JP2002341951A - ディジタル型シャント装置 - Google Patents
ディジタル型シャント装置Info
- Publication number
- JP2002341951A JP2002341951A JP2001147904A JP2001147904A JP2002341951A JP 2002341951 A JP2002341951 A JP 2002341951A JP 2001147904 A JP2001147904 A JP 2001147904A JP 2001147904 A JP2001147904 A JP 2001147904A JP 2002341951 A JP2002341951 A JP 2002341951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shunt
- shunt transistor
- diode
- transistor
- digital
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/56—Power conversion systems, e.g. maximum power point trackers
Landscapes
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シャントトランジスタのオン時およびオフ時
でシャント装置における発熱量の変化をより少なくある
いはほぼ一定とし、温度変化の少ない熱設計を容易にし
たディジタル型シャント装置を提供する。 【解決手段】 太陽電池１と負荷５側の間に接続され、
太陽電池で発生する電力の余剰電力をシャントするため
のディジタル型シャント装置３であって、太陽電池から
負荷側に電流を供給する経路の回路構成８と、電流をシ
ャントする経路の回路構成１１，６，９，をより同じに
なるようにして、該装置のオンオフ時の発熱量の変化を
少なくした。
でシャント装置における発熱量の変化をより少なくある
いはほぼ一定とし、温度変化の少ない熱設計を容易にし
たディジタル型シャント装置を提供する。 【解決手段】 太陽電池１と負荷５側の間に接続され、
太陽電池で発生する電力の余剰電力をシャントするため
のディジタル型シャント装置３であって、太陽電池から
負荷側に電流を供給する経路の回路構成８と、電流をシ
ャントする経路の回路構成１１，６，９，をより同じに
なるようにして、該装置のオンオフ時の発熱量の変化を
少なくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば人工衛星の
太陽電池で発生する電力の余剰電力をシャントすること
により負荷への電力供給電圧を安定化するディジタル型
シャント装置に関するものである。
太陽電池で発生する電力の余剰電力をシャントすること
により負荷への電力供給電圧を安定化するディジタル型
シャント装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば特公平８−２３７８２号公
報等に開示されている、シャントトランジスタのオンオ
フ時の急激な電流変化を緩和し、他の機器への電磁干渉
を緩和した従来のディジタル型シャント装置の構成を示
す。
報等に開示されている、シャントトランジスタのオンオ
フ時の急激な電流変化を緩和し、他の機器への電磁干渉
を緩和した従来のディジタル型シャント装置の構成を示
す。
【０００３】図４において、１は太陽電池、２は浮遊容
量、３はディジタル型シャント装置、４はエネルギーバ
ンク、５は負荷、１５はコレクタが逆流防止用ダイオー
ド８のアノードに接続され、エミッタがコイル９に接続
されたシャントトランジスタ(バイポーラトランジス
タ)、７は逆流防止ダイオード８のカソードとシャント
トランジスタ１５のベースに接続され、エネルギーバン
ク４の電圧を検出してシャントトランジスタ１５を駆動
する制御器である。
量、３はディジタル型シャント装置、４はエネルギーバ
ンク、５は負荷、１５はコレクタが逆流防止用ダイオー
ド８のアノードに接続され、エミッタがコイル９に接続
されたシャントトランジスタ(バイポーラトランジス
タ)、７は逆流防止ダイオード８のカソードとシャント
トランジスタ１５のベースに接続され、エネルギーバン
ク４の電圧を検出してシャントトランジスタ１５を駆動
する制御器である。
【０００４】９は上記シャントトランジスタ１５のエミ
ッタとアース間に接続され、上記シャントトランジスタ
１５がターンオンする際に電流を制限するコイル、１０
はそのカソードが上記シャントトランジスタ１５のベー
スに、またアノードがアースに接続された定電圧ダイオ
ードである。そしてターンオン時は定電圧ダイオード１
０の降伏電圧を利用し、ターンオフ時はシャントトラン
ジスタ１５のベース・エミッタ順方向電圧を利用するこ
とにより、シャントトランジスタ１５に流れる電流変化
率を緩和して他機器への電磁干渉を防止している。
ッタとアース間に接続され、上記シャントトランジスタ
１５がターンオンする際に電流を制限するコイル、１０
はそのカソードが上記シャントトランジスタ１５のベー
スに、またアノードがアースに接続された定電圧ダイオ
ードである。そしてターンオン時は定電圧ダイオード１
０の降伏電圧を利用し、ターンオフ時はシャントトラン
ジスタ１５のベース・エミッタ順方向電圧を利用するこ
とにより、シャントトランジスタ１５に流れる電流変化
率を緩和して他機器への電磁干渉を防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来のディジタル型シャント装置においては、シャン
トトランジスタのオン状態とオフ状態で発熱量が大きく
異なり温度を一定とする熱設計が難しくなる問題点があ
る。
た従来のディジタル型シャント装置においては、シャン
トトランジスタのオン状態とオフ状態で発熱量が大きく
異なり温度を一定とする熱設計が難しくなる問題点があ
る。
【０００６】この発明は、かかる問題点を解消するため
になされたもので、上記従来のシャント装置においてシ
ャントトランジスタのオフ時においてもダイオードある
いはシャントトランジスタに電流を流すことにより発熱
量の変化をより少なくあるいはほぼ一定とし、温度変化
の少ない熱設計を容易にしたディジタル型シャント装置
を提供することを目的とする。
になされたもので、上記従来のシャント装置においてシ
ャントトランジスタのオフ時においてもダイオードある
いはシャントトランジスタに電流を流すことにより発熱
量の変化をより少なくあるいはほぼ一定とし、温度変化
の少ない熱設計を容易にしたディジタル型シャント装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明は、太陽電池と負荷側の間に接続され、太陽電池で
発生する電力の余剰電力をシャントするためのディジタ
ル型シャント装置であって、太陽電池から負荷側に電流
を供給する経路の回路構成と、電流をシャントする経路
の回路構成をより同じになるようにして、該装置のオン
オフ時の発熱量の変化を少なくしたことを特徴とするデ
ィジタル型シャント装置にある。
発明は、太陽電池と負荷側の間に接続され、太陽電池で
発生する電力の余剰電力をシャントするためのディジタ
ル型シャント装置であって、太陽電池から負荷側に電流
を供給する経路の回路構成と、電流をシャントする経路
の回路構成をより同じになるようにして、該装置のオン
オフ時の発熱量の変化を少なくしたことを特徴とするデ
ィジタル型シャント装置にある。
【０００８】また、前記太陽電池と負荷の間に接続され
た逆流防止ダイオードを含む電流を負荷側に供給する経
路と、アノードが前記逆流防止ダイオードのアノード側
に接続されたダイオード、ドレインを前記ダイオードの
カソードに接続しソースをアース側に接続したパワーＭ
ＯＳＦＥＴからなる経路切換えを行うためのシャントト
ランジスタ、およびこのシャントトランジスタのソース
とアース間に接続されシャントトランジスタのターンオ
ン時の電流制限用のコイル、が前記逆流防止ダイオード
のアノード側とアース間に順次直列に接続されたシャン
ト経路と、前記シャントトランジスタをこれにゲートを
制御してオンオフ制御する制御器と、前記シャントトラ
ンジスタのゲートとアース間にゲートに向かって順方向
接続された定電圧ダイオードと、を備えたことを特徴と
する請求項１に記載のディジタル型シャント装置にあ
る。
た逆流防止ダイオードを含む電流を負荷側に供給する経
路と、アノードが前記逆流防止ダイオードのアノード側
に接続されたダイオード、ドレインを前記ダイオードの
カソードに接続しソースをアース側に接続したパワーＭ
ＯＳＦＥＴからなる経路切換えを行うためのシャントト
ランジスタ、およびこのシャントトランジスタのソース
とアース間に接続されシャントトランジスタのターンオ
ン時の電流制限用のコイル、が前記逆流防止ダイオード
のアノード側とアース間に順次直列に接続されたシャン
ト経路と、前記シャントトランジスタをこれにゲートを
制御してオンオフ制御する制御器と、前記シャントトラ
ンジスタのゲートとアース間にゲートに向かって順方向
接続された定電圧ダイオードと、を備えたことを特徴と
する請求項１に記載のディジタル型シャント装置にあ
る。
【０００９】また、上記逆流防止ダイオードのカソード
側にドレインが接続され、前記負荷側にソースが接続さ
れると共に、ドレインとゲート間及びゲートとアース間
にそれぞれ抵抗を接続したパワーＭＯＳＦＥＴをさらに
備えたことを特徴とする請求項２に記載のディジタル型
シャント装置にある。
側にドレインが接続され、前記負荷側にソースが接続さ
れると共に、ドレインとゲート間及びゲートとアース間
にそれぞれ抵抗を接続したパワーＭＯＳＦＥＴをさらに
備えたことを特徴とする請求項２に記載のディジタル型
シャント装置にある。
【００１０】第１の発明によるディジタル型シャント装
置は、図４に示す従来のシャント装置においてシャント
トランジスタのコレクタと上記逆流防止ダイオードのア
ノードの間に、アノード側を上記逆流ダイオードのアノ
ード側にカソード側を上記シャントトランジスタのコレ
クタに接続したダイオードを有することを特徴としてい
る。また、シャントトランジスタをバイポーラトランジ
スタからＭＯＳＦＥＴに置き換えている。なお、シャン
トトランジスタをバイポーラトランジスタからパワーＭ
ＯＳＦＥＴに変更することにより低消費電力、低損失化
の利点がある。
置は、図４に示す従来のシャント装置においてシャント
トランジスタのコレクタと上記逆流防止ダイオードのア
ノードの間に、アノード側を上記逆流ダイオードのアノ
ード側にカソード側を上記シャントトランジスタのコレ
クタに接続したダイオードを有することを特徴としてい
る。また、シャントトランジスタをバイポーラトランジ
スタからＭＯＳＦＥＴに置き換えている。なお、シャン
トトランジスタをバイポーラトランジスタからパワーＭ
ＯＳＦＥＴに変更することにより低消費電力、低損失化
の利点がある。
【００１１】第２の発明によるディジタル型シャント装
置は、上記第１の発明によるディジタル型シャント装置
において、上記逆流防止ダイオードのカソードと負荷の
間に、ドレインを上記逆流防止ダイオードのカソード
に、ソースを負荷に接続したパワーＭＯＳＦＥＴを備
え、このパワーＭＯＳＦＥＴのドレインとゲート間、及
びゲートとアース間に抵抗を接続した構成を有してい
る。
置は、上記第１の発明によるディジタル型シャント装置
において、上記逆流防止ダイオードのカソードと負荷の
間に、ドレインを上記逆流防止ダイオードのカソード
に、ソースを負荷に接続したパワーＭＯＳＦＥＴを備
え、このパワーＭＯＳＦＥＴのドレインとゲート間、及
びゲートとアース間に抵抗を接続した構成を有してい
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明を各実施の形態に
従って説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の一実施の形態によるデ
ィジタル型シャント装置の構成を示す図である。図１に
おいて、従来のものと同一もしくは相当部分は同一符号
で示す。１は太陽電池、２は浮遊容量、３はディジタル
型シャント装置、４はエネルギーバンク、５は負荷、６
はドレインがダイオード１１のアノードに接続され、ソ
ースがコイル９に接続されたシャントトランジスタ(パ
ワーＭＯＳＦＥＴ)、７は逆流防止ダイオード８のカソ
ードとシャントトランジスタ６のゲートとに接続され、
エネルギーバンク４の電圧を検出してシャントトランジ
スタ６を駆動する制御器である。
従って説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の一実施の形態によるデ
ィジタル型シャント装置の構成を示す図である。図１に
おいて、従来のものと同一もしくは相当部分は同一符号
で示す。１は太陽電池、２は浮遊容量、３はディジタル
型シャント装置、４はエネルギーバンク、５は負荷、６
はドレインがダイオード１１のアノードに接続され、ソ
ースがコイル９に接続されたシャントトランジスタ(パ
ワーＭＯＳＦＥＴ)、７は逆流防止ダイオード８のカソ
ードとシャントトランジスタ６のゲートとに接続され、
エネルギーバンク４の電圧を検出してシャントトランジ
スタ６を駆動する制御器である。
【００１３】９はシャントトランジスタ６のソースとア
ース間に接続され、シャントトランジスタ６がターンオ
ンする際に電流を制限するコイル、１０はそのカソード
がシャントトランジスタ６のゲートに、またアノードが
アースに接続された定電圧ダイオード、１１はカソード
側をシャントトランジスタ６のドレインにアノード側を
逆流防止ダイオード８のアノード側に接続したダイオー
ドである。
ース間に接続され、シャントトランジスタ６がターンオ
ンする際に電流を制限するコイル、１０はそのカソード
がシャントトランジスタ６のゲートに、またアノードが
アースに接続された定電圧ダイオード、１１はカソード
側をシャントトランジスタ６のドレインにアノード側を
逆流防止ダイオード８のアノード側に接続したダイオー
ドである。
【００１４】第２図はターンオン、ターンオフ時のシャ
ントトランジスタ６の電流波形を示す図であり、横軸は
時間ｔを、縦軸は電流Ｉｃを示す。
ントトランジスタ６の電流波形を示す図であり、横軸は
時間ｔを、縦軸は電流Ｉｃを示す。
【００１５】次に動作について図１、図２を用いて説明
する。ｔ＝０で制御器７よりシャントトランジスタ６の
ゲートにＨレベル信号が出力されシャントトランジスタ
６がターンオンしたとする。この時、太陽電池１の出力
電流Ｉｏと浮遊容量２の放電電流がシャントトランジス
タ６のドレイン・ソースを経てコイル９へ流れ込み起電
力Ｖｌ１が生じる。
する。ｔ＝０で制御器７よりシャントトランジスタ６の
ゲートにＨレベル信号が出力されシャントトランジスタ
６がターンオンしたとする。この時、太陽電池１の出力
電流Ｉｏと浮遊容量２の放電電流がシャントトランジス
タ６のドレイン・ソースを経てコイル９へ流れ込み起電
力Ｖｌ１が生じる。
【００１６】コイル９のインダクタンスをＬとすると、
シャントトランジスタ６に流れ込む電流Ｉｃとコイル起
電力Ｖｌ１との間に次式が成立する。
シャントトランジスタ６に流れ込む電流Ｉｃとコイル起
電力Ｖｌ１との間に次式が成立する。
【００１７】Ｖｌ１=Ｌ(ｄＩｃ／ｄｔ) (１)
【００１８】一方、コイル９の起電力Ｖｌ１は定電圧ダ
イオード１０の降伏電圧をＶｚ、シャントトランジスタ
６のゲートスレシュホールド電圧ＶｇｔｈとするとＶｌ
１=Ｖｚ−Ｖｇｔｈであたえられるから、シャントトラ
ンジスタ６に流れ込む電流Ｉｃは次式により与えられ
る。
イオード１０の降伏電圧をＶｚ、シャントトランジスタ
６のゲートスレシュホールド電圧ＶｇｔｈとするとＶｌ
１=Ｖｚ−Ｖｇｔｈであたえられるから、シャントトラ
ンジスタ６に流れ込む電流Ｉｃは次式により与えられ
る。
【００１９】 Ｉｃ=(Ｖｚ−Ｖｇｔｈ)ｔ／Ｌ (２)
【００２０】(２)式より明らかなように適当な定電圧ダ
イオード１０を選択すれば、シャントトランジスタ６の
電流の立ち上がりを制御することが可能であり、また、
シャントトランジスタ６がオンしたときはシャントトラ
ンジスタ６とダイオード１１に電流が流れる。
イオード１０を選択すれば、シャントトランジスタ６の
電流の立ち上がりを制御することが可能であり、また、
シャントトランジスタ６がオンしたときはシャントトラ
ンジスタ６とダイオード１１に電流が流れる。
【００２１】次にｔ＝τで制御器７よりシャントトラン
ジスタ６のゲートにＬレベル信号が出力され上記シャン
トトランジスタ６がターンオフしたとする。この時、コ
イル９の起電力が反転して、コイル９に蓄積されたエネ
ルギーの一部はシャントトランジスタ６のゲート電圧を
ゲートスレシュホールド電圧Ｖｇｔｈに保ちつつ放出
し、残りのエネルギーはドレイン電流として放出され
る。
ジスタ６のゲートにＬレベル信号が出力され上記シャン
トトランジスタ６がターンオフしたとする。この時、コ
イル９の起電力が反転して、コイル９に蓄積されたエネ
ルギーの一部はシャントトランジスタ６のゲート電圧を
ゲートスレシュホールド電圧Ｖｇｔｈに保ちつつ放出
し、残りのエネルギーはドレイン電流として放出され
る。
【００２２】この場合、コイル９の電圧Ｖｌ２はゲート
スレシュホールド電圧Ｖｇｔｈに等しくなり、Ｖｌ２＝
Ｖｇｔｈで与えられる。また、コイル９に流れる電流Ｉ
ｃと電圧Ｖｌ２の関係は次式により与えられる。
スレシュホールド電圧Ｖｇｔｈに等しくなり、Ｖｌ２＝
Ｖｇｔｈで与えられる。また、コイル９に流れる電流Ｉ
ｃと電圧Ｖｌ２の関係は次式により与えられる。
【００２３】 Ｖｌ２=−Ｌ(ｄＩｃ／ｄｔ) (３)
【００２４】(３)式よりシャントトランジスタ６のター
ンオフ時の電流Ｉｃは次式により与えられる。
ンオフ時の電流Ｉｃは次式により与えられる。
【００２５】 Ｉｃ=Ｉｏ−Ｖｇｔｈ(ｔ−τ)／Ｌ (４)
【００２６】(４)式より明らかなように、ターンオフ時
のシャントトランジスタ６の電流立ち下がりも制御可能
となり、また、シャントトランジスタ６がオフしたとき
は逆流防止ダイオード８へ電流が流れる。
のシャントトランジスタ６の電流立ち下がりも制御可能
となり、また、シャントトランジスタ６がオフしたとき
は逆流防止ダイオード８へ電流が流れる。
【００２７】すなわちこの発明によるディジタル型シャ
ント装置によれば、従来のシャントトランジスタの利点
であるシャントトランジスタのターンオン時あるいはタ
ーンオフ時の電流変化を制御できる利点を損なわずに、
従来のディジタル型シャント装置におけるシャントトラ
ンジスタをそのままバイポーラトランジスタから低消費
電力、低損失化の利点があるパワーＭＯＳＦＥＴに置き
換えることができ、かつ、シャントトランジスタ６がオ
ンしたときはダイオード１１とシャントトランジスタ６
に電流が流れ、シャントトランジスタ６がオフしたとき
は逆流防止ダイオード８に電流が流れ、シャントトラン
ジスタのオンオフに関わらずディジタル型シャント装置
３の発熱量をほぼ一定にできる。
ント装置によれば、従来のシャントトランジスタの利点
であるシャントトランジスタのターンオン時あるいはタ
ーンオフ時の電流変化を制御できる利点を損なわずに、
従来のディジタル型シャント装置におけるシャントトラ
ンジスタをそのままバイポーラトランジスタから低消費
電力、低損失化の利点があるパワーＭＯＳＦＥＴに置き
換えることができ、かつ、シャントトランジスタ６がオ
ンしたときはダイオード１１とシャントトランジスタ６
に電流が流れ、シャントトランジスタ６がオフしたとき
は逆流防止ダイオード８に電流が流れ、シャントトラン
ジスタのオンオフに関わらずディジタル型シャント装置
３の発熱量をほぼ一定にできる。
【００２８】また、定電圧ダイオード１０として降伏電
圧がゲートスレッシュ電圧の２倍の値を選ぶことによ
り、ターンオンとターンオフの電流変化率を同じにする
ことができる。
圧がゲートスレッシュ電圧の２倍の値を選ぶことによ
り、ターンオンとターンオフの電流変化率を同じにする
ことができる。
【００２９】このように実施の形態１によれば、シャン
トトランジスタ６のカソードとアース間にコイル９を設
け、ターンオン時は定電圧ダイオード１０の降伏電圧と
シャントトランジスタ６のゲートスレッシュホールド電
圧を利用し、ターンオフ時はシャントトランジスタ６の
ゲートスレッシュホールド電圧を利用することにより、
シャントトランジスタに流れる電流変化を図２のように
緩和することで、従来のディジタル型シャント装置の機
能である他機器への電磁干渉を緩和するという効果を損
なうことなくシャントトランジスタをバイポーラトラン
ジスタから低消費電力、低損失化の利点があるパワーＭ
ＯＳＦＥＴに置き換えることができるとともに、シャン
トトランジスタ６がオンした時はダイオード１１とシャ
ントトランジスタ６に電流が流れ、シャントトランジス
タ６がオフしたときは逆流防止ダイオード８に電流が流
れ、シャントトランジスタ６による発熱はダイオード１
１に比して小さいため、シャントトランジスタ６のオン
オフに関わらず発熱がほぼ一定にでき、ディジタル型シ
ャント装置３の熱設計が容易となる効果がある。
トトランジスタ６のカソードとアース間にコイル９を設
け、ターンオン時は定電圧ダイオード１０の降伏電圧と
シャントトランジスタ６のゲートスレッシュホールド電
圧を利用し、ターンオフ時はシャントトランジスタ６の
ゲートスレッシュホールド電圧を利用することにより、
シャントトランジスタに流れる電流変化を図２のように
緩和することで、従来のディジタル型シャント装置の機
能である他機器への電磁干渉を緩和するという効果を損
なうことなくシャントトランジスタをバイポーラトラン
ジスタから低消費電力、低損失化の利点があるパワーＭ
ＯＳＦＥＴに置き換えることができるとともに、シャン
トトランジスタ６がオンした時はダイオード１１とシャ
ントトランジスタ６に電流が流れ、シャントトランジス
タ６がオフしたときは逆流防止ダイオード８に電流が流
れ、シャントトランジスタ６による発熱はダイオード１
１に比して小さいため、シャントトランジスタ６のオン
オフに関わらず発熱がほぼ一定にでき、ディジタル型シ
ャント装置３の熱設計が容易となる効果がある。
【００３０】実施の形態２．図３はこの発明の別の実施
の形態によるディジタル型シャント装置の構成を示す図
である。図３において、上記実施の形態のものと同一も
しくは相当部分は同一符号で示す。１〜１１は実施の形
態１のディジタル型シャント装置と全く同一のものであ
る。１４は逆流防止ダイオード８のカソードと負荷５の
間に、ドレインを逆流防止ダイオード８のカソードに、
ソースを負荷５に接続したパワーＭＯＳＦＥＴ１４であ
る。１２，１３はパワーＭＯＳＦＥＴ１４のドレインと
ゲート間、及びゲートとアース間に接続した抵抗であ
る。
の形態によるディジタル型シャント装置の構成を示す図
である。図３において、上記実施の形態のものと同一も
しくは相当部分は同一符号で示す。１〜１１は実施の形
態１のディジタル型シャント装置と全く同一のものであ
る。１４は逆流防止ダイオード８のカソードと負荷５の
間に、ドレインを逆流防止ダイオード８のカソードに、
ソースを負荷５に接続したパワーＭＯＳＦＥＴ１４であ
る。１２，１３はパワーＭＯＳＦＥＴ１４のドレインと
ゲート間、及びゲートとアース間に接続した抵抗であ
る。
【００３１】次に動作について説明する。動作原理は実
施の形態１と同じであるが、シャントトランジスタ６が
オンしたときはダイオード１１とシャントトランジスタ
６に電流が流れ、シャントトランジスタ６がオフしたと
きは逆流防止ダイオード８とパワーＭＯＳＦＥＴ１４に
電流が流れることにより、シャントトランジスタオンオ
フに関わらずディジタル型シャント装置３の発熱量を一
定とすることができる。
施の形態１と同じであるが、シャントトランジスタ６が
オンしたときはダイオード１１とシャントトランジスタ
６に電流が流れ、シャントトランジスタ６がオフしたと
きは逆流防止ダイオード８とパワーＭＯＳＦＥＴ１４に
電流が流れることにより、シャントトランジスタオンオ
フに関わらずディジタル型シャント装置３の発熱量を一
定とすることができる。
【００３２】
【発明の効果】この発明によれば、シャントトランジス
タのオンオフに関わらず発熱がほぼ一定にでき熱設計が
容易となる効果がある。
タのオンオフに関わらず発熱がほぼ一定にでき熱設計が
容易となる効果がある。
【図１】 この発明の一実施の形態によるディジタル型
シャント装置の構成を示す図である。
シャント装置の構成を示す図である。
【図２】 この発明によるディジタル型シャント装置で
のターンオン、ターンオフ時のシャントトランジスタの
電流波形を示す図でる。
のターンオン、ターンオフ時のシャントトランジスタの
電流波形を示す図でる。
【図３】 この発明の別の実施の形態によるディジタル
型シャント装置の構成を示す図である。
型シャント装置の構成を示す図である。
【図４】 従来のディジタル型シャント装置の構成を示
す図である。
す図である。
１ 太陽電池、２ 浮遊容量、３ ディジタル型シャン
ト装置、４ エネルギーバンク、５ 負荷、６ シャン
トトランジスタ(パワーＭＯＳＦＥＴ)、７ 制御器、８
逆流防止トランジスタ、９ コイル、１０ 定電圧ダ
イオード、１１ダイオード、１２，１３ 抵抗、１４
パワーＭＯＳＦＥＴ。
ト装置、４ エネルギーバンク、５ 負荷、６ シャン
トトランジスタ(パワーＭＯＳＦＥＴ)、７ 制御器、８
逆流防止トランジスタ、９ コイル、１０ 定電圧ダ
イオード、１１ダイオード、１２，１３ 抵抗、１４
パワーＭＯＳＦＥＴ。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F051 BA02 BA17 KA10 5G003 AA06 BA01 CA12 CC04 DA04 GA01 GB04 5H420 CC03 DD02 EA12 EA20 EB01 FF03 FF25 5H730 AA20 BB14 DD04 EE07 FD01 FG01
Claims (3)
- 【請求項１】 太陽電池と負荷側の間に接続され、太陽
電池で発生する電力の余剰電力をシャントするためのデ
ィジタル型シャント装置であって、太陽電池から負荷側
に電流を供給する経路の回路構成と、電流をシャントす
る経路の回路構成をより同じになるようにして、該装置
のオンオフ時の発熱量の変化を少なくしたことを特徴と
するディジタル型シャント装置。 - 【請求項２】 前記太陽電池と負荷の間に接続された逆
流防止ダイオードを含む電流を負荷側に供給する経路
と、 アノードが前記逆流防止ダイオードのアノード側に接続
されたダイオード、ドレインを前記ダイオードのカソー
ドに接続しソースをアース側に接続したパワーＭＯＳＦ
ＥＴからなる経路切換えを行うためのシャントトランジ
スタ、およびこのシャントトランジスタのソースとアー
ス間に接続されシャントトランジスタのターンオン時の
電流制限用のコイル、が前記逆流防止ダイオードのアノ
ード側とアース間に順次直列に接続されたシャント経路
と、 前記シャントトランジスタをこれにゲートを制御してオ
ンオフ制御する制御器と、 前記シャントトランジスタのゲートとアース間にゲート
に向かって順方向接続された定電圧ダイオードと、 を備えたことを特徴とする請求項１に記載のディジタル
型シャント装置。 - 【請求項３】 上記逆流防止ダイオードのカソード側に
ドレインが接続され、前記負荷側にソースが接続される
と共に、ドレインとゲート間及びゲートとアース間にそ
れぞれ抵抗を接続したパワーＭＯＳＦＥＴをさらに備え
たことを特徴とする請求項２に記載のディジタル型シャ
ント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147904A JP2002341951A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | ディジタル型シャント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147904A JP2002341951A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | ディジタル型シャント装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002341951A true JP2002341951A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18993316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001147904A Withdrawn JP2002341951A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | ディジタル型シャント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002341951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017143607A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | シャント装置、電力システム及び宇宙構造物 |
-
2001
- 2001-05-17 JP JP2001147904A patent/JP2002341951A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017143607A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | シャント装置、電力システム及び宇宙構造物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7741591B2 (en) | Optically powered drive circuit and method for controlling a semiconductor switch | |
| JP4779549B2 (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路。 | |
| JP2005287225A (ja) | 電圧駆動型スイッチ素子のドライブ回路および電源装置 | |
| JP2008086068A (ja) | 電圧駆動型素子のゲート駆動回路 | |
| JP2002341951A (ja) | ディジタル型シャント装置 | |
| US5343098A (en) | Snubber circuit for a power semiconductor device | |
| JP2001169534A (ja) | 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路 | |
| JP2009290287A (ja) | スイッチング回路、及びトランジスタの駆動回路 | |
| TWI418126B (zh) | 電流控制器及其方法 | |
| CN111403238B (zh) | 继电器的驱动电路 | |
| CN100492246C (zh) | 形成基准电压的方法及其结构 | |
| CN113037070A (zh) | 开关电源快速启动电路 | |
| JPH0993911A (ja) | Ｄｃ−ｄｃコンバータ電源 | |
| CN216794850U (zh) | 一种推挽升压电路模块及推挽升压电路 | |
| CN117767711B (zh) | 单向导通电路、桥式驱动电路及开关电源 | |
| JP4249401B2 (ja) | Ｄｃ−ｄｃコンバータ | |
| US6377088B1 (en) | Sharp transition push-pull drive circuit with switching signal input circuit | |
| JP2018129761A (ja) | スイッチ制御装置 | |
| CN112260525B (zh) | Igbt驱动拓扑电路及其软开关电路 | |
| TWI829374B (zh) | 基於原邊回饋的返馳式電源變換器 | |
| CN217362941U (zh) | 电机调速装置、电机和车辆 | |
| WO2022249297A1 (ja) | 半導体素子の駆動方法、及び、駆動装置、並びに、電力変換装置 | |
| JP3540869B2 (ja) | 自己バイアス型電子回路用のスタータ回路装置 | |
| JP2002281692A (ja) | 太陽電池の充電回路とそれを搭載した半導体装置 | |
| CN118336848A (zh) | 基于锂电池供电可长期贮存的防反配电开关及其控制方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |