JP2002340944A - プローブ解析システムのブロードバンド設計 - Google Patents
プローブ解析システムのブロードバンド設計Info
- Publication number
- JP2002340944A JP2002340944A JP2002056657A JP2002056657A JP2002340944A JP 2002340944 A JP2002340944 A JP 2002340944A JP 2002056657 A JP2002056657 A JP 2002056657A JP 2002056657 A JP2002056657 A JP 2002056657A JP 2002340944 A JP2002340944 A JP 2002340944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- digital
- frequencies
- analog
- converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000013461 design Methods 0.000 title description 7
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 17
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
するサンプリングユニットが極めて複雑で高価になるこ
とを防ぐ。 【解決手段】 本発明の無線周波数(RF)プローブ解
析システムは、複数のアナログ信号に基づいてデジタル
電力信号を生成するサンプリングユニットであって、該
アナログ信号はRF電力送達システムからプラズマチャ
ンバまで送達される電力を特徴づける、サンプリングユ
ニットと、該デジタル電力信号に基づいてデジタルスペ
クトル信号を生成するためのデジタル処理ユニットとを
備え、該サンプリングユニットは、該アナログ信号から
第1の複数の周波数を同時にサンプリングし、それによ
り、該デジタルスペクトル信号が該第1の複数の周波数
の信号レベルを規定する。
Description
ラズマエッチングに関する。詳細には、本発明は、ブロ
ードバンド設計を有する無線周波数(RF)プローブ解
析システムに関する。
グは、半導体回路の製造者にとって欠くことができない
ものである。実際には、比較的直線的な垂直エッジが必
要とされる場合、エッチャが半導体加工においてよく使
用されている。例えば、MOSトランジスタのポリシリ
コンゲートをエッチングする場合、ポリシリコンのアン
ダーカットは、トランジスタの動作に悪影響を与えるか
もしれない。液体エッチング法を用いる場合、アンダー
カットがよく生じる。結果として、プラズマエッチング
などの他のエッチング技術が開発されてきた。電場によ
って加速されるイオンを使用するプラズマエッチング
は、水平に曝された表面のみをエッチングする傾向があ
り、それによって、アンダーカットを避ける。
よび任意の他のプラズマプロセス)を実行するために、
プラズマチャンバに送達される電力を制御することがき
わめて望ましいと考えられてきた。実際には、エッチン
グプロセスの複雑さが増すにつれて、±1%もの高い精
度で電力を制御するという厳しい要件が誘起されてい
る。したがって、電力送達システムに加えて、一般的に
は、閉ループ制御システムを使用して、実際にチャンバ
に送達されている電力量をモニタする。
ラズマプロセスを実行する目的で、RF電力をプラズマ
チャンバ13に供給する従来の構成を示す。一般に、閉
ループ制御システム15はRF電力をモニタし、電力送
達システム11に多様な制御信号を供給する。
チでは、多くの理由で、現代プラズマプロセスの厳しさ
が増していく許容差要件に適合させることができなかっ
た。ある特定の理由は、RF電力が一般に複数の基本周
波数および対応する倍音(harmonic ton
e)を有することである。例えば、チャンバ13に印加
される電圧は、2MHzと27MHzとの両方で基本周
波数を有し得る。同じことが電流にもあてはまる。2M
Hz信号は、4MHz、6MHz、8MHzなどの高調
波を有する。27MHz信号は、25MHz、23MH
zなどの相互変調生成物を有する。これは、これらの周
波数の全てに存在するエネルギー量を知るためには、チ
ャンバ13に送達される電力をしっかりと制御する必要
があるから重要である。例えば、これらの周波数の各々
において瞬時的な電力の量を表すデジタルスペクトル信
号により、電力送達システム11が、固有周波数ごと
に、多様な内部パラメータを調整し得る。他の有用な信
号は、デジタル振幅信号とデジタル位相信号とを含む。
プ制御システム15は、特定の信号を相互変調信号(例
えば、対象の信号の周波数より10kHz大きい信号)
とそれぞれ混合することによって、対象の周波数の各々
を処理するサンプリングユニットを有する。その混合の
結果、10kHzにおいて2次の相互変調生成物が生
じ、オーディオグレードデジタイザを用いてこの生成物
をサンプリングする。したがって、その結果は、(複数
のデジタイザによって生成される)複数のデジタル電力
信号であり、ここで、各デジタル電力信号は混合周波数
信号に対応する。多くの基本周波数および高調波周波数
が存在し、サンプリングユニットが極めて複雑で高価に
なるかもしれない上記の例を理解することが容易であ
る。さらに、高調波を同時にトラッキングするという要
求は、このアプローチのもとでは十分に満たすことがで
きない。
難性は、(インピーダンス整合を向上させるための)周
波数同調が半導体産業において一般的になっているとい
う事実に関連する。したがって、基本周波数の従来の理
解では、基本周波数を予め決定することですら困難であ
ることもある。さらに、チャンバへのパルス電力が一般
的であると想起され、それにより、従来のアプローチの
もとでは達成できない、サンプリング回路の応答時間が
必要とされる。
した後、高速フーリエ変換(FFT)は、それぞれの周
波数に対してサンプリングされた電圧信号およびサンプ
リングされた電流信号から形成された複雑な複合信号に
対して実行される。また、そのようなアプローチに関す
る処理オーバーヘッドは、周波数の個々の処理に起因し
て、極めて高い。さらに、従来のアプローチは、一般的
には、アナログ回路を使用する。アナログ回路は、本質
的に、非線形位相応答を備えたフィルタを有し、許容差
のエージングおよびドリフトに対する回復性に欠ける。
特にチャネル−チャネル整合に関して、従来の設計は、
許容差、エージング、ドリフトまたは較正を回復するシ
ステムを提供しないようにできている。
F)プローブ解析システムは、複数のアナログ信号に基
づいてデジタル電力信号を生成するサンプリングユニッ
トは、該アナログ信号はRF電力送達システムからプラ
ズマチャンバまで送達される電力を特徴づける、サンプ
リングユニットと、該デジタル電力信号に基づいてデジ
タルスペクトル信号を生成するためのデジタル処理ユニ
ットとを備え、該サンプリングユニットは、該アナログ
信号から第1の複数の周波数を同時にサンプリングし、
それにより、該デジタルスペクトル信号が該第1の複数
の周波数の信号レベルを規定する。
アナログ電流信号とを含み、前記サンプリングユニット
は、該アナログ電圧信号と該アナログ電流信号とを第1
の所定のバンド幅にバンド制限する第1のフィルタリン
グモジュールであって、該第1の所定のバンド幅は前記
第1の複数の周波数を含む、第1のフィルタリングモジ
ュールと、該第1のフィルタリングモジュールに結合さ
れた1次A/Dコンバータであって、該1次A/Dコン
バータは、該アナログ電圧信号に基づいて第1のデジタ
ル電圧信号を生成し、該アナログ電流信号に基づいて第
1のデジタル電流信号を生成し、該第1のデジタル電圧
信号と前記第1のデジタル電流信号とが前記デジタル電
力信号を規定する、1次A/Dコンバータとを含み、該
1次A/Dコンバータはデュアルチャネル機能を有し、
それにより、該第1のデジタル電圧信号と該第1のデジ
タル電流信号とが同期化されてもよい。 前記第1のフ
ィルタリングモジュールは、前記アナログ電圧信号をバ
ンド制限するための第1のバンドパスフィルタと、前記
アナログ電流信号をバンド制限するための第2のバンド
パスフィルタとを含んでもよい。
デジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前記1
次A/Dコンバータと前記デジタル処理ユニットとの間
に配置される第1のメモリデバイスをさらに備えてもよ
い。
信号から第2の複数の周波数をさらに同時にサンプリン
グし、それにより、前記デジタルスペクトル信号は、該
第2の複数の周波数の信号レベルをさらに規定されても
よい。
グ電圧信号と前記アナログ電流信号とを第2の所定のバ
ンド幅にバンド制限するための第2のフィルタリングモ
ジュールであって、該第2の所定のバンド幅は、前記第
2の複数の周波数を含む、第2のフィルタリングモジュ
ールと、該第2のフィルタリングモジュールに結合され
た2次A/Dコンバータであって、該2次A/Dコンバ
ータは、該アナログ電圧信号に基づいて第2のデジタル
電圧信号を生成し、該アナログ電流信号に基づいて第2
のデジタル電流信号を生成し、該第2のデジタル電圧信
号と該第2のデジタル電流信号とが前記デジタル電力信
号をさらに規定する、2次A/Dコンバータとをさらに
含み、該2次A/Dコンバータはデュアルチャネル機能
を有し、それにより、該第2のデジタル電圧信号と該第
2のデジタル電流信号とが同期化されてもよい。
デジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前記2
次A/Dコンバータと前記デジタル処理ユニットとの間
に配置される第2のメモリデバイスをさらに備えてもよ
い。
波数と、該第2の基本周波数に対応する第2の複数の高
調波周波数とを含んでもよい。
複数の周波数および前記第2の複数の周波数において前
記デジタル電力信号を同時に処理するためのブロードバ
ンドプロセッサを含んでもよい。
ドウ関数を前記デジタル電力信号に適用するためのウィ
ンドウモジュールと、前記ウィンドウ化されたデジタル
電力信号に基づいて、離散フーリエ変換(DFT)デー
タを計算するための高速フーリエ変換(FFT)モジュ
ールと、該DFTデータに基づいて、デジタル振幅信号
とデジタル位相信号とを生成するためのデカルト‐極コ
ンバータと、該DFTデータに基づいて、前記デジタル
スペクトル信号を生成するための周波数弁別器とを含ん
でもよい。
アップサンプリングするための周波数補間器と、 該ア
ップサンプリングされたDFTデータに基づいて、前記
デジタルスペクトル信号のスペクトル分解能を増加させ
るための線形補間器フィルタとを含んでもよい。
て、該アナログ信号の減衰を選択的に調整するためのス
イッチングモジュールをさらに備えてもよい。
ブル信号に基づいて、前記スイッチングモジュールを選
択的にディセーブルするためのスイッチコントローラを
さらに備えてもよい。
号とデジタル電流信号とを含み、前記デジタル処理ユニ
ットは、前記第1の複数の周波数において該デジタル電
圧信号を処理するための第1のベースバンドプロセッサ
と、該第1の複数の周波数において該デジタル電流信号
を処理するための第2のベースバンドプロセッサとを含
み、各ベースバンドプロセッサは対応するデジタル電力
信号を有してもよい。
周波数を有するデジタル混合信号を生成するためのデジ
タル周波数シンセサイザと、該デジタル混合信号に基づ
いて対応するデジタル電力信号をダウンコンバートし、
それにより、前記第1の複数の周波数は、該所定の混合
周波数にしたがって減少される、デジタル複合ミキサ
と、該デジタル複合ミキサに結合され、該デジタル電力
信号のデータ品質を落とすデシメーションモジュール
と、該デシメーションモジュールに結合され、該第1の
複数の周波数の基本周波数に基づいて該デジタル電力信
号をバンド制限するローパスフィルタと、該ローパスフ
ィルタに結合され、該デジタル電力信号と所望なサンプ
リングレートとに基づいて、同相信号と直交信号を生成
する、多相補間フィルタと、該多相補間フィルタに結合
され、該同相信号と該直交信号とに基づいてデジタル振
幅信号とデジタル位相信号とを生成するデカルト‐極コ
ンバータと、該デカルト‐極コンバータに結合され、該
デジタル位相信号に基づいて前記デジタルスペクトル信
号を生成する、周波数デシメーションモジュールとを含
んでもよい。
波数と、該第1の基本周波数に対応する第1の複数の高
調波周波数とを含んでもよい。
解析システムのためのサンプリングユニットは、該サン
プリングユニットは、アナログ電圧信号とアナログ電流
信号とを第1の所定のバンド幅にバンド制限する第1の
フィルタリングモジュールであって、該アナログ電圧信
号と該アナログ電流信号とは、第1の複数の周波数を有
し、該第1の所定のバンド幅は該第1の複数の周波数を
含む、第1のフィルタリングモジュールと、該第1のフ
ィルタリングモジュールに結合された1次A/Dコンバ
ータであって、該1次A/Dコンバータは、該アナログ
電圧信号に基づいて第1のデジタル電圧信号を生成し、
該アナログ電流信号に基づいて第1のデジタル電流信号
を生成する、1次A/Dコンバータとを備え、該1次A
/Dコンバータはデュアルチャネル機能を有し、それに
より、該第1のデジタル電圧信号と該第1のデジタル電
流信号とが同期化される。
波数と、該第1の基本周波数に対応する第1の複数の高
調波周波数とを含んでもよい。
ナログ電圧信号をバンド制限するための第1のバンドパ
スフィルタと、前記アナログ電流信号をバンド制限する
ための第2のバンドパスフィルタとを含んでもよい。
デジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前記1
次A/Dコンバータとデジタル処理ユニットとの間に配
置される第1のメモリデバイスをさらに備えてもよい。
信号とを第2の所定のバンド幅にバンド制限するための
第2のフィルタリングモジュールであって、該アナログ
電圧信号と該アナログ電流信号とは、第2の複数の周波
数を有し、該第2の所定のバンド幅は、該第2の複数の
周波数を含む、第2のフィルタリングモジュールと、該
第2のフィルタリングモジュールに結合された2次A/
Dコンバータであって、該2次A/Dコンバータは、該
アナログ電圧信号に基づいて第2のデジタル電圧信号を
生成し、該アナログ電流信号に基づいて第2のデジタル
電流信号を生成する、2次A/Dコンバータとをさらに
備え、該2次A/Dコンバータはデュアルチャネル機能
を有し、それにより、該第2のデジタル電圧信号と該第
2のデジタル電流信号とが同期化されてもよい。
デジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前記2
次A/Dコンバータとデジタル処理ユニットとの間に配
置される第2のメモリデバイスをさらに備えてもよい。
波数と、該第2の基本周波数に対応する第2の複数の高
調波周波数とを含んでもよい。
る無線周波数(RF)電力を解析するための方法であっ
て、複数のアナログ信号から第1の複数の周波数を同時
にサンプリングするステップであって、該アナログ信号
は該チャンバに送達される該RF電力を特徴づける、ス
テップと、該アナログ信号に基づいてデジタル電力信号
を生成するステップと、所定の混合周波数を有するデジ
タル混合信号を生成するステップと、該デジタル混合信
号に基づいて該デジタル電力信号をダウンコンバート
し、それにより、該第1の複数の周波数を該所定の混合
周波数にしたがって減少するステップと、該デジタル電
力信号のデータ品質を落とすステップと、該第1の複数
の周波数の基本周波数に基づいて該デジタル電力信号を
バンド制限するステップと、該デジタル電力信号と所望
なサンプリングレートとに基づいて同相信号と直交信号
とを生成するステップと、該同相信号と該直交信号とに
基づいてデジタル振幅信号とデジタル位相信号とを生成
するステップと、該デジタル位相信号に基づいてデジタ
ルスペクトル信号を生成するステップと、該デジタルス
ペクトル信号は、該第1の複数の周波数の信号レベルを
規定するステップとを包含する。
を同時にサンプリングし、それにより、前記デジタルス
ペクトル信号が、該第2の複数の周波数の信号レベルを
さらに規定するステップをさらに包含してもよい。
無線周波数(RF)プローブ解析システムによって提供
される。(ブロードバンドスペクトル解析モードまたは
ブロードバンドデジタル混合モードのいずれかで動作す
る)プローブ解析システムは、複数のアナログ信号に基
づいたデジタル電力信号を生成するためのサンプリング
ユニットを含む。アナログ信号は、RF電力送達システ
ムからプラズマチャンバに送達される電力を特徴付け
る。プローブ解析システムは、デジタル電力信号に基づ
いたデジタルスペクトル信号を生成するためのデジタル
処理ユニットをさらに備える。サンプリングユニット
は、アナログ信号から第1の複数の周波数(すなわち、
バンド幅)を同時にサンプリングし、それにより、デジ
タルスペクトル信号は、第1の複数の周波数の信号レベ
ルを規定する。したがって、サンプリングユニットはブ
ロードバンドアーキテクチャを有し、プラズマチャンバ
に送達される電力の閉ループ制御のための従来のアプロ
ーチの許容差を改良する。
析システムのサンプリングユニットが提供される。サン
プリングユニットは、第1のフィルタリングモジュール
と、1次アナログ−デジタル(A/D)コンバータとを
有する。第1のフィルタリングモジュールは、第1の所
定のバンド幅にアナログ電圧信号とアナログ電流信号と
をバンド制限する。アナログ電圧信号およびアナログ電
流信号は、第1の複数の周波数を有し、第1の所定のバ
ンド幅は、第1の複数の周波数を含む。1次A/Dコン
バータはフィルタリングモジュールに接続され、アナロ
グ電圧信号に基づいて、第1のデジタル電圧信号を生成
する。1次A/Dコンバータは、また、アナログ電流信
号に基づいた第1のデジタル電流信号を生成する。1次
A/Dコンバータは、デュアル(dual)チャネル機
能を有し、それにより、第1のデジタル電圧信号と第1
のデジタル電流信号とが同期化される。
ンバに送達されるRF電力を解析する方法が提供され
る。第1の複数の周波数は、複数のアナログ信号から同
時にサンプリングされる。アナログ信号は、チャンバに
送達されるRF電力を特徴付ける。方法は、アナログ信
号に基づいてデジタル電力信号を生成し、所定の混合周
波数を有するデジタル混合信号を生成する工程をさらに
提供する。デジタル電力信号はデジタル混合信号に基づ
いてダウンコンバートされ、それにより、第1の複数の
周波数は、所定の混合周波数にしたがって減少される。
方法は、デジタル電力信号のデータの品質を落とす工程
と、第1の複数の周波数の基本周波数に基づいてデジタ
ル電力信号をバンド制限する工程とをさらに提供する。
同相(I)信号および直交(Q)信号は、デジタル電力
信号および所望なサンプリングレートに基づいて生成さ
れる。方法は、I信号およびQ信号に基づいて、デジタ
ル振幅信号およびデジタル位相信号を生成する工程をさ
らに提供する。次いで、デジタルスペクトル信号は、デ
ジタル位相信号に基づいて生成される。したがって、デ
ジタルスペクトル信号は、第1の複数の周波数の信号レ
ベルを規定する。
の両方は、本発明の例示にすぎず、特許請求の範囲に規
定される本発明の本質および特徴を理解するための概要
および骨組を提供すると意図されることが理解されるべ
きである。添付の図面が、本発明のさらなる理解を提供
するために含まれ、本明細書に組みこまれて、その一部
を構成する。図面は、本発明の多様な特徴および実施形
態を図示し、明細書とともに本発明の原理および動作を
説明するのに役立つ。
付の特許請求の範囲を読み、図面を参照することによっ
て明らかになる。
制御システム10は、プローブヘッド12とプローブ解
析システム20とを有する。一般的に、プローブヘッド
12は、電力送達システム(図示せず)によってプラズ
マチャンバ(図示せず)に供給される無線周波数(R
F)電力に基づいて、アナログ電圧信号28およびアナ
ログ電流信号30を生成する。多くのアプローチがプロ
ーブヘッド12に対して提案されているが、ある解決法
は、RF電圧をモニタするための電圧検知板16および
RF電流をモニタするための電流検知板18の使用に関
する。プローブ解析システム20は、閉ループ制御のた
めに電力送達システムによって必要とされるように、デ
ジタルスペクトル信号とデジタル振幅信号とデジタル位
相信号とを生成する。解析システム20によって生成さ
れるべきデジタル信号の選択は用途に依存すると留意す
ることは重要である。したがって、これらの信号の任意
の組み合わせは、本発明の精神および範囲から逸脱する
ことなく生成され得る。
ステム20をより詳細に示す。本発明は、プラズマエッ
チングプロセスについて主に記載されるが、本発明はそ
れに限定されるものではないことに留意されたい。実際
には、アナログ信号に関連する多くの周波数を同時に解
析することが望ましい任意の用途で、本発明の恩恵を受
けることができる。したがって、具体的な実施例は、説
明の目的のみで使用される。それにもかかわらず、本発
明によって提供される特定の利益の多くは、プラズマエ
ッチングに比類なく適している。
バンドサンプリングユニット22およびデジタル信号処
理ユニット24を有することが示され得る。サンプリン
グユニット22は、複数のアナログ信号28、30に基
づいて、デジタル電力信号26を生成する。アナログ信
号28、30は、RF電力送達システム(図示せず)か
らプラズマチャンバ(図示せず)に送達される電力を特
徴付ける。以下により詳細に説明するように、デジタル
処理ユニット24は、デジタル電力信号26に基づいた
デジタルスペクトル信号を生成する。デジタル振幅信号
およびデジタル位相信号もまた生成され得る。サンプリ
ングユニット22は、アナログ信号28、30から第1
の複数の周波数を同時にサンプリングし、それにより、
デジタルスペクトル信号は第1の複数の周波数に対する
信号レベルを規定する。したがって、ブロードバンドア
ーキテクチャにおいて周波数を同時にサンプリングする
ことによって、電力送達の制御の著しい向上が為され得
る。
ログ信号28、30は、アナログ電圧信号28とアナロ
グ電流信号30とを含む。好ましくは、サンプリングユ
ニット22は、第1の所定のバンド幅までアナログ電圧
信号28とアナログ電流信号30とをバンド制限する第
1のフィルタリングモジュール32を含む。第1の所定
のバンド幅は、第1の複数の周波数を含む。したがっ
て、例えば、第1の所定のバンド幅は、2MHzの基本
周波数と、10MHzまでの範囲の基本周波数の高調波
とを含み得る。1次アナログ−デジタル(A/D)コン
バータ34は、フィルタリングモジュール32に接続さ
れる。1次A/Dコンバータ34は、アナログ電圧信号
28に基づいた第1のデジタル電圧信号26a(VLF)
を生成する。1次A/Dコンバータ34は、また、アナ
ログ電流信号30に基づいた第1のデジタル電流信号2
6b(ILF)を生成する。したがって、第1のデジタル
電圧信号26aおよび第1のデジタル電流信号26b
は、デジタル電力信号を規定する。
ネル機能を有し、それにより、第1のデジタル電圧信号
26aおよび第1のデジタル電流信号26bが同期化さ
れることに留意することは重要である。以下に詳細に説
明するように、同期化は、ブロードバンドサンプリング
方式ならびにシステム全体の動作にたいして重要な意味
をもつ。例えば、同期化は、そのモデルから生じる位相
出力および振幅出力の比較を可能にする。図示された1
次A/Dコンバータ34は2つのA/Dコンバータを含
む単一IC内にインプリメントされるが、本発明はそれ
に限定されないことにさらに留意すべきである。例え
ば、別のICパッケージ内の2つの別のA/Dコンバー
タを用いることによって費用削減が為され得る。そのよ
うな場合において、A/Dコンバータは、2つのA/D
コンバータを含む単一ICパッケージをエミュレートと
するように閉結合される(サンプリングを同期化され
る)。
6aと第1デジタル電流信号26bを一時的に記憶する
ために、メモリ記憶素子(例えば、先入れ先出し(FI
FO)40)は、1次A/Dコンバータ34とデジタル
処理ユニット24との間に配置され得ることが理解され
得る。したがって、コンバータ34のサンプリングレー
トがデジタル処理ユニット24の処理レートを超える場
合、コンバータデータは、データをパイプライン化する
ために一時的に記憶され得る。これは、以下に説明する
デジタル処理ユニット24のベースバンド設計にとって
特に有用である。しかし、FIFO40は、コンバータ
34のサンプリングレートがデジタル処理ユニット24
のハードウェア処理クロックレートを超えない場合、必
ずしも必要ではない。
グ電圧信号28をバンド制限するための第1のバンドパ
スフィルタ36と、アナログ電流信号30をバンド制限
するための第2のバンドパスフィルタ38とを含むこと
が好ましい。さらに、プローブ解析システム20は、ア
ナログ信号28、30の信号レベルに基づいて、アナロ
グ信号28、30の減衰を選択的に調整するためのスイ
ッチングモジュール42を含み得る。したがって、スイ
ッチコントローラ44およびRFスイッチは、アナログ
信号の振幅に応じて減衰経路を選択するために、フィル
タリングモジュール32とコンバータ34との間に配置
される。所望ならば、スイッチが減衰経路を選択するこ
とをディセーブルするような信号が供給されることが示
され得る。したがって、スイッチコントローラ44は、
デジタル処理ユニット24からのディセーブル信号に基
づいて、スイッチングモジュール42を選択的にディセ
ーブルする。
部にさらに分割され得ることが理解される。添え字LF
によって示された上記のサンプリング方式は、アーキテ
クチャの基本概念図である。しかし、サンプリングレー
トの1/2より大きい周波数が信号のバンド幅内に存在
する場合、スペクトルの畳み込みが生じる。これは、ア
ンダーサンプリングまたはエイリアシングと一般によば
れている。アンダーサンプリング信号は、1/2サンプ
リングレートまで、DCのデジタル化したバンド幅内で
現れる。アンダーサンプリングプローブ信号によるアプ
ローチは、Keaneに付与された米国特許第5,56
5,737号に記載される。本明細書において、米国特
許第5,565,737号を参考として援用する。基本
周波数のスペクトル畳み込み、または、ある基本周波数
の高調波は、別の基本周波数または基本周波数の高調波
(単数または複数)のバンド幅と一致する場合、第2の
サンプリングモデルが必要である。第2のサンプリング
モデルは、添え字HFによって示される。
は、アナログ信号から第2の複数の周波数をさらに同時
にサンプリングし、それにより、デジタルスペクトル信
号は、第2の複数の周波数の信号レベルをさらに規定す
る。したがって、サンプリングユニット22は、第2の
フィルタリングモジュール46と、2次A/Dコンバー
タ48とを含む。第2のフィルタリングモジュール46
は、アナログ電圧信号28とアナログ電流信号30とを
第2の所定のバンド幅までバンド制限する。第2の所定
のバンド幅は、第2の複数の周波数を含む。第2の所定
のバンド幅は、用途に応じて、第1の所定のバンド幅と
重なってもよいし、重ならなくてもよいことに留意する
ことが重要である。2次A/Dコンバータ48は、アナ
ログ電圧信号28に基づいて第2のデジタル電圧信号5
0aを生成し、アナログ電流信号30に基づいて、第2
のデジタル電流信号50bを生成する。したがって、第
2のデジタル電圧信号50aおよび第2のデジタル電流
信号50bは、信号26aおよび信号26bによって規
定されるデジタル電力信号をさらに規定する。上述した
ように、2次A/Dコンバータ48はデュアルチャネル
機能を有し、それにより、第2のデジタル電圧信号50
aと第2のデジタル電流信号50bとは同期化される。
2のデジタル電圧信号50aと第2のデジタル電流信号
50bとを一時的に記憶するために、2次A/Dコンバ
ータ48とデジタル信号処理ユニット24との間に第2
のメモリデバイス(例えば、FIFO52)をさらに含
むことがさらに理解され得る。
7MHzの基本周波数と、22MHzまでの範囲の基本
周波数の高調波とを含み得る。上述したように、周波数
の範囲は、用途に応じて重なり得る。
ド))ここで、図3〜6に関して、本発明がデジタル処
理ユニットのベースバンドまたはブロードバンド設計の
いずれかを提供することが理解される。具体的には、図
3は、第1のベースバンドプロセッサ54と第2のベー
スバンドプロセッサ56とを有するデジタル処理ユニッ
ト24’を示す。第1のベースバンドプロセッサ54
は、第1の複数の周波数において、デジタル電圧信号2
6aを処理する。第2のベースバンドプロセッサ56
は、第1の複数の周波数において、デジタル電流信号2
6bを処理し、それにより、ベースバンドプロセッサ5
4、56の各々は、対応するデジタル電力信号を有す
る。同様な配置を用いて、第2の複数の周波数における
信号を処理し得ることは重要である。
の混合周波数を有するデジタル混合信号を生成すること
が理解され得る。デジタル混合信号は、示されるような
余弦成分および正弦成分(または、関数)を有する。第
1のベースバンドプロセッサ54において、デジタル複
合ミキサ60は、一般に、デジタル混合信号に基づいた
デジタル電圧信号26a(すなわち、対応するデジタル
電力信号)にダウンコンバートする。したがって、第1
の複数の周波数の中心周波数は、所定の混合周波数にし
たがって減少する。デジタル複合ミキサ60は時間ドメ
インを乗算化し、周波数ドメインにおける和項および差
項の両方を作成することが理解される。この機能を実行
するために、複合ミキサ60は、2つのデジタル乗算器
62、64を含む。乗算器62、64の両方は、サンプ
リングユニットからデータを受け取る。第1の乗算器6
4はシンセサイザ58からデジタル混合信号の正弦成分
を受け取り、第2の乗算器62は余弦成分を受け取る。
波形を表す。デジタル波形は、1)合成された周波数と
A/D波形サンプルによって表される周波数との和、
2)合成された周波数とA/D波形サンプルによって表
される周波数との差を含む。したがって、デジタル複合
ミキサ60の出力における差項は、A/D波形の周波数
変換されたバージョンである。シンセサイザ58の周波
数を調整することによって、入力スペクトルに含まれる
任意の信号の周波数は、より低い周波数またはDCにシ
フトダウンされ得る。DCへの混合、または、オフセッ
ト周波数への混合のいずれかは許容されるが、オフセッ
ト周波数への混合がよりのぞましい。これは、2の補数
およびコンバータの性能に起因して、DC成分が理論的
に存在するからである。したがって、オフセット周波数
への混合は、DC成分との任意の干渉を避ける。さら
に、オフセット周波数への混合は、基本RF周波数(単
数または複数)の高調波を本質的に含む調整可能なバン
ドパスフィルタの使用を可能にする。
モジュール66に供給される。その結果、電圧信号スペ
クトルおよび電流信号スペクトルに含まれる周波数より
低い周波数にシフトすることにより、デシメーションプ
ロセスに従うフィルタステージのためのナイキスト基準
を満たすようなサンプルを必要としない。したがって、
デシメーションモジュール66は、デジタル複合ミキサ
60に結合される。ここで、デシメーションモジュール
66は、デジタル電力信号のデータ品質を落とす。デー
タの品質をデシメーションすることは、処理オーバーヘ
ッドを減らし、マルチレートフィルタを組みこむことに
よってフィルタ性能を向上させる機能を提供する。カス
ケードされた積分器コム(comb)フィルタがデシメ
ーションを得ることが好ましい。
モジュール66の出力の周波数応答を形作るためにデシ
メーションモジュール66に結合される。ローパスフィ
ルタ68は、第1の複数の周波数の基本周波数に基づい
て、デジタル電力信号をバンド制限する。したがって、
このステージは、プログラム可能フィルタを含む。プロ
グラム可能フィルタフィルタの目的は、混合ダウン信号
をバンド制限することである。フィルタのバンド幅は、
プラズマチャンバプロセスにおいて使用されるRF基本
周波数(単数または複数)のバンド幅の範囲(単数また
は複数)に含むまれる。例えば、チャンバプロセスがf
lowからfhighまでの範囲での周波数同調方式を使用す
る場合、ローパスフィルタは、BW=fhigh−flowの
バンド幅を収容する。したがって、ローパスフィルタ6
8のバンド幅は、本実施形態において、少なくともBW
であるように選択される。
合、ローパスフィルタ68の係数は、入力信号周波数の
範囲に応じて選択され得る。例えば、チャンバプロセス
がf’lowからf’highまでの範囲での周波数同調方式
を使用する場合、ローパスフィルタ68は、BW’=
f’high−f’lowのバンド幅を収容する。このバンド
幅はかなり大きく、ベースバンド方式の精度に影響し得
る。この場合、ローパスフィルタ68は、n個のセット
の係数で設計される。n個のセットの係数は、n個の周
波数応答を生成し、BW’を介した隣接フィルタの各々
の遷移領域におけるバンド通過領域および重なりを均等
に分散させる。同調周波数が、ローパスフィルタ68の
バンド幅応答から移動する場合、フィルタ68は、新た
な係数のセットでプログラムされる。その周波数は、ベ
ースバンド方式の周波数出力によってトラッキングされ
る。また、上記周波数同調範囲およびフィルタバンド幅
は、説明の目的のみで使用される。
タ68に結合される。補間フィルタ70は、デジタル電
力信号と所望なサンプリングレートとに基づいて、同相
(I)信号および直交(Q)信号を生成する。したがっ
て、補間フィルタ70は、記号抽出に対して使用され、
係数Kによってデータストリームのサンプリングレート
を変換する。次いで、データは、対象の周波数で再サン
プリングされる。このプロセスは、直接形状FIR構造
の有効なインプリメンテーションとして考えられ得る。
補間フィルタ70のインプリメンテーションは、かなり
平らなパスバンド(リプルはあるかもしれないが)およ
び線形位相応答を有する。線形位相応答は、それぞれI
値およびQ値を導出するのに必要な変換を提供する。
Q信号とに基づいて、デジタル振幅信号とデジタル位相
信号とを生成することがさらに理解され得る。したがっ
て、I値およびQ値は、デカルト座標から極座標まで変
換される。その結果の位相値は、周波数弁別モジュール
74に渡される。周波数弁別モジュールは、信号の周波
数を導出し、デジタル位相信号に基づいてデジタルスペ
クトル信号を生成する。したがって、振幅、位相、周波
数は、RF基本周波数信号と任意の数の倍音に導出され
る。第1の5つの倍音は、一般的に、対象のエネルギー
のほとんどを含むことが考えられている。したがって、
好ましい実施形態は、基本信号および第1の5つの倍音
のそれぞれのサンプリングに関する。
要素は、デジタル電流信号26bに対する機能および目
的と同様であることが理解される。また、デジタル処理
ユニット24’のデジタル形態は、大規模集積回路(L
SI)および/またはプログラム可能デジタル信号処理
(DSP)チップの任意の組み合わせにおいてインプリ
メントされ得る。基本波およびそれぞれの倍音の各々に
対して、IおよびQの多くのチャンネルがあるので、L
SIインプリメンテーションは、並列処理に関連する速
度の利点を実現するために、好ましい。
ド))ここで、図4を参照すると、デジタル処理ユニッ
トは、第1の複数の周波数および第2の複数の周波数に
おけるデジタル電力信号を同時に処理するためのブロー
ドバンドプロセッサ24”を代替的に含み得る。したが
って、図4に示される処理ブロック図は、図2で特定さ
れるコンバータ34、48の対の各々に繰り返される。
本発明は時間ドメインシーケンスを周波数データに変換
する任意のアプローチを限定しないことに留意された
い。したがって、本明細書で記載されるFFTは複数の
周波数に対する振幅および位相を導出する有効性を提供
するが、ウェーブレットおよびハートレイなどの他の変
換が使用され得る。
第1のステップは、ウィンドウ関数を入力データに適用
することが理解され得る。したがって、ウィンドウモジ
ュール76は、ウィンドウ関数をデジタル電力信号に適
用する。ウィンドウ関数は、従来の信号処理技術のアプ
リケーションにおいてよく理解される。一般的なウィン
ドウ関数のいくつかは、矩形、ハミング、ブラックマ
ン、ハニング、最小4項ブラックマンハリス(mini
mum 4 term Blackman−Harri
s)である。ウィンドウ関数の選択は、主に、メインロ
ーブ広がりとサイドローブロールオフとの間のトレード
オフである。最小4項ブラックマンハリスウィンドウ関
数を本明細書で記載するが、(高い処理ゲインに対し
て)ウィンドウ関数の選択は、ユーザ設定可能である。
換(FFT)モジュール78に渡る。FFTモジュール
78は、ウィンドウ化されたデジタル電力信号に基づい
て、離散フーリエ変換(DFT)データを計算する。N
点FFT計算は、大きなバンド幅に対するスペクトル解
析を可能にする結果を提供する。デカルト‐極コンバー
タ80は、DFTデータに基づいて、デジタル振幅信号
およびデジタル位相信号を生成する。具体的には、振幅
および位相は、RF基本(単数または複数)および関連
する倍音に対するそれぞれのビンのエネルギーに対して
計算され得る。N点計算は、また、ユーザ設定可能であ
るが、その設計は少なくとも4096点設定を可能にす
る。4096点は、最適な処理ゲインにとって好まし
い。
にインプリメントされることが理解される。一般に、周
波数弁別器82は、DFTデータに基づいたデジタルス
ペクトル信号を生成する。周波数弁別器82は補間フィ
ルタを含むことが好ましい。図5は、好ましい周波数弁
別器82をより詳細に図示する。Xn[k]はブロード
バンド処理アプローチに対するFFTステージによって
生成されるその結果の離散フーリエ変換を表すことが理
解される。周波数補間器84は、係数MだけDFTデー
タをアップサンプリングする。アップサンプリングされ
た結果(GNM[K])は、デジタルスペクトル信号のス
ペクトル分解能を向上させるために、線形補間器フィル
タ86に供給される。
は、離散フーリエ変換係数の間にあるアップサンプリン
グされたデータ点にわたってフィッティング関数88を
生成することが理解され得る。信号処理技術は、等価な
N M点DFTシーケンスを生成する。これを適用する
ことにより、システムは、N M点DFTが必要となる
さらなる処理オーバーヘッドなしに、N点DFTより限
定された精度までRF基本周波数をトラッキングするこ
とができる。例えば、入力信号のスペクトル応答がある
場合、目標は、fs/Nよりよい精度を有するN点DF
Tから特定の周波数wcを決定することと想定する。fs
はサンプリングレートであり、fs/NはFFT計算の
周波数分解能であることが理解される。周波数弁別器
は、wc−dwとwc+dwのFFT係数の範囲を介して
図5のブロック図を適用することにより、周波数分解能
の増加が可能である。
教示が、多様な形態でインプリメントされ得ることを理
解し得る。したがって、本発明は、その特定の実施例に
関連して記載され得るが、他の改変が、図面、明細書、
特許請求の範囲の理解に基づいて、当業者にとって明ら
かであるので、本発明の真の範囲は、それほど制限され
るべきではない。
ムは、ブロードバンド設計を有する。解析システムは、
複数のアナログ信号に基づいてデジタル電力信号を生成
するためのサンプリングユニットを備える。アナログ信
号は、RF電力送達システムからプラズマチャンバに送
達される電力を特徴付ける。解析システムは、デジタル
電力信号に基づいてデジタルスペクトル信号を生成する
ためのデジタル処理ユニットをさらに備える。サンプリ
ングユニットは、アナログ信号から第1の複数の周波数
を同時にサンプリングし、それにより、デジタルスペク
トル信号は、第1の複数の周波数のための信号レベルを
規定する。サンプリングユニットは、また、アナログ信
号から第2の複数の周波数を同時にサンプリングし得、
それにより、デジタルスペクトル信号は、第2の複数の
周波数に対する信号レベルをさらに規定する。サンプリ
ングユニットのブロードバンドアーキテクチャにより、
チャンバに送達される電力の閉ループ制御を、従来のア
プローチでは達成不可能な許容差まで可能にする。
御システムを示すブロック図である。
ンドサンプリングユニットを示すブロック図である。
ドデジタル処理ユニットを示すブロック図である。
ンドデジタル処理ユニットを示すブロック図である。
器を示すブロック図である。
された精度まで周波数をトラッキングすることを示すプ
ロットである。
構成を示すブロック図である。
Claims (25)
- 【請求項1】 複数のアナログ信号に基づいてデジタル
電力信号を生成するサンプリングユニットであって、該
アナログ信号はRF電力送達システムからプラズマチャ
ンバまで送達される電力を特徴づける、サンプリングユ
ニットと、 該デジタル電力信号に基づいてデジタルスペクトル信号
を生成するためのデジタル処理ユニットとを備え、 該サンプリングユニットは、該アナログ信号から第1の
複数の周波数を同時にサンプリングし、それにより、該
デジタルスペクトル信号が該第1の複数の周波数の信号
レベルを規定する、無線周波数(RF)プローブ解析シ
ステム。 - 【請求項2】 前記アナログ信号は、アナログ電圧信号
とアナログ電流信号とを含み、前記サンプリングユニッ
トは、 該アナログ電圧信号と該アナログ電流信号とを第1の所
定のバンド幅にバンド制限する第1のフィルタリングモ
ジュールであって、該第1の所定のバンド幅は前記第1
の複数の周波数を含む、第1のフィルタリングモジュー
ルと、 該第1のフィルタリングモジュールに結合された1次A
/Dコンバータであって、該1次A/Dコンバータは、
該アナログ電圧信号に基づいて第1のデジタル電圧信号
を生成し、該アナログ電流信号に基づいて第1のデジタ
ル電流信号を生成し、該第1のデジタル電圧信号と前記
第1のデジタル電流信号とが前記デジタル電力信号を規
定する、1次A/Dコンバータとを含み、 該1次A/Dコンバータはデュアルチャネル機能を有
し、それにより、該第1のデジタル電圧信号と該第1の
デジタル電流信号とが同期化される、請求項2に記載の
プローブ解析システム。 - 【請求項3】 前記第1のフィルタリングモジュール
は、 前記アナログ電圧信号をバンド制限するための第1のバ
ンドパスフィルタと、 前記アナログ電流信号をバンド制限するための第2のバ
ンドパスフィルタとを含む、請求項1に記載のプローブ
解析システム。 - 【請求項4】 前記第1のデジタル電圧信号と前記第1
のデジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前記
1次A/Dコンバータと前記デジタル処理ユニットとの
間に配置される第1のメモリデバイスをさらに備える、
請求項2に記載のプローブ解析システム。 - 【請求項5】 前記サンプリングユニットは前記アナロ
グ信号から第2の複数の周波数をさらに同時にサンプリ
ングし、それにより、前記デジタルスペクトル信号は、
該第2の複数の周波数の信号レベルをさらに規定する、
請求項2に記載のプローブ解析システム。 - 【請求項6】 前記サンプリングユニットは、 前記アナログ電圧信号と前記アナログ電流信号とを第2
の所定のバンド幅にバンド制限するための第2のフィル
タリングモジュールであって、該第2の所定のバンド幅
は、前記第2の複数の周波数を含む、第2のフィルタリ
ングモジュールと、 該第2のフィルタリングモジュールに結合された2次A
/Dコンバータであって、該2次A/Dコンバータは、
該アナログ電圧信号に基づいて第2のデジタル電圧信号
を生成し、該アナログ電流信号に基づいて第2のデジタ
ル電流信号を生成し、該第2のデジタル電圧信号と該第
2のデジタル電流信号とが前記デジタル電力信号をさら
に規定する、2次A/Dコンバータとをさらに含み、 該2次A/Dコンバータはデュアルチャネル機能を有
し、それにより、該第2のデジタル電圧信号と該第2の
デジタル電流信号とが同期化される、請求項5に記載の
プローブ解析システム。 - 【請求項7】 前記第2のデジタル電圧信号と前記第2
のデジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前記
2次A/Dコンバータと前記デジタル処理ユニットとの
間に配置される第2のメモリデバイスをさらに備える、
請求項6に記載のプローブ解析システム。 - 【請求項8】 前記第2の複数の周波数は、第2の基本
周波数と、該第2の基本周波数に対応する第2の複数の
高調波周波数とを含む、請求項5に記載のプローブ解析
システム。 - 【請求項9】 前記デジタル処理ユニットは、前記第1
の複数の周波数および前記第2の複数の周波数において
前記デジタル電力信号を同時に処理するためのブロード
バンドプロセッサを含む、請求項5に記載のプローブ解
析システム。 - 【請求項10】 前記ブロードバンドプロセッサは、ウ
ィンドウ関数を前記デジタル電力信号に適用するための
ウィンドウモジュールと、 前記ウィンドウ化されたデジタル電力信号に基づいて、
離散フーリエ変換(DFT)データを計算するための高
速フーリエ変換(FFT)モジュールと、 該DFTデータに基づいて、デジタル振幅信号とデジタ
ル位相信号とを生成するためのデカルト‐極コンバータ
と、 該DFTデータに基づいて、前記デジタルスペクトル信
号を生成するための周波数弁別器とを含む、請求項9に
記載のプローブ解析システム。 - 【請求項11】 前記周波数弁別器は、 前記DFTデータをアップサンプリングするための周波
数補間器と、 該アップサンプリングされたDFTデータに基づいて、
前記デジタルスペクトル信号のスペクトル分解能を増加
させるための線形補間器フィルタとを含む、請求項10
に記載のプローブ解析システム。 - 【請求項12】 前記アナログ信号の信号レベルに基づ
いて、該アナログ信号の減衰を選択的に調整するための
スイッチングモジュールをさらに備える、請求項1に記
載のプローブ解析システム。 - 【請求項13】 前記デジタル処理ユニットからのディ
セーブル信号に基づいて、前記スイッチングモジュール
を選択的にディセーブルするためのスイッチコントロー
ラをさらに備える、請求項12に記載のプローブ解析シ
ステム。 - 【請求項14】 前記デジタル電力信号は、デジタル電
圧信号とデジタル電流信号とを含み、前記デジタル処理
ユニットは、 前記第1の複数の周波数において該デジタル電圧信号を
処理するための第1のベースバンドプロセッサと、 該第1の複数の周波数において該デジタル電流信号を処
理するための第2のベースバンドプロセッサとを含み、 各ベースバンドプロセッサは対応するデジタル電力信号
を有する、請求項1に記載のプローブ解析システム。 - 【請求項15】 各ベースバンドプロセッサは、 所定の混合周波数を有するデジタル混合信号を生成する
ためのデジタル周波数シンセサイザと、 該デジタル混合信号に基づいて対応するデジタル電力信
号をダウンコンバートし、それにより、前記第1の複数
の周波数は、該所定の混合周波数にしたがって減少され
る、デジタル複合ミキサと、 該デジタル複合ミキサに結合され、該デジタル電力信号
のデータ品質を落とすデシメーションモジュールと、 該デシメーションモジュールに結合され、該第1の複数
の周波数の基本周波数に基づいて該デジタル電力信号を
バンド制限するローパスフィルタと、 該ローパスフィルタに結合され、該デジタル電力信号と
所望なサンプリングレートとに基づいて、同相信号と直
交信号を生成する、多相補間フィルタと、 該多相補間フィルタに結合され、該同相信号と該直交信
号とに基づいてデジタル振幅信号とデジタル位相信号と
を生成するデカルト‐極コンバータと、 該デカルト‐極コンバータに結合され、該デジタル位相
信号に基づいて前記デジタルスペクトル信号を生成す
る、周波数デシメーションモジュールとを含む、請求項
14に記載のプローブ解析システム。 - 【請求項16】 前記第1の複数の周波数は、第1の基
本周波数と、該第1の基本周波数に対応する第1の複数
の高調波周波数とを含む、請求項1に記載のプローブ解
析システム。 - 【請求項17】 無線周波数(RF)プローブ解析シス
テムのためのサンプリングユニットであって、該サンプ
リングユニットは、 アナログ電圧信号とアナログ電流信号とを第1の所定の
バンド幅にバンド制限する第1のフィルタリングモジュ
ールであって、該アナログ電圧信号と該アナログ電流信
号とは、第1の複数の周波数を有し、該第1の所定のバ
ンド幅は該第1の複数の周波数を含む、第1のフィルタ
リングモジュールと、 該第1のフィルタリングモジュールに結合された1次A
/Dコンバータであって、該1次A/Dコンバータは、
該アナログ電圧信号に基づいて第1のデジタル電圧信号
を生成し、該アナログ電流信号に基づいて第1のデジタ
ル電流信号を生成する、1次A/Dコンバータとを備
え、 該1次A/Dコンバータはデュアルチャネル機能を有
し、それにより、該第1のデジタル電圧信号と該第1の
デジタル電流信号とが同期化される、サンプリングユニ
ット。 - 【請求項18】 前記第1の複数の周波数は、第1の基
本周波数と、該第1の基本周波数に対応する第1の複数
の高調波周波数とを含む、請求項17に記載のサンプリ
ングユニット。 - 【請求項19】 前記フィルタリングモジュールは、 前記アナログ電圧信号をバンド制限するための第1のバ
ンドパスフィルタと、 前記アナログ電流信号をバンド制限するための第2のバ
ンドパスフィルタとを含む、請求項17に記載のサンプ
リングユニット。 - 【請求項20】 前記第1のデジタル電圧信号と前記第
1のデジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前
記1次A/Dコンバータとデジタル処理ユニットとの間
に配置される第1のメモリデバイスをさらに備える、請
求項17に記載のサンプリングユニット。 - 【請求項21】 前記アナログ電圧信号と前記アナログ
電流信号とを第2の所定のバンド幅にバンド制限するた
めの第2のフィルタリングモジュールであって、該アナ
ログ電圧信号と該アナログ電流信号とは、第2の複数の
周波数を有し、該第2の所定のバンド幅は、該第2の複
数の周波数を含む、第2のフィルタリングモジュール
と、 該第2のフィルタリングモジュールに結合された2次A
/Dコンバータであって、該2次A/Dコンバータは、
該アナログ電圧信号に基づいて第2のデジタル電圧信号
を生成し、該アナログ電流信号に基づいて第2のデジタ
ル電流信号を生成する、2次A/Dコンバータとをさら
に備え、 該2次A/Dコンバータはデュアルチャネル機能を有
し、それにより、該第2のデジタル電圧信号と該第2の
デジタル電流信号とが同期化される、請求項17に記載
のサンプリングユニット。 - 【請求項22】 前記第2のデジタル電圧信号と前記第
2のデジタル電流信号とを一時的に記憶するために、前
記2次A/Dコンバータとデジタル処理ユニットとの間
に配置される第2のメモリデバイスをさらに備える、請
求項21に記載のサンプリングユニット。 - 【請求項23】 前記第2の複数の周波数は、第2の基
本周波数と、該第2の基本周波数に対応する第2の複数
の高調波周波数とを含む、請求項21に記載のサンプリ
ングユニット。 - 【請求項24】 プラズマチャンバに送達される無線周
波数(RF)電力を解析するための方法であって、 複数のアナログ信号から第1の複数の周波数を同時にサ
ンプリングするステップであって、該アナログ信号は該
チャンバに送達される該RF電力を特徴づける、ステッ
プと、 該アナログ信号に基づいてデジタル電力信号を生成する
ステップと、 所定の混合周波数を有するデジタル混合信号を生成する
ステップと、 該デジタル混合信号に基づいて該デジタル電力信号をダ
ウンコンバートし、それにより、該第1の複数の周波数
を該所定の混合周波数にしたがって減少するステップ
と、 該デジタル電力信号のデータ品質を落とすステップと、 該第1の複数の周波数の基本周波数に基づいて該デジタ
ル電力信号をバンド制限するステップと、 該デジタル電力信号と所望なサンプリングレートとに基
づいて同相信号と直交信号とを生成するステップと、 該同相信号と該直交信号とに基づいてデジタル振幅信号
とデジタル位相信号とを生成するステップと、 該デジタル位相信号に基づいてデジタルスペクトル信号
を生成するステップと、 該デジタルスペクトル信号は、該第1の複数の周波数の
信号レベルを規定するステップとを包含する、方法。 - 【請求項25】 前記アナログ信号から第2の複数の周
波数を同時にサンプリングし、それにより、前記デジタ
ルスペクトル信号が、該第2の複数の周波数の信号レベ
ルをさらに規定するステップをさらに包含する、請求項
24に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/811,507 | 2001-03-20 | ||
US09/811,507 US6522121B2 (en) | 2001-03-20 | 2001-03-20 | Broadband design of a probe analysis system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002340944A true JP2002340944A (ja) | 2002-11-27 |
JP4297645B2 JP4297645B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=25206745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002056657A Expired - Lifetime JP4297645B2 (ja) | 2001-03-20 | 2002-03-01 | プローブ解析システムのブロードバンド設計 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6522121B2 (ja) |
EP (1) | EP1244133B1 (ja) |
JP (1) | JP4297645B2 (ja) |
KR (1) | KR20020075213A (ja) |
CN (1) | CN1196936C (ja) |
TW (1) | TW548766B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005241645A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Tektronix Inc | 校正方法及び装置 |
JP2005532668A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-10-27 | イーエヌアイ テクノロジー, インコーポレイテッド | プラズマrf源測定用マルチレート処理 |
JP2006304585A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mks Instr Inc | 高周波発生器の位相および周波数の外部からの制御 |
JP2008508535A (ja) * | 2004-08-03 | 2008-03-21 | ローデ ウント シュワルツ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 高周波信号の位相ジッターを測定する方法、及び該方法を実行する測定装置 |
JP2008541404A (ja) * | 2005-05-19 | 2008-11-20 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 高周波電圧及び電流の測定のための同期式アンダーサンプリング |
CN105785124A (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-20 | 国网技术学院 | 一种采用谱估计和互相关的电力系统谐波和间谐波测量方法 |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6834084B2 (en) * | 2002-05-06 | 2004-12-21 | Rf Micro Devices Inc | Direct digital polar modulator |
US7801244B2 (en) * | 2002-05-16 | 2010-09-21 | Rf Micro Devices, Inc. | Am to AM correction system for polar modulator |
US7991071B2 (en) * | 2002-05-16 | 2011-08-02 | Rf Micro Devices, Inc. | AM to PM correction system for polar modulator |
JP2006510918A (ja) * | 2002-09-23 | 2006-03-30 | ターナー エンタープライジーズ アンド アソシエイツ | プロセス制御のためのトランスデューサパッケージ |
US7314537B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting a plasma |
US7326872B2 (en) * | 2004-04-28 | 2008-02-05 | Applied Materials, Inc. | Multi-frequency dynamic dummy load and method for testing plasma reactor multi-frequency impedance match networks |
US7551686B1 (en) | 2004-06-23 | 2009-06-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Multiple polynomial digital predistortion |
US7529523B1 (en) | 2004-08-23 | 2009-05-05 | Rf Micro Devices, Inc. | N-th order curve fit for power calibration in a mobile terminal |
KR20070098860A (ko) * | 2005-01-11 | 2007-10-05 | 이노베이션 엔지니어링, 엘엘씨 | 로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의복소 임피던스 |
US8102954B2 (en) * | 2005-04-26 | 2012-01-24 | Mks Instruments, Inc. | Frequency interference detection and correction |
US8224265B1 (en) | 2005-06-13 | 2012-07-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for optimizing AM/AM and AM/PM predistortion in a mobile terminal |
US9214909B2 (en) | 2005-07-29 | 2015-12-15 | Mks Instruments, Inc. | High reliability RF generator architecture |
US7877060B1 (en) | 2006-02-06 | 2011-01-25 | Rf Micro Devices, Inc. | Fast calibration of AM/PM pre-distortion |
US7962108B1 (en) | 2006-03-29 | 2011-06-14 | Rf Micro Devices, Inc. | Adaptive AM/PM compensation |
US8467473B2 (en) * | 2006-03-31 | 2013-06-18 | Broadcom Corporation | Power control techniques for wireless transmitters |
DE102006023232B4 (de) * | 2006-05-18 | 2011-04-14 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Plasmaprozessleistungsversorgungssystem mit ereignisgesteuerter Datenspeicherung und Verfahren dazu |
DE102006045794A1 (de) * | 2006-09-26 | 2008-03-27 | Micronas Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum polyphasigen Resampling |
US7689182B1 (en) | 2006-10-12 | 2010-03-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Temperature compensated bias for AM/PM improvement |
US8055203B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-11-08 | Mks Instruments, Inc. | Multipoint voltage and current probe system |
US8009762B1 (en) | 2007-04-17 | 2011-08-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for calibrating a phase distortion compensated polar modulated radio frequency transmitter |
DE102007056468A1 (de) * | 2007-11-22 | 2009-06-04 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Messsignalverarbeitungseinrichtung und Verfahren zur Verarbeitung von zumindest zwei Messsignalen |
US7822565B2 (en) * | 2007-12-31 | 2010-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring characteristics of RF power |
US7970562B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-06-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring power |
US8489042B1 (en) | 2009-10-08 | 2013-07-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Polar feedback linearization |
JP2013511814A (ja) * | 2009-11-19 | 2013-04-04 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムを制御するための方法および装置 |
US8501631B2 (en) * | 2009-11-19 | 2013-08-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing system control based on RF voltage |
US8901935B2 (en) * | 2009-11-19 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for detecting the confinement state of plasma in a plasma processing system |
KR20130055341A (ko) * | 2011-11-18 | 2013-05-28 | 삼성전기주식회사 | 전력량계 시스템의 신호 변환 장치, 전력량계 시스템 및 전력량계 시스템의 신호 변환 방법 |
US9320126B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Determining a value of a variable on an RF transmission model |
US9171699B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-10-27 | Lam Research Corporation | Impedance-based adjustment of power and frequency |
US10325759B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-06-18 | Lam Research Corporation | Multiple control modes |
US9368329B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system |
US9842725B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-12-12 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system |
US10128090B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | RF impedance model based fault detection |
US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
US9114666B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
US9197196B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-11-24 | Lam Research Corporation | State-based adjustment of power and frequency |
US9502216B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system |
US9462672B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Adjustment of power and frequency based on three or more states |
US9390893B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-07-12 | Lam Research Corporation | Sub-pulsing during a state |
US9295148B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Computation of statistics for statistical data decimation |
EP2877864B1 (en) | 2012-07-25 | 2017-01-04 | Impedans Ltd | Analysing rf signals from a plasma system |
US9408288B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
CN104871430B (zh) | 2012-12-18 | 2018-01-12 | 通快许廷格两合公司 | 用于产生高频功率的方法和具有用于给负载供送功率的功率转换器的功率供送系统 |
DE202013012714U1 (de) | 2012-12-18 | 2018-10-15 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Leistungsversorgungssystem mit einem Leistungswandler |
US9779196B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Segmenting a model within a plasma system |
US9620337B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Determining a malfunctioning device in a plasma system |
US9107284B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Chamber matching using voltage control mode |
US9119283B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Chamber matching for power control mode |
US10821542B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-11-03 | Mks Instruments, Inc. | Pulse synchronization by monitoring power in another frequency band |
US9502221B2 (en) | 2013-07-26 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching |
US9594105B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-03-14 | Lam Research Corporation | Cable power loss determination for virtual metrology |
US10950421B2 (en) | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Lam Research Corporation | Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system |
US9536749B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
CN106254051B (zh) * | 2016-08-09 | 2019-04-23 | 南方科技大学 | 控制方法及控制装置 |
CN116404941B (zh) * | 2023-06-08 | 2024-02-13 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种电机控制方法、装置和可读存储介质 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4584716A (en) * | 1984-11-13 | 1986-04-22 | Honeywell Inc. | Automatic dual diversity receiver |
US5313642A (en) | 1990-10-03 | 1994-05-17 | Seagull Scientific Systems, Inc. | Power interface for peripheral devices |
US5770992A (en) | 1994-06-07 | 1998-06-23 | Pearson Electronics, Inc. | Transformer with overshoot compensation coil |
US5576629A (en) * | 1994-10-24 | 1996-11-19 | Fourth State Technology, Inc. | Plasma monitoring and control method and system |
US5565737A (en) | 1995-06-07 | 1996-10-15 | Eni - A Division Of Astec America, Inc. | Aliasing sampler for plasma probe detection |
US5808415A (en) | 1997-03-19 | 1998-09-15 | Scientific Systems Research Limited | Apparatus for sensing RF current delivered to a plasma with two inductive loops |
GB2338853B (en) * | 1998-06-18 | 2002-11-06 | Ericsson Telefon Ab L M | Radio receiver |
-
2001
- 2001-03-20 US US09/811,507 patent/US6522121B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-16 CN CNB021018766A patent/CN1196936C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-21 KR KR1020020003329A patent/KR20020075213A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-01 JP JP2002056657A patent/JP4297645B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-07 EP EP02005101.7A patent/EP1244133B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-19 TW TW091105128A patent/TW548766B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005532668A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-10-27 | イーエヌアイ テクノロジー, インコーポレイテッド | プラズマrf源測定用マルチレート処理 |
JP2010212252A (ja) * | 2002-07-10 | 2010-09-24 | Mks Instruments Inc | プラズマrf源測定用マルチレート処理 |
JP2005241645A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Tektronix Inc | 校正方法及び装置 |
JP2008508535A (ja) * | 2004-08-03 | 2008-03-21 | ローデ ウント シュワルツ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 高周波信号の位相ジッターを測定する方法、及び該方法を実行する測定装置 |
JP2006304585A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mks Instr Inc | 高周波発生器の位相および周波数の外部からの制御 |
JP2008541404A (ja) * | 2005-05-19 | 2008-11-20 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 高周波電圧及び電流の測定のための同期式アンダーサンプリング |
CN105785124A (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-20 | 国网技术学院 | 一种采用谱估计和互相关的电力系统谐波和间谐波测量方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW548766B (en) | 2003-08-21 |
EP1244133B1 (en) | 2017-08-23 |
CN1196936C (zh) | 2005-04-13 |
CN1376927A (zh) | 2002-10-30 |
US6522121B2 (en) | 2003-02-18 |
KR20020075213A (ko) | 2002-10-04 |
JP4297645B2 (ja) | 2009-07-15 |
US20020135378A1 (en) | 2002-09-26 |
EP1244133A2 (en) | 2002-09-25 |
EP1244133A3 (en) | 2006-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4297645B2 (ja) | プローブ解析システムのブロードバンド設計 | |
EP1520288B1 (en) | Multirate processing for metrology of plasma rf source | |
US8102954B2 (en) | Frequency interference detection and correction | |
US8917125B1 (en) | Interleaving analog-to-digital converter (ADC) with background calibration | |
Liaw et al. | Analysis, design, and implementation of a random frequency PWM inverter | |
JP5085105B2 (ja) | シグナル・アナライザ | |
KR102661141B1 (ko) | 대응하는 로크-인 (lock-in) 증폭기들을 갖는 RF 센서들을 포함하는, 기판 프로세싱 장치를 위한 RF 계측 시스템 | |
JP2006504100A (ja) | 高帯域幅リアルタイムオシロスコープ | |
JP6656825B2 (ja) | 試験測定装置及びノイズ低減方法 | |
US6915224B2 (en) | Method for optimum spectrum analysis | |
EP2877864B1 (en) | Analysing rf signals from a plasma system | |
US20050222788A1 (en) | Method and device for increasing the dynamic range and measuring accuracy of a measuring device for spectrum and/or network analysis | |
US9231522B2 (en) | Generation of band-limited noise with tunable crest factor | |
US7209936B2 (en) | Frequency locked digitally tuned oscillator synthesizer | |
WO2013108590A1 (ja) | 直交変換誤差補正装置 | |
JP4416273B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
Gude et al. | Performance enhancement of pre-filtered multiple delayed signal cancellation based PLL | |
JPH10126217A (ja) | デシメーションフィルタ | |
JP2000151731A (ja) | 広帯域iqスプリッタ装置及びその校正方法 | |
JP2002340946A (ja) | 周波数分析装置 | |
JP2004072640A (ja) | A/d変換装置 | |
JPH02303212A (ja) | 白色ノイズの発生方法,フィルタ及び濾波方法 | |
KR20020067136A (ko) | 무선단말기용 주파수 합성기 | |
JPH03240317A (ja) | ディジタルpll回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080317 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080730 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081029 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081127 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090318 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4297645 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |