JP2002338512A - ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類及びその製造方法並びにシクロヘキセニルフェノール類の製造方法 - Google Patents
ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類及びその製造方法並びにシクロヘキセニルフェノール類の製造方法Info
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- JP2002338512A JP2002338512A JP2001147987A JP2001147987A JP2002338512A JP 2002338512 A JP2002338512 A JP 2002338512A JP 2001147987 A JP2001147987 A JP 2001147987A JP 2001147987 A JP2001147987 A JP 2001147987A JP 2002338512 A JP2002338512 A JP 2002338512A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シクロヘキセニルフェノール類への変換が容
易であり、また医農薬、電子材料、液晶等の原料として
有用な化合物及びその製造方法を提供し、且つ該化合物
を用いたシクロヘキセニルフェノール類の製造方法を提
供する 【解決手段】 酸触媒の存在下、下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル
シクロヘキサノール類を加熱し、脱水及び脱保護するこ
とにより、下記一般式（４） 【化２】 （式中、Ｒ2は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるシクロヘキセニルフェノール類を
製造する。
易であり、また医農薬、電子材料、液晶等の原料として
有用な化合物及びその製造方法を提供し、且つ該化合物
を用いたシクロヘキセニルフェノール類の製造方法を提
供する 【解決手段】 酸触媒の存在下、下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル
シクロヘキサノール類を加熱し、脱水及び脱保護するこ
とにより、下記一般式（４） 【化２】 （式中、Ｒ2は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるシクロヘキセニルフェノール類を
製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医農薬、電子材
料、液晶等の原料として有用な新規フェニルシクロヘキ
サノール類であるｐ―ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシク
ロヘキサノール類及びその製造方法、並びにそれを用い
たシクロヘキセニルフェノール類の新規な製造法に関す
る。
料、液晶等の原料として有用な新規フェニルシクロヘキ
サノール類であるｐ―ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシク
ロヘキサノール類及びその製造方法、並びにそれを用い
たシクロヘキセニルフェノール類の新規な製造法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】シクロヘキセニルフェノールの製造方法
としては、ジヒドロキシフェニルアルカン類及びシクロ
ヘキシリデンビスフェノールの熱分解による方法が知ら
れている。
としては、ジヒドロキシフェニルアルカン類及びシクロ
ヘキシリデンビスフェノールの熱分解による方法が知ら
れている。
【０００３】例えば、西独国特許出願公告第１２３５８
９４号明細書には、ジヒドロキシフェニルアルカン類
を、触媒として金属水酸化物を用い、減圧下に熱分解し
てアルケニルフェノールを得る方法が開示されている。
また、特開２０００−１５９７１１号公報には、シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類を塩基性触媒の存在下、
不活性雰囲気中、減圧下に熱分解し、生成するシクロヘ
キセニルフェノール類を回収する方法が開示されてい
る。しかしながらこれらの方法によると多量の副生成物
が生じる問題がある。
９４号明細書には、ジヒドロキシフェニルアルカン類
を、触媒として金属水酸化物を用い、減圧下に熱分解し
てアルケニルフェノールを得る方法が開示されている。
また、特開２０００−１５９７１１号公報には、シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類を塩基性触媒の存在下、
不活性雰囲気中、減圧下に熱分解し、生成するシクロヘ
キセニルフェノール類を回収する方法が開示されてい
る。しかしながらこれらの方法によると多量の副生成物
が生じる問題がある。
【０００４】また、グリニャール化合物及びリチウム化
合物とシクロヘキサノン類との反応でシクロヘキサノー
ル類が生成することは既に知られており、このような反
応を利用して種々のフェニルシクロヘキサノール類が製
造されている。該化合物を用いたシクロヘキセニルフェ
ノールの合成方法は副生物が少なく工業生産には有用で
ある。
合物とシクロヘキサノン類との反応でシクロヘキサノー
ル類が生成することは既に知られており、このような反
応を利用して種々のフェニルシクロヘキサノール類が製
造されている。該化合物を用いたシクロヘキセニルフェ
ノールの合成方法は副生物が少なく工業生産には有用で
ある。
【０００５】例えば、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｂ（１９
６９），（６），７７９−７８５には、ｐ−ブロモアニ
ソールとｎ−ブチルリチウムの反応溶液に４−メチルシ
クロヘキサノンを加えることで１−（ｐ−メトキシフェ
ニル）−４−メチルシクロヘキサノールを合成する方法
が記載されている。また、特開昭５６−６８６３６号公
報には、ｐ−エトキシフェニルマグネシウムブロマイド
と４−ｎ−プロピルシクロヘキサノンとの反応によっ
て、１−（ｐ−エトキシフェニル）−４−ｎ−プロピル
シクロヘキサノールが得られることが記載されている。
６９），（６），７７９−７８５には、ｐ−ブロモアニ
ソールとｎ−ブチルリチウムの反応溶液に４−メチルシ
クロヘキサノンを加えることで１−（ｐ−メトキシフェ
ニル）−４−メチルシクロヘキサノールを合成する方法
が記載されている。また、特開昭５６−６８６３６号公
報には、ｐ−エトキシフェニルマグネシウムブロマイド
と４−ｎ−プロピルシクロヘキサノンとの反応によっ
て、１−（ｐ−エトキシフェニル）−４−ｎ−プロピル
シクロヘキサノールが得られることが記載されている。
【０００６】しかしながら、上記の方法で得られるフェ
ニルシクロヘキサノール類を原料として、シクロヘキセ
ニルフェノールを合成する場合、先ず脱水剤によりｐ−
置換フェニルシクロヘキセン誘導体とし、その後、酢酸
中、臭化水素酸で処理する等の操作を必要とする。これ
らの方法は２段階の反応操作が必要となり、しかも脱保
護条件が厳しく操作及び後処理を考慮すると簡便な方法
ではない。
ニルシクロヘキサノール類を原料として、シクロヘキセ
ニルフェノールを合成する場合、先ず脱水剤によりｐ−
置換フェニルシクロヘキセン誘導体とし、その後、酢酸
中、臭化水素酸で処理する等の操作を必要とする。これ
らの方法は２段階の反応操作が必要となり、しかも脱保
護条件が厳しく操作及び後処理を考慮すると簡便な方法
ではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたものであり、その目的は、従来技術の問
題を解決すること、すなわち、シクロヘキセニルフェノ
ール類への変換が容易であり、また医農薬、電子材料、
液晶等の原料として有用な化合物及びその製造方法を提
供すること、並びに該化合物を用いたシクロヘキセニル
フェノール類の製造方法を提供することである。
鑑みてなされたものであり、その目的は、従来技術の問
題を解決すること、すなわち、シクロヘキセニルフェノ
ール類への変換が容易であり、また医農薬、電子材料、
液晶等の原料として有用な化合物及びその製造方法を提
供すること、並びに該化合物を用いたシクロヘキセニル
フェノール類の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、４−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類が定量的合
成が可能であり、更に酸触媒下容易にシクロヘキセニル
フェノール類に変換できることを見出し、本発明を完成
させるに至った。
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、４−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類が定量的合
成が可能であり、更に酸触媒下容易にシクロヘキセニル
フェノール類に変換できることを見出し、本発明を完成
させるに至った。
【０００９】すなわち本発明は、下記一般式（１）
【００１０】
【化６】 （式中、Ｒ1は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるｐ―ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル
シクロヘキサノール類及びその製造方法、並びにそれを
用いた下記一般式（４）
を表す。）で示されるｐ―ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル
シクロヘキサノール類及びその製造方法、並びにそれを
用いた下記一般式（４）
【００１１】
【化７】 （式中、Ｒ2は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるシクロヘキセニルフェノール類の
製造方法である。
を表す。）で示されるシクロヘキセニルフェノール類の
製造方法である。
【００１２】以下に、本発明について詳細に説明する。
【００１３】本発明の上記一般式（１）で示されるｐ−
ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類は、
下記一般式（２）
ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類は、
下記一般式（２）
【００１４】
【化８】 （式中、Ｘは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示
す。）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンマグ
ネシウムハライドと、下記一般式（３）
す。）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンマグ
ネシウムハライドと、下記一般式（３）
【００１５】
【化９】 （式中、Ｒ1は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるアルキルシクロヘキサノンとの反
応により、簡便に製造される。
を表す。）で示されるアルキルシクロヘキサノンとの反
応により、簡便に製造される。
【００１６】本発明の方法で用いられる上記一般式
（２）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンマグ
ネシウムハライドとしては、具体的には、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブトキシベンゼンマグネシウムクロライド、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシベンゼンマグネシウムブロマイド、ｐ−
ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンマグネシウムアイオダイド
を挙げることができる。
（２）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンマグ
ネシウムハライドとしては、具体的には、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブトキシベンゼンマグネシウムクロライド、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシベンゼンマグネシウムブロマイド、ｐ−
ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンマグネシウムアイオダイド
を挙げることができる。
【００１７】上記一般式（２）で示されるｐ−ｔｅｒｔ
−ブトキシベンゼンマグネシウムハライドは、従来公知
の方法にて合成される。すなわち、無水テトラヒドロフ
ラン中、活性化した金属マグネシウムに対応するｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシハライドを４０℃〜還流温度にて滴下
し、更に１〜２４時間の攪拌を続けることにより合成す
ることができる。反応に先立つ金属マグネシウムの活性
化は、従来公知の方法にて行われる。すなわち、沃化メ
チル、臭化メチル、ジブロモエタン等を添加することで
円滑に活性化を実施することができる。反応溶媒として
は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等が一般的
に使用されるが、トルエン−テトラヒドロフラン、ベン
ゼン−ジエチルエーテル等の混合溶媒系でも同様の結果
を得ることができる。
−ブトキシベンゼンマグネシウムハライドは、従来公知
の方法にて合成される。すなわち、無水テトラヒドロフ
ラン中、活性化した金属マグネシウムに対応するｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシハライドを４０℃〜還流温度にて滴下
し、更に１〜２４時間の攪拌を続けることにより合成す
ることができる。反応に先立つ金属マグネシウムの活性
化は、従来公知の方法にて行われる。すなわち、沃化メ
チル、臭化メチル、ジブロモエタン等を添加することで
円滑に活性化を実施することができる。反応溶媒として
は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等が一般的
に使用されるが、トルエン−テトラヒドロフラン、ベン
ゼン−ジエチルエーテル等の混合溶媒系でも同様の結果
を得ることができる。
【００１８】本発明の方法で用いられる上記一般式
（３）で示されるアルキルシクロヘキサノンとしては、
具体例には、４−メチルシクロヘキサノン、４−エチル
シクロヘキサノン、４−ｎ−プロピルシクロヘキサノ
ン，４−ｉ−プロピルシクロヘキサノン、４−ｎ−ブチ
ルシクロヘキサノン、４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキサ
ノン、４−ｔ−ブチルシクロヘキサノン、４−ｎ−ペン
チルシクロヘキサノン、４−ネオペンチルシクロヘキサ
ノン、４−ヘキシルシクロヘキサノン、４−ヘプチルシ
クロヘキサノン、４−オクチルシクロヘキサノン等を挙
げることができる。
（３）で示されるアルキルシクロヘキサノンとしては、
具体例には、４−メチルシクロヘキサノン、４−エチル
シクロヘキサノン、４−ｎ−プロピルシクロヘキサノ
ン，４−ｉ−プロピルシクロヘキサノン、４−ｎ−ブチ
ルシクロヘキサノン、４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキサ
ノン、４−ｔ−ブチルシクロヘキサノン、４−ｎ−ペン
チルシクロヘキサノン、４−ネオペンチルシクロヘキサ
ノン、４−ヘキシルシクロヘキサノン、４−ヘプチルシ
クロヘキサノン、４−オクチルシクロヘキサノン等を挙
げることができる。
【００１９】次に、上記一般式（１）で示されるｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類を用い
た、上記一般式（４）で示されるシクロヘキセニルフェ
ノール類の製造方法を以下に詳細に説明する。
ｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類を用い
た、上記一般式（４）で示されるシクロヘキセニルフェ
ノール類の製造方法を以下に詳細に説明する。
【００２０】本発明のシクロヘキセニルフェノール類の
製造方法は、具体的には、上記一般式（１）で示される
ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類
を溶媒に希釈し、更に酸触媒を加え、攪拌下加熱するこ
とにより実施される。
製造方法は、具体的には、上記一般式（１）で示される
ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類
を溶媒に希釈し、更に酸触媒を加え、攪拌下加熱するこ
とにより実施される。
【００２１】本発明の方法に使用される酸触媒として
は、特に限定するものではないが、例えば、フッ化水
素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、硝酸、リン酸、
ポリリン酸等の鉱酸類、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリ
クロロ酢酸、シュウ酸、安息香酸等で示されるカルボン
酸類、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、トリメトキシボ
ロン、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化ア
ルミニウム、アルミニウムアルコキシド、アルキルアル
ミニウム、四塩化チタン、四臭化チタン、チタンアルコ
キシド等で示されるルイス酸類、酸性ゼオライト、カチ
オン交換樹脂、スルホン酸類等が挙げられる。
は、特に限定するものではないが、例えば、フッ化水
素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、硝酸、リン酸、
ポリリン酸等の鉱酸類、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリ
クロロ酢酸、シュウ酸、安息香酸等で示されるカルボン
酸類、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、トリメトキシボ
ロン、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化ア
ルミニウム、アルミニウムアルコキシド、アルキルアル
ミニウム、四塩化チタン、四臭化チタン、チタンアルコ
キシド等で示されるルイス酸類、酸性ゼオライト、カチ
オン交換樹脂、スルホン酸類等が挙げられる。
【００２２】本発明において酸触媒として使用されるス
ルホン酸類としては、構造式中にスルホン酸基が含有さ
れる化合物であれば特に限定するものではないが、例え
ば、硫酸、フルオロスルホン酸、クロロスルホン酸等の
無機スルホン酸類及びメタンスルホン酸、エタンスルホ
ン酸、プロパンスルホン酸、アリルスルホン酸、ブタン
スルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン
酸、ヘプタンスルホン酸、オクタンスルホン酸、ノナン
スルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、
テトラデカンスルホン酸等の脂肪族スルホン酸類、ベン
ゼンスルホン酸、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸、ｐ−
フェノールスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、フェ
ニルヒドラジン−ｐ−スルホン酸、１，２−ベンゼンジ
スルホン酸、１，３−ベンゼンジスルホン酸、１，４−
ベンゼンジスルホン酸、ｍ−トルエンスルホン酸、ｐ−
トルエンスルホン酸、２，４−ジメチルベンゼンスルホ
ン酸、２，５−ジメチルベンゼンスルホン酸、２−メシ
チレンスルホン酸、ｐ−エチルベンゼンスルホン酸、１
−ナフタレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸等
の芳香族スルホン酸が挙げられ、これらは単独で又は混
合して使用することができる。これらスルホン酸類のう
ち好ましい酸触媒としては硫酸を挙げることができる。
ルホン酸類としては、構造式中にスルホン酸基が含有さ
れる化合物であれば特に限定するものではないが、例え
ば、硫酸、フルオロスルホン酸、クロロスルホン酸等の
無機スルホン酸類及びメタンスルホン酸、エタンスルホ
ン酸、プロパンスルホン酸、アリルスルホン酸、ブタン
スルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン
酸、ヘプタンスルホン酸、オクタンスルホン酸、ノナン
スルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、
テトラデカンスルホン酸等の脂肪族スルホン酸類、ベン
ゼンスルホン酸、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸、ｐ−
フェノールスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、フェ
ニルヒドラジン−ｐ−スルホン酸、１，２−ベンゼンジ
スルホン酸、１，３−ベンゼンジスルホン酸、１，４−
ベンゼンジスルホン酸、ｍ−トルエンスルホン酸、ｐ−
トルエンスルホン酸、２，４−ジメチルベンゼンスルホ
ン酸、２，５−ジメチルベンゼンスルホン酸、２−メシ
チレンスルホン酸、ｐ−エチルベンゼンスルホン酸、１
−ナフタレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸等
の芳香族スルホン酸が挙げられ、これらは単独で又は混
合して使用することができる。これらスルホン酸類のう
ち好ましい酸触媒としては硫酸を挙げることができる。
【００２３】本発明の方法において、酸触媒の使用量
は、特に限定するものではないが、上記一般式（１）で
示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサ
ノールに対し、通常０．５〜７５ｍｏｌ％の範囲であ
る。触媒量を０．５ｍｏｌ％以上とすると、反応速度が
速くなり製造効率が上がる他、未反応原料が残ることも
なく、また、７５ｍｏｌ％を以下とすると、副生するイ
ソブチレンによる芳香族部位の核置換反応の進行が穏や
かになるため、この範囲内にすることが好ましい。
は、特に限定するものではないが、上記一般式（１）で
示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサ
ノールに対し、通常０．５〜７５ｍｏｌ％の範囲であ
る。触媒量を０．５ｍｏｌ％以上とすると、反応速度が
速くなり製造効率が上がる他、未反応原料が残ることも
なく、また、７５ｍｏｌ％を以下とすると、副生するイ
ソブチレンによる芳香族部位の核置換反応の進行が穏や
かになるため、この範囲内にすることが好ましい。
【００２４】本発明の方法において使用する溶媒として
は特に限定するものではないが、例えば、テトラヒドロ
フラン、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、
イソプロパノール、ブタノール等を挙げることができ
る。
は特に限定するものではないが、例えば、テトラヒドロ
フラン、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、
イソプロパノール、ブタノール等を挙げることができ
る。
【００２５】本発明の方法は、反応温度３０〜２００
℃、より好ましくは５０〜１２０℃の間で加熱攪拌する
ことで目的とする上記一般式（４）で示されるシクロヘ
キセニルフェノール類を得ることができる。
℃、より好ましくは５０〜１２０℃の間で加熱攪拌する
ことで目的とする上記一般式（４）で示されるシクロヘ
キセニルフェノール類を得ることができる。
【００２６】本発明の方法において反応時間は、触媒の
種類、温度に依存するため特に限定するものではない
が、通常２〜９０時間で原料のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
フェニルシクロヘキサノールは消失する。反応終了後常
法により、例えば、反応液中和後、水洗の後有機層を濃
縮することにより、上記一般式（４）で示されるシクロ
ヘキセニルフェノール類を得ることができる。
種類、温度に依存するため特に限定するものではない
が、通常２〜９０時間で原料のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
フェニルシクロヘキサノールは消失する。反応終了後常
法により、例えば、反応液中和後、水洗の後有機層を濃
縮することにより、上記一般式（４）で示されるシクロ
ヘキセニルフェノール類を得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ルシクロヘキサノール類は、シクロヘキセニルフェノー
ル類への変換が容易であり、また医農薬、電子材料、液
晶等の原料として有用な化合物である。また、本発明の
シクロヘキセニルフェノール類の製造方法は、従来法に
比べ簡便であり、工業的に極めて有意義である。
ルシクロヘキサノール類は、シクロヘキセニルフェノー
ル類への変換が容易であり、また医農薬、電子材料、液
晶等の原料として有用な化合物である。また、本発明の
シクロヘキセニルフェノール類の製造方法は、従来法に
比べ簡便であり、工業的に極めて有意義である。
【００２８】
【実施例】以下に、本発明の方法を実施例により具体的
に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定される
ものではない。
に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定される
ものではない。
【００２９】実施例１ １−（ｐ−ブトキシフェニル）
−４−プロピルシクロヘキサノールの合成 ５００ｍｌフラスコに、マグネシウム１０．１ｇ（０．
４ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５３．６ｍｌ、ブロ
モエタン１．５ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、加熱還
流下でパラ−ブトキシ−クロロベンゼン６５．１ｇ
（０．３５ｍｏｌ）を２．５時間かけて滴下した。さら
に同温度で８時間熟成した。
−４−プロピルシクロヘキサノールの合成 ５００ｍｌフラスコに、マグネシウム１０．１ｇ（０．
４ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５３．６ｍｌ、ブロ
モエタン１．５ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、加熱還
流下でパラ−ブトキシ−クロロベンゼン６５．１ｇ
（０．３５ｍｏｌ）を２．５時間かけて滴下した。さら
に同温度で８時間熟成した。
【００３０】反応終了後、得られた反応液に４−プロピ
ルシクロヘキサノン４７．７ｇ（０．３４ｍｏｌ）を２
０℃にて２時間かけて滴下し、さらに同温度で１時間熟
成した。
ルシクロヘキサノン４７．７ｇ（０．３４ｍｏｌ）を２
０℃にて２時間かけて滴下し、さらに同温度で１時間熟
成した。
【００３１】反応液を攪拌下、２０℃〜３０℃にて３Ｎ
−ＨＣｌ ３５０ｍｌに滴下し、更にテトラヒドロフラ
ンを３３０ｍｌ加え有機層を分離した。有機層を更に飽
和ＮａＨＣＯ3水溶液にて、洗浄し、溶媒を減圧留去す
ると１−（ｐ−ブトキシフェニル）−４−プロピルシク
ロヘキサノールの白色結晶が６７．７ｇ収率６８．６％
得られた。 （分析結果） （１）融点：１１９℃ （２）1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3溶媒２００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）＝０．９４（ｔ，３Ｈ），１．３〜２．５
（ｍ，２３Ｈ），６．９１〜７．３５（ｍ，４Ｈ） （３）質量分析：２９０（Ｍ+） 実施例２ ４−（４−ｎ−プロピル−１−シクロヘキセ
ン−１−イル）−フェノールの合成 攪拌機の付いた５００ｍｌの四つ口フラスコに、実施例
１で得られた１−（ｐ−ブトキシフェニル）−４−プロ
ピルシクロヘキサノール６１．２ｇ（０．２１ｍｏｌ）
に３６５ｍｌのテトラヒドロフランに溶かし、硫酸０．
５ｇ（０．００５ｍｏｌ）を添加した後に２４ｈｒ還流
を行った。
−ＨＣｌ ３５０ｍｌに滴下し、更にテトラヒドロフラ
ンを３３０ｍｌ加え有機層を分離した。有機層を更に飽
和ＮａＨＣＯ3水溶液にて、洗浄し、溶媒を減圧留去す
ると１−（ｐ−ブトキシフェニル）−４−プロピルシク
ロヘキサノールの白色結晶が６７．７ｇ収率６８．６％
得られた。 （分析結果） （１）融点：１１９℃ （２）1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3溶媒２００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）＝０．９４（ｔ，３Ｈ），１．３〜２．５
（ｍ，２３Ｈ），６．９１〜７．３５（ｍ，４Ｈ） （３）質量分析：２９０（Ｍ+） 実施例２ ４−（４−ｎ−プロピル−１−シクロヘキセ
ン−１−イル）−フェノールの合成 攪拌機の付いた５００ｍｌの四つ口フラスコに、実施例
１で得られた１−（ｐ−ブトキシフェニル）−４−プロ
ピルシクロヘキサノール６１．２ｇ（０．２１ｍｏｌ）
に３６５ｍｌのテトラヒドロフランに溶かし、硫酸０．
５ｇ（０．００５ｍｏｌ）を添加した後に２４ｈｒ還流
を行った。
【００３２】反応液を飽和ＮａＨＣＯ3水溶液にて洗浄
し、更に水洗後有機層を減圧濃縮する事で４−（４−ｎ
−プロピル−１−シクロヘキセン−１−イル）−フェノ
ールの白色結晶を３９．０ｇ収率８６％で得ることがで
きた。 （分析結果） （１）融点：１１５〜１１７℃ （２）1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3溶媒２００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）＝０．９５（ｔ，３Ｈ），１．２〜２．０
（ｍ，８Ｈ），１．２〜２．０（ｍ，８Ｈ），６．０１
（ｍ，１Ｈ），６．８〜７．３（ｍ，４Ｈ） （３）質量分析：２１６（Ｍ+）
し、更に水洗後有機層を減圧濃縮する事で４−（４−ｎ
−プロピル−１−シクロヘキセン−１−イル）−フェノ
ールの白色結晶を３９．０ｇ収率８６％で得ることがで
きた。 （分析結果） （１）融点：１１５〜１１７℃ （２）1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3溶媒２００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）＝０．９５（ｔ，３Ｈ），１．２〜２．０
（ｍ，８Ｈ），１．２〜２．０（ｍ，８Ｈ），６．０１
（ｍ，１Ｈ），６．８〜７．３（ｍ，４Ｈ） （３）質量分析：２１６（Ｍ+）
フロントページの続き (72)発明者 江口 久雄 山口県新南陽市中畷町１番27号 Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA02 AC11 AC22 AC26 AC41 AC42 BA36 BA52 4H039 CA40 CA60 CG10 CG90
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるｐ―ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル
シクロヘキサノール類。 - 【請求項２】 下記一般式（２） 【化２】 （式中、Ｘは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示
す。）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンマグ
ネシウムハライドと下記一般式（３） 【化３】 （式中、Ｒ1は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるアルキルシクロヘキサノンを反応
させることを特徴とする請求項１に記載のｐ−ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類の製造方法。 - 【請求項３】 酸触媒の存在下、下記一般式（１） 【化４】 （式中、Ｒ1は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル
シクロヘキサノール類を加熱することを特徴とする下記
一般式（４） 【化５】 （式中、Ｒ2は１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を表す。）で示されるシクロヘキセニルフェノール類の
製造方法。 - 【請求項４】 酸触媒がスルホン酸類であることを特徴
とする請求項３に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147987A JP2002338512A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類及びその製造方法並びにシクロヘキセニルフェノール類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001147987A JP2002338512A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類及びその製造方法並びにシクロヘキセニルフェノール類の製造方法 |
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| JP2002338512A true JP2002338512A (ja) | 2002-11-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001147987A Pending JP2002338512A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルシクロヘキサノール類及びその製造方法並びにシクロヘキセニルフェノール類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002338512A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008143791A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | ヒドロキシビニルナフタレン化合物の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-17 JP JP2001147987A patent/JP2002338512A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008143791A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | ヒドロキシビニルナフタレン化合物の製造方法 |
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