JP2002353262A - 導電性ボールの搭載装置および搭載方法 - Google Patents
導電性ボールの搭載装置および搭載方法Info
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- JP2002353262A JP2002353262A JP2001156563A JP2001156563A JP2002353262A JP 2002353262 A JP2002353262 A JP 2002353262A JP 2001156563 A JP2001156563 A JP 2001156563A JP 2001156563 A JP2001156563 A JP 2001156563A JP 2002353262 A JP2002353262 A JP 2002353262A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハの変形を矯正した状態で導電性
ボールの搭載を行える導電性ボールの搭載装置および搭
載方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数の半導体素子が形成されモールド樹
脂層４ｂが積層された半導体ウェハ４ａの回路形成面に
導電性ボールを搭載する導電性ボールの搭載装置におい
て、モールド樹脂層４ｂが積層された状態の樹脂積層ウ
ェハ４を載置して保持するウェハ載置部３に、樹脂積層
ウェハ４を真空吸引手段１５によって吸着孔１４から吸
引することにより吸着保持するウェハ吸着部１１と、加
熱テーブル１０の温度を制御することによりウェハ載置
部３を所定温度に保持する温度調節手段１２とを備え
る。これにより、モールド樹脂層４ｂの熱膨張による反
りを矯正した状態で導電性ボールを搭載することができ
る。
ボールの搭載を行える導電性ボールの搭載装置および搭
載方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数の半導体素子が形成されモールド樹
脂層４ｂが積層された半導体ウェハ４ａの回路形成面に
導電性ボールを搭載する導電性ボールの搭載装置におい
て、モールド樹脂層４ｂが積層された状態の樹脂積層ウ
ェハ４を載置して保持するウェハ載置部３に、樹脂積層
ウェハ４を真空吸引手段１５によって吸着孔１４から吸
引することにより吸着保持するウェハ吸着部１１と、加
熱テーブル１０の温度を制御することによりウェハ載置
部３を所定温度に保持する温度調節手段１２とを備え
る。これにより、モールド樹脂層４ｂの熱膨張による反
りを矯正した状態で導電性ボールを搭載することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの回
路形成面に金属バンプを形成するための導電性ボールを
搭載する導電性ボールの搭載装置および搭載方法に関す
るものである。
路形成面に金属バンプを形成するための導電性ボールを
搭載する導電性ボールの搭載装置および搭載方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の基板などに実装される半導体
装置は、従来はウェハ状態で回路パターン形成が行わ
れ、個片に分割された後の半導体素子の外部接続用電極
に、リードフレームのピンや金属バンプなどを接続し、
この接続部分を含む半導体素子全体を樹脂モールドで封
止して半導体装置とするパッケージング工程を経て製造
されていた。近年このパッケージング工程をウェハ状態
で行う半導体装置の製造方法が採用されるようになって
いる。この方法では、まず半導体ウェハの表面に樹脂層
が形成され、半導体ウェハと樹脂層との２層構造を形成
した後に、金属バンプなどの外部接続用電極の形成が行
われる。金属バンプの形成には、樹脂層の上から導電性
ボールを搭載する方法が一般に用いられる。
装置は、従来はウェハ状態で回路パターン形成が行わ
れ、個片に分割された後の半導体素子の外部接続用電極
に、リードフレームのピンや金属バンプなどを接続し、
この接続部分を含む半導体素子全体を樹脂モールドで封
止して半導体装置とするパッケージング工程を経て製造
されていた。近年このパッケージング工程をウェハ状態
で行う半導体装置の製造方法が採用されるようになって
いる。この方法では、まず半導体ウェハの表面に樹脂層
が形成され、半導体ウェハと樹脂層との２層構造を形成
した後に、金属バンプなどの外部接続用電極の形成が行
われる。金属バンプの形成には、樹脂層の上から導電性
ボールを搭載する方法が一般に用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体ウェ
ハにモールド樹脂層が形成された２層構造は、半導体ウ
ェハの主材質であるシリコンと樹脂材料との熱膨張率の
相違により、熱変形によって反りを生じやすい。このた
め、導電性ボールを半導体ウェハに搭載する工程におい
て、この反りのために半導体ウェハと移載ヘッドに保持
された状態の導電性ボール下面との間に部分的に隙間が
生じる。この状態で導電性ボールを搭載すると、隙間が
存在する部分では、導電性ボールが真空吸着状態から離
脱して回路形成面に移る際に落差によって位置ずれや脱
落が生じ、正常な搭載が行えないという問題点があっ
た。
ハにモールド樹脂層が形成された２層構造は、半導体ウ
ェハの主材質であるシリコンと樹脂材料との熱膨張率の
相違により、熱変形によって反りを生じやすい。このた
め、導電性ボールを半導体ウェハに搭載する工程におい
て、この反りのために半導体ウェハと移載ヘッドに保持
された状態の導電性ボール下面との間に部分的に隙間が
生じる。この状態で導電性ボールを搭載すると、隙間が
存在する部分では、導電性ボールが真空吸着状態から離
脱して回路形成面に移る際に落差によって位置ずれや脱
落が生じ、正常な搭載が行えないという問題点があっ
た。
【０００４】そこで本発明は、半導体ウェハの変形を矯
正した状態で導電性ボールの搭載を行える導電性ボール
の搭載装置および搭載方法を提供することを目的とす
る。
正した状態で導電性ボールの搭載を行える導電性ボール
の搭載装置および搭載方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の導電性ボ
ールの搭載装置は、複数の半導体素子が形成されモール
ド樹脂が積層された半導体ウェハの回路形成面に導電性
ボールを搭載する導電性ボールの搭載装置であって、前
記モールド樹脂が積層された状態の半導体ウェハを載置
して保持するウェハ載置部と、ウェハ載置部に保持され
た半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭載手
段と、前記ウェハ載置部を所定温度に保持する温度調節
手段とを備えた。
ールの搭載装置は、複数の半導体素子が形成されモール
ド樹脂が積層された半導体ウェハの回路形成面に導電性
ボールを搭載する導電性ボールの搭載装置であって、前
記モールド樹脂が積層された状態の半導体ウェハを載置
して保持するウェハ載置部と、ウェハ載置部に保持され
た半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭載手
段と、前記ウェハ載置部を所定温度に保持する温度調節
手段とを備えた。
【０００６】請求項２記載の導電性ボールの搭載装置
は、請求項１記載の導電性ボールの搭載装置であって、
前記ウェハ載置部は、載置された半導体ウェハを真空吸
着により保持する吸着保持手段を備えた。
は、請求項１記載の導電性ボールの搭載装置であって、
前記ウェハ載置部は、載置された半導体ウェハを真空吸
着により保持する吸着保持手段を備えた。
【０００７】請求項３記載の導電性ボールの搭載方法
は、複数の半導体素子が形成されモールド樹脂が積層さ
れた半導体ウェハの回路形成面に導電性ボールを搭載す
る導電性ボールの搭載方法であって、前記モールド樹脂
が積層された状態の半導体ウェハをウェハ載置部に載置
して保持させるウェハ載置工程と、ウェハ載置部に保持
された半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭
載工程とを含み、前記ボール搭載工程においてウェハ載
置部を所定温度に保持することにより半導体ウェハの反
り変形を矯正した状態で導電性ボールの搭載を行う。
は、複数の半導体素子が形成されモールド樹脂が積層さ
れた半導体ウェハの回路形成面に導電性ボールを搭載す
る導電性ボールの搭載方法であって、前記モールド樹脂
が積層された状態の半導体ウェハをウェハ載置部に載置
して保持させるウェハ載置工程と、ウェハ載置部に保持
された半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭
載工程とを含み、前記ボール搭載工程においてウェハ載
置部を所定温度に保持することにより半導体ウェハの反
り変形を矯正した状態で導電性ボールの搭載を行う。
【０００８】請求項４記載の導電性ボールの搭載方法
は、請求項３記載の導電性ボールの搭載方法であって、
前記ボール搭載工程においてウェハ載置部に備えられた
吸着保持手段で半導体ウェハを真空吸着により保持す
る。
は、請求項３記載の導電性ボールの搭載方法であって、
前記ボール搭載工程においてウェハ載置部に備えられた
吸着保持手段で半導体ウェハを真空吸着により保持す
る。
【０００９】本発明によれば、ウェハ載置部に保持され
た半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭載工
程においてウェハ載置部を所定温度に保持して半導体ウ
ェハの反り変形を矯正した状態で導電性ボールの搭載を
行うことにより、反りのない良好な状態で導電性ボール
を搭載することができる。
た半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭載工
程においてウェハ載置部を所定温度に保持して半導体ウ
ェハの反り変形を矯正した状態で導電性ボールの搭載を
行うことにより、反りのない良好な状態で導電性ボール
を搭載することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の導電
性ボールの搭載装置の正面図、図２は本発明の一実施の
形態の導電性ボールの搭載装置のウェハ載置部の断面
図、図３、図４は本発明の一実施の形態の半導体装置の
製造方法の工程説明図である。
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の導電
性ボールの搭載装置の正面図、図２は本発明の一実施の
形態の導電性ボールの搭載装置のウェハ載置部の断面
図、図３、図４は本発明の一実施の形態の半導体装置の
製造方法の工程説明図である。
【００１１】図１において、位置決め部１は位置決めテ
ーブル２上にウェハ載置部３を装着して構成されてお
り、ウェハ載置部３上には半導体ウェハにモールド樹脂
層が積層された樹脂積層ウェハ４が載置され保持され
る。位置決めテーブル２を駆動することにより、樹脂積
層ウェハ４は水平方向に移動し、位置決めされる。位置
決め部１の側方にはボール供給部５が配置されている。
ボール供給部５は容器６を備えており、容器６内には半
田ボール（導電性ボール）７が多数貯溜されている。
ーブル２上にウェハ載置部３を装着して構成されてお
り、ウェハ載置部３上には半導体ウェハにモールド樹脂
層が積層された樹脂積層ウェハ４が載置され保持され
る。位置決めテーブル２を駆動することにより、樹脂積
層ウェハ４は水平方向に移動し、位置決めされる。位置
決め部１の側方にはボール供給部５が配置されている。
ボール供給部５は容器６を備えており、容器６内には半
田ボール（導電性ボール）７が多数貯溜されている。
【００１２】位置決め部１、ボール供給部５の上方に
は、搭載ヘッド９が移動テーブル８によって移動可能に
配設されている。容器６内の半田ボール７を吸着してピ
ックアップした搭載ヘッド９を位置決め部１の樹脂積層
ウェハ４上に移動させ、ここで搭載ヘッド９を樹脂積層
ウェハ４に対して下降させることにより、樹脂積層ウェ
ハ４に半田ボール７が搭載される。搭載ヘッド９及び移
動テーブル８は、ウェハ載置部３に保持された半導体ウ
ェハに半田ボール７を搭載するボール搭載手段となって
いる。
は、搭載ヘッド９が移動テーブル８によって移動可能に
配設されている。容器６内の半田ボール７を吸着してピ
ックアップした搭載ヘッド９を位置決め部１の樹脂積層
ウェハ４上に移動させ、ここで搭載ヘッド９を樹脂積層
ウェハ４に対して下降させることにより、樹脂積層ウェ
ハ４に半田ボール７が搭載される。搭載ヘッド９及び移
動テーブル８は、ウェハ載置部３に保持された半導体ウ
ェハに半田ボール７を搭載するボール搭載手段となって
いる。
【００１３】次に図２を参照して、ウェハ載置部３の構
成について説明する。図２に示すように、ウェハ載置部
３は加熱テーブル１０上にウェハ吸着部１１を重ねた構
成となっている。加熱テーブル１０は内部に発熱体を内
蔵しており、温度調節手段１２によって発熱体の加熱を
制御することにより、ウェハ載置部３の温度が所定温度
に保持される。
成について説明する。図２に示すように、ウェハ載置部
３は加熱テーブル１０上にウェハ吸着部１１を重ねた構
成となっている。加熱テーブル１０は内部に発熱体を内
蔵しており、温度調節手段１２によって発熱体の加熱を
制御することにより、ウェハ載置部３の温度が所定温度
に保持される。
【００１４】ウェハ吸着部１１の上面には多数の吸着孔
１４が開孔しており、吸着孔１４は吸引路１３を介して
真空吸引手段１５に接続されている。ウェハ吸着部１１
の上面に樹脂積層ウェハ４を載置した状態で、真空吸引
手段１５を駆動することにより、樹脂積層ウェハ４はウ
ェハ吸着部１１の上面に真空吸着により保持される。し
たがって吸着孔１４および真空吸引手段１５は、載置さ
れた樹脂積層ウェハ４を真空吸着により保持する吸着保
持手段となっている。このとき、温度調節手段１２を駆
動してウェハ吸着部１１の温度を制御することにより、
載置された樹脂積層ウェハ４の温度が所定温度に保たれ
る。
１４が開孔しており、吸着孔１４は吸引路１３を介して
真空吸引手段１５に接続されている。ウェハ吸着部１１
の上面に樹脂積層ウェハ４を載置した状態で、真空吸引
手段１５を駆動することにより、樹脂積層ウェハ４はウ
ェハ吸着部１１の上面に真空吸着により保持される。し
たがって吸着孔１４および真空吸引手段１５は、載置さ
れた樹脂積層ウェハ４を真空吸着により保持する吸着保
持手段となっている。このとき、温度調節手段１２を駆
動してウェハ吸着部１１の温度を制御することにより、
載置された樹脂積層ウェハ４の温度が所定温度に保たれ
る。
【００１５】ここで樹脂積層ウェハ４について説明す
る。図２に示すように、樹脂積層ウェハ４は複数の半導
体素子が形成された半導体ウェハ４ａの下面にモールド
樹脂層４ｂを積層して形成されている。半導体ウェハ４
ａの上面は、外部接続用の半田バンプが形成される回路
形成面となっている。半田バンプの形成に際しては、こ
の回路形成面に半田ボールを搭載した後にリフローによ
って半田ボールを溶融させ、回路電極に半田接合する。
る。図２に示すように、樹脂積層ウェハ４は複数の半導
体素子が形成された半導体ウェハ４ａの下面にモールド
樹脂層４ｂを積層して形成されている。半導体ウェハ４
ａの上面は、外部接続用の半田バンプが形成される回路
形成面となっている。半田バンプの形成に際しては、こ
の回路形成面に半田ボールを搭載した後にリフローによ
って半田ボールを溶融させ、回路電極に半田接合する。
【００１６】この半田バンプの形成のための半田ボール
の搭載方法について、図３、図４を参照して説明する。
図３（ａ）に示すように、樹脂積層ウェハ４をウェハ吸
着部１１の上面に載置する。樹脂積層ウェハ４は、この
状態においてモールド樹脂層４ｂと半導体ウェハ４ａの
熱膨張率の差によって上に凸の反り変形を生じており、
モールド樹脂層４ｂの下面とウェハ吸着部１１の上面の
間には隙間が生じている。
の搭載方法について、図３、図４を参照して説明する。
図３（ａ）に示すように、樹脂積層ウェハ４をウェハ吸
着部１１の上面に載置する。樹脂積層ウェハ４は、この
状態においてモールド樹脂層４ｂと半導体ウェハ４ａの
熱膨張率の差によって上に凸の反り変形を生じており、
モールド樹脂層４ｂの下面とウェハ吸着部１１の上面の
間には隙間が生じている。
【００１７】この状態において、真空吸引手段１５（図
２）を駆動し、吸着孔１４から真空吸引することによ
り、樹脂積層ウェハ４の反りを矯正する。この真空吸着
による反り矯正とともに、加熱テーブル１０によるウェ
ハ吸着部１１の加熱を行う。これによりウェハ吸着部１
１を介してモールド樹脂層４ｂが加熱されて温度が上昇
し、モールド樹脂層４ｂは水平方向に膨張する。そして
この膨張によって図３（ｂ）に示すように上に凸の反り
変形が矯正される。
２）を駆動し、吸着孔１４から真空吸引することによ
り、樹脂積層ウェハ４の反りを矯正する。この真空吸着
による反り矯正とともに、加熱テーブル１０によるウェ
ハ吸着部１１の加熱を行う。これによりウェハ吸着部１
１を介してモールド樹脂層４ｂが加熱されて温度が上昇
し、モールド樹脂層４ｂは水平方向に膨張する。そして
この膨張によって図３（ｂ）に示すように上に凸の反り
変形が矯正される。
【００１８】次いで半田ボール７を保持した搭載ヘッド
９を樹脂積層ウェハ４の上方に移動させ位置合わせした
後に、図３（ｃ）に示すように搭載ヘッド９を下降さ
せ、保持した半田ボール７を回路形成面に着地させる。
そして図４（ａ）に示すように搭載ヘッド９を上昇させ
ることにより、半田ボール７は半導体ウェハ４ａに搭載
される。
９を樹脂積層ウェハ４の上方に移動させ位置合わせした
後に、図３（ｃ）に示すように搭載ヘッド９を下降さ
せ、保持した半田ボール７を回路形成面に着地させる。
そして図４（ａ）に示すように搭載ヘッド９を上昇させ
ることにより、半田ボール７は半導体ウェハ４ａに搭載
される。
【００１９】このとき、樹脂積層ウェハ４は反りが矯正
されて正しく平面が保たれた状態にあることから、搭載
ヘッド９によって半田ボール７を搭載する際に、搭載ヘ
ッド９に保持された半田ボール７と半導体ウェハ４ａの
上面との間に隙間が生じない。これにより、反りが生じ
た状態で半田ボールを搭載する場合に前記隙間を半田ボ
ール７が落下することによって生じる位置ずれや脱落な
どの不具合が発生しない。
されて正しく平面が保たれた状態にあることから、搭載
ヘッド９によって半田ボール７を搭載する際に、搭載ヘ
ッド９に保持された半田ボール７と半導体ウェハ４ａの
上面との間に隙間が生じない。これにより、反りが生じ
た状態で半田ボールを搭載する場合に前記隙間を半田ボ
ール７が落下することによって生じる位置ずれや脱落な
どの不具合が発生しない。
【００２０】この後樹脂積層ウェハ４はリフロー工程に
送られここで加熱される。これにより、半田ボール７が
溶融し、半導体ウェハ４ａの回路電極と半田接合され
る。これにより、図４（ｂ）に示すように、半導体ウェ
ハ４ａの上面には半田バンプ７’が形成される。
送られここで加熱される。これにより、半田ボール７が
溶融し、半導体ウェハ４ａの回路電極と半田接合され
る。これにより、図４（ｂ）に示すように、半導体ウェ
ハ４ａの上面には半田バンプ７’が形成される。
【００２１】なお上記実施の形態ではモールド樹脂が積
層された半導体ウェハ（樹脂積層ウェハ）として、半導
体ウェハ４ａの回路形成面の裏側にモールド樹脂層４ｂ
が積層された例を示したが、半導体ウェハの回路形成面
上に樹脂層を積層して封止樹脂層とし、この封止樹脂層
を貫通して半導体ウェハの回路と導通する金属バンプを
形成する例であっても本発明の適用対象となる。この場
合には、樹脂積層ウェハは下に凸の反り形状を示すが、
この場合においてもウェハ載置部３を加熱して所定温度
に保持することにより、そり変形を矯正することができ
る。
層された半導体ウェハ（樹脂積層ウェハ）として、半導
体ウェハ４ａの回路形成面の裏側にモールド樹脂層４ｂ
が積層された例を示したが、半導体ウェハの回路形成面
上に樹脂層を積層して封止樹脂層とし、この封止樹脂層
を貫通して半導体ウェハの回路と導通する金属バンプを
形成する例であっても本発明の適用対象となる。この場
合には、樹脂積層ウェハは下に凸の反り形状を示すが、
この場合においてもウェハ載置部３を加熱して所定温度
に保持することにより、そり変形を矯正することができ
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハ載置部に保持さ
れた半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭載
工程においてウェハ載置部を所定温度に保持して半導体
ウェハの反り変形を矯正した状態で導電性ボールの搭載
を行うようにしたので、反りのない良好な状態で導電性
ボールを搭載することができる。
れた半導体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭載
工程においてウェハ載置部を所定温度に保持して半導体
ウェハの反り変形を矯正した状態で導電性ボールの搭載
を行うようにしたので、反りのない良好な状態で導電性
ボールを搭載することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の導電性ボールの搭載装
置の正面図
置の正面図
【図２】本発明の一実施の形態の導電性ボールの搭載装
置のウェハ載置部の断面図
置のウェハ載置部の断面図
【図３】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程説明図
の工程説明図
【図４】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程説明図
の工程説明図
１ 位置決め部 ３ ウェハ載置部 ４ 樹脂積層ウェハ ４ａ 半導体ウェハ ４ｂ モールド樹脂層 ７ 半田ボール １０ 加熱テーブル １１ ウェハ吸着部 １２ 温度調節手段 １５ 真空吸引手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有田 潔 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 野田 和宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 古川 良太 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 土師 宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】複数の半導体素子が形成されモールド樹脂
が積層された半導体ウェハの回路形成面に導電性ボール
を搭載する導電性ボールの搭載装置であって、前記モー
ルド樹脂が積層された状態の半導体ウェハを載置して保
持するウェハ載置部と、ウェハ載置部に保持された半導
体ウェハに導電性ボールを搭載するボール搭載手段と、
前記ウェハ載置部を所定温度に保持する温度調節手段と
を備えたことを特徴とする導電性ボールの搭載装置。 - 【請求項２】前記ウェハ載置部は、載置された半導体ウ
ェハを真空吸着により保持する吸着保持手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の導電性ボールの搭載装
置。 - 【請求項３】複数の半導体素子が形成されモールド樹脂
が積層された半導体ウェハの回路形成面に導電性ボール
を搭載する導電性ボールの搭載方法であって、前記モー
ルド樹脂が積層された状態の半導体ウェハをウェハ載置
部に載置して保持させるウェハ載置工程と、ウェハ載置
部に保持された半導体ウェハに導電性ボールを搭載する
ボール搭載工程とを含み、前記ボール搭載工程において
ウェハ載置部を所定温度に保持することにより半導体ウ
ェハの反り変形を矯正した状態で導電性ボールの搭載を
行うことを特徴とする導電性ボールの搭載方法。 - 【請求項４】前記ボール搭載工程においてウェハ載置部
に備えられた吸着保持手段で半導体ウェハを真空吸着に
より保持することを特徴とする請求項３記載の導電性ボ
ールの搭載方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001156563A JP3573104B2 (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 導電性ボールの搭載装置および搭載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001156563A JP3573104B2 (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 導電性ボールの搭載装置および搭載方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353262A true JP2002353262A (ja) | 2002-12-06 |
| JP3573104B2 JP3573104B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=19000557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001156563A Expired - Lifetime JP3573104B2 (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 導電性ボールの搭載装置および搭載方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3573104B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351908A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN102789992A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 爱立发株式会社 | 使用掩模将导电性球搭载到工件上的方法及球搭载装置 |
| KR101455205B1 (ko) * | 2014-04-29 | 2014-10-27 | 주식회사 다이나테크 | 교정장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110125730A (zh) * | 2018-02-07 | 2019-08-16 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 陶瓷盖板的平面度矫正方法和平面度矫正设备 |
-
2001
- 2001-05-25 JP JP2001156563A patent/JP3573104B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP3573104B2 (ja) | 2004-10-06 |
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| A977 | Report on retrieval |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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