JP2002340692A

JP2002340692A - 温度センサ

Info

Publication number: JP2002340692A
Application number: JP2002000489A
Authority: JP
Inventors: Susumu Shibayama; 進芝山
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2002-01-07
Publication date: 2002-11-27
Anticipated expiration: 2022-01-07
Also published as: DE10211029A1; JP3757867B2; DE10211029B4

Abstract

(57)【要約】【課題】円盤状のサーミスタ素子を金属カバーに収納
してなる温度センサにおいて、サーミスタ素子と金属カ
バーとの接触による信号変動を抑制する。【解決手段】筒状の金属カバー１０の一端側には円盤
状のサーミスタ素子２０が収納され、このサーミスタ素
子２０からはサーミスタ信号取り出し用の電極線３１、
３２が、金属カバー１０の他端側へ引き出されており、
金属カバー１０とサーミスタ素子２０との間には、当該
間の電気絶縁性を確保するための絶縁部材としての碍子
管５０が介在している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、筒状の金属カバー
内に円盤状のサーミスタ素子を収納してなる温度センサ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の温度センサの一般的な構造を図
１４及び図１５に示す。図１４は、全体構成を示す断面
図、図１５は、図１４中のＡ部を、矢印Ｂ方向から視た
ときの拡大断面図である。

【０００３】信号取り出し用のシースピン４０には、有
底筒状の金属カバー１０が被せられており、この金属カ
バー１０の底部側には、直径が厚さよりも大なる円盤状
のサーミスタ素子（ディスクタイプのサーミスタ素子）
２０が収納されている。通常、サーミスタ素子２０は、
その両円形面２１が金属カバー１０の軸方向に沿うよう
に配置されている。

【０００４】サーミスタ素子２０には、サーミスタ信号
取り出し用の一対の電極線３１、３２が埋設されてい
る。各々の電極線３１、３２は、互いに金属カバー１０
の軸方向に略平行に間隔を開けて配置され、金属カバー
１０の開口部側へ向かってサーミスタ素子２０から引き
出されている。

【０００５】一方、金属カバー１０の開口部側において
は、シースピン４０の一対の信号線４１、４２が、互い
に金属カバー１０の軸方向に略平行に間隔を開けて配置
されている。そして、引き出された一対の電極線３１、
３２は、それぞれシースピン４０の一対の信号線４１、
４２の一端側に溶接により接続されている。さらに、シ
ースピン４０の信号線４１、４２の他端側は、それぞれ
外部と接続するためのリード線６０に接続されている。

【０００６】この温度センサは、サーミスタ素子２０が
収納された金属カバー１０の部分（感温部）を測定環境
下にさらした状態で、シースピン４０の外側に配設され
た取付部材８０を介して、被測定部材（図示せず）に取
り付けられる。そして、サーミスタ素子２０を介した一
対の電極線３１、３２間の抵抗値変化に基づく電気信号
がサーミスタ信号として、シースピン４０の芯線４１、
４２、リード線６０を介して外部へ出力されるようにな
っている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に、サーミスタ素子２０を金属カバー１０内に収納する
場合、温度検出における応答性を向上させるために、金
属カバー１０とサーミスタ素子２０との間隔を極力狭く
する（例えば０．数ｍｍ）必要がある。この場合、ディ
スクタイプのサーミスタ素子２０においては、形状的に
円周側面２２の局所が、大幅に金属カバー１０に近づく
配置となる。

【０００８】そのため、センサに外部振動等の外力が加
わると、サーミスタ素子２０と金属カバー１０とが接触
しやすい。このような接触が起こると、サーミスタ素子
２０と金属カバー１０との間が導通することにより、サ
ーミスタ素子２０からの信号に変動が発生するため、好
ましくない。

【０００９】そこで、本発明は上記問題に鑑み、円盤状
のサーミスタ素子を金属カバーに収納してなる温度セン
サにおいて、サーミスタ素子と金属カバーとの接触によ
る信号変動を抑制することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、筒状の金属カバー（１
０）と、この金属カバーの一端側に収納された円盤状の
サーミスタ素子（２０）と、このサーミスタ素子から金
属カバーの他端側へ引き出されたサーミスタ信号取り出
し用の電極線（３１、３２）とを備える温度センサにお
いて、金属カバーとサーミスタ素子との間に、当該間の
電気絶縁性を確保するための絶縁部材（５０、５１）を
介在させたことを特徴としている。

【００１１】それによれば、金属カバーとサーミスタ素
子との間に、当該間の電気絶縁性を確保するための絶縁
部材が介在設定されているため、サーミスタ素子と金属
カバーとの接触は、絶縁部材を介したものとなる。よっ
て、本発明によれば、サーミスタ素子と金属カバーとの
接触による導通を防止することができ、信号変動を抑制
することができる。

【００１２】ここで、絶縁部材としては、金属カバー
（１０）内にてサーミスタ素子（２０）を収納する碍子
管（５０）を採用したり（請求項２の発明）、サーミス
タ素子（２０）の円周側面のうち少なくとも金属カバー
（１０）の内面と最短距離にある部位に形成された電気
絶縁性の皮膜（５１）を採用したり（請求項３の発明）
することができる。

【００１３】絶縁部材として上記皮膜（５１）を採用す
る場合、その皮膜を、サーミスタ素子（２０）の円周側
面の全周に形成すれば、より確実に、サーミスタ素子と
金属カバーとの接触による導通を抑制することができ、
好ましい。また、そのような皮膜（５１）としては、電
気絶縁性のセラミックよりなるものを採用することがで
きる。

【００１４】また、サーミスタ信号取り出し用の電極線
は、通常、サーミスタ素子に埋設成形され高温（例えば
１３００℃〜１６００℃程度）で焼成（焼きばめ）され
ることにより、サーミスタ素子に接続されている。ここ
において、電極線は、従来は白金材が用いられている
が、本発明者の検討によれば、上記焼成により白金材の
結晶粒が粗大化し、外部振動によってその粗大化した結
晶の粒界でズレが誘発されるため、電極線の強度が低下
する恐れがあることがわかった。

【００１５】電極線の強度が低下すると、外部振動等に
よりサーミスタ素子が大きく変位しやすくなる。そこ
で、本発明者は、電極線として用いる白金材を、高温に
晒しても結晶粒が粗大化しないような構造とし、電極線
の強度を高めることにより、外部振動によるサーミスタ
素子の変位を抑制すれば、結果的に、サーミスタ素子と
金属カバーとの接触を抑制できると考えた。

【００１６】請求項６〜請求項１４に記載の発明は、そ
のような考えに基づいて、より強度の高い電極線材料を
見出すべく鋭意検討を行った結果、なされたものであ
る。

【００１７】すなわち、請求項６に記載の発明では、筒
状の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に
収納された円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサ
ーミスタ素子から金属カバーの他端側へ引き出されたサ
ーミスタ信号取り出し用の電極線（３１、３２）とを備
える温度センサにおいて、電極線を、白金又は白金合金
を主成分とする分散強化材からなるものとしたことを特
徴としている。

【００１８】それによれば、電極線において、高温に晒
しても結晶粒の粗大化が抑制されるため、従来に比べて
電極線の強度を高めることができ、外部振動によるサー
ミスタ素子の変位を抑制することができる。よって、本
発明によっても、サーミスタ素子と金属カバーとの接触
による信号変動を抑制することができる。

【００１９】ここで、分散強化材は、線径方向における
結晶の粒径が線径よりも小さいものであること（請求項
７の発明）が好ましく、より望ましくは、分散強化材の
結晶粒径が線径の１／２以下であること（請求項８の発
明）が好ましい。

【００２０】また、請求項９に記載の発明のように、分
散強化材は、白金又は白金合金を１００として金属酸化
物が０．０２重量％以上添加されたものであることが好
ましい。これは、金属酸化物が白金や白金合金の粒子の
粗大化を抑制する機能を有するのであるが、該金属酸化
物が０．０２重量％より小であると、白金や白金合金の
粒子の粗大化を十分に抑制することができないためであ
る。

【００２１】さらに、金属酸化物は、白金又は白金合金
を１００として２重量％以下添加されていること（請求
項１０の発明）が好ましい。これは、金属酸化物が２重
量％より大であると、電極線の線引き加工性が著しく悪
化及び電極線自体の抵抗が大きくなってしまい、サーミ
スタ素子の抵抗変化を十分検出することが困難になるた
めである。

【００２２】ここで、上記金属酸化物としては、ジルコ
ニア、イットリア、アルミナ、チタニアから選択された
少なくとも一種を用いること（請求項１１の発明）がで
き、上記白金合金としては、白金に対して、ロジウム、
金、タングステン、パラジウムから選択された少なくと
も一種が含有されたものを用いること（請求項１２の発
明）ができる。

【００２３】また、請求項１３に記載の発明では、筒状
の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収
納された円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサー
ミスタ素子から金属カバーの他端側へ引き出されたサー
ミスタ信号取り出し用の電極線（３１、３２）とを備え
る温度センサにおいて、電極線を、白金とイリジウムと
の合金線材からなるものとしたことを特徴としている。

【００２４】本発明のような電極線材料を用いることに
よっても、電極線自体を振動に対して強固なものにで
き、外部振動によるサーミスタ素子の変位を抑制するこ
とができるため、サーミスタ素子と金属カバーとの接触
による導通を抑制することができる。

【００２５】ここで、この白金とイリジウムとの合金線
材は、その合金組成として、線引き、減径、切断等の加
工性を考慮すれば、イリジウムが１〜６０重量％添加さ
れ、残部白金であるものを用いること（請求項１４の発
明）が好ましい。

【００２６】また、上記図１４及び図１５に示した様
に、従来の温度センサでは、円盤状のサーミスタ素子２
０から引き出された一対の電極線３１、３２を、一対の
信号線４２、４２に接続する構成において、一対の電極
線３１、３２の両方を、一対の信号線４１、４２に対し
て同一方向から重ね合わせ、この重なり部Ｋ１、Ｋ２を
溶接している。

【００２７】このような電極線と信号線との接続構成で
は、外部振動等の外力が、片方の重なり部分で電極線と
信号線とが離れる方向に加わると、他方の重なり部分で
も両線が同様に離れる方向に加わるため、接合信頼性が
低い。そのため、上記両線の溶接部が強度的に弱くな
り、外部振動等によりサーミスタ素子が大きく変位しや
すい。

【００２８】請求項１５に記載の発明は、円盤状のサー
ミスタ素子を金属カバーに収納してなる温度センサにお
いて、一対の電極線と一対の信号線との接続構成に工夫
を施したものである。

【００２９】すなわち、請求項１５に記載の発明におい
ては、一対の電極線（３１、３２）と一対の信号線（４
１、４２）とが、金属カバー（１０）の軸方向からみた
とき、各電極線を結ぶ対角線（Ｔ１）と各信号線を結ぶ
対角線（Ｔ２）とが交差するように重なり合って接合さ
れていることを特徴としている。

【００３０】それによれば、電極線および信号線を上記
両対角線が交差するように重なり合って接合しているか
ら、振動等の外力が、片方の重なり部分（Ｋ１）で電極
線（３１）と信号線（４１）とが離れる方向に加わって
も、他方の重なり部分（Ｋ２）では両線（３２、４２）
は互いに引っつき合うように作用し、接合信頼性が確保
される。

【００３１】そのため、本発明によれば、一対の電極線
と一対の信号線との溶接部を、従来に比べて外力に対し
て強度的に強くすることができ、外部振動等によるサー
ミスタ素子の変位を抑制することができる。よって、本
発明によっても、サーミスタ素子と金属カバーとの接触
による信号変動を抑制することができる。

【００３２】また、上記した請求項１〜請求項１５の温
度センサにおいては、請求項１６に記載の発明のよう
に、電極線（３１、３２）がサーミスタ素子（２０）の
円周側面に接合されているものであってもよい。この場
合、電極線が金属カバーに最も近接した配置となるた
め、電極線の金属カバーへの電流の漏れを防止するため
に、電極線と金属カバー（１０）とが隙間を介して非接
触の状態にあることが好ましい。

【００３３】また、請求項１７に記載の発明では、筒状
の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収
納されその両円形面が前記金属カバーの軸方向に沿うよ
うに配置された円盤状のサーミスタ素子（２０）と、互
いに金属カバーの軸方向に略平行に間隔を開けて配置さ
れた状態でサーミスタ素子に埋設され、サーミスタ素子
から金属カバーの他端側へ引き出されたサーミスタ信号
取り出し用の一対の電極線（３１、３２）とを備える温
度センサにおいて、サーミスタ素子の１つの円形面にお
ける金属カバーの軸と直交する直径方向に位置する両エ
ッジ部のうち、一方の電極線側のエッジ部（２１ａ）と
当該一方の電極線との距離をａ１とし、他方の電極線側
のエッジ部（２１ｂ）と当該他方の電極線との距離をａ
２とし、一対の電極線間の距離をｃとしたとき、サーミ
スタ素子の両円形面に対して、距離ａ１と距離ａ２との
和（ａ１＋ａ２）が距離ｃよりも大きくなるような寸法
関係が満足されていることを特徴としている。

【００３４】本発明のような温度センサにおいては、サ
ーミスタ素子のうち両円形面におけるエッジ部が、最も
金属カバーに近く接触しやすい部位である。ここで、本
発明によれば、上記した（ａ１＋ａ２）＞ｃの関係を満
足させることにより、各エッジ部と各電極線との間の電
気抵抗を、両電極線間の電気抵抗よりも大きくすること
ができる。

【００３５】そのため、もし、上記エッジ部にてサーミ
スタ素子と金属カバーとが接触したとしても、各電極線
からエッジ部を介して金属カバーへ電流が流れるのを抑
制し、一対の電極線間の方にて電流が流れやすくでき
る。従って、本発明によれば、サーミスタ素子と金属カ
バーとの接触による金属カバーへの電流の漏れを極力抑
えることができるため、信号変動を抑制することができ
る。

【００３６】また、請求項１８に記載の発明では、筒状
の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収
納された円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサー
ミスタ素子から金属カバーの他端側へ引き出されたサー
ミスタ信号取り出し用の電極線（３１、３２）とを備え
る温度センサにおいて、サーミスタ素子の円周側面を、
凸面形状または凹面形状としたことを特徴としている。

【００３７】それによれば、もし、サーミスタ素子の円
周側面が金属カバーに接触しても、その接触部の面積を
小さくすることができるため、サーミスタ素子と金属カ
バーとの接触による信号変動を抑制することができる。

【００３８】また、上記各手段におけるサーミスタ素子
（２０）は、その直径Ｗと厚さｔとの比Ｗ／ｔが１より
も大きく１．５以下となっているものであることが好ま
しい。上記比Ｗ／ｔがこの範囲にあるとき、サーミスタ
素子は、限られた空間の中で効率よく素子体積を大きく
できるものになり、応答性向上等のためには好ましい。

【００３９】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。なお、以下に示す各実施形態におい
て、上記図１４、図１５と同一の部分、および各実施形
態相互にて同一の部分には、図中、同一符号を付してあ
る。

【００４１】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実
施形態に係る温度センサＳ１の全体構成を示す図であ
り、図２は、図１中のＣ部を矢印Ｄ方向から視たときの
拡大断面図である。本センサＳ１は、例えば自動車の排
気系統に取り付けられ、排気温センサとして使用可能で
ある。

【００４２】１０は、ステンレス等の耐熱性に優れた金
属よりなる金属カバーであり、本例では、一端側に底部
を有し、他端側に開口部を有する有底円筒状をなしてい
る。金属カバー１０の一端側（底部側）の内部には、２
個の円形面２１及び円周側面２２を有し、その直径が厚
さよりも大なる円盤状のサーミスタ素子２０が収納され
ている。

【００４３】サーミスタ素子２０は、その両円形面２１
が金属カバーの軸方向に沿うように配置されている。本
例では、サーミスタ素子２０は、高温（例えば１０００
℃以上）での使用に耐えうるものであり、Ｃｒ−Ｍｎを
主成分とする半導体材料（サーミスタ材料）等よりなる
焼結成形体である。

【００４４】このサーミスタ素子２０には、サーミスタ
信号（抵抗（Ｒ）−温度（Ｔ）特性を用いた出力信号）
を取り出すための白金等よりなる一対の電極線３１、３
２が、接続されている。

【００４５】各電極線３１、３２は、互いに金属カバー
１０の軸方向に略平行に間隔を開けて配置された状態で
サーミスタ素子２０に埋設成形され、高温（例えば１３
００℃〜１６００℃程度）で焼成（焼きばめ）されるこ
とにより、サーミスタ素子２０に接続されている。そし
て、各電極線３１、３２は、サーミスタ素子２０から金
属カバー１０の他端側（開口部側）へ引き出されてい
る。

【００４６】また、金属カバー１０の他端側（開口部
側）には、電極線３１、３２からのサーミスタ信号を外
部に取り出すための配線部材としてのシースピン４０
が、その一端側を金属カバー１０の開口部から挿入する
ことにより、配置されている。

【００４７】このシースピン４０は、ステンレス等の金
属よりなる一対の芯線（本発明でいう一対の信号線）４
１、４２を、ステンレス等の金属よりなる外筒４３内に
収納し、芯線４１、４２と外筒４３との間にマグネシア
等の絶縁粉末を充填してなるものである。

【００４８】ここで、シースピン４０と金属カバー１０
とは、金属カバー１０の他端側をシースピン４０の外筒
４３に対して、かしめを行い、そのかしめ部を全周溶接
することにより、接合固定されている。これにより、金
属カバー１０の内部は外部環境にさらされないようにな
っている。

【００４９】そして、シースピン４０の一端側（金属カ
バー１０への挿入端側）では、外筒４３から一対の芯線
４１、４２が突出しており、突出した一対の芯線４１、
４２は、金属カバー１０の他端側にて互いに金属カバー
１０の軸方向に略平行に間隔を開けて配置されている。

【００５０】さらに、一対の芯線４１、４２の突出先端
側と一対の電極線３１、３２の引き出し側とは、抵抗溶
接やレーザ溶接等により接合され、電気的に接続されて
いる。本例では、両線３１、３２、４１、４２は、一対
の電極線３１、３２の両方を、各芯線４１、４２に対し
て同一方向から重ね合わせ、この重なり部Ｋ１、Ｋ２
（図２参照）を溶接している。

【００５１】ここにおいて、本実施形態では、金属カバ
ー１０の内部にて、金属カバー１０とサーミスタ素子２
０との間に、当該間の電気絶縁性を確保するための絶縁
部材としての碍子管５０を介在させた構成としている。
この碍子管５０は、アルミナ等の電気絶縁性セラミック
等よりなり、サーミスタ素子２０を収納する円筒状のも
のである。

【００５２】この碍子管５０は、シースピン４０と一体
化されたサーミスタ素子２０を金属カバー１０へ組み付
けるときに、予め金属カバー１０内へ挿入配置させてお
くか、サーミスタ素子２０を収納した状態で金属カバー
１０内へ挿入する等により、組み付け可能である。

【００５３】また、シースピン４０の他端側には、一対
の芯線４１、４２が突出しており、各芯線４１、４２
は、それぞれ外部と接続するためのリード線６０に電気
的に接続されている。このリード線６０は図示しない外
部回路と電気的に接続されるもので、このリード線６０
を介して、温度センサＳ１と上記外部回路とが、信号の
やり取りが可能なように連絡される。

【００５４】各リード線６０とシースピン４０の各芯線
４１、４２とは、接続端子６２を介して電気的に接続さ
れている。例えば、各芯線４１、４２と接続端子６２と
は溶接により接合され、各リード線６０と接続端子６２
とは、接続端子６２のかしめにより接合される。

【００５５】また、シースピン４０のうち金属カバー１
０への挿入部以外の部位は、ステンレス等の金属よりな
る段付円筒状の保護チューブ７０の内部に収納され、こ
の保護チューブ７０に被覆されている。ここで、保護チ
ューブ７０は、シースピン４０の外筒４３と、かしめや
溶接等により接合されている。

【００５６】また、リード線６０とシースピン４０の芯
線４１、４２との接合部は、ステンレス等の金属チュー
ブ６４にて被覆保護されている。この金属チューブ６４
は、リード線６０側においては、リード線６０の周囲に
設けられたゴム等よりなるブッシュ６６を介して、リー
ド線６０に、かしめ固定されると共に、シースピン４０
側においては、保護チューブ７０に挿入され、かしめや
溶接により固定されている。

【００５７】さらに、保護チューブ７０の外側には、取
付部材８０が嵌合されている。本例では、この取付部材
８０は、外周面にネジ部８１およびナット部８２を有す
るものであり、被測定部材（自動車の排気管等）に形成
された取付穴にネジ結合されるものである。取付部材８
０は、保護チューブ７０回りに回転可能となっている。

【００５８】この温度センサＳ１は、例えば、次のよう
にして組み付けることができる。なお、各部の接続や取
付は、各部に応じて上記したかしめ、溶接等を用いて行
うことができる。

【００５９】シースピン４０の外周に、保護チューブ７
０及び取付部材８０を取り付けるとともに、シースピン
４０とリード線６０とを、接続端子６２を介して接続
し、当該接続部の外側にブッシュ６６とともに金属チュ
ーブ６４を取り付ける。一方、サーミスタ素子２０と一
体化した電極線３１、３２を、シースピン４０の芯線４
１、４２と接続する。

【００６０】そして、サーミスタ素子２０の周囲に碍子
管５０を組み付けるとともに、サーミスタ素子２０及び
碍子管５０を、金属カバー１０の内部へ挿入し、金属カ
バー１０とシースピン４０とを接合する。こうして、図
１に示す温度センサＳ１が出来上がる。

【００６１】なお、温度センサＳ１は、例えば、上記し
た自動車の排気管の取付穴（図示せず）に金属カバー１
０側を先端にして挿入され、保護チューブ７０のテーパ
部７１と当該取付穴とが当たって位置決めが行われると
ともに、取付部材８０を介して当該取付穴へネジ結合さ
れることにより、上記排気管に脱着可能に取り付けられ
る。

【００６２】そして、上記排気管内に突出する金属カバ
ー１０に測定流体（排気ガス等）が当たると、その測定
流体の温度に応じた信号が、サーミスタ素子２０を介し
た一対の電極線３１、３２間の抵抗値変化に基づく電気
信号として発生する。この電気信号は、サーミスタ信号
として、シースピン４０の芯線４１、４２、リード線６
０を介して外部へ出力されるようになっている。

【００６３】ところで、本実施形態によれば、金属カバ
ー１０とサーミスタ素子２０との間に、当該間の電気絶
縁性を確保するための絶縁部材としての碍子管５０が介
在設定されているため、外部振動等によるサーミスタ素
子２０と金属カバー１０との接触は、碍子管５０を介し
たものとなる。そのため、サーミスタ素子２０と金属カ
バー１０との接触による導通を防止することができ、信
号変動を抑制することができる。

【００６４】また、本実施形態において、金属カバー１
０とサーミスタ素子２０との間に介在させる絶縁部材と
しては、上記碍子管５０以外にも、サーミスタ素子２０
の円周側面２２のうち少なくとも金属カバー１０の内面
と最短距離にある部位に形成された電気絶縁性の皮膜５
１を採用しても良い。その皮膜５１を採用した場合を図
３に示す。

【００６５】図３（ａ）では、サーミスタ素子２０の円
周側面２２のうち金属カバー１０の内面と最短距離にあ
る部位にのみ皮膜５１を形成している。この皮膜５１が
形成されたサーミスタ素子２０の部位は、金属カバー１
０と接触する可能性がある部位であり、それによって
も、サーミスタ素子２０と金属カバー１０との接触によ
る導通を防止することができ、信号変動を抑制すること
ができる。

【００６６】また、図３（ｂ）に示す様に、皮膜５１
を、サーミスタ素子２０の円周側面２２の全周に形成す
れば、より確実に、サーミスタ素子２０と金属カバー１
０との接触による導通を抑制することができ、好まし
い。

【００６７】このような皮膜５１としては、電気絶縁性
のセラミックよりなるものを採用することができる。例
えば、アルミナやイットリア等を溶液化したものをサー
ミスタ素子２０に塗布し、焼成することで皮膜５１を形
成することができる。皮膜５１の膜厚としては、電気絶
縁性を確保するために、例えば１μｍ以上とする。

【００６８】（第２実施形態）本発明の第２実施形態に
ついて、主として上記第１実施形態と相違するところに
ついて述べる。図４は、本実施形態に係る温度センサＳ
１の要部を上記図２に対応した視点にて示す図である。
図４に示す例では、第１実施形態に述べた絶縁部材５
０、５１を設けていない。

【００６９】本実施形態は、電極線３１、３２の強度を
高め、外部振動によるサーミスタ素子２０の変位を抑制
することにより、サーミスタ素子２０と金属カバー１０
との接触を抑制するものである。そのために、本実施形
態では、上記電極線３１、３２の材料に工夫を施してい
る。

【００７０】すなわち、本実施形態においては、各電極
線３１、３２として、高温に晒されても結晶安定性のあ
る白金又は白金合金を主成分とする分散強化材を用いて
いる。そのため、高周波振動が加わっても粒界破断に至
ることがなく、通常の白金線に比べて電極線３１、３２
の強度を高めることができる。

【００７１】その結果、上記第１実施形態にて示した絶
縁部材５０、５１が無い場合でも、外部振動によるサー
ミスタ素子２０の変位を抑制することができ、サーミス
タ素子２０と金属カバー１０との接触による信号変動を
抑制することができる。なお、本実施形態においても、
上記絶縁部材を設ければ、より効果的であることは明ら
かである。

【００７２】ここで、図５に上記分散強化材の高温下
（９００℃×１００時間）での結晶構造を示す。図５
は、顕微鏡像を模式化した図であり、（ａ）に通常用い
られている一般白金（比較例）からなる電極線３１、３
２、（ｂ）に本実施形態の上記分散強化材からなる電極
線（分散強化白金と図示）３１、３２を表してある。

【００７３】一般白金では、高温雰囲気下において白金
結晶粒が粗大化し、線径方向における白金結晶粒の粒径
は、最大、線径と同等レベルになる。そして、高周波域
の強振動が線径と同等レベルの結晶粒の粒界でズレを誘
発すると、電極線３１、３２の強度が低下し、最悪、断
線に至ってしまう。

【００７４】しかし、上記分散強化材では線径方向にお
ける白金結晶粒の粒径が線径よりも小さく、上記粒界ズ
レが誘発されても電極線３１、３２の強度低下を極力小
さくすることができる。なお、望ましくは、上記白金結
晶粒の粒径が線径の１／２以下であることが好ましい。

【００７５】ここで、白金や白金合金の粒子の粗大化を
十分抑制するためには、上記分散強化材は、白金又は白
金合金を１００として金属酸化物が０．０２重量％以上
添加されたものであることが好ましいさらに、電極線３
１、３２自体の抵抗の過大化を防止し、サーミスタ素子
２０の抵抗変化を十分検出するためには、該金属酸化物
は、白金又は白金合金を１００として２重量％以下添加
されたものであることが好ましい。ここで、該金属酸化
物としては、例えば、ジルコニア、イットリア、アルミ
ナ、チタニア等から選択された少なくとも一種を用いる
ことができる。

【００７６】また、上記白金合金としては、例えば、白
金に対して、ロジウム、金、タングステン、パラジウム
等から選択された少なくとも一種が含有されたものを用
いることができる。このような白金合金とすることによ
り、電極線３１、３２自体の強度を向上させることがで
きる。

【００７７】また、本実施形態においては、電極線３
１、３２は、上記分散強化材以外にも、白金とイリジウ
ムとの合金線材からなるものとしてもよい。それによっ
ても、電極線３１、３２の線材自体を振動に対して強固
なものでき、外部振動等によるサーミスタ素子２０の変
位を抑制することができるため、サーミスタ素子２０と
金属カバー１０との接触による導通を抑制することがで
きる。

【００７８】ここで、該白金とイリジウムとの合金線材
は、その合金組成として、線引き、減径、切断等の線材
加工性を考慮すれば、イリジウムが１〜６０重量％添加
され、残部白金である白金合金を用いることが好まし
い。

【００７９】（第３実施形態）ところで、上記図１〜図
４に示す温度センサＳ１では、円盤状のサーミスタ素子
２０から引き出された一対の電極線３１、３２を、一対
の芯線（信号線）４２、４２に接続する構成において、
一対の電極線３１、３２の両方を、一対の芯線４１、４
２に対して同一方向から重ね合わせ、この重なり部Ｋ
１、Ｋ２を溶接している。

【００８０】図６は、上記図１においてＥ−Ｅ線に沿っ
た重なり部Ｋ１、Ｋ２の断面を模式的に示す図（ただ
し、碍子管５０は省略）である。この場合、振動等の外
力が、例えば片方の重なり部Ｋ１にて両線３１、４１が
離れる方向に加わると、他方の重なり部Ｋ２にても両線
３２、４２が同様に離れる方向に加わる。そのため、接
合信頼性が低く、上記両線の溶接部が強度的に弱くな
り、外部振動等によりサーミスタ素子２０が大きく変位
しやすい。

【００８１】それに対して、本発明の第３実施形態にお
ける電極線３１、３２と芯線４１、４２との接続構成を
図７に示す。図７中、（ａ）は上記図２に対応した視点
にて示す図であり、（ｂ）は（ａ）中のＦ−Ｆ拡大断面
図である。本実施形態は、一対の電極線３１、３２と一
対の芯線（信号線）４１、４２との接続構成に工夫を施
したものである。

【００８２】すなわち、一対の電極線３１、３２と一対
の芯線４１、４２とが、金属カバー１０の軸方向からみ
たとき、各電極線３１、３２を結ぶ対角線Ｔ１と各芯線
４１、４２を結ぶ対角線Ｔ２とが交差するように重なり
合って接合されている。なお、接合された両線３１、３
２、４１、４２の長さＬは、例えば数ｍｍである。以
下、この接続構成を「たすきがけ接続」という。

【００８３】この場合、振動等の外力が、例えば片方の
重なり部Ｋ１にて両線３１、３２が離れる方向に加わっ
ても、他方の重なり部Ｋ２では両線３２、４２が互いに
引っつき合うように作用し、接合信頼性が確保される。

【００８４】そのため、本実施形態によれば、一対の電
極線３１、３２と一対の芯線（一対の信号線）４１、４
２との溶接部を、従来に比べて強度的に強くすることが
できる。そのため、外部振動等によるサーミスタ素子２
０の変位を抑制することができ、サーミスタ素子２０と
金属カバー１０との接触による信号変動を抑制すること
ができる。

【００８５】なお、本実施形態においても、上記した絶
縁部材５０、５１を設けても良い。さらに、一対の電極
線３１、３２として、上記した白金又は白金合金を主成
分とする分散強化材、または、白金とイリジウムとの合
金線材を採用しても良い。それにより、より効果的であ
ることは明らかである。

【００８６】（第４実施形態）本発明の第４実施形態に
係る温度センサの要部を図８に示し、上記実施形態と相
違するところについて述べる。図８は、上記図４中のＧ
−Ｇ線に沿った断面に相当する断面にて、本実施形態を
示すものである。この断面は、金属カバー１０の軸と直
交し且つサーミスタ素子２０の直径部分を含む断面であ
る。

【００８７】図８においては、外部振動等によってサー
ミスタ素子２０が偏芯し、サーミスタ素子２０のうち一
方の円形面２１における両エッジ部２１ａ、２１ｂが、
金属カバー１０に接触した状態を示す。筒状の金属カバ
ー１０内にて、その両円形面２１が金属カバー１０の軸
方向に沿うように配置された円盤状のサーミスタ素子２
０においては、両円形面２１におけるエッジ部２１ａ、
２１ｂ、２１ｃ、２１ｄが、最も金属カバー１０に近く
接触しやすい部位である。

【００８８】ここで、図８に示す様に、サーミスタ素子
２０の１つの円形面（図８では右側の円形面）２１にお
ける金属カバー１０の軸と直交する直径方向に位置する
両エッジ部のうち、一方の電極線３１側のエッジ部２１
ａと一方の電極線３１との距離をａ１とし、他方の電極
線３２側のエッジ部３１ｂと他方の電極線３２との距離
をａ２とし、一対の電極線３１、３２間の距離をｃとす
る。

【００８９】このとき、本実施形態では、サーミスタ素
子２０の両円形面２１のそれぞれにおいて、距離ａ１と
距離ａ２との和が距離ｃよりも大きくなるような寸法関
係（（ａ１＋ａ２）＞ｃ）が満足されている。つまり、
図８中の左側の円形面２１のエッジ部２１ｃ、２１ｄに
おいても、上記寸法関係を同様に満足している。

【００９０】図８に示す様に、サーミスタ素子２０が偏
芯し、両エッジ部２１ａ、２１ｂにて金属カバー１０に
接触した場合、一対の電極線３１、３２と金属カバー１
０との間に回路が形成される。また、上述したように、
サーミスタ素子２０を介した一対の電極線３１、３２間
の抵抗値変化が、サーミスタ信号となる。

【００９１】そのため、もし、各エッジ部２１ａ、２１
ｂと各電極線３１、３２との間の電気抵抗が、両電極線
３１、３２間の電気抵抗よりも小さいと、電極線３１、
３２から金属カバー１０の方へ電流が流れやすくなる。
つまり、金属カバー１０への漏れ電流が発生しやすくな
る。

【００９２】ここにおいて、上記寸法関係（（ａ１＋ａ
２）＞ｃ）を設定することにより、各エッジ部２１ａ、
２１ｂと各電極線３１、３２との間の電気抵抗（（ａ１
＋ａ２）間の電気抵抗）を、両電極線３１、３２間の電
気抵抗（ｃ間の電気抵抗）よりも大きくすることができ
る。

【００９３】そのため、もし、上記エッジ部２１ａ、２
１ｂにてサーミスタ素子２０と金属カバー１０とが接触
したとしても、各電極線３１、３２から金属カバー１０
へ電流が流れるのを抑制し、一対の電極線３１、３２間
の方にて電流が流れやすくできる。

【００９４】つまり、本実施形態によれば、サーミスタ
素子２０と金属カバー１０との接触による金属カバー１
０への電流の漏れを極力抑えることができるため、信号
変動を抑制することができる。なお、望ましくは、距離
ａ１と距離ａ２との和（ａ１＋ａ２）が距離ｃの１．５
倍以上であることが好ましい。

【００９５】また、本実施形態においても、上記した絶
縁部材５０、５１の設置、一対の電極線３１、３２に対
する上記分散強化材や合金線材の採用、「たすきがけ接
続」を採用しても良い。それにより、より効果的である
ことは明らかである。

【００９６】（第５実施形態）本発明の第５実施形態に
係る温度センサの要部を図９に示し、上記実施形態と相
違するところについて述べる。図９は、上記図４中のＧ
−Ｇ線に沿った断面に相当する断面にて、本実施形態を
示すものである。この断面は、金属カバー１０の軸と直
交し且つサーミスタ素子２０の直径部分を含む断面であ
る。

【００９７】図９に示す様に、サーミスタ素子２０の円
周側面２２を、凸面形状（図９（ａ））または凹面形状
（図９（ｂ））としている。それによれば、もし、サー
ミスタ素子２０の円周側面２２が金属カバーに接触して
も、その接触部の面積を小さくすることができるため、
サーミスタ素子２０と金属カバー１０との接触による信
号変動を抑制することができる。

【００９８】なお、本実施形態においても、上記した絶
縁部材５０、５１の設置、一対の電極線３１、３２に対
する上記分散強化材や合金線材の採用、「たすきがけ接
続」、上記寸法関係（（ａ１＋ａ２）＞ｃ）を採用して
も良い。それにより、より効果的であることは明らかで
ある。

【００９９】（第６実施形態）本発明の第６実施形態で
は、上記各実施形態における円盤状のサーミスタ素子２
０において、その直径Ｗと厚さｔとの比Ｗ／ｔが１より
も大きく１．５以下となっているものを提供する。

【０１００】１＜Ｗ／ｔ≦１．５とする根拠について述
べる。図１０（ａ）に示すように、金属カバー１０内に
おいて円盤状のサーミスタ素子２０の直径Ｗと厚さｔと
を、図中の一点鎖線に示すように変えていった。なお、
図１０において（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ断面図、（ｄ）
は（ｃ）のＭ−Ｍ断面図である。

【０１０１】ここで、図１０（ａ）、（ｂ）は、内径が
φ２．４ｍｍのストレートな形状を持つノーマルタイプ
の金属カバー１０を用いた場合を示し、図１０（ｃ）、
（ｄ）は、サーミスタ素子２０を収納する部分を絞って
細くし、細くなった部分の内径がφ１．６５ｍｍである
高応答タイプの金属カバー１０を用いた場合を示す。両
タイプとも、金属カバー１０とサーミスタ素子２０との
隙間は少なくとも０．１ｍｍは確保するようにする。

【０１０２】具体的に、図１０（ａ）、（ｂ）の場合で
は、サーミスタ素子２０の半径Ｗ／２および厚さｔの値
（Ｗ／２、ｔ）を、（０．５、１．９６）、（０．５
５、１．９１）、（０．６、１．８４）、（０．６５、
１．７７）、（０．７、１．７）、（０．７５、１．６
１）、（０．８、１．５１）、（０．８５、１．４）、
（０．９、１．２６）、（０．９５、１．１１）、
（１、０．９２）、（１．０５、０．６６）と変えてい
った。

【０１０３】一方、図１０（ｃ）、（ｄ）の場合では、
上記値（Ｗ／２、ｔ）を、（０．５、１．１２）、
（０．５５、１．０２）、（０．６、０．９）、（０．
６５、０．７５）、（０．７、０．５４）、（０．７
５、０．３８）と変えていった。なお、値（Ｗ／２、
ｔ）の単位はｍｍである。

【０１０４】このように値（Ｗ／２、ｔ）を変えてい
き、そのときの上記比（直径Ｗ／厚さｔ）、サーミスタ
素子２０の直径×厚さに相当する空間断面積（単位：ｍ
ｍ²）、サーミスタ素子２０の体積である素子体積（単
位：ｍｍ³）を求めた。その結果を図１１に示す。図１
１において、（ａ）は図１０（ａ）、（ｂ）の場合であ
り、（ｂ）は図１０（ｃ）、（ｄ）の場合である。

【０１０５】図１１（ａ）、（ｂ）では、横軸に半径Ｗ
／２（ｍｍ）をとり、縦軸は上記比（直径Ｗ／厚さ
ｔ）、空間断面積（単位：ｍｍ²）、素子体積（単位：
ｍｍ³）の各値を共通して示す目盛軸としている。ま
た、比（直径Ｗ／厚さｔ）は白三角プロット、空間断面
積は白菱プロット、素子体積は白四角プロットで示して
ある。

【０１０６】サーミスタ素子２０と金属カバー１０との
空間（距離）を極力少なくし、熱交換を良くし、応答性
を向上させるためには、サーミスタ素子２０は、少ない
空間断面積で大きな素子体積を得る形状であることが好
ましい。

【０１０７】このような観点に加えて、サーミスタ素子
２０が直径が厚さよりも大なる円盤状であるという点を
考慮して、図１１に示す結果をながめると、素子体積が
ほぼ最大になるような比（直径Ｗ／厚さｔ）の範囲とし
ては、１よりも大きく１．５以下とすることができる。

【０１０８】そして、比（直径Ｗ／厚さｔ）がこの範囲
にあるとき、サーミスタ素子２０は、金属カバー１０内
の限られた空間の中で効率よく素子体積を大きくできる
ものになり、応答性向上等のために好ましいものとする
ことができる。

【０１０９】（他の実施形態）なお、上記各実施形態で
は、一対の電極線３１、３２がサーミスタ素子２０に埋
設されていた。ここで、特に、第１〜第３および第５実
施形態においては、図１２に示す様に、電極線３１、３
２がサーミスタ素子２０の円周側面２２に接合されてい
るものであってもよい。なお、図１２において、（ａ）
はサーミスタ素子２０の円形面２１を見た図、（ｂ）は
（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。

【０１１０】この場合、電極線３１、３２とサーミスタ
素子２０とは、サーメット等を用いた接続方法にて接合
することができる。また、電極線３１、３２が金属カバ
ー１０に最も近接した配置となるため、電極線３１、３
２の金属カバー１０への電流の漏れを防止するために、
電極線３１、３２と金属カバー１０とが隙間を介して非
接触の状態にあることが好ましい。

【０１１１】なお、本発明でいう円盤状のサーミスタ素
子２０とは、盤面が円形に近いものであれば良く、図１
３（ａ）、（ｂ）に示すような楕円型のものや、図１３
（ｃ）、（ｄ）に示すような俵型のものも含むものであ
る。なお、図１３において、（ｂ）は（ａ）のＮ−Ｎ断
面図、（ｄ）は（ｃ）のＰ−Ｐ断面図である。

【０１１２】これら楕円型のサーミスタ素子２０や俵型
のサーミスタ素子２０のものは、サーミスタ素子２０と
金属カバー１０との空間（距離）を少なくし、熱交換を
良くし、応答性を向上させる形状としては好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る温度センサの全体
構成を示す概略断面図である。

【図２】図１中のＣ部のＤ矢視拡大断面図である。

【図３】第１実施形態における絶縁部材として皮膜を採
用した例を示す図である。

【図４】本発明の第２実施形態に係る温度センサの要部
を示す図である。

【図５】高温下での白金の結晶構造を示す図である。

【図６】図１中の電極線と芯線との重なり部におけるＥ
−Ｅ概略断面図である。

【図７】本発明の第３実施形態に係る電極線と芯線との
接続構成を示す図である。

【図８】本発明の第４実施形態に係る温度センサの要部
を示す図である。

【図９】本発明の第５実施形態に係る温度センサの要部
を示す図である。

【図１０】金属カバー内において円盤状のサーミスタ素
子の直径と厚さとを変えていった様子を示す図である。

【図１１】サーミスタ素子における好適な直径／厚さの
比を調べた結果を示す図である。

【図１２】本発明の他の実施形態を示す図である。

【図１３】本発明のもう一つの他の実施形態を示す図で
ある。

【図１４】従来の温度センサの一般的な全体構成を示す
断面図である。

【図１５】図１４中のＡ部のＢ矢視拡大断面図である。

【符号の説明】

１０…金属カバー、２０…サーミスタ素子、２１ａ、２
１ｂ…サーミスタ素子の一方の円形面におけるエッジ
部、３１、３２…電極線、４１、４２…シースピンの芯
線、５０…碍子管、５１…皮膜、Ｔ１…一対の電極線を
結ぶ対角線、Ｔ２…一対の芯線を結ぶ対角線。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】筒状の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収納され直径が厚さよりも大
なる円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサーミスタ素子から前記金属カバーの他端側へ引き
出されたサーミスタ信号取り出し用の電極線（３１、３
２）とを備える温度センサにおいて、前記金属カバーと前記サーミスタ素子との間には、当該
間の電気絶縁性を確保するための絶縁部材（５０、５
１）が介在設定されていることを特徴とする温度セン
サ。
【請求項２】前記絶縁部材は、前記金属カバー（１
０）内にて前記サーミスタ素子（２０）を収納する碍子
管（５０）であることを特徴とする請求項１に記載の温
度センサ。
【請求項３】前記絶縁部材は、前記サーミスタ素子
（２０）の円周側面のうち少なくとも前記金属カバー
（１０）の内面と最短距離にある部位に形成された電気
絶縁性の皮膜（５１）であることを特徴とする請求項１
に記載の温度センサ。
【請求項４】前記皮膜（５１）は、前記サーミスタ素
子（２０）の円周側面の全周に形成されていることを特
徴とする請求項３に記載の温度センサ。
【請求項５】前記皮膜（５１）は、電気絶縁性のセラ
ミックよりなるものであることを特徴とする請求項３ま
たは４に記載の温度センサ。
【請求項６】筒状の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収納され直径が厚さよりも大
なる円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサーミスタ素子から前記金属カバーの他端側へ引き
出されたサーミスタ信号取り出し用の電極線（３１、３
２）とを備える温度センサにおいて、前記電極線は、白金又は白金合金を主成分とする分散強
化材からなることを特徴とする温度センサ。
【請求項７】前記分散強化材は、線径方向における結
晶の粒径が線径よりも小さいものであることを特徴とす
る請求項６に記載の温度センサ。
【請求項８】前記分散強化材の結晶粒径が線径の１／
２以下であることを特徴とする請求項７に記載の温度セ
ンサ。
【請求項９】前記分散強化材は、白金又は白金合金を
１００として金属酸化物が０．０２重量％以上添加され
たものであることを特徴とする請求項６ないし８のいず
れか１つに記載の温度センサ。
【請求項１０】前記金属酸化物は、白金又は白金合金
を１００として２重量％以下添加されていることを特徴
とする請求項９に記載の温度センサ。
【請求項１１】前記金属酸化物は、ジルコニア、イッ
トリア、アルミナ、チタニアから選択された少なくとも
一種であることを特徴とする請求項９または１０に記載
の温度センサ。
【請求項１２】前記白金合金は、白金に対して、ロジ
ウム、金、タングステン、パラジウムから選択された少
なくとも一種が含有されたものであることを特徴とする
請求項６ないし１１のいずれか１つに記載の温度セン
サ。
【請求項１３】筒状の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収納され直径が厚さよりも大
なる円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサーミスタ素子から前記金属カバーの他端側へ引き
出されたサーミスタ信号取り出し用の電極線（３１、３
２）とを備える温度センサにおいて、前記電極線は、白金とイリジウムとの合金線材からなる
ことを特徴とする温度センサ。
【請求項１４】前記白金とイリジウムとの合金線材
は、イリジウムが１〜６０重量％添加され、残部白金で
あることを特徴とする請求項１３に記載の温度センサ。
【請求項１５】筒状の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収納され直径が厚さよりも大
なる円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサーミスタ素子から前記金属カバーの他端側へ向か
って引き出されるとともに、互いに前記金属カバーの軸
方向に略平行に間隔を開けて配置されたサーミスタ信号
取り出し用の一対の電極線（３１、３２）と、前記金属カバーの他端側にて互いに前記金属カバーの軸
方向に略平行に間隔を開けて配置され、前記一対の電極
線の各々と接続された一対の信号線（４１、４２）とを
備える温度センサにおいて、前記一対の電極線と前記一対の信号線とは、前記金属カ
バーの軸方向からみたとき、前記各電極線を結ぶ対角線
（Ｔ１）と前記各信号線を結ぶ対角線（Ｔ２）とが交差
するように重なり合って接合されていることを特徴とす
る温度センサ。
【請求項１６】前記電極線（３１、３２）は、前記サ
ーミスタ素子（２０）の円周側面に接合されているもの
であり、前記電極線と前記金属カバー（１０）とは隙間を介して
非接触の状態にあることを特徴とする請求項１ないし１
５のいずれか１つに記載の温度センサ。
【請求項１７】筒状の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収納され直径が厚さよりも大
なる円盤状をなし、その両円形面が前記金属カバーの軸
方向に沿うように配置されているサーミスタ素子（２
０）と、互いに前記金属カバーの軸方向に略平行に間隔を開けて
配置された状態で前記サーミスタ素子に埋設され、前記
サーミスタ素子から前記金属カバーの他端側へ引き出さ
れたサーミスタ信号取り出し用の一対の電極線（３１、
３２）とを備える温度センサにおいて、前記サーミスタ素子の１つの円形面における前記金属カ
バーの軸と直交する直径方向に位置する両エッジ部のう
ち、一方の前記電極線側のエッジ部（２１ａ）と当該一
方の前記電極線との距離をａ１とし、他方の前記電極線
側のエッジ部（２１ｂ）と当該他方の前記電極線との距
離をａ２とし、前記一対の電極線間の距離をｃとしたと
き、前記サーミスタ素子の両円形面に対して、前記距離ａ１
と前記距離ａ２との和（ａ１＋ａ２）が前記距離ｃより
も大きくなるような寸法関係が満足されていることを特
徴とする温度センサ。
【請求項１８】筒状の金属カバー（１０）と、この金属カバーの一端側に収納され直径が厚さよりも大
なる円盤状のサーミスタ素子（２０）と、このサーミスタ素子から前記金属カバーの他端側へ引き
出されたサーミスタ信号取り出し用の電極線（３１、３
２）とを備える温度センサにおいて、前記サーミスタ素子の円周側面は、凸面形状または凹面
形状となっていることを特徴とする温度センサ。
【請求項１９】前記サーミスタ素子（２０）は、その
直径Ｗと厚さｔとの比Ｗ／ｔが１よりも大きく１．５以
下となっているものであることを特徴とする請求項１な
いし１８のいずれか一つに記載の温度センサ。