路２６を備えている。光導波路２６は、コア層１６
と、このコア層１６を覆うクラッド層１３、１７Ａと、
封止壁１７Ｂ、１７Ｃとを含んで構成されている。コア
層１６の長手方向（光信号の伝播方向）における両端部
には、その長手方向に対して垂直な端面が形成されてい
る。この端面を含むコア層１６の全体がクラッド層１７
Ａによって完全に覆われている。

【００６２】ここで、コア層１６が本発明における「コ
ア層」の一具体例に対応し、クラッド１３，１７Ａが本
発明における「クラッド層」の一具体例に対応する。ク
ラッド１７Ａはまた、本発明における「第２のクラッド
層」の一具体例にも対応する。

【００６３】クラッド層１７Ｃの長手方向における両端
部には、所定の傾斜角（例えば、基板１１の表面に対し
てほぼ４５°）で傾斜した光路変換用ミラー３２Ａ、３
２Ｂが形成されている。光路変換用ミラー３２Ａは、基
板１１、クラッド層１３および封止壁１７Ｂによって外
気から完全に遮断された閉じた空間４２Ａと接してい
る。光路変換用ミラー３２Ｂは、基板１１、クラッド層
１３および封止壁１７Ｃによって外気から完全に遮断さ
れた閉じた空間４２Ｂと接している。その他の構成は、
上記第１の実施の形態の場合と同様である。

【００６４】次に、このような構成の光信号伝送装置２
の動作および作用を説明する。

【００６５】この光信号伝送装置２では、発光素子２１
の発光面から出射した光信号は、光導波路２６にその側
面から入射したのち、クラッド層１７Ａの一方の端部に
形成されている光路変換用ミラー３２Ａに入射し、その
入射方向に対してほぼ垂直な方向（光伝播方向）に反射
される。光路変換用ミラー３２Ａで反射した光信号は、
光導波路２６のコア層１６の一方の端面に垂直入射し、
コア層１６の内部を光伝播方向に沿って伝播したのち、
コア層１６の他方の端面から垂直出射し、さらにクラッ
ド層１７Ａの他方の端部の光路変換用ミラー３２Ｂに入
射する。光路変換用ミラー３２Ｂに入射した光信号は、
その入射方向に対してほぼ垂直な方向に反射されたの
ち、光導波路２６の側面から出射し、受光素子２２の受
光面に入射する。その他の動作は、上記第１の実施の形
態の場合と同様である。

【００６６】以上のように、本実施の形態の光信号伝送
装置２は、コア層ではなくクラッド層の端面が光路変換
用ミラーを構成している点が上記第１の実施の形態とは
異なるが、光路変換用ミラーが外気から遮断された閉じ
た空間に面している点は同様である。この結果、上記第
１の実施の形態の場合と同様に、光路変換用ミラー３へ
の異物等の付着による反射率の低下を効果的に防止で
き、しかも、保護層を設けた場合にも光路変換用ミラー
での全反射を担保できることから、反射損失が極めて小
さくなり、効率的な光伝送が可能になる。

【００６７】〈製造方法〉次に、図１０ないし図１６を
参照して、本実施の形態の光信号伝送装置２の製造方法
を説明する。なお、図１０ないし図１６は、それぞれ、
光信号伝送装置２の各製造工程における断面構造を表す
ものである。

【００６８】まず、図１０に示したように、第１の実施
の形態の場合と同様の工程により、基板５１の上にクラ
ッド層１３を形成したのち、図１１に示したように、ク
ラッド層１３上の所定の位置にコア層１６を形成する。
この時、コア層１６の長手方向における両端面がその長
手方向に対して垂直となるようにする。

【００６９】次に、図１２に示したように、コア層１６
の全体を完全に覆うように、クラッド層１７Ａおよび封
止壁１７Ｂ、１７Ｃからなる硬化樹脂パターン１７を形
成する。硬化樹脂パターン１７の形成方法は、上記第１
の実施の形態の場合と同様である。

【００７０】次に、コア層１６の長手方向の両端部の近
傍におけるクラッド層１７Ａに、凹部Ｋ３，Ｋ４を選択
的に形成する。このとき、凹部Ｋ３，Ｋ４のコア層１６
側の面が、基板５１に対して所定の傾斜角で傾斜した光
路変換用ミラー３２Ａ、３２Ｂをなすようにする。ま
た、凹部Ｋ３，Ｋ４の形成によってコア層１６が露出し
ないようにする。この光路変換用ミラー３２Ａ、３２Ｂ
の形成方法もまた、上記第１の実施の形態の場合と同様
である。ここで、凹部Ｋ３，Ｋ４が本発明における「凹
部空間」の一具体例に対応する。

【００７１】次に、上記第１の実施の形態の場合と同様
に、例えばダイシングソーを用いて、硬化樹脂パターン
１７の外縁に沿って、クラッド層１３に切り込み溝１３
Ａを形成するトリミング処理を行う。これにより、基板
５１上に、コア層１６と、コア層１６を包むクラッド層
１３、１７Ａと、クラッド層１７Ａと一体をなす封止壁
１７Ｂ、１７Ｃとからなる光導波路２６が形成される。

【００７２】次に、上記第１の実施の形態と同様の工程
（図１３〜図１６）により、光導波路２６を基板１１に
転写する。これにより、図１６に示したように、クラッ
ド層１７Ａの両端部近傍の光路変換用ミラー３２Ａ，３
２Ｂと接する凹部Ｋ３，Ｋ４は、基板１１、クラッド層
１３、および封止壁１７Ｂ，１７Ｃによって完全に封止
された（外気から遮断された）空間４２Ａ、４２Ｂとな
る。

【００７３】これ以降の工程は、上記第１の実施の形態
と同様である。すなわち、発光素子２１および受光素子
２２を基板１１上に実装することにより、光信号伝送装
置２の主要な製造工程を完了する。

【００７４】以上のように、本実施の形態では、予め他
の基板５１の上に、クラッド層１７Ａの両端部近傍に凹
部Ｋ３，Ｋ４と光路変換用ミラー３２Ａ，３２Ｂとを有
する光導波路２６を形成し、この光導波路２６を基板１
１に転写することにより、これらの凹部Ｋ３，Ｋ４が閉
じた空間４２Ａ、４２Ｂとなるようにしたので、第１の
実施の形態の場合と同様に、複雑な構造の光導波路を比
較的容易に製造することができる。

【００７５】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、基板１１，１
５、コア層１２、クラッド層１３，１４Ａ，１７Ａ、お
よび封止層１４Ｂ，１４Ｃ，１７Ｂ，１７Ｃの形成材料
や形成方法は、上記の各実施の形態には限られず、他の
材料および方法が採用可能である。また、発光素子２１
および受光素子２２についても、上記各実施の形態で説
明したデバイスには限定されず、本発明の趣旨を逸脱し
ない場合で変更可能である。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項４のいずれかに記載の光導波路、または請求項５な
いし請求項９のいずれかに記載の光信号伝送装置によれ
ば、光信号を伝播し得るように基板上に配設された光導
波路の光信号伝播方向における端部に光路変換用ミラー
を設けると共に、この光路変換用ミラーが、光導波路自
身と基板とによって囲まれた閉じた空間に面するように
したので、光路変換用ミラーに異物やきず等が付くこと
を効果的に防止することができる。このため、光路変換
用ミラーの反射率を高く維持し、光信号を効率よく伝送
することが可能になる。

【００７７】また、請求項１０ないし請求項１４のいず
れかに記載の光信号伝送装置の製造方法によれば、最終
的に光導波路が搭載される第１の基板とは異なる第２の
基板上に、光路変換用ミラーと、この光路変換用ミラー
に面する凹部空間または開口空間とを有する光導波路を
予め形成すると共に、これらの凹部空間または開口空間
が、光導波路および第１の基板によって囲まれた閉じた
空間となるように、光導波路を第１の基板に転写するよ
うにしたので、複雑な構造を有する光導波路を比較的容
易に製造することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光信号伝送装
置の構造を示す断面図である。

【図２】図１に示した光信号伝送装置の製造工程の１つ
を説明するための断面図である。

【図３】図２に示した工程に続く工程を説明するための
断面図である。

【図４】図３に示した工程に続く工程を説明するための
断面図である

【図５】図４に示した工程に続く工程を説明するための
断面図である。

【図６】図５に示した工程に続く工程を説明するための
断面図である。

【図７】図６に示した工程に続く工程を説明するための
断面図である。

【図８】図７に示した工程に続く工程を説明するための
断面図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態に係る光信号伝送装
置の構造を表す断面図である。

【図１０】図１に示した光信号伝送装置の製造工程の１
つを説明するための断面図である。

【図１１】図１０に示した工程に続く工程を説明するた
めの断面図である。

【図１２】図１１に示した工程に続く工程を説明するた
めの断面図である。

【図１３】図１２に示した工程に続く工程を説明するた
めの断面図である

【図１４】図１３に示した工程に続く工程を説明するた
めの断面図である。

【図１５】図１４に示した工程に続く工程を説明するた
めの断面図である。

【図１６】図１５に示した工程に続く工程を説明するた
めの断面図である。

【図１７】従来の光導波路の光路変換用ミラーの形成方
法の一例を説明するための断面図である。

【図１８】従来の光導波路の光路変換用ミラーの形成方
法の他の例を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１，２…光信号伝送装置、１１，５１…基板、１２，１
６…コア層、１３，１４Ａ，１７Ａ…クラッド層、１４
Ｂ，１４Ｃ，１７Ｂ，１７Ｃ…封止壁、１５…接着層、
２１…発光素子、２２…受光素子、２５，２６…光導波
路、３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ…光路変換用ミラ
ー、４１Ａ，４１Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ…閉じた空間、６
０，６１，６２，６３…バンプ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 KA04 LA09 MA07 PA21 QA05 TA43 5F041 AA43 AA44 CA12 DA09 DA19 DA34 EE23 FF14 5F073 AA64 AB18 AB29 BA01 FA15 FA22 5F088 AA01 BA10 BA16 BB01 JA03 JA09 JA11

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光信号を伝播し得るように基板上に配設
   されると共に、前記光信号の伝播方向における端部に光
   路変換用ミラーが設けられた光導波路であって、 前記光路変換用ミラーは、光導波路自身と前記基板とに
   よって囲まれた閉じた空間に面していることを特徴とす
   る光導波路。
2. 【請求項２】 コア層と、このコア層を包むクラッド層
   とを含んで構成された光導波路であって、 前記コア層の、前記光信号の伝播方向における端面が、
   前記光路変換用ミラーを構成していることを特徴とする
   請求項１に記載の光導波路。
3. 【請求項３】 コア層と、このコア層を包むクラッド層
   とを含んで構成された光導波路であって、 前記クラッド層の、前記光信号の伝播方向における端面
   が、前記光路変換用ミラーを構成していることを特徴と
   する請求項１に記載の光導波路。
4. 【請求項４】 前記光路変換用ミラーは、前記光信号の
   伝播方向に対して４５度の角度をなしていることを特徴
   とする請求項１に記載の光導波路。
5. 【請求項５】 基板と、 光信号を伝播し得るように前記基板上に配設されると共
   に、前記光信号の伝播方向における端部に光路変換用ミ
   ラーを有する光導波路と、 前記光路変換用ミラーに向けて光を発する発光素子、ま
   たは前記光導波路内を伝播して前記前記光路変換用ミラ
   ーで反射された光信号を受光する受光素子、の少なくと
   も一方とを備え、 前記光路変換用ミラーは、前記光導波路と前記基板とに
   よって囲まれた閉じた空間に面していることを特徴とす
   る光信号伝送装置。
6. 【請求項６】 前記光導波路は、コア層と、このコア層
   を包むクラッド層とを含んで構成され、 前記コア層の、前記光信号の伝播方向における端面が、
   前記光路変換用ミラーを構成していることを特徴とする
   請求項５に記載の光信号伝送装置。
7. 【請求項７】 前記光導波路は、コア層と、このコア層
   を包むクラッド層とを含んで構成され、 前記クラッド層の、前記光信号の伝播方向における端面
   が、前記光路変換用ミラーを構成していることを特徴と
   する請求項５に記載の光信号伝送装置。
8. 【請求項８】 前記光路変換用ミラーは、前記光信号の
   伝播方向に対して４５度の角度をなすことを特徴とする
   請求項５に記載の光信号伝送装置。
9. 【請求項９】 前記発光素子は、その主表面が発光面と
   なるように構成されると共に、前記発光面が前記光導波
   路の前記基板と反対側の面に対向するように配置され、 前記受光素子は、その主表面が受光面となるように構成
   されると共に、前記受光面が前記光導波路の前記基板と
   反対側の面に対向するように配置されていることを特徴
   とする請求項５に記載の光信号伝送装置。
10. 【請求項１０】 第１の基板上に、光信号を伝播可能な
    光導波路を形成するための方法であって、 前記第１の基板とは異なる第２の基板上に、前記光信号
    の伝播方向となる方向における端部に光路変換用ミラー
    とこの光路変換用ミラーに面する凹部空間とを有する光
    導波路を形成する第１の工程と、 前記光導波路が形成された前記第２の基板を前記第１の
    基板に重ね合わせて、前記凹部空間が前記光導波路およ
    び前記第１の基板によって囲まれた閉じた空間となるよ
    うに、前記光導波路を前記第１の基板に転写する第２の
    工程とを含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第１の工程は、 コア層を形成する工程と、 このコア層を包むクラッド層を形成する工程とを含み、 前記コア層を形成する工程において、前記コア層におけ
    る前記光信号の伝播方向の端面が前記光路変換用ミラー
    となるように、前記コア層と前記光路変換用ミラーとを
    同時に形成することを特徴とする請求項１０に記載の光
    導波路の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第１の工程は、 コア層を形成する工程と、 このコア層を包むクラッド層を形成する工程とを含み、 前記クラッド層を形成する工程において、前記クラッド
    層における前記光信号の伝播方向の端面が前記光路変換
    用ミラーとなるように、前記クラッド層と前記光路変換
    用ミラーとを同時に形成することを特徴とする請求項１
    ０に記載の光導波路の製造方法。
13. 【請求項１３】 第１の基板上に、コア層とこのコア層
    を包むクラッド層とを有し光信号を伝播可能な光導波路
    を形成するための方法であって、 前記第１の基板とは異なる第２の基板上に、前記クラッ
    ド層の一部となる第１のクラッド層を形成する工程と、 前記第１のクラッド層の上に、前記コア層をパターニン
    グして形成する工程と、 前記コア層の、前記光信号の伝播方向となる方向におけ
    る端部に、光路変換用ミラーを形成する工程と、 前記コア層の上に、前記クラッド層の一部となる第２の
    クラッド層を、前記光路変換用ミラーに対応する部分に
    開口空間を有するようにパターニングして形成する工程
    と、 前記第１のクラッド層、前記コア層および前記第２のク
    ラッド層を含む積層体が形成された前記第２の基板を前
    記第１の基板に重ね合わせて、前記第２のクラッド層の
    前記開口空間が前記積層体および前記第１の基板によっ
    て囲まれた閉じた空間となるように、前記積層体を前記
    第１の基板に転写する工程とを含むことを特徴とする光
    導波路の製造方法。
14. 【請求項１４】 第１の基板上に、コア層とこのコア層
    を包むクラッド層とを有し光信号を伝播可能な光導波路
    を形成するための方法であって、 前記第１の基板とは異なる第２の基板上に、前記クラッ
    ド層の一部となる第１のクラッド層を形成する工程と、 前記第１のクラッド層の上に、前記コア層をパターニン
    グして形成する工程と、 前記コア層の上に、前記クラッド層の一部となる第２の
    クラッド層をパターニングして形成する工程と、 前記コア層の、前記光信号の伝播方向となる方向におけ
    る端部の近傍の第２のクラッド層に、光路変換用ミラー
    と、この光路変換用ミラーに面する凹部空間とを形成す
    る工程と、 前記第１のクラッド層、前記コア層および前記第２のク
    ラッド層を含む積層体が形成された前記第２の基板を前
    記第１の基板に重ね合わせて、前記第２のクラッド層の
    前記凹部空間が前記積層体および前記第１の基板によっ
    て囲まれた閉じた空間となるように、前記積層体を前記
    第１の基板に転写する工程とを含むことを特徴とする光
    導波路の製造方法。