JP2002353437A - 電極形成方法 - Google Patents
電極形成方法Info
- Publication number
- JP2002353437A JP2002353437A JP2001153528A JP2001153528A JP2002353437A JP 2002353437 A JP2002353437 A JP 2002353437A JP 2001153528 A JP2001153528 A JP 2001153528A JP 2001153528 A JP2001153528 A JP 2001153528A JP 2002353437 A JP2002353437 A JP 2002353437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor substrate
- film
- protective film
- peripheral portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上の電極を含めて形成する保護膜
の切れを防止する電極形成方法の提供。 【解決手段】 半導体基板１に電極４を形成した後、電
極４の周縁部を残して電極４上にレジスト膜３を形成
し、電極４の周縁部が末広のテーパ状となるまでエッチ
ングを行い、さらに半導体基板１上に電極４を含めて保
護膜５を形成することにより、半導体基板１に形成する
保護膜５が電極４の周縁部で切れることがなく、半導体
基板１を有効に保護して安定で高品質な特性を有する半
導体装置を製造することができる。
の切れを防止する電極形成方法の提供。 【解決手段】 半導体基板１に電極４を形成した後、電
極４の周縁部を残して電極４上にレジスト膜３を形成
し、電極４の周縁部が末広のテーパ状となるまでエッチ
ングを行い、さらに半導体基板１上に電極４を含めて保
護膜５を形成することにより、半導体基板１に形成する
保護膜５が電極４の周縁部で切れることがなく、半導体
基板１を有効に保護して安定で高品質な特性を有する半
導体装置を製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上への
電極の形成方法に係り、より詳しくは、電極形成後に保
護膜を形成する場合における電極形成方法に関する。
電極の形成方法に係り、より詳しくは、電極形成後に保
護膜を形成する場合における電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】III−V族化合物半導体発光装置、例えば
ガリウムアルミニウム砒素（ＧａＡｌＡｓ）半導体基板
上のヘテロ接合からなる高輝度発光ダイオード（以下、
「ＬＥＤ」と称す）は、ホモ接合構造ＬＥＤに比べてキ
ャリアの注入効率が高いため、高出力、高速応答性が得
られることが知られている。ヘテロ接合構造ＬＥＤに特
徴的なことは、光取り出し側にアルミニウム砒素（Ａｌ
Ａｓ）混晶比の高いＧａＡｌＡｓ半導体基板が用いられ
ていることである。
ガリウムアルミニウム砒素（ＧａＡｌＡｓ）半導体基板
上のヘテロ接合からなる高輝度発光ダイオード（以下、
「ＬＥＤ」と称す）は、ホモ接合構造ＬＥＤに比べてキ
ャリアの注入効率が高いため、高出力、高速応答性が得
られることが知られている。ヘテロ接合構造ＬＥＤに特
徴的なことは、光取り出し側にアルミニウム砒素（Ａｌ
Ａｓ）混晶比の高いＧａＡｌＡｓ半導体基板が用いられ
ていることである。
【０００３】ところが、ＡｌＡｓ混晶比が高いＧａＡｌ
Ａｓ層は極めて酸化されやすいため、大気に接する基板
表面および裏面にＡｌ酸化層が形成され、さらに水分が
添加されることによりＡｌ酸化層の成長が著しく助長さ
れる特性がある。そして、このＡｌ酸化層は光吸収層と
なるため、Ａｌ酸化層の成長に伴ってＬＥＤの発光特性
の劣化を招き、素子寿命を著しく短くしてしまう。
Ａｓ層は極めて酸化されやすいため、大気に接する基板
表面および裏面にＡｌ酸化層が形成され、さらに水分が
添加されることによりＡｌ酸化層の成長が著しく助長さ
れる特性がある。そして、このＡｌ酸化層は光吸収層と
なるため、Ａｌ酸化層の成長に伴ってＬＥＤの発光特性
の劣化を招き、素子寿命を著しく短くしてしまう。
【０００４】そこで、この酸化を防止するため、ＧａＡ
ｌＡｓ層の表面に対し、エッチャントによりネイティブ
オキサイド膜（Ｎ．Ｏ．膜）と称される自然酸化膜や、
ＣＶＤ法やスパッタリング法によりＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜、ＳｉＯＮ膜等の保護膜を形成することがある。この
ＧａＡｌＡｓ半導体基板上へ保護膜を形成する工程につ
いて図２を用いて説明する。
ｌＡｓ層の表面に対し、エッチャントによりネイティブ
オキサイド膜（Ｎ．Ｏ．膜）と称される自然酸化膜や、
ＣＶＤ法やスパッタリング法によりＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜、ＳｉＯＮ膜等の保護膜を形成することがある。この
ＧａＡｌＡｓ半導体基板上へ保護膜を形成する工程につ
いて図２を用いて説明する。
【０００５】図２において、まずＧａＡｌＡｓ等の半導
体基板１全面に金や金合金等の電極膜２を真空蒸着等の
方法で蒸着する（同図（ａ））。その後、レジストを塗
布、露光、現像し、電極として残すべき部分にレジスト
膜３を形成（同図（ｂ））し、これをエッチング液に浸
し、レジスト膜３に覆われていない部分を反応させて電
極膜２を除去（同図（ｃ））することにより、所望の電
極４を得る（同図（ｄ））。そして、この電極４の上か
ら前述の方法によりＳｉＯ2膜等の保護膜５を形成する
（同図（ｅ））。
体基板１全面に金や金合金等の電極膜２を真空蒸着等の
方法で蒸着する（同図（ａ））。その後、レジストを塗
布、露光、現像し、電極として残すべき部分にレジスト
膜３を形成（同図（ｂ））し、これをエッチング液に浸
し、レジスト膜３に覆われていない部分を反応させて電
極膜２を除去（同図（ｃ））することにより、所望の電
極４を得る（同図（ｄ））。そして、この電極４の上か
ら前述の方法によりＳｉＯ2膜等の保護膜５を形成する
（同図（ｅ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
方法により形成した電極４の周辺部分は、図２（ｅ）に
示すようにエッチングにより半導体基板１に対して垂直
に切り立った状態に電極膜２が除去されている。したが
って、この電極４の周辺部分において保護膜５は切れ６
が発生しやすく、半導体基板１を保護する膜として機能
しなくなることがある。特に、スパッタリング法やＣＶ
Ｄ法により形成したＳｉＯ2膜は段差被覆性が悪いため
切れやすい。
方法により形成した電極４の周辺部分は、図２（ｅ）に
示すようにエッチングにより半導体基板１に対して垂直
に切り立った状態に電極膜２が除去されている。したが
って、この電極４の周辺部分において保護膜５は切れ６
が発生しやすく、半導体基板１を保護する膜として機能
しなくなることがある。特に、スパッタリング法やＣＶ
Ｄ法により形成したＳｉＯ2膜は段差被覆性が悪いため
切れやすい。
【０００７】また、半導体基板１がＧａＡｌＡｓ半導体
基板の場合に限らず、保護膜５をドライエッチングの際
のマスクとして使用する場合、保護膜５に切れ６が存在
すると、その部分の半導体基板１がエッチングされてし
まい、製品として使用できなくなってしまう。
基板の場合に限らず、保護膜５をドライエッチングの際
のマスクとして使用する場合、保護膜５に切れ６が存在
すると、その部分の半導体基板１がエッチングされてし
まい、製品として使用できなくなってしまう。
【０００８】そこで、本発明では、半導体基板上の電極
を含めて形成する保護膜の切れを防止する電極形成方法
を提供する。
を含めて形成する保護膜の切れを防止する電極形成方法
を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板に
電極を形成した後、前記電極の周縁部を残して前記電極
上にレジストを形成し、前記電極の周縁部が末広のテー
パ状となるまでエッチングを行い、さらに前記半導体基
板上に前記電極を含めて保護膜を形成する電極形成方法
である。
電極を形成した後、前記電極の周縁部を残して前記電極
上にレジストを形成し、前記電極の周縁部が末広のテー
パ状となるまでエッチングを行い、さらに前記半導体基
板上に前記電極を含めて保護膜を形成する電極形成方法
である。
【００１０】本発明によれば、半導体基板に形成する保
護膜が電極の周縁部で切れることがなく、半導体基板を
保護して安定で高品質な特性を有する半導体装置を製造
することができる。
護膜が電極の周縁部で切れることがなく、半導体基板を
保護して安定で高品質な特性を有する半導体装置を製造
することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、半導体
基板に電極を形成した後、前記電極の周縁部を残して前
記電極上にレジストを形成し、前記電極の周縁部が末広
のテーパ状となるまでエッチングを行い、さらに前記半
導体基板上に前記電極を含めて保護膜を形成する電極形
成方法であり、半導体基板に形成する保護膜が電極の周
縁部で切れるのを防止することができる。
基板に電極を形成した後、前記電極の周縁部を残して前
記電極上にレジストを形成し、前記電極の周縁部が末広
のテーパ状となるまでエッチングを行い、さらに前記半
導体基板上に前記電極を含めて保護膜を形成する電極形
成方法であり、半導体基板に形成する保護膜が電極の周
縁部で切れるのを防止することができる。
【００１２】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１３】図１は本発明の実施の形態における半導体
装置の製造方法を示す工程図である。
装置の製造方法を示す工程図である。
【００１４】図１（ａ）に示す半導体基板１上の電極４
は、従来例の図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程と同様、Ｇ
ａＡｌＡｓ等の半導体基板１全面に金や金合金等の電極
膜２を蒸着し、その後、レジストを塗布、露光、現像
し、電極として残すべき部分にレジスト膜３を形成し、
これをエッチング液に浸し、レジスト膜３に覆われてい
ない部分を反応させて電極膜２を除去することにより得
る。ここで、電極４が金（Ａｕ）や、金−ゲルマニウム
（Ａｕ／Ｇｅ）、金−シリコン（Ａｕ／Ｓｉ）、金−ベ
リリウム（Ａｕ／Ｂｅ）、金−亜鉛（Ａｕ／Ｚｎ）等の
金合金等の場合、シアン化カリウム（ＫＣＮ）と有機酸
化剤の混合液をエッチング液として用い、エッチング時
間は２分とする。
は、従来例の図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程と同様、Ｇ
ａＡｌＡｓ等の半導体基板１全面に金や金合金等の電極
膜２を蒸着し、その後、レジストを塗布、露光、現像
し、電極として残すべき部分にレジスト膜３を形成し、
これをエッチング液に浸し、レジスト膜３に覆われてい
ない部分を反応させて電極膜２を除去することにより得
る。ここで、電極４が金（Ａｕ）や、金−ゲルマニウム
（Ａｕ／Ｇｅ）、金−シリコン（Ａｕ／Ｓｉ）、金−ベ
リリウム（Ａｕ／Ｂｅ）、金−亜鉛（Ａｕ／Ｚｎ）等の
金合金等の場合、シアン化カリウム（ＫＣＮ）と有機酸
化剤の混合液をエッチング液として用い、エッチング時
間は２分とする。
【００１５】そして、図１（ｂ）に示すように電極４上
にその周縁部を残して電極４よりも一回り小さなレジス
ト膜３を形成し、前述と同じエッチング液を用いてエッ
チング時間３０秒〜１分でエッチングを行う。これによ
り、同図（ｃ）に示すように電極４の周縁部が末広のテ
ーパ状に形成される。その後、同図（ｄ）に示すように
レジスト膜３を除去し、同図（ｅ）に示すようにＳｉＯ
2膜等の保護膜５を形成する。
にその周縁部を残して電極４よりも一回り小さなレジス
ト膜３を形成し、前述と同じエッチング液を用いてエッ
チング時間３０秒〜１分でエッチングを行う。これによ
り、同図（ｃ）に示すように電極４の周縁部が末広のテ
ーパ状に形成される。その後、同図（ｄ）に示すように
レジスト膜３を除去し、同図（ｅ）に示すようにＳｉＯ
2膜等の保護膜５を形成する。
【００１６】このように、その周縁部を末広のテーパ状
とした電極４を形成することによって、電極４上に形成
した保護膜５は、その天面部５ａ、テーパ部５ｂ、基板
部５ｃが互いに鈍角に連結されているため切れにくいも
のとなる。したがって、本実施形態における半導体装置
の製造方法によれば、半導体基板１に形成する保護膜５
が電極４の周縁部で切れることがなく、半導体基板１を
有効に保護して安定で高品質な特性を有する半導体装置
を製造することができる。
とした電極４を形成することによって、電極４上に形成
した保護膜５は、その天面部５ａ、テーパ部５ｂ、基板
部５ｃが互いに鈍角に連結されているため切れにくいも
のとなる。したがって、本実施形態における半導体装置
の製造方法によれば、半導体基板１に形成する保護膜５
が電極４の周縁部で切れることがなく、半導体基板１を
有効に保護して安定で高品質な特性を有する半導体装置
を製造することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板に形成する
保護膜が電極の周縁部で切れることがなく、半導体基板
を保護して安定で高品質な特性を有する半導体装置を製
造することができる。
保護膜が電極の周縁部で切れることがなく、半導体基板
を保護して安定で高品質な特性を有する半導体装置を製
造することができる。
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す工程図
方法を示す工程図
【図２】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
１ 半導体基板 ２ 電極膜 ３ レジスト膜 ４ 電極 ５ 保護膜 ５ａ 天面部 ５ｂ テーパ部 ５ｃ 基板部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板に電極を形成した後、前記電
極の周縁部を残して前記電極上にレジストを形成し、前
記電極の周縁部が末広のテーパ状となるまでエッチング
を行い、さらに前記半導体基板上に前記電極を含めて保
護膜を形成する電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153528A JP2002353437A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153528A JP2002353437A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353437A true JP2002353437A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=18998033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001153528A Pending JP2002353437A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002353437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014160880A (ja) * | 2014-06-10 | 2014-09-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
-
2001
- 2001-05-23 JP JP2001153528A patent/JP2002353437A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014160880A (ja) * | 2014-06-10 | 2014-09-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3449535B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2953468B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 | |
| US6156584A (en) | Method of manufacturing a semiconductor light emitting device | |
| JP3239774B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子の基板分離方法 | |
| US7348601B2 (en) | Nitride-based compound semiconductor light emitting device | |
| JP4020977B2 (ja) | 光放射デバイスの製造方法 | |
| TWI405350B (zh) | Light emitting element and manufacturing method thereof | |
| JPH1168157A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH08255926A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| US20040079951A1 (en) | Light emitting diode with plated substrate and method for producing the same | |
| JP3727106B2 (ja) | ３族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 | |
| JPH11126947A (ja) | 半導体素子および半導体発光素子 | |
| JPH1027769A (ja) | 半導体チップとその製造方法 | |
| JPH11126923A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JP3706448B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2000101135A (ja) | 化合物半導体素子 | |
| JP2002353437A (ja) | 電極形成方法 | |
| JP3489395B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4570683B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2001085741A (ja) | 半導体素子および発光半導体素子 | |
| JPH11340569A (ja) | 半導体素子の電極形成方法およびその構造 | |
| JP2008140811A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3410166B2 (ja) | 赤色発光ダイオード素子 | |
| JPH11126924A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPS58125886A (ja) | 半導体装置の製造方法 |