JP2002358633A - 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空蒸着による磁気記録媒体の製造に関する
ものであって、電子銃特有の異常放電によって電源ＯＦ
Ｆがあっても、高分子フィルムが冷却ロールから浮き上
がらないようにし、溶融した金属磁性材料からの輻射熱
による熱的ダメージを受けないようにすること。 【解決手段】 高分子フィルムの走行状態において、高
分子フィルムに帯電させる工程と、高分子フィルム表面
に磁性層を成膜する工程と、高分子フィルムと冷却ロー
ルとの離れ際で高分子フィルムの裏面に不活性ガスを吹
き付ける工程とからなる磁気記録媒体の製造方法であっ
て、走行する高分子フィルムに対して帯電させることに
より、高分子フィルムが冷却ロールに強く密着した状態
で走行し、成膜工程における電子銃特有の異常放電によ
る電源ＯＦＦが発生して、二次電子の供給が停止して
も、冷却ロールから高分子フィルムが浮き上がることが
なくなり、それによって、溶融した金属磁性材料からの
輻射熱による熱的ダメージを受けなくなり、高分子フィ
ルムの穴あけまたは溶断が解消される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、磁気テー
プ等であって、高分子フィルム上にコバルト酸化物等の
磁性物質を磁性層として成膜する磁気記録媒体の製造方
法及び製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の磁気記録媒体の中で、高密度記
録に対応したコバルト（Ｃｏ）酸化物を成膜する方法と
して真空蒸着成膜法が従来技術として知られている。こ
の真空蒸着成膜法を実施する装置として、例えば、一例
として図４に略示的に示した構成のものが公知になって
いる。この真空蒸着成膜による磁気記録媒体の製造方法
について説明すると、図４において、成膜処理されるべ
き高分子フィルム１を走行させるために、供給ロール２
と巻取りロール３と、金属製のガイドロール４、５及び
冷却ロール６を備えており、高分子フィルム１は、供給
ロール２から冷却ロール６の外周面に沿って矢印Ａ方向
に走行し、巻取りロール３に巻き取られるものである。

【０００３】また、高分子フィルム１は、その走行途中
において成膜されるものであり、その成膜のために、コ
バルト（Ｃｏ）等の磁気材料７を収容したルツボ８と、
電子線９を放射する電子銃１０と、入射角規制板１１と
が設けられている。

【０００４】このような構成の装置において、装置の内
部をほぼ真空状態にし、ルツボ８に収容されている磁気
材料７に対して電子銃１０から電子線９を放射すること
により、磁気材料７が加熱されて蒸発する。この加熱蒸
発した金属蒸気１２が冷却ロール６の外周面に沿って走
行している高分子フィルム１上に付着し磁性層として形
成される。この場合に、電子銃１０から正常に電子線が
放射されていれば、溶融した強磁性金属（磁気材料）の
表面で反射された二次電子９ａの影響によって高分子フ
ィルム１は冷却ロール６に密着するようになり、ルツボ
８内で溶融した磁気材料７の溶融金属からの輻射熱によ
る熱的ダメージを受けないようになっている。因みに、
冷却ロール６は冷却媒体により−２５〜−３０℃に冷却
されており、溶融金属の温度は１５００〜１８００℃に
なっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の装置において、電子銃特有の異常放電から電源を保護
するために電源をＯＦＦにすることがある。このような
場合に、電子銃からの電子線の放射が遮断され二次電子
の供給が停止するため、図５に示したように、高分子フ
ィルム１が冷却ロール６から瞬時に浮き上がることがあ
り、その浮き上がり部分１ａが溶融金属からの輻射熱に
より熱的ダメージを受けて高分子フィルム１が溶断また
は焼き切れてしまうという不都合が生ずる。

【０００６】また、成膜処理中の高分子フィルム１が切
れると、成膜処理を停止し、装置内を真空状態から大気
状態に解放し、その後、付着物等で汚れた装置内の清掃
と、冷却ロール６の清掃後に成膜処理の段取りを進める
ことになり、余計な時間と労力とを費やすと共に装置の
稼働率を著しく低下させるという不都合が生ずる。特
に、電子銃の電源ＯＦＦ現象は、電子銃の電子放射部材
交換直後に部材からの放出ガスの影響で多発する傾向が
あり、それによっても装置の稼働率を低下させる要因に
なっている。

【０００７】従って、従来技術においては、電子銃の電
源ＯＦＦがあっても、高分子フィルムが冷却ロールから
浮き上がらないようにし、溶融した金属磁性材料からの
輻射熱による熱的ダメージを受けないようにすることに
解決課題を有している。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的手段として本発明に係る第１の発明は、高分
子フィルムを円筒状の冷却ロール面に沿わせて走行さ
せ、そのフィルム上に磁気層を形成する磁気記録媒体の
製造方法であって、高分子フィルムの走行状態におい
て、高分子フィルムに帯電させる工程と、高分子フィル
ム表面に磁性層を成膜する工程と、高分子フィルムと冷
却ロールとの離れ際で高分子フィルムの裏面に不活性ガ
スを吹き付ける工程とからなることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法を提供するものである。

【０００９】上記第１の発明においては、前記高分子フ
ィルムに帯電させる工程は、プラズマ放電処理する工程
及び／または電子線を照射する工程であること；前記各
工程は、区画された領域内で遂行され、各領域毎に排気
されて真空状態を維持すること；及び前記高分子フィル
ムに帯電した帯電圧は、帯電圧検出手段により検出して
モニターすること；を付加的な要件として含むものであ
る。

【００１０】また、本発明に係る第２の発明は、高分子
フィルムを円筒状の冷却ロール面に沿わせて走行させ、
そのフィルム上に磁気層を形成する磁気記録媒体の製造
装置であって、前記高分子フィルムの走行方向に対し冷
却ロールの周面に沿って仕切壁により第１の領域と、第
２の領域と、第３の領域とに区画し、第１の領域に供給
ロールと、巻取りロールと、成膜後の高分子フィルムの
裏面に不活性ガスを吹き付けるノズルとが配設され、第
２の領域にプラズマ処理装置と帯電用電子銃とが配設さ
れ、第３の領域に磁性材料を収容するルツボと、成膜用
電子銃と入射角規制板とが配設され、前記各領域毎とプ
ラズマ処理装置とに個別の排気系を設けたことを特徴と
する磁気記録媒体の製造装置を提供するものである。

【００１１】この第２の発明においては、前記第１の領
域には、高分子フィルムに帯電した帯電圧を検出してモ
ニターするための帯電圧検出手段を設けたこと；及び前
記各領域とプラズマ処理装置とに、個別の排気系を設け
たこと；を付加的な要件として含むものである。

【００１２】本発明に係る第１の製造方法の発明は、特
に、走行する高分子フィルムに対して帯電させる工程を
採用したことにより、高分子フィルムが冷却ロールに強
く密着した状態で走行し、成膜工程における電子銃特有
の異常放電による電源ＯＦＦが発生して、二次電子の供
給が停止しても、冷却ロールから高分子フィルムが浮き
上がることがなくなり、それによって、溶融した金属磁
性材料からの輻射熱による熱的ダメージを受けなくな
り、高分子フィルムの溶断する現象が解消されるのであ
る。

【００１３】また、本発明に係る第２の製造装置の発明
は、成膜処理される高分子フィルムの処理工程毎に領域
を区画したものであり、特に、第２の領域にプラズマ処
理装置と帯電用電子銃とを配設したことにより、高分子
フィルムに対して帯電させ冷却ロールに強く密着させて
走行させ、第３の領域で成膜処理工程を行ったときに生
ずるトラブルによる熱的ダメージを回避できるようにす
ると共に、第１の領域に不活性ガスの噴出ノズルを設け
て、成膜後における帯電圧を除電して高分子フィルムを
冷却ロールから容易に分離できるようにしたものであ
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の好ましい実施の形
態について詳しく説明する。なお、理解を容易にするた
め従来例と同一部分には同一符号を付して説明する。ま
ず、図１に略示的に示した実施の形態に係る製造装置に
基づいて説明すると、成膜処理される高分子フィルム１
を成膜のために走行させる構成は、供給ロール２と巻取
りロール３と、金属製のガイドロール４、５及び冷却ロ
ール６とからなり、高分子フィルム１は、供給ロール２
側から冷却ロール６の外周面に沿って矢印Ａ方向に走行
させられ、巻取りロール３に巻き取られるものである。

【００１５】高分子フィルム１は、その走行途中におい
て成膜されるものであり、その成膜のために、コバルト
（Ｃｏ）等の磁気材料７を収容したルツボ８と、電子線
９を放射する成膜用電子銃１０と、入射角規制板１１と
が設けられており、これらの各構成部分は前記従来例と
略同じである。

【００１６】これらの構成部分は真空槽２０内に収容さ
れており、該真空槽２０は、冷却ロール６を略中心にし
てその周囲を三枚の仕切板２１ａ、２１ｂ、２１ｃによ
り概ね３つの領域に仕切られており、第１の領域２２は
高分子フィルム１の供給と巻取り（回収）を行い、第２
の領域２３は高分子フィルム１のクリーニングと帯電と
を行い、第３の領域２４は高分子フィルム１の表面に成
膜処理を行うようにしたものである。そして、各領域に
はそれぞれ区分された領域内を排気するための排気系２
２ａ、２３ａ、２４ａが設けられている。

【００１７】前記第１の領域２２には、供給ロール２と
巻取りロール３と、金属製のガイドロール４、５とが配
設され、供給ロール２側から未処理の高分子フィルム１
を冷却ロール６に供給し、成膜処理された高分子フィル
ム１を巻取りロール３で巻き取るものである。また、こ
の第１の領域２２には、成膜処理された高分子フィルム
１を冷却ロール６の表面から分離させるためのガス噴出
ノズル２５と、高分子フィルム１の帯電状況を測定する
ため、磁性層側と裏面側とに圧電素子からなるセンサー
を配設した帯電圧測定器２６とが配設されている。

【００１８】前記第２の領域２３には、プラズマ処理装
置２７と帯電のための帯電用電子銃２８が配設される。
この場合に、プラズマ処理装置２７は、前記第１の領域
２２寄りに配設され、帯電用電子銃２８は、ほぼ真上に
配設されるものである。

【００１９】プラズマ処理装置２７は、冷却ロール６の
周側面に沿って長手方向に近接してセットされる複数本
の平板電極２９を備えており、該平板電極２９は前後及
び上部がカバー部材３０で覆われており、そのカバー部
材３０で覆われた内部領域は個別の排気系３０ａにより
排気できる構成にすると共に、更に、前方側（高分子フ
ィルム１が走行する方向の前方側）に補助排気系３０ｂ
を設けてある。

【００２０】使用される平板電極２９は、耐食性金属も
しくはアルミニウムで形成され、その長さは処理される
高分子フィルム１の幅以上あって、走行する高分子フィ
ルム１を横切る状態で、且つ高分子フィルム１との間隔
を５０ｍｍ以下にしてセットされるものである。このよ
うにプラズマ処理装置２７を配設することで、第２の領
域２３は、実質的に、プラズマ処理領域と帯電処理領域
とに区分された状態になっている。

【００２１】帯電用電子銃２８は、垂直方向に且つ冷却
ロール６の中心線を通る位置における真空槽２０の上部
壁に設置され、電子線３１の照射ポイントから冷却ロー
ル６の法線に線を引いたときにその角度が略４０度にな
る位置に設置し、冷却ロールの長さ方向、即ち走行する
高分子フィルム１の幅方向に対して電子線３１を走査で
きるように構成してある。

【００２２】第３の領域２４には、磁気材料７を収容し
たルツボ８と、電子線９を放射する成膜用電子銃１０
と、入射角規制板１１とが配設され、ルツボ８は冷却ロ
ール６の下端位置よりも下部レベルに配設し、成膜用電
子銃１０はルツボ８に向けて斜め方向から電子線９を放
射するように真空槽２０の側壁面に設置されている。

【００２３】このように構成された製造装置によって磁
気記録媒体を製造する方法について説明すると、第１か
ら第３の各領域２２、２３、２４及びプラズマ処理装置
２７の内部をそれぞれの排気系２２ａ、２３ａ、２４
ａ、３０ａ、３０ｂを介して真空状態に維持し、供給ロ
ール２から、ガイドロール３を介して冷却ロール６の外
周面に供給されている高分子フィルム１に対して、ま
ず、第１の工程でプラズマ処理装置２７よるプラズマ処
理を行う。

【００２４】このプラズマ処理は、平板電極２９に所容
量の電圧を印加（投入パワー）すると共にプラズマ放電
用ガスを導入して行うものである。この場合の投入パワ
ーＰとしては、例えば、１Ｗ／ｃｍ²＜Ｐ＜１．４Ｗ／
ｃｍ²の範囲が好ましい。プラズマ放電に作用されない
ガスは、補助排気系３０ｂによって系外に排出し、帯電
用電子銃２８の電子線３１に影響を及ぼさないようにす
る。

【００２５】このプラズマ処理によって、高分子フィル
ム１の面上に存在する塵や埃等の付着物をクリーニング
すると共に、高分子フィルム１の表面を活性化し、その
後の成膜工程での金属磁性薄膜の密着性を向上させるの
である。

【００２６】プラズマ処理された高分子フィルム１は、
冷却ロール６の周面に沿って走行する状態で、第２の工
程となる帯電用電子銃２８により電子線３１を照射・走
査させると、高分子フィルム１と冷却ロール６との間で
帯電現象が発生し、極性の吸引力で高分子フィルム１が
冷却ロール６に貼り付いた状態で走行する。

【００２７】ここで使用される帯電用電子銃２８は、加
速電圧３０ＫＶ以上のものを使用し、投入パワーＰは、
０．６ＫＷ＜Ｐ＜３ＫＷの範囲が熱的ダメージを回避す
るのに好ましい範囲である。また、帯電用電子銃２８の
電子線３１を安定した状態で照射させるために、排気系
２２ａで排気して第２の領域２２内を５×１０^-3Ｐａ以
下にすることが好ましい。

【００２８】なお、上記した第１の工程と第２の工程を
逆に行っても同じ効果が得られる。即ち、プラズマ処理
装置２７と帯電用電子銃２８の設置位置を逆にし、先に
帯電用電子銃２８で電子線３１を照射して帯電現象を起
こさせ高分子フィルム１を冷却ロール６に貼り付けるよ
うにして走行させ、その後にプラズマ処理を行えば良い
のである。

【００２９】次に、第３の領域２４において、第３工程
である金属磁性薄膜を形成する、いわゆる成膜が行われ
る。この成膜については、従来から行っているように、
成膜用電子銃１０からの電子線９をルツボ８に向けて放
射し、ルツボ８内に収容してあるコバルトなどの磁性材
料７を溶解して蒸発させ、その蒸発している磁性材料蒸
気流に酸化性ガスを吹き付けて高分子フィルム１上に金
属磁性薄膜（コバルト酸化物）、即ち、磁性層を形成す
るのである。

【００３０】この成膜工程において、仮に、成膜用電子
銃１０に異常放電があってその電源がＯＦＦになり、溶
融した磁性金属（磁気材料）の表面で反射する二次電子
９ａがなくなっても、前工程による帯電現象で高分子フ
ィルム１が冷却ロール６に貼り付いた状態で走行してい
るため、冷却ロール６から浮き上がることはなく、溶融
した磁性金属からの輻射熱による熱的ダメージを受ける
ことが全くないのである。

【００３１】つまり、冷却ロール６は冷却媒体により−
２５〜−３０℃に冷却されており、これに貼り付いて全
面的に冷やされた状態で高分子フィルム１が走行してい
るので、溶融した磁性金属の温度が１５００〜１８００
℃になっていても、輻射熱による熱的ダメージを受けな
いのである。

【００３２】成膜工程が終了した高分子フィルム１は、
第１の領域２２に戻ってきて第４工程である巻取りロー
ル３により巻き取られる。この第４工程での巻き取り
は、高分子フィルム１が、プラズマ処理工程と帯電工程
とによって帯電が強い状態になっているため、冷却ロー
ル６から引き剥がすこと、及び引き剥がした後の安定走
行と巻き取りとが困難な状況にあって、皺が発生しやす
い状態にある。

【００３３】そこで、第４の巻き取り工程においては、
成膜処理された高分子フィルム１が冷却ロール６の表面
から離れる際で、冷却ロール６に接触している面に向か
ってガス噴出ノズル２５から不活性ガスを吹き付けるこ
とにより除電すると共に、冷却ロール６から高分子フィ
ルム１を引き離すのである。つまり、高分子フィルム１
に帯電している電子は、不活性ガスによりイオン化され
て中和し、帯電が解消されるので冷却ロール６から高分
子フィルム１を簡単に引き離すことができ、その後にお
いても安定走行と巻き取りとが容易になるのである。

【００３４】更に、第４の巻き取り工程において、高分
子フィルム１の帯電が間違いなく除電されたか否かを検
出する手段、即ち、除電後における高分子フィルム１の
帯電状況を測定するための帯電圧測定器２６を設けてあ
り、該測定器２６で測定した情報をモニターできるよう
にしたものである。

【００３５】通常においては、１０−１Ｐａ以下の真空
雰囲気での帯電測定は困難であるとされてきたが、圧電
素子のセンサーを用いることで、真空雰囲気中でも帯電
測定が正確に行えることが判明した。その帯電測定につ
いて、大気中と条件の異なる幾つかの真空雰囲気中での
測定テストの結果を図２のグラフに示してある。

【００３６】この図２のグラフから明らかなように、大
気中と真空雰囲気中の異なる幾つかの条件下であって
も、帯電圧の測定値にほとんど変化がないことが確認で
き、大気中であっても真空雰囲気中であっても正確な帯
電測定ができるのである。

【００３７】従って、本発明の装置を使用することによ
り、プラズマ処理条件、帯電用電子銃による条件、成膜
時における高分子フィルム１の帯電圧の条件等を定量的
に測定できるのであり、実際の成膜時において、帯電用
電子銃２８の条件を変化させ時のプラズマ処理の有無に
おける磁性面側の帯電圧を測定した結果を図３のグラフ
に示してある。

【００３８】この図３のグラフから明らかなように、帯
電用電子銃２８を単独で使用したときよりも、帯電用電
子銃２８とプラズマ処理装置２７とを併用したときの方
が、帯電圧がマイナス側へ大きくシフトしており、冷却
ロール６に対する高分子フィルム１の密着性が強くなる
と共に、高分子フィルム１に対する磁性層の付着力が強
くなることが理解できる。

【００３９】従って、帯電圧測定器２６を使用すること
により、成膜時における高分子フィルム１の帯電圧をモ
ニターし、最適な条件下において磁性層を形成した磁気
記録媒体を製造することができるのである。

【００４０】いずれにしても本発明においては、プラズ
マ処理と帯電処理とを行うことによって、冷却ロールに
対する高分子フィルムを強く密着させて走行させるもの
であり、それによって、成膜用電子銃の放電に異常が生
じて電源がＯＦＦになっても溶融した金属磁性材料から
の輻射熱による熱的ダメージを受けることがなく、高分
子フィルムの穴あけまたは溶断がなくなるため、装置の
稼働率を著しく向上させることができるのである。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の発
明に係る磁気記録媒体の製造方法は、高分子フィルムを
円筒状の冷却ロール面に沿わせて走行させ、そのフィル
ム上に磁気層を形成する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、高分子フィルムの走行状態において、高分子フィル
ムに帯電させる工程と、高分子フィルム表面に磁性層を
成膜する工程と、高分子フィルムと冷却ロールとの離れ
際で高分子フィルムの裏面に不活性ガスを吹き付ける工
程とからなるものであって、走行する高分子フィルムに
対して帯電させることにより、高分子フィルムが冷却ロ
ールに強く密着した状態で走行し、成膜工程における電
子銃特有の異常放電による電源ＯＦＦが発生して、二次
電子の供給が停止しても、冷却ロールから高分子フィル
ムが浮き上がることがなくなり、それによって、溶融し
た金属磁性材料からの輻射熱による熱的ダメージを受け
なくなり、高分子フィルムの穴あけまたは溶断が解消さ
れるという優れた効果を奏する。

【００４２】また、本発明の第２の発明に係る磁気記録
媒体の製造装置は、高分子フィルムを円筒状の冷却ロー
ル面に沿わせて走行させ、そのフィルム上に磁気層を形
成する磁気記録媒体の製造装置であって、前記高分子フ
ィルムの走行方向に対し冷却ロールの周面に沿って仕切
壁により第１の領域と、第２の領域と、第３の領域とに
区画し、第１の領域に供給ロールと、巻取りロールと、
成膜後の高分子フィルムの裏面に不活性ガスを吹き付け
るノズルとが配設され、第２の領域にプラズマ処理装置
と帯電用電子銃とが配設され、第３の領域に磁性材料を
収容するルツボと、成膜用電子銃と入射角規制板とが配
設された構成としたことにより、特に、第２の領域でプ
ラズマ処理と帯電処理とを行うことにより、冷却ロール
に対する高分子フィルムを強く密着させて走行させるも
のであり、第３の領域で成膜用電子銃の異常放電で電源
がＯＦＦになっても、高分子フィルムが冷却ロールから
浮き上がらず、溶融した金属磁性材料からの輻射熱によ
る熱的ダメージを受けることがなく、高分子フィルムが
穴あけまたは溶断がなくなるため、装置の稼働率を著し
く向上させることができるという優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る製造装置の要部を略
示的に示した断面図である。

【図２】同製造装置における条件の異なる幾つかの真空
雰囲気と、大気中とで帯電圧測定テストを行った結果を
示すグラフである。

【図３】同製造装置におけるプラズマ処理と帯電処理と
を併用した場合と、帯電処理のみの場合との帯電圧の測
定値を示すグラフである。

【図４】従来例の真空蒸着による製造装置の要部を略示
的に示した断面図である。

【図５】同製造装置の要部のみを示す略示的断面図であ
る。

【符号の説明】

１、 高分子フィルム、 ２ 供給ロール、 ３ 巻取
りロール、４、５ ガイドロール、 ６ 冷却ロール、
７ 磁性材料、 ８ ルツボ、９ 電子線、 ９ａ
二次電子、 １０ 成膜用電子銃、１１ 入射角規制
板、 ２０ 真空槽、 ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ 仕切
板、２２ 第１の領域、 ２３ 第２の領域、２４ 第
３の領域、２２ａ、２３ａ、２４ａ、３０ａ 排気系、
２５ ガス噴出ノズル、２６ 帯電圧測定装置、 ２
７ プラズマ処理装置、 ２８ 帯電用電子銃、２９
平板電極、 ３０ カバー部材、 ３０ｂ 補助排気系
３１ 電子線。

フロントページの続き (72)発明者 鈴木 俊明 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 佐々木 文生 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA43 BC06 BD11 CA02 DA06 DB03 FA05 JA10 5D112 AA05 AA22 FA02 FB13 FB21 GA02 GA04 GA05 GA19 GA22 GA25

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高分子フィルムを円筒状の冷却ロール面
   に沿わせて走行させ、そのフィルム上に磁気層を形成す
   る磁気記録媒体の製造方法であって、 高分子フィルムの走行状態において、高分子フィルムに
   帯電させる工程と、 高分子フィルム表面に磁性層を成膜する工程と、 高分子フィルムと冷却ロールとの離れ際で高分子フィル
   ムの裏面に不活性ガスを吹き付ける工程とからなること
   を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記高分子フィルムに帯電させる工程
   は、 プラズマ放電処理する工程及び／または電子線を照射す
   る工程であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記
   録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 前記各工程は、 区画された領域内で遂行され、 各領域毎に排気されて真空状態を維持することを特徴と
   する請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記高分子フィルムに帯電した帯電圧
   は、 帯電圧検出手段により検出してモニターすることを特徴
   とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方
   法。
5. 【請求項５】 高分子フィルムを円筒状の冷却ロール面
   に沿わせて走行させ、そのフィルム上に磁気層を形成す
   る磁気記録媒体の製造装置であって、 前記高分子フィルムの走行方向に対し冷却ロールの周面
   に沿って仕切壁により第１の領域と、第２の領域と、第
   ３の領域とに区画し、 第１の領域に供給ロールと、巻取りロールと、成膜後の
   高分子フィルムの裏面に不活性ガスを吹き付けるノズル
   とが配設され、 第２の領域にプラズマ処理装置と帯電用電子銃とが配設
   され、 第３の領域に磁性材料を収容するルツボと、成膜用電子
   銃と入射角規制板とが配設され、 前記各領域毎とプラズマ処理装置とに個別の排気系を設
   けたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
6. 【請求項６】 前記第１の領域には、 高分子フィルムに帯電した対電圧を検出してモニターす
   るための帯電圧検出手段を設けたことを特徴とする請求
   項５に記載の磁気記録媒体の製造装置。
7. 【請求項７】 前記各領域とプラズマ処理装置とに、 個別の排気系を設けたことを特徴とする請求項５に記載
   の磁気記録媒体の製造装置。